JP2016015492A - キー付きウエハキャリア - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2012年3月20日に出願された米国特許出願第13/424,821号の
継続出願であり、この開示内容は、引用することによって、本明細書の一部をなすものと
する。
本発明は、ウエハ処理装置、このような処理装置に用いられるウエハキャリア、および
ウエハを処理する方法に関する。
には、「ウエハ(wafer)」と一般的に呼ばれる結晶性材料の平板である。典型的に
は、ウエハは、大きな結晶を成長させ、該結晶をディスクの形状に薄切りすることによっ
て形成される。このようなウエハ上で行われる一般的なプロセスの1つが、エピタキシャ
ル成長である。
、有機金属化学蒸着(MOCVD)を用いて化合物半導体の連続層を成長させることによ
って、形成される。このプロセスでは、ウエハは、ガスの組み合わせに晒される。これら
のガスは、典型的には、有機金属化合物をIII族金属の源として含むと共に、V族元素
の源も含んでいる。これらのガスは、ウエハが高温に維持されている間に、ウエハの表面
上に流されることになる。典型的には、有機金属化合物およびV族源は、殆ど反応に関与
しないキャリアガス、例えば、窒素と組み合わされている。III−V族半導体の一例と
して、適切な結晶格子面間隔を有する基板、例えば、サファイアウエハ上での有機ガリウ
ム化合物とアンモニアとの反応によって形成される窒化ガリウムが挙げられる。典型的に
は、ウエハは、窒化ガリウムおよび関連する化合物の堆積中に、約500℃〜約1100
℃の温度に維持されている。
元素またはV族元素を添加するなど、反応条件をいくらか異ならせて、多数の層を連続的
にウエハの表面上に堆積させることによって、製造可能である。例えば、窒化ガリウム基
半導体では、半導体のバンドギャップを変化させるために組成比を変化させるのに、イン
ジウム、アルミニウム、またはそれらの両方が用いられてもよい。また、各層の導電率を
制御するために、p−型ドーパントまたはn−型ドーパントが添加されてもよい。半導体
層の全てが形成された後、典型的には、適切な電気接点が施された後、ウエハは、個々の
素子に切断される。このようにして、発光ダイオード(「LED」)、レーザー、および
他の電子素子や光電素子のような素子を製造することができる。
構成要素上に、各ウエハの上面がウエハキャリアの上面に露出するように、保持されるよ
うになっている。次いで、ウエハキャリアは、反応チャンバ内に配置され、所望の温度に
維持される一方、ガス混合物がウエハキャリアの表面上に流されることになる。処理中、
キャリア上の種々のウエハの上面のあらゆる点において均一な条件を維持することが重要
である。反応ガスの組成およびウエハ表面の温度のわずかな変動によって、得られる半導
体素子の特性の望ましくない変動が生じることになるからである。
ガス濃度の変動によって、堆積層の組成およびバンドギャップの変動が生じる。インジウ
ムは、比較的高い蒸気圧を有するので、堆積層は、表面温度が高いウエハの領域では、低
比率のインジウムおよび大きいバンドギャップを有することになる。もし堆積層がLED
構造の能動発光層であるなら、該ウエハから形成されるLEDの発光波長も変動すること
になる。このような理由から、当技術分野において、均一な条件を維持することに向けて
、これまで著しい努力が払われてきている。
を保持するように適合された多数のウエハ保持領域を有する大径ディスクの形態にあるウ
エハキャリアを用いている。ウエハキャリアは、反応チャンバ内において、ウエハの露出
面を有するウエハキャリアの上面がガス分配要素に向かって上向きになるように、スピン
ドル上に取外し可能に支持されるようになっている。スピンドルが回転される一方、ガス
がウエハキャリアの上面に向かって下方に導かれ、該上面を横切って、ウエハキャリアの
周辺に向かって流れる。使用済みのガスは、排気ポートを通って反応チャンバから排気さ
れるようになっている。排気ポートは、ウエハキャリアの下方において、スピンドルの軸
の周りに、典型的には、チャンバの周囲の近くに分配されている。
電気抵抗加熱要素によって、所望の高温に維持されるようになっている。これらの加熱要
素は、ウエハ表面の所望の温度を超える温度に維持される一方、ガス分配要素は、典型的
には、ガスの時期尚早の反応を防ぐために、所望の反応温度よりもかなり低い温度に維持
される。従って、熱は、加熱要素からウエハキャリアの底面に伝達され、ウエハキャリア
内を個々のウエハに向かって上方に流れることになる。
テーパ接触面を有していてもよく、ウエハキャリアは、ウエハキャリアの底面からウエハ
キャリア内に延在する凹部内にテーパ接触面を有していてもよい。スピンドルおよびウエ
ハキャリアのそれぞれのテーパ接触面は、ウエハキャリアがスピンドル上に組み合わされ
るとき、それらの間に表面接触をもたらすように構成されている。スピンドルとウエハキ
ャリアのそれぞれのテーパ接触面間の表面接触の中心軌跡は、典型的には、ウエハキャリ
アの重心の上方に位置しており、これによって、ウエハキャリアは、スピンドルが回転す
るとき、スピンドル上に着座した状態で維持される傾向にある。このウエハキャリアは、
スピンドルから容易に取り外され、処理されるべき新しいウエハを支持する新しいウエハ
キャリアに置き換えられることが可能である。
変化、例えば、室温と1000℃との間の温度変化に耐えねばならなく、取替え可能でな
ければならなく、合理的なコストで製造可能でなければならなく、ウエハを汚染させない
ものでなければならない。また、ロボット機器が比較的容易にウエハキャリアをスピンド
ル上に配置させるようになっていなければならない。当技術分野において、これまで、こ
のようなシステムを最適化させるために著しい努力が払われてきているが、さらに一層の
改良が依然として必要とされている。
の一態様は、化学蒸着反応器のための構造体であって、ウエハキャリアを備えている、構
造体を提供している。ウエハキャリアは、望ましくは、互いに反対側を向く上面および底
面と上面および底面と実質的に直交する垂直回転軸とを画定する本体と、少なくとも1つ
のウエハ保持特徴部と、本体の底面から本体内に延在する凹部と、第1の横断軸に沿って
回転軸から離れる方に凹部の周縁から外方に突出するキー溝と、を備えている。少なくと
も1つのウエハ保持特徴部は、ウエハを該ウエハの表面が本体の上面に露出するように保
持することができるように構成されているとよい。
ンバと反応チャンバ内に取り付けられたスピンドルとを備えている、構造体を提供してい
る。スピンドルは、好ましくは、垂直回転軸に沿って延在するシャフトを有しており、シ
ャフトは、上端、上端から下方に延在するテーパ部、およびテーパ部の下方の主部を有し
ている。シャフトは、好ましくは、垂直回転軸を横切る第1の横断軸に沿ってシャフトの
主部から外方に突出するキーをさらに有している。シャフトのテーパ部は、回転軸の周り
に拡がるテーパ接触面を画定しているとよく、テーパ接触面は、上端から離れる下向き方
向に徐々に大きくなる直径を有しているとよい。
応チャンバと、反応チャンバ内に取り付けられたスピンドルと、スピンドルと共に垂直回
転軸を中心として回転するように、スピンドル上に取外し可能に取り付けられたウエハキ
ャリアとを備えている、構造体を提供している。スピンドルは、望ましくは、垂直回転軸
に沿って延在するシャフトおよび垂直回転軸を横切る第1の横断軸に沿ってシャフトから
外方に突出するキーを有している。ウエハキャリアは、望ましくは、互いに反対側を向く
上面および底面を画定する本体、およびウエハを該ウエハの表面が本体の上面に露出する
ように保持することができるように構成された少なくとも1つのウエハ保持特徴部を有し
ている。ウエハキャリアは、好ましくは、本体の底面から本体内に延在する凹部および第
1の横断軸に沿って凹部の周縁から外方に突出するキー溝を有している。シャフトは、好
ましくは、凹部内に係合されており、キーは、好ましくは、キー溝内に係合されている。
部は、キー溝内に露出した本体の下向き面と離間して向き合う上面を有していてもよく、
これによって、キーは、シャフトに対する下向きの運動に対して、本体を拘束しないこと
になる。一例では、シャフトは、上端および上端から離れる下向き方向において徐々に大
きくなる直径を有するテーパ接触面を有していてもよい。例示的な実施形態では、シャフ
トは、テーパ接触面よりも下方に主部を有していてもよく、キーは、シャフトの主部に係
合されるようになっていてもよい。特定の例では、ウエハキャリアの本体は、下向きの凹
部端面および凹部において凹部端面から下方に延在するテーパ接触面を有していてもよい
。本体のテーパ接触面は、シャフトのテーパ接触面に少なくとも部分的に接触するように
なっていてもよい。凹部端面は、スピンドルの上端から離間するようになっていてもよい
。
心軌跡は、本体の重心の上方に位置するようになっていてもよい。例示的な実施形態では
、上記のキーは、第1のキーであってもよく、上記のキー溝は、第1のキー溝であっても
よい。スピンドルは、1つまたは複数の第2のキーをさらに備えていてもよく、第2のキ
ーの各々は、垂直回転軸を横切るそれぞれの第2の横断軸に沿ってシャフトから外方に突
出していてもよい。ウエハキャリアは、1つまたは複数の第2のキー溝をさらに備えてい
てもよく、第2のキー溝の各々は、第2の横断軸のそれぞれ1つに沿って凹部の周縁から
外方に突出していてもよい。第2のキーの各々は、第2のキー溝の対応する1つに係合す
るようになっていてもよい。
もよく、キーは、開口内に係合されるシャンクを備えていてもよい。例示的な実施形態で
は、スピンドルは、垂直回転軸に沿ってシャフトの上端から延在する凹部をさらに画定し
ていてもよい。スピンドルは、凹部内に取外し可能に係合されるフォークをさらに備えて
いてもよい。フォークは、一対の分岐部を有していてもよい。キーのシャンクは、フォー
クの分岐部間に係合されるようになっていてもよい。特定の例では、キーのシャンクは、
フォークの2つの分岐部間に位置する中心部および中心部に隣接する端部を有していても
よい。中心部は、フォークの分岐部間の分離距離よりも小さい幅を有していてもよい。各
端部は、分離距離よりも大きい幅を有していてもよく、これによって、キーは、2つの分
岐部間に連結され、第1の横断軸に沿ったシャフトに対する運動に対して、フォークによ
って拘束されることになる。
を備えていてもよい。各側面は、分岐部の1つの表面に隣接して配置されていてもよく、
これによって、キーは、第1の横断軸を中心とする回転に対して、フォークによって回転
方向に固定されることになる。特定の実施形態では、キーおよびフォークは、各々、第1
の材料から本質的になっていてもよく、シャフトは、第1の材料と異なる第2の材料から
本質的になっていてもよい。一実施形態では、フォークは、ネジ付き開口を備えていても
よく、ネジ付き開口は、シャフトの上端に露出していてもよい。特定の例では、キーは、
シャフトの外側に配置される先端部を有していてもよい。先端部は、開口の直径よりも大
きい垂直回転軸と平行の長手方向における高さを有していてもよい。例示的な実施形態で
は、キーの先端部は、シャフトの上端の方を向く丸みのある上面を有していてもよい。一
実施形態では、上記のキーは、第1のキーであってもよく、スピンドルは、1つまたは複
数の第2のキーをさらに備えていてもよい。第2のキーの各々は、垂直回転軸を横切るそ
れぞれの横断軸に沿ってシャフトから外方に突出していてもよい。
画定された複数のポケットを備えていてもよい。各ポケットは、ウエハを保持することが
できるように構成されていてもよい。前記ポケットの各々は、中心を有していてもよい。
一実施形態では、ポケットの少なくともいくつかは、回転軸に隣接して配置されていても
よく、回転軸を中心として分配された円パターンに、パターンにおいて互いに隣接するポ
ケットの中心間に間隔を置いて、配列されていてもよい。キー溝は、前記間隔の1つと真
っ直ぐに並んでいてもよい。例示的な実施形態では、円パターンに配列されたポケットの
少なくともいくつかは、垂直回転軸を中心として対称的に分配されていてもよい。
との間に延在する周面の少なくとも1つに画定された基準指標を有していてもよい。基準
指標は、撮像装置にとって可視になっていてもよい。指標は、回転軸を中心とする周方向
においてキー溝に対する所定位置に配置されていてもよい。一実施形態では、ウエハキャ
リアの底面に平行の面であって、第1の横断軸を含んでいる面が、基準指標を貫通してい
てもよい。
す信号をもたらすように構成されたエンコーダと、基準指標の回転位置を検出するように
構成された自動視覚化システムと、キーおよびキー溝のそれぞれの回転位置を真っ直ぐに
並べるように、ウエハキャリアおよびスピンドルの少なくとも1つを回転させるように構
成されたロボット制御システムと、をさらに備えていてもよい。特定の例では、ウエハキ
ャリアは、実質的にディスク状であってもよい。例示的な実施形態では、上記のキー溝は
、第1のキー溝であってもよく、ウエハキャリアは、1つまたは複数の第2のキー溝をさ
らに備えていてもよい。第2のキー溝の各々は、垂直回転軸を横切るそれぞれの横断軸に
沿って凹部の周縁から外方に突出していてもよい。
していてもよい。位置決め要素は、反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有し
ていてもよい。構造体は、スピンドルおよび位置決め要素に取外し可能に連結されるよう
に構成された原点復帰工具をさらに備えていてもよい。特定の例では、原点復帰工具は、
キーを受け入れるように構成された長孔を有していてもよい。例示的な実施形態では、
スピンドルは、シャフトまたはキーの少なくとも1つに画定された基準指標を有していて
もよい。指標は、回転軸を中心とする周方向においてキーに対する所定位置に配置されて
いてもよい。構造体は、基準指標の回転位置を検出するように構成された非接触視覚化シ
ステムをさらに備えていてもよく、視覚化システムは、反応チャンバに設定された座標系
と既知の関係を有していてもよい。
しくは、少なくとも1つのウエハをウエハキャリア上に配置するステップと、反応チャン
バ内に位置するスピンドル上にウエハキャリアを、スピンドルと共に垂直回転軸を中心と
して回転するように、取外し可能に取り付けるステップと、ウエハキャリアがスピンドル
上に取り付けられている間に、スピンドルおよびウエハキャリアを回転軸を中心として回
転させ、少なくとも1つのウエハの各々の上面を処理するステップと、を含んでいる。ウ
エハキャリアは、望ましくは、互いに反対側を向く上面および底面を画定しており、垂直
回転軸は、望ましくは、上面および底面と実質的に直交している。ウエハキャリアをスピ
ンドル上に取外し可能に取り付けるステップは、好ましくは、スピンドルのシャフトが、
ウエハキャリアの底面からウエハキャリア内に延在する凹部内に係合するように、かつ第
1の横断軸に沿って回転軸から離れる方にシャフトの周縁から外方に突出するキーが、第
1の横断軸に沿って回転軸から離れる方に凹部の周縁から外方に突出するキー溝内に取外
し可能に係合するように、行われるようになっている。
の回転方位を検出するステップと、ウエハキャリアをスピンドル上に取り付ける前に、キ
ーおよびキー溝を自動的に真っ直ぐに並べるステップと、をさらに含んでいてもよい。特
定の実施形態では、ウエハキャリアの回転方位を検出するステップは、自動視覚化システ
ムを用いて、ウエハキャリア上の少なくとも1つの基準指標の位置を検出することを含ん
でいてもよい。例示的な実施形態では、スピンドルの回転方位を検出するステップは、ス
ピンドルに接続された回転エンコーダを用いて行われてもよい。
ンドルの回転方位を、反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有するホームポジ
ションとして指定するステップと、をさらに含んでいてもよい。一例では、この方法は、
検出ステップおよび指定ステップの前に、原点復帰工具をスピンドルに取外し可能に連
結し、原点復帰工具を回転させ、原点復帰工具を反応チャンバの壁または基部プレートの
位置決め要素に取外し可能に連結することをさらに含んでいてもよい。位置決め要素は、
反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有していてもよい。例示的な実施形態で
は、 スピンドルの回転方位を検出するステップは、スピンドルを回転させ、非接触視覚
化システムを用いて、スピンドル上の少なくとも1つの基準指標の位置を検出することを
含んでいてもよい。視覚化システムは、反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を
有していてもよい。
チャンバ12を備えている。反応チャンバ12は、該チャンバ12の一端に配置されたガ
ス入口マニホールド14を有している。ガス入口マニホールド14を有するチャンバ12
の端は、本明細書では、チャンバ12の「上(top)」端と呼ばれている。チャンバの
この端は、典型的には、必ずしもこれに限らないが、通常の重力基準系におけるチャンバ
の頂部に配置されている。従って、本明細書において用いられる下向き方向は、ガス入口
マニホールド14から離れる方向を指し、上向き方向は、チャンバ内においてガス入口マ
ニホールド14に向かう方向を指している。これは、これらの方向が重力による上向き方
向および下向き方向と一致しているか否かとは無関係である。同様に、要素の「上(to
p)」面および「底(bottom)」面は、本明細書では、チャンバ12およびマニホ
ールド14の基準系に基づいて記載されている。
4との間に延在する円筒壁20を有している。壁20、フランジ22、および基部プレー
ト24は、それらの間に気密封止された内部領域26を画定している。内部領域26は、
ガス入口マニホールド14から放出されたガスを商用することが可能となっている。チャ
ンバ12は、円筒状として示されているが、他の実施形態は、他の形状、例えば、円錐ま
たは中心軸32を中心とする他の回転面、正方形、六角形、八角形、または任意の他の適
切な形状を有するチャンバを備えていてもよい。
、キャリアガスおよび有機金属化合物およびV族元素の源のような反応ガスを供給するた
めの供給源に接続されている。典型的な化学蒸着プロセスでは、キャリアガスは、窒素、
水素、または窒素と水素との混合物とすることができる。従って、ウエハキャリアの上面
におけるプロセスガスは、ある量の反応ガス成分を含む窒素および/または水素から主に
構成されている。ガス入口マニホールド14は、種々のガスを受容し、プロセスガスの流
れを略下向き方向に導くように、構成されている。
媒システムは、運転中にガス分配要素の温度を所望の温度に維持するために、液体を該要
素を通って循環させるように構成されている。チャンバ12の壁を冷却するために、同様
の冷媒装置(図示せず)が設けられていてもよい。
バに通じる入口開口16、および入口開口16を開閉するための可動シャッター18を備
えることができる。シャッター18は、例えば、米国特許第7,276,124号に開示
されているように構成されていてもよい。この文献の開示内容は、引用することによって
、本明細書の一部をなすものとする。シャッター18は、望ましくは、チャンバ12の周
囲に延在する円形フープの形態にある。シャッター18は、チャンバ12の内面を画定す
る内面19を有しているとよい。
れている。スピンドル30の垂直回転軸32は、反応チャンバ12の上下方向に延在して
いる。スピンドルは、軸受およびシール(図示せず)が組み込まれた従来の回転貫通装置
34によって、チャンバ12に取り付けられている。従って、スピンドル30は、スピン
ドル30とチャンバ12の基部プレート24との間の密封を維持しながら、垂直回転軸3
2を中心として回転することができる。
ャフト36を有している。シャフトは、ガス入口マニホールド14に最も近い上端70と
、上端から下方に延在するテーパ部72と、テーパ部の下方の主部74とを有している。
シャフト36のテーパ部72は、回転軸32の周りに拡がっており、テーパ接触面73を
画定している。テーパ接触面73は、回転軸の周りに拡がっており、上端70から離れる
下向き方向に徐々に大きくなる直径を有している。例えば、テーパ接触面73は、シャフ
ト36の上端70に第1の直径D1を有しており、この直径は、主部74において第1の
直径D1よりも大きい第2の直径D2まで、下向き方向に大きくなっている。
む面を横切る(すなわち、交差する)第1の横断軸33(図2C)に沿ってシャフト36
を貫通している。本明細書に用いられる「第1の軸が第2の軸を含む面を横切る(tra
nsverse)」という記述は、第1の軸が、傾斜角であってもよいしまたは直角であ
ってもよい任意の非ゼロ角度で、第2の軸を含む面と交差することを意味している。図面
に示されている実施形態では、第1の横断軸33は、垂直回転軸32と直交しているが、
必ずしもこの限りではない。特定の実施形態では、開口37は、第1の横断軸33が垂直
回転軸32と交差しないように、傾斜角でシャフト36を貫通していてもよい。
ー80(図2F〜図2H)を、該キー80が開口37を貫通するように、受け入れるよう
に構成されているとよい。図面では、開口37は、シャフト36の主部74を貫通してい
るが、必ずしもこの限りではない。(図示されていない)代替的実施形態では、開口37
は、シャフト36のテーパ部72を貫通していてもよいし、シャフトのテーパ部と主部と
が交差する箇所を貫通していてもよい。いくつかの実施形態では、例えば、図8Aおよび
図8Bの実施形態では、スピンドルは、以下にさらに詳細に述べるように、貫通しない1
つまたは複数のキーを備えていてもよいし、または該キーを受け入れるように構成されて
いてもよい。
えている。シャンク82は、シャンク軸81の方向に延びている。シャンク82は、中心
部84および該中心部に隣接する端部86を有している。中心部84は、互いに向き合っ
た実質的に平面状の側面85を備えることができ、この場合、中心部は、端部86の幅W
2よりも小さい幅W1を有している。端部86は、各々、円断面を有しているとよい。端
部86の1つは、以下に述べる組立中にスクリュードライバーの先端を受け入れるように
構成された長孔状凹部87を画定していてもよい。
ャンク軸81を横切る長手方向Lにおける高さH1を有しており、高さH1は、シャフト
36の開口37の直径D3よりも大きくなっている。図面に示されているように、先端部
88の高さH1は、シャンク82の高さH2よりも大きくなっているとよい。(図示され
ていない)代替的実施形態では、先端部88の高さH1は、シャンク82の高さH2と等
しいかまたは小さくなっていてもよい。一例では、キー80の先端部88は、シャンク軸
81に沿って見た端面図(図2G)において、丸みのある上面89を有していてもよい。
る凹部39をさらに画定することができる。凹部39は、垂直回転軸32に沿って延在す
るフォーク90(図2Dおよび図2E)を受け入れるように構成されているとよい。
対の分岐部96を備えている。フォーク90は、凹部39内に取外し可能に係合されるよ
うに構成されているとよい。フォークの上部94は、円断面を有することができ、分岐部
96は、各々、円の一部である断面を有することができる。間隙97が、分岐部間に画定
されている。分岐部96の各々は、間隙97に向かって内方を向く実質的に平面状の側面
98を有しているとよい。フォーク90は、シャフト36の上端に露出するネジ付き開口
99を備えていてもよく、これによって、ボルトをこのネジ付き開口内にねじ込み、該ボ
ルトをフォークを引き出すように引っ張ることによって、ユーザーがフォークを凹部39
から取り出すことができる。
30上に取り付けられる前に、シャフト36に組み込まれるようになっている。キー80
をシャフト36に組み込むために、キーのシャンク82が、シャフトの開口37内に係合
される。この場合、キーの先端部88は、第1の横断軸33に沿ってシャフトから外方に
突出するように、シャフトの外側に配置される。図面に示されている実施形態では、キー
80がシャフト36内に係合されたとき、シャンク軸81は、第1の横断軸33と一致す
る。図4に示されているように、開口37がシャフト36の主部74を貫通しているので
、キー80は、シャフトの該主部に係合することになる。
シャフト36の垂直回転軸32と平行に配向させるべきである。ユーザーは、長孔状凹部
87内にスクリュードライバーの先端を挿入し、スクリュードライバーをシャンク軸81
を中心として回転させることによって、キー80を所望の方位に回転させることができる
。
2がシャフト36の上端70に位置するように、フォーク90をスピンドル30の凹部3
9内に係合させるとよい。キー80のシャンク82がフォーク90の分岐部96間に係合
するように、フォーク90を凹部39内に押し下げる。キー80の中心部84の各側面8
5が分岐部96の1つの実質的に平面状の側面98に隣接して配置され、その結果、キー
は、第1の横断軸33を中心とする回転に対して、フォーク90によって回転方向におい
て固定されることになる。
(図2D)よりも小さい幅W1(図2H)を有しており、シャンクの各端部86は、フォ
ークの分岐部間の分離距離よりも大きい幅W2(図2H)を有している。従って、キーは
、2つの分岐部間に連結され、第1の横断軸33に沿ったシャフト36の運動に対して、
フォークによって拘束されることになる。
なっているとよく、シャフト36は、第1の材料と異なる第2の材料から本質的になって
いるとよい。例えば、キー80およびフォーク90は、WLのようなタングステン合金か
ら作製されているとよく、シャフト36は、TZMのようなモリブデン合金から作製され
ているとよい。キー80、フォーク90、およびシャフト36間のこのような材料の組み
合わせによって、装置10の高温下の運転中、シャフトおよびキーおよび/またはフォー
ク間の付着を防ぐことができる。
転させるように構成された電動モータ駆動装置のような回転駆動機構38に接続されてい
る。スピンドル30は、ガス通路内においてスピンドルの略軸方向に延在する内部冷媒通
路を備えていてもよい。内部冷媒通路は、冷媒源に接続されていてもよく、この場合、流
体冷媒は、冷媒源から冷媒通路を通って冷媒源に戻るように、循環するようになっている
。
ルの回転方位を表す信号をもたらすように構成されたエンコーダ31に接続されていても
よい。特定の実施形態では、エンコーダ31は、回転駆動機構38に連結された高解像回
転エンコーダとすることができる。もし装置10において達成することができるようなス
ピンドルとウエハキャリアのそれぞれの回転方位間の既知の関係が存在するなら、スピン
ドル30を中心とするこのような回転方位情報を用いて、ウエハキャリア40の回転方位
を決定することができる。
状本体40aは、平坦な円形の上面41および底面44と、これらの上面および底面と実
質的に直交する垂直回転軸42とを有している。図1に示されている運転位置では、ウエ
ハキャリア40は、ウエハキャリアの垂直回転軸42がスピンドルの垂直回転軸32と一
致するように、スピンドル30上に取り付けられている。ウエハキャリア40は、チャン
バ12内においてガス入口マニホールド14の下方に位置している。従って、ウエハキャ
リアが回転している間、ガス入口マニホールドがガスをウエハキャリアに向かって下方に
放出することができる。シャッター18が図1に示されている運転位置にあるとき、シャ
ッターの内面19は、ウエハキャリア40を取り囲んでいる。
として形成されていてもよい。例えば、米国特許出願公開第2009/0155028号
に開示されているように、ウエハキャリア40は、中心軸42を包囲するウエハの小さい
領域を画定するハブおよびディスク状本体40aの残りを画定する大きな部分を備えてい
てもよい。なお、この文献の開示内容は、引用することにより、本明細書の一部をなすも
のとする。
スにおいて受ける温度に耐えることができる材料から形成されているとよい。例えば、ウ
エハキャリア40の大きい部分は、黒鉛、炭化ケイ素、窒化ボロン、窒化アルミ、または
他の高温材料のような材料から殆どまたは全てが形成されているとよい。ウエハキャリア
40は、略平坦な上下面を有している。これらの上下面は、互いに略平行に延在し、ウエ
ハキャリアの垂直回転軸42と略直交している。一例では、ウエハキャリア40は、約3
00mmから約700mmの間の直径を有している。
エハ保持特徴部を備えることができる。このようなウエハ保持特徴部は、ポケット43の
形態で示されている。ポケット43は、ウエハキャリア40の周りに周方向に沿って配置
されているとよい。このようなポケットは、各々、ディスク状ウエハ50を取外し可能に
受け入れるように、かつこのようなウエハを以下に述べるようなMOCVDプロセス中に
保持するように、構成されている。一例では、ポケット43の少なくともいくつかは、垂
直回転軸42に隣接して配置されているとよく、例えば、ポケットが1つまたは複数の同
心リングを有する形態で配置されているとき、垂直回転軸の周りに分配された円パターン
に、該パターンにおいて互いに隣接するポケットの中心46間に間隔45を置くように、
配列されているとよい。特定の実施形態では、垂直回転軸42の周りに分配された円パタ
ーンに配列されたポケット43は、垂直回転軸の周りに対称的に分配されていてもよい。
ポケット43は、円パターンに配列されるように図示されているが、他の実施形態では、
ポケットは、他のパターン、例えば、矩形アレイまたは六方最密形態の一部として配置さ
れていてもよい。
ことができる。典型的には、各ウエハ50は、その主面の寸法と比較して小さい厚みを有
している。例えば、直径約2インチ(50mm)の円形ウエハ50は、約430μm以下
の厚みを有しているとよい。各ウエハ50は、ウエハの上面がウエハキャリア本体40a
の上面41に露出するように、その上面を上方に向けて、ウエハキャリア40上にまたは
該ウエハキャリア40に隣接して配置されるとよい。ウエハ50は、ウエハキャリア40
の上面41と同一平面またはほぼ同一平面にあるとよい。
ることができる。本体40aは、下向きの凹部端面100および該凹部端面から下方に延
在するテーパ接触面102を有しているとよい。凹部端面100およびテーパ接触面10
2は、凹部47内に露出しているとよい。
沿って回転軸42から離れる方に凹部の周縁104から外方に突出している。第1の横断
軸106は、垂直回転軸42を含む面を横切っている(すなわち、第1の横断軸は、傾斜
角であってもよいしまたは直角であってもよい任意の非ゼロ角度で垂直回転軸を含む面と
交差している)。図3Cに示されているように、第1の横断軸106は、垂直回転軸42
と交差していてもよいが、必ずしもこの限りではない。特定の実施形態では、キー溝48
は、第1の横断軸106が垂直回転軸42と交差しないように、傾斜角で凹部48の周縁
104から外方に突出していてもよい。本明細書において、キー溝48が第1の横断軸1
06に沿って突出すると記載されるとき、これは、第1の横断軸がウエハキャリア40の
底面44と平行の面内にあること、および第1の横断軸が挿入縁114と下向き面108
との間に延在するキー溝の互いに反対側を向く横方向キー接触面105から等距離に位置
していることを意味している。
は、互いに隣接するポケット43が垂直回転軸42に隣接して配置され、該垂直回転軸の
周りに分配された円パターンに配列されたとき、キー溝48は、互いに隣接するこれらの
ポケット43の中心46間の間隔45の1つと真っ直ぐに並ぶようになっているとよい。
て、キー溝の近くにおけるウエハキャリア40を通る熱伝導の熱特性の変化を最小限に抑
えることができる。この熱的影響は、キー溝の「熱遮断(thermal shadow
)」と呼ばれることがある。キー溝48を間隔45の1つと真っ直ぐに並べることによっ
て、この熱遮断をポケット43から可能な限り離すことができる。
いるが、必ずしもこれに限らない。図4に示されている運転位置では、ウエハキャリア4
0は、ウエハキャリアの第1の横断軸106がスピンドルの第1の横断軸33と一致する
ように、スピンドル30上に取り付けられている。
110および/または1つまたは複数のマーキング112の形態にある基準指標を有して
いてもよい。1つまたは複数の凹み110および/またはマーキング112のような基準
指標は、本体40aの上面41、底面44、またはこれらの上面と底面との間に延在する
周面49の少なくとも1つに画定されているとよい。一実施形態では、基準指標は、撮像
装置、例えば、以下に述べる自動視覚化システム116にとって可視になっているとよい
。
おいてキー溝48に対して所定の位置に配置されているとよい。例えば、底面44と平行
の面であって、第1の横断軸106を含んでいる面が、凹み110および/またはマーキ
ング112のような基準指標を貫通しているとよい。従って、第1の横断軸は、基準指標
を貫通するか、または基準指標の直上または直下の位置を貫通することになる。凹み11
0および/またはマーキング112は、例えば、ユーザーまたは以下に述べる制御システ
ム118によって知ることができる(キー溝48に対する)どのような位置に配置されて
いてもよく、これによって、凹みおよび/またはマーキングの位置を観察することによっ
て、キー溝の位置を決定することができる。
ドル30と共に回転することができるように、スピンドル30上に取外し可能に取り付け
られているとよい。図面に示されている実施形態では、ウエハキャリア40がスピンドル
30上に取り付けられたとき、垂直回転軸32,42は、互いに一致し、第1の横断軸3
3,106は、互いに一致している。
パ接触面73に少なくとも部分的に接触するように、かつ凹部端面100がスピンドルの
上端から離間するように、ウエハキャリア40の凹部47内に係合されている。凹部端面
100は、間隙G1だけ、スピンドルの上端70から離間するようになっている。図4に
示されているように、本体40aおよびシャフト36のそれぞれのテーパ接触面102,
73間の表面接触の中心軌跡C1は、本体の重心C2の上方に位置するようになっている
。
上面89と離間して向き合うように、キー溝48内に係合されている。図4に示されてい
るように、本体40aの表面108は、間隙G2だけ、キー80の先端部88の上面89
から離間するようになっている。表面108,89間のこのような間隙G2によって、キ
ー80は、スピンドル30に対するウエハキャリア40の回転運動を拘束することができ
る一方、スピンドルのシャフト36に対するウエハキャリアの本体40aの下向き運動を
拘束しないことになる。特定の例では、キー80の先端部88の上面89は、面取り縁を
有していてもよく、および/またはキー溝48の挿入縁114が面取りされていてもよい
。これによって、もしウエハキャリアがスピンドル上に取り付けられたときにウエハキャ
リア40がスピンドル40に対して回転方向において完全に位置合わせされていない場合
(例えば、第1の横断軸106,33が完全に一致していない場合)、キー溝内へのキー
80のいくらかの自己整合が可能になる。
40は、ウエハ50の表面に所望の温度をもたらすために、加熱される。このような加熱
のために、加熱要素60が、シャフト36の上端70の下方においてスピンドル30を囲
むように、チャンバ12内に取り付けられている。加熱要素60は、主に放射伝熱によっ
て、ウエハキャリア40の底面44に熱を伝達するようになっている。ウエハキャリア4
0の底面に加えられた熱は、ウエハキャリアの本体40aを通って上向きにその上面41
に流れる。熱は、ウエハキャリア40によって保持された各ウエハ50の底面に向かって
上方に、次いで、ウエハを通って上向きにその上面に流れる。熱は、ウエハ50の上面か
らプロセスチャンバ12の冷めたい要素、例えば、プロセスチャンバの壁20およびガス
入口マニホールド14に放射される。また、熱は、ウエハ50の上面からこれらの表面を
横切るプロセスガスにも伝達される。
、ウエハキャリア40の種々の部分(例えば、スピンドル30の垂直回転軸32から第1
の半径方向距離に位置する第1の環状部および垂直回転軸から第2の半径方向距離に位置
する第2の環状部)を異なって加熱することができる。
低減させる外側ライナー(図示せず)を備えていてもよい。例示的実施形態では、加熱要
素60からの熱をチャンバ12の底端の基部プレート24に向かって下方に導くことなく
、ウエハキャリアに向かって上方に導くのを助長するために、ヒートシールド61が加熱
要素60の下方に、例えば、ウエハキャリア40と平行に位置するように設けられていて
もよい。
た排気システム62も備えている。排気システム62は、ウエハキャリア40が占める位
置の下方においてチャンバ12に接続されているとよい。排気システム62は、チャンバ
12の底またはその近くに排気マニホールド63を備えていてもよい。排気マニホールド
63は、反応チャンバ12の外に使用済みガスを運ぶように構成されたポンプ65または
他の真空源に接続されているとよい。
た自動視覚化システム116を備えることができる。自動視覚化システム116は、例え
ば、凹み110またはマーキング112のような基準指標の回転位置を検出するように構
成されている。装置10は、ウエハキャリア40およびスピンドル30の少なくとも1つ
を回転するように構成されたロボット制御システム118をさらに備えていてもよい。一
例では、自動視覚化システム116およびエンコーダ31からの回転位置情報がロボット
制御システム118に送られ、ロボット制御システムが、前述したように、ウエハキャリ
アを装置10内にローディングする前またはその最中に、ウエハキャリア40およびスピ
ンドル30の少なくとも1つを回転させることができる。
の関係を有するキー付き構成要素(図示せず)を備えていてもよい。このような例では、
ユーザーまたは自動視覚化システム116は、基準指標110または112の回転位置を
検出することができ、次いで、ユーザーまたは自動視覚化システムは、この回転位置情報
を用いて、キー溝48をキー付き構成要素と真っ直ぐに並べることができる。いったんこ
のような位置合せが行われたなら、ロボット制御システム118は、ウエハキャリア40
をチャンバ12内にローディングする前に、反応チャンバ12に設定された座標系に対す
るキー溝48の回転位置を知ることができ、この回転位置を用いて、ウエハキャリアを反
応チャンバ内にローディングする前に、ウエハキャリアおよび/またはスピンドル30を
回転させることができる。
に、シャッター18を開位置に下げることによって、入口開口16が開かれる。次いで、
ユーザーまたは自動視覚化システム116が、(キー溝48の回転位置と既知の関係を有
する)基準指標の位置を検出することによって、好ましくは、チャンバ12の外側におい
て、例えば、前置チャンバ17内において、ウエハキャリア40の回転方位を検出するこ
とができる。また、エンコーダ31が、(キー80の回転位置と既知の関係を有する)ス
ピンドルの回転方位を検出することができる。
16によって得られた基準指標の回転位置に関する情報およびエンコーダ31によって得
られたスピンドル30の回転位置に関する情報を用いて、ウエハキャリア40がスピンド
ルに取り付けられるとき、キー80およびキー溝48のそれぞれの回転位置が真っ直ぐに
並ぶかどうかを決定することができる。もしキー80およびキー溝48が回転方向におい
て真っ直ぐに並んでいないなら、ユーザーまたはロボット制御システム118は、ウエハ
キャリアをスピンドルに取り付ける前に、キーおよびキー溝のそれぞれの回転位置を真っ
直ぐに並べるために、ウエハキャリア40およびスピンドル30の少なくとも1つを回転
させることができる。
填されたウエハキャリア40が、前置チャンバ17からチャンバ12内にローディングさ
れ、スピンドル30上に取外し可能に取り付けられる。ウエハキャリア40は、シャフト
36の上端70がウエハキャリアの凹部47内に係合するように、かつキーがキー溝内に
係合するように、スピンドル30上に取り付けられ、これによって、ウエハキャリアを図
1に示されている運転位置に配置することができる。
向いている。入口開口16は、シャッター18を図1に示されている閉位置に上昇させる
ことによって、閉じている。加熱要素60が作動され、次いで、回転駆動装置38が、ス
ピンドル30、従って、ウエハキャリア40を、中心軸42を中心として回転駆動する。
典型的には、スピンドル40は、約50〜1500回転/分の回転速度で回転するように
なっている。
を通って供給される。ガスは、ウエハキャリア40に向かって下方に流れ、ウエハキャリ
アの上面41およびウエハ50の上面を横切り、ウエハキャリアの周縁に沿って下向きに
排気システム62の排気マニホールド53に流れる。従って、ウエハキャリア40の上面
41およびウエハ50の上面は、種々のプロセスガス供給ユニットによって供給される種
々のガスの混合物を含むプロセスガスに晒されることになる。最も典型的には、上面41
におけるプロセスガスは、キャリアガス供給ユニット(図示せず)によって供給されるキ
ャリアガスによって主に構成されている。
完了したなら、シャッター18を下げることによって、入口開口16が開けられる。いっ
たん入口開口16が開いたなら、ウエハキャリアをスピンドル30から取り外すことがで
き、次の運転サクルのために、新しいウエハキャリア40に取り換えることができる。
中心とするスピンドル30の角方位を反応チャンバ12に対して調整することができ、こ
れによって、図1に示されているようなエンコーダ31が、反応チャンバに設定された座
標系と既知の関係を有するスピンドルの回転方位を表す信号をもたらすことができる。
成されたソケット部材121、および該ソケット部材に取り付けられた連結部材122を
有している。連結部材122は、ソケット部材と反応チャンバ12の円筒壁20との間に
機械的な連結をもたらすように構成されている。
ト126を画定している。ソケット部材121は、ソケット部材の底面129から延在す
る長孔128も有している。長孔128は、キー80の先端部88を、先端部88が該長
孔を貫通するように、受け入れるように構成されている。長孔128は、幅W3を有して
おり、この幅W3は、回転する原点復帰工具とスピンドルとの間の全回転公差が3°以下
の場合、原点復帰工具がスピンドル30に対して回転軸32を中心としていずれの方向に
おいても1.5°を超えて回転することができないように、キー80の先端部88の幅W
2(図2H)にほぼ一致しており、しかしいくらか広くなっていると好ましい。
ソケット内に挿入されるとき、シャフト36の上端70がソケットの上面125に接触す
る一方、キー80の先端部88の上面89が長孔の上面127から離間するように、構成
されているとよい。キー80の先端部分88の上面89が長孔128の上面127から離
間していることによって、原点復帰工具120の重量の殆どがキーによって支持されるよ
りも、むしろシャフト36によって支持されることになる。特定の例では、ソケット12
6は、スピンドル30がソケット内に挿入されるとき、シャフト36の上端70がソケッ
トの上面125から離間するように、構成されていてもよい。シャフト36の上端70が
ソケット126の上面125から離間していることによって、原点復帰工具120の重量
の殆どがスピンドル30によって支持されるよりも、むしろ円筒壁20の上面21によっ
て支持されることになる。
連結部材の互いに反対側を向く上下面130,132間に延在している。開口124は、
好ましくは、連結部材122の軸134に沿って延在する長寸法L1および長寸法と実質
的に直交して延在する短寸法L2を有している。特定の例では、開口124は、楕円形を
有することがあり、この場合、長寸法L1は、楕円の長軸であり、短寸法L2は、楕円の
短軸である。
定している。位置決め凹部160は、円筒壁の上面21から円筒壁内に延在しており、反
応チャンバの上フランジ22(図1)が円筒壁から取り外されたときに露出するようにな
っている。位置決め凹部160は、反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有す
る接触面165を有している。図6Aおよび図6Bに示されているように、位置決め凹部
160は、反応チャンバ12の入口開口16の中心の上方に位置しているとよい。しかし
、他の実施形態では、位置決め凹部160は、反応チャンバ12に設定された座標系内の
どのような既知の位置、例えば、反応チャンバの基部プレート12の位置に配置されてい
てもよい。特定の例では、位置決め凹部160は、直径D4を有する円断面形状を有する
ことができ、接触面165は、位置決め凹部の直径よりも大きいかまたは等しい直径を有
する球の一部である球面キャップの形状を有することができる。
位置決め工具140を、該位置決め工具が開口124を貫通すべく、受け入れるように構
成されている。位置決め工具140は、ハンドル142および位置決め部144を有して
いる。位置決め部144は、ハンドルの端に取り付けられており、接触面145を画定し
ている。一実施形態では、位置決め部144は、直径D5を有する球形状を有することが
でき、接触面145は、位置決め部を画定する球の一部である球面キャップとすることが
できる。
くなっているとよく、位置決め部の最も広い部分は、位置決め部が位置決め凹部内に係合
するとき、位置決め工具140の開口124内に位置するようになっているとよい。例示
的実施形態では、位置決め工具140の位置決め部144の接触面145の湾曲は、位置
決め凹部160の接触面165の湾曲と略一致していてもよく、この場合、位置決め工具
が位置決め凹部に係合するとき、接触面145,165間に接触面が生じることになる。
原点復帰工具120の開口124の短寸法L2とほぼ一致しており、しかしわずかに小さ
くなっていると好ましい。これによって、位置決め工具が原点復帰工具の開口を通って位
置決め凹部160内に係合したとき、原点復帰工具の端123は、位置決め工具および位
置決め凹部に対して周方向Cにおいて実質的に固定されることになる。
開口124の長寸法L1よりも著しく小さくなっていると好ましい。これによって、位置
決め工具が原点復帰工具の開口を通って位置決め凹部160内に係合するとき、原点復帰
工具の端123は、位置決め工具および位置決め凹部に対して連結部材122の軸134
に沿ったいくらかの運動の自由度を有することになる。軸134に沿ったこの運動の自由
度によって、仮に連結部材122の軸に沿ったスピンドル30の回転軸32と位置決め凹
部160との間の距離が、例えば、反応チャンバの組立中の組立公差に起因して種々の反
応チャンバ間で変動しても、特定の製造施設における種々の反応チャンバ12のスピンド
ル30の回転位置合わせに、単一の原点復帰工具120を用いることができる。
20から取り外され、これによって、円筒壁の上面21および位置決め凹部160を露出
させる。次に、原点復帰工具120が、キー80の先端部88が長孔128と同じ方向を
向くように位置合わせされ、次いで、原点復帰工具が、シャフト36の上端70がソケッ
ト126内に受け入れられかつキーの先端部が長孔内に受け入れられるように、スピンド
ル30上に下げられる。原点復帰工具120は、連結部材122の下面132が円筒壁2
0の上面21に接触するまで、下げられるとよい。
いて原点復帰工具の開口124と真っ直ぐに並ぶまで、スピンドル30の回転軸32を中
心として回転されるとよい。この後、位置決め工具140の位置決め部144が、開口1
24および位置決め凹部160内に挿入され、位置決め工具の位置決め部の接触面145
が位置決め凹部の接触面165に係合し、これによって、位置決め凹部に対するスピンド
ル30の回転方位が固定されることになる。最終的に、エンコーダ31がスピンドル30
の回転方位を検出し、制御システム118が、スピンドルの現在の回転方位を、反応チャ
ンバ12に設定された座標系と既知の関係を有するホームポジションとして指定すること
ができる。
ル30の角方位を反応チャンバ12に対して位置合わせするのを助長するために、非接触
視覚化システムが用いられてもよい。これによって、エンコーダ31が、反応チャンバに
設定された座標系と既知の関係を有するスピンドルの回転方位を表す信号をもたらすこと
ができる。このような実施形態では、スピンドル30またはキー80は、基準指標、例え
ば、スピンドルのシャフト36の既知の位置に設けられた高反射面を有しているとよい。
非接触視覚化システムは、例えば、反応チャンバ12に設定された座標系と既知の関係を
有するレーザー基検出システムとすることができる。
ドルの基準指標を検出するまで、スピンドル30を回転させるとよい。この後、エンコー
ダ31がスピンドル30の回転方位を検出し、制御システム118がスピンドルの現在の
回転方位を、反応チャンバ12に設定された座標系と既知の関係を有するホームポジショ
ンとして、指定することができる。
0は、ウエハキャリア240が回転軸242から離れる方に凹部247の周縁204から
外方に突出する複数のキー溝248a,248b,248c,248d(総称的にキー溝
248)を有する以外、前述のウエハキャリア40と同じである。
は、凹部247の周縁204から外方に突出する2つのキー溝、3つのキー溝、または任
意の他の数のキー溝が設けられていてもよい。キー溝248の各々は、凹部247の周縁
204に沿った周方向に等間隔で配置されていると好ましい。例えば、図7に示されてい
るように、4つのキー溝248の各々の中心線は、凹部247の周縁204の周りに90
°の間隔で互いに離間している。3つのキー溝を有する例示的なウエハキャリアでは、3
つのキー溝の各々の中心線が、凹部の周縁の周りに120°の間隔で互いに離間している
と好ましい。2つのキー溝を有する例示的なウエハキャリアでは、2つのキー溝の各々の
中心線が、凹部の周縁の周りに直接向き合って(すなわち、180°の間隔で)互いに離
間していると好ましい。
各々は、第1,第2,第3,および第4の軸206,207,208,209のそれぞれ
に沿って回転軸242から離れる方に凹部247の周縁204から外方に突出している。
第1,第2,第3,および第4の軸206,207,208,209は、各々、垂直回転
軸242を含む面を横切っている(すなわち、第1,第2,第3,および第4の横断軸は
、各々、傾斜角でもよいしまたは直角でもよい任意の非ゼロ角で垂直回転軸を含む面と交
差している)。図7に示されているように、第1,第2,第3,および第4の横断軸20
6,207,208,209は、垂直回転軸242と交差していてもよいが、必ずしもこ
の限りではない。
横断軸206,207,208,209の1つまたは複数が垂直回転軸242と交差しな
いように、傾斜角で凹部247の周縁204から外方に突出していてもよい。図7に示さ
れている特定の例では、2つのキー溝248a,248cが単一軸に沿って凹部247の
周縁204から外方に突出しており、従って、第1および第3の横断軸206,208は
、一致しており、他の2つのキー溝248b,248dが他の単一軸に沿って凹部の周縁
から外方に突出しており、従って、第2および第4の軸207,209は、一致している
。しかし、他の実施形態では、キー溝248の各々は、他のキー溝が突出する他の横断軸
のいずれとも一致しない横断軸に沿って、凹部247の周縁204から外方に突出してい
てもよい。
該スピンドル230が回転軸232から離れる方にシャフト236の主部274から外方
に突出する複数のキー280a,280b,280c,280d(総称的に、キー280
)を有する以外、前述のスピンドル30と同じである。
は、シャフト236の主部274から外方に突出する2つのキー、3つのキー、または任
意の他の数のキーが設けられていてもよい。キー280の各々は、シャフト236の主部
274の周りの周方向に等間隔で配置されていると好ましい。例えば、図8Aに示されて
いるように、4つのキー280の各々の中心線は、シャフト236の主部274の周りに
90°の間隔で互いに離間している。3つのキーを有するかまたは3つのキーと係合して
いる例示的なスピンドルの場合、3つのキーの各々の中心線がシャフトの主部の周りに1
20°の間隔で互いに離間していると好ましい。2つのキーを有する例示的なスピンドル
の場合、2つのキーの各々の中心線がシャフト236の主部274の周りに直接向き合っ
て(すなわち、180°の間隔で)互いに離間していると好ましい。
0dの各々は、第1、第2,第3、および第4の軸216,217,218,219のそ
れぞれに沿って回転軸232から離れる方にシャフト236の主部274から外方に突出
している。第1、第2,第3、および第4の軸216,217,218,219は、各々
、垂直回転軸232を含む面を横切っている(すなわち、第1,第2,第3,および第4
の横断軸は、各々、傾斜角であってもよいしまたは直角であってもよい任意の非ゼロ角で
垂直回転角を含む面と交差している)。図8Aに示されているように、第1,第2,第3
,および第4の横断軸216、217,218,219は、垂直回転軸232と交差して
いてもよいが、必ずしもこれに限らない。
断軸216、217,218,219の1つまたは複数が垂直回転軸232を横切らない
ように、傾斜角でシャフト236の主部274から外方に突出していてもよい。図8Aに
示されている特定の例では、2つのキー280a,280cが単一軸に沿ってシャフト2
36の主部274から外方に突出しており、従って、第1および第2の横断軸216,2
18は、一致しており、他の2つのキー280b,280cは、他の単一軸に沿って凹部
の周縁から外方に突出しており、従って、第2および第4の横断軸217,219は、一
致している。しかし、他の実施形態では、キー280の各々は、他のキーが突出している
他の横断軸のいずれとも一致しない横断軸に沿ってシャフト236の主部274から外方
に突出していてもよい。
成することができる。例えば、シャフトの主部から延在する4つのキー280を有するス
ピンドル230の構造は、単一の一体鋳造品として作製することができる。他の実施形態
では、任意の他の数のキー、例えば、1つ、2つ、または3つのキーを有するスピンドル
が、単一の一体鋳造体として作製されてもよい。他の例では、シャフトの主部から延在す
る2つのキー部を有するスピンドルは、各キー部がシャフトの開口を貫通する単一キーの
端部であり、これらの端部の各々がウエハキャリアがスピンドルに組み合わされるときに
ウエハキャリアの対応するキー溝内に受け入れられるようになっていることを除けば、図
4および図6Bに示されている構造体と同様であってもよい。
330の断面図を示している。スピンドル330は、回転軸332から離れる方にシャフ
ト336の主部374から外方に突出する複数のキー380a,380c(総称的に、キ
ー380)であって、該スピンドルと別に形成され、該スピンドルに組み合わされるよう
になっている、複数のキー380a,380cを有することを除けば、前述したスピンド
ル230と同じである。4つのキーを有するスピンドルの実施形態では、他の2つのキー
380は、図8Bに示されている断面図では見えていない。図8Bに示されている実施形
態では、キー380a,380cの各々は、シャフト336の主部374内に部分的に延
在する対応する開口337a,337c内に係合されている。各開口337a,337c
は、対応する第1または第3の横断軸316または318に沿って突出している。
って回転軸332から離れる方にシャフト336の主部374から外方に突出している。
第1および第3の軸316,318は、各々、傾斜角で回転軸を含む面を横切っている。
図8Bに示されている実施形態では、第1および第3の横断軸316,318は、各々、
略75°の角度で回転軸332を含む面と交差している。第1および第3の横断軸316
,318は、各々、約45°から約85°の間の角度で回転軸332を含む面と交差して
いると好ましい。キー380a,380cの各々は、対応する開口337aまたは337
cの幅と等しいかまたはいくらか小さい幅を有していてもよく、この場合、キーの各々は
、対応する開口内に圧入されることになる。
ドル230またはスピンドル330のいずれかを、複数のキー溝248を有するウエハキ
ャリア240のようなウエハキャリアに係合されることができる。複数のキー溝を有する
ウエハキャリアへの複数のキーを有するスピンドルの係合は、図4を参照して前述したス
ピンドル30とウエハキャリア40との係合と同様であるとよい。例えば、図8Bに示さ
れているように、スピンドル330の上端370がウエハキャリア240の凹部247内
に係合され、キー380a,380cの各々の先端部388がキー溝248a,248c
のそれぞれに係合されるようになっているとよい。
れるようになっていると好ましいが、必ずしもこの限りではない。一例では、任意の数の
キーを有するスピンドルが、該キーの数と等しいかまたはそれよりも多い任意の数のキー
溝を有するウエハキャリアに係合されるようになっていてもよく、この場合、各キー溝は
、キーによって占有されるか、または1つまたは複数のキー溝が、空になっていてもよい
(すなわち、キーがなくてもよい)。例えば、2つのキーを有するスピンドルが、2つ、
3つ、または4つ、または任意の他の数のキー溝を有するウエハキャリアに係合されるよ
うになっていてもよい。
複数のキーを有するこのようなスピンドル230,330は、種々の断面形状を有する先
端部を備えるキーを有していてもよい。例えば、スピンドル230,330は、非円形断
面を有する先端部、例えば、図2F〜図2Hに示されているキー80の先端部88を有す
る1つまたは複数のキーを有していてもよい。
断面を備える先端部を有する1つまたは複数のキーと、各々が第1の断面と異なる形状の
第2の断面を備える先端部を有する1つまたは複数のキーを有していてもよい。例えば、
2つのキーを有するスピンドルは、円断面を備える先端部を有する1つのキー、例えば、
キー280または380の1つと、非円形断面を有する先端部を有する他のキー、例えば
、キー80を有していてもよい。
回転ディスク反応器システムおよび方法と比較して、いくつかの有力な利点を有すること
ができる。
置に配置されている。従って、ユーザーがウエハキャリア上に保持されたウエハの正確な
回転位置を知ることが、より困難である。ウエハ位置のこの不確かさは、処理プロセスを
監視する能力に悪影響をもたらすことがある。さらに、スピンドルおよびキャリアの係合
面を介して伝達されるトルクが、該係合面間の摩擦係合の力によって制限されることにな
る。緊急時には、スピンドルおよびウエハキャリアの回転を急速に減速する必要がある。
このために、大きなトルクをキャリアに伝達させる必要がある。
る前述の装置10は、ウエハキャリア上に保持されたウエハ50の正確な回転位置をより
確実に得ることができる。ロボット制御システム118は、エンコーダ31からの信号を
用いて、装置の運転中に特定のウエハ50を識別することができ、ユーザーまたは自動視
覚化システム116は、仮にポケット43が垂直回転軸42を中心として対称的に分配さ
れていても、基準指標110または112を用いて、装置の運転後に特定のウエハを識別
することができる。ウエハ識別情報を用いて、ウエハ処理中または後に(例えば、成長後
のLEDのビニングのために)、その場監視データ(例えば、反射率および温度信号)を
ウエハキャリア40上の特定のウエハと関連付けることができ、その結果、例えば、ウエ
ハ処理中のより最適な温度制御によって、より均一なウエハ処理プロセスをもたらすこと
ができる。
アとウエハのそれぞれの温度信号を識別する必要がある。これは、ウエハ50およびウエ
ハキャリア40から作動パイロメータ70によって受信した反射率または放射率の信号の
差を用いて、行われる。キー溝48内に係合されたキー80を有する前述の装置10によ
って可能となるようなウエハキャリア40の角方位の決定は、特別のウエハ成長プロセス
、すなわち、作動パイロメータ70がウエハ50およびウエハキャリア40から受信した
反射率または放射率のいずれかの信号の差を識別することができない、ウエハ成長プロセ
スに有用である。キー溝48に対するポケット43の正確な位置が知られており、キー溝
48の回転方位がエンコーダ31によって検出されるので、エンコーダによってウエハキ
ャリア40の角方位を得ることによって、制御システム、例えば、制御システム118が
、作動パイロメータ70がウエハ上の位置またはウエハキャリア上の位置のいずれから放
射を受信しているかを充分に判断することができる。
駆動機構38の緊急シャットダウン中に、スピンドル30およびウエハキャリア40の係
合面73,102を介して、表面間の摩擦係合の力によって制限されないより高いトルク
を伝達することができる。従来のMOCVD反応器では、もしウエハキャリアの高加速ま
たは緊急シャットダウンによって生じるルクが充分に大きい場合、ウエハキャリアがスピ
ンドルに対して回転方向に滑ることがあり、その結果、ウエハキャリアの面振れ(すなわ
ち、ウエハキャリアの第1の横断軸106がスピンドル30の回転軸32と直交しないウ
エハキャリアの傾斜)が生じ、これによって、キャリア−スピンドル界面およびキャリア
の近くの反応器の他の構成要素の損傷をもたらすことがある。本発明による装置10では
、キー溝48へのキー80の係合によって、ウエハキャリアの高加速中または緊急のシャ
ットダウン中にスピンドル30に対するウエハキャリア40の回転滑りを防ぎ、これによ
って、装置10は、スピンドル−キャリア滑りと同様のリスクを含む従来のMOCVD反
応器に用いられるウエハキャリアよりも大きいウエハキャリア(より大きい慣性モーメン
トを有するウエハキャリア)を用いて、運転を行うことができる。
D3とが密嵌合される装置10の実施形態では、ウエハキャリア40とスピンドル30と
の間の捻じれ負荷は、フォーク90によって支持されるよりも、むしろキーおよびシャフ
トによって主に支持され、回転モーメントは、シャフトによって拘束されず、キーによっ
てのみ拘束されている。従って、フォーク90は、著しく大きい捻じれ負荷を支持する必
要がなく、キー80による損傷から保護されることになる。
中に湾曲または破断されたなら、シャフト36を取り外すことなく、または取り換えるこ
となく、例えば、フォーク90を凹部39から引き出し、新しいキーを開口37内に挿入
し、フォークを凹部39内に再配置することができる。
化学蒸着、化学エッチングなどに適用可能である。本発明を特定の実施形態を参照して説
明してきたが、これらの実施形態が本発明の原理および用途の単なる例示にすぎないこと
を理解されたい。それ故、例示的な実施形態に対して多くの修正がなされてもよく、添付
の請求項によって規定されている本発明の精神および範囲から逸脱することなく、他の構
成が考案されてもよいことを理解されたい。種々の従属請求項および本明細書に述べた特
徴は、主請求項に記載されている形態と異なる形態で組み合わされてもよいことを理解さ
れたい。また、個々の実施形態に関連して述べた特徴は、記載されている実施形態の他の
特徴と共有されてもよいことも理解されたい。
応器のための構造体およびウエハ処理の方法を含んでいる。
Claims (27)
- 化学蒸着反応器のための構造体であって、
内部を有する反応チャンバと、
前記反応チャンバ内に取り付けられたスピンドルであって、
垂直回転軸に沿って延在するシャフトであって、前記シャフトは、上端と、前記上端から下方に延在するテーパ部と、前記テーパ部の下方の主部と、を有しており、前記テーパ部は、前記回転軸の周りに拡がるテーパ接触面を画定しており、前記テーパ接触面は、前記上端から離れる下向き方向に徐々に大きくなる直径を有している、シャフトと、
前記垂直回転軸を横切る第1の横断軸に沿って前記シャフトの前記主部から外方に突出するキーと、
を有している、スピンドルと、
を備えている、構造体。 - 前記反応チャンバは、前記反応チャンバの壁または基部プレートに位置決め要素を有しており、前記位置決め要素は、前記反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有しており、前記構造体は、前記スピンドルおよび前記位置決め要素に取外し可能に連結されるように構成された原点復帰工具をさらに備えている、請求項1に記載の構造体。
- 前記原点復帰工具は、前記キーを受け入れるように構成された長孔を有している、請求項2に記載の構造体。
- 前記スピンドルは、前記シャフトまたは前記キーの少なくとも1つに画定された基準指標を有しており、前記指標は、前記回転軸を中心とする周方向において前記キーに対する所定位置に配置されており、前記構造体は、前記基準指標の前記回転位置を検出するように構成された非接触視覚化システムをさらに備えており、前記視覚化システムは、前記反応チャンバに設定された座標系と既知の関係を有している、請求項1に記載の構造体。
- 前記スピンドルと共に前記垂直回転軸を中心として回転するように、前記スピンドル上に取外し可能に取り付けられたウエハキャリアであって、前記ウエハキャリアは、互いに反対側を向く上面および底面を画定する本体、およびウエハを該ウエハの表面が前記本体の前記上面に露出するように保持することができるように構成された少なくとも1つのウエハ保持特徴部を有しており、前記ウエハキャリアは、前記本体の前記底面から前記本体内に延在する凹部および前記第1の横断軸に沿って前記凹部の周縁から外方に突出するキー溝を有しており、前記シャフトは、前記凹部内に係合されており、前記キーは、前記キー溝内に係合されているウエハキャリアをさらに備えている、請求項1に記載の構造体。
- 前記キーは、前記キー溝内に係合される先端部を有しており、前記先端部は、前記キー溝内に露出した前記本体の下向き面と離間して向き合う上面を有しており、これによって、前記キーは、前記シャフトに対する下向きの運動に対して、前記本体を拘束しないようになっている、請求項5に記載の構造体。
- 前記キーは、前記シャフトの前記主部に係合されるようになっている、請求項5に記載の構造体。
- 前記本体は、下向きの凹部端面および前記凹部内において前記凹部端面から下方に延在するテーパ接触面を有しており、前記本体の前記テーパ接触面は、前記シャフトの前記テーパ接触面に少なくとも部分的に接触するようになっており、前記端面は、前記スピンドルの前記上端から離間するようになっている、請求項5に記載の構造体。
- 前記本体の前記テーパ接触面と前記シャフトの前記テーパ接触面との間の表面接触の中心軌跡は、前記本体の重心の上方に位置するようになっている、請求項8に記載の構造体。
- 前記キーは、第1のキーであり、前記キー溝は、第1のキー溝であり、前記スピンドルは、1つまたは複数の第2のキーをさらに備えており、前記第2のキーの各々は、前記垂直回転軸を横切るそれぞれの第2の横断軸に沿って前記シャフトから外方に突出しており、前記ウエハキャリアは、1つまたは複数の第2のキー溝をさらに備えており、前記第2のキー溝の各々は、前記第2の横断軸のそれぞれ1つに沿って前記凹部の周縁から外方に突出しており、前記第2のキーの各々は、前記第2のキー溝の対応する1つに係合するようになっている、請求項5に記載の構造体。
- 前記スピンドルは、前記第1の横断軸に沿って前記シャフトを貫通する開口を有しており、前記キーは、前記開口内に係合されるシャンクを備えている、請求項1または5に記載の構造体。
- 前記スピンドルは、前記垂直回転軸に沿って前記シャフトの上端から延在する凹部をさらに画定しており、前記スピンドルは、前記凹部内に取外し可能に係合されるフォークをさらに備えており、前記フォークは、一対の分岐部を有しており、前記キーの前記シャンクは、前記フォークの前記分岐部間に係合されるようになっている、請求項11に記載の構造体。
- 前記キーの前記シャンクは、前記フォークの前記2つの分岐部間に位置する中心部および前記中心部に隣接する端部を有しており、前記中心部は、前記フォークの前記分岐部間の分離距離よりも小さい幅を有しており、各端部は、前記分離距離よりも大きい幅を有しており、これによって、前記キーは、前記2つの分岐部間に連結され、前記第1の横断軸に沿った前記シャフトに対する運動に対して、前記フォークによって拘束されるようになっている、請求項12に記載の構造体。
- 前記キーの前記中心部材は、互いに反対側を向く実質的に平面状の側面を備えており、 各側面は、前記分岐部の1つの表面に隣接して配置されており、これによって、前記キーは、前記第1の横断軸を中心とする回転に対して、前記フォークによって回転方向に固定されるようになっている、請求項13に記載の構造体。
- 前記キーおよび前記フォークは、各々、第1の材料から本質的になっており、前記シャフトは、前記第1の材料と異なる第2の材料から本質的になっている、請求項12に記載の構造体。
- 前記フォークは、ネジ付き開口を備えており、前記ネジ付き開口は、前記シャフトの前記上端に露出している、請求項12に記載の構造体。
- 前記キーは、前記シャフトの外側に配置される先端部を有しており、前記先端部は、前記開口の直径よりも大きい前記垂直回転軸と平行の長手方向における高さを有している、請求項11に記載の構造体。
- 前記キーの前記先端部は、前記シャフトの前記上端の方を向く丸みのある上面を有している、請求項17に記載の構造体。
- )
前記キーは、第1のキーであり、前記スピンドルは、1つまたは複数の第2のキーをさらに備えており、前記第2のキーの各々は、前記垂直回転軸を横切るそれぞれの横断軸に沿って前記シャフトから外方に突出している、請求項1または5に記載の構造体。 - 前記ウエハキャリアの前記少なくとも1つのウエハ保持特徴部は、前記本体の前記上面に画定された複数のポケットを備えており、各ポケットは、ウエハを保持することができるように構成されており、前記ポケットの各々は、中心を有している、請求項5に記載の構造体。
- 前記ポケットの少なくともいくつかは、前記回転軸に隣接して配置されており、前記回転軸を中心として分配された円パターンに、前記パターンにおいて互いに隣接するポケットの中心間に間隔を置いて配列されており、前記キー溝は、前記間隔の1つと真っ直ぐに並んでいる、請求項20に記載の構造体。
- 前記円パターンに配列された前記ポケットの少なくともいくつかは、前記垂直回転軸を中心として対称的に分配されている、請求項21に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアの前記本体は、前記本体の前記上面、前記底面、または前記上面と前記底面との間に延在する周面の少なくとも1つに画定された基準指標を有しており、前記基準指標は、撮像装置にとって可視になっており、前記指標は、前記回転軸を中心とする周方向において前記キー溝に対する所定位置に配置されている、請求項5に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアの前記底面に平行の面であって、前記第1の横断軸を含んでいる面が、前記基準指標を貫通している、請求項23に記載の構造体。
- 前記スピンドルに接続され、前記スピンドルの回転方位を表す信号をもたらすように構成されたエンコーダと、前記基準指標の回転位置を検出するように構成された自動視覚化システムと、前記キーおよび前記キー溝のそれぞれの回転位置を真っ直ぐに並べるように、前記ウエハキャリアおよび前記スピンドルの少なくとも1つを回転させるように構成されたロボット制御システムと、をさらに備えている、請求項23に記載の構造体。
- 前記ウエハキャリアは、実質的にディスク状である、請求項5に記載の構造体。
- 前記キー溝は、第1のキー溝であり、前記ウエハキャリアは、1つまたは複数の第2のキー溝をさらに備えており、前記第2のキー溝の各々は、前記垂直回転軸を横切るそれぞれの横断軸に沿って前記凹部の前記周縁から外方に突出している、請求項5に記載の構造体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/424,821 US9816184B2 (en) | 2012-03-20 | 2012-03-20 | Keyed wafer carrier |
US13/424,821 | 2012-03-20 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015501689A Division JP5788123B2 (ja) | 2012-03-20 | 2013-03-01 | キー付きウエハキャリア |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016015492A true JP2016015492A (ja) | 2016-01-28 |
JP5914736B2 JP5914736B2 (ja) | 2016-05-11 |
Family
ID=49212211
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015501689A Active JP5788123B2 (ja) | 2012-03-20 | 2013-03-01 | キー付きウエハキャリア |
JP2015145552A Active JP5914736B2 (ja) | 2012-03-20 | 2015-07-23 | キー付きウエハキャリア |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015501689A Active JP5788123B2 (ja) | 2012-03-20 | 2013-03-01 | キー付きウエハキャリア |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9816184B2 (ja) |
EP (2) | EP3379567A1 (ja) |
JP (2) | JP5788123B2 (ja) |
KR (2) | KR101946432B1 (ja) |
CN (1) | CN104321859B (ja) |
SG (2) | SG11201405770VA (ja) |
TW (1) | TWI553151B (ja) |
WO (1) | WO2013142030A1 (ja) |
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-
2012
- 2012-03-20 US US13/424,821 patent/US9816184B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-01 JP JP2015501689A patent/JP5788123B2/ja active Active
- 2013-03-01 EP EP18170707.6A patent/EP3379567A1/en not_active Withdrawn
- 2013-03-01 WO PCT/US2013/028572 patent/WO2013142030A1/en active Application Filing
- 2013-03-01 CN CN201380026257.8A patent/CN104321859B/zh active Active
- 2013-03-01 SG SG11201405770VA patent/SG11201405770VA/en unknown
- 2013-03-01 EP EP13763498.6A patent/EP2828886B1/en active Active
- 2013-03-01 SG SG10201508894WA patent/SG10201508894WA/en unknown
- 2013-03-01 KR KR1020157037006A patent/KR101946432B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-01 KR KR1020147027578A patent/KR101582909B1/ko active Application Filing
- 2013-03-15 TW TW102109244A patent/TWI553151B/zh active
-
2015
- 2015-07-23 JP JP2015145552A patent/JP5914736B2/ja active Active
-
2017
- 2017-03-21 US US15/464,898 patent/US20170191157A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201348511A (zh) | 2013-12-01 |
EP2828886A4 (en) | 2015-07-29 |
EP3379567A1 (en) | 2018-09-26 |
JP5788123B2 (ja) | 2015-09-30 |
WO2013142030A1 (en) | 2013-09-26 |
CN104321859B (zh) | 2016-08-24 |
CN104321859A (zh) | 2015-01-28 |
KR101582909B1 (ko) | 2016-01-19 |
KR101946432B1 (ko) | 2019-02-11 |
EP2828886A1 (en) | 2015-01-28 |
US20130252404A1 (en) | 2013-09-26 |
US9816184B2 (en) | 2017-11-14 |
KR20160006253A (ko) | 2016-01-18 |
SG11201405770VA (en) | 2014-11-27 |
JP2015512565A (ja) | 2015-04-27 |
US20170191157A1 (en) | 2017-07-06 |
EP2828886B1 (en) | 2018-05-09 |
KR20140121905A (ko) | 2014-10-16 |
TWI553151B (zh) | 2016-10-11 |
SG10201508894WA (en) | 2015-11-27 |
JP5914736B2 (ja) | 2016-05-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160304 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160404 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5914736 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |