JP2002299432A - セラミックサセプターの支持構造 - Google Patents

セラミックサセプターの支持構造

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Abstract

(57)【要約】 【課題】被処理物を設置し、加熱するためのセラミック
サセプターをチャンバーへと取り付けるための支持構造
において、加熱時にセラミックサセプターから支持部材
を通してチャンバーへと逃げる熱量をできるだけ少なく
し、コールドスポットの発生を抑制し、セラミックサセ
プターと支持部材との接合部分における熱応力を低減す
る。 【解決手段】本支持構造は、セラミックサセプター1の
背面1b側に一体化されている支持用突起3A、および
チャンバー2に対して取り付けられており、支持用突起
3Aとは別体の支持部材13Aを備えている。支持部材
13Aの少なくとも一部6Aが断熱材によって形成され
ている。支持用突起3Aが支持部材13Aに対して機械
的手段4によって取り付けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理物を設置
し、加熱するためのセラミックサセプターをチャンバー
へと取り付けるための支持構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造用途においては、例えば図8
に示すように、セラミックサセプター1をチャンバー2
の内側壁面へと取り付ける必要がある。このため、セラ
ミックス板製の筒状の支持部材21の一端21aをサセ
プター1の背面1bへと取り付け、支持部材21の他端
21cをチャンバー2の内側壁面2aへと取り付けるこ
とが行われている。支持部材21は、アルミナ、窒化ア
ルミニウム等の耐熱性のセラミックスによって形成され
ている。支持部材21の内側空間とチャンバー2の開口
2bとを連通させる。支持部材21とチャンバー2との
間はOリング20によって気密に封止する。
【0003】サセプター1の半導体ウエハーWの設置面
(加熱面)1aの温度は、例えば400℃以上、時には
600℃以上にも達する。一方、Oリング等のゴム製の
封止部材20は高熱には耐えられず、その耐熱温度は通
常200℃程度である。このため、チャンバー内に冷却
フランジ15を設けることによって、Oリングの周辺を
冷却し、Oリングの周辺の温度が200℃以下となるよ
うに調節することが好ましい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところが、セラミック
サセプター1の温度が上記のように高くなり、支持部材
21の一端21aの温度が例えば400℃を超え、支持
部材21の他端21cの温度を200℃以下に冷却した
ものとすると、支持部材の内部における温度勾配は20
0℃以上となる。
【0005】支持部材21のサセプター1に対する接合
強度を向上させるためには、およびガス穴や、端子およ
び熱電対を通すための貫通孔を支持部材21の壁面の内
部に設けるためには、支持部材21を肉厚にし、支持部
材のサセプターに対する接合面積を増大させる必要があ
る。しかし、支持部材を肉厚にすると、前述のように支
持部材に大きな温度勾配が生ずることから、支持部材2
1を伝搬する熱伝導量が大きくなる。この結果、支持部
材21の接合部分21aの近辺からの熱伝導の増大によ
って、加熱面1aにコールドスポットが生ずる。この観
点からは、支持部材21の本体部分は肉薄にし、支持部
材21のサセプター側端部に肉厚の拡張部分(フランジ
部分)21aを設けることが有用である。
【0006】しかし、支持部材21の端部にフランジ部
分21aを設けると、サセプターを高温に加熱するとき
に、支持部材の円筒状の本体部分21bとフランジ部分
21aとの境界付近に集中する内部応力が過大になる傾
向がある。特に、フランジ部分21aの近傍は、図8に
示すように曲折しており、この曲折部分に熱応力が集中
する傾向がある。
【0007】本発明の課題は、被処理物を設置し、加熱
するためのセラミックサセプターをチャンバーへと取り
付けるための支持構造において、加熱時にセラミックサ
セプターから支持部材を通してチャンバーへと逃げる熱
量をできるだけ少なくすることによって、コールドスポ
ットの発生を抑制し、セラミックサセプターと支持部材
との接合部分における熱応力を低減できるようにし、接
合部分における歪みやズレ、破損を防止できるようにす
ることである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、被処理物を設
置し、温度変化を伴うセラミックサセプターを処理室内
へと取り付けるための支持構造であって、セラミックサ
セプターの被処理物設置面とは反対面側に一体化されて
いる支持用突起、および処理室に対して取り付けられて
おり、支持用突起とは別体の支持部材を備えており、支
持部材の少なくとも一部が断熱材によって形成されてお
り、支持用突起が支持部材に対して機械的手段によって
取り付けられていることを特徴とする。
【0009】本発明によれば、セラミックサセプターの
背面側に支持用突起を一体に設け、この支持用突起を、
セラミックサセプターとは直接には接合されない別体の
支持部材に対して機械的に取り付ける。そして、この支
持部材の少なくとも一部を断熱材によって形成した。こ
の結果、加熱時に、セラミックサセプターが熱膨張して
も、支持部材はセラミックサセプターおよび支持用突起
とは別体であり、機械的に係合されているだけなので、
支持用突起と支持部材との係合部分において熱応力が直
接には加わらず、支持用突起の変形が機械的結合手段の
変形や変位によって吸収される。従って、セラミックサ
セプターと支持部材との接合部分における熱応力を低減
でき、接合部分における歪みやズレ、破損を防止でき
る。その上、この支持部材の少なくとも一部を断熱材に
よって形成することで、加熱時にセラミックサセプター
から支持部材を通してチャンバーへと逃げる熱量を低減
し、コールドスポットの発生を抑制できる。また、機械
的固定でありながら、被処理物設置面側に固定部材(主
にメタル)が露出していない。
【0010】セラミックサセプターに支持用突起を形成
する方法は限定されない。一例では、セラミックサセプ
ターの背面側を研削加工することによって、支持用突起
を削りだすことができる。この場合には、支持用突起と
セラミックサセプターとのセラミックス組織は連続す
る。
【0011】また、セラミックサセプターと、これとは
別体の支持部材とを接合し、一体化することができる。
この接合方法は特に限定されず、例えばろう材によって
接合でき、あるいは特開平8−73280号公報に記載
のようにして固相接合または固液接合できる。サセプタ
ーの加熱面の最高温度は、例えば400℃以上、時には
600℃以上、1200℃以下に達する。
【0012】セラミックサセプターの材質は限定され
ず、窒化珪素、サイアロン、窒化アルミニウム等の窒化
物セラミックス、アルミナ、窒化アルミニウム等のアル
ミニウム基セラミックス、炭化珪素、希土類の窒化物、
希土類の酸化物などを例示できる。ハロゲン系腐食性ガ
スに対して耐蝕性を有するセラミックスが好ましく、特
に窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナが好ましく、
95%以上の相対密度を有する窒化アルミニウム質セラ
ミックス、アルミナが一層好ましい。
【0013】支持用突起の材質は、上記したセラミック
サセプターの材質であってよい。また、セラミックス以
外の硬質の無機材料、例えば非晶質無機材料、ガラス、
結晶化ガラスであってよい。
【0014】セラミックサセプターは何らかの加熱源に
よって加熱されるが、その加熱源は限定されず、外部の
熱源(例えば赤外線ランプ)によって加熱されるサセプ
ターと、内部の熱源(例えばサセプター内に埋設された
ヒーター)によって加熱されるサセプターとの双方を含
む。サセプター中には、抵抗発熱体、静電チャック用電
極、プラズマ発生用電極などの機能性部品を埋設するこ
とができる。
【0015】断熱材は限定されないが、熱伝導率が35
W/m・K以下の材質が好ましく、15W/m・K以下
の材質が特に好ましい。断熱材の好適例は、ステンレス
等のNi合金、アルミナ、Si、サイアロン、石
英等である。
【0016】好適な実施形態においては、支持部材が、
断熱材からなる断熱部材と、金属からなる金属部材とを
備えている。金属部材の材質は限定されないが、半導体
汚染防止の観点からは、アルミニウム、ニッケル、タン
タル、ステンレス等のNi合金、白金、希土類元素が好
ましい。
【0017】好適な実施形態においては、支持部材が筒
状をなしている。この場合には、断面積を小さくし、熱
伝導を下げると共に構造体としての強度を確保すること
ができる。さらに、支持部材の中に配線や熱電対を収容
できる。また、支持部材の壁面の中に配線や熱電対を収
容できる。
【0018】支持部材と支持用突起とが機械的手段によ
って取り付けられているとは、支持部材と支持用突起と
が、一定の界面に沿って化学的な接合、接着を伴って接
合ないし結合されておらず、機械的な手段によって互い
に遊動可能な状態で取り付けられていることを意味す
る。
【0019】支持部材と支持用突起との機械的な取付手
段は限定されない。
【0020】好適な実施形態においては、支持用突起お
よび支持部材にそれぞれ貫通孔が設けられており、支持
用突起の貫通孔および支持部材の貫通孔内に係合部材を
挿入する。図1−図3は、この実施形態に係るものであ
る。
【0021】図1においては、セラミックサセプター1
の背面1bの略中央部に支持用突起3Aが接合されてい
る。支持用突起3Aには、略水平方向に向かって貫通孔
3aが形成されている。チャンバー2には支持部材13
Aが取り付けられている。この取付方法は限定されな
い。支持部材13Aは筒状、例えば円筒状をなしてい
る。支持部材13Aは、金属部材6Aと断熱部材5とか
らなっている。断熱部材5の上端面5a側には貫通孔5
dが形成されている。貫通孔3aおよび5dに係合部
材、例えばピン4が挿入されており、これによって支持
用突起3Aが支持されている。
【0022】係合部材の形態は限定されず、ピンの他、
円棒、角棒、クリップ状部材、クランプ状部材等であっ
てよい。
【0023】断熱部材5の下端面5bが、金属部材6A
の上側端面6aと付き合わされている。6bは金属部材
6Aの下側端面である。
【0024】金属部材と断熱部材との接合部分の形態を
図2(a)、(b)に示す。図2(a)に示すように、
断熱部材5の下側端部の外側面に溝5cが形成されてお
り、金属部材6Aの上側端部に溝6cが形成されてい
る。
【0025】図2(b)は保持部材7A、7Bを示す。
保持部材は、複数、例えば2つに分かれている。各保持
部材は、湾曲した細長い突起7aおよび7bを備えてお
り、かつ一対の結合用フランジ7cを備えている。そし
て、図2(a)に示すように、金属部材と断熱部材との
各端面を突き合わせ、各部材の外側面側から各保持部材
7A、7Bを矢印Aのように被覆し、各突起7a、7b
を各溝5c、6cに挿入し、嵌め合わせる。そして、保
持部材7Aのフランジ部7cと保持部材7Bのフランジ
部7cとを結合する。
【0026】図1の例では、本発明の支持部材を一体設
けたが、複数設けることもできる。図3の例では、支持
部材を3体設け、サセプター1を3点支持している。各
支持部材の構造は、図1、図2に示した支持部材と同じ
である。3体の支持部材には略半径方向にピン4が挿入
されている。これにより、熱膨張に追従することができ
る。
【0027】好適な実施形態においては、支持用突起の
外壁面および支持部材の外壁面を保持部材によって外側
から保持することによって、両者を機械的に結合する。
図4は、この実施形態に係るものである。
【0028】サセプター1の背面1b側に支持用突起3
Bが設けられており、支持用突起3Bが支持部材13B
によって支持されている。支持部材13Bは、断熱部材
10と金属部材6Bとからなる。支持用突起3Bの下側
端部の外側面に溝3bが形成されており、断熱部材10
の上側端部に溝10cが形成されている。
【0029】各保持部材7A、7Bの形態は図2(b)
に示した。断熱部材10の端面10aと支持用突起3B
の端面3cとを突き合わせ、支持用突起3Bの外壁面3
dおよび断熱部材10の外壁面10d側から各保持部材
7A、7Bを被覆し、各突起7a、7bを各溝3b、1
0cに挿入し、嵌め合わせる。そして、保持部材7Aの
フランジ部7cと保持部材7Bのフランジ部7cとを結
合する。
【0030】好適な実施形態においては、支持部材を支
持用突起に向かって付勢することによって支持用突起を
支持部材に対して固定する。図5は、この実施形態に係
るものである。
【0031】サセプター1の背面に支持用突起3Cが形
成されている。支持部材13Cは、断熱部材11および
金属部材6Cからなる。断熱部材11と金属部材6Cと
の取付方法は限定されず、上述した方法を利用できる。
【0032】断熱部材11は、筒状、好ましくは円筒形
状の本体部分11eと、本体部分11eの上に設けられ
ている押圧片11a、11b、11c、11dを備えて
いる。本体部分11eの端面11gが断熱部材6Cに当
接している。押圧片11a−11dは、それぞれ本体部
分11eの上端部に連結されており、かつ互いに分離さ
れている。本体部分11eの外周面にはネジ11fが形
成されている。
【0033】断熱部材11の外側に押圧部材12が、ネ
ジ12aによって取り付けられている。押圧部材12は
円筒形状をしており、押圧部材の上端部12bが、各押
圧片11a−11dを外側から押圧している。そして、
ネジ11fと12aとを嵌め合わせた状態で、押圧部材
12を回転させ、押圧部材を上方へと移動させること
で、上端部12bからの矢印Bに示す加圧力が上昇し、
各押圧片が内側へと向かって強く付勢される。
【0034】上記の例では、押圧片(板バネ)を外側か
ら押圧することによって、支持部材を支持用突起に対し
て付勢した。しかし、他の付勢手段、例えばコイルバネ
等を使用できる。
【0035】なお、チャンバーの壁面に凹部を設け、こ
の凹部内に雌ねじを設けると共に、支持部材の下側外周
面に雄ねじを設け、チャンバー側の雌ねじと支持部材側
の雄ねじとを嵌め合わせることによって、支持部材の高
さを調節できる。
【0036】図5(a)、(b)に示す例では、外部の
熱源によって加熱されるサセプターを開示したが、図6
に示すように、断熱部材11及び金属部材6Cの内部
に、サセプター1内に埋設した図示しないヒータへ電力
を供給するリード線やサセプター1の温度を測定する熱
電対へのリード線からなるリード線束14を通すことも
できる。このようにサセプター1内に埋設されたヒータ
によって加熱されるサセプター1の場合、支持部材13
Cとサセプター1の温度差が急激につくため、本支持構
造が有効になる。さらに、図7に示すように、支持部材
13Cを、金属部材6D、断熱部材11および金属部材
6Cから構成することもできる。本例でも、支持部材1
3Cの構成は材質が異なる以外、図5に示す構成と同じ
である。
【0037】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、加
熱時にセラミックサセプターから支持部材を通してチャ
ンバーへと逃げる熱量を低減でき、セラミックサセプタ
ーと支持部材との接合部分における熱応力を低減でき、
接合部分における歪みやズレ、破損を防止できる。ま
た、機械的固定でありながら、被処理物設置面側に固定
部材(主にメタル)が露出していない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る支持構造を概略的に
示す断面図であり、機械的手段として係合部材4を使用
している。
【図2】(a)は、金属部材5と断熱部材6Aとの結合
部分を示す正面図であり、(b)は、保持部材7A、7
Bを示す斜視図である。
【図3】(a)は、セラミックサセプター1の背面側の
3箇所に支持部材を取り付けた状態を示し、(b)は、
(a)のIIIb−IIIb線断面図である。
【図4】本発明の他の実施形態に係る支持構造を概略的
に示す断面図であり、機械的手段として保持部材7A、
7Bを使用している。
【図5】(a)は、本発明の更に他の実施形態に係る支
持構造を概略的に示す断面図であり、機械的手段として
押圧部材12および押圧片11a−11dを使用してお
り、(b)は押圧片の詳細を示す図である。
【図6】本発明の更に他の実施形態に係る支持構造を概
略的に示す断面図である。
【図7】本発明の更に他の実施形態に係る支持構造を概
略的に示す断面図である。
【図8】セラミックサセプター1のチャンバー2への取
付方法の従来例を示す。
【符号の説明】
1 セラミックサセプター、1a 設置面(加熱面)、
1b 背面、2 チャンバー、3A、3B、3C 支持
用突起、3a 支持用突起の貫通孔、3b 支持用突起
の溝、3d 支持用突起の外周面、4 係合部材、5、
10、11 断熱部材、5a 貫通孔、5c、10c
溝、6A、6B、6C、6D 金属部材、7A、7B
保持部材、11a、11b、11c、11d 押圧片、
11e 本体部分、11f ネジ、12 押圧部材、1
2b 押圧部材の上端部(押圧部)、13A、13B、
13C 支持部材、14 リード線束、B 押圧部材に
よる付勢の方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // H01L 21/205 H01L 21/26 Q Fターム(参考) 3K092 PP20 SS02 SS05 TT16 TT40 VV36 VV40 4K029 JA01 4K030 GA02 KA46 5F031 HA37 HA50 MA30 PA11 PA30 5F045 BB02 BB14 EK09

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】被処理物を設置し、温度変化を伴うセラミ
    ックサセプターを処理室内へと取り付けるための支持構
    造であって、 前記セラミックサセプターの被処理物設置面とは反対面
    側に一体化されている支持用突起、および前記処理室に
    対して取り付けられており、前記支持用突起とは別体の
    支持部材を備えており、前記支持部材の少なくとも一部
    が断熱材によって形成されており、前記支持用突起が前
    記支持部材に対して機械的手段によって取り付けられて
    いることを特徴とする、セラミックサセプターの支持構
    造。
  2. 【請求項2】前記支持部材が、前記断熱材からなる断熱
    部材と、金属からなる金属部材とを備えていることを特
    徴とする、請求項1記載の支持構造。
  3. 【請求項3】前記支持部材が筒状をなしていることを特
    徴とする、請求項1または2記載の支持構造。
  4. 【請求項4】前記支持用突起および前記支持部材にそれ
    ぞれ貫通孔が設けられており、前記機械的手段が、前記
    支持用突起の貫通孔および前記支持部材の貫通孔内に挿
    入されている係合部材であることを特徴とする、請求項
    1−3のいずれか一つの請求項に記載の支持構造。
  5. 【請求項5】前記機械的手段が、前記支持用突起の外壁
    面および前記支持部材の外壁面を外側から保持する保持
    部材であることを特徴とする、請求項1−3のいずれか
    一つの請求項に記載の支持構造。
  6. 【請求項6】前記機械的手段が、前記支持部材を前記支
    持用突起に向かって付勢することによって前記支持用突
    起を前記支持部材に対して固定するための押圧部材であ
    ることを特徴とする、請求項1−3のいずれか一つの請
    求項に記載の支持構造。
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US10/105,881 US6878211B2 (en) 2001-03-30 2002-03-25 Supporting structure for a ceramic susceptor
KR10-2002-0016974A KR100461879B1 (ko) 2001-03-30 2002-03-28 세라믹 서셉터의 지지 구조

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243310A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Toshiba Ceramics Co Ltd 高温熱処理用ウェーハボート支え治具
JP2004273866A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置
JP2005032898A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Ngk Insulators Ltd セラミックサセプターの支持構造
US7268321B2 (en) 2002-09-18 2007-09-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder and semiconductor manufacturing apparatus
WO2009028458A1 (ja) * 2007-08-28 2009-03-05 Tokyo Electron Limited 載置台構造及び処理装置
JP2009176569A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Ngk Insulators Ltd セラミックスヒータ及びその製造方法
JP4866836B2 (ja) * 2005-02-23 2012-02-01 京セラ株式会社 接合体とウェハ保持部材及びその取付構造並びにウェハの処理方法
JP2012142333A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Anelva Corp 基板熱処理装置
JP2013062088A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Momentive Performance Materials Inc ポスト型セラミックスヒータおよびその製造方法
JP2015512565A (ja) * 2012-03-20 2015-04-27 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド キー付きウエハキャリア
JP2016219719A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3520074B2 (ja) * 2002-03-28 2004-04-19 日本碍子株式会社 セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプターの支持部材
JP3534738B2 (ja) * 2002-03-28 2004-06-07 日本碍子株式会社 セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプター用支持部材
TW200508413A (en) * 2003-08-06 2005-03-01 Ulvac Inc Device and method for manufacturing thin films
JP2005216759A (ja) * 2004-01-30 2005-08-11 Nhk Spring Co Ltd ヒータユニット
JP5135915B2 (ja) * 2007-06-28 2013-02-06 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及び熱処理装置
DE102009048170B3 (de) * 2009-10-02 2011-04-28 Deutsches Elektronen-Synchrotron Desy Probenaufnahmevorrichtung für Probenmaterialien in Ultrahochvakuumkammern
CN101922042B (zh) * 2010-08-19 2012-05-30 江苏中晟半导体设备有限公司 一种外延片托盘支撑旋转联接装置
KR102408404B1 (ko) * 2015-11-04 2022-06-14 (주)포인트엔지니어링 서셉터 및 이를 구비한 진공챔버
KR102409329B1 (ko) * 2015-11-04 2022-06-16 (주)포인트엔지니어링 서셉터 및 이를 포함하는 진공챔버
KR102612193B1 (ko) * 2016-06-03 2023-12-12 삼성전자주식회사 웨이퍼 처리 장치
JP6865128B2 (ja) * 2017-07-19 2021-04-28 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
WO2020067128A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 京セラ株式会社 セラミック構造体及びウェハ用システム

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61203856U (ja) * 1985-06-12 1986-12-22
JPH06263552A (ja) * 1993-03-16 1994-09-20 Ngk Insulators Ltd セラミック体の接合構造
JPH0845847A (ja) * 1994-07-14 1996-02-16 Wacker Chemie Gmbh 半導体材料の蒸着用装置におけるキヤリヤ部材の取付具およびその使用方法
JPH09196030A (ja) * 1996-01-22 1997-07-29 Kazuo Kunieda 組立ブロック及びその成形型装置並びに製造方法
JPH1058908A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd 軸装着構造
JPH10242252A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp ウエハ加熱装置
JPH11111825A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置製造設備のチャック組立体
JPH11343571A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Ngk Insulators Ltd サセプター
JP2000114355A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Kyocera Corp 板状セラミック体と筒状セラミック体との接合構造体及びこの接合構造体を用いた加熱装置
JP2000320760A (ja) * 1999-05-06 2000-11-24 Shinwa Kogyo Kk 免震性とシール性を向上させた管継手
JP2003524865A (ja) * 1999-08-06 2003-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャック用の改良型コネクタ

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59232994A (ja) * 1983-06-16 1984-12-27 Toshiba Mach Co Ltd 気相成長装置
US5484486A (en) * 1994-05-02 1996-01-16 Applied Materials, Inc. Quick release process kit
US5522937A (en) * 1994-05-03 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Welded susceptor assembly
US6066836A (en) * 1996-09-23 2000-05-23 Applied Materials, Inc. High temperature resistive heater for a process chamber
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
US6213478B1 (en) * 1999-03-11 2001-04-10 Moore Epitaxial, Inc. Holding mechanism for a susceptor in a substrate processing reactor
US6589352B1 (en) 1999-12-10 2003-07-08 Applied Materials, Inc. Self aligning non contact shadow ring process kit

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61203856U (ja) * 1985-06-12 1986-12-22
JPH06263552A (ja) * 1993-03-16 1994-09-20 Ngk Insulators Ltd セラミック体の接合構造
JPH0845847A (ja) * 1994-07-14 1996-02-16 Wacker Chemie Gmbh 半導体材料の蒸着用装置におけるキヤリヤ部材の取付具およびその使用方法
JPH09196030A (ja) * 1996-01-22 1997-07-29 Kazuo Kunieda 組立ブロック及びその成形型装置並びに製造方法
JPH1058908A (ja) * 1996-08-20 1998-03-03 Shin Caterpillar Mitsubishi Ltd 軸装着構造
JPH10242252A (ja) * 1997-02-28 1998-09-11 Kyocera Corp ウエハ加熱装置
JPH11111825A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置製造設備のチャック組立体
JPH11343571A (ja) * 1998-05-29 1999-12-14 Ngk Insulators Ltd サセプター
JP2000114355A (ja) * 1998-09-30 2000-04-21 Kyocera Corp 板状セラミック体と筒状セラミック体との接合構造体及びこの接合構造体を用いた加熱装置
JP2000320760A (ja) * 1999-05-06 2000-11-24 Shinwa Kogyo Kk 免震性とシール性を向上させた管継手
JP2003524865A (ja) * 1999-08-06 2003-08-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 静電チャック用の改良型コネクタ

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243310A (ja) * 2002-02-18 2003-08-29 Toshiba Ceramics Co Ltd 高温熱処理用ウェーハボート支え治具
US7268321B2 (en) 2002-09-18 2007-09-11 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Wafer holder and semiconductor manufacturing apparatus
JP2004273866A (ja) * 2003-03-11 2004-09-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体製造装置用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置
JP2005032898A (ja) * 2003-07-10 2005-02-03 Ngk Insulators Ltd セラミックサセプターの支持構造
JP4518370B2 (ja) * 2003-07-10 2010-08-04 日本碍子株式会社 セラミックサセプターの支持構造
JP4866836B2 (ja) * 2005-02-23 2012-02-01 京セラ株式会社 接合体とウェハ保持部材及びその取付構造並びにウェハの処理方法
WO2009028458A1 (ja) * 2007-08-28 2009-03-05 Tokyo Electron Limited 載置台構造及び処理装置
JP2009054871A (ja) * 2007-08-28 2009-03-12 Tokyo Electron Ltd 載置台構造及び処理装置
JP2009176569A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Ngk Insulators Ltd セラミックスヒータ及びその製造方法
JP2012142333A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Canon Anelva Corp 基板熱処理装置
JP2013062088A (ja) * 2011-09-12 2013-04-04 Momentive Performance Materials Inc ポスト型セラミックスヒータおよびその製造方法
JP2015512565A (ja) * 2012-03-20 2015-04-27 ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド キー付きウエハキャリア
JP2016219719A (ja) * 2015-05-26 2016-12-22 株式会社Screenホールディングス 熱処理装置

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US6878211B2 (en) 2005-04-12
KR100461879B1 (ko) 2004-12-14
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