JP2015512565A - キー付きウエハキャリア - Google Patents
キー付きウエハキャリア Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015512565A JP2015512565A JP2015501689A JP2015501689A JP2015512565A JP 2015512565 A JP2015512565 A JP 2015512565A JP 2015501689 A JP2015501689 A JP 2015501689A JP 2015501689 A JP2015501689 A JP 2015501689A JP 2015512565 A JP2015512565 A JP 2015512565A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- key
- spindle
- wafer carrier
- shaft
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
本願は、2012年3月20日に出願された米国特許出願第13/424,821号の継続出願であり、この開示内容は、引用することによって、本明細書の一部をなすものとする。
本発明は、ウエハ処理装置、このような処理装置に用いられるウエハキャリア、およびウエハを処理する方法に関する。
Claims (52)
- 化学蒸着反応器のための構造体であって、前記構造体は、ウエハキャリアを備えており、前記ウエハキャリアは、
互いに反対側を向く上面および底面と前記上面および底面と実質的に直交する垂直回転軸とを画定する本体と、
ウエハを該ウエハの表面が前記本体の前記上面に露出するように保持することができるように構成された少なくとも1つのウエハ保持特徴部と、
前記本体の前記底面から前記本体内に延在する凹部であって、周縁を画定している凹部と、
第1の横断軸に沿って前記回転軸から離れる方に前記凹部の前記周縁から外方に突出するキー溝と、
を有している、
構造体。 - 前記ウエハキャリアの前記少なくとも1つのウエハ保持特徴部は、前記本体の前記上面に画定された複数のポケットを備えており、各ポケットは、ウエハを保持することができるように構成されており、前記ポケットの各々は、中心を有している、請求項1に記載の構造体。
- 前記ポケットの少なくともいくつかは、前記回転軸に隣接して配置されており、前記回転軸の周りに分配された円パターンに、前記パターンにおいて互いに隣接するポケットの中心間に間隔を置いて配列されており、前記キー溝は、前記間隔の1つと真っ直ぐに並んでいる、請求項2に記載の構造体。
- 前記円パターンに配列された前記ポケットの少なくともいくつかは、前記垂直回転軸の周りに対称的に分配されている、請求項3に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアの前記本体は、前記本体の前記上面、前記底面、または前記上面と前記底面との間に延在する周面の少なくとも1つに画定された基準指標を有しており、 前記基準指標は、撮像装置にとって可視になっており、前記指標は、前記回転軸を中心とする周方向において前記キー溝に対する所定位置に配置されている、請求項1に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアの前記底面と平行の面であって、前記第1の横断軸を含んでいる面が、前記基準指標を貫通している、請求項5に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアは、実質的にディスク状である、請求項1に記載の構造体。
- 前記キー溝は、第1のキー溝であり、前記ウエハキャリアは、1つまたは複数の第2のキー溝をさらに備えており、前記第2のキー溝の各々は、それぞれの横断軸に沿って前記回転軸から離れる方に前記凹部の周縁から外方に突出している、請求項1に記載の構造体。
- 化学蒸着反応器のための構造体であって、
内部を有する反応チャンバと、
前記反応チャンバ内に取り付けられたスピンドルであって、
垂直回転軸に沿って延在するシャフトであって、前記シャフトは、上端と、前記上端から下方に延在するテーパ部と、前記テーパ部の下方の主部と、を有しており、前記テーパ部は、前記回転軸の周りに拡がるテーパ接触面を画定しており、前記テーパ接触面は、前記上端から離れる下向き方向に徐々に大きくなる直径を有している、シャフトと、
前記垂直回転軸を横切る第1の横断軸に沿って前記シャフトの前記主部から外方に突出するキーと、
を有している、スピンドルと、
を備えている、構造体。 - 前記スピンドルは、前記第1の横断軸に沿って前記シャフトを貫通する開口を有しており、前記キーは、前記開口内に係合されるシャンクを備えている、請求項9に記載の構造体。
- 前記スピンドルは、前記垂直回転軸に沿って前記シャフトの前記上端から延在する凹部をさらに画定しており、前記スピンドルは、前記凹部内に取外し可能に係合されるフォークをさらに備えており、前記フォークは、一対の分岐部を有しており、前記キーの前記シャンクは、前記フォークの前記分岐部間に係合されるようになっている、請求項10に記載の構造体。
- 前記キーの前記シャンクは、前記フォークの前記2つの分岐部間に位置する中心部および前記中心部に隣接する端部を有しており、前記中心部は、前記フォークの前記分岐部間の分離距離よりも小さい幅を有しており、各端部は、前記分離距離よりも大きい幅を有しており、これによって、前記キーは、前記2つの分岐部間に連結され、前記第1の横断軸に沿った前記シャフトに対する運動に対して、前記フォークによって拘束されるようになっている、請求項11に記載の構造体。
- 前記キーの前記中心部は、互いに反対側を向く実質的に平面状の側面を備えており、 各側面は、前記分岐部の1つの表面に隣接して配置されており、これによって、前記キーは、前記第1の横断軸を中心とする回転に対して、前記フォークによって回転方向において固定されるようになっている、請求項12に記載の構造体。
- 前記キーおよび前記フォークは、各々、第1の材料から本質的になっており、前記シャフトは、前記第1の材料と異なる第2の材料から本質的になっている、請求項11に記載の構造体。
- 前記フォークは、ネジ付き開口を備えており、前記ネジ付き開口は、前記シャフトの前記上端に露出している、請求項11に記載の構造体。
- 前記キーは、前記シャフトの外側に配置される先端部を有しており、前記先端部は、前記開口の直径よりも大きい前記垂直回転軸と平行の長手方向における高さを有している、請求項10に記載の構造体。
- 前記キーの前記先端部は、前記シャフトの前記上端の方を向く丸みのある上面を有している、請求項16に記載の構造体。
- 前記キーは、第1のキーであり、前記スピンドルは、1つまたは複数の第2のキーをさらに備えており、前記第2のキーの各々は、前記垂直回転軸を横切るそれぞれの横断軸に沿って前記シャフトの前記主部から外方に突出している、請求項9に記載の構造体。
- 前記反応チャンバは、前記反応チャンバの壁または基部プレートに位置決め要素を有しており、前記位置決め要素は、前記反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有しており、前記構造体は、前記スピンドルおよび前記位置決め要素に取外し可能に連結されるように構成された原点復帰工具をさらに備えている、請求項9に記載の構造体。
- 前記原点復帰工具は、前記キーを受け入れるように構成された長孔を有している、請求項19に記載の構造体。
- 前記スピンドルは、前記シャフトまたは前記キーの少なくとも1つに画定された基準指標を有しており、前記指標は、前記回転軸を中心とする周方向において前記キーに対する所定位置に配置されており、前記構造体は、前記基準指標の前記回転位置を検出するように構成された非接触視覚化システムをさらに備えており、前記視覚化システムは、前記反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有している、請求項9に記載の構造体。
- 化学蒸着反応器のための構造体であって、
内部を有する反応チャンバと、
前記反応チャンバ内に取り付けられたスピンドルであって、垂直回転軸に沿って延在するシャフトおよび前記垂直回転軸を横切る第1の横断軸に沿って前記シャフトから外方に突出するキーを有している、スピンドルと、
前記スピンドルと共に前記垂直回転軸を中心として回転するように、前記スピンドル上に取外し可能に取り付けられたウエハキャリアであって、前記ウエハキャリアは、互いに反対側を向く上面および底面を画定する本体、およびウエハを該ウエハの表面が前記本体の前記上面に露出するように保持することができるように構成された少なくとも1つのウエハ保持特徴部を有しており、前記ウエハキャリアは、前記本体の前記底面から前記本体内に延在する凹部および前記第1の横断軸に沿って前記凹部の周縁から外方に突出するキー溝を有しており、前記シャフトは、前記凹部内に係合されており、前記キーは、前記キー溝内に係合されているウエハキャリアと、
を備えている、構造体。 - 前記キーは、前記キー溝内に係合される先端部を有しており、前記先端部は、前記キー溝内に露出した前記本体の下向き面と離間して向き合う上面を有しており、これによって、前記キーは、前記シャフトに対する下向きの運動に対して、前記本体を拘束しないようになっている、請求項22に記載の構造体。
- 前記シャフトは、上端および前記上端から離れる下向き方向において徐々に大きくなる直径を有するテーパ接触面を有している、請求項22に記載の構造体。
- 前記シャフトは、前記テーパ接触面よりも下方に主部を有しており、前記キーは、前記シャフトの前記主部に係合されるようになっている、請求項24に記載の構造体。
- 前記本体は、下向きの凹部端面および前記凹部内において前記凹部端面から下方に延在するテーパ接触面を有しており、前記本体の前記テーパ接触面は、前記シャフトの前記テーパ接触面に少なくとも部分的に接触するようになっており、前記端面は、前記スピンドルの前記上端から離間するようになっている、請求項24に記載の構造体。
- 前記本体の前記テーパ接触面と前記シャフトの前記テーパ接触面との間の表面接触の中心軌跡は、前記本体の重心の上方に位置するようになっている、請求項26に記載の構造体。
- 前記キーは、第1のキーであり、前記キー溝は、第1のキー溝であり、前記スピンドルは、1つまたは複数の第2のキーをさらに備えており、前記第2のキーの各々は、前記垂直回転軸を横切るそれぞれの第2の横断軸に沿って前記シャフトから外方に突出しており、前記ウエハキャリアは、1つまたは複数の第2のキー溝をさらに備えており、前記第2のキー溝の各々は、前記第2の横断軸のそれぞれ1つに沿って前記凹部の周縁から外方に突出しており、前記第2のキーの各々は、前記第2のキー溝の対応する1つに係合するようになっている、請求項22に記載の構造体。
- 前記スピンドルは、前記第1の横断軸に沿って前記シャフトを貫通する開口を有しており、前記キーは、前記開口内に係合されるシャンクを備えている、請求項22に記載の構造体。
- 前記スピンドルは、前記垂直回転軸に沿って前記シャフトの上端から延在する凹部をさらに画定しており、前記スピンドルは、前記凹部内に取外し可能に係合されるフォークをさらに備えており、前記フォークは、一対の分岐部を有しており、前記キーの前記シャンクは、前記フォークの前記分岐部間に係合されるようになっている、請求項29に記載の構造体。
- 前記キーの前記シャンクは、前記フォークの前記2つの分岐部間に位置する中心部および前記中心部に隣接する端部を有しており、前記中心部は、前記フォークの前記分岐部間の分離距離よりも小さい幅を有しており、各端部は、前記分離距離よりも大きい幅を有しており、これによって、前記キーは、前記2つの分岐部間に連結され、前記第1の横断軸に沿った前記シャフトに対する運動に対して、前記フォークによって拘束されるようになっている、請求項30に記載の構造体。
- 前記キーの前記中心部材は、互いに反対側を向く実質的に平面状の側面を備えており、 各側面は、前記分岐部の1つの表面に隣接して配置されており、これによって、前記キーは、前記第1の横断軸を中心とする回転に対して、前記フォークによって回転方向に固定されるようになっている、請求項31に記載の構造体。
- 前記キーおよび前記フォークは、各々、第1の材料から本質的になっており、前記シャフトは、前記第1の材料と異なる第2の材料から本質的になっている、請求項30に記載の構造体。
- 前記フォークは、ネジ付き開口を備えており、前記ネジ付き開口は、前記シャフトの前記上端に露出している、請求項30に記載の構造体。
- 前記キーは、前記シャフトの外側に配置される先端部を有しており、前記先端部は、前記開口の直径よりも大きい前記垂直回転軸と平行の長手方向における高さを有している、請求項29に記載の構造体。
- 前記キーの前記先端部は、前記シャフトの前記上端の方を向く丸みのある上面を有している、請求項35に記載の構造体。
- 前記キーは、第1のキーであり、前記スピンドルは、1つまたは複数の第2のキーをさらに備えており、前記第2のキーの各々は、前記垂直回転軸を横切るそれぞれの横断軸に沿って前記シャフトから外方に突出している、請求項22に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアの前記少なくとも1つのウエハ保持特徴部は、前記本体の前記上面に画定された複数のポケットを備えており、各ポケットは、ウエハを保持することができるように構成されており、前記ポケットの各々は、中心を有している、請求項22に記載の構造体。
- 前記ポケットの少なくともいくつかは、前記回転軸に隣接して配置されており、前記回転軸を中心として分配された円パターンに、前記パターンにおいて互いに隣接するポケットの中心間に間隔を置いて配列されており、前記キー溝は、前記間隔の1つと真っ直ぐに並んでいる、請求項38に記載の構造体。
- 前記円パターンに配列された前記ポケットの少なくともいくつかは、前記垂直回転軸を中心として対称的に分配されている、請求項39に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアの前記本体は、前記本体の前記上面、前記底面、または前記上面と前記底面との間に延在する周面の少なくとも1つに画定された基準指標を有しており、 前記基準指標は、撮像装置にとって可視になっており、前記指標は、前記回転軸を中心とする周方向において前記キー溝に対する所定位置に配置されている、請求項22に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアの前記底面に平行の面であって、前記第1の横断軸を含んでいる面が、前記基準指標を貫通している、請求項41に記載の構造体。
- 前記スピンドルに接続され、前記スピンドルの回転方位を表す信号をもたらすように構成されたエンコーダと、前記基準指標の回転位置を検出するように構成された自動視覚化システムと、前記キーおよび前記キー溝のそれぞれの回転位置を真っ直ぐに並べるように、前記ウエハキャリアおよび前記スピンドルの少なくとも1つを回転させるように構成されたロボット制御システムと、をさらに備えている、請求項41に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアは、実質的にディスク状である、請求項22に記載の構造体。
- 前記キー溝は、第1のキー溝であり、前記ウエハキャリアは、1つまたは複数の第2のキー溝をさらに備えており、前記第2のキー溝の各々は、前記垂直回転軸を横切るそれぞれの横断軸に沿って前記凹部の前記周縁から外方に突出している、請求項22に記載の構造体。
- ウエハを処理する方法であって、
互いに反対側を向く上面および底面と前記上面および底面と実質的に直交する垂直回転軸とを画定するウエハキャリア上に、少なくとも1つのウエハを配置するステップと、
反応チャンバ内に位置するスピンドル上に前記ウエハキャリアを、前記スピンドルと共に前記垂直回転軸を中心として回転するように、取外し可能に取り付けるステップであって、前記スピンドルのシャフトが、前記ウエハキャリアの前記底面から前記ウエハキャリア内に延在する凹部内に係合するようになっており、かつ第1の横断軸に沿って前記回転軸から離れる方に前記シャフトの周縁から外方に突出するキーが、前記第1の横断軸に沿って前記回転軸から離れる方に前記凹部の周縁から外方に突出するキー溝内に取外し可能に係合するようになっている、ステップと、
前記ウエハキャリアが前記スピンドル上に取り付けられている間に、前記スピンドルおよび前記ウエハキャリアを前記回転軸を中心として回転させ、前記少なくとも1つのウエハの各々の上面を処理するステップと、
を含んでいる、方法。 - 前記スピンドルの回転方位を検出するステップと、前記ウエハキャリアの回転方位を検出するステップと、前記ウエハキャリアを前記スピンドル上に取り付ける前に、前記キーおよび前記キー溝を自動的に真っ直ぐに並べるステップと、をさらに含んでいる、請求項46に記載の方法。
- 前記ウエハキャリアの回転方位を検出する前記ステップは、自動視覚化システムを用いて、前記ウエハキャリア上の少なくとも1つの基準指標の位置を検出することを含んでいる、請求項47に記載の方法。
- 前記スピンドルの回転方位を検出する前記ステップは、前記スピンドルに接続された回転エンコーダを用いて行われるようになっている、請求項47に記載の方法。
- 前記スピンドルの回転方位を検出するステップと、前記スピンドルの前記回転方位を、前記反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有するホームポジションとして指定するステップと、をさらに含んでいる、請求項46に記載の方法。
- 前記検出ステップおよび指定ステップの前に、原点復帰工具を前記スピンドルに取外し可能に連結し、前記原点復帰工具を回転させ、前記原点復帰工具を前記反応チャンバの壁または基部プレートの位置決め要素に取外し可能に連結することをさらに含んでおり、 前記位置決め要素は、前記反応チャンバに設定された前記座標系と既知の関係を有している、請求項50に記載の方法。
- 前記スピンドルの回転方位を検出する前記ステップは、前記スピンドルを回転させ、非接触視覚化システムを用いて、前記スピンドル上の少なくとも1つの基準指標の位置を検出することを含んでおり、前記視覚化システムは、前記反応チャンバに設定された前記座標系と既知の関係を有している、請求項50に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/424,821 US9816184B2 (en) | 2012-03-20 | 2012-03-20 | Keyed wafer carrier |
US13/424,821 | 2012-03-20 | ||
PCT/US2013/028572 WO2013142030A1 (en) | 2012-03-20 | 2013-03-01 | Keyed wafer carrier |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015145552A Division JP5914736B2 (ja) | 2012-03-20 | 2015-07-23 | キー付きウエハキャリア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015512565A true JP2015512565A (ja) | 2015-04-27 |
JP5788123B2 JP5788123B2 (ja) | 2015-09-30 |
Family
ID=49212211
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015501689A Active JP5788123B2 (ja) | 2012-03-20 | 2013-03-01 | キー付きウエハキャリア |
JP2015145552A Active JP5914736B2 (ja) | 2012-03-20 | 2015-07-23 | キー付きウエハキャリア |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015145552A Active JP5914736B2 (ja) | 2012-03-20 | 2015-07-23 | キー付きウエハキャリア |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9816184B2 (ja) |
EP (2) | EP2828886B1 (ja) |
JP (2) | JP5788123B2 (ja) |
KR (2) | KR101582909B1 (ja) |
CN (1) | CN104321859B (ja) |
SG (2) | SG11201405770VA (ja) |
TW (1) | TWI553151B (ja) |
WO (1) | WO2013142030A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG11201606084RA (en) | 2014-01-27 | 2016-08-30 | Veeco Instr Inc | Wafer carrier having retention pockets with compound radii for chemical vapor deposition systems |
USD793971S1 (en) | 2015-03-27 | 2017-08-08 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a 14-pocket configuration |
USD778247S1 (en) * | 2015-04-16 | 2017-02-07 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier with a multi-pocket configuration |
US9748113B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-08-29 | Veeco Intruments Inc. | Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system |
IT201900022047A1 (it) * | 2019-11-25 | 2021-05-25 | Lpe Spa | Dispositivo di supporto substrati per una camera di reazione di un reattore epitassiale con rotazione a flusso di gas, camera di reazione e reattore epitassiale |
US20220328292A1 (en) * | 2021-04-09 | 2022-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Remote plasma ultraviolet enhanced deposition |
US20230130756A1 (en) * | 2021-10-22 | 2023-04-27 | Applied Materials, Inc. | Bottom cover plate to reduce wafer planar nonuniformity |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59232994A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
US5954912A (en) * | 1996-10-03 | 1999-09-21 | Micro Technology, Inc. | Rotary coupling |
JP2002299432A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | セラミックサセプターの支持構造 |
JP2011507266A (ja) * | 2007-12-12 | 2011-03-03 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | ハブを有するウエハキャリア |
WO2011106064A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Veeco Instruments Inc. | Processing methods and apparatus with temperature distribution control |
JP2011216520A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持回転装置および基板処理装置 |
JP2012501541A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
Family Cites Families (123)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1795230A (en) | 1927-07-29 | 1931-03-03 | Landis Tool Co | Means for holding normally reciprocating spindles from reciprocating |
US1844791A (en) | 1929-08-13 | 1932-02-09 | Landis Tool Co | Spindle reciprocating mechanism |
US3101573A (en) | 1960-06-17 | 1963-08-27 | Midwest Supply And Mfg Company | Reciprocatory buffing spindle structure |
US3408982A (en) | 1966-08-25 | 1968-11-05 | Emil R. Capita | Vapor plating apparatus including rotatable substrate support |
US3418758A (en) | 1967-01-31 | 1968-12-31 | Mcewan James | Oscillating vertical spindle sander |
US3731435A (en) | 1971-02-09 | 1973-05-08 | Speedfam Corp | Polishing machine load plate |
US3845738A (en) | 1973-09-12 | 1974-11-05 | Rca Corp | Vapor deposition apparatus with pyrolytic graphite heat shield |
US3930341A (en) | 1974-02-01 | 1976-01-06 | Marcel Neuman | Universal vertical grinding machine |
US4165584A (en) | 1977-01-27 | 1979-08-28 | International Telephone And Telegraph Corporation | Apparatus for lapping or polishing materials |
FR2398577A1 (fr) | 1977-07-29 | 1979-02-23 | Citroen Sa | Tete de rodage a commande mecanique |
DE3227924A1 (de) | 1982-07-27 | 1984-02-02 | Maschinenfabrik Gehring Gmbh & Co Kg, 7302 Ostfildern | Vorrichtung zum honen von werkstuecken |
US4512113A (en) | 1982-09-23 | 1985-04-23 | Budinger William D | Workpiece holder for polishing operation |
DE3421193A1 (de) | 1984-06-07 | 1985-12-12 | Maschinenfabrik Gehring Gmbh & Co Kg, 7302 Ostfildern | Verfahren zum zustellen eines honwerkzeuges und vorrichtung zum ausfuehren des verfahrens |
JPS61135113A (ja) | 1984-12-06 | 1986-06-23 | Nec Corp | 気相成長装置 |
JPS61221399A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-10-01 | N D C Kk | 平軸受 |
DE3524978A1 (de) | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben |
JPS62145830A (ja) | 1985-12-20 | 1987-06-29 | Toshiba Corp | チヤツク装置 |
US4839145A (en) | 1986-08-27 | 1989-06-13 | Massachusetts Institute Of Technology | Chemical vapor deposition reactor |
IT1221550B (it) | 1987-10-30 | 1990-07-12 | Elleci Trimate Sas Di Cassanel | Apparecchiatura perfezionata per la lappatura di interni |
US4821457A (en) | 1988-03-21 | 1989-04-18 | Ianuzzi Joseph N | Vertical oscillating spindle sanders |
JP2966025B2 (ja) | 1989-03-15 | 1999-10-25 | 株式会社東芝 | 気相成長装置 |
US5088444A (en) | 1989-03-15 | 1992-02-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vapor deposition system |
JPH02309008A (ja) * | 1989-05-23 | 1990-12-25 | Mitsui Seiki Kogyo Co Ltd | セラミックス製キー |
US5191738A (en) | 1989-06-16 | 1993-03-09 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafer |
US5077875A (en) | 1990-01-31 | 1992-01-07 | Raytheon Company | Reactor vessel for the growth of heterojunction devices |
US5371978A (en) | 1990-08-04 | 1994-12-13 | Toyo Co., Ltd. | Honing tool and super precision finishing method using the same |
JPH04159360A (ja) | 1990-10-23 | 1992-06-02 | Teijin Chem Ltd | 樹脂組成物 |
US5193316A (en) | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
US5226383A (en) | 1992-03-12 | 1993-07-13 | Bell Communications Research, Inc. | Gas foil rotating substrate holder |
US5482498A (en) | 1992-04-02 | 1996-01-09 | Toyo Co., Ltd. | Honing tool and super precision finishing method using the same |
JP2599560B2 (ja) | 1992-09-30 | 1997-04-09 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | ケイ化タングステン膜形成方法 |
US5361543A (en) | 1992-10-01 | 1994-11-08 | Michael Bory | Device for ultrasonic erosion of a workpiece |
US5444217A (en) | 1993-01-21 | 1995-08-22 | Moore Epitaxial Inc. | Rapid thermal processing apparatus for processing semiconductor wafers |
US5335560A (en) | 1993-01-22 | 1994-08-09 | Wang Tian Wang | Table-top grinder power transmission mechanism |
US5377451A (en) | 1993-02-23 | 1995-01-03 | Memc Electronic Materials, Inc. | Wafer polishing apparatus and method |
US5402604A (en) | 1993-03-17 | 1995-04-04 | Ryobi Motor Products | Oscillating spindle sander |
JP2849533B2 (ja) | 1993-08-18 | 1999-01-20 | 長野電子工業株式会社 | ウェーハの研磨方法 |
JP2716653B2 (ja) | 1993-11-01 | 1998-02-18 | 不二越機械工業株式会社 | ウェーハの研磨装置および研磨方法 |
US5422316A (en) | 1994-03-18 | 1995-06-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Semiconductor wafer polisher and method |
US5674107A (en) | 1995-04-25 | 1997-10-07 | Lucent Technologies Inc. | Diamond polishing method and apparatus employing oxygen-emitting medium |
JP3553204B2 (ja) | 1995-04-28 | 2004-08-11 | アネルバ株式会社 | Cvd装置 |
JPH0951029A (ja) | 1995-08-07 | 1997-02-18 | Hitachi Ltd | 半導体製造方法および装置ならびに搬送装置 |
US6113702A (en) | 1995-09-01 | 2000-09-05 | Asm America, Inc. | Wafer support system |
WO1997009737A1 (en) | 1995-09-01 | 1997-03-13 | Advanced Semiconductor Materials America, Inc. | Wafer support system |
JPH09239635A (ja) | 1996-03-05 | 1997-09-16 | Nippon Thompson Co Ltd | Xy位置決めテーブル装置 |
US6001183A (en) | 1996-06-10 | 1999-12-14 | Emcore Corporation | Wafer carriers for epitaxial growth processes |
US5920797A (en) | 1996-12-03 | 1999-07-06 | Applied Materials, Inc. | Method for gaseous substrate support |
USD405430S (en) | 1997-01-31 | 1999-02-09 | Tokyo Electron Limited | Inner tube for use in a semiconductor wafer heat processing apparatus |
US5788777A (en) | 1997-03-06 | 1998-08-04 | Burk, Jr.; Albert A. | Susceptor for an epitaxial growth factor |
JP3008396B2 (ja) | 1997-04-18 | 2000-02-14 | 住友金属工業株式会社 | 種子結晶保持具 |
US5840124A (en) | 1997-06-30 | 1998-11-24 | Emcore Corporation | Wafer carrier with flexible wafer flat holder |
US5759281A (en) | 1997-06-30 | 1998-06-02 | Emcore Corporation | CVD reactor for uniform heating with radiant heating filaments |
US5865666A (en) | 1997-08-20 | 1999-02-02 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for polish removing a precise amount of material from a wafer |
JPH1167675A (ja) | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Toshiba Ceramics Co Ltd | 高速回転気相薄膜形成装置及びそれを用いる高速回転気相薄膜形成方法 |
US5974681A (en) | 1997-09-10 | 1999-11-02 | Speedfam-Ipec Corp. | Apparatus for spin drying a workpiece |
US6080042A (en) | 1997-10-31 | 2000-06-27 | Virginia Semiconductor, Inc. | Flatness and throughput of single side polishing of wafers |
JP2888336B1 (ja) | 1998-02-12 | 1999-05-10 | 直江津電子工業株式会社 | 研磨ウエハの自動回収方法 |
US6213478B1 (en) * | 1999-03-11 | 2001-04-10 | Moore Epitaxial, Inc. | Holding mechanism for a susceptor in a substrate processing reactor |
US6125740A (en) | 1999-03-12 | 2000-10-03 | National Presto Industries, Inc. | Rotatable cooking apparatus |
US6241825B1 (en) | 1999-04-16 | 2001-06-05 | Cutek Research Inc. | Compliant wafer chuck |
US6375749B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-04-23 | Seh America, Inc. | Susceptorless semiconductor wafer support and reactor system for epitaxial layer growth |
KR100722592B1 (ko) | 1999-12-22 | 2007-05-28 | 아익스트론 아게 | 화학 기상 증착 반응기 |
US6572708B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-06-03 | Applied Materials Inc. | Semiconductor wafer support lift-pin assembly |
DE10023002B4 (de) | 2000-05-11 | 2006-10-26 | Siltronic Ag | Satz von Läuferscheiben sowie dessen Verwendung |
JP2001332486A (ja) | 2000-05-25 | 2001-11-30 | Nec Yamaguchi Ltd | ウエハ現像装置 |
US7241993B2 (en) * | 2000-06-27 | 2007-07-10 | Ebara Corporation | Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system |
US6454635B1 (en) | 2000-08-08 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for a wafer carrier having an insert |
US6709981B2 (en) | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
US6492625B1 (en) | 2000-09-27 | 2002-12-10 | Emcore Corporation | Apparatus and method for controlling temperature uniformity of substrates |
US7520800B2 (en) | 2003-04-16 | 2009-04-21 | Duescher Wayne O | Raised island abrasive, lapping apparatus and method of use |
US6528124B1 (en) | 2000-12-01 | 2003-03-04 | Komag, Inc. | Disk carrier |
US6500059B2 (en) | 2000-12-01 | 2002-12-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Apparatus and method for mounting a wafer in a polishing machine |
US6506252B2 (en) | 2001-02-07 | 2003-01-14 | Emcore Corporation | Susceptorless reactor for growing epitaxial layers on wafers by chemical vapor deposition |
US6666948B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-12-23 | Phuong Van Nguyen | Silicon wafer polisher |
US6645049B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-11-11 | Phuong Van Nguyen | Polishing holder for silicon wafers and method of use thereof |
US6902623B2 (en) | 2001-06-07 | 2005-06-07 | Veeco Instruments Inc. | Reactor having a movable shutter |
DE10131668B4 (de) | 2001-06-29 | 2006-05-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur abrasiven Bearbeitung von Oberflächen, auf Halbleiter-Wafern |
US6652713B2 (en) | 2001-08-09 | 2003-11-25 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with integral shield |
KR100791975B1 (ko) * | 2001-10-22 | 2008-01-04 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 파지 장치 |
US6786807B2 (en) | 2002-09-03 | 2004-09-07 | Micromatic Operations, Inc. | Universal coupling for machine tool |
JP3888280B2 (ja) | 2002-10-11 | 2007-02-28 | 株式会社デンソー | 回転体の回転位置決め装置 |
USD503385S1 (en) | 2002-11-28 | 2005-03-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optoelectronic converting connector plug for optical fibers |
JP2004247489A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Canon Inc | 基板処理装置 |
US7125313B2 (en) | 2003-02-25 | 2006-10-24 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus and method for abrading a workpiece |
US7008308B2 (en) | 2003-05-20 | 2006-03-07 | Memc Electronic Materials, Inc. | Wafer carrier |
US7235139B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-26 | Veeco Instruments Inc. | Wafer carrier for growing GaN wafers |
US7169234B2 (en) * | 2004-01-30 | 2007-01-30 | Asm America, Inc. | Apparatus and methods for preventing rotational slippage between a vertical shaft and a support structure for a semiconductor wafer holder |
KR100463438B1 (ko) | 2004-11-03 | 2004-12-23 | 김동진 | 다량의 이온을 발생시키는 스트리머 방전형 피뢰침 |
KR101332340B1 (ko) * | 2005-12-14 | 2013-11-22 | 주성엔지니어링(주) | 박막 제조 장치 |
USD564462S1 (en) | 2005-12-27 | 2008-03-18 | Tokyo Electron Limited | RF electrode for a process tube of semiconductor manufacturing apparatus |
US8448289B2 (en) | 2006-03-24 | 2013-05-28 | Robert Bosch Gmbh | Windscreen wiper drive arrangement |
KR100754244B1 (ko) * | 2006-05-22 | 2007-09-03 | 삼성전자주식회사 | 스핀 코팅 유닛용 스핀 척 감지장치 |
USD574792S1 (en) | 2006-08-23 | 2008-08-12 | Tokyo Electron Limited | Lower heat insulating cylinder for manufacturing semiconductor wafers |
USD586768S1 (en) | 2006-10-12 | 2009-02-17 | Tokyo Electron Limited | Process tube for manufacturing semiconductor wafers |
US8177993B2 (en) | 2006-11-05 | 2012-05-15 | Globalfoundries Singapore Pte Ltd | Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers |
USD579885S1 (en) | 2007-02-20 | 2008-11-04 | Tokyo Electron Limited | Upper heat insulating cylinder for manufacturing semiconductor wafers |
CN101802254B (zh) * | 2007-10-11 | 2013-11-27 | 瓦伦斯处理设备公司 | 化学气相沉积反应器 |
US8268087B2 (en) * | 2007-12-27 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
US20090194026A1 (en) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Burrows Brian H | Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices |
US8022372B2 (en) * | 2008-02-15 | 2011-09-20 | Veeco Instruments Inc. | Apparatus and method for batch non-contact material characterization |
US8182315B2 (en) | 2008-03-24 | 2012-05-22 | Phuong Van Nguyen | Chemical mechanical polishing pad and dresser |
USD601979S1 (en) | 2008-03-28 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Pedestal base of a heat insulating cylinder for manufacturing semiconductor wafers |
JP2010153769A (ja) | 2008-11-19 | 2010-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板位置検出装置、基板位置検出方法、成膜装置、成膜方法、プログラム及びコンピュータ可読記憶媒体 |
NL1037228C2 (nl) * | 2009-02-10 | 2011-05-25 | Xycarb Ceramics B V | Ondersteuningssamenstel voor een substraathouder, alsmede een inrichting voor het laagsgewijs laten neerslaan van verschillende halfgeleidermaterialen op een halfgeleidersubstraat, voorzien van een dergelijk ondersteuningssamenstel. |
USD616394S1 (en) | 2009-03-06 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Support of wafer boat for manufacturing semiconductor wafers |
USD616395S1 (en) | 2009-03-11 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Support of wafer boat for manufacturing semiconductor wafers |
JP5613159B2 (ja) | 2009-06-19 | 2014-10-22 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
WO2011006035A2 (en) | 2009-07-10 | 2011-01-13 | L'air Liquide Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Bis-ketoiminate copper precursors for deposition of copper-containing films |
JP4642918B1 (ja) * | 2009-08-20 | 2011-03-02 | ヴァリオス株式会社 | 半導体基板の回転保持装置 |
USD633452S1 (en) | 2009-08-27 | 2011-03-01 | Ebara Corporation | Elastic membrane for semiconductor wafer polishing apparatus |
JP5514915B2 (ja) | 2009-10-09 | 2014-06-04 | クリー インコーポレイテッド | サセプタ装置 |
KR101451772B1 (ko) * | 2009-11-02 | 2014-10-16 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 화학기상증착장치 및 화학기상증착장치의 온도제어방법 |
US8500515B2 (en) | 2010-03-12 | 2013-08-06 | Wayne O. Duescher | Fixed-spindle and floating-platen abrasive system using spherical mounts |
KR101175266B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2012-08-21 | 주성엔지니어링(주) | 기판 처리장치 |
CN101922042B (zh) | 2010-08-19 | 2012-05-30 | 江苏中晟半导体设备有限公司 | 一种外延片托盘支撑旋转联接装置 |
USD674759S1 (en) | 2010-08-19 | 2013-01-22 | Epistar Corporation | Wafer carrier |
JP5791329B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-10-07 | 大陽日酸株式会社 | 気相成長装置 |
USD675567S1 (en) | 2011-08-23 | 2013-02-05 | Adamant Kogyo Co., Ltd. | Ferrule for optical fiber |
CN103132051B (zh) | 2011-11-23 | 2015-07-08 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置 |
CN202492576U (zh) * | 2012-02-20 | 2012-10-17 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 化学气相沉积装置 |
USD726133S1 (en) | 2012-03-20 | 2015-04-07 | Veeco Instruments Inc. | Keyed spindle |
USD712852S1 (en) | 2012-03-20 | 2014-09-09 | Veeco Instruments Inc. | Spindle key |
KR20150064879A (ko) | 2013-12-04 | 2015-06-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리, 이를 포함하는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 |
-
2012
- 2012-03-20 US US13/424,821 patent/US9816184B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-01 WO PCT/US2013/028572 patent/WO2013142030A1/en active Application Filing
- 2013-03-01 EP EP13763498.6A patent/EP2828886B1/en active Active
- 2013-03-01 EP EP18170707.6A patent/EP3379567A1/en not_active Withdrawn
- 2013-03-01 KR KR1020147027578A patent/KR101582909B1/ko active Application Filing
- 2013-03-01 SG SG11201405770VA patent/SG11201405770VA/en unknown
- 2013-03-01 KR KR1020157037006A patent/KR101946432B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-01 CN CN201380026257.8A patent/CN104321859B/zh active Active
- 2013-03-01 SG SG10201508894WA patent/SG10201508894WA/en unknown
- 2013-03-01 JP JP2015501689A patent/JP5788123B2/ja active Active
- 2013-03-15 TW TW102109244A patent/TWI553151B/zh active
-
2015
- 2015-07-23 JP JP2015145552A patent/JP5914736B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-21 US US15/464,898 patent/US20170191157A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59232994A (ja) * | 1983-06-16 | 1984-12-27 | Toshiba Mach Co Ltd | 気相成長装置 |
US5954912A (en) * | 1996-10-03 | 1999-09-21 | Micro Technology, Inc. | Rotary coupling |
JP2002299432A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Ngk Insulators Ltd | セラミックサセプターの支持構造 |
JP2011507266A (ja) * | 2007-12-12 | 2011-03-03 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | ハブを有するウエハキャリア |
JP2012501541A (ja) * | 2008-08-29 | 2012-01-19 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア |
WO2011106064A1 (en) * | 2010-02-24 | 2011-09-01 | Veeco Instruments Inc. | Processing methods and apparatus with temperature distribution control |
JP2013520833A (ja) * | 2010-02-24 | 2013-06-06 | ビーコ・インストゥルメンツ・インコーポレイテッド | 温度分配制御装置を用いる処理方法および処理装置 |
JP2011216520A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板保持回転装置および基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3379567A1 (en) | 2018-09-26 |
KR20160006253A (ko) | 2016-01-18 |
KR101582909B1 (ko) | 2016-01-19 |
SG11201405770VA (en) | 2014-11-27 |
JP2016015492A (ja) | 2016-01-28 |
EP2828886A4 (en) | 2015-07-29 |
KR20140121905A (ko) | 2014-10-16 |
US20170191157A1 (en) | 2017-07-06 |
SG10201508894WA (en) | 2015-11-27 |
WO2013142030A1 (en) | 2013-09-26 |
CN104321859A (zh) | 2015-01-28 |
JP5914736B2 (ja) | 2016-05-11 |
US9816184B2 (en) | 2017-11-14 |
US20130252404A1 (en) | 2013-09-26 |
CN104321859B (zh) | 2016-08-24 |
TWI553151B (zh) | 2016-10-11 |
EP2828886B1 (en) | 2018-05-09 |
KR101946432B1 (ko) | 2019-02-11 |
JP5788123B2 (ja) | 2015-09-30 |
TW201348511A (zh) | 2013-12-01 |
EP2828886A1 (en) | 2015-01-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5914736B2 (ja) | キー付きウエハキャリア | |
JP6170219B2 (ja) | その場パイロメーター較正のための方法およびシステム | |
US8562746B2 (en) | Sectional wafer carrier | |
TWI488258B (zh) | 增強之晶圓載體 | |
KR20160003441U (ko) | 31 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어 | |
JP5560355B2 (ja) | 一様でない熱抵抗を有するウエハキャリア | |
US10316412B2 (en) | Wafter carrier for chemical vapor deposition systems | |
US20130065403A1 (en) | Wafer carrier with thermal features | |
US20130061805A1 (en) | Epitaxial wafer susceptor and supportive and rotational connection apparatus matching the susceptor | |
EP3005410A1 (en) | Improved wafer carrier having thermal uniformity-enhancing features | |
KR20160003714U (ko) | 멀티 포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어 | |
US20130125820A1 (en) | Chemical vapor deposition or epitaxial-layer growth reactor and supporter thereof | |
TWM567957U (zh) | 晶圓載體 | |
TW201316445A (zh) | 具有熱特性的晶圓承載物 | |
KR20190001371U (ko) | 33-포켓 구성을 갖는 웨이퍼 캐리어 | |
TWM538238U (zh) | 具有複數個容置區的排列組態之晶圓載具 | |
TWM571587U (zh) | 晶圓載體 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20150223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150520 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150612 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150710 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150728 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5788123 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |