TWM538238U - 具有複數個容置區的排列組態之晶圓載具 - Google Patents

Description

具有複數個容置區的排列組態之晶圓載具

本創作總體關於半導體製造技術，並且尤其關於化學氣相沉積（CVD）製程及相關設備，其用於在製程期間保持半導體晶圓。

在發光二極體（LED）和諸如雷射二極體、光探測器和場效應電晶體的其它高性能器件的製造中，典型地使用化學氣相沉積（CVD）製程在藍寶石或矽基板之上使用諸如氮化鎵的材料來生長薄膜堆疊結構。CVD工具包括處理艙體，該處理艙體是密封環境以允許注入的氣體在基板（通常為晶圓的形式）上反應以生長薄膜層。這種製造設備的現行生產線的實例是由Plainview，New York的Veeco Instruments Inc.製造的TurboDisc®和金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）系統的EPIK系列。

控制諸如溫度、壓強和氣體流速的一些製程參數以獲得所希望的晶體生長。使用不同的材料和製程參數來生長不同層。例如，典型地，由諸如III-V族半導體的化合物半導體形成的器件是藉由使用MOCVD生長連續的該化合物半導體層而形成的。在本製程中，晶圓被暴露於氣體的組合中，典型地，該氣體包括作為III族金屬的源的金屬有機化合物，並且還包括當晶圓保持在升高的溫度下時在晶圓表面上流動的V族元素的源。通常，金屬有機化合物和V族源與明顯不參與反應的載氣組合，該載氣例如是氮氣。III-V族半導體的一個實例是氮化鎵，可以在的具有適當晶格間隙的基板（例如藍寶石晶圓）上藉由有機鎵化合物和氨氣的反應形成氮化鎵。在沉積氮化鎵和相關化合物期間一般將該晶圓保持在大約1000-1100℃的溫度下。

在藉由基板表面上的化學反應而發生晶體生長的MOCVD製程中，必須特別小心地控制製程參數以確保在所要求的條件下進行該化學反應。在製程條件中即使小的變化也可能不利地影響器件品質和生產良率。例如，如果沉積氮化鎵銦層（gallium and indium nitride layer），晶圓表面溫度的變化將會引起所沉積的層的成分和帶隙的變化。因為銦具有相對高的蒸氣壓，在表面溫度較高的晶圓區域中所沉積的層將會具有較低的銦比例和較大的帶隙。如果所沉積的層為主動，LED結構的發光層，那麼由該晶圓形成的LED的輻射波長也將會變至不可接受的程度。

在MOCVD處理艙體中，在其上生長薄膜層的半導體晶圓設置於被稱作晶圓載具的快速旋轉的旋轉料架（carousel）上，以在反應艙體之內使它們的表面均勻暴露於氣體環境中，以沉積半導體材料。轉速是大約1000 RPM。該晶圓載具典型地是由諸如石墨的高導熱材料機械加工出來的，並且經常塗覆有諸如碳化矽材料的保護層。每個晶圓載具具有一組圓形凹部（indentation），或容置區（pocket），在其頂表面中放置有單個的晶圓。典型地，晶圓被支撐為與每個容置區的底部表面成間隔關係以允許在該晶圓的邊緣周圍流動氣體。在U.S.專利申請公開No.2012/0040097、U.S.專利No.8092599、U.S.專利No.8021487、U.S.專利申請公開No.2007/0186853、U.S.專利No.6902623、U.S.專利No.6506252和U.S.專利No.6492625中描述了有關技術的一些實例，藉由引用將其公開內容合併於此。

晶圓載具被支撐於反應艙體中的轉軸（spindle）上，使得具有晶圓的暴露表面的晶圓載具的頂表面向上朝向氣體分配裝置。當該轉軸旋轉時，該氣體被向下引導到該晶圓載具的頂表面上並且經過該頂表面流向該晶圓載具的外周。使用過的氣體透過設置在該晶圓載具下方的通口從反應艙體中。藉由加熱元件將該晶圓載具保持在期望的升高溫度，該加熱元件典型地是設置在該晶圓載具的底表面之下的電阻加熱元件。將這些加熱元件保持在比該晶圓表面的期望溫度還要高的溫度，然而典型地將該氣體分配裝置保持在遠低於期望反應溫度的溫度，以防止氣體過早反應。因而，熱量從該加熱元件向該晶圓載具的底表面傳輸並向上通過晶圓載具流向單個晶圓。

在晶圓之上的氣流依賴於每個晶圓的徑向位置而變化，其中位於最外側的晶圓會具有較高流動率，此乃他們在轉動過程中較快的速度所導致。甚至在每個單個晶圓上都可能存在溫度非均勻性，即冷點和熱點。影響溫度非均勻性的形成的一個可變因素是晶圓載具內的容置區的形狀。通常，容置區形狀在該晶圓載具的表面中形成圓形。由於晶圓載具旋轉，因而該晶圓在其最外面的邊緣（即離旋轉軸最遠的邊緣）處受到實質性的向心力，導致晶圓擠靠該晶圓載具中各個容置區的內壁。在這種情況下，在晶圓的這些外部邊緣和容置區的邊緣之間存在緊密接觸。向晶圓的這些最外面部分的增加的熱傳導導致更大的溫度非均勻性，進一步使上述的問題惡化。既有的處理方式為藉由增加晶圓的邊緣和容置區的內壁之間的間隙來最小化溫度非均勻性，包括將晶圓設計為邊緣的一部分上是平的（即平邊晶圓）。晶圓的該平的部分產生間隙並減小與該容置區的內壁的接觸點，由此緩和溫度非均勻性。其他影響晶圓載具所支撐晶圓各處的熱均勻性的因素包括晶圓載具的熱傳輸和發射特性，並結合晶圓容置區的布局。

與溫度均勻性需求相關的，對於晶圓載具的另一個所希望的特性是增加CVD製程的生產量。在增加製程生產量中該晶圓載具的角色是保持大量的單個晶圓。提供具有更多晶圓的晶圓載具布局影響熱模型。例如，由於來自晶圓載具邊緣的輻射熱損耗，靠近邊緣的晶圓載具的部分傾向處在比其它部分更低的溫度下。

因此，需要在其中解決高密度布局中的溫度均勻性和機械應力的用於晶圓載具的實用解決方案。

晶圓載具包括新的容置區配置。本文所描述的該布置便於熱傳輸，以及用於圓晶圓生長的容置區的高填充密度（high packing density）。

根據本創作的第一方面，提供了一種晶圓載具，該晶圓載具構造為與化學氣相沉積裝置一起使用，該晶圓載具包括：本體，該本體具有彼此相對布置的頂表面和底表面；以及多個容置區，該多個容置區被限定在該晶圓載具的該頂表面中。該多個容置區由總共三十四個至三十六個之間的容置區組成，每個容置區沿著三個圓中的一個圓布置，其中該三個圓彼此同心並且與由該頂表面的周緣所形成的圓形輪廓同心。

根據本創作的第二方面，在根據第一方面的晶圓載具中，該多個容置區中的六個容置區繞該三個圓中的第一個圓布置；該多個容置區中的十二個容置區繞該三個圓中的第二個圓布置；並且該多個容置區中的十八個容置區繞該三個圓中的第三個圓布置。

根據本創作的第三方面，在根據第一方面的晶圓載具中，該多個容置區中的五個容置區繞該三個圓中的第一個圓布置；該多個容置區中的十二個容置區繞該三個圓中的第二個圓布置；並且該多個容置區中的十八個容置區繞該三個圓中的第三個圓布置。

根據本創作的第四方面，在根據第一方面的晶圓載具中，該多個容置區中的五個容置區繞該三個圓中的第一個圓布置；該多個容置區中的十一個容置區繞該三個圓中的第二個圓布置；並且該多個容置區中的十八個容置區繞該三個圓中的第三個圓布置。

根據本創作的第五方面，在根據第一方面的晶圓載具中，該第一個圓被該第二個圓圍繞，並且該第二個圓被該第三個圓圍繞。

根據本創作的第六方面，在根據第一或第五方面的晶圓載具中，該多個容置區中的每個容置區均包括大約50mm的容置區直徑。

根據本創作的第七方面，在根據第一或第五方面的晶圓載具中，該多個容置區中的每個容置區均包括深度為大約430μm的徑向壁。

根據本創作的第八方面，在根據第一方面的晶圓載具中，該晶圓載具還包括布置在該底表面上的鎖定特徵部。

根據本創作的第九方面，在根據第八方面的晶圓載具中，該鎖定特徵部布置在該底表面的幾何中心處。

根據本創作的第十方面，在根據第八或第九方面的晶圓載具中，該鎖定特徵部係選自由花鍵、卡盤或鎖控接頭組成的組。

根據本創作的第十一方面，在根據第一方面的晶圓載具中，該頂表面和該底表面均包括一直徑，並且該頂表面的直徑大於該底表面的直徑。

根據本創作的第十二方面，在根據第一方面的晶圓載具中，該晶圓載具構造為與金屬氧化物化學氣相沉積裝置一起使用。

根據本創作的第十三方面，在根據第二或第三方面的晶圓載具中，該容置區經由孔隙空間互相連接。

根據本創作的第十四方面，在根據第四方面的晶圓載具中，該容置區中的每個容置區均包括平坦部，該平坦部被布置為與同一圓內的容置區中的另一個容置區相鄰。

圖1顯示了根據本創作的一個實施例的化學氣相沉積設備。反應艙體10界定出製程環境空間。氣體分配裝置12布置在該艙體的一端處。具有氣體分配裝置12的該端在此處稱為反應艙體10的“頂”端。該艙體的這一端典型地（但非絕對必須）設置在正常重力框架下的該艙體的頂部處。因而，此處使用的向下方係指從氣體分配裝置12離開的方向；而向上的方向係指艙體內朝向氣體分配裝置12的方向，與此些方向是否與重力向上和向下的方向一致無關。類似地，此處參考反應艙體10和氣體分配裝置12的參照系來描述元件的“頂”和“底”表面。

氣體分配裝置12連接至用於供應在晶圓處理製程中所使用的諸如載氣和反應氣體的處理氣體的源14、16和18，該反應氣體例如為金屬有機化合物和V族金屬的源。氣體分配裝置12布置為接收各種氣體，並且引導處理氣體的氣流使其大體上往向下方向。理想地，氣體分配裝置12還連接至冷卻系統20，該冷卻系統被布置為使液體循環穿過氣體分配裝置12以在操作期間使氣體分配裝置的溫度保持在所希望的溫度下。可以提供類似的冷卻布置（未示出）以冷卻反應艙體10的壁。反應艙體10還配備有排氣系統22，該排氣系統被布置為透過位於或靠近艙體底部的通口（未示出）從艙體10的內部移除廢氣，使得允許從氣體分配裝置12沿向下方向存在連續的氣流。

轉軸24布置在艙體內以使轉軸24的中心軸26在向上和向下方向上延伸。藉由包括軸承和密封件（未示出）的傳統旋轉貫穿裝置（rotary pass-through device）28將轉軸24安裝至艙體，使得轉軸24可以關於中心軸26旋轉，而保持轉軸24和反應艙體10的壁之間的密封。該軸具有位於其頂端處、即位於該軸的最接近氣體分配裝置12的端處的接頭30。正如下面進一步所討論的，接頭30是適於可釋放地接合晶圓載具的晶圓載具保持機構的一個實例。在所描述的具體實施例中，接頭30大致上是往轉軸24的頂端漸縮且終止於平的頂表面的截頭圓錐形的元件。截頭圓錐形的元件是具有圓錐的平截頭形狀的元件。轉軸24連接至例如電馬達驅動的旋轉驅動機構32，其布置為使轉軸24繞著中心軸26旋轉。

加熱元件34安裝在艙體內並在接頭30下面圍繞轉軸24。反應艙體10還設有通向前艙體38的入口36，以及用於關閉和開啟該入口的門40。在圖1中僅示例性地描繪了門40，並且示為在關閉位置和開啟位置之間可移動，其中該關閉位置以實線示出，在該關閉位置中該門將反應艙體10的內部與前艙體38隔離，該開啟位置在40'處以虛線示出。該門40配備有用於在開啟位置和關閉位置之間移動門的適當的控制和致動機構。在實務中，該門可以包括在向上和向下方向上可移動的擋片（shutter），例如在U.S.專利No.7276124中所公開的，藉由作為參考將其公開內容併入此處。在圖1中描繪的該設備還可以包括裝載機構（未示出），該裝載機構能夠將晶圓載具從前艙體38移動到該艙體內並且在操作條件下使該晶圓載具與轉軸24接合，並且還能夠使晶圓載具移出轉軸24並進入前艙體38。

該設備還包括多個晶圓載具。在圖1中示出的操作條件下，在操作位置中第一晶圓載具42設置在反應艙體10的內部，而第二晶圓載具44設置在前艙體38內。每個晶圓載具包括本體46，該本體46基本上是具有中心軸的圓盤形式（參照圖2）。本體46以軸對稱而形成。在操作位置中，晶圓載具本體的軸與轉軸24的中心軸26重合。本體46可以形成為單件或多件的組合。例如在U.S.專利申請公開No.20090155028中所公開的，藉由作為參考將其公開內容併入此處，晶圓載具本體可以包括：轂部（hub），該轂部限定了圍繞該中心軸的本體的小區域；以及較大部分，其界定出圓盤狀本體的剩餘部分。本體46理想地由如下材料形成：該材料不污染該製程並且可以經受住製程中所遇到的溫度。例如，該圓盤的較大部分可以形成為，其大部分地或者整個地由諸如石墨、碳化矽或其它難熔材料的材料形成。本體46通常具有平坦的頂表面48和底表面52，它們大致彼此平行地延伸且大致垂直於該圓盤的中心軸。本體46還具有適於保持多個晶圓的一個或多個晶圓保持特徵部。

在操作中，例如由藍寶石、碳化矽或其它晶體基板形成的圓盤狀晶圓的晶圓54設置在每個晶圓載具的每個容置區56內。典型地，晶圓54具有的厚度比其主表面的尺寸小。例如，直徑大約2英寸（50mm）的圓形晶圓可以為大約430μm厚或更少。如圖1中所示，晶圓54設置有面向上方的頂表面，使得該頂表面在晶圓載具的頂部處暴露。應當注意到在各種實施例中，晶圓載具42承載不同數量的晶圓。例如，在一個實施例中，晶圓載具可以適合於保持六個晶圓。在另一實施例中，該晶圓載具保持25個晶圓。

在典型的MOCVD製程中，將裝載有晶圓的晶圓載具42從前艙體38裝載到反應艙體10中並放置在圖1中示出的操作位置中。在這種情況下，晶圓的頂表面面向上方，朝向氣體分配裝置12。加熱元件34被致動，並且旋轉驅動機構32操作以使轉軸24轉動並因此使晶圓載具42圍繞中心軸26轉動。典型地，以大約每分鐘50-1500轉的旋轉速度旋轉轉軸24。處理氣體供應單元14、16和18被致動以透過氣體分配裝置12供應氣體。該氣體朝向晶圓載具42向下傳送，經過晶圓載具42和晶圓54的頂表面48，並且向下圍繞晶圓載具的周圍而傳送至出口並且傳送至排氣系統22。因而，晶圓載具的頂表面和晶圓54的頂表面暴露於處理氣體，該處理氣體包括由各種處理氣體供應單元所供應的各種氣體的混合。最典型地，在頂表面處的處理氣體主要是由載氣供應單元16供應的載氣組成的。在典型的化學氣相沉積製程中，該載氣可以是氮氣，並且因此在晶圓載具頂表面處的處理氣體主要是由具有一定量的反應氣體成分的氮氣組成的。

加熱元件34主要藉由輻射熱傳輸而將熱量傳輸至晶圓載具42的底表面52。施加至晶圓載具42的底表面52的熱量向上穿過晶圓載具的本體46而流向晶圓載具的頂表面48。穿過本體向上傳遞的熱量還穿過間隙向上傳遞至每個晶圓的底表面，並且穿過該晶圓向上傳遞至晶圓54的頂表面。熱量從晶圓載具42的頂表面48放射，並從晶圓的頂表面向處理艙體的較冷元件（例如向處理艙體的壁以及向氣體分配裝置12）。熱量並從晶圓載具42的頂表面48和晶圓的頂表面被傳送至流經此些表面的處理氣體。

在所描述的實施例中，該系統包括多個特徵部，這些特徵部被設計為確定每個晶圓54的表面的熱均勻性。在本實施例中，溫度分析系統58接收溫度資訊，該溫度資訊可包括來自溫度監控器60的溫度和溫度監控位置資訊。另外，溫度分析系統58接收晶圓載具位置資訊，在一個實施例中其可來自於旋轉驅動機構32。有了這個資訊，溫度分析系統58構建了晶圓載具42上的容置區56的溫度分布圖。溫度分布圖表示每個容置區56或包含在其中的晶圓54的表面上的熱分布。

圖2是根據一實施例的晶圓載具142的立體圖。圖3是同一晶圓載具142的俯視圖。晶圓載具142包括具有頂表面148的本體146和限定於其中的三十六個容置區162。在圖2和圖3中示出的實施例中，容置區162布置在三個圓R1、R2和R3中，每個圓均與由本體146的外邊緣限定的圓是同心的。在徑向內圓R1中，六個容置區162在方位上均勻地間隔開。同樣地，在徑向中圓R2中，十二個容置區162在方位上均勻地間隔開。在徑向外圓R3中，十八個容置區162在方位上均勻地間隔開。每個容置區162是形成在本體146中的孔口，該孔口實質上延伸垂直於頂表面148所配置的平面。

圖2和圖3中描繪的容置區的布置的有利之處在於：在頂表面148上保持相對高密度的容置區162的同時，其提供了期望水準的熱均勻性。在實施例中，頂表面148可以具有大約300mm的直徑。而容置區162的尺寸可容納於適配在這一區域中。例如，在實施例中，容置區162可以具有大約50mm的直徑。

如圖2和圖3所示，在各個圓R1、R2與R3中，容置區162相互交疊並且因而生長在每個容置區162中的晶圓與生長在相鄰的容置區162中的晶圓連接。當完全地生長時，生長在容置區162中的所有晶圓與生長在相同圓中的任何容置區162中的每個其它晶圓機械互連。晶圓接著可以根據需要切開。由於這些晶圓生長為互相機械耦合，在每個單獨容置區162中生長的晶圓不能隨著主體146旋轉而旋轉，如之前所描述的，這種旋轉可能會引起正在生長的晶圓的損傷，至少沿著它們的邊緣損傷。

圖4是圖2和圖3的晶圓載具142的側視圖，示於側視圖中。在圖4中示出的圖中，可以看出頂表面148和底表面152之間的尺寸上的相對差異。尤其是，頂表面還如圖4中顯示，往頁面頂部和底部延伸，或者在圖2和圖3中顯示的圖中進一步向徑向延伸。先前在圖2和圖3中描繪的每個容置區162都從頂表面148朝向底表面152延伸。底表面152提供固態基底，在該固態基底上可以將晶圓生長在晶圓載具142中。

圖5是先前關於圖2至圖4所描述的晶圓載具142的仰視圖。如圖5中所示，晶圓載具142包括在底面152的中心中的鎖定特徵部164。鎖定特徵部164構造為與其他部件接合，例如先前在圖1中描繪的轉軸24的接頭30。在各種實施例中，鎖定特徵部164可以包括例如花鍵（spline）、卡盤（chuck）或鎖控接頭（keyed fitting）。所屬領域的技術人員將會意識到，各種機構都能夠從相鄰部件向晶圓載具142施加角動量。

底面152可以是任何材料，並且在實施例中將其設計為便於熱傳輸。如前所述，在實施例中希望從附近的熱元件（例如圖1中示出的加熱元件34）向底面152傳輸熱量。由此，底面152可以是相對低折射率材料或者可以是由這種物質所塗覆。

晶圓載具142可以由其上適於外延生長的任何材料形成，在實施例中，例如石墨或石墨塗覆材料。在其它實施例中，可以將構成晶圓載具142的材料選擇為匹配所希望的晶格設置或尺寸。同樣地，根據希望生長的晶圓可以使用不同尺寸的容置區162。

圖6是示出了其中一個容置區162的局部立體圖。每個容置區162包括側壁166，除了孔隙空間170之外，其基本上是圓柱形的，其中容置區162與同一圓中的相鄰的容置區162A和162B交疊。由側壁166形成的圓柱的底部是基板168。在實施例中，側壁166可以具有大約430μm的深度。

圖7至圖9描述了包括三十五個容置區262的晶圓載具242的一個替代實施例。圖7至圖9所示的每個元件基本相似於圖2至圖6所描述的實施例的對應附圖標記的特徵。為了清楚，圖7至圖9中的相同部件對應於圖2至圖6中它們的對應部件編號，並且以100循環編號（例如，晶圓載具142與基本上相似於晶圓載具242，並且容置區162基本上相似於容置區262，等等）。雖然這些特徵的一些方面可能不同，例如由於晶圓載具242上的容置區262的不同配置而造成孔隙空間270尺寸的不同，但關於圖2至圖6前面所述配置之益處也適用於關於圖7至圖9所示的實施例。

圖10至圖12描述了包括三十四個容置區362的晶圓載具342的一個替代實施例。圖10至圖12所示的大部分組件基本上類似於關於圖2至圖6或圖7至圖9先前描述的實施例的對應編號的特徵，並且以100循環編號（這樣例如，晶圓載具142和242基本上相似於晶圓載具342，並且容置區162和262基本上相似於容置區362，等等）。一個例外是平坦部372A和372B，其配置在容置區362與圓內的相鄰容置區之間的最接近的點處。平坦部372A和372B允許相鄰的容置區362之間有足夠的空間。因此，在圖10至圖12所示的實施例中，容置區362並未如先前所示關於圖2至圖6和圖7至圖9所述實施般互連。平坦部372A和372B進一步可以防止在外延生長期間生長在每個容置區362內的晶圓旋轉。

這些實施例是用作示例的目的而非限制。附加的實施例為在申請專利範圍內。另外，儘管已參考具體實施例描述了本創作的方面，但是所屬領域的技術人員將會認識到可以在不脫離由申請專利範圍所限定的本創作的範圍的情況下在形式和細節上作出改變。

10‧‧‧（反應）艙體
12‧‧‧氣體分配裝置
14‧‧‧（反應氣體）源
16‧‧‧（載氣）源
18‧‧‧（反應氣體）源
20‧‧‧冷卻系統
22‧‧‧排氣系統
24‧‧‧轉軸
26‧‧‧中心軸
28‧‧‧旋轉貫穿裝置
30‧‧‧接頭
32‧‧‧旋轉驅動機構
34‧‧‧加熱元件
36‧‧‧入口
38‧‧‧前艙體
40、40'‧‧‧門
42‧‧‧晶圓載具
44‧‧‧第二晶圓載具
46‧‧‧本體
48‧‧‧頂表面
52‧‧‧底表面
54‧‧‧晶圓
56‧‧‧留置區
58‧‧‧溫度分析系統
60‧‧‧溫度監控器
142‧‧‧晶圓載具
146‧‧‧本體
148‧‧‧頂表面
152‧‧‧底面
162、162A、162B‧‧‧容置區
164‧‧‧鎖定特徵部
166‧‧‧側壁
168‧‧‧基板
170‧‧‧孔隙空間
242‧‧‧晶圓載具
246‧‧‧本體
248‧‧‧頂表面
262、262A、262B‧‧‧容置區
266‧‧‧側壁
270‧‧‧孔隙空間
342‧‧‧晶圓載具
346‧‧‧本體
348‧‧‧頂表面
362‧‧‧容置區
372A、372B‧‧‧平坦部
R1、R2、R3‧‧‧圓

在連同附圖考慮下列本創作各種實施例的詳細描述後，可以更完整地理解本創作，其中： 圖1是根據一實施例的MOCVD處理艙體的示意圖。 圖2是根據一實施例的具有三十六個容置區配置的晶圓載具的立體圖。 圖3是根據一實施例的具有三十六個容置區配置的晶圓載具的俯視圖。 圖4是根據一實施例的具有三十六個容置區配置的晶圓載具的側視圖。 圖5是根據一實施例的具有三十六個容置區配置的晶圓載具的仰視圖。 圖6是根據一實施例的具有三十六個容置區配置的晶圓載具的部分細節圖，示出了來自立體圖的單個容置區。 圖7是根據一實施例的具有三十五個容置區配置的晶圓載具的立體圖。 圖8是根據一實施例的具有三十五個容置區配置的晶圓載具的俯視圖。 圖9是根據一實施例的具有三十五個容置區配置的晶圓載具的部分細節圖，示出了來自立體圖的單個容置區。 圖10是根據一實施例的具有三十四個容置區配置的晶圓載具的立體圖。 圖11是根據一實施例的具有三十四個容置區配置的晶圓載具的俯視圖。 圖12是根據一實施例的具有三十四個容置區配置的晶圓載具的部分細節圖，示出了來自立體圖的單個容置區。

142‧‧‧晶圓載具

148‧‧‧頂表面

162‧‧‧容置區

R1、R2、R3‧‧‧圓

Claims (15)

1. 一種晶圓載具，該晶圓載具構造為與化學氣相沉積裝置一起使用，該晶圓載具包括： 本體，該本體具有彼此相對布置的頂表面和底表面；以及 多個容置區，該多個容置區限定在該晶圓載具的該頂表面中； 鎖定特徵部，該鎖定特徵部被布置在該底表面上，並用以從相鄰部件向該晶圓載具施加角動量； 其中該多個容置區由總共三十四個至三十六個之間的容置區組成，每個容置區沿著三個圓中的一個圓布置，其中該三個圓彼此同心並且與由該頂表面的周緣所形成的圓形輪廓同心。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中： 該多個容置區中的六個容置區繞該三個圓中的第一個圓布置； 該多個容置區中的十二個容置區繞該三個圓中的第二個圓布置；並且 該多個容置區中的十八個容置區繞該三個圓中的第三個圓布置。
3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中： 該多個容置區中的五個容置區繞該三個圓中的第一個圓布置； 該多個容置區中的十二個容置區繞該三個圓中的第二個圓布置；並且 該多個容置區中的十八個容置區繞該三個圓中的第三個圓布置。
4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中： 該多個容置區中的五個容置區繞該三個圓中的第一個圓布置； 該多個容置區中的十一個容置區繞該三個圓中的第二個圓布置；並且 該多個容置區中的十八個容置區繞該三個圓中的第三個圓布置。
5. 如申請專利範圍第2項至第4項中任一項所述之晶圓載具，其中該第一個圓被該第二個圓圍繞，並且該第二個圓被該第三個圓圍繞。
6. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓載具，其中該多個容置區中的每個容置區均包括大約50mm的容置區直徑。
7. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓載具，其中該多個容置區中的每個容置區均包括深度為大約430μm的徑向壁。
8. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中該多個容置區中的每個容置區均包括大約50mm的容置區直徑。
9. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中該多個容置區中的每個容置區均包括深度為大約430μm的徑向壁。
10. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中該鎖定特徵部布置在該底表面的幾何中心處。
11. 如申請專利範圍第1項或第10項所述之晶圓載具，其中該鎖定特徵部係選自由花鍵、卡盤或鎖控接頭組成的組。
12. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中該頂表面和該底表面均包括一直徑，並且該頂表面的直徑大於該底表面的直徑。
13. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓載具，其中該晶圓載具構造為與金屬氧化物化學氣相沉積裝置一起使用。
14. 如申請專利範圍第2項或第3項所述之晶圓載具，其中該容置區經由孔隙空間互相連接。
15. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓載具，其中該容置區中的每個容置區均包括平坦部，該平坦部被布置為與同一圓內的容置區中的另一個容置區相鄰。