JP2002033287A - 加熱装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 支持部材の長さを長くすることなく、加熱効
率に優れ、支持部材と反応容器との間の隙間を、シール
材を介して完全に封止することができるとともに、耐久
性に優れた加熱装置を提供する。 【解決手段】 加熱装置１０は、ヒータ部１１とヒータ
部１１を支持する支持部材１４とを具備するものであ
り、支持部材１４が、ヒータ部１１側の端部を含む第１
の絶縁部１６と、反応容器２０のシール材１５に接する
部分を含む第２の絶縁部１８と、第１の絶縁部１６と第
２の絶縁部１８との間に位置する第３の絶縁部１７とを
具備するものである。また、第１の絶縁部１６及び第２
の絶縁部１８の熱伝導率がヒータ部１１を構成する絶縁
部（基体１１Ａ及び載置板１１Ｂ）の熱伝導率よりも低
く設定され、かつ、第３の絶縁部１７の熱伝導率が第１
の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８の熱伝導率よりも高
く設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、加熱装置に関し、
特に、プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置等
に装着されて、被加熱基板を加熱するのに好適な加熱装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチン
グ装置等の内部に装着されて、ウェハー、ガラス板等の
基板（以下、「被加熱基板」と称する。）を加熱するこ
とが可能な、従来の加熱装置の構造について説明する。

【０００３】図４に、従来の加熱装置の一例を、プラズ
マＣＶＤ装置等の内部に装着した状態の概略断面構造を
示し、この加熱装置１００の構造について説明する。図
４において、符号２００はプラズマＣＶＤ装置等の反応
容器を示している。

【０００４】図４に示すように、加熱装置１００は、被
加熱基板を載置して加熱するための加熱面１１０Ｓを有
する円盤状のヒータ部１１０と、ヒータ部１１０の加熱
面１１０Ｓ以外の面上に取り付けられ、ヒータ部１１０
を支持する円筒状の支持部材１４０とを主体として構成
されている。

【０００５】ヒータ部１１０は、円盤状の絶縁部にスパ
イラル状の抵抗発熱体１２０が内蔵された構造となって
おり、ヒータ部１１０は、表面に、抵抗発熱体１２０を
装填するために、抵抗発熱体１２０の形状に沿って刻設
された凹部１３０を有する、セラミックス焼結体製の円
盤状の基体（絶縁部）１１０Ａと、基体１１０Ａの凹部
１３０に装填された抵抗発熱体１２０と、抵抗発熱体１
２０を挟持して基体１１０Ａと対向配置された、被加熱
基板を載置するためのセラミックス焼結体製の載置板
（絶縁部）１１０Ｂとから構成されている。

【０００６】加熱装置１００において、抵抗発熱体１２
０に電力を供給するための電極と、ヒータ部１１０の温
度を測定するための熱電対が取り付けられているが、図
面上は簡略化のため省略している。

【０００７】図４に示すように、支持部材１４０のヒー
タ部１１０側と反対側の端部（図示下側の端部）がＯ−
リングなどからなるシール材１５０を介して、反応容器
２００に取り付けられており、加熱装置１００と反応容
器２００との間の隙間を封止して反応容器２００の内部
の気密性を確保した状態で、加熱装置１００は反応容器
２００の内部に装着されている。

【０００８】従来、上記の加熱装置１００において、加
熱装置１００の加熱効率を向上させるとともに、支持部
材１４０と反応容器２００との間の隙間を、シール材１
５０により完全に封止するために、ヒータ部１１０で発
せられた熱が、少なくとも支持部材１４０のシール材１
５０に接する部分には伝導されないように、支持部材１
４０を耐熱性に優れるとともに遮熱性に優れた材質、す
なわち、耐熱性に優れるとともに、ヒータ部１１０を構
成する絶縁部（基体１１０Ａ及び載置板１１０Ｂ）より
も低い８０〜１００Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率を有するセ
ラミックス焼結体等の絶縁部材から構成している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、支持部
材１４０を前記のような遮熱性に優れた材質で構成し、
少なくとも支持部材１４０のシール材１５０に接する部
分への熱伝導を遮断した場合、支持部材１４０のヒータ
部１１０側とシール材１５０側との間の温度勾配が急と
なり、その結果、支持部材１４０にクラックが入り、加
熱装置１００の耐久性が低下するという問題点を有して
いる。

【００１０】この問題は、支持部材１４０を１６０〜１
７０Ｗ／ｍＫ程度の高い熱伝導率を有するセラミックス
焼結体、金属、金属化合物等の絶縁部材から構成し、支
持部材１４０の温度分布を緩和することによって解決す
ることができるが、この場合には、少なくとも支持部材
１４０のシール材１５０に接する部分への熱伝導を防止
するために、支持部材１４０を長くする必要があり、そ
の結果、反応容器２００の構造が制約を受けるという問
題点を有している。

【００１１】そこで、本発明は、上記従来の技術が有す
る問題点に鑑みてなされたものであって、支持部材の長
さを長くすることなく、加熱効率に優れ、支持部材と反
応容器との間の隙間を、シール材を介して完全に封止す
ることができるとともに、耐久性に優れた加熱装置を提
供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、種々検討を
行った結果、支持部材のヒータ部近傍部分とシール材近
傍部分を、ヒータ部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導
率を有する絶縁部で構成し、ヒータ部近傍部分とシール
材近傍部分との間を、ヒータ部近傍部分とシール材近傍
部分よりも高い熱伝導率を有する絶縁部で構成すること
により、支持部材の温度勾配を緩和して、応力緩和する
ことができることを見出した。

【００１３】さらに、支持部材を上記構成とした場合に
は、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分とを、ヒータ
部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する絶縁部
で構成しているため、ヒータ部から支持部材への熱伝導
を抑制することができるとともに、ヒータ部近傍部分と
シール材近傍部分との間の絶縁部よりシール材側への熱
伝導を抑制することができることを見出し、本発明の加
熱装置を発明するに到った。

【００１４】本発明の加熱装置は、被加熱基板を載置し
て加熱するための加熱面を有する絶縁部と該絶縁部に内
蔵された発熱体とを有するヒータ部と、該ヒータ部を支
持する支持部材とを具備し、前記支持部材を、シール材
を介して反応容器に取り付けることにより、前記反応容
器の内部に装着された加熱装置であって、前記支持部材
が、前記ヒータ部側の端部を含む第１の絶縁部と、前記
シール材に接する部分を含む第２の絶縁部と、前記第１
の絶縁部と前記第２の絶縁部との間に位置する第３の絶
縁部とを具備するものであるとともに、前記第１の絶縁
部及び前記第２の絶縁部の熱伝導率が、前記ヒータ部を
構成する前記絶縁部の熱伝導率よりも低くされ、前記第
３の絶縁部の熱伝導率が、前記第１の絶縁部及び前記第
２の絶縁部の熱伝導率よりも高くされたことを特徴とす
る。

【００１５】すなわち、本発明は、支持部材において、
ヒータ部側の端部を含む領域を、ヒータ部を構成する絶
縁部よりも低い熱伝導率を有する第１の絶縁部で構成
し、シール材に接する部分を含む領域を、ヒータ部を構
成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する第２の絶縁部
で構成し、第１の絶縁部と第２の絶縁部との間に、第１
の絶縁部、第２の絶縁部の熱伝導率よりも高い熱伝導率
を有する第３の絶縁部を設ける構成としている。

【００１６】本発明者は、支持部材を上記構成とし、支
持部材のヒータ部近傍部分とシール材近傍部分との間の
部分を、ヒータ部近傍部分の第１の絶縁部とシール材近
傍部分の第２の絶縁部よりも高い熱伝導率を有する第３
の絶縁部で構成することにより、支持部材の長さを長く
することなく、支持部材の温度勾配を緩和することがで
き、支持部材にクラックが入ることを防止することがで
き、耐久性の優れた加熱装置を提供することができるこ
とを見出した。

【００１７】また、支持部材を上記構成とした場合に
は、ヒータ部近傍部分とシール材近傍部分とを、ヒータ
部を構成する絶縁部よりも低い熱伝導率を有する第１の
絶縁部、第２の絶縁部で構成しているため、ヒータ部か
ら第１の絶縁部への熱伝導を抑制し、ヒータ部近傍部分
とシール材近傍部分との間に位置する第３の絶縁部から
シール材側（第２の絶縁部側）への熱伝導を抑制するこ
とができるので、本発明の加熱装置は、加熱効率に優れ
るとともに、支持部材と反応容器との間の隙間を、シー
ル材を介して完全に封止することができるものとなる。

【００１８】また、本発明の加熱装置において、前記第
１の絶縁部及び前記第２の絶縁部をアルミナ基焼結体で
構成し、前記第３の絶縁部を窒化アルミニウム基焼結体
で構成することが望ましい。第１の絶縁部、第２の絶縁
部、第３の絶縁部をこのような構成とすることにより、
支持部材を耐プラズマ性、耐腐食性等に優れたものにす
ることができる。

【００１９】また、本発明の加熱装置において、前記第
３の絶縁部の前記支持部材の延在方向の長さを、前記第
１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の前記支持部材の延在
方向の長さよりも長く設定することが望ましい。

【００２０】本発明者は、このように、第３の絶縁部の
支持部材の延在方向の長さを、第１の絶縁部及び第２の
絶縁部の支持部材の延在方向の長さよりも長く設定する
ことにより、支持部材のヒータ部側とシール材側との間
の温度勾配を更に緩和し、支持部材の耐熱衝撃性を更に
向上させ、加熱装置の耐久性を飛躍的に向上させること
ができることを見出した。

【００２１】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る実施形態につ
いて詳細に説明する。

【００２２】［加熱装置の構造］図１〜図３に基づい
て、本発明に係る実施形態の加熱装置１０の構造につい
て説明する。

【００２３】図１は加熱装置１０を上方から見たときの
概略斜視図、図２は半導体装置の製造等に用いられる熱
ＣＶＤ装置に加熱装置１０を装着した状態を示す概略断
面図、図３は図２に示す加熱装置１０を拡大して示す概
略断面図である。なお、図２、図３に示す加熱装置は図
１に示す加熱装置をＡ−Ａ’線に沿って切断したときの
断面図である。また、図２においては、簡略化のため後
述する電極と熱電対の図示を省略している。また、図
２、図３において、符号２０は熱ＣＶＤ装置の反応容器
を示している。

【００２４】図１に示すように、加熱装置１０は、被加
熱基板を載置して加熱を行うことが可能な円盤状のヒー
タ部１１と、ヒータ部１１の一方の面上に取り付けられ
て、ヒータ部１１を支持する円筒状の支持部材１４とを
主体として構成されている。ヒータ部１１と支持部材１
４とは、ガラス接合法等の接合法により接合されてお
り、図示は省略している接合層を介して気密に接合され
ている。また、本実施形態において、ヒータ部１１の上
側の面が、被加熱基板を載置して加熱するための加熱面
１１Ｓとなっていて、ヒータ部１１の下側の面上に支持
部材１４が取り付けられている。

【００２５】図２、図３に示すように、ヒータ部１１
は、円盤状の絶縁部にスパイラル状の炭化珪素焼結体等
からなる抵抗発熱体（発熱体）１２が内蔵された構造と
なっており、ヒータ部１１は、表面に、抵抗発熱体１２
を装填するために、抵抗発熱体１２の形状に沿って刻設
された凹部１３を有する円盤状の基体（絶縁部）１１Ａ
と、基体１１Ａの凹部１３に装填されたスパイラル状の
抵抗発熱体１２と、抵抗発熱体１２を挟持して基体１１
Ａと対向配置された、被加熱基板を載置するための載置
板（絶縁部）１１Ｂとから構成されている。

【００２６】基体１１Ａと載置板１１Ｂとは、ガラス接
合法等の接合法により接合されており、図示は省略して
いる接合層を介して気密に接合されている。また、載置
板１１Ｂの図示上側の面が、被加熱基板を加熱するため
の加熱面１１Ｓとなっている。

【００２７】本実施形態において、載置板１１Ｂは、抵
抗発熱体１２から加熱面１１Ｓへの熱伝導を良くし、加
熱効率を高くするために、１００〜１７０Ｗ／ｍＫ程度
の熱伝導率を有する、窒化アルミニウム等のセラミック
ス焼結体から構成されている。

【００２８】また、基体１１Ａと載置板１１Ｂとの熱膨
張係数が異なる場合には、基体１１Ａと載置板１１Ｂと
の熱膨張係数の差に起因した熱ストレスにより、基体１
１Ａと載置板１１Ｂとの間に形成された接合層の耐久性
が低下する。したがって、本実施形態において、基体１
１Ａと載置板１１Ｂとは同じ熱膨張係数を有する材質か
ら構成されている。さらに、ヒータ部１１の製造工程を
簡略化することができるので、基体１１Ａと載置板１１
Ｂとが同じ材質から構成されていることが望ましい。

【００２９】また、図３に示すように、加熱装置１０に
おいて、抵抗発熱体１２に電力を供給するために、抵抗
発熱体１２の両端部には、一端が抵抗発熱体１２に電気
的に接続された一対の電極２７が設けられており、電極
２７を介して抵抗発熱体１２に電力が供給され、ヒータ
部１１の加熱面１１Ｓを加熱することができる構造にな
っている。

【００３０】また、加熱装置１０において、ヒータ部１
１内の温度を測定するために、一端がヒータ部１１内に
挿入された熱電対２８が設けられている。なお、図３に
は例として、熱電対２８の図示上端部が基体１１Ａと載
置板１１Ｂとの接合面に接触している場合について図示
している。

【００３１】電極２７と熱電対２８とは、各々ヒータ部
１１の基体１１Ａ内に設けられた貫通孔２３、２４に挿
通されており、図示下側の端部は、支持部材１４の内部
の空洞を通って、支持部材１４の外部にまで延出形成さ
れている。

【００３２】また、図２、図３に示すように、支持部材
１４のヒータ部１１側と反対側の端部（図示下側の端
部）がＯ−リングなどからなるシール材１５を介して、
反応容器２０に取り付けられ、加熱装置１０と反応容器
２０との間の隙間を封止して反応容器２０の内部の気密
性を確保した状態で、加熱装置１０は反応容器２０の内
部に装着される。

【００３３】なお、反応容器２０は、反応容器２０の内
部にガス供給孔２１から熱ＣＶＤ用のガスが供給され、
吸引孔２２から反応容器２０内の空気が真空ポンプによ
り排出される構造になっている。

【００３４】図３に示すように、本実施形態において、
支持部材１４は、ヒータ部１１側の端部を含む第１の絶
縁部１６と、シール材１５に接する部分を含む第２の絶
縁部１８と、第１の絶縁部１６と第２の絶縁部１８との
間に位置する第３の絶縁部１７とを具備するものとなっ
ている。第１の絶縁部１６と第３の絶縁部１７、及び第
３の絶縁部１７と第２の絶縁部１８は、各々ガラス接合
法等の接合法により接合されており、図示は省略してい
る接合層を介して気密に接合されている。

【００３５】また、本実施形態において、第１の絶縁部
１６及び第２の絶縁部１８の熱伝導率がヒータ部１１を
構成する絶縁部（基体１１Ａ及び載置板１１Ｂ）の熱伝
導率よりも低く設定されていて、かつ、第３の絶縁部１
７の熱伝導率が、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１
８の熱伝導率よりも高く設定されている。

【００３６】第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８は
いずれも、ヒータ部１１を構成する絶縁部（基体１１Ａ
及び載置板１１Ｂ）よりも低い１０〜２０Ｗ／ｍＫ程度
の熱伝導率を有する絶縁部材から構成されていて、第１
の絶縁部１６及び第２の絶縁部１８は、例えば、アルミ
ナ基焼結体（熱伝導率：１０Ｗ／ｍＫ程度）から構成さ
れている。

【００３７】一方、第３の絶縁部１７は、第１の絶縁部
１６及び第２の絶縁部１８よりも高い熱伝導率を有する
絶縁部材から構成されていて、例えば、第１の絶縁部１
６及び第２の絶縁部１８が、熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ程
度の絶縁部材から構成されている場合、第３の絶縁部１
７は窒化アルミニウム基焼結体（熱伝導率：８０Ｗ／ｍ
Ｋ程度）、アルミナ基焼結体（熱伝導率：２０Ｗ／ｍＫ
程度）などから構成されている。

【００３８】特に、第１の絶縁部１６及び第２の絶縁部
１８をアルミナ基焼結体で構成し、第３の絶縁部１７を
窒化アルミニウム基焼結体で構成することが好ましく、
第１の絶縁部１６、第２の絶縁部１８、第３の絶縁部１
７をこのような構成にすることにより、支持部材１４を
耐プラズマ性、耐腐食性等に優れたものにすることがで
きる。

【００３９】なお、本実施形態において、「アルミナ基
焼結体」、「窒化アルミニウム基焼結体」とは、アルミ
ナ焼結体又は窒化アルミニウム焼結体、もしくは、焼結
性や耐プラズマ性を向上させるために、アルミナ焼結体
又は窒化アルミニウム焼結体に、イットリア（Ｙ２Ｏ
３）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）、炭
化珪素（ＳｉＣ）、チタニア（ＴｉＯ２）等から選択さ
れた１種または２種以上の添加物を合計で０〜１０重量
％程度含有したものを言う。

【００４０】本実施形態において、第１の絶縁部１６、
第２の絶縁部１８、第３の絶縁部１７を各々複数の絶縁
部材から構成しても良く、例えば、第３の絶縁部１７に
おいて、図示上側半分を熱伝導率が１０Ｗ／ｍＫ程度の
アルミナ基焼結体から構成し、図示下側半分（シール材
１５に接する部分）を熱伝導率が１．８Ｗ／ｍＫ程度の
石英板等から構成してもよい。

【００４１】また、図３に示すように、本実施形態にお
いて、第３の絶縁部１７の図示縦方向（支持部材１４の
延在方向）の長さＬ３が、第１の絶縁部１６の図示縦方
向（支持部材１４の延在方向）の長さＬ１及び第２の絶
縁部１８の図示縦方向（支持部材１４の延在方向）の長
さＬ２よりも長く設定されていることが好ましい。

【００４２】［加熱装置の製造方法］次に、上記構造を
有する加熱装置１０の製造方法の一例について説明す
る。

【００４３】はじめに、スパイラル状の抵抗発熱体１２
を装填するための凹部１３と、電極２７及び熱電対２８
を挿通させるための貫通孔２３、２４を有するセラミッ
クス焼結体製の円盤状の基体１１Ａと、被加熱基板を載
置して加熱するためのセラミックス焼結体製の円盤状の
被覆板１１Ｂとを公知の方法により作製する。

【００４４】被覆板１１Ｂを作製するに際して、被加熱
基板を載置して加熱する加熱面１１Ｓを平滑性の高いも
のにすることが望ましい。特に、被加熱基板がヒータ部
１１の加熱面１１Ｓ上に直接載置される場合には、加熱
面１１Ｓの表面粗さを500 μｍ以下とすることが望まし
く、このように平滑性の高い加熱面１１Ｓを形成するこ
とにより、加熱面１１Ｓ上に被加熱基板を直接載置する
場合においても、被加熱基板の裏面（被加熱基板の加熱
面１１Ｓ側の面）側にデポジション用ガスが侵入して、
被加熱基板の裏面が損傷されることを防止することがで
きる。

【００４５】次に、基体１１Ａの凹部１３に装填するス
パイラル状の炭化珪素焼結体等からなる抵抗発熱体１２
を、例えば特開平４−６５３６１号公報に記載の方法に
より作製し、作製した抵抗発熱体１２を基体１１Ａの凹
部１３内に装填する。

【００４６】次いで、凹部１３内に抵抗発熱体１２を装
填した基体１１Ａと、被覆板１１Ｂとをガラス接合法等
の公知の接合法を用いて、接合層を介して気密に接合す
る。次に、基体１１Ａ内に設けた貫通孔２３、２４に電
極２７及び熱電対２８を挿通させることにより、ヒータ
部１１が作製される。

【００４７】一方、押出成形、射出成形、プレス成形等
により、円筒状のセラミックス成形体を成形し、該セラ
ミックス成形体を常圧又は加圧焼結することにより、第
１の絶縁部１６、第２の絶縁部１８、第３の絶縁部１７
を各々形成する。

【００４８】次いで、第１の絶縁部１６と第３の絶縁部
１７、第３の絶縁部１７と第２の絶縁部１８とをガラス
接合法等の公知の接合法を用いて、接合層を介して気密
に接合することにより、支持部材１４を作製する。な
お、第１の絶縁部１６と第３の絶縁部１７の接合と、第
３の絶縁部１７と第２の絶縁部１８の接合は、いずれを
先に行っても構わない。

【００４９】最後に、上記のようにして作製されたヒー
タ部１１と支持部材１４とを、ガラス接合法等の公知の
接合法を用いて、接合層を介して気密に接合し、加熱装
置１０が製造される。

【００５０】本実施形態によれば、支持部材１４を熱伝
導率の異なる複数の絶縁部（第１の絶縁部１６、第３の
絶縁部１７、第２の絶縁部１８）を具備する特殊な構造
で構成し、支持部材１４のヒータ部１１近傍部分とシー
ル材１５近傍部分との間の部分を、ヒータ部１１近傍部
分の第１の絶縁部１６とシール材１５近傍部分の第２の
絶縁部１８よりも高い熱伝導率を有する第３の絶縁部１
７で構成することにより、支持部材１４の長さを長くす
ることなく、支持部材１４のヒータ部１１側とシール材
１５側との間の温度勾配を緩和することができ、支持部
材１４にクラックが入ることを防止することができ、耐
久性の優れた加熱装置を提供することができる。

【００５１】また、支持部材１４を熱伝導率の異なる複
数の絶縁部（第１の絶縁部１６、第３の絶縁部１７、第
２の絶縁部１８）からなる特殊な構造で構成し、支持部
材１４のヒータ部１１近傍部分とシール材１５近傍部分
とを、ヒータ部１１を構成する絶縁部よりも低い熱伝導
率を有する第１の絶縁部１６、第２の絶縁部１８で構成
することにより、ヒータ部１１から第１の絶縁部１６へ
の熱伝導を抑制し、ヒータ部１１近傍部分とシール材１
５近傍部分との間に位置する第３の絶縁部１７からシー
ル材１５側（第２の絶縁部１８）への熱伝導を抑制する
ことができるので、本実施形態の加熱装置１０は、加熱
効率に優れるとともに、支持部材１４と反応容器２０と
の間の隙間を、シール材１５を介して完全に封止するこ
とができるものとなる。

【００５２】さらに、本実施形態においては、電極２７
が支持部材１４の内部に埋設され、反応容器２０の内部
に露出されていないので、電極２７の腐食、電極２７か
らの被加熱基板への汚染、真空中における電極２７間又
は電極２７と反応容器２０との間の放電や漏電の恐れが
ない。したがって、電極２７を保護するための部材を設
ける必要がない。また、熱電対２８についても電極２７
と同様に、支持部材１４の内部に埋設され、反応容器２
０の内部に露出されていないので、熱電対２８を保護す
るための部材を設ける必要がない。

【００５３】なお、本実施形態においては、スパイラル
状の発熱体を内蔵する円盤状のヒータ部１１と円筒状の
支持部材１４とを具備する加熱装置についてのみ説明し
たが、本発明はこのような加熱装置に限定されるもので
はなく、被加熱基板を加熱する加熱面を有する絶縁部と
該絶縁部に内蔵された発熱体とを有するヒータ部と、ヒ
ータ部の加熱面以外の面上に取り付けられ、ヒータ部を
支持する支持部材とを具備するものであれば、いかなる
加熱装置にも適用することができる。

【００５４】また、本実施形態においては、支持部材の
端部を反応容器に取り付けた場合についてのみ説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、支持部材
を反応容器に取り付ける位置は、ヒータ部から離れた位
置であれば、いかなる位置であってもよい。

【００５５】また、本実施形態においては、支持部材が
第１の絶縁部、第２の絶縁部、第３の絶縁部のみから構
成されている場合についてのみ説明したが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、支持部材は、ヒータ部側
の端部を含む第１の絶縁部と、シール材に接する部分を
含む第２の絶縁部と、第１の絶縁部と第２の絶縁部との
間に位置する第３の絶縁部とを具備するものであれば良
く、例えば、支持部材を反応容器の外側にまで延出形成
させて、第３の絶縁部の下方（反応容器の外側）に第３
の絶縁部とは異なる部材を取り付ける構造としてもよ
い。

【００５６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
支持部材を熱伝導率の異なる複数の絶縁部からなる特殊
な構造で構成したことにより、支持部材の長さを長くす
ることなく、加熱効率に優れ、支持部材と反応容器との
間の隙間を、シール材を介して完全に封止することがで
きるとともに、耐久性に優れた加熱装置を提供すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明に係る実施形態の加熱装置の
構造を示す概略斜視図である。

【図２】 図２は、本発明に係る実施形態の加熱装置を
反応容器の内部に装着した状態を示す概略断面図であ
る。

【図３】 図３は、図２に示す加熱装置を拡大して示す
概略断面図である。

【図４】 図４は、従来の加熱装置の一例を反応容器の
内部に装着した状態を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１０ 加熱装置 ２０ 反応容器 １１ ヒータ部 １１Ａ 基体（絶縁部） １１Ｂ 載置板（絶縁部） １１Ｓ 加熱面 １２ 抵抗発熱体（発熱体） １３ 凹部 １４ 支持部材 １５ シール材 １６ 第１の絶縁部 １８ 第２の絶縁部 １７ 第３の絶縁部 ２７ 電極 ２８ 熱電対 Ｌ１ 第１の絶縁部の支持部材の延在方向の長さ Ｌ２ 第２の絶縁部の支持部材の延在方向の長さ Ｌ３ 第３の絶縁部の支持部材の延在方向の長さ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 3/68 Ｈ０５Ｂ 3/68 (72)発明者 石塚 雅之 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新規技術研究所内 (72)発明者 北川 高郎 千葉県船橋市豊富町585番地 住友大阪セ メント株式会社新規技術研究所内 (72)発明者 永田 毅 千葉県市川市二俣新町22番地の１ 住友大 阪セメント株式会社新材料事業部内 Ｆターム(参考） 3K034 AA05 AA12 AA21 BB06 BB14 BC15 BC16 CA15 DA04 GA03 GA08 HA01 HA10 JA02 JA10 3K092 PP09 PP20 QA05 QB09 QB26 QB44 QC18 QC38 QC42 RF03 RF11 RF17 RF25 RF26 TT28 UA05 UA17 VV31 VV34 VV40 4K030 FA01 KA24 5F045 AA08 EB10 EC05 EK09 EM09

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被加熱基板を載置して加熱するための加
   熱面を有する絶縁部と該絶縁部に内蔵された発熱体とを
   有するヒータ部と、該ヒータ部を支持する支持部材とを
   具備し、 前記支持部材を、シール材を介して反応容器に取り付け
   ることにより、前記反応容器の内部に装着された加熱装
   置であって、 前記支持部材が、 前記ヒータ部側の端部を含む第１の絶縁部と、 前記シール材に接する部分を含む第２の絶縁部と、 前記第１の絶縁部と前記第２の絶縁部との間に位置する
   第３の絶縁部とを具備するものであるとともに、 前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部の熱伝導率が、
   前記ヒータ部を構成する前記絶縁部の熱伝導率よりも低
   くされ、 前記第３の絶縁部の熱伝導率が、前記第１の絶縁部及び
   前記第２の絶縁部の熱伝導率よりも高くされたことを特
   徴とする加熱装置。
2. 【請求項２】 前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部
   がアルミナ基焼結体からなり、前記第３の絶縁部が窒化
   アルミニウム基焼結体からなることを特徴とする請求項
   １に記載の加熱装置。
3. 【請求項３】 前記第３の絶縁部の前記支持部材の延在
   方向の長さが、前記第１の絶縁部及び前記第２の絶縁部
   の前記支持部材の延在方向の長さよりも長くされたこと
   を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の加熱装置。