JP2005032898A - セラミックサセプターの支持構造 - Google Patents
セラミックサセプターの支持構造 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005032898A JP2005032898A JP2003194791A JP2003194791A JP2005032898A JP 2005032898 A JP2005032898 A JP 2005032898A JP 2003194791 A JP2003194791 A JP 2003194791A JP 2003194791 A JP2003194791 A JP 2003194791A JP 2005032898 A JP2005032898 A JP 2005032898A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- cooling device
- base
- support structure
- susceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0037—Supports specially adapted for semi-conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/141—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds
- H05B3/143—Conductive ceramics, e.g. metal oxides, metal carbides, barium titanate, ferrites, zirconia, vitrous compounds applied to semiconductors, e.g. wafers heating
Abstract
【解決手段】支持部6は、セラミックサセプターの背面に接合されており、チャンバー内雰囲気と隔離された内側空間6fが設けられている。支持部6とチャンバーとの間に冷却装置が設けられている。冷却装置と支持部6との間に、セラミックサセプターから冷却装置への熱伝導量を低減するための熱伝導制御部12A、12Bが設けられている。
【選択図】 図2
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックサセプターの支持構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造用途等においては、例えば窒化アルミニウム製のセラミックヒーターをチャンバーの内側壁面へと取り付ける必要がある。このため、セラミック板製の筒状の支持部の一端をセラミックヒーターの接合面へと取り付け、この支持部の他端をチャンバーの内側壁面へと取り付けることが行われている。支持部は、アルミナ、窒化アルミニウム等の耐熱性のセラミック板によって形成されている。支持部とチャンバーとの間はOリングによって気密に封止する。これによって、支持部の内側空間とチャンバーの内部空間とを気密に封止し、チャンバーの内部空間のガスがチャンバーの外部へと漏れないようにする。
【0003】しかし、筒状の支持部をセラミックヒーターの背面に接合し、セラミックヒーターを昇温させると、セラミックヒーターと支持部との接合面に微細なクラックが発生したり、これによる気体のリークが生ずる可能性がある。この問題を解決するために、本出願人は、特許文献1において、蛇腹状の支持部をセラミックヒーターに対して接合することを開示した。
【特許文献1】
特開2001−250858号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、セラミックヒーター内部の抵抗発熱体に対して電力を供給し、目標温度まで昇温したときに、目標の均熱性が得られたものとする。しかし、このセラミックヒーターを実際のチャンバーに取り付ける際には、セラミックヒーターを支持部上に固定し、支持部をチャンバーに取り付ける必要がある。この際には、セラミックヒーターの温度は例えば400℃以上の高温となるので、チャンバーが高温となるのを防止するために、セラミックヒーターの支持部とチャンバーとの間に冷却装置を設ける必要がある。ここで、当初の目的温度において、ヒーターの加熱面の温度をほぼ均一化することに成功したものとする。しかし、このヒーターを実際のチャンバーに取り付けた後には、加熱面の中央部分の温度が低下し、コールドスポットが生成してしまうことがあった。これは、セラミックヒーターと支持部との接触面の面積、接触面の形状、支持部の熱容量、チャンバーの形状および熱容量、冷却装置の形状および冷却能力、チャンバー内面の熱反射および熱吸収、チャンバー内外の気体の気圧と流れといった多数の複雑な要因が変動するからである。
【0005】加熱面中央部のコールドスポットを防止するためには、中央部の発熱量を増大させるように発熱体設計を変更することが考えられる。しかし、チャンバー取り付け後に、こうしたセラミックヒーターそれ自体の設計変更を行うことは現実的ではない。
【0006】また、セラミックヒーターをチャンバーに取り付けた後に、抵抗発熱体に対する電力を微調整することによって、加熱面の温度分布が小さくなるように調節することが考えられる。しかし、このような調節は実際には困難であった。なぜなら、抵抗発熱体に対する電力供給量を増加、減少させると、その抵抗発熱体の全体の発熱量が変化するだけであって、必ずしもセラミックヒーター設置後の加熱面の温度分布が小さくなるわけではなく、かえって大きくなることもあるからである。
【0007】本発明の課題は、セラミックサセプターの背面に支持部を接合し、支持部を冷却装置を介してチャンバーに取り付ける場合に、セラミックサセプターの加熱面に生ずるコールドスポットを抑制し、加熱面の温度分布を低減するための実際的かつ低コストの方法を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、チャンバー内にセラミックサセプターを支持するための支持構造であって、セラミックサセプターの背面に設けられており、チャンバー内雰囲気と隔離された内側空間が設けられた支持部、支持部とチャンバーとの間に設けられた冷却装置、および冷却装置と支持部との間に設けられており、セラミックサセプターから冷却装置への熱伝導量を低減するための熱伝導制御部を備えていることを特徴とする。
【0009】本発明者は、例えば略円筒状の支持部を通して冷却装置へとサセプターの熱を逃がすような支持構造において、サセプターから冷却装置への熱伝導量を低減するための熱伝導制御部を冷却装置の手前に設けることを想到した。これによって、サセプターの加熱面の一部領域に、チャンバーへの取り付け後に生ずるコールドスポットを低減することが可能になった。この手法では、サセプターの設計変更などの煩雑な問題も生じない。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ、本発明を更に詳細に説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る支持構造を概略的に示す断面図であり、図2はその要部を示す断面図である。
【0011】図1に示すように、セラミックサセプター(本例ではセラミックヒーター)3は、基体4と発熱体5とを備えている。4aは加熱面であり、4bは背面である。セラミックサセプター3はチャンバー1の内部空間2内に収容、固定されている。セラミックサセプター3の背面4bには支持部6が取り付けられている。支持部6は、略筒状の本体6aと、本体6aの端部にあるフランジ部6bとを備えている。支持部6の内側空間6fはチャンバー内雰囲気2から隔離されている。なお、本例では支持部6がサセプター背面に接合されているが、支持部とサセプターとが一体であってもよい。
【0012】チャンバー1には、セラミックサセプター3の取り付け部10が固定されている。取り付け部10には開口10aが設けられている。取り付け部10には基台7が取り付けられており、基台7内には冷却装置8が収容されている。セラミックサセプター3が高温になったときに、冷却装置8が収容された基台7内の温度は全体に低くなり、取り付け部10が高温になるのを防止する。発熱体5には電力供給部材11が接続されており、電力供給部材11は、支持部6の内側空間6f、基台7の内側空間7aおよび開口10aを通って外部へと伸びている。
【0013】支持部6と基台7との接続部分を図2に拡大して示す。支持部6の端部にはフランジ部6bが設けられており、フランジ部6bの末端面6eと基台7の端面7bとの間はシール部材9によってシールされている。シール部材9は例えばOリングやガスケットである。本例では、フランジ部6bの外周面6dと基台7との間には隙間があり,基台7の押さえ突起7cとフランジ部6bのフランジ面6cとが接触している。
【0014】ここで、フランジ部6bの末端面6eと基台7の端面7bとの間には、例えば一対の断熱性シート12A、12Bが挟まれている。本例では、断熱性シート12A、12Bはそれぞれリング状をなしており、断熱性シート12Aと12Bとは平面的に見て同心円状に配置されている。外側シート12Aと内側シート12Bとの間にシール部材9が挟まれている。
【0015】また、図3の例においては、基台7の端面7b上に外側リング状突起7dおよび内側リング状突起7eが設けられており、リング状突起7dと7eとの間にリング状のシール部材9が挟まれている。内側リング状突起7eの内側には更に空隙部15Bが設けられている。外側リング状突起7dの外側には空隙部15Aが設けられている。このように空隙部15A、15Bを設け、基台7と支持部6との端面同士の接触面積を小さくすることによって、支持部から基台7の内の冷却装置への熱の移動を抑制する。
【0016】また、好適な実施形態においては、チャンバーに取り付けられた基台と支持部との間に中間保持材を設け、冷却装置を基台内に設けることができる。そして基台と中間保持材との間に熱伝導制御部を設ける。
【0017】図4は、この実施形態に係るものである。本例では、チャンバーの取り付け部10の内壁面に、略リング状の基台18が取り付けられている。基台18の端面18a上に中間保持材17が取り付けられており、中間保持材17上に支持部6が固定されている。基台18内には冷却装置8が設けられている。基台18の端面18aと中間保持材17の端面17dとの間は、リング状のシール部材9によって気密にシールされている。中間保持材17の端面17dと基台18の端面18aとの間には一対のリング状断熱シート12C、12Dが挟まれており、断熱シート12Cと12Dとは略同心円状に配置されており、これらの間にシール部材9が挟まれている。端面17bと6eとが接触しており、また押さえ部材17cがフランジ面6cに接触している。17aは中間保持材17の内側空間である。なお、中間保持材17と支持部6との間に熱伝導制御部を設けることも可能である。
【0018】セラミックサセプターの材質は用途に応じて選択できるので、特に限定されない。ただし、ハロゲン系腐食性ガスに対して耐蝕性を有するセラミックスが好ましく、特に窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナが好ましく、95%以上の相対密度を有する窒化アルミニウム質セラミックス、アルミナが一層好ましい。サセプター中には、抵抗発熱体、静電チャック用電極、プラズマ発生用電極などの機能性部品を埋設することができる。
【0019】セラミックサセプターは加熱源によって加熱されるものである。加熱源は限定されず、外部の熱源(例えば赤外線ランプ)によって加熱されるサセプターと、内部の熱源(例えばサセプター内に埋設されたヒーター)によって加熱されるサセプターとの双方を含む。
【0020】支持部6の材質は特に限定しないが、ハロゲン系腐食性ガスに対して耐蝕性を有するセラミックスが好ましく、特に窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナが好ましい。
【0021】サセプターと支持部との接合方法は限定されず、固相接合、固液接合、ろう付け、ねじ止めなどの機械的締結であってよい。固液接合法は、特開平10−273370号公報に記載された方法である。
【0022】冷却装置8において使用できる冷媒は、水、シリコンオイル等の液体であってよく、また空気、不活性ガス等の気体であってもよい。
【0023】サセプターから冷却装置への熱伝導量を低減するための熱伝導制御部の種類は限定されない。好適な実施形態においては、熱伝導制御部が断熱性部材からなる。断熱性部材の形態は限定されず、シート、フィルム、ブロックであってよい。断熱シートは、次のものを含む。
(1)断熱材からなるシート状物
(2)内部に気泡、空洞を有しているか、表面に凹凸を有するシート
【0024】断熱シートを構成する材質は以下が好ましい。
樹脂(例えばシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂)
また、断熱性部材の横断面形状は、図2、図4の例では長方形であるが、真円形や楕円形などの湾曲形状であってもよい。
【0025】基台や中間保持材の材質も特に限定されないが、ハロゲン系腐食性ガスに対して耐蝕性を有するセラミックスが好ましく、特に窒化アルミニウムまたは緻密質アルミナが好ましい。
【0026】
【実施例】(実施例1)
図1、図2に示す支持構造を作製した。サセプター3の基体4としては、半径150mm、厚さ10mmの窒化アルミニウム焼結体製の円盤を使用した。支持部6は略円筒状のセラミック板によって成形した。支持部6の長さは70mmとする。支持部6とサセプター3とを固相接合した。接合条件は以下のとおりである。
炉内雰囲気の圧力 0.5kg/cm2
最高温度 2000℃
最高温度での保持時間 60分間
接合時の圧力 0.5〜1.0kg/cm2
接合材 イットリウムと酢酸を主成分とする溶液
【0027】次いで、支持部6を基台7上にセットし、Oリング9で両者を気密封止した。ここで、ポリイミドテープ(「カプトンテープ」3M製:厚さ50〜100μm)を切断してリング状の断熱性シート12A、12Bを形成した。次いで、チャンバー内を10Torrの窒素雰囲気にした。冷却装置8内に30℃の冷却水を流した。抵抗発熱体5に通電し、加熱面4aを昇温した。昇温速度は100℃/分とした。350℃、400℃、450℃、500℃、550℃において、加熱面内の温度分布を放射温度計によって測定した。加熱面の中心の温度Tcと、中心から径138mmの円周上の平均温度To(ave)との差を求め、図5に示す。
【0028】(比較例1)
実施例1と同様にしてセラミックサセプターの支持構造を製造した。ただし、断熱シート12A、12Bは設けなかった。このセラミックサセプターについて、実施例1と同様にして加熱面の温度分布を測定し、図5に示す。
【0029】この結果からわかるように、本発明によれば、加熱面の温度を変化させたときに、全体として加熱面の温度差を小さく保持することができる。
【0030】(実施例2)
実施例1と同様にしてセラミックサセプターの支持構造を製造した。ただし、断熱シート12A、12Bは設けず、その代わりに図3に示す支持構造を採用した。この結果、実施例1とほぼ同様の結果を得た。
【0031】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、セラミックサセプターの背面に支持部を接合し、支持部を冷却装置を介してチャンバーに取り付ける場合に、セラミックサセプターの加熱面に生ずるコールドスポットを抑制し、加熱面の温度分布を低減するための実際的かつ低コストの方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係る支持構造を概略的に示す断面図である。
【図2】図1の支持構造の要部を示す断面図であり、断熱性シート12A、12Bを採用している。
【図3】本発明の他の実施形態に係る支持構造の要部を示す断面図であり、空隙部15A、15Bを採用している。
【図4】本発明の他の実施形態に係る支持構造の要部を示す断面図であり、中間保持材17と基台18との間に断熱性シート12C、12Dを用いている。
【図5】本発明の実施例1および比較例1における加熱面の温度差を示すグラフである。
【符号の説明】1 チャンバー 2 チャンバーの内側空間 3 セラミックサセプター 4 セラミックサセプターの基体 4a 加熱面 4b 背面 5 抵抗発熱体 6 支持部 6b フランジ部 6e 支持部6の端面 7、18 基台 7a 基台7の内側空間 7b 基台7の端面 7d、7e 基台7の突起 8 冷却装置 9 シール部材 10 チャンバーの取り付け部 11 電力供給部材 12A、12B、12C、12D 断熱性シート 15A、15B 空隙部 17 中間保持材 17b 中間保持材17の端面 17c 中間保持材17の押さえ部材 17d 中間保持材17の基台18側の端面 18a基台18の端面
Claims (7)
- チャンバー内にセラミックサセプターを支持するための支持構造であって、
前記セラミックサセプターの背面に設けられており、前記チャンバー内雰囲気と隔離された内側空間が設けられた支持部、前記支持部と前記チャンバーとの間に設けられた冷却装置、およびこの冷却装置と前記支持部との間に設けられており、前記セラミックサセプターから前記冷却装置への熱伝導量を低減するための熱伝導制御部を備えていることを特徴とする、セラミックサセプターの支持構造。 - 前記チャンバーに取り付けられた基台を備えており、前記冷却装置が前記基台内に設けられており、前記基台と前記支持部との間に前記熱伝導制御部が設けられていることを特徴とする、請求項1記載の支持構造。
- 前記チャンバーに取り付けられた基台、および前記支持部に取り付けられた中間保持材を備えており、前記冷却装置が前記基台内に設けられており、前記基台と前記中間保持材との間に前記熱伝導制御部が設けられていることを特徴とする、請求項1記載の支持構造。
- 前記熱伝導制御部が断熱性部材からなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の支持構造。
- 前記断熱性部材が断熱性シートからなることを特徴とする、請求項4記載の支持構造。
- 前記熱伝導制御部が空隙部からなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の支持構造。
- 前記セラミックサセプターがヒーターであることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一つの請求項に記載の支持構造。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003194791A JP4518370B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | セラミックサセプターの支持構造 |
US10/884,294 US7022947B2 (en) | 2003-07-10 | 2004-07-02 | Systems for supporting ceramic susceptors |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003194791A JP4518370B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | セラミックサセプターの支持構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005032898A true JP2005032898A (ja) | 2005-02-03 |
JP4518370B2 JP4518370B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=33562526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003194791A Expired - Fee Related JP4518370B2 (ja) | 2003-07-10 | 2003-07-10 | セラミックサセプターの支持構造 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7022947B2 (ja) |
JP (1) | JP4518370B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085329A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムに用いられる耐浸食性絶縁層を有する温度制御された基板ホルダ |
JP2009176569A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒータ及びその製造方法 |
JP4866836B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2012-02-01 | 京セラ株式会社 | 接合体とウェハ保持部材及びその取付構造並びにウェハの処理方法 |
JP2013514669A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 広範囲ウエハ温度制御のための多機能ヒータ/冷却装置ペデスタル |
JP2016103560A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
KR20170052341A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-12 | (주)포인트엔지니어링 | 서셉터 및 이를 포함하는 진공챔버 |
JP2019165232A (ja) * | 2014-01-07 | 2019-09-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 広範囲の動作温度を有するpecvdセラミックヒータ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203734A (ja) * | 2003-12-15 | 2005-07-28 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 金属部材埋設セラミックス品とその製造方法 |
JP4433478B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2010-03-17 | 住友電気工業株式会社 | 加熱装置およびそれを搭載したウェハプローバ |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594865A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Ngk Insulators Ltd | セラミツクスヒーター |
JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
JP2002190372A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
JP2002299432A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | セラミックサセプターの支持構造 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05326112A (ja) | 1992-05-21 | 1993-12-10 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複層セラミックスヒーター |
JP3604888B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2004-12-22 | 日本碍子株式会社 | 窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体、窒化アルミニウム質セラミックス基材の接合体の製造方法及び接合剤 |
US6845184B1 (en) * | 1998-10-09 | 2005-01-18 | Fujitsu Limited | Multi-layer opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
US6705394B1 (en) * | 1999-10-29 | 2004-03-16 | Cvc Products, Inc. | Rapid cycle chuck for low-pressure processing |
JP4101425B2 (ja) | 2000-03-03 | 2008-06-18 | 日本碍子株式会社 | セラミックスサセプターのチャンバーへの取付構造および支持構造 |
US6969188B2 (en) * | 2003-11-18 | 2005-11-29 | Heng Sheng Kuo | Light source substrate |
US6979094B1 (en) * | 2004-04-15 | 2005-12-27 | Yazaki North America, Inc. | Multi-color backlighting of instrument cluster displays |
-
2003
- 2003-07-10 JP JP2003194791A patent/JP4518370B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-07-02 US US10/884,294 patent/US7022947B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594865A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Ngk Insulators Ltd | セラミツクスヒーター |
JPH09213781A (ja) * | 1996-02-01 | 1997-08-15 | Tokyo Electron Ltd | 載置台構造及びそれを用いた処理装置 |
JP2002190372A (ja) * | 2000-12-20 | 2002-07-05 | Ibiden Co Ltd | ホットプレートユニット |
JP2002299432A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | セラミックサセプターの支持構造 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4866836B2 (ja) * | 2005-02-23 | 2012-02-01 | 京セラ株式会社 | 接合体とウェハ保持部材及びその取付構造並びにウェハの処理方法 |
JP2008085329A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システムに用いられる耐浸食性絶縁層を有する温度制御された基板ホルダ |
JP2009176569A (ja) * | 2008-01-24 | 2009-08-06 | Ngk Insulators Ltd | セラミックスヒータ及びその製造方法 |
KR101838943B1 (ko) * | 2009-12-18 | 2018-03-15 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광범위 웨이퍼 온도 제어를 위한 다기능 히터/냉각기 받침대 |
JP2013514669A (ja) * | 2009-12-18 | 2013-04-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 広範囲ウエハ温度制御のための多機能ヒータ/冷却装置ペデスタル |
KR20180029264A (ko) * | 2009-12-18 | 2018-03-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광범위 웨이퍼 온도 제어를 위한 다기능 히터/냉각기 받침대 |
KR101881332B1 (ko) | 2009-12-18 | 2018-07-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광범위 웨이퍼 온도 제어를 위한 다기능 히터/냉각기 받침대 |
KR20180085819A (ko) * | 2009-12-18 | 2018-07-27 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광범위 웨이퍼 온도 제어를 위한 다기능 히터/냉각기 받침대 |
KR101965725B1 (ko) | 2009-12-18 | 2019-04-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 광범위 웨이퍼 온도 제어를 위한 다기능 히터/냉각기 받침대 |
JP2019165232A (ja) * | 2014-01-07 | 2019-09-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 広範囲の動作温度を有するpecvdセラミックヒータ |
JP7105725B2 (ja) | 2014-01-07 | 2022-07-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 広範囲の動作温度を有するpecvdセラミックヒータ |
JP2016103560A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 京セラ株式会社 | 試料保持具 |
KR20170052341A (ko) * | 2015-11-04 | 2017-05-12 | (주)포인트엔지니어링 | 서셉터 및 이를 포함하는 진공챔버 |
KR102409329B1 (ko) * | 2015-11-04 | 2022-06-16 | (주)포인트엔지니어링 | 서셉터 및 이를 포함하는 진공챔버 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050006374A1 (en) | 2005-01-13 |
JP4518370B2 (ja) | 2010-08-04 |
US7022947B2 (en) | 2006-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0447155B1 (en) | Wafer heaters for use in semi-conductor-producing apparatus, heating units using such wafer heaters, and production of heaters | |
US6878211B2 (en) | Supporting structure for a ceramic susceptor | |
US20060186109A1 (en) | Heating systems | |
WO2004028208A1 (ja) | ウエハー保持体及び半導体製造装置 | |
JP4518370B2 (ja) | セラミックサセプターの支持構造 | |
JP3520074B2 (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプターの支持部材 | |
JP5460184B2 (ja) | 支持装置 | |
JP2001237051A (ja) | 筒状体を有するセラミックヒーター及びこれを用いた加熱装置 | |
JP3156031U (ja) | セラミックスヒーター | |
JP2000021957A (ja) | 試料加熱装置 | |
JP4282221B2 (ja) | サセプターのチャンバーへの取付構造およびサセプターのチャンバーへの支持部材 | |
JPH0628258B2 (ja) | 半導体ウエハー加熱装置及びその製造方法 | |
JP2531874B2 (ja) | セラミックスヒ―タ― | |
JP3554555B2 (ja) | サセプターの支持構造 | |
JPH04181724A (ja) | 加熱装置 | |
JP3131010B2 (ja) | 半導体ウエハー加熱装置 | |
JP2005166368A (ja) | 加熱装置 | |
JP2002033287A (ja) | 加熱装置 | |
JP4026751B2 (ja) | 半導体製造装置およびその製造方法 | |
JP4047297B2 (ja) | サセプターの支持構造 | |
JP3534738B2 (ja) | セラミックサセプターの取付構造、セラミックサセプターの支持構造およびセラミックサセプター用支持部材 | |
JP4101425B2 (ja) | セラミックスサセプターのチャンバーへの取付構造および支持構造 | |
JPH09262734A (ja) | ウェハ保持装置 | |
WO2023189954A1 (ja) | 試料保持具 | |
JPH04299832A (ja) | 半導体ウエハー加熱装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091225 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100421 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100513 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100513 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4518370 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140528 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |