JP2002289432A

JP2002289432A - 積層型インピーダンス素子

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Publication number: JP2002289432A
Application number: JP2001379067A
Authority: JP
Inventors: Koichi Takashima; 浩一高嶋; Hiromichi Tokuda; 博道徳田
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2001-01-19
Filing date: 2001-12-12
Publication date: 2002-10-04
Anticipated expiration: 2021-12-12
Also published as: JP3791406B2; TW541548B; KR100428900B1; KR20020077794A; US6683523B2; CN1366313A; US20020140539A1; CN1198293C

Abstract

(57)【要約】【課題】低透磁率コイル部のインダクタンスが大き
く、実装時における方向性を有さない積層型インピーダ
ンス素子を提供する。【解決手段】コイル導体パターン１２〜２７は、ビア
ホール３０ａ〜３１ｈを介して電気的に直列に接続さ
れ、インピーダンス素子１内部にＵ字形に配設された螺
旋状コイルＬとされる。コイル導体パターン１２〜１５
は、高透磁率コイル部３５の第１のコイル部Ｌ１を構成
する。コイル導体パターン１６〜１９及びコイル導体パ
ターン２０〜２３は、それぞれ低透磁率コイル部３６の
第２のコイル部Ｌ２及び第３のコイル部Ｌ３を構成す
る。コイル導体パターン２４〜２７は、高透磁率コイル
部３５の第４のコイル部Ｌ４を構成する。第１のコイル
部Ｌ１、第２のコイル部Ｌ２及び第３のコイル部Ｌ３
は、インダクタ１の上面側から見て時計回り方向に巻回
している。一方、第４のコイル部Ｌ４は反時計回り方向
に巻回している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型インピーダ
ンス素子、特に、種々の電子回路に組み込まれてノイズ
フィルタ等として使用される積層型インピーダンス素子
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、この種の積層型インピーダン
ス素子として、例えば特開平９−７８３５号公報記載の
もの、あるいは、実開平６−８２８２２号公報記載のも
のが知られている。これらの積層型インピーダンス素子
は、透磁率の異なる複数のコイル部を積み重ねて構成し
た積層体を有し、各コイル部のコイル導体パターン相互
を電気的に直列に接続して螺旋状コイルを構成してい
る。そして、これらの積層型インピーダンス素子は、低
周波から高周波までの広い周波数領域で高インピーダン
スを確保することによって、ノイズ除去周波数帯域の拡
大を図っていた。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層型インピーダンス素子においては、一方の外部電極
は高透磁率コイル部のコイル導体パターンに接続され、
他方の外部電極は低透磁率コイル部のコイル導体パター
ンに接続されているので、高透磁率コイル部と低透磁率
コイル部のうち、どちらのコイル部を実装面側にしてプ
リント基板に実装するかによって、電気特性が異なると
いう問題があった。

【０００４】そこで、本発明の目的は、実装時における
方向性を有さない積層型インピーダンス素子を提供する
ことにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る積層型インピーダンス素子は、
相対的に透磁率が高い材料からなる複数の磁性体層と複
数のコイル導体パターンとを積み重ねて構成した、少な
くとも第１のコイル部及び第４のコイル部を内蔵した高
透磁率コイル部と、相対的に透磁率が低い材料からなる
複数の磁性体層と複数のコイル導体パターンとを積み重
ねて構成した、少なくとも第２のコイル部及び第３のコ
イル部を内蔵した低透磁率コイル部とを備え、前記高透
磁率コイル部と前記低透磁率コイル部とを積み重ね、前
記第１のコイル部、第２のコイル部、第３のコイル部、
第４のコイル部を順に電気的に直列に接続して螺旋状コ
イルを形成している。積層型インピーダンス素子として
は、例えば、積層型インダクタなどがある。

【０００６】そして、高透磁率コイル部の第１のコイル
部及び第４のコイル部を入出力外部電極に接続すること
により、実装方向による電気特性の方向性がなくなる。

【０００７】また、低透磁率コイル部の第２のコイル部
の磁束方向と第３のコイル部の磁束方向とが異なる方向
になるように、第２のコイル部と第３のコイル部を巻回
することにより、第２のコイル部で発生する磁束と第３
のコイル部で発生する磁束とが電磁的に結合して、低透
磁率コイル部で大きなインダクタンスが得られる。

【０００８】また、高透磁率コイル部の第１のコイル部
の磁束方向と第４のコイル部の磁束方向とを同じ方向に
することにより、第１のコイル部で発生する磁束と第４
のコイル部で発生する磁束とが電磁的に結合しにくくな
る。従って、積層型インピーダンス素子に入力した高周
波成分が、高透磁率コイル部の第１と第４のコイル部と
の電磁的結合によって直接出力側へ流れてしまうことが
なく、高周波成分が低透磁率コイル部の第２と第３のコ
イル部を通らないという現象が防止される。

【０００９】また、本発明に係る積層型インピーダンス
素子は、高透磁率コイル部の第１のコイル部の磁束方向
と低透磁率コイル部の第２のコイル部の磁束方向とが異
なる方向となり、かつ、高透磁率コイル部の第４のコイ
ル部の磁束方向と低透磁率コイル部の第３のコイル部の
磁束方向とが異なる方向となるように、第１〜第４のコ
イル部を巻回することを特徴とする。これにより、高透
磁率コイル部で発生する磁束と低透磁率コイル部で発生
する磁束とが電磁的に結合しにくくなる。従って、高透
磁率コイル部のインピーダンス特性と低透磁率コイル部
のインピーダンス特性がそれぞれ独立して作用する。こ
の結果、高透磁率コイル部は低周波ノイズを十分に除去
し、低透磁率コイル部は高周波ノイズを十分に除去す
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型インピ
ーダンス素子の実施の形態について添付の図面を参照し
て説明する。

【００１１】［第１実施形態、図１〜図４］図１に示す
ように、積層型インピーダンス素子１は、コイル導体パ
ターン１２〜１５，２４〜２７をそれぞれ表面に設けた
高透磁率磁性体シート３〜６と、コイル導体パターン１
６〜１９，２０〜２３をそれぞれ表面に設けた低透磁率
磁性体シート８〜１１等にて構成されている。磁性体シ
ート２〜６は、高透磁率のフェライト粉末を含有した絶
縁性ペーストをシート状にして製作される。同様に、磁
性体シート７〜１１は、低透磁率のフェライト粉末を含
有した絶縁性ペーストをシート状にして製作される。本
第１実施形態の場合、高透磁率磁性体シート２〜６の比
透磁率μを３００以上に設定し、低透磁率磁性体シート
７〜１１の比透磁率μを１００以下に設定した。

【００１２】コイル導体パターン１２〜２７は、Ｃｕ，
Ａｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｎｉ等からなり、磁性体シー
ト３〜１０にそれぞれ設けたビアホール３０ａ〜３１ｈ
を介して電気的に直列に接続され、インピーダンス素子
１内部にＵ字形に配設された螺旋状コイルＬとされる。
より詳しく説明すると、コイル導体パターン１２〜１５
は、ビアホール３０ａ〜３０ｃを介して直列に接続さ
れ、高透磁率コイル部３５の第１のコイル部Ｌ１を構成
する。コイル導体パターン１６〜１９はビアホール３０
ｆ〜３０ｈを介して直列に接続され、低透磁率コイル部
３６の第２のコイル部Ｌ２を構成する。コイル導体パタ
ーン２０〜２３はビアホール３１ｆ〜３１ｈを介して直
列に接続され、低透磁率コイル部３６の第３のコイル部
Ｌ３を構成する。コイル導体パターン２４〜２７はビア
ホール３１ａ〜３１ｃを介して直列に接続され、高透磁
率コイル部３５の第４のコイル部Ｌ４を構成する。

【００１３】第１のコイル部Ｌ１、第２のコイル部Ｌ２
及び第３のコイル部Ｌ３は、インピーダンス素子１の上
面側から見て時計回り方向に巻回している。一方、第４
のコイル部Ｌ４は反時計回り方向に巻回している。そし
て、第１のコイル部Ｌ１と第２のコイル部Ｌ２は、ビア
ホール３０ｄ，３０ｅを介して電気的に直列に接続され
ている。第２のコイル部Ｌ２と第３のコイル部Ｌ３は、
磁性体シート１１上に形成されたコイル導体パターン１
９と２０を接続することによって電気的に直列に接続さ
れている。第３のコイル部Ｌ３と第４のコイル部Ｌ４
は、ビアホール３１ｄ，３１ｅを介して電気的に直列に
接続されている。コイル導体パターン１２の引出し端１
２ａは、磁性体シート３の左辺に露出している。コイル
導体パターン２７の引出し端２７ａは、磁性体シート３
の右辺に露出している。コイル導体パターン１２〜２７
は、印刷等の方法により磁性体シート３〜６，８〜１１
の表面に形成される。

【００１４】以上の磁性体シート２〜１１は、図１に示
すように、順に積み重ねられて圧着された後、一体的に
焼成されることにより、図２に示す積層体４０とされ
る。積層体４０の左右の端面には、それぞれ入力外部電
極４１及び出力外部電極４２が形成されている。入力外
部電極４１にはコイル導体パターン１２の引出し端１２
ａが接続され、出力外部電極４２にはコイル導体パター
ン２７の引出し端２７ａが接続される。

【００１５】この積層型インピーダンス素子１は、図３
に示すように、相対的に高透磁率の磁性体シート２〜６
を積み重ねて構成した高透磁率コイル部３５と、相対的
に低透磁率の磁性体シート７〜１１を積み重ねて構成し
た低透磁率コイル部３６とが積層されている。

【００１６】そして、高透磁率コイル部３５の第１と第
４のコイル部Ｌ１，Ｌ４が主として低周波ノイズを除去
し、低透磁率コイル部３６の第２と第３のコイル部Ｌ
２，Ｌ３が主として高周波ノイズを除去する。このと
き、低透磁率コイル部３６の第２のコイル部Ｌ２の巻回
方向と第３のコイル部Ｌ３の巻回方向とを同じ方向に設
定しているので、第２のコイル部Ｌ２で発生する磁束Ｈ
２と第３のコイル部Ｌ３で発生する磁束Ｈ３とが電磁的
に結合して、結合磁束を形成する。従って、低透磁率コ
イル部３６で大きなインダクタンスを得ることができ
る。

【００１７】因みに、第２のコイル部Ｌ２と第３のコイ
ル部Ｌ３の巻回方向を同じ方向にした場合のインダクタ
ンス値と、逆方向にした場合のインダクタンス値とを測
定した結果を表１に示す。なお、試料番号１〜４は、コ
イル部Ｌ２，Ｌ３のコイル径やコイル間距離Ｇ２を種々
変えたものである。

【００１８】

【表１】

【００１９】表１から、第２のコイル部Ｌ２と第３のコ
イル部Ｌ３の巻回方向を同じ方向にした場合の方が、イ
ンダクタンス値が大きいことが認められる。

【００２０】また、螺旋状コイルＬの両端部は、高透磁
率コイル部３５に形成されたコイル導体パターン１２，
２７からそれぞれ入力外部電極４１及び出力外部電極４
２に引き出されているため、等価回路的に対称となり、
積層型インピーダンス素子１の実装方向（表裏）による
電気特性の方向性をなくすことができる。このとき、高
透磁率コイル部３５の第１のコイル部Ｌ１の巻回方向と
第４のコイル部Ｌ４の巻回方向とを逆方向にしているの
で、第１のコイル部Ｌ１で発生する磁束Ｈ１と第４のコ
イル部Ｌ４で発生する磁束Ｈ４とが電磁的に結合しな
い。従って、入力外部電極４１から入った信号は、第
１、第２、第３、第４のコイル部Ｌ１〜Ｌ４を順に伝わ
り、出力外部電極４２から出力される。この結果、入力
外部電極４１から入った高周波成分が、第１と第４のコ
イル部Ｌ１，Ｌ４の電磁的結合によって直接に出力外部
電極４２から出力される心配がない。

【００２１】さらに、本第１実施形態では、第１のコイ
ル部Ｌ１と第４のコイル部Ｌ４との間の距離Ｇ１を、第
２のコイル部Ｌ２と第３のコイル部Ｌ３との間の距離Ｇ
２より大きく設定している。これにより、第１のコイル
部Ｌ１と第４のコイル部Ｌ４の電磁的な結合が抑えら
れ、第２のコイル部Ｌ２と第３のコイル部Ｌ３の電磁的
な結合が強くなるようにしている。

【００２２】さらに、本第１実施形態では、信号波形の
品質を良くするため、入力外部電極４１は、高透磁率コ
イル部３５のコイル導体パターン１２に電気的に接続さ
れている。さらに、高透磁率コイル部３５の比透磁率μ
を３００以上にしているので、ダンピング機能を有し、
信号波形のリンギング現象を抑えることができ、信号波
形の品質をより向上させることができる。そして、低透
磁率コイル部３６の比透磁率μを１００以下に設定して
いるので、高周波領域（１００ＭＨｚ以上）で大きなイ
ンピーダンスを確保できる。これにより、ダンピング機
能を有し、高周波帯域まで優れたインピーダンス特性を
もつことができる。

【００２３】また、高透磁率コイル部３５の第１及び第
４のコイル部Ｌ１，Ｌ４の合計インピーダンスが２２０
Ω以下（１００ＭＨｚ）で、低透磁率コイル部３６の第
２及び第３のコイル部Ｌ２，Ｌ３の合計インピーダンス
が２２０Ω以下（１００ＭＨｚ）になるように設定する
ことが好ましい。高透磁率コイル部３５があまり大きな
インピーダンスをもつと、信号レベルの低下や波形なま
りを起こすからである。一方、低透磁率コイル部３６が
あまり大きなインピーダンスをもつと、インピーダンス
曲線の傾きが急峻となってＱが高くなり、ダンピング機
能が働かなくなり、波形歪みが抑制されない心配がある
からである。

【００２４】また、高透磁率コイル部３５で発生した磁
束Ｈ１，Ｈ４と低透磁率コイル部３６で発生した磁束Ｈ
２，Ｈ３とが電磁的に結合すると、ノイズ除去効果を十
分に発揮することができない。このため、本第１実施形
態では、磁束Ｈ１，Ｈ４と磁束Ｈ２，Ｈ３との電磁的な
結合を防止するため、高透磁率コイル部３５に配置され
た第１及び第４のコイル部Ｌ１，Ｌ４と低透磁率コイル
部３６に配置された第２及び第３のコイル部Ｌ２，Ｌ３
との間の距離Ｄを大きくしている。

【００２５】なお、磁束Ｈ１，Ｈ４と磁束Ｈ２，Ｈ３と
の電磁的な結合をより確実に防止するため、図４に示す
積層型インピーダンス素子１ａのように、高透磁率コイ
ル部３５と低透磁率コイル部３６の間に非磁性体材料か
らなる中間層３７を配設してもよい。また、特に図示し
ないが、高透磁率コイル部３５と低透磁率コイル部３６
の間に空洞を配設してもよい。中間層３７及び空洞は、
高透磁率コイル部３５の材料と低透磁率コイル部３６の
材料の相互拡散防止や収縮率の違いにより発生する反り
やクラック防止の役目もすることができる。

【００２６】さらに、積層型インピーダンス素子１ａ
は、磁性体シート３〜６のコイル導体パターン１２〜１
５と２７〜２４の間に、それぞれ長尺状ビアホールを形
成し、磁性体シート３〜６を積層することによって、こ
れら長尺状ビアホールを連接して柱状のシールド体３８
を形成している。この柱状のシールド体３８は、第１の
コイル部Ｌ１と第４のコイル部Ｌ４との電磁的結合をよ
り確実に遮断する。

【００２７】［第２実施形態、図５乃至図９］第２実施
形態は、積層型インピーダンス素子の積層方向において
隣接するコイル部同士で、発生する磁束の方向が異なる
方向（逆方向）に設定されている積層型インピーダンス
素子について説明する。なお、前記第１実施形態の積層
型インピーダンス素子１と同一の部分には、同じ符号を
付し、その詳細な説明は省略する。

【００２８】図５に示すように、コイル導体パターン５
２〜６７は磁性体シートにそれぞれ設けたビアホールを
介して電気的に直列に接続され、積層型インピーダンス
素子５１内部にＵ字形に配設された螺旋状コイルＬを形
成する。コイル導体パターン５２〜５５は高透磁率コイ
ル部３５の第１のコイル部Ｌ１１を構成し、コイル導体
パターン５６〜５９は低透磁率コイル部３６の第２のコ
イル部Ｌ１２を構成し、コイル導体パターン６０〜６３
は低透磁率コイル部３６の第３のコイル部Ｌ１３を構成
し、コイル導体パターン６４〜６７は高透磁率コイル部
３５の第４のコイル部Ｌ１４を構成する。

【００２９】第２のコイル部Ｌ１２及び第４のコイル部
Ｌ１４は、インダクタ５１の上面側から見て時計回り方
向に巻回している。一方、第１のコイル部Ｌ１１及び第
３のコイル部Ｌ１３は反時計回り方向に巻回している。
そして、第１のコイル部Ｌ１１と第２のコイル部Ｌ１２
は、ビアホールを介して電気的に直列に接続されてい
る。第２のコイル部Ｌ１２と第３のコイル部Ｌ１３は、
同一の磁性体シート上に形成されたコイル導体パターン
５９と６０を接続することによって電気的に直列に接続
されている。第３のコイル部Ｌ１３と第４のコイル部Ｌ
１４は、ビアホールを介して電気的に直列に接続されて
いる。第１のコイル部Ｌ１１と第２のコイル部Ｌ１２、
並びに、第３のコイル部Ｌ１３と第４のコイル部Ｌ１４
は、それぞれ磁性体シートの積み重ね方向に同軸上に配
置されている。

【００３０】この積層型インピーダンス素子５１は、低
透磁率コイル部３６が第２のコイル部Ｌ１２と第３のコ
イル部Ｌ１３とを有しているので、低透磁率コイル部３
６で大きなインダクタンスを得ることができる。

【００３１】そして、高透磁率コイル部３５の第１と第
４のコイル部Ｌ１１，Ｌ１４が主として低周波ノイズを
除去し、低透磁率コイル部３６の第２と第３のコイル部
Ｌ１２，Ｌ１３が主として高周波ノイズを除去する。こ
のとき、高透磁率コイル部３５の第１のコイル部Ｌ１１
で発生する磁束Ｈ１１の方向（図面上で上向き）と、低
透磁率コイル部３６の第２のコイル部Ｌ１２で発生する
磁束Ｈ１２の方向（図面上で下向き）とが逆方向であ
る。また、高透磁率コイル部３５の第４のコイル部Ｌ１
４で発生する磁束Ｈ１４の方向（図面上で上向き）と、
低透磁率コイル部３６の第３のコイル部Ｌ１３で発生す
る磁束Ｈ１３の方向（図面上で下向き）とが逆方向であ
る。このため、高透磁率コイル部３５で発生する磁束Ｈ
１１と低透磁率コイル部３６で発生する磁束Ｌ１２とが
電磁的に結合しにくくなる。また、高透磁率コイル部３
５で発生する磁束Ｈ１４と低透磁率コイル部３６で発生
する磁束Ｌ１３とが電磁的に結合しにくくなる。従っ
て、高透磁率コイル部３５のインピーダンス特性と低透
磁率コイル部３６のインピーダンス特性がそれぞれ独立
して作用する。この結果、高透磁率コイル部３５は低周
波ノイズ除去効果を十分に発揮し、低透磁率コイル部３
６は高周波ノイズ除去効果を十分に発揮することができ
る。

【００３２】因みに、積層型インピーダンス素子５１の
外部電極４１，４２間のインピーダンス特性を図６に示
す（実線８７参照）。なお、図６において、点線８５は
高透磁率コイル部３５のインピーダンス特性を示し、点
線８６は低透磁率コイル部３６のインピーダンス特性を
示している。実線８７から、中間周波数帯（図４に円Ａ
で表示）においても、インピーダンスの増加が抑えられ
ていることが分かる。これは、高透磁率コイル部３５及
び低透磁率コイル部３６でそれぞれ発生した磁束Ｈ１
１，Ｈ１４とＨ１２，Ｈ１３とが、高透磁率コイル部３
５と低透磁率コイル部３６の境界付近で相互に反発し、
磁束Ｈ１１，Ｈ１４の低透磁率コイル部３６への漏れや
磁束Ｈ１２，Ｈ１３の高透磁率コイル部３５への漏れが
抑えられるからである。

【００３３】また、螺旋状コイルＬの両端部は、高透磁
率コイル部３５にて入力外部電極４１及び出力外部電極
４２に引き出されているため、等価回路的に対称とな
り、積層型インピーダンス素子５１の実装方向（表裏）
による電気特性の方向性をなくすことができる。このと
き、高透磁率コイル部３５の第１のコイル部Ｌ１１の巻
回方向と第４のコイル部Ｌ１４の巻回方向とを逆方向に
しているので、第１のコイル部Ｌ１１で発生する磁束Ｈ
１１と第４のコイル部Ｌ１４で発生する磁束Ｈ１４とが
電磁的に結合しない。従って、入力外部電極４１から入
った高周波成分は、第１、第２、第３、第４のコイル部
Ｌ１１〜Ｌ１４を順に伝わり、出力外部電極４２から出
力される。この結果、入力外部電極４１から入った高周
波成分が、第１と第４のコイル部Ｌ１１，Ｌ１４の電磁
的結合によって直接に出力外部電極４２から出力される
心配がない。

【００３４】なお、積層型インピーダンス素子の積層方
向において隣接するコイル部同士で、磁束の方向が逆方
向である形態としては、図５に示す積層型インピーダン
ス素子５１の他に、図７乃至図９に示す形態がある。な
お、積層型インピーダンス素子５１と同一の部分には、
同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。

【００３５】図７に示す積層型インピーダンス素子５１
ａにおいては、磁束Ｈ１１の方向（図面上で下向き）
と、磁束Ｈ１２の方向（図面上で上向き）とが逆方向で
ある。また、磁束Ｈ１４の方向（図面上で下向き）と、
磁束Ｈ１３の方向（図面上で上向き）とが逆方向であ
る。

【００３６】図８に示す積層型インピーダンス素子５１
ｂにおいては、磁束Ｈ１１の方向（図面上で下向き）
と、磁束Ｈ１２の方向（図面上で上向き）とが逆方向で
ある。また、磁束Ｈ１４の方向（図面上で上向き）と、
磁束Ｈ１３の方向（図面上で下向き）とが逆方向であ
る。

【００３７】図９に示す積層型インピーダンス素子５１
ｃにおいては、磁束Ｈ１１の方向（図面上で上向き）
と、磁束Ｈ１２の方向（図面上で下向き）とが逆方向で
ある。また、磁束Ｈ１４の方向（図面上で下向き）と、
磁束Ｈ１３の方向（図面上で上向き）とが逆方向であ
る。

【００３８】上記の積層型インピーダンス素子５１ａ，
５１ｂ，５１ｃにおいても、積層型インピーダンス素子
５１と同様の効果が得られる。

【００３９】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型インピーダンス素子は前記実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば、螺旋状コイルの巻回数、コイル導体パター
ンの形状等は仕様に合わせて種々のものが採用される。

【００４０】また、前記実施形態では、高透磁率コイル
部の比透磁率を３００以上に設定しているが、必ずしも
この値に限るものではなく、高透磁率コイル部の比透磁
率を１００〜３００に設定してもよい。この場合、螺旋
状コイルＬが有するインピーダンスのピークの他に、高
透磁率コイル部でのインダクタンスと該インダクタンス
に電気的に並列に発生する浮遊容量との共振により、前
記インピーダンスのピークより低周波側にもインピーダ
ンスのピークを形成することができる。

【００４１】さらに、前記実施形態は、それぞれコイル
導体パターンが形成された磁性体シートを積み重ねた
後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限
定されない。磁性体シートは予め焼成されたものを用い
てもよい。また、以下に説明する製法によってインダク
タを作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状の
磁性体材料にて磁性体層を形成した後、その磁性体層の
表面にペースト状の導電性材料を塗布してコイル導体パ
ターンを形成する。次に、ペースト状の磁性体材料を前
記コイル導体パターンの上から塗布してコイル導体パタ
ーンが内蔵された磁性体層とする。同様にして、コイル
導体パターン間を電気的に接続しつつ、順に重ね塗りす
ることにより積層構造を有するインダクタが得られる。

【００４２】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、高透磁率コイル部の第１のコイル部及び第４の
コイル部を入出力外部電極に接続することにより、実装
方向による電気特性の方向性がなくなる。

【００４３】また、低透磁率コイル部の第２のコイル部
の磁束方向と第３のコイル部の磁束方向とが異なる方向
になるように、第２のコイル部と第３のコイル部を巻回
することにより、第２のコイル部で発生する磁束と第３
のコイル部で発生する磁束とが電磁的に結合して、低透
磁率コイル部で大きなインダクタンスを得ることができ
る。

【００４４】また、高透磁率コイル部の第１のコイル部
の磁束方向と第４のコイル部の磁束方向とが同じ方向に
なるように、第１のコイル部と第４のコイル部を巻回す
ることにより、第１のコイル部で発生する磁束と第４の
コイル部で発生する磁束とが電磁的に結合しにくくな
る。従って、積層型インピーダンス素子に入った高周波
成分が、高透磁率コイル部の第１と第４のコイル部との
電磁的結合によって直接出力側へ流れてしまうことがな
く、高周波成分が低透磁率コイル部の第２と第３のコイ
ル部を通らないという現象を防止することができる。

【００４５】また、高透磁率コイル部の第１のコイル部
の磁束方向と低透磁率コイル部の第２のコイル部の磁束
方向とが異なる方向となり、かつ、高透磁率コイル部の
第４のコイル部の磁束方向と低透磁率コイル部の第３の
コイル部の磁束方向とが異なる方向となるように、第１
〜第４のコイル部を巻回することにより、高透磁率コイ
ル部で発生する磁束と低透磁率コイル部で発生する磁束
とが電磁的に結合しにくくなる。従って、高透磁率コイ
ル部のインピーダンス特性と低透磁率コイル部のインピ
ーダンス特性がそれぞれ独立して作用する。この結果、
高透磁率コイル部は低周波ノイズ除去効果を十分に発揮
し、低透磁率コイル部は高周波ノイズ除去効果を十分に
発揮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る積層型インピーダンス素子の第１
実施形態の構成を示す分解斜視図。

【図２】図１に示した積層型インピーダンス素子の外観
斜視図。

【図３】図２に示した積層型インピーダンス素子の模式
断面図。

【図４】第１実施形態の積層型インピーダンス素子の変
形例を示す模式断面図。

【図５】本発明に係る積層型インピーダンス素子の第２
実施形態の構成を示す模式断面図。

【図６】図５に示した積層型インピーダンス素子のイン
ピーダンス特性を示すグラフ。

【図７】第２実施形態の積層型インピーダンス素子の変
形例を示す模式断面図。

【図８】第２実施形態の積層型インピーダンス素子の他
の変形例を示す模式断面図。

【図９】第２実施形態の積層型インピーダンス素子のさ
らに他の変形例を示す模式断面図。

【符号の説明】

１，１ａ，５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ…積層型イン
ピーダンス素子２〜６…高透磁率磁性体シート７〜１１…低透磁率磁性体シート１２〜２７，５２〜６７…コイル導体パターン３５…高透磁率コイル部３６…低透磁率コイル部Ｌ…螺旋状コイルＬ１，Ｌ１１…第１のコイル部Ｌ２，Ｌ１２…第２のコイル部Ｌ３，Ｌ１３…第３のコイル部Ｌ４，Ｌ１４…第４のコイル部Ｈ１〜Ｈ４，Ｈ１１〜Ｈ１４…磁束

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】相対的に透磁率が高い材料からなる複数
の磁性体層と複数のコイル導体パターンとを積み重ねて
構成した、少なくとも第１のコイル部及び第４のコイル
部を内蔵した高透磁率コイル部と、相対的に透磁率が低い材料からなる複数の磁性体層と複
数のコイル導体パターンとを積み重ねて構成した、少な
くとも第２のコイル部及び第３のコイル部を内蔵した低
透磁率コイル部とを備え、前記高透磁率コイル部と前記低透磁率コイル部とを積み
重ね、前記第１のコイル部、第２のコイル部、第３のコ
イル部、第４のコイル部を順に電気的に直列に接続して
螺旋状コイルを形成すると共に、前記高透磁率コイル部
の第１のコイル部及び第４のコイル部を入出力外部電極
に接続したこと、を特徴とする積層型インピーダンス素
子。
【請求項２】前記低透磁率コイル部の第２のコイル部
の磁束方向と第３のコイル部の磁束方向とが異なる方向
になるように、前記第２のコイル部と第３のコイル部が
巻回されていることを特徴とする請求項１に記載の積層
型インピーダンス素子。
【請求項３】前記高透磁率コイル部の第１のコイル部
の磁束方向と第４のコイル部の磁束方向とが同じ方向に
なるように、前記第１のコイル部と第４のコイル部が巻
回されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型
インピーダンス素子。
【請求項４】前記高透磁率コイル部の第１のコイル部
の磁束方向と第４のコイル部の磁束方向とを同じ方向に
し、前記低透磁率コイル部の第２のコイル部の磁束方向
と第３のコイル部の磁束方向とが異なる方向になるよう
に、前記第１〜第４のコイル部が巻回されていることを
特徴とする請求項１に記載の積層型インピーダンス素
子。
【請求項５】前記高透磁率コイル部の第１のコイル部
の磁束方向と前記低透磁率コイル部の第２のコイル部の
磁束方向とが異なる方向となり、かつ、前記高透磁率コ
イル部の第４のコイル部の磁束方向と前記低透磁率コイ
ル部の第３のコイル部の磁束方向とが異なる方向となる
ように、前記第１〜第４のコイル部が巻回されているこ
とを特徴とする請求項１に記載の積層型インピーダンス
素子。