JPS6165250A - 密着式ガラスマスク - Google Patents
密着式ガラスマスクInfo
- Publication number
- JPS6165250A JPS6165250A JP59186469A JP18646984A JPS6165250A JP S6165250 A JPS6165250 A JP S6165250A JP 59186469 A JP59186469 A JP 59186469A JP 18646984 A JP18646984 A JP 18646984A JP S6165250 A JPS6165250 A JP S6165250A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass mask
- support member
- wafer
- mask
- glass
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、密着焼付に用いられるガラスマスクに関し、
特に半導体″！％ Ｊ”Ｕ用のフィトマスクとしＣ好適
な！着式ガラス１ノスクに関する。
特に半導体″！％ Ｊ”Ｕ用のフィトマスクとしＣ好適
な！着式ガラス１ノスクに関する。
（発明の背景１
ｔ−ランシフ、 夕、Ｉｃ、ｌ−５ＩＪｊ、よびＶＬｓ
ＩＭの半導体装置の１世情に際し、しばしば密着式のが
ラスマスノ１が使用されＣいる。この場合、マスクとつ
Ｉハの畜ηｌｉ式としＣ，第２図に示すようにガラスマ
スク１、マスクラ持台２、お」：びつ１ハブＩ／ツク４
等で囲まれた領域５を真空化（減圧）１、（ガラスマス
ク１を１′）１ハ３の側に引付りる方法（旦空密着方式
）、或いはガラスマスク１を固定しウエハヂセック；］
（ｒ押し上げて・ウェハ３をガラスマスク１に押し付け
る方法（プレス方式）が７Ｊｌられている。
ＩＭの半導体装置の１世情に際し、しばしば密着式のが
ラスマスノ１が使用されＣいる。この場合、マスクとつ
Ｉハの畜ηｌｉ式としＣ，第２図に示すようにガラスマ
スク１、マスクラ持台２、お」：びつ１ハブＩ／ツク４
等で囲まれた領域５を真空化（減圧）１、（ガラスマス
ク１を１′）１ハ３の側に引付りる方法（旦空密着方式
）、或いはガラスマスク１を固定しウエハヂセック；］
（ｒ押し上げて・ウェハ３をガラスマスク１に押し付け
る方法（プレス方式）が７Ｊｌられている。
ところ’Ｃ，ｌｆＵ’Ｕの５”ｉ空密ｎ方式の場合、ノ
ｆラスンスク１はτ１１峡５の真空化により変形しＣウ
ェハ；】１・嘗碧看りるが、この、２形（Ｌ、Ｖλ？Ｈ
的に第３図Ｊ。
ｆラスンスク１はτ１１峡５の真空化により変形しＣウ
ェハ；】１・嘗碧看りるが、この、２形（Ｌ、Ｖλ？Ｈ
的に第３図Ｊ。
たけ第４図に示すように／「る。ツなわも、第２図の状
態でのＩｆラスマス′）１どつ「ハ３との間隔が人ご゛
い場合は、第３図のＪう（こウェハ周ｊ！２が密着不良
となり、−１ｊ、マスク１とウ−【ハ２どの間隔が小さ
い場合には、第４図のようにウェハ中心付近が密着不良
となる。また、後者のプレス方式の場合も、ウェハチャ
ック４の押し上げ量やマスク１とウェハ３との平行度誤
差等により、同様に密着不良が生じる。このような密着
不良は、パターン線幅のばらつきの原因となっており、
このような傾向はウェハの大きさが５インチ以上になる
と特に顕著になる。ざらに、ガラスマスク１の変形は、
マスク１とつ１ハ３との寸法誤差いわゆるパターンずれ
の原因ともなる。
態でのＩｆラスマス′）１どつ「ハ３との間隔が人ご゛
い場合は、第３図のＪう（こウェハ周ｊ！２が密着不良
となり、−１ｊ、マスク１とウ−【ハ２どの間隔が小さ
い場合には、第４図のようにウェハ中心付近が密着不良
となる。また、後者のプレス方式の場合も、ウェハチャ
ック４の押し上げ量やマスク１とウェハ３との平行度誤
差等により、同様に密着不良が生じる。このような密着
不良は、パターン線幅のばらつきの原因となっており、
このような傾向はウェハの大きさが５インチ以上になる
と特に顕著になる。ざらに、ガラスマスク１の変形は、
マスク１とつ１ハ３との寸法誤差いわゆるパターンずれ
の原因ともなる。
したがって、従来のガラスマスクを使用するとすれば、
半導体素子を設計する際、上記のパターン線幅のばらつ
きやパターンずれを見込まなければならず、これが半導
体素子を小型化してＩＣ等の集積度を上げていくための
大きな障害となっていた。
半導体素子を設計する際、上記のパターン線幅のばらつ
きやパターンずれを見込まなければならず、これが半導
体素子を小型化してＩＣ等の集積度を上げていくための
大きな障害となっていた。
［発明の目的１
本発明は、上述の欠点を解消し、密着時の変形が少なく
、したがって、より密着性が良く、かつＪ、り微細なパ
ターニングが可能な密着式カラスマスクを提供すること
を目的とする。
、したがって、より密着性が良く、かつＪ、り微細なパ
ターニングが可能な密着式カラスマスクを提供すること
を目的とする。
［実施例の説明］
以下図面を用いて本発明の実施例を説明する。
な、１メ、従来例と共通または対応する部分については
同一の符号で表わず。
同一の符号で表わず。
第１図は、本発明の一実施例に係るガラスマスクを真空
密着方式の半導体製造装置に実装した状態を示す。同図
のガラスマスク１は第２〜４図のものに対し、ガラスマ
スク本体１１をマスク保持台２の開口部より小さめに構
成し、その周辺部を変形容易な支持部材１２で囲んだこ
とを特徴とじＣいる。
密着方式の半導体製造装置に実装した状態を示す。同図
のガラスマスク１は第２〜４図のものに対し、ガラスマ
スク本体１１をマスク保持台２の開口部より小さめに構
成し、その周辺部を変形容易な支持部材１２で囲んだこ
とを特徴とじＣいる。
支持部材１２としては、例えばゴム、ポリウレタン等の
ゴムまたは樹脂製のものが好適である。
ゴムまたは樹脂製のものが好適である。
第１図において、密着焼付けを行なう場合、領［５を真
空化すると、大気圧によりガラスマスク本体１１にはウ
ェハ３側へ近付こうとする力が働く。
空化すると、大気圧によりガラスマスク本体１１にはウ
ェハ３側へ近付こうとする力が働く。
しかし、この場合は支持部材１２が弾性変形するため、
ガラスマスク本体１１は変形することなくつエバ３に密
着さけられる。
ガラスマスク本体１１は変形することなくつエバ３に密
着さけられる。
また、第１図のガラスマスク１をプレス方式の半導体製
造装置に用いて密着焼付けを行なう場合、ウェハチャッ
ク４を下から突き上げるため、ガラスマスク１は第２〜
４図とは逆方向に変形するが、この場合にも支持部材１
２の弾性変形によりガラスマスク本体１１の変形を防＋
ｔ シてウェハ３に密着させることができる。
造装置に用いて密着焼付けを行なう場合、ウェハチャッ
ク４を下から突き上げるため、ガラスマスク１は第２〜
４図とは逆方向に変形するが、この場合にも支持部材１
２の弾性変形によりガラスマスク本体１１の変形を防＋
ｔ シてウェハ３に密着させることができる。
［実施例の変形例］
なＪ３、上ｉ１−の実施例にＪ３いｉ（Ｇ、Ｌ、ガラス
マスク本体１１をマスク保持台２の開口部より小さめに
構成しているが、従来通りの形状のままで支持部材１２
を取付け、支持部材１２の厚み方向の変形によってガラ
スマスク本体１１とウェハ３とを密着させるようにして
もよい。また、上述にａ３いでは、真空密着方式の半導
体製）ム装置用として気密を確保するため、ガラスマス
ク本体１１の周辺部全周を支持部材１２で囲むようにし
たが、前記プレス方式の半導体製造装置用のガラスマス
クの場合、支持部材１２はウェハチャック押し上げ前後
のガラスマスクの姿勢を保持し得る程度のｍおよび位置
に取付ければよく、例えば数〜１０数ＩＩ長程度の支持
部材を周辺部にほぼ等間隔′ｃ？！２数個取付けるよう
にしてもよい。
マスク本体１１をマスク保持台２の開口部より小さめに
構成しているが、従来通りの形状のままで支持部材１２
を取付け、支持部材１２の厚み方向の変形によってガラ
スマスク本体１１とウェハ３とを密着させるようにして
もよい。また、上述にａ３いでは、真空密着方式の半導
体製）ム装置用として気密を確保するため、ガラスマス
ク本体１１の周辺部全周を支持部材１２で囲むようにし
たが、前記プレス方式の半導体製造装置用のガラスマス
クの場合、支持部材１２はウェハチャック押し上げ前後
のガラスマスクの姿勢を保持し得る程度のｍおよび位置
に取付ければよく、例えば数〜１０数ＩＩ長程度の支持
部材を周辺部にほぼ等間隔′ｃ？！２数個取付けるよう
にしてもよい。
１発明の効果１
以上のように、本発明によれば、ガラスマスク本体の周
辺部に変形容易な支持部材を取付けるという簡単な構造
で、ガラスマスク本体の変形を防ぎ、ウェハのパターン
線幅ばらつきやパターンずれを抑えることが′Ｃきる。
辺部に変形容易な支持部材を取付けるという簡単な構造
で、ガラスマスク本体の変形を防ぎ、ウェハのパターン
線幅ばらつきやパターンずれを抑えることが′Ｃきる。
また、このため、より微細なパターニングが可能となる
。
。
第１図は、本発明の一実施例に係るガラスマスクを真空
密着方式の半導体製造装置に実装しウェハに密着させた
様子を小ケ断面図、 第２図は、従来のガラスマスクを実装した真空密６ｈ式
の半導体製造装置の断面図、 第３および４図は、それぞれ第２図の装置においてガラ
スマスクをウェハに密着させた様子を示す断面図である
。 １・・・ガラスマスク、２・・・マスク保持台、３・・
・ウェハ、４・・・ウニハチセック、５・・・真空化領
域、１１・・・ガラスマスク本体、１２・・・支持部材
。
密着方式の半導体製造装置に実装しウェハに密着させた
様子を小ケ断面図、 第２図は、従来のガラスマスクを実装した真空密６ｈ式
の半導体製造装置の断面図、 第３および４図は、それぞれ第２図の装置においてガラ
スマスクをウェハに密着させた様子を示す断面図である
。 １・・・ガラスマスク、２・・・マスク保持台、３・・
・ウェハ、４・・・ウニハチセック、５・・・真空化領
域、１１・・・ガラスマスク本体、１２・・・支持部材
。
Claims (3)
- １．密着焼付に用いられるガラスマスクであつて、ガラ
スマスク本体の周辺部に変形容易な支持部材を取付け、
使用時はこの支持部材を介してガラスマスク本体を支承
するようにしたことを特徴とする密着式ガラスマスク。 - ２．前記支持部材で前記ガラスマスク本体の周辺部を取
囲み、この支持部材をガラスマスク本体と感光体との間
を真空吸着する際の気密シールとして用いるようにした
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の密着式ガ
ラスマスク。 - ３．前記支持部材がゴムまたは弾性変形可能な樹脂であ
る特許請求の範囲第１項記載の密着式ガラスマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186469A JPS6165250A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 密着式ガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186469A JPS6165250A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 密着式ガラスマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165250A true JPS6165250A (ja) | 1986-04-03 |
| JPS6311658B2 JPS6311658B2 (ja) | 1988-03-15 |
Family
ID=16189014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186469A Granted JPS6165250A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 密着式ガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165250A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0278076A2 (de) * | 1987-02-06 | 1988-08-17 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Bestrahlungsmaske zur lithographischen Erzeugung von Mustern |
| US7190438B2 (en) * | 2003-02-20 | 2007-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Near-field exposure apparatus and near-field exposure photomask |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0854816A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Nec Corp | 印刷装置 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59186469A patent/JPS6165250A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0278076A2 (de) * | 1987-02-06 | 1988-08-17 | Dr. Johannes Heidenhain GmbH | Bestrahlungsmaske zur lithographischen Erzeugung von Mustern |
| US7190438B2 (en) * | 2003-02-20 | 2007-03-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Near-field exposure apparatus and near-field exposure photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6311658B2 (ja) | 1988-03-15 |
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