JP2002335004A - 光電変換材料および光電池 - Google Patents
光電変換材料および光電池Info
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Abstract
有する光電変換材料およびそれを用いた光電池を提供す
る。 【解決手段】 光電変換材料は、電子供与体と、電子受
容体としての球殻状炭素(フラーレン類など)と、電荷
輸送体としての線状又は筒状炭素(カーボンナノチュー
ブなど)とを含む。この光電変換材料は、さらに光増感
剤(ポルフィリン類など)を含んでいてもよい。光電変
換材料において、各成分は二次元的又は三次元的に配置
又は配向させてもよく、例えば、電子供与体を含む電子
供与層と、光増感剤を含む光増感層と、電子受容体と電
子輸送体とを含む電荷輸送層とで積層構造の光電変換材
料又は素子を構成できる。電子供与層および電荷輸送層
には球殻状の炭素を含有させてもよく、電子供与層にお
ける球殻状炭素の濃度は電荷輸送層よりも小さくしても
よい。
Description
受容体、電子輸送体及び必要により光増感剤で構成され
た光電変換材料およびそれを用いた光電池(太陽電池な
ど)に関する。
リコン系光電変換材料と化合物半導体系光電変換材料が
主に使用されており、有機系光電変換材料は余り使用さ
れていない。一方、1977年に導電性ポリアセチレンが発
見されて以来、有機薄膜を利用した太陽電池の研究も盛
んに行われている。しかし、有機系材料を用いた太陽電
池は、一般に、安定性が低く、しかもエネルギー変換率
が低い。
リジル単位を有する金属錯体で構成され、可視光領域お
よび近赤外領域でも感光性を有する金属錯体ポリマーが
開示されている。しかし、この金属錯体ポリマーは構造
が複雑であるとともにビピリジル単位に対して配位する
特殊な配位子を用いる必要がある。
70以上の基本骨格を有するカーボンクラスターなどの
非晶質フラーレンおよびその誘導体の少なくとも一種
と、この非晶質フラーレンが分散したマトリックスポリ
マーとで構成された光導電体が開示されている。この文
献には、導電性支持体と、この導電性支持体上に形成さ
れた電荷輸送層および前記光導電体からなる電荷発生層
とを備えた感光体も開示されている。これらの光電変換
材料は、太陽電池などの光電池、感光体などの感光材料
として有用である。しかし、この材料に対しても、さら
に高い光電変換効率が求められている。
C60,C70などの球殻状炭素分子を電子受容体として内
包した化合物(例えば、フェロセンなどの有機金属錯体
単位と、ポルフィリン単位と、フラーレン単位とが順次
リンカーで結合した化合物)で構成された光電荷分離材
料が開示されている。この文献には、電子供与体、光増
感剤および電子受容体を三次元的に配置し、光励起によ
る電荷分離状態に方向性を付与した光電荷分離材料と、
この光電荷分離材料で構成された光電池も開示されてい
る。しかし、前記光電荷分離材料は、フラーレンなどの
球殻状炭素分子を電子受容体として内包させる必要があ
るため、構造が複雑化し、光電荷分離材料や光電池を高
い生産性で工業的に有利に製造することが困難である。
は、高い光電変換機能を有し、大面積化、薄膜化、軽量
化やコストダウンが可能な光電変換材料およびそれを用
いた光電池を提供することにある。
かつ高い安定性および変換効率を有する光電変換材料お
よびそれを用いた光電池を提供することにある。
を達成するため鋭意検討した結果、フラーレン類などの
球殻状炭素が電子受容体として有効に機能するととも
に、カーボンナノチューブ類などの線状又は筒状炭素が
電荷輸送体として有効に機能すること、また、平面的
(又は二次元的構造)かつ線状の炭素(例えば、グラフ
ァイトリボンなど)が、電子受容体と電荷輸送体として
の両機能を有することを見いだし、本発明を完成した。
供与体と、球殻状炭素と、線状又は筒状炭素とを含む。
光電変換材料は、さらに光増感剤を含んでいてもよい。
光電変換材料において、前記各成分(電子供与体、球殻
状炭素、線状又は筒状炭素および必要により光増感剤)
の配置又は配列状態は、電子供与体からのキャリア(電
子又は正孔)が電子輸送体に効率よく輸送される限り特
に制限されず、例えば、電子供与体と電子輸送体との間
に光増感剤が介在し、かつ電子受容体がキャリア(電
子、正孔)を電荷輸送体に付与可能な形態で、それぞれ
の成分が二次元的又は三次元的に配置又は配向していて
もよい。より具体的には、二次元的構造の光電変換材料
は、例えば、電子供与体を含む電子供与層と、この電子
供与層上に形成され、かつ電子受容体と電子輸送体(又
は電荷輸送体)とを含む電荷輸送層とで構成してもよ
い。また、電子供与体を含む電子供与層と、この電子供
与層上に形成され、かつ光増感剤を含む光増感層と、こ
の光増感層上に形成され、かつ電子受容体と電子輸送体
(又は電荷輸送体)とを含む電荷輸送層とで構成しても
よい。このような二次元的構造の光電変換材料におい
て、電子供与層および電荷輸送層は球殻状の炭素を含ん
でいてもよく、電子供与層と電荷輸送層との間には球殻
状炭素の濃度差を形成してもよい。例えば、電子供与層
における球殻状炭素の濃度は電荷輸送層よりも小さくて
もよい。
類、その修飾体、金属内包物などが例示でき、線状又は
筒状炭素としては、チューブ状、繊維状またはリボン状
の形態の炭素、例えば、カーボンナノチューブ、グラフ
ァイトナノファイバー、グラファイトリボン、フィブリ
ル、グラファイト層間化合物、それらの修飾体などが例
示できる。さらに、光増感剤としては、π電子系化合
物、例えば、ポルフィリン類、金属キレート化合物、ポ
リアニリン類、芳香族多環化合物、ポリアセン系骨格構
造を有する化合物などが例示できる。
有しており、安定性も高い。そのため、本発明は、前記
光電変換材料で構成された種々の素子又はユニット、例
えば、光電池(太陽電池など)も包含する。
球殻状炭素と線状又は筒状炭素とを組み合わせている点
にある。前記球殻状炭素は電子受容体として機能させる
ことができ、線状又は筒状炭素は電荷輸送体として機能
させることができる。また、平面的(又は二次元的構
造)で、しかも線状の炭素(例えば、グラファイトリボ
ンなど)は、電子受容体と電荷輸送体との両機能を兼ね
備える。
体、金属内包物などが挙げられる。これらの球殻状炭素
は、単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。フラ
ーレン類としては、種々の立体構造を有するカーボンク
ラスター、例えば、C60、C 70、C74、C76、C78、C
82、C84、C720、C860などのフラーレン類などが挙げ
られる。フラーレン類の形態は、例えば、サッカーボー
ル状、バッキーボール状などであってもよい。
飾されていてもよい。修飾方法は、特に限定されず、例
えば、フラーレン類の反応性に富む炭素5員環部を化学
的に修飾できる。置換基の種類は、特に限定されず、例
えば、アルキル基(メチル基、t−ブチル基などのC
1-10アルキル基など)、アリール基(フェニル基な
ど)、アラルキル基(ベンジル基など)、ジオキソラン
単位、ハロゲン又は酸素原子などが例示でき、液晶ポリ
マー、色素類、ポリエチレンオキシドなどの導入により
修飾してもよい。フラーレン類の修飾により、溶媒、高
分子への可溶化や親和性の改善、フラーレン類の配列又
は配向を可能にする。
々の金属、例えば、周期表第1A族元素(K、Na、R
bなど)、周期表第2A族元素、ランタノイド族元素
(Laなど)などの金属がドープされたフラーレン類が
例示できる。ドーパントとしての金属は単独で又は二種
以上組み合わせてドープとしてもよい。これらの金属内
包フラーレン類は、単独で又は二種以上組み合わせて使
用してもよい。
状またはリボン状の形態の炭素が含まれる。このような
炭素としては、例えば、カーボンナノチューブ、カーボ
ンナノコイル、グラファイトナノファイバー(又はカー
ボンナノファイバー)、グラファイトリボン、フィブリ
ル、グラファイト層間化合物などが例示できる。これら
の炭素材は単独で又は二種以上組み合わせて使用でき
る。
又はリボン状、例えば、カーボンナノチューブ類、グラ
ファイトリボン類である。カーボンナノチューブ類は、
単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ
であってもよく、バッキーオニオン(bucky-onion)構
造を有していてもよい。
状炭素の平均直径は、例えば、0.7〜300nm、好
ましくは0.7〜250nm、さらに好ましくは1〜2
50nm、特に5〜250nm程度であってもよい。な
お、前記平均直径は、リボン状の形態の炭素では、平均
厚み又は平均幅を意味する。
線状又は筒状炭素の配列又は配向を制御するため、カー
ボンナノチューブ類などの炭素は、前記フラーレン類と
同様に、置換基の導入などにより修飾してもよい。修飾
方法および置換基の種類は、前記フラーレン類と同様で
ある。なお、カーボンナノチューブ類には、金属内包フ
ラーレン類と同じく、金属をドープしてもよい。グラフ
ァイトリボンなどの平面的(二次元的構造)でしかも線
状の炭素は構造的にエッジ部分を多く含むため、置換基
の導入、修飾や金属内包が容易である。
としては、特に限定されないが、導電性高分子であり、
かつp型半導体としての機能を有する高分子が望まし
い。このような電子供与体としては、PT[ポリ(3−
アルキルチオフェン)]などのポリチオフェン系樹脂、
PPV[ポリ(P−フェニレンビニレン)],OOPV
[ポリ(2,5−ジオクチルオキシ−P−フェニレンビ
ニレン)],PEDOT[ポリ(2,3−ジヒドロチエ
ノ)[3,4−b]-1,4−ジオキン],PSS[ポ
リ(スチレンスルホネート)]などのポリフェニレンビ
ニレン系樹脂、ポリフェニレン系樹脂(例えば、ポリ
(p−フェニレン)系樹脂、ポリ(m−フェニレン)系
樹脂)やそれらの置換体などが挙げられる。
子、すなわち光を有効に吸収して他の物質に電子、正孔
をトランスファーする化合物であればよく、例えば、π
電子系化合物(ポルフィリン類、金属キレート化合物、
ポリアニリン、芳香族多環化合物、ポリアセン系骨格構
造を有する化合物など)、異種元素を含むπ電子系化合
物(カルバゾールなど)、ハロゲン化されたπ電子系化
合物、キニザリン又はその誘導体などが例示できる。ポ
ルフィリン類としては、ポルフィリン骨格を有する種々
の化合物、例えば、ポルフィリン、フタロシアニン、金
属フタロシアニン(鉄フタロシアニンなどの遷移金属を
含むフタロシアニン)、テトラベンゾポルフィリン又は
テトラフェニルポルフィリン又はその誘導体〔金属テト
ラベンゾポルフィリン(亜鉛−テトラベンゾポルフィリ
ン、マグネシウム−テトラベンゾポルフィリンなど)、
テトラキスペンタフルオロフェニルポルフィリンなど〕
などが例示される。金属キレート化合物としては、例え
ば、ジメチルグリオキシム、ジチゾン、オキシン、アセ
チルアセトン、グリシン、EDTA(エチレンジアミン
四酢酸)、NTAなどの金属塩(例えば、遷移金属塩)
などが例示できる。
渣、ナフサ熱分解残渣、エチレンボトム油、石炭液化
油、コールタールなどの石油系又は石炭系重質油、ナフ
タレンなどの縮合によって合成された多環式炭化水素
類、これら炭化水素類の構造中にヘテロ原子(窒素原
子、イオウ原子、ホウ素原子、リン原子、酸素原子な
ど)が導入された多環式炭化水素類、さらに前記残渣か
らの溶剤抽出などにより得られる多環式炭化水素類など
が例示される。
特開昭60−170163号公報に記載されている芳香
族炭化水素化合物とアルデヒド類との縮合物の熱処理物
であって、水素原子/炭素原子の原子比が0.05〜
0.5である。
に限定されず、例えば、フッ化炭化水素類、フッ化芳香
族多環化合物(フッ化ピッチなど)、重質油フッ化物、
六フッ化ベンゼン、オクタフルオロナフタレン、デカフ
ルオロフェナンスレン、デカフルオロピレンなど)、こ
れらに対応する塩化炭化水素類、臭化炭化水素類、ヨウ
素化炭化水素類などが例示できる。これらのハロゲン化
物のうちフッ化ピッチが好ましい。これらのハロゲン化
物は単独で又は二種以上組み合わせて使用できる。
ンドリマーとして使用でき、ポリアニリンも化学結合に
より電子供与体、電子受容体、電子輸送体に結合させて
使用できる。
安定性および高エネルギー変換率を実現する。すなわ
ち、光励起により電子供与体から電子受容体へ電子が移
動するとともに、電子供与体へ正孔が移動し、電荷分離
状態が効率よく生成する。例えば、光増感剤の光励起に
より光増感剤から電子受容体へ電子が移動するととも
に、光増感剤から電子供与体へ正孔が移動し、電荷分離
状態を効率よく形成できる。しかも、線状又は筒状炭素
の電子輸送体により、電荷分離状態に方向性を与えるこ
とができる。そのため、失活することなく、電荷を輸送
でき、高い安定性および光電変換効率が得られるものと
思われる。
類、カーボンナノチューブ類などの炭素材には構造的特
異性とともに多くのπ電子系が存在するためか、光との
強い相互作用、分子間電荷移動、電子輸送現象などが生
じ、高い効率で光電変換機能が発現するものと思われ
る。例えば、光増感剤は、光励起によりキャリア又は電
荷(電子と正孔)を生成し、電子受容体へ電子を与える
とともに、電子供与体へ正孔を与える。そのため、光増
感剤は、キャリア又は電荷(電子と正孔)を分離する機
能を有しており、後続反応に利用可能な電荷分離状態を
効率よく生成させる。このように、光増感剤により、生
成した電荷(電子と正孔)を分離して輸送できるため、
pn接合面での電荷発生によるシリコン系半導体と比較
して、高い光電変換効率が得られる。しかも、カーボン
ナノチューブ類などの線状または筒状炭素は少量の添加
で方向性のあるパーコレーション伝導路を形成する。そ
のため、電子輸送体は、電荷輸送に極めて有効であり、
電荷を失活させることなく輸送できるものと思われる。
リソグラフィ技術などを利用して光電変換材料又は光電
変換素子を形成してもよく、マトリックス樹脂と複合化
して光電変換材料又は光電変換素子を形成してもよい。
マトリックス樹脂としては、例えば、ポリオレフィン系
樹脂(ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、エ
チレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−(メタ)アク
リル酸エステル共重合体など)、酢酸ビニル系樹脂(酢
酸ビニル−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル−(メタ)
アクリル酸エステル共重合体など)、(メタ)アクリル
系樹脂(ポリメタクリル酸メチル、メタクリル酸メチル
−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸
メチル−スチレン−(メタ)アクリル酸エステル共重合
体など)、ポリスチレン系樹脂(ポリスチレン、スチレ
ン−(メタ)アクリル酸エステル共重合体、スチレン−
(メタ)アクリル酸共重合体、スチレン−無水マレイン
酸共重合体など)、塩化ビニル系樹脂、ポリエステル系
樹脂(ポリアリレート系樹脂を含む)、ポリアミド系樹
脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリビニルアルコール系
樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂(ポリビニルブチラ
ール系樹脂など)、ポリスルホン系樹脂、ポリフェニレ
ンオキシド系樹脂などが例示できる。これらのマトリッ
クス樹脂は単独で又は二種以上組み合わせて使用でき
る。
子、ポリアセン系骨格構造を有する化合物などが好まし
い。導電性高分子としては、例えば、ポリアセチレン系
高分子(ポリアセチレンなどの溶媒不溶性樹脂、フェニ
ルアセチレンなどを用いた溶媒可溶性ポリアセチレン系
樹脂など)、ポリフェニレン系高分子(例えば、ポリ
(p−フェニレン)系樹脂、ポリ(m−フェニレン)系
樹脂、ポリ(p−フェニレンビニレン)などのポリフェ
ニレンビニレン系樹脂、ポリフェニレンスルフィド系樹
脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂など)、複素環式高
分子(ポリピロール、ポリ(3−アルキルチオフェン)
などのポリチオフェン系樹脂、ポリフラン系樹脂、ポリ
セレノフェン系樹脂、ポリテルロフェン系樹脂など)、
イオン性高分子(ポリアニリン系樹脂、ポリ(3−メチ
ル−4−カルボキシピロール)などのピロール系樹脂な
ど)、はしご型高分子などが例示できる。導電性高分子
としては、通常、溶媒可溶性樹脂が使用される。なお、
マトリックス樹脂の種類は特に制限されず、電子供与層
や電荷輸送層などの層の機能に応じて選択でき、電子供
与層としてはp型導電性高分子を用いる場合が多く、電
荷輸送層としてはn型導電性高分子を用いる場合が多
い。
は、例えば、光増感剤の項で記載した前記ポリアセン系
骨格構造を有する化合物が含まれる。
に用いると、カラム構造に配列し、正孔や電子の輸送に
効果的である。
質を有する導電性高分子を用いると、フラーレン類は電
子供与体を取り込んでn型半導体的性質を有する電荷移
動型物質となりやすい。さらに、フラーレン類と導電性
高分子との複合体は、特に光に対して大きな応答を示
す。このことは、シリコン系半導体のpn接合素子とは
異なる光誘起電荷移動で説明されるドナー−アクセプタ
ー型素子を形成していることに起因すると思われ、光照
射により複合体全体で励起子が発生する。そのため、導
電性高分子との組合せにおいて、電子供与体としてフラ
ーレン類などを用いることにより、効率よくキャリア
(電子、正孔)を生成する。
体、電子受容体および電子輸送体で構成されていればよ
く、光増感剤を含有していてもよい。このような光電変
換材料は各成分の複合体(又は混合組成物)であっても
よい。好ましい態様において、各成分は、互いに関連付
けて、二次元的(層状)又は三次元的に配置できる。例
えば、それぞれの成分が二次元的又は三次元的に配置、
結合又は配向した構造において、電子供与体と電子輸送
体との間に、電子受容体がキャリア(電子)を電荷輸送
体に付与可能な形態で配置、結合又は配向していてもよ
く、電子供与体と電子輸送体との間に光増感剤が介在
し、かつ電子受容体はキャリア(電子)を電荷輸送体に
付与可能な形態で配置、結合又は配向していてもよい。
り生成したキャリア又は電荷(電子又は正孔)を分離し
て効率よく移動させるため、光増感剤には、キャリアを
輸送可能な形態で、電子供与体が結合又は近接(又は配
向)しているとともに、電子受容体(球殻状炭素)も結
合又は近接(又は配向)している。さらに、電荷輸送体
(線状又は筒状炭素)は、キャリアを輸送可能な形態
で、少なくとも前記電子受容体(球殻状炭素)と結合又
は近接(又は配向)しており、電荷輸送体(線状又は筒
状炭素)は、光増感剤を介して、キャリアを輸送可能な
形態で、前記電子供与体および前記電子受容体(球殻状
炭素)と結合又は近接(又は配向)していてもよい。こ
のような光電変換材料としては、例えば、下記式で表さ
れる複合体が例示できる。
受容体、Ctは電荷輸送体を示し、Ea−(Ct)は電子
受容体Eaと電荷輸送体Ctとが結合、近接又は配向し
ていることを示す。L1およびL2はそれぞれ同一又は異
なって、電子供与体Ed、光増感剤P、電子受容体Ea
を連結するリンカーを示す) なお、前記各成分を結合させるためのリンカーとして
は、慣用の反応を利用して形成される結合、例えば、直
接結合、アミド結合、エステル結合、ウレタン結合、エ
ーテル結合などが利用できる。なお、これらのリンカー
の一例としては、例えば、特開2000−261016
号公報などを参照できる。
は光電変換素子)は、二次元的な層構造(積層構造)を
有している。このような積層構造は、例えば、電子供与
体を含む電子供与層と、この電子供与層上に形成された
電子輸送層とで構成された積層構造を有している。この
電子輸送層は、通常、電子受容体(球殻状炭素など)と
電子輸送体(線状又は筒状炭素など)とを含んでいる。
特に、電子供与体を含む電子供与層と、この電子供与層
上に形成され、かつ光増感剤を含む光増感層と、この光
増感層上に形成され、かつ電子受容体と電子輸送体とを
含む電荷輸送層とで構成された構造を含む。なお、光増
感層の光増感剤は、電子供与層と電荷輸送層との界面近
傍に分散していてもよい。
て、電子供与層および電荷輸送層は、球殻状の炭素を含
んでいてもよい。また、電子供与層および電荷輸送層で
の球殻状の炭素の濃度は異なっていてもよい。例えば、
電子供与層における球殻状炭素の濃度は、電荷輸送層で
の球殻状炭素の濃度より小さくてもよい。例えば、電子
供与層と電荷輸送層との球殻状炭素の含有量の差は、例
えば、1〜80重量%、好ましくは5〜70重量%(例
えば、10〜50重量%)程度であってもよい。電子供
与層中の球殻状炭素の含有量は10重量%以下(例え
ば、0〜10重量%、特に0〜7重量%程度)、電荷輸
送層中の球殻状炭素の含有量は10重量%以上(例え
ば、10〜70重量%程度)であってもよい。
て、種々の製膜法、例えば、スパッタリング、蒸着など
の化学的又は物理的蒸着法、前記マトリックス樹脂(導
電性高分子など)を利用するコーティング法、これらの
方法を組み合わせた方法などにより各層を形成してもよ
い。例えば、基板上に、電子供与体と必要により球殻状
炭素とマトリックス樹脂とを含む塗布液をコーティング
して電子供与層を形成し、光増感剤とマトリックス樹脂
とを含む塗布液をコーティングして光増感層を形成し、
電子受容体と電子輸送体とマトリックス樹脂とを含む塗
布剤をコーティングすることにより電荷輸送層を形成で
きる。また、所望の層(例えば、光増感層など)は必要
により化学的又は物理的蒸着法により形成してもよい。
マトリックス樹脂100重量部に対して、例えば、0.
01〜10重量部、好ましくは0.1〜9重量部、さら
に好ましくは1〜8重量部程度である。
する光増感剤の割合は、例えば、1〜100重量部、好
ましくは2〜100重量部、さらに好ましくは5〜10
0重量部程度である。
対する電子受容体(球殻状炭素)の割合は、例えば、1
0重量部以上(例えば、10〜200重量部程度)、好
ましくは15重量部以上(例えば、15〜150重量部
程度)、さらに好ましくは20重量部以上(例えば、2
0〜120重量部程度)であり、電子輸送体(線状又は
筒状炭素)の割合は、例えば、0.1重量部以上(例え
ば、0.5〜100重量部程度)、好ましくは1重量部
以上(例えば、1〜50重量部程度)、さらに好ましく
は2重量部以上(例えば、2〜30重量部程度)であ
る。
nm〜300μm(例えば、5nm〜30μm)、好ま
しくは50nm〜50μm、さらに好ましくは50nm
〜30μm程度である。光増感層の厚みは、例えば、5
nm〜50μm、好ましくは5nm〜5μm、さらに好
ましくは5nm〜1μm程度である。電荷輸送層の厚み
は、例えば、5nm〜300μm(例えば、5nm〜3
0μm)、好ましくは50nm〜50μm、さらに好ま
しくは50nm〜30μm程度である。
応じて、前記成分や層が吸着や化学結合などにより物理
的又は化学的に結合できる基板、例えば、導電体、半導
体、絶縁体(例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどの
導電性金属、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、I
TOなどの透明導電体又は半導電体、シリコンなどの半
導電体又は絶縁体、ガラス、プラスチックフィルムなど
の透明絶縁体、導電性、半導電性又は絶縁性セラミック
スなど)などから適当に選択できる。
陽電池などの光電池)の電極として使用することもでき
る。この場合には、光の入射側の電極には透明導電体又
は半導電体が使用でき、反対側の電極には金属などの導
電性金属などが使用できる。また、光の入射側の透明導
電体は透明基板(ガラス板など)で保護してもよい。
コール類、エステル類、ケトン類、エーテル類、アミド
類、硫黄含有化合物(スルホキシド類を含む)、ハロゲ
ン化炭化水素類、炭化水素類などが挙げられ、溶媒は混
合溶媒として使用してもよい。なお、芳香族炭化水素類
(ベンゼン、トルエン)、脂環族炭化水素類(シクロヘ
キサンなど)、脂肪族炭化水素類(ノルマルヘキサンな
ど)、ハロゲン化炭化水素類(塩化メチレン、クロロホ
ルム、トリクロロエチレンなど)、二硫化炭素などは、
フラーレン類、ナノチューブ類に対する溶解量が多いた
めに好適である。
コーティング法、スプレーコーティング法、ロールコー
ティング法、蒸着法などの慣用の方法が採用でき、塗布
液をコーティングした後、乾燥することにより層構造を
有する光電変換材料を得ることができる。
において、電子供与層は、低濃度(例えば、10重量%
以下)のフラーレン類(C60など)と、マトリックス樹
脂(チオフェン系樹脂、フェニレン系樹脂などの導電性
高分子、特にp型導電性高分子)とで形成できる。この
電子供与層は、電荷輸送性化合物(例えば、正孔を輸送
可能なディスコティック液晶など)をパーコレーション
濃度前後で含んでいてもよい。
電子供与層と電荷輸送層との間に介在していればよく、
電子供与層と電荷輸送層との界面において光増感剤が分
散していてもよい。また、光増感剤の種類や層又は分散
形態などにより、光電変換素子のスペクトル特性を改善
できる。
60など)と、カーボンナノチューブ類と、マトリックス
樹脂(導電性高分子、特にn型導電性高分子)とで形成
できる。この電子輸送層には、カーボンナノチューブ類
と同様に電荷輸送性化合物をパ−コレーション閾値以上
の濃度で含んでいてもよい。この場合、フラーレン類
(C60フラーレンなど)とともに、導電性高分子との間
で光誘起電荷移動を生じる化合物を用いてもよい。
又はデバイスは、光電変換機能、増幅機能、光整流機能
などを利用した種々の光電変換デバイス、電光変換デバ
イス又はオプトエレクトロニクスデバイスへの幅広い応
用が可能である。例えば、電子素子又は光電変換素子
(ダイオード、整流素子、フォトダイオード、光セン
サ、光スイッチ、トランジスタ、FET、ホログラフィ
ック素子など)、光電池(太陽電池など)、光起電力素
子、光記録材(電子写真方式での感光体、光導電性トナ
ー、光メモリなど)などとして有用である。特に、光電
変換効率が高く、しかも安定しているため、光電池の光
電変換素子として適している。しかも、光電変換デバイ
スは、大面積化、薄膜化、軽量化やコストダウンが可能
であるため、壁や窓などにも適用でき、次世代の太陽電
池の光電変換素子として利用できる。
炭素とを組み合わせているため、光電変換機能が高い。
また、大面積化、薄膜化、軽量化やコストダウンが可能
である。しかも、簡単な構造で、高い安定性および変換
効率を示す。そのため、光電変換材料又はその素子は光
電池(特に太陽電池)に適している。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。
法(ブチル化方法)としては、以下の2方法を用いて分
子修飾物を調製した。(1)C60フラーレン、カーボン
ナノチューブ又はグラファイトリボン(5g)、ジブチ
ル亜鉛(105g)、ヨウ化ブチル(50ml)をフラ
スコに入れ、180℃で4時間攪拌した。反応終了後、
エタノール、希塩酸で洗浄し、ブチル化物を調製した。
(2)C60フラーレン、カーボンナノチューブ又はグラ
ファイトリボン(5g)、カリウムK(7g)、テトラ
ヒドロフランTHF(100ml)を三口フラスコに入
れ、超音波照射下、60℃で5時間攪拌した。続いて、
90mlのヨウ化ブチルを加え、室温で一晩攪拌した。
溶媒を留去後、残さを水−エタノールで洗浄し、ブチル
化物を調製した。
キシ−p−フェニレンビニレン))をクロロホルム中に
溶解させ、この溶液中に、電子供与体として分子修飾し
たC60フラーレン5重量部(前記導電性高分子100重
量部に対して)を加え、超音波処理した。得られた塗布
剤を、透明電極としてITO膜を形成した石英ガラス基
板上にスピンコートして薄膜(厚み120nmの電子供
与層)を形成した。
リ(p−フェニレンビニレン))をトリクロロエチレン
中に溶解させ、この溶液中に、電子受容体としてC60フ
ラーレン20重量部と、電荷輸送体としてポリエチレン
オキシドで分子修飾したカーボンナノチューブ(平均直
径40〜200nm、平均長さ20〜30μm)2重量
部を加え、超音波処理した。得られた塗布剤を、電子供
与層上にスピンコートし、電荷輸送層(厚み50nm)
を形成した。さらに、電荷輸送層上にアルミニウムを蒸
着して上部電極を形成し、素子を作製した。
用い、100mmHgのヘリウム雰囲気でアーク放電
し、得られたススをベンゼンで抽出し、得られたC60混
合物を、塩基性活性アルミナを担体とし、ヘキサンを展
開溶媒として、カラム分離精製することにより調製し
た。また、カーボンナノチューブは、CVD法を用い、
700℃で、Ni−フタロシアニンを原料として調製し
た。
電性を調べた。光を照射しない場合、素子は絶縁体であ
った。この素子に可視光領域の光を透明電極側から照射
したところ、光電流が観測された。タングステンランプ
を分光し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、7
00nm以下の波長に対して光応答が観測された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
力が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池のエネルギー変換効率は4%であった。
リン)を真空蒸着することにより、電子供与層と電荷輸
送層との間に光増感層(厚み40nm)を形成する以外
は、実施例1と同様の素子を作製した。この素子に可視
光領域の光を透明電極側から照射したところ、光電流が
観測された。タングステンランプを分光し、光電流強度
の波長依存性も測定した結果、800nm以下の波長に
対して光応答が観測された。また、実施例1と比較し
て、光電流値が増加した。
ら波長635nmの単色光を照射したところ、過電力が
発生し、良好な太陽電池であることが判った。この太陽
電池のエネルギー変換効率は5%であった。
オクチルオキシ−p−フェニレンビニレン)60重量
%,CNPPV(CN ポリ(p−フェニレンビニレ
ン))30重量%)に、電子受容体としてのC60フラー
レン5重量%と、電荷輸送物体としてポリエチレンオキ
シドで分子修飾したカーボンナノチューブ2重量%、光
増感剤としてポルフィン類(オクタエチルポルフィン)
3重量%とを分子分散させた光導電体を形成した。な
お、フラーレンおよびカーボンナノチューブは、実施例
1と同様のフラーレンおよびカーボンナノチューブを用
いた。
クロロエチレン混合溶媒に溶解し、得られた塗布剤を、
透明電極としてITO膜を形成した石英ガラス基板上に
スピンコートして光導電層の薄膜(厚み0.3μm)を
形成した。さらに、光導電層上にアルミニウムを蒸着し
て上部電極を形成し、素子を作製した。
電性を調べた。光を照射しない場合、感光体は絶縁体で
あった。この素子に可視光領域の光を透明電極側から照
射したところ、光電流が観測された。タングステンラン
プを分光し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、
800nm以下の波長に対して光応答が観測された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
力が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池のエネルギー変換効率は3.5%であった。
キシ−p−フェニレンビニレン))をクロロベンゼン中
に溶解させ、この溶液を超音波処理した。得られた塗布
剤を、透明電極としてITO膜を形成した石英ガラス基
板上にスピンコートして薄膜(厚み120nmの電子供
与層)を形成した。
リ(p−フェニレンビニレン))をトリクロロエチレン
中に溶解させ、この溶液中に、電子受容体としてC60フ
ラーレン20重量部と、電荷輸送体としてカーボンナノ
チューブ(平均直径40〜200nm、平均長さ20〜
30μm)2重量部を加え、超音波処理した。得られた
塗布剤を、電子供与層上にスピンコートし、電荷輸送層
(厚み50nm)を形成した。さらに、電荷輸送層上に
アルミニウムを蒸着して上部電極を形成し、素子を作製
した。
電性を調べた。光を照射しない場合、素子は絶縁体であ
った。この素子に可視光領域の光を透明電極側から照射
したところ、光電流が観測された。タングステンランプ
を分光し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、7
00nm以下の波長に対して光応答が観測された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池のエネルギー変換効率は0.8%であった。
使用する以外は、実施例4と同様の素子を作製した。こ
の素子の可視光域の光を透明電極側から照射したとこ
ろ、光電流が観測された。タングステンランプを分光
し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、700n
m以下の波長に対して光応答が観測された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は0.7%であった。
ファイトリボンを使用する以外は、実施例4と同様の素
子を作製した。この素子に可視光域の光を透明電極側か
ら照射したところ、光電流が観測された。タングステン
ランプを分光し、光電流強度の波長依存性を測定した結
果、700nm以下の波長に対して光応答が観測され
た。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は0.5%であった。
リン)を真空蒸着することにより、電子供与層と電荷輸
送層との間に光増感層(厚み40nm)を形成する以外
は、実施例4と同様の素子を作製した。この素子に可視
光領域の光を透明電極側から照射したところ、光電流が
観測された。タングステンランプを分光し、光電流強度
の波長依存性も測定した結果、800nm以下の波長に
対して光応答が観測された。また、実施例4と比較し
て、光電流値が増加した。
ら波長635nmの単色光を照射したところ、過電圧が
発生し、良好な太陽電池であることが判った。この太陽
電池のエネルギー変換効率は1.5%であった。
せ、この溶液中に、電子供与体としてC60フラーレン5
重量部(OOPPV 100重量部に対して)を加え、
超音波処理した。得られた塗布剤を、透明電極としてI
TO膜を形成した石英ガラス基板上にスピンコートして
薄膜(厚み120nmの電子供与層)を形成した。
ロエチレン中に溶解させ、この溶液中に、電子受容体と
してC60フラーレン20重量部と、電荷輸送体としてカ
ーボンナノチューブ(平均直径40〜200nm、平均
長さ20〜30μm)2重量部を加え、超音波処理し
た。得られた塗布剤を、電子供給層上にスピンコート
し、電荷輸送層(厚み50nm)を形成した。さらに、
電荷輸送層上にアルミニウムを蒸着して上部電極を形成
し、素子を作製した。
電性を調べた。光を照射しない場合、素子は絶縁体であ
った。この素子に可視光領域の光を透明電極側から照射
したところ、光電流が観測された。タングステンランプ
を分光し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、7
00nm以下の波長に対して光応答が観測された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池のエネルギー変換効率は2%であった。
リン)を真空蒸着することにより、電子供与層と電荷輸
送層との間に光増感層(厚み40nm)を形成する以外
は、実施例8と同様の素子を作製した。この素子に可視
光域の光を透明電極側から照射したところ、光電流が観
測された。タングステンランプを分光し、光電流強度の
波長依存症を測定した結果、800nm以下の波長に対
して光応答が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は3%であった。
子修飾C60フラーレン、分子修飾カーボンナノチューブ
を使用する以外は、実施例8と同様の素子を作製した。
この素子に可視光域の光を透明電極側から照射したとこ
ろ、光電流が観測された。タングステンランプを分光
し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、800n
m以下の波長に対して光応答が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は4%であった。
分子修飾C60フラーレン、分子修飾カーボンナノチュー
ブを使用する以外は、実施例9と同様の素子を作製し
た。この素子に可視光域の光を透明電極側から照射した
ところ、光電流が観測された。タングステンランプを分
光し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、800
nm以下の波長に対して光応答が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は5%であった。
分子修飾C60フラーレン、分子修飾グラファイトリボン
を使用する以外は、実施例8と同様の素子を作製した。
この素子に可視光域の光を透明電極側から照射したとこ
ろ、光電流が観測された。タングステンランプを分光
し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、800n
m以下の波長に対して光応答が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は4.5%であった。
分子修飾C60フラーレン、分子修飾グラファイトリボン
を使用する以外は、実施例9と同様の素子を作製した。
この素子に可視光域の光を透明電極側から照射したとこ
ろ、光電流が観測された。タングステンランプを分光
し、光電流強度の波長依存性を測定した結果、800n
m以下の波長に対して光応答が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は5.3%であった。
分子修飾グラファイトリボンを使用する以外は、実施例
8と同様の素子を作製した。この素子に可視光域の光を
透明電極側から照射したところ、光電流が観測された。
タングステンランプを分光し、光電流強度の波長依存性
を測定した結果、800nm以下の波長に対して光応答
が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は3.5%であった。
分子修飾グラファイトリボンを使用する以外は、実施例
9と同様の素子を作製した。この素子に可視光域の光を
透明電極側から照射したところ、光電流が観測された。
タングステンランプを分光し、光電流強度の波長依存性
を測定した結果、800nm以下の波長に対して光応答
が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は4.6%であった。
びCNPPV30重量部に、電子受容体としての分子修
飾C60フラーレン5重量部と、電荷輸送体としての分子
修飾カーボンナノチューブ2重量部、光増感剤として前
記ポルフィン類3重量部とを分散させた光導電体を作製
した。すなわち、上記成分をクロロベンゼン/トリクロ
ロエチレン混合溶媒と混合し、得られた塗布剤を、透明
電極としてITO膜を形成した石英ガラス基板上にスピ
ンコートして光導電層の薄膜(厚み0.3μm)を形成
した。さらに、光導電層上にアルミニウムを蒸着して上
部電極を形成し,素子を作製した。この素子に可視光域
の光を透明電極側から照射したところ、光電流が観測さ
れた。タングステンランプを分光し、光電流強度の波長
依存性を測定した結果、800nm以下の波長に対して
光応答が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は3.5%であった。
分子修飾グラファイトリボンを使用する以外は、実施例
16と同様の素子を作製した。この素子に可視光域の光
を透明電極側から照射したところ、光電流が観測され
た。タングステンランプを分光し、光電流強度の波長依
存性を測定した結果、800nm以下の波長に対して光
応答が観察された。
側から波長635nmの単色光を照射したところ、過電
圧が発生し、良好な太陽電池であることが判った。この
太陽電池の変換効率は3.9%であった。
Claims (10)
- 【請求項1】 電子供与体と、電子受容体としての球殻
状炭素と、電荷輸送体としての線状又は筒状炭素とを含
む光電変換材料。 - 【請求項2】 さらに光増感剤を含む請求項1記載の光
電変換材料。 - 【請求項3】 電子供与体と電荷輸送体との間に光増感
剤が介在し、かつ電子受容体がキャリアを電荷輸送体に
付与可能な形態で、それぞれの成分が二次元的又は三次
元的に配置又は配向している請求項1記載の光電変換材
料。 - 【請求項4】 電子供与体を含む電子供与層と、この電
子供与層上に形成され、かつ電子受容体と電子輸送体と
を含む電荷輸送層とで構成されている請求項1記載の光
電変換材料。 - 【請求項5】 電子供与体を含む電子供与層と、この電
子供与層上に形成され、かつ光増感剤を含む光増感層
と、この光増感層上に形成され、かつ電子受容体と電子
輸送体とを含む電荷輸送層とで構成されている請求項1
〜3のいずれかの項に記載の光電変換材料。 - 【請求項6】 電子供与層および電荷輸送層が球殻状の
炭素を含んでおり、電子供与層における球殻状炭素の濃
度が電荷輸送層よりも小さい請求項4又は5記載の光電
変換材料。 - 【請求項7】 球殻状の炭素が、フラーレン類、その修
飾体および金属内包物から選択された少なくとも一種で
ある請求項1〜6のいずれかの項に記載の光電変換材
料。 - 【請求項8】 線状又は筒状炭素が、チューブ状、繊維
状またはリボン状の形態の炭素であり、かつカーボンナ
ノチューブ、グラファイトナノファイバー、グラファイ
トリボン、フィブリル、グラファイト層間化合物、およ
びそれらの修飾体から選択された少なくとも一種である
請求項1〜6のいずれかの項に記載の光電変換材料。 - 【請求項9】 光増感剤が、ポルフィリン類、金属キレ
ート化合物、ポリアニリン類、芳香族多環化合物、ポリ
アセン系骨格構造を有する化合物から選択されたπ電子
系化合物である請求項2、3又は5に記載の光電変換材
料。 - 【請求項10】 請求項1記載の光電変換材料で構成さ
れている光電池。
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---|---|
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Cited By (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003347565A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Toray Ind Inc | 光起電力素子 |
JP2004152815A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Mitsui Chemicals Inc | 有機太陽電池 |
FR2849539A1 (fr) * | 2002-12-30 | 2004-07-02 | Nanoledge | Dispositif comprenant au moins un type de nanostructure tubulaire ayant a sa surface au moins un pigment complexe |
WO2004089822A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Ideal Star Inc. | ガス原子内包フラーレンの製造装置及び製造方法並びにガス原子内包フラーレン |
WO2004112163A1 (fr) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Nanoledge | Dispositif comprenant au moins un type de nanostructure tubulaire ayant a sa surface au moins un pigment complexe |
WO2004112164A1 (fr) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Nanoledge | Dispositif comprenant au moins un type de nanostructure tubulaire sous forme de fibre |
JP2005032793A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機光電変換素子 |
WO2005024852A1 (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-17 | Shinshu University | 導電性高分子薄膜複合体 |
JP2005072410A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその製造方法 |
JP2005093307A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 光電変換素子 |
JP2005108807A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-04-21 | Ideal Star Inc | 固体型色素増感素子、及びその製造方法 |
JP2005222753A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2005223038A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
EP1566845A1 (en) * | 2002-11-28 | 2005-08-24 | Nippon Oil Corporation | Photoelectric conversion element |
JP2005294042A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
WO2006011633A1 (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-02 | Vitamin C60 Bioresearch Corporation | 皮膚メラニン抑制剤 |
WO2006025433A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Ideal Star Inc. | 光電変換材料、光電変換装置、及び、光電変換材料の製造方法 |
JP2006086493A (ja) * | 2004-03-19 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子 |
WO2006073049A1 (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-13 | National University Corporation Shinshu University | 光センサーおよびその製造方法 |
WO2006112361A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2006-10-26 | Hiroshi Maeda | 高分子型癌治療用医薬およびその製造方法 |
JP2006527491A (ja) * | 2003-06-12 | 2006-11-30 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 非対称的な輸送特性を備えた中間層を含む有機太陽電池 |
JP2007180190A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機太陽電池 |
JP2007246780A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Shinshu Univ | 炭素繊維−導電性ポリマー複合膜およびその製造方法 |
JP2007258079A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Kyushu Univ | 光応答電極及びそれを用いた有機太陽電池 |
JP2008091575A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池素子および光電変換層形成用塗工液 |
JP2008091467A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池素子および光電変換層形成用塗工液 |
JP2008243841A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Univ Of Yamanashi | 組成物、光導電体薄膜及び光導電体素子 |
WO2008139880A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-20 | Kuraray Co., Ltd. | 透明導電膜および透明導電膜の製造方法 |
WO2009008495A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Hitachi Zosen Corporation | 光電変換素子およびその製造方法 |
WO2009008494A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Hitachi Zosen Corporation | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2009260045A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機薄膜太陽電池 |
JP2009542018A (ja) * | 2006-06-29 | 2009-11-26 | シュミット テクノロジー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | スペクトルを改変するランタノイドを有するシリコン太陽電池およびそれらの生産方法 |
WO2010045308A2 (en) * | 2008-10-14 | 2010-04-22 | Drexel University | Polymer dispersed liquid crystal photovoltaic device and method for making |
KR101001744B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2010-12-15 | 삼성전자주식회사 | 탄소 나노 튜브를 이용한 광전 변환 전극 및 이를 구비한태양 전지 |
US7884281B2 (en) | 2004-01-19 | 2011-02-08 | Sony Corporation | Photoelectric transfer material, manufacturing method thereof, photoelectric transfer element and manufacturing method thereof |
JP2011155105A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ |
JP2012209496A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光電変換素子及び太陽電池 |
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002029524A patent/JP4291973B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003347565A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Toray Ind Inc | 光起電力素子 |
JP2004152815A (ja) * | 2002-10-29 | 2004-05-27 | Mitsui Chemicals Inc | 有機太陽電池 |
EP1566845A4 (en) * | 2002-11-28 | 2009-08-12 | Nippon Oil Corp | PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT |
EP1566845A1 (en) * | 2002-11-28 | 2005-08-24 | Nippon Oil Corporation | Photoelectric conversion element |
FR2849539A1 (fr) * | 2002-12-30 | 2004-07-02 | Nanoledge | Dispositif comprenant au moins un type de nanostructure tubulaire ayant a sa surface au moins un pigment complexe |
WO2004089822A1 (ja) * | 2003-04-07 | 2004-10-21 | Ideal Star Inc. | ガス原子内包フラーレンの製造装置及び製造方法並びにガス原子内包フラーレン |
WO2004112164A1 (fr) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Nanoledge | Dispositif comprenant au moins un type de nanostructure tubulaire sous forme de fibre |
WO2004112163A1 (fr) * | 2003-06-11 | 2004-12-23 | Nanoledge | Dispositif comprenant au moins un type de nanostructure tubulaire ayant a sa surface au moins un pigment complexe |
JP2007527107A (ja) * | 2003-06-11 | 2007-09-20 | ナノレッジ | 表面上に少なくとも一つの複合色素を有するチューブ状ナノ構造を少なくとも1種類備えた装置 |
JP2006527491A (ja) * | 2003-06-12 | 2006-11-30 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 非対称的な輸送特性を備えた中間層を含む有機太陽電池 |
JP2005108807A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-04-21 | Ideal Star Inc | 固体型色素増感素子、及びその製造方法 |
JP2005032793A (ja) * | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機光電変換素子 |
JP2005072410A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-03-17 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池及びその製造方法 |
WO2005024852A1 (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-17 | Shinshu University | 導電性高分子薄膜複合体 |
JP4639336B2 (ja) * | 2003-09-02 | 2011-02-23 | 国立大学法人信州大学 | 導電性高分子薄膜複合体 |
JPWO2005024852A1 (ja) * | 2003-09-02 | 2007-11-08 | 国立大学法人信州大学 | 導電性高分子薄膜複合体 |
JP2005093307A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 光電変換素子 |
US7884281B2 (en) | 2004-01-19 | 2011-02-08 | Sony Corporation | Photoelectric transfer material, manufacturing method thereof, photoelectric transfer element and manufacturing method thereof |
JP2005223038A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP4619660B2 (ja) * | 2004-02-04 | 2011-01-26 | 信越ポリマー株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2005222753A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2006086493A (ja) * | 2004-03-19 | 2006-03-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法、及び印加した素子 |
JP2005294042A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換素子及びその製造方法 |
WO2006011633A1 (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-02 | Vitamin C60 Bioresearch Corporation | 皮膚メラニン抑制剤 |
JP2006073201A (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-16 | Ideal Star Inc | 光電変換材料、光電変換装置、及び、光電変換材料の製造方法 |
WO2006025433A1 (ja) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Ideal Star Inc. | 光電変換材料、光電変換装置、及び、光電変換材料の製造方法 |
KR101001744B1 (ko) * | 2004-12-27 | 2010-12-15 | 삼성전자주식회사 | 탄소 나노 튜브를 이용한 광전 변환 전극 및 이를 구비한태양 전지 |
WO2006073049A1 (ja) * | 2005-01-04 | 2006-07-13 | National University Corporation Shinshu University | 光センサーおよびその製造方法 |
WO2006112361A1 (ja) * | 2005-04-18 | 2006-10-26 | Hiroshi Maeda | 高分子型癌治療用医薬およびその製造方法 |
US8128959B2 (en) | 2005-04-18 | 2012-03-06 | Hiroshi Maeda | Polymeric pharmaceutical agent for treatment of cancer and method for production of the same |
JP2007180190A (ja) * | 2005-12-27 | 2007-07-12 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機太陽電池 |
JP2007246780A (ja) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Shinshu Univ | 炭素繊維−導電性ポリマー複合膜およびその製造方法 |
JP2007258079A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Kyushu Univ | 光応答電極及びそれを用いた有機太陽電池 |
JP2009542018A (ja) * | 2006-06-29 | 2009-11-26 | シュミット テクノロジー システムズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | スペクトルを改変するランタノイドを有するシリコン太陽電池およびそれらの生産方法 |
JP2008091575A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池素子および光電変換層形成用塗工液 |
JP2008091467A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池素子および光電変換層形成用塗工液 |
JP2008243841A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-09 | Univ Of Yamanashi | 組成物、光導電体薄膜及び光導電体素子 |
WO2008139880A1 (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-20 | Kuraray Co., Ltd. | 透明導電膜および透明導電膜の製造方法 |
EP2154690A1 (en) * | 2007-04-27 | 2010-02-17 | Kuraray Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for producing transparent conductive film |
US9315679B2 (en) | 2007-04-27 | 2016-04-19 | Kuraray Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for producing transparent conductive film |
EP2154690A4 (en) * | 2007-04-27 | 2015-04-01 | Kuraray Co | TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND PROCESS FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM |
WO2009008494A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Hitachi Zosen Corporation | 光電変換素子およびその製造方法 |
WO2009008495A1 (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Hitachi Zosen Corporation | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2009021122A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Hitachi Zosen Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2009021123A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Hitachi Zosen Corp | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2009260045A (ja) * | 2008-04-17 | 2009-11-05 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 有機薄膜太陽電池 |
WO2010045308A3 (en) * | 2008-10-14 | 2010-07-22 | Drexel University | Polymer dispersed liquid crystal photovoltaic device and method for making |
US9140923B2 (en) | 2008-10-14 | 2015-09-22 | Drexel University | Polymer dispersed liquid crystal photovoltaic device and method for making |
WO2010045308A2 (en) * | 2008-10-14 | 2010-04-22 | Drexel University | Polymer dispersed liquid crystal photovoltaic device and method for making |
JP2011155105A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイ |
JP2012209496A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 光電変換素子及び太陽電池 |
Also Published As
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JP4291973B2 (ja) | 2009-07-08 |
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