JPH11111825A - 半導体装置製造設備のチャック組立体 - Google Patents

半導体装置製造設備のチャック組立体

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JPH11111825A
JPH11111825A JP10183552A JP18355298A JPH11111825A JP H11111825 A JPH11111825 A JP H11111825A JP 10183552 A JP10183552 A JP 10183552A JP 18355298 A JP18355298 A JP 18355298A JP H11111825 A JPH11111825 A JP H11111825A
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JP
Japan
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head
chuck assembly
insertion groove
support
wafer
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JP10183552A
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English (en)
Inventor
Kim Han-Sang
キム ハン−サング
Kim Seung-Chul
キム セウング−チュル
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Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明はウェーハを工程遂行が容易になるよ
うに吸着、固定して所定の位置に移送することに使用さ
れる半導体装置製造設備のチャック組立体において、ウ
ェーハの損傷及び破損を防止する。 【解決手段】 本発明による半導体装置製造設備のチャ
ック組立体は上面がウェーハWの底面に対応して平坦
で、底面中心部位に突起部34が形成されており、前記
突起部34を含む中心部位を垂直に貫通する貫通ホール
36を有する頭部32と、前記頭部32に垂直に対応し
て前記突起部34と結合される形状で結合時、前記貫通
ホール36と連通するように内部に空気通路44が形成
された支持台42及び前記突起部34と前記支持台42
の結合部位の間に設置される気密維持部材50aを含め
て構成される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置製造設備
のチャック組立体に関するもので、より詳しくはウェー
ハを工程遂行が容易であるように吸着、固定するように
する半導体装置製造設備のチャック組立体に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】通常、半導体は写真、拡散、エッチン
グ、化学気相蒸着及び金属蒸着等の工程を反復遂行する
ことにより半導体装置として製作され、このように半導
体装置として製作されるまでのウェーハはキャリアーに
入れられた状態で要求される工程を遂行する工程設備に
移送するようになっている。
【0003】一方、キャリアーに入れられた状態で移送
されたウェーハは移送ロボット等によって工程設備の内
部のチャック組立体に引継がれ、チャック組立体はウェ
ーハを吸着固定して工程し易くするように位置する。
【0004】このようなチャック組立体の従来の技術に
対して、図4および図5を参照して、説明する。
【0005】従来のチャック組立体10は、図4に図示さ
れたように所定の厚さの板形状で上面がウェーハWの底
面に対応して平坦な面をなしていて、底面中心部位に棒
形状で突出された突起部14が形成された頭部12があり、
この頭部12の中心部位には前述した突起部14を含め垂直
に貫通する貫通ホール16が形成されている。
【0006】また、頭部12の下側には頭部12に垂直する
ように対応して突起部14と結合される形状の支持台18が
あり、この支持台18は下側に設置されるシリンダー(図
面の単純化のために省略する)によって上、下降可能に
設置されている。
【0007】そして、支持台18の内部には支持台18の端
部と突起部14の結合時、前述した貫通ホール16と連通す
る空気通路22が形成されており、この空気通路22の他の
端部は真空ポンプ(図面の単純化のため省略する)と連
結され、真空ポンプから選択的に提供される真空圧を貫
通ホール16に伝達することによって、頭部12の上面に位
置するウェーハWは前記選択的に提供する真空圧によっ
て吸着固定されるように構成されている。
【0008】ここで、前述した突起部14と支持台18の結
合関係をより詳細に説明すると、突起部14の外壁の所定
部位に雄ネジ部24が形成されていて、これに対応する支
持台18の端部には前述した空気通路22より大きな直径で
空気通路と続いて挿入溝26が形成され、この挿入溝26の
内壁に前述した雄ネジ部24とペアになる雌ネジ部28が形
成されて相互ネジ結合される構成になる。
【0009】また、前述した突起部14の上側周縁即ち、
頭部12の底面の突起部14に近接された部位には底面から
段差部29が突出形成されており、この段差部29の対応面
は頭部12と支持台18の結合時支持台18の端部と相互接触
される構成となっている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した構成
のチャック組立体を使用するとウェーハを吸着して固定
することにおいて頭部と支持台の間の頻繁な分解結合に
よって結合部位が摩耗されるかまたは破損等が発生され
て隙間を形成するようになり、この隙間を通じて提供さ
れる真空圧が流出されることでウェーハを正常に吸着固
定し難く、頭部からウェーハが離脱してウェーハの底面
が損傷されるか破損されるという問題があった。
【0011】また、前述したウェーハの損傷及び破損を
防止するために、一定の周期を決めてチャック組立体の
頭部と支持台を交替して使用した場合は、交替による不
必要な費用が必要となる問題点があった。
【0012】本発明の目的は、ウェーハを吸着して固定
することにおいて頭部と支持台の間の結合部位に形成さ
れる隙間を通じて真空圧の流出を遮断するようにするこ
とで正常な真空圧の伝達でウェーハを固定するようにし
てウェーハの損傷及び破損を防止する半導体装置製造設
備のチャック組立体を提供することにある。
【0013】また、真空チャックと連結管の交替周期を
延長するようにして交替及びその製作による費用を節減
するようにする半導体装置製造設備のチャック組立体を
提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の半導体装置製造設備のチャック組立体は上面
がウェーハの底面に対応して平坦で、底面中心部位に突
起部が形成されており、前記突起部を含む中心部位を垂
直に貫通する貫通ホールを有する頭部と、前記頭部に垂
直に対応して前記突起部と結合される形状に結合時、前
記貫通ホールと連通するように内部に空気の通路が形成
された支持台と、前記突起部と前記支持台の結合部位の
間に設置される気密維持部材とを含めて構成されること
を特徴とする。
【0015】また、前記突起部の外壁に雄ネジ部を形成
し、前記突起部に対応する前記空気通路の内壁所定の部
位に前記雄ネジ部とペアになる雌ネジ部を形成して相互
ネジ結合されるように形成することが望ましい。
【0016】また、前記突起部の外壁に雄ネジ部を形成
し、前記支持台の端部に前記空気通路より大きい直径で
挿入溝を形成し、前記挿入溝の内壁に前記雄ネジ部とペ
アになる雌ネジ部が形成されて前記頭部と前記支持台が
相互ネジ結合されるように形成することもできる。
【0017】そして、前述した気密維持部材はリング形
状で突起部に近接された頭部の底面周縁と支持台の端部
の間で頭部と支持台の相互結合時圧着されるように形成
することが効果的である。
【0018】一方、前記気密維持部材はリング形状で前
記挿入溝に挿入されて前記挿入溝の内面とそれに対応す
る前記連結管の端部の間で前記連結管と前記挿入溝のネ
ジ結合時圧着されるように形成することもできる。
【0019】また、前記気密維持部材はシリコーンゴム
材質で製作することが望ましい。
【0020】
【発明の実施の形態】本発明を要約すると、本発明はウ
ェーハを工程遂行が容易になるように吸着、固定して所
定の位置に移送することに使用される半導体装置製造設
備のチャック組立体において、上面がウェーハの底面に
対応して平坦で、底面中心部位に突起部が形成されてお
り、前記突起部を含む中心部位を垂直に貫通する貫通ホ
ールを有する頭部と、前記頭部に垂直に対応して前記突
起部と結合される形状で結合時、前記貫通ホールと連通
するように内部に空気通路が形成された支持台及び前記
突起部と前記支持台の結合部位の間に設置される気密維
持部材を含めて構成されることを特徴とする。
【0021】従って、本発明によると、頭部と支持台の
間に頻繁に行われる分解及び結合によって摩耗等が発生
されて形成された隙間を気密維持部材が圧着されて遮断
することによって結合部位を通じた真空圧の流出を防止
するようになり、正常的な真空圧の伝達でウェーハが頭
部の上面から離脱することを防止することでウェーハの
損傷及び破損が防止される効果がある。
【0022】本発明によるチャック組立体30の構成及び
結合関係は、図1に図示されたように、ウェーハWの底
面に対応する形状で底面中心部位に棒形状で突出されて
なる突起部34を有する頭部32を備え、この頭部32の中心
部位には前述した突起部34を含めて垂直に貫通する貫通
ホール36が形成されている。
【0023】また、前述した突起部34の外壁所定部位に
は雄ネジ部38が形成されており、この雄ネジ部38の頭部
32の底面に近接された部位には下側の方に段差部40が突
出形成されている。
【0024】一方、頭部32の下側には頭部32に垂直に対
応して突起部34と結合される形状の支持台42が位置さ
れ、この支持台42内部には真空圧が伝達される空気通路
44が形成されている。
【0025】また、前述した空気通路44の端部で支持台
42の端部には空気通路44より大きい直径の挿入溝46が形
成され、この挿入溝46の内壁には前述した突起部34の雄
ネジ38とペアーになる雌ネジ48が形成されている。
【0026】そして、前述した突起部34と挿入溝46の間
には、図1乃至図3に図示したように、リング形状のシ
リコーン材質で製作された気密維持部材50a、50bが位置
されるし、図1と図2に図示した気密維持部材50aは、
挿入溝46周縁の端部とこれに対応する段差部40の対応面
の間に位置され、頭部32と支持台42の相互結合時に圧着
されるように構成されている。
【0027】また、図3に図示された気密維持部材50b
は、リング形状で前述した挿入溝46の内部に挿入され、
続いて挿入溝46の底面と突起部34の端面の間で頭部32と
支持台42の相互結合時圧着されるように形成することも
できる。
【0028】一方、前述したように、気密維持部材50
a、50bの設置関係において、気密維持部材50a、50bは設
定された位置から頭部32を支持台42の上側で所定の高さ
に離隔、位置させるような厚さとなっている。
【0029】従って、前述した気密維持部材50a、50bの
厚さは頭部32の位置の設定範囲内でなければならない
し、このような範囲は通常0.75mm以内の範囲であり、気
密維持部材50a、50bは0.35乃至0.65mm間の厚さで形成し
て頭部32と支持台42の長さまたは形状等を修正しない状
態で使用することができるように形成することが望まし
い。
【0030】また、前述した気密維持部材50a、50bの厚
さを製作しやすい形状で形成し、前述した突起部34の長
さまたは挿入溝46の深さを気密維持部材50a、50bの厚さ
くらいに減らすかまたは、延長する形状を変更して設置
することもできる。
【0031】このような構成によると、支持台42の挿入
溝46と頭部の突起部34が相互頻繁な分解または結合
されることによって摩耗または破損によって発生される
隙間を気密維持部材50a、50bが遮断するようになって結
合部位を通じた真空圧の流出が防止される。
【0032】以上で本発明は記載された具体例に対して
のみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲内で多様
な変形及び修正が可能であることは当業者にとって明白
なことであり、このような変形及び修正が添付された特
許請求の範囲に属することは当然なことである。
【0033】
【発明の効果】従って、本発明によると、頭部と支持台
の間に頻繁に分解または結合される結合部位に摩耗また
は破損によって発生される隙間を気密維持部材が圧着さ
れて遮断することによって結合部位を通じた真空圧の流
出が防止され、正常な真空圧の伝達でウェーハが頭部の
上面から離脱することを防止するようになり、ウェーハ
の損傷及び破損が防止される効果がある。
【0034】また、頭部と支持台の結合部位がある程度
摩耗されても気密維持部材の設置によって継続的に使用
することによってその交替周期を延長するようになって
費用を節減することができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態例による半導体装置製造設
備のチャック組立体に対する結合関係を概略的に示した
分解断面図である。
【図2】図1の頭部と支持台の結合による気密維持部材
の設置関係を示した断面図である。
【図3】図1の頭部と支持台の結合部位に設置される気
密維持部材の他の設置関係を示した断面図である。
【図4】従来の半導体装置の製造設備のチャック組立体
に対する結合関係を概略的に示した分解断面図である。
【図5】図4のチャック組立体を構成する頭部と支持台
の結合された状態を示した断面図である。
【符号の説明】
10,30…チャック組立体 12,32…頭部 14,34…突起部 16,36…貫通ホール 18,42…支持台 22,44…空気通路 24,38…雄ネジ部 26,46…挿入溝 28,48…雌ネジ部 29,40 …段差部 50a、50b…気密維持部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 セウング−チュル キム 大韓民国,ソウル,ヤングデウングポ− グ,シンキル−ドング 3021

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 上面がウェーハの底面に対応して平坦
    で、底面中心部位に突起部が形成されており、前記突起
    部を含む中心部位を垂直に貫通する貫通ホールを有する
    頭部と、 前記頭部に垂直に対応して前記突起部と結合される形状
    で結合時、前記貫通ホールと連通するように内部に空気
    通路が形成された支持台と、 前記突起部と前記支持台の結合部位の間に設置される気
    密維持部材とを含めて構成されることを特徴とする半導
    体装置製造設備のチャック組立体。
  2. 【請求項2】 前記突起部の外壁に雄ネジ部が形成さ
    れ、前記支持台の端部に前記空気通路より大きな直径で
    挿入溝が形成され、前記挿入溝の内壁に前記雄ネジ部と
    ペアになる雌ネジ部が形成されて前記頭部と前記支持台
    が相互ネジ結合されることを特徴とする請求項1に記載
    の半導体装置製造設備のチャック組立体。
  3. 【請求項3】 前記気密維持部材はリング形状で前記突
    起部に近接された前記頭部の底面の周縁と前記支持台の
    端部の間で前記頭部と前記支持台の相互結合時圧着され
    ることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造
    設備のチャック組立体。
  4. 【請求項4】 前記気密維持部材はリング形状で前記挿
    入溝に挿入され、前記挿入溝の内面とこれに対応する前
    記連結管の端部の間で前記連結管と前記挿入溝の結合
    時、圧着されることを特徴とする請求項2に記載の半導
    体装置製造設備のチャック組立体。
  5. 【請求項5】 前記気密維持部材はシリコーンゴム材質
    で製作されることを特徴とする請求項1に記載の半導体
    装置製造設備のチャック組立体。
JP10183552A 1997-09-30 1998-06-30 半導体装置製造設備のチャック組立体 Pending JPH11111825A (ja)

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