JP2002289432A - 積層型インピーダンス素子 - Google Patents
積層型インピーダンス素子Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
- H01F27/24—Magnetic cores
- H01F27/245—Magnetic cores made from sheets, e.g. grain-oriented
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
く、実装時における方向性を有さない積層型インピーダ
ンス素子を提供する。 【解決手段】 コイル導体パターン12〜27は、ビア
ホール30a〜31hを介して電気的に直列に接続さ
れ、インピーダンス素子1内部にU字形に配設された螺
旋状コイルLとされる。コイル導体パターン12〜15
は、高透磁率コイル部35の第1のコイル部L1を構成
する。コイル導体パターン16〜19及びコイル導体パ
ターン20〜23は、それぞれ低透磁率コイル部36の
第2のコイル部L2及び第3のコイル部L3を構成す
る。コイル導体パターン24〜27は、高透磁率コイル
部35の第4のコイル部L4を構成する。第1のコイル
部L1、第2のコイル部L2及び第3のコイル部L3
は、インダクタ1の上面側から見て時計回り方向に巻回
している。一方、第4のコイル部L4は反時計回り方向
に巻回している。
Description
ンス素子、特に、種々の電子回路に組み込まれてノイズ
フィルタ等として使用される積層型インピーダンス素子
に関する。
ス素子として、例えば特開平9−7835号公報記載の
もの、あるいは、実開平6−82822号公報記載のも
のが知られている。これらの積層型インピーダンス素子
は、透磁率の異なる複数のコイル部を積み重ねて構成し
た積層体を有し、各コイル部のコイル導体パターン相互
を電気的に直列に接続して螺旋状コイルを構成してい
る。そして、これらの積層型インピーダンス素子は、低
周波から高周波までの広い周波数領域で高インピーダン
スを確保することによって、ノイズ除去周波数帯域の拡
大を図っていた。
積層型インピーダンス素子においては、一方の外部電極
は高透磁率コイル部のコイル導体パターンに接続され、
他方の外部電極は低透磁率コイル部のコイル導体パター
ンに接続されているので、高透磁率コイル部と低透磁率
コイル部のうち、どちらのコイル部を実装面側にしてプ
リント基板に実装するかによって、電気特性が異なると
いう問題があった。
方向性を有さない積層型インピーダンス素子を提供する
ことにある。
するため、本発明に係る積層型インピーダンス素子は、
相対的に透磁率が高い材料からなる複数の磁性体層と複
数のコイル導体パターンとを積み重ねて構成した、少な
くとも第1のコイル部及び第4のコイル部を内蔵した高
透磁率コイル部と、相対的に透磁率が低い材料からなる
複数の磁性体層と複数のコイル導体パターンとを積み重
ねて構成した、少なくとも第2のコイル部及び第3のコ
イル部を内蔵した低透磁率コイル部とを備え、前記高透
磁率コイル部と前記低透磁率コイル部とを積み重ね、前
記第1のコイル部、第2のコイル部、第3のコイル部、
第4のコイル部を順に電気的に直列に接続して螺旋状コ
イルを形成している。積層型インピーダンス素子として
は、例えば、積層型インダクタなどがある。
部及び第4のコイル部を入出力外部電極に接続すること
により、実装方向による電気特性の方向性がなくなる。
の磁束方向と第3のコイル部の磁束方向とが異なる方向
になるように、第2のコイル部と第3のコイル部を巻回
することにより、第2のコイル部で発生する磁束と第3
のコイル部で発生する磁束とが電磁的に結合して、低透
磁率コイル部で大きなインダクタンスが得られる。
の磁束方向と第4のコイル部の磁束方向とを同じ方向に
することにより、第1のコイル部で発生する磁束と第4
のコイル部で発生する磁束とが電磁的に結合しにくくな
る。従って、積層型インピーダンス素子に入力した高周
波成分が、高透磁率コイル部の第1と第4のコイル部と
の電磁的結合によって直接出力側へ流れてしまうことが
なく、高周波成分が低透磁率コイル部の第2と第3のコ
イル部を通らないという現象が防止される。
素子は、高透磁率コイル部の第1のコイル部の磁束方向
と低透磁率コイル部の第2のコイル部の磁束方向とが異
なる方向となり、かつ、高透磁率コイル部の第4のコイ
ル部の磁束方向と低透磁率コイル部の第3のコイル部の
磁束方向とが異なる方向となるように、第1〜第4のコ
イル部を巻回することを特徴とする。これにより、高透
磁率コイル部で発生する磁束と低透磁率コイル部で発生
する磁束とが電磁的に結合しにくくなる。従って、高透
磁率コイル部のインピーダンス特性と低透磁率コイル部
のインピーダンス特性がそれぞれ独立して作用する。こ
の結果、高透磁率コイル部は低周波ノイズを十分に除去
し、低透磁率コイル部は高周波ノイズを十分に除去す
る。
ーダンス素子の実施の形態について添付の図面を参照し
て説明する。
ように、積層型インピーダンス素子1は、コイル導体パ
ターン12〜15,24〜27をそれぞれ表面に設けた
高透磁率磁性体シート3〜6と、コイル導体パターン1
6〜19,20〜23をそれぞれ表面に設けた低透磁率
磁性体シート8〜11等にて構成されている。磁性体シ
ート2〜6は、高透磁率のフェライト粉末を含有した絶
縁性ペーストをシート状にして製作される。同様に、磁
性体シート7〜11は、低透磁率のフェライト粉末を含
有した絶縁性ペーストをシート状にして製作される。本
第1実施形態の場合、高透磁率磁性体シート2〜6の比
透磁率μを300以上に設定し、低透磁率磁性体シート
7〜11の比透磁率μを100以下に設定した。
Au,Ag,Ag−Pd,Ni等からなり、磁性体シー
ト3〜10にそれぞれ設けたビアホール30a〜31h
を介して電気的に直列に接続され、インピーダンス素子
1内部にU字形に配設された螺旋状コイルLとされる。
より詳しく説明すると、コイル導体パターン12〜15
は、ビアホール30a〜30cを介して直列に接続さ
れ、高透磁率コイル部35の第1のコイル部L1を構成
する。コイル導体パターン16〜19はビアホール30
f〜30hを介して直列に接続され、低透磁率コイル部
36の第2のコイル部L2を構成する。コイル導体パタ
ーン20〜23はビアホール31f〜31hを介して直
列に接続され、低透磁率コイル部36の第3のコイル部
L3を構成する。コイル導体パターン24〜27はビア
ホール31a〜31cを介して直列に接続され、高透磁
率コイル部35の第4のコイル部L4を構成する。
及び第3のコイル部L3は、インピーダンス素子1の上
面側から見て時計回り方向に巻回している。一方、第4
のコイル部L4は反時計回り方向に巻回している。そし
て、第1のコイル部L1と第2のコイル部L2は、ビア
ホール30d,30eを介して電気的に直列に接続され
ている。第2のコイル部L2と第3のコイル部L3は、
磁性体シート11上に形成されたコイル導体パターン1
9と20を接続することによって電気的に直列に接続さ
れている。第3のコイル部L3と第4のコイル部L4
は、ビアホール31d,31eを介して電気的に直列に
接続されている。コイル導体パターン12の引出し端1
2aは、磁性体シート3の左辺に露出している。コイル
導体パターン27の引出し端27aは、磁性体シート3
の右辺に露出している。コイル導体パターン12〜27
は、印刷等の方法により磁性体シート3〜6,8〜11
の表面に形成される。
すように、順に積み重ねられて圧着された後、一体的に
焼成されることにより、図2に示す積層体40とされ
る。積層体40の左右の端面には、それぞれ入力外部電
極41及び出力外部電極42が形成されている。入力外
部電極41にはコイル導体パターン12の引出し端12
aが接続され、出力外部電極42にはコイル導体パター
ン27の引出し端27aが接続される。
に示すように、相対的に高透磁率の磁性体シート2〜6
を積み重ねて構成した高透磁率コイル部35と、相対的
に低透磁率の磁性体シート7〜11を積み重ねて構成し
た低透磁率コイル部36とが積層されている。
4のコイル部L1,L4が主として低周波ノイズを除去
し、低透磁率コイル部36の第2と第3のコイル部L
2,L3が主として高周波ノイズを除去する。このと
き、低透磁率コイル部36の第2のコイル部L2の巻回
方向と第3のコイル部L3の巻回方向とを同じ方向に設
定しているので、第2のコイル部L2で発生する磁束H
2と第3のコイル部L3で発生する磁束H3とが電磁的
に結合して、結合磁束を形成する。従って、低透磁率コ
イル部36で大きなインダクタンスを得ることができ
る。
ル部L3の巻回方向を同じ方向にした場合のインダクタ
ンス値と、逆方向にした場合のインダクタンス値とを測
定した結果を表1に示す。なお、試料番号1〜4は、コ
イル部L2,L3のコイル径やコイル間距離G2を種々
変えたものである。
イル部L3の巻回方向を同じ方向にした場合の方が、イ
ンダクタンス値が大きいことが認められる。
率コイル部35に形成されたコイル導体パターン12,
27からそれぞれ入力外部電極41及び出力外部電極4
2に引き出されているため、等価回路的に対称となり、
積層型インピーダンス素子1の実装方向(表裏)による
電気特性の方向性をなくすことができる。このとき、高
透磁率コイル部35の第1のコイル部L1の巻回方向と
第4のコイル部L4の巻回方向とを逆方向にしているの
で、第1のコイル部L1で発生する磁束H1と第4のコ
イル部L4で発生する磁束H4とが電磁的に結合しな
い。従って、入力外部電極41から入った信号は、第
1、第2、第3、第4のコイル部L1〜L4を順に伝わ
り、出力外部電極42から出力される。この結果、入力
外部電極41から入った高周波成分が、第1と第4のコ
イル部L1,L4の電磁的結合によって直接に出力外部
電極42から出力される心配がない。
ル部L1と第4のコイル部L4との間の距離G1を、第
2のコイル部L2と第3のコイル部L3との間の距離G
2より大きく設定している。これにより、第1のコイル
部L1と第4のコイル部L4の電磁的な結合が抑えら
れ、第2のコイル部L2と第3のコイル部L3の電磁的
な結合が強くなるようにしている。
品質を良くするため、入力外部電極41は、高透磁率コ
イル部35のコイル導体パターン12に電気的に接続さ
れている。さらに、高透磁率コイル部35の比透磁率μ
を300以上にしているので、ダンピング機能を有し、
信号波形のリンギング現象を抑えることができ、信号波
形の品質をより向上させることができる。そして、低透
磁率コイル部36の比透磁率μを100以下に設定して
いるので、高周波領域(100MHz以上)で大きなイ
ンピーダンスを確保できる。これにより、ダンピング機
能を有し、高周波帯域まで優れたインピーダンス特性を
もつことができる。
4のコイル部L1,L4の合計インピーダンスが220
Ω以下(100MHz)で、低透磁率コイル部36の第
2及び第3のコイル部L2,L3の合計インピーダンス
が220Ω以下(100MHz)になるように設定する
ことが好ましい。高透磁率コイル部35があまり大きな
インピーダンスをもつと、信号レベルの低下や波形なま
りを起こすからである。一方、低透磁率コイル部36が
あまり大きなインピーダンスをもつと、インピーダンス
曲線の傾きが急峻となってQが高くなり、ダンピング機
能が働かなくなり、波形歪みが抑制されない心配がある
からである。
束H1,H4と低透磁率コイル部36で発生した磁束H
2,H3とが電磁的に結合すると、ノイズ除去効果を十
分に発揮することができない。このため、本第1実施形
態では、磁束H1,H4と磁束H2,H3との電磁的な
結合を防止するため、高透磁率コイル部35に配置され
た第1及び第4のコイル部L1,L4と低透磁率コイル
部36に配置された第2及び第3のコイル部L2,L3
との間の距離Dを大きくしている。
の電磁的な結合をより確実に防止するため、図4に示す
積層型インピーダンス素子1aのように、高透磁率コイ
ル部35と低透磁率コイル部36の間に非磁性体材料か
らなる中間層37を配設してもよい。また、特に図示し
ないが、高透磁率コイル部35と低透磁率コイル部36
の間に空洞を配設してもよい。中間層37及び空洞は、
高透磁率コイル部35の材料と低透磁率コイル部36の
材料の相互拡散防止や収縮率の違いにより発生する反り
やクラック防止の役目もすることができる。
は、磁性体シート3〜6のコイル導体パターン12〜1
5と27〜24の間に、それぞれ長尺状ビアホールを形
成し、磁性体シート3〜6を積層することによって、こ
れら長尺状ビアホールを連接して柱状のシールド体38
を形成している。この柱状のシールド体38は、第1の
コイル部L1と第4のコイル部L4との電磁的結合をよ
り確実に遮断する。
形態は、積層型インピーダンス素子の積層方向において
隣接するコイル部同士で、発生する磁束の方向が異なる
方向(逆方向)に設定されている積層型インピーダンス
素子について説明する。なお、前記第1実施形態の積層
型インピーダンス素子1と同一の部分には、同じ符号を
付し、その詳細な説明は省略する。
2〜67は磁性体シートにそれぞれ設けたビアホールを
介して電気的に直列に接続され、積層型インピーダンス
素子51内部にU字形に配設された螺旋状コイルLを形
成する。コイル導体パターン52〜55は高透磁率コイ
ル部35の第1のコイル部L11を構成し、コイル導体
パターン56〜59は低透磁率コイル部36の第2のコ
イル部L12を構成し、コイル導体パターン60〜63
は低透磁率コイル部36の第3のコイル部L13を構成
し、コイル導体パターン64〜67は高透磁率コイル部
35の第4のコイル部L14を構成する。
L14は、インダクタ51の上面側から見て時計回り方
向に巻回している。一方、第1のコイル部L11及び第
3のコイル部L13は反時計回り方向に巻回している。
そして、第1のコイル部L11と第2のコイル部L12
は、ビアホールを介して電気的に直列に接続されてい
る。第2のコイル部L12と第3のコイル部L13は、
同一の磁性体シート上に形成されたコイル導体パターン
59と60を接続することによって電気的に直列に接続
されている。第3のコイル部L13と第4のコイル部L
14は、ビアホールを介して電気的に直列に接続されて
いる。第1のコイル部L11と第2のコイル部L12、
並びに、第3のコイル部L13と第4のコイル部L14
は、それぞれ磁性体シートの積み重ね方向に同軸上に配
置されている。
透磁率コイル部36が第2のコイル部L12と第3のコ
イル部L13とを有しているので、低透磁率コイル部3
6で大きなインダクタンスを得ることができる。
4のコイル部L11,L14が主として低周波ノイズを
除去し、低透磁率コイル部36の第2と第3のコイル部
L12,L13が主として高周波ノイズを除去する。こ
のとき、高透磁率コイル部35の第1のコイル部L11
で発生する磁束H11の方向(図面上で上向き)と、低
透磁率コイル部36の第2のコイル部L12で発生する
磁束H12の方向(図面上で下向き)とが逆方向であ
る。また、高透磁率コイル部35の第4のコイル部L1
4で発生する磁束H14の方向(図面上で上向き)と、
低透磁率コイル部36の第3のコイル部L13で発生す
る磁束H13の方向(図面上で下向き)とが逆方向であ
る。このため、高透磁率コイル部35で発生する磁束H
11と低透磁率コイル部36で発生する磁束L12とが
電磁的に結合しにくくなる。また、高透磁率コイル部3
5で発生する磁束H14と低透磁率コイル部36で発生
する磁束L13とが電磁的に結合しにくくなる。従っ
て、高透磁率コイル部35のインピーダンス特性と低透
磁率コイル部36のインピーダンス特性がそれぞれ独立
して作用する。この結果、高透磁率コイル部35は低周
波ノイズ除去効果を十分に発揮し、低透磁率コイル部3
6は高周波ノイズ除去効果を十分に発揮することができ
る。
外部電極41,42間のインピーダンス特性を図6に示
す(実線87参照)。なお、図6において、点線85は
高透磁率コイル部35のインピーダンス特性を示し、点
線86は低透磁率コイル部36のインピーダンス特性を
示している。実線87から、中間周波数帯(図4に円A
で表示)においても、インピーダンスの増加が抑えられ
ていることが分かる。これは、高透磁率コイル部35及
び低透磁率コイル部36でそれぞれ発生した磁束H1
1,H14とH12,H13とが、高透磁率コイル部3
5と低透磁率コイル部36の境界付近で相互に反発し、
磁束H11,H14の低透磁率コイル部36への漏れや
磁束H12,H13の高透磁率コイル部35への漏れが
抑えられるからである。
率コイル部35にて入力外部電極41及び出力外部電極
42に引き出されているため、等価回路的に対称とな
り、積層型インピーダンス素子51の実装方向(表裏)
による電気特性の方向性をなくすことができる。このと
き、高透磁率コイル部35の第1のコイル部L11の巻
回方向と第4のコイル部L14の巻回方向とを逆方向に
しているので、第1のコイル部L11で発生する磁束H
11と第4のコイル部L14で発生する磁束H14とが
電磁的に結合しない。従って、入力外部電極41から入
った高周波成分は、第1、第2、第3、第4のコイル部
L11〜L14を順に伝わり、出力外部電極42から出
力される。この結果、入力外部電極41から入った高周
波成分が、第1と第4のコイル部L11,L14の電磁
的結合によって直接に出力外部電極42から出力される
心配がない。
向において隣接するコイル部同士で、磁束の方向が逆方
向である形態としては、図5に示す積層型インピーダン
ス素子51の他に、図7乃至図9に示す形態がある。な
お、積層型インピーダンス素子51と同一の部分には、
同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
aにおいては、磁束H11の方向(図面上で下向き)
と、磁束H12の方向(図面上で上向き)とが逆方向で
ある。また、磁束H14の方向(図面上で下向き)と、
磁束H13の方向(図面上で上向き)とが逆方向であ
る。
bにおいては、磁束H11の方向(図面上で下向き)
と、磁束H12の方向(図面上で上向き)とが逆方向で
ある。また、磁束H14の方向(図面上で上向き)と、
磁束H13の方向(図面上で下向き)とが逆方向であ
る。
cにおいては、磁束H11の方向(図面上で上向き)
と、磁束H12の方向(図面上で下向き)とが逆方向で
ある。また、磁束H14の方向(図面上で下向き)と、
磁束H13の方向(図面上で上向き)とが逆方向であ
る。
51b,51cにおいても、積層型インピーダンス素子
51と同様の効果が得られる。
型インピーダンス素子は前記実施形態に限定するもので
はなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば、螺旋状コイルの巻回数、コイル導体パター
ンの形状等は仕様に合わせて種々のものが採用される。
部の比透磁率を300以上に設定しているが、必ずしも
この値に限るものではなく、高透磁率コイル部の比透磁
率を100〜300に設定してもよい。この場合、螺旋
状コイルLが有するインピーダンスのピークの他に、高
透磁率コイル部でのインダクタンスと該インダクタンス
に電気的に並列に発生する浮遊容量との共振により、前
記インピーダンスのピークより低周波側にもインピーダ
ンスのピークを形成することができる。
導体パターンが形成された磁性体シートを積み重ねた
後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限
定されない。磁性体シートは予め焼成されたものを用い
てもよい。また、以下に説明する製法によってインダク
タを作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状の
磁性体材料にて磁性体層を形成した後、その磁性体層の
表面にペースト状の導電性材料を塗布してコイル導体パ
ターンを形成する。次に、ペースト状の磁性体材料を前
記コイル導体パターンの上から塗布してコイル導体パタ
ーンが内蔵された磁性体層とする。同様にして、コイル
導体パターン間を電気的に接続しつつ、順に重ね塗りす
ることにより積層構造を有するインダクタが得られる。
よれば、高透磁率コイル部の第1のコイル部及び第4の
コイル部を入出力外部電極に接続することにより、実装
方向による電気特性の方向性がなくなる。
の磁束方向と第3のコイル部の磁束方向とが異なる方向
になるように、第2のコイル部と第3のコイル部を巻回
することにより、第2のコイル部で発生する磁束と第3
のコイル部で発生する磁束とが電磁的に結合して、低透
磁率コイル部で大きなインダクタンスを得ることができ
る。
の磁束方向と第4のコイル部の磁束方向とが同じ方向に
なるように、第1のコイル部と第4のコイル部を巻回す
ることにより、第1のコイル部で発生する磁束と第4の
コイル部で発生する磁束とが電磁的に結合しにくくな
る。従って、積層型インピーダンス素子に入った高周波
成分が、高透磁率コイル部の第1と第4のコイル部との
電磁的結合によって直接出力側へ流れてしまうことがな
く、高周波成分が低透磁率コイル部の第2と第3のコイ
ル部を通らないという現象を防止することができる。
の磁束方向と低透磁率コイル部の第2のコイル部の磁束
方向とが異なる方向となり、かつ、高透磁率コイル部の
第4のコイル部の磁束方向と低透磁率コイル部の第3の
コイル部の磁束方向とが異なる方向となるように、第1
〜第4のコイル部を巻回することにより、高透磁率コイ
ル部で発生する磁束と低透磁率コイル部で発生する磁束
とが電磁的に結合しにくくなる。従って、高透磁率コイ
ル部のインピーダンス特性と低透磁率コイル部のインピ
ーダンス特性がそれぞれ独立して作用する。この結果、
高透磁率コイル部は低周波ノイズ除去効果を十分に発揮
し、低透磁率コイル部は高周波ノイズ除去効果を十分に
発揮することができる。
実施形態の構成を示す分解斜視図。
斜視図。
断面図。
形例を示す模式断面図。
実施形態の構成を示す模式断面図。
ピーダンス特性を示すグラフ。
形例を示す模式断面図。
の変形例を示す模式断面図。
らに他の変形例を示す模式断面図。
ピーダンス素子 2〜6…高透磁率磁性体シート 7〜11…低透磁率磁性体シート 12〜27,52〜67…コイル導体パターン 35…高透磁率コイル部 36…低透磁率コイル部 L…螺旋状コイル L1,L11…第1のコイル部 L2,L12…第2のコイル部 L3,L13…第3のコイル部 L4,L14…第4のコイル部 H1〜H4,H11〜H14…磁束
Claims (5)
- 【請求項1】 相対的に透磁率が高い材料からなる複数
の磁性体層と複数のコイル導体パターンとを積み重ねて
構成した、少なくとも第1のコイル部及び第4のコイル
部を内蔵した高透磁率コイル部と、 相対的に透磁率が低い材料からなる複数の磁性体層と複
数のコイル導体パターンとを積み重ねて構成した、少な
くとも第2のコイル部及び第3のコイル部を内蔵した低
透磁率コイル部とを備え、 前記高透磁率コイル部と前記低透磁率コイル部とを積み
重ね、前記第1のコイル部、第2のコイル部、第3のコ
イル部、第4のコイル部を順に電気的に直列に接続して
螺旋状コイルを形成すると共に、前記高透磁率コイル部
の第1のコイル部及び第4のコイル部を入出力外部電極
に接続したこと、を特徴とする積層型インピーダンス素
子。 - 【請求項2】 前記低透磁率コイル部の第2のコイル部
の磁束方向と第3のコイル部の磁束方向とが異なる方向
になるように、前記第2のコイル部と第3のコイル部が
巻回されていることを特徴とする請求項1に記載の積層
型インピーダンス素子。 - 【請求項3】 前記高透磁率コイル部の第1のコイル部
の磁束方向と第4のコイル部の磁束方向とが同じ方向に
なるように、前記第1のコイル部と第4のコイル部が巻
回されていることを特徴とする請求項1に記載の積層型
インピーダンス素子。 - 【請求項4】 前記高透磁率コイル部の第1のコイル部
の磁束方向と第4のコイル部の磁束方向とを同じ方向に
し、前記低透磁率コイル部の第2のコイル部の磁束方向
と第3のコイル部の磁束方向とが異なる方向になるよう
に、前記第1〜第4のコイル部が巻回されていることを
特徴とする請求項1に記載の積層型インピーダンス素
子。 - 【請求項5】 前記高透磁率コイル部の第1のコイル部
の磁束方向と前記低透磁率コイル部の第2のコイル部の
磁束方向とが異なる方向となり、かつ、前記高透磁率コ
イル部の第4のコイル部の磁束方向と前記低透磁率コイ
ル部の第3のコイル部の磁束方向とが異なる方向となる
ように、前記第1〜第4のコイル部が巻回されているこ
とを特徴とする請求項1に記載の積層型インピーダンス
素子。
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