JP2004207465A - ステージ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ステージ1は、プレート2とステム3とシールリング4と蓋5と排気装置6とを備える。プレート2は、ヒータ8を内蔵している。ヒータ8の端子10は、プレート2から露出している。ステム3は、端子10を囲う筒状に設ける。ステム3に面したプレート2には、第1シール面14を形成し、プレート2に面したステム3には第2シール面15を形成する。シールリング4は、第1シール面14と第2シール面15の間に挿入する。蓋5は、ステム3の内側に通じる流路24を備える。排気装置6は、流路24に設ける。排気装置6でステム3の内側を真空引きする。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、半導体の製造プロセスのプロセスガスにおいて半導体のウェーハを保持するステージに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体は、製造プロセスにおいて、CVD(Chemical Vapor Deposition)、PVD(Plasma Vapor Deposition)、エッチングなどの処理が施される。各プロセスで使用される装置は、円板状に切り出されたウェーハを保持するステージを備えている。このステージは、ウェーハを保持するプレートとこのプレートを支持するステムとを備えている。プレートは、各プロセスに応じてヒータや高周波の電極などを内蔵している。ヒータや電極の端子は、プレートから露出している。端子には、それぞれリード線が接続されている。ステムは、端子及びリード線を囲う筒状に形成されている。ステージは、プロセスチャンバに入れられて、プロセスガスに曝される。端子やリード線などの金属部品は、プロセスガスに曝されると、プロセスガスに腐食され、金属パーティクルを飛散させる原因となる場合がある。
【0003】
そこで、セラミック製のプレート(セラミックヒータ)と無機質絶縁材料からなるステム(筒状体)とが気密に接合されたステージ(半導体ウェーハ加熱装置)がある(例えば、特許文献1参照。)。また、プレート(セラミックス基体)とステム(円筒状体)の接合力を大きくするために、円筒状体の端部にリング状のフランジを設け、プレートとの接触面積を大きくしたステージがある(例えば、特許文献2参照。)。
【0004】
さらに、プレート(セラミックヒータ)とステム(円筒状体)とを分離できる構造にしたステージがある(例えば、特許文献3参照。)。このステージは、プレートとステムとの間に軟質金属で造られた円環状部材を備え、ボルトで締付けることで気密にシールしている。また、軟質金属として、白金を使用している。
【0005】
【特許文献1】
特公平6−28258号公報(第3頁の右欄第2行−第4行、図2)
【0006】
【特許文献2】
特許第2525974号公報(段落0017、図1)
【0007】
【特許文献3】
特許第3131010号公報(段落0007−0008、段落0014、第1図)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、プレートとステムを一体に接合すると、温度が上がったときに接合部に応力が作用し破損してしまう恐れがある。また、接合部を通してヒータの熱がステムに伝わるので、プレート上の温度斑が生じやすく、半導体製造プロセスの処理条件が不安定となる。
【0009】
円環状部材をステム(円筒状体)とプレート(セラミックヒータ)との間に挿入し、気密にシールをするとともに、応力を緩和させたものは、円筒状体の内側が外気に曝されている。したがって、端子や配線が酸化しやすい。また、外気と接する部分から放熱し、セラミックヒータの温度分布に斑が生じる。特に、セラミックヒータから円筒状体へ軟質金属の円環状部材を伝わって熱が逃げやすく、温度差による熱応力が作用して、セラミックヒータが破損する恐れがある。
【0010】
また、円環状部材を円筒状体とセラミックヒータの間で押圧するために、セラミックヒータの外周を支持部材で押えている。しかし、セラミックヒータが大径化し、円環状部材とセラミックヒータの外周までの距離が離れるほど、セラミックヒータが撓みやすい。そのため、セラミックヒータの平坦度が損なわれたり、気密状態を維持するために必要な押圧力が得られなくなったりする恐れがある。
また、各部材の線膨張係数の差により、加熱時にシール部がずれ、気密性が損なわれる恐れがある。そのため、円環状部材に対するセラミックヒータと円筒状体との押し付け力を安定させるために、複雑な機構を必要としている。
【0011】
そこで、本発明は、簡単な構造で、昇温時にステムの内側と外側との間の気密性を保つとともに、プレートの温度分布が均一なステージを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかるステージは、ヒータが埋設されプロセスガスに曝されるプレートと、ヒータに接続されてプレートから露出する端子と、端子を囲う環状にプレートに形成される第1シール面と、端子を囲う筒状に形成されてプレートを支持するステムと、プレートを支持する側のステムの端面に沿って環状に形成された第2シール面と、プレートを支持する側と反対側のステムの開口端を塞ぐ蓋と、蓋を貫通してステムの内側に通されて端子に接続される導体と、ステムの内部に通じる流路と、この流路に設けられてステムの内側を減圧する排気装置とを備える。
【0013】
プレートからステムへの熱の伝達を抑制するために、第1シール面と第2シール面との間にプレート及びステムよりも伝熱抵抗の大きいシールリングを装着する。また、熱伝達面積を小さくするために、シールリングは、第1シール面および第2シール面に対し、内周寄りの部分及び外周寄りの部分を接触させる。
【0014】
シールリングの位置がずれないようにするために、シールリングは、第1シール面と第2シール面との少なくとも一方が他方から離れる方向に凹む凹部に嵌め込まれる。また、シールリングは、プレートとステムとを固定する締結部材で貫通されていても良い。
【0015】
【発明の実施の形態】
本発明に係る第1の実施形態のステージについて、図1及び図2を参照して説明する。図1に示すステージ1は、プレート2とステム3とシールリング4と蓋5と排気装置6とを備えている。このステージ1は、半導体のウェーハWをプレート2上に保持する。ステージ1は、プロセスチャンバ7の中に配置され、ウェーハWを保持した状態で、各プロセスに応じたプロセスガスに曝される。
【0016】
プレート2は、セラミックで造られており、ヒータ8と電極9とを内蔵している。ヒータ8は、抵抗加熱によって発熱する。ヒータ8は、耐熱性に優れ、熱膨張係数の小さい金属、または、線膨張係数がプレート2を形成するセラミックの線膨張係数に近い金属であることが好ましく、具体的には、モリブデンやタングステンなどが挙げられる。ヒータ8に電力を供給するために端子10は、プレート2から露出している。電極9は、ウェーハWを保持する面に近い位置に埋設されており、プラズマ処理をウェーハWに施す場合にグランドとして使用される。
電極9は、ヒータ8用の端子10と同じ側に露出する電極9用の端子11に接続されている。また、プレート2には、ヒータ8の温度管理をするために、端子10,11が露出する側に熱電対12を差し込むソケット13が取付けられている。なお、熱電対12は、プレート2に直接取付けられていても良い。ヒータ8用の端子10と電極9用の端子11とソケット13とを囲んで環状に、第1シール面14がプレート2に形成されている。第1シール面14は、平坦に研磨されている。研磨された第1シール面14の表面粗さは、中心線平均粗さ(Ra)において0.5μm以下に仕上げられていることが好ましい。
【0017】
ステム3は、セラミックで造られており、ヒータ8用の端子10と電極9用の端子11及び熱電対用のソケット13を囲う十分な太さの筒状に形成されている。ステム3は、両端にフランジ3a,3bが形成されている。プレート2に面したフランジ3aには、第2シール面15が設けられおり、もう一方のフランジ3bには、Oリング溝16が形成されている。第2シール面15は、平坦に研磨されている。研磨された第2シール面15の表面粗さは、中心線平均粗さ(Ra)において0.5μm以下に仕上げられていることが好ましい。Oリング溝16には、Oリング17が装着される。
【0018】
シールリング4は、プレート2及びステム3よりも伝熱抵抗が大きく、断熱性に優れたセラミックで造られている。シールリング4は、プレート2に形成された第1シール面14とステム3に形成された第2シール面15との間に挿入される。第1シール面14と第2シール面15とに接触するシールリング4の外表面は、平坦に研磨されている。シールリング4の研磨された面の表面粗さは、中心線平均粗さ(Ra)において、0.5μm以下であることが好ましい。
【0019】
図2に示すように、プレート2とステムと3とを固定する締結部材としてのボルト18は、シールリング4を貫通している。このボルト18は、ヒータ8の熱による膨張を考慮して、プレート2やステム3と同じ線膨張係数のセラミック材でできている。ボルト18は、セラミック製であるので、プレート2の放熱を抑えることができる。なお、ねじ部の焼付き防止のために、ボルト18は、プレート2と共材を使用することを避け、プレート2よりも軟らかいか硬いセラミックが良い。
【0020】
蓋5は、プロセスガスに対する耐食性に優れた材料、例えば、セラミックでできている。また、蓋5は、図1に示すように、ステム3のフランジ3bにボルト19で取付けられる。ヒータ8用の端子10と電極9用の端子11には、ろう付けなどにより導体20,21が電気的に接続されている。なお、端子10,11と導体20,21との接続方法は、ろう付け以外に、端子10,11にねじ部を設けてこのねじ部に導体20,21が接続されたワッシャをナットで締付けるなどの方法でも良い。導体20,21、及び熱電対12は、蓋5を通して、プロセスチャンバ7の外に取り出される。導体20,21及び熱電対12と蓋5との隙間は、パッキングなど、例えばOリング22が取付けられ、ブッシュ23で締付けられて気密に封じられている。さらに、蓋5は、ステム3の内側に通じる流路24を備えている。
【0021】
排気装置6は、吸引ポンプ25と圧力ゲージ26と制御装置27とを備える。
吸引ポンプ25は、流路24に繋がっている。吸引ポンプ25の排気流量は、第1シール面と第2シール面とシールリングの外表面の表面粗さに起因して、プレート2とシールリング4の間、及びステム3とシールリング4の間にできるわずかな隙間からステム3の内側に侵入する流量よりも多い。圧力ゲージ26は、ステム3の内側の圧力を計測する。制御装置27は、圧力ゲージ26の値を基に、吸引ポンプ25を制御する。
【0022】
以上のように構成されたステージ1は、プロセスチャンバ7内において、ウェーハWとプロセスガスの反応を促進させるために、ウェーハWをヒータ8で加熱する。ヒータ8の温度は、熱電対12で検出された値を基に制御される。第1シール面14と第2シール面15とこれらシール面に接するシールリング4の外表面とは、それぞれ平坦に研磨されている。そして、第1シール面14とシールリング4、第2シール面15とシールリング4のそれぞれの合せ部を通ってステム3の内側に浸入するプロセスガスの流量は、吸引ポンプ25の排気流量よりも十分に小さい。
【0023】
したがって、ステム3の内側は、排気装置6によって、真空引きすることができる。ステム3の内側が減圧されると、プレート2は、ステム3の方向へ押し当てられる。排気装置6は、圧力ゲージ26の値を基に制御装置27で吸引ポンプ25を制御し、ステム3の内側の圧力を1×10−5torr以下の真空状態にする。ステム3の内側に侵入したプロセスガスは、排気装置6でステム3の内側から排出されるので、ステージ1は、端子10,11や導体20,21並びに熱電対12が腐食されることを防止することができる。
【0024】
第1シール面14、第2シール面15、及びこれらシール面に接するシールリング4の外表面の表面粗さは、中心線平均粗さにおいて、0.5μm以下に仕上げると、Oリングなどでシールした場合と同じ程度の時間で、ステム3の内側を真空引きすることができる。
【0025】
シール面14,15とシールリング4の接触部の気密性について、次の方法でHeリークテストを実施した。まず、ステージ1をプロセスチャンバ7の中に設置し、プロセスチャンバ7の中を排気した。1×10−5torr以下にプロセスチャンバ7の中が排気された後、50l/secの排気能力を有したHeリークディテクタをプロセスチャンバ7に接続し、ステム3の内側に流路24を通してHeガスを大気圧で供給した。この結果、1×10−7torr・l/sec以下のリークレートを実現できることを確認した。
【0026】
また、ステム3の内側が減圧されるので、プレート2からステム3の内側のガスへの熱伝達は、少なくなる。そして、プレート2とステム3の間には、伝熱抵抗の大きいシールリング4が挿入されているので、プレート2からステム3への熱伝達も少ない。したがって、プレート2の温度は、ヒータ8によって効率よく上昇するとともに、制御しやすい。また、部分的な熱損失が生じないので、プレート2の温度分布は、均一になる。
【0027】
さらに、ステージ1は、プレート2とステム3とがボルト18で固定されているので、どちらか一方が破損した場合に、破損した側のみを交換することができる。また、ステム3の内側を真空状態に減圧しており、プロセスチャンバ7内のプロセスガスの圧力でプレート2がステム3に押し当てられる。したがって、ボルト18は、きつく締めなくても良い。ボルトが膨張してプレート2とステム3とを拘束しなくても、プロセスガス圧力によって一定にプレート2がステム3に押し当てられる。
【0028】
本発明に係る第2の実施形態のステージについて、図3を参照して説明する。
第2の実施形態のステージは、シールリング31とその周辺が第1の実施形態のステージと異なる。その他の部分については、第1の実施形態のステージと同じであるので、説明を省略する。また、第1の実施形態と同じ構成要素について、同一の符号を付して、その説明を省略する。
【0029】
図3に示すように、ステージは、プレート2とステム3との合せ部に、第1溝32と第2溝33を備えている。第1溝の底には第1シール面14が形成され、第2溝33の底には第2シール面15が形成されている。第1の溝32と第2の溝33は、第1シール面14と第2シール面15とが互いに離れる方向に凹む凹部の一例である。第1溝32と第2溝33は、それぞれ半径方向について、シールリング31よりも幅広に形成されている。したがって、プレート2及びステム3とシールリング31との間の温度差で各部材の寸法変化が生じても、プレート2及びステム3とシールリング31とが衝突して破損することはない。
【0030】
また、シールリング31は、外表面のうち、内周寄りの部分31a,31bと外周寄りの部分31c,31dが第1シール面14及び第2シール面15のそれぞれと接触するように形成されており、断面がいわゆるH形をしている。内周寄りの部分31a,31b及び外周寄りの部分31c,31dは、平坦に研磨されている。各部分31a,31b,31c,31dの表面粗さは、中心線平均粗さ(Ra)において0.5μm以下に仕上げられることが好ましい。
【0031】
このシールリング31は、プレート2との接触面積が、第1実施形態のシールリング4よりも小さいので、プレート2からシールリング31に伝わる熱をさらに少なく抑えることができる。また、ステージは、第1溝32と第2溝33とを備え、シールリング31がこれらに嵌り込むので、プレート2とステム3との位置を合せやすい。
【0032】
さらに、シールリング31は、内周寄りの部分31a,31bと外周寄りの部分31c,31dとで二重にシール部を形成している。したがって、内周寄りの部分31a,31bと外周寄りの部分31c,31dとの間の空間が、バッファーとして機能し、ステム3の内側と外側の気密性を維持しやすい。そのため、接触面積を効果的に小さくすることができる。
【0033】
シールリング31と第1シール面14および第2シール面15との接触面積は、小さい方が熱の伝達を抑制できるが、半径方向の幅が大きいほうがリークパスは、長くなるので、気密性は向上する。したがって、プレート2とシールリング31、シールリング31とステム3のそれぞれの部材間における伝熱係数及び各面の仕上がり表面粗さに応じて接触面積を適正化すると良い。
【0034】
また、第1の実施形態のステージ1のように第1溝32と第2溝33が無い場合にも、本実施形態のシールリング31を適用することができる。またその逆も同様である。
【0035】
表面粗さを中心線平均粗さについて0.5μm以下に仕上げたシールリング31と第1シール面14及び第2シール面15との接触部の気密性について、第1の実施形態と同様のHeリークテストを実施した。その結果、1×10−7torr・l/sec以下のリークレートを実現できることを確認した。
【0036】
第1及び第2の実施形態のいずれにおいても、締結部材であるボルト18が、シールリング4,31を貫通しているが、ボルト18よりも内径側に第1シール面14及び第2シール面15を設けてシールリング4,31を取付けても良い。
【0037】
また、第1シール面14と第2シール面15を直接合せても良い。ただし、この場合、プレート2からステム3への熱伝達を小さく抑えるために、シール面を凸状に形成するなど、接触面積が小さくなるように配慮することが好ましい。
【0038】
プレート2、ステム3、シールリング4、ボルト18に使用されるセラミックの具体的な組合せとして、プレート2には、窒化アルミニウム系、ステム3には、アルミナ系、シールリング4には、アルミナ系、または、マグネシア系を用いることが好ましい。なお、セラミック材料として、この他、ジルコニア系、窒化珪素系、サイアロン系、窒化チタン系などを適用することもできる。
【0039】
また、プレート2、ステム3、シールリング4、及び、第1溝32、第2溝33などの角部の形状は、熱膨張で応力が集中しないように、丸みを付けておくことが好ましい。
【0040】
【発明の効果】
本発明に係るステージによれば、プレートとステムの合せ部にそれぞれ第1シール面と第2シール面を設け、ステムの内側を真空状態にするように減圧する。
合せ部を横切ってステムの内側に侵入したプロセスガスは、ステムの内側から排気装置によって排出される。したがって、プレートから露出する端子や導体及び熱電対などの金属部品がプロセスガスに腐食されることが無い。また、ヒータによってプレートの温度が上昇しても、ステムの内側が真空状態になるように減圧されており、プロセスチャンバ内のプロセスガスの圧力によってプレートは、ステムに押し当てられる。したがって、ステージの温度状態によらず、簡単な構造で、ステムの内側と外側との間の気密性を維持することができる。
【0041】
また、第1シール面と第2シール面との間に、プレート及びステムよりも伝熱抵抗の大きいシールリングを設けた発明によれば、プレートからステムに伝わる熱を抑制することができる。その結果、プレートの温度が安定する。
【0042】
シールリングが、内周寄りの部分及び外周寄りの部分で第1シール面及び第2シール面と接触する発明によれば、プレートからシールリングへの熱伝達面積を小さくすることができる。したがって、プレートからステムへ熱が伝達することをより少なくすることができる。その結果、プレートの温度分布が均一になりやすい。
【0043】
第1シール面と第2シール面との少なくとも一方を他方から離れる方向に凹む凹部に形成氏、この凹部にシールリングをはめ込む発明によれば、プレートとステムとの互いの位置決めが行ないやすい。
【0044】
プレートとステムを固定する締結部材がシールリングを貫通する発明によれば、シールリングが第1シール面及び第2シール面からずれ難い。したがって、第1シール面及び第2シール面の仕上げ面積を小さくすることができる。
【0045】
以上のように、本発明に係るステージは、構造が簡単で、昇温時にもステムの内側と外側の間の気密性を保てる。したがって、端子や導体及び熱電対などプレートから露出する金属性部品の腐食を防止することができる。また、プレートとステムとの間の接触面積が小さいので、プレートの温度分布が均一になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る第1の実施形態のステージを示す断面図。
【図2】図1のステージのシールリングとその周辺を示す断面図。
【図3】本発明に係る第2の実施形態のステージのシールリングとその周辺を示す断面図。
【符号の説明】
1…ステージ、2…プレート、3…ステム、4,31…シールリング、5…蓋、6…排気装置、8…ヒータ、9…電極、10…端子、14…第1シール面、15…第2シール面、18…ボルト(締結部材)、20…導体、24…流路、31a,31b…(シールリングの)内周寄り部分、31c,31d…(スールリングの)外周より部分、32…第1溝(凹部)、33…第2溝(凹部)。
Claims (7)
- ヒータが埋設されプロセスガスに曝されるプレートと、
前記ヒータに接続されて前記プレートから露出する端子と、
前記端子を囲う環状に前記プレートに形成される第1シール面と、
前記端子を囲う筒状に形成されて前記プレートを支持するステムと、
前記プレートを支持する側の前記ステムの端面に沿って環状に形成された第2シール面と、
前記プレートを支持する側と反対側の前記ステムの開口端を塞ぐ蓋と、
前記蓋を貫通して前記ステムの内側に通されて前記端子に接続される導体と、
前記ステムの内側に通じる流路と、
この流路に設けられて前記ステムの内側を減圧する排気装置とを備えることを特徴とするステージ。 - 前記第1シール面と前記第2シール面との間に装着され、前記プレート及び前記ステムよりも伝熱抵抗の大きいシールリングを備えることを特徴とする請求項1に記載のステージ。
- 前記シールリングは、前記第1シール面および前記第2シール面に対し、内周寄りの部分及び外周寄りの部分で接触していることを特徴とする請求項2に記載のステージ。
- 前記シールリングは、前記第1シール面と前記第2シール面との少なくとも一方が他方から離れる方向に凹む凹部に嵌め込まれることを特徴とする請求項2または請求項3に記載のステージ。
- 前記シールリングは、前記プレートと前記ステムとを固定する締結部材によって貫通されていることを特徴とする請求項2から請求項4の内のいずれか1項に記載のステージ。
- 前記シールリングは、アルミナ系のセラミックで形成されることを特徴とする請求項2から請求項5の内のいずれか1項に記載のステージ。
- 前記シールリングは、マグネシア系のセラミックで形成されることを特徴とする請求項2から請求項5の内のいずれか1項に記載のステージ。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011099481A1 (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台構造及び処理装置 |
JP2011165891A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及び処理装置 |
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JP6085073B2 (ja) * | 2015-01-20 | 2017-02-22 | 日本碍子株式会社 | シャフト端部取付構造 |
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