JP2002271127A - トランスポンダ用アンテナ - Google Patents
トランスポンダ用アンテナInfo
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- JP2002271127A JP2002271127A JP2001069599A JP2001069599A JP2002271127A JP 2002271127 A JP2002271127 A JP 2002271127A JP 2001069599 A JP2001069599 A JP 2001069599A JP 2001069599 A JP2001069599 A JP 2001069599A JP 2002271127 A JP2002271127 A JP 2002271127A
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- antenna
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電波がどのような方向から入射しても、或い
はトランスポンダを取付けるための物品がどのような材
質で形成されていても、アンテナのコイルを含む共振回
路の共振特性は殆ど変化せず、ノイズの影響を受け難
い。 【解決手段】 軟磁性材料の粉末又はフレークをプラス
チック又はゴムに分散することにより電磁遮蔽板１６が
形成され、この電磁遮蔽板１６の表面上に設けられたコ
イル１５が電磁遮蔽板１６に直交する軸線を中心とする
渦巻き状に形成され。また電磁遮蔽板１６に含まれる軟
磁性材料は７５重量％以上であって電磁遮蔽板１６の電
気抵抗率は１×１０6Ω・ｃｍ以上である。
はトランスポンダを取付けるための物品がどのような材
質で形成されていても、アンテナのコイルを含む共振回
路の共振特性は殆ど変化せず、ノイズの影響を受け難
い。 【解決手段】 軟磁性材料の粉末又はフレークをプラス
チック又はゴムに分散することにより電磁遮蔽板１６が
形成され、この電磁遮蔽板１６の表面上に設けられたコ
イル１５が電磁遮蔽板１６に直交する軸線を中心とする
渦巻き状に形成され。また電磁遮蔽板１６に含まれる軟
磁性材料は７５重量％以上であって電磁遮蔽板１６の電
気抵抗率は１×１０6Ω・ｃｍ以上である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＦＩＤ（無線周
波数識別：Radio Frequency Identification）技術を用
いたタグや、ＥＡＳ（電子式物品監視：Electronic Art
icle Surveillance）技術を用いたタグや、リーダライ
タ等のトランスポンダに用いられるアンテナに関するも
のである。
波数識別：Radio Frequency Identification）技術を用
いたタグや、ＥＡＳ（電子式物品監視：Electronic Art
icle Surveillance）技術を用いたタグや、リーダライ
タ等のトランスポンダに用いられるアンテナに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】本出願人は、盗難監視用の物品に取付け
られかつ送信アンテナから送信された特定周波数の電波
に共振する共振回路を備えた盗難防止用タグを特許出願
した（特開平１１−３３９１４３号）。この盗難防止用
タグでは、物品の取付面と共振回路との間に、軟磁性粉
末とプラスチック又はゴムとの複合材により形成され電
磁遮蔽板が介装される。このように構成された盗難防止
用タグでは、このタグを導電性材料や強磁性材料により
形成された物品の表面に取付け、送信アンテナから送信
された電波により物品の表面に渦電流が発生しても、共
振回路が電磁遮蔽板により電磁遮蔽されて上記渦電流の
影響を受けないため、共振回路の自己インダクタンスは
表面が絶縁性材料や非磁性材料により形成された物品に
タグを取付けた場合と殆ど変わらない。
られかつ送信アンテナから送信された特定周波数の電波
に共振する共振回路を備えた盗難防止用タグを特許出願
した（特開平１１−３３９１４３号）。この盗難防止用
タグでは、物品の取付面と共振回路との間に、軟磁性粉
末とプラスチック又はゴムとの複合材により形成され電
磁遮蔽板が介装される。このように構成された盗難防止
用タグでは、このタグを導電性材料や強磁性材料により
形成された物品の表面に取付け、送信アンテナから送信
された電波により物品の表面に渦電流が発生しても、共
振回路が電磁遮蔽板により電磁遮蔽されて上記渦電流の
影響を受けないため、共振回路の自己インダクタンスは
表面が絶縁性材料や非磁性材料により形成された物品に
タグを取付けた場合と殆ど変わらない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の特
開平１１−３３９１４３号公報に示された盗難防止用タ
グでは、電磁遮蔽板に含まれる軟磁性材料の含有率及び
電磁遮蔽板の電気抵抗率が規定されていないため、タグ
を取付ける物品の表面が導電性材料や強磁性材料により
形成されている場合、電磁遮蔽板が物品の表面に発生し
た渦電流から共振回路を効果的に電磁遮蔽できず、共振
回路の共振特性が変化してしまうおそれがあった。本発
明の目的は、電波がどのような方向から入射しても、或
いはトランスポンダを取付けるための物品がどのような
材質で形成されていても、アンテナのコイルを含む共振
回路の共振特性が殆ど変化せず、ノイズの影響を受け難
い、トランスポンダ用アンテナを提供することにある。
開平１１−３３９１４３号公報に示された盗難防止用タ
グでは、電磁遮蔽板に含まれる軟磁性材料の含有率及び
電磁遮蔽板の電気抵抗率が規定されていないため、タグ
を取付ける物品の表面が導電性材料や強磁性材料により
形成されている場合、電磁遮蔽板が物品の表面に発生し
た渦電流から共振回路を効果的に電磁遮蔽できず、共振
回路の共振特性が変化してしまうおそれがあった。本発
明の目的は、電波がどのような方向から入射しても、或
いはトランスポンダを取付けるための物品がどのような
材質で形成されていても、アンテナのコイルを含む共振
回路の共振特性が殆ど変化せず、ノイズの影響を受け難
い、トランスポンダ用アンテナを提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１及び図２に示すように、軟磁性材料の粉末又はフレ
ークをプラスチック又はゴムに分散することにより形成
された電磁遮蔽板１６と、電磁遮蔽板１６の表面上に設
けられかつ電磁遮蔽板１６に直交する軸線を中心とする
渦巻き状に形成されたコイル１５とを有するトランスポ
ンダ用アンテナの改良である。その特徴ある構成は、電
磁遮蔽板１６に含まれる軟磁性材料が７５重量％以上で
あって電磁遮蔽板１６の電気抵抗率が１×１０6Ω・ｃ
ｍ以上であるところにある。
図１及び図２に示すように、軟磁性材料の粉末又はフレ
ークをプラスチック又はゴムに分散することにより形成
された電磁遮蔽板１６と、電磁遮蔽板１６の表面上に設
けられかつ電磁遮蔽板１６に直交する軸線を中心とする
渦巻き状に形成されたコイル１５とを有するトランスポ
ンダ用アンテナの改良である。その特徴ある構成は、電
磁遮蔽板１６に含まれる軟磁性材料が７５重量％以上で
あって電磁遮蔽板１６の電気抵抗率が１×１０6Ω・ｃ
ｍ以上であるところにある。
【０００５】この請求項１に記載されたトランスポンダ
用アンテナ１２では、表面が導電性材料や強磁性材料に
より形成された物品１１に、上記アンテナ１４を含むト
ランスポンダ１２を取付けた状態で、トランスポンダ１
２に向って電波を発信すると、コイル１５は電磁遮蔽板
１６により上記物品１１から電磁遮蔽されるので、この
コイル１５を含む共振回路のＱ値は低下せず、共振回路
の自己インダクタンスは殆ど変化しない。ここでＱ値と
は角周波数をωとし、共振回路の抵抗分をｒとすると
き、ωＬ／ｒで定義される数値であり、このＱ値が高い
ほど渦電流等による損失が少なくなり、共振の幅が鋭く
なることが知られている。
用アンテナ１２では、表面が導電性材料や強磁性材料に
より形成された物品１１に、上記アンテナ１４を含むト
ランスポンダ１２を取付けた状態で、トランスポンダ１
２に向って電波を発信すると、コイル１５は電磁遮蔽板
１６により上記物品１１から電磁遮蔽されるので、この
コイル１５を含む共振回路のＱ値は低下せず、共振回路
の自己インダクタンスは殆ど変化しない。ここでＱ値と
は角周波数をωとし、共振回路の抵抗分をｒとすると
き、ωＬ／ｒで定義される数値であり、このＱ値が高い
ほど渦電流等による損失が少なくなり、共振の幅が鋭く
なることが知られている。
【０００６】請求項２に係る発明は、図４及び図５に示
すように、軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチッ
ク又はゴムに分散することにより形成されたコア板４６
と、コア板４６の表面上に設けられかつコア板４６に直
交する軸線を中心とする渦巻き状に形成された第１コイ
ル５１と、コア板４６の裏面上に設けられかつコア板４
６に直交する軸線を中心とする渦巻き状に形成され更に
一端が第１コイル５１の一端に電気的に接続された第２
コイル５２とを有するトランスポンダ用アンテナであっ
て、コア板４６に含まれる軟磁性材料が７５重量％以上
であってコア板４６の電気抵抗率が１×１０6Ω・ｃｍ
以上であることを特徴とする。
すように、軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチッ
ク又はゴムに分散することにより形成されたコア板４６
と、コア板４６の表面上に設けられかつコア板４６に直
交する軸線を中心とする渦巻き状に形成された第１コイ
ル５１と、コア板４６の裏面上に設けられかつコア板４
６に直交する軸線を中心とする渦巻き状に形成され更に
一端が第１コイル５１の一端に電気的に接続された第２
コイル５２とを有するトランスポンダ用アンテナであっ
て、コア板４６に含まれる軟磁性材料が７５重量％以上
であってコア板４６の電気抵抗率が１×１０6Ω・ｃｍ
以上であることを特徴とする。
【０００７】この請求項２に記載されたトランスポンダ
用アンテナでは、第１及び第２コイル５１，５２を２層
構造に形成したので、同じ面積及び同じ厚さの単層構造
のコイルよりコイル中心の開口面積及びコイルの巻数を
増大でき、到来する電波に対する感度が高くなる。また
コア板４６が磁性体（軟磁性材料の粉末等を含むプラス
チック等）により形成されるので、到来する電波（電磁
波）を第１及び第２コイル５１，５２に収束させること
ができ、電波に対する感度が更に高まる。換言すれば、
同一の感度を有するトランスポンダ用アンテナを作製す
る場合、アンテナを小型化できる。
用アンテナでは、第１及び第２コイル５１，５２を２層
構造に形成したので、同じ面積及び同じ厚さの単層構造
のコイルよりコイル中心の開口面積及びコイルの巻数を
増大でき、到来する電波に対する感度が高くなる。また
コア板４６が磁性体（軟磁性材料の粉末等を含むプラス
チック等）により形成されるので、到来する電波（電磁
波）を第１及び第２コイル５１，５２に収束させること
ができ、電波に対する感度が更に高まる。換言すれば、
同一の感度を有するトランスポンダ用アンテナを作製す
る場合、アンテナを小型化できる。
【０００８】請求項３に係る発明は、図６及び図７に示
すように、軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチッ
ク又はゴムに分散することにより形成された磁芯部材６
６と、磁芯部材６６の外周面に螺旋状に巻回されたコイ
ル６５とを有するトランスポンダ用アンテナの改良であ
る。その特徴ある構成は、磁芯部材６６に含まれる軟磁
性材料が７５重量％以上であって磁芯部材６６の電気抵
抗率が１×１０6Ω・ｃｍ以上であるところにある。こ
の請求項３に記載されたトランスポンダ用アンテナで
は、表面が導電性材料や強磁性材料により形成された物
品１１に、アンテナ６４を含むトランスポンダ６２を取
付けた場合、アンテナ６４のコイル６５の軸心が物品１
１に平行であるため、コイル６５を含む共振回路の共振
の幅はコイル６５の軸心に垂直な電波よりコイル６５の
軸心に平行な電波に対して鋭くなる。
すように、軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチッ
ク又はゴムに分散することにより形成された磁芯部材６
６と、磁芯部材６６の外周面に螺旋状に巻回されたコイ
ル６５とを有するトランスポンダ用アンテナの改良であ
る。その特徴ある構成は、磁芯部材６６に含まれる軟磁
性材料が７５重量％以上であって磁芯部材６６の電気抵
抗率が１×１０6Ω・ｃｍ以上であるところにある。こ
の請求項３に記載されたトランスポンダ用アンテナで
は、表面が導電性材料や強磁性材料により形成された物
品１１に、アンテナ６４を含むトランスポンダ６２を取
付けた場合、アンテナ６４のコイル６５の軸心が物品１
１に平行であるため、コイル６５を含む共振回路の共振
の幅はコイル６５の軸心に垂直な電波よりコイル６５の
軸心に平行な電波に対して鋭くなる。
【０００９】請求項４に係る発明は、請求項２又は３に
係る発明であって、更に図４又は図６に示すように、軟
磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴムに
分散することにより形成された電磁遮蔽板１６がトラン
スポンダ４２又は６２及び物品１２間に介装され、電磁
遮蔽板１６に含まれる軟磁性材料が７５重量％以上であ
って電磁遮蔽板１６の電気抵抗率が１×１０6Ω・ｃｍ
以上であることを特徴とする。この請求項４に記載され
たトランスポンダ用アンテナでは、請求項１と同様に、
表面が導電性材料や強磁性材料により形成された物品１
１に、上記アンテナ４４又は６４を含むトランスポンダ
４２又は６２を取付けた状態で、トランスポンダ４２又
は６２に向って電波を発信すると、コイル５１，５２又
は６５は電磁遮蔽板１６により上記物品１１から電磁遮
蔽されるので、このコイル５１，５２又は６５を含む共
振回路のＱ値は低下せず、共振回路の自己インダクタン
スは殆ど変化しない。
係る発明であって、更に図４又は図６に示すように、軟
磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴムに
分散することにより形成された電磁遮蔽板１６がトラン
スポンダ４２又は６２及び物品１２間に介装され、電磁
遮蔽板１６に含まれる軟磁性材料が７５重量％以上であ
って電磁遮蔽板１６の電気抵抗率が１×１０6Ω・ｃｍ
以上であることを特徴とする。この請求項４に記載され
たトランスポンダ用アンテナでは、請求項１と同様に、
表面が導電性材料や強磁性材料により形成された物品１
１に、上記アンテナ４４又は６４を含むトランスポンダ
４２又は６２を取付けた状態で、トランスポンダ４２又
は６２に向って電波を発信すると、コイル５１，５２又
は６５は電磁遮蔽板１６により上記物品１１から電磁遮
蔽されるので、このコイル５１，５２又は６５を含む共
振回路のＱ値は低下せず、共振回路の自己インダクタン
スは殆ど変化しない。
【００１０】請求項５に係る発明は、請求項１ないし４
いずれかに係る発明であって、更に図１、図４又は図６
に示すように、電磁遮蔽板１６、コア板４３又は磁芯部
材５４ａに含まれる軟磁性材料がアモルファス合金、パ
ーマロイ、電磁軟鉄、ケイ素鋼板、センダスト合金、Ｆ
ｅ−Ａｌ合金又はフェライトのいずれかであることを特
徴とする。この請求項５に記載されたトランスポンダ用
アンテナでは、電磁遮蔽板１６、コア板４３又は磁芯部
材５４ａの軟磁性材料として上記アモルファス合金等を
用いると、透磁率が１０００以上と大きく、保磁力が１
００Ａ／ｍ以下と小さく、かつヒステリシス損が小さい
ため、表面が導電性材料や強磁性材料により形成された
物品１１からコイル１５，５１，５２又は６５を確実に
電磁遮蔽できる。
いずれかに係る発明であって、更に図１、図４又は図６
に示すように、電磁遮蔽板１６、コア板４３又は磁芯部
材５４ａに含まれる軟磁性材料がアモルファス合金、パ
ーマロイ、電磁軟鉄、ケイ素鋼板、センダスト合金、Ｆ
ｅ−Ａｌ合金又はフェライトのいずれかであることを特
徴とする。この請求項５に記載されたトランスポンダ用
アンテナでは、電磁遮蔽板１６、コア板４３又は磁芯部
材５４ａの軟磁性材料として上記アモルファス合金等を
用いると、透磁率が１０００以上と大きく、保磁力が１
００Ａ／ｍ以下と小さく、かつヒステリシス損が小さい
ため、表面が導電性材料や強磁性材料により形成された
物品１１からコイル１５，５１，５２又は６５を確実に
電磁遮蔽できる。
【００１１】請求項６に係る発明は、請求項１、４又は
５に係る発明であって、更に物品と電磁遮蔽板との間に
高導電率層が介装され、高導電率層が１×１０-2Ω・ｃ
ｍ以下の電気抵抗率を有する非磁性材料により形成され
たことを特徴とする。この請求項６に記載されたトラン
スポンダ用アンテナでは、アンテナを含む共振回路が電
磁遮蔽板により物品から電磁遮蔽され、かつ高導電率層
により共振回路のＱ値が高められるので、共振回路の自
己インダクタンスは殆ど変化せず、共振の幅が鋭くな
る。また薄い高導電率層を介装することにより、電磁遮
蔽板の厚さを大幅に薄くすることができるので、トラン
スポンダ全体の厚さを薄くでき、しかも安価にトランス
ポンダを製造することができる。
５に係る発明であって、更に物品と電磁遮蔽板との間に
高導電率層が介装され、高導電率層が１×１０-2Ω・ｃ
ｍ以下の電気抵抗率を有する非磁性材料により形成され
たことを特徴とする。この請求項６に記載されたトラン
スポンダ用アンテナでは、アンテナを含む共振回路が電
磁遮蔽板により物品から電磁遮蔽され、かつ高導電率層
により共振回路のＱ値が高められるので、共振回路の自
己インダクタンスは殆ど変化せず、共振の幅が鋭くな
る。また薄い高導電率層を介装することにより、電磁遮
蔽板の厚さを大幅に薄くすることができるので、トラン
スポンダ全体の厚さを薄くでき、しかも安価にトランス
ポンダを製造することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の第１の実施の形態を
図面に基づいて説明する。図１及び図２に示すように、
物品１１の表面にはトランスポンダであるＲＦＩＤ用タ
グ１２が取付けられる。このタグ１２は物品１１毎に異
なる固有の情報が記憶されたＩＣチップ１３と、ＩＣチ
ップ１３に電気的に接続されたアンテナ１４とを備え
る。物品１１はこの実施の形態では倉庫に保管された修
理用の部品であり、鋼板等の導電性を有する磁性材料に
より形成される。またアンテナ１４は電磁遮蔽板１６
と、電磁遮蔽板１６の表面上に第１絶縁シート２１を介
して設けられかつ電磁遮蔽板１６に直交する軸線を中心
とする渦巻き状に形成されたコイル１５とを有する。な
お、ＩＣチップ１３とコイル１５によりタグ本体１８が
構成される。また図１の符号２２はコイル１５及びＩＣ
チップ１３の上面を覆うための第２絶縁シートである。
図面に基づいて説明する。図１及び図２に示すように、
物品１１の表面にはトランスポンダであるＲＦＩＤ用タ
グ１２が取付けられる。このタグ１２は物品１１毎に異
なる固有の情報が記憶されたＩＣチップ１３と、ＩＣチ
ップ１３に電気的に接続されたアンテナ１４とを備え
る。物品１１はこの実施の形態では倉庫に保管された修
理用の部品であり、鋼板等の導電性を有する磁性材料に
より形成される。またアンテナ１４は電磁遮蔽板１６
と、電磁遮蔽板１６の表面上に第１絶縁シート２１を介
して設けられかつ電磁遮蔽板１６に直交する軸線を中心
とする渦巻き状に形成されたコイル１５とを有する。な
お、ＩＣチップ１３とコイル１５によりタグ本体１８が
構成される。また図１の符号２２はコイル１５及びＩＣ
チップ１３の上面を覆うための第２絶縁シートである。
【００１３】上記電磁遮蔽板１６は軟磁性材料の粉末又
はフレークをプラスチック又はゴムに分散することによ
り形成される。軟磁性材料としてはアモルファス合金、
パーマロイ、電磁軟鉄、ケイ素鋼板、センダスト合金、
Ｆｅ−Ａｌ合金又はフェライトのいずれかが用いられ
る。アモルファス合金とは、コバルト系、鉄系、ニッケ
ル系等の高透磁率材料であり、具体的にはＣｏ，Ｆｅ，
Ｎｉを合計７０〜９８重量％含み、Ｂ，Ｓｉ，Ｐを合計
２〜３０重量％含み、更にその他にＡｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，
Ｎｂ等を含む合金が挙げられる。コバルト系合金の具体
的例としては、Ｃｏ−８４重量％とＦｅ−５．３重量％
とＳｉ−８．５重量％とＢ−２．２重量％からなる合
金、Ｃｏ−８４重量％とＦｅ−３．３重量％とＢ−１．
３重量％とＰ−９．８重量％とＡｌ−１．６重量％から
なる合金、Ｃｏ−８９重量％とＦｅ−５．３重量％とＳ
ｉ−２．３重量％とＢ−３．４重量％からなる合金、Ｃ
ｏ−８１．９重量％とＦｅ−５．１重量％とＳｉ−１０
重量％とＢ−３重量％からなる合金、Ｃｏ−８０重量％
とＦｅ−１０重量％とＳｉ−６重量％とＢ−４重量％か
らなる合金、Ｃｏ−７８．８重量％とＦｅ−５．１重量
％とＳｉ−６．１重量％とＢ−４．７重量％とＮｉ−
５．３重量％からなる合金等が挙げられる。鉄系合金の
具体的例としては、Ｆｅ−９５．４重量％とＢ−４．６
重量％からなる合金、Ｆｅ−９１．４重量％とＳｉ−
５．９重量％とＢ−２．７重量％からなる合金等が挙げ
られる。Ｎｉ系合金の具体的例としては、Ｎｉ−９４．
５重量％とＰ−５．５重量％からなる合金等が挙げられ
る。
はフレークをプラスチック又はゴムに分散することによ
り形成される。軟磁性材料としてはアモルファス合金、
パーマロイ、電磁軟鉄、ケイ素鋼板、センダスト合金、
Ｆｅ−Ａｌ合金又はフェライトのいずれかが用いられ
る。アモルファス合金とは、コバルト系、鉄系、ニッケ
ル系等の高透磁率材料であり、具体的にはＣｏ，Ｆｅ，
Ｎｉを合計７０〜９８重量％含み、Ｂ，Ｓｉ，Ｐを合計
２〜３０重量％含み、更にその他にＡｌ，Ｍｎ，Ｚｒ，
Ｎｂ等を含む合金が挙げられる。コバルト系合金の具体
的例としては、Ｃｏ−８４重量％とＦｅ−５．３重量％
とＳｉ−８．５重量％とＢ−２．２重量％からなる合
金、Ｃｏ−８４重量％とＦｅ−３．３重量％とＢ−１．
３重量％とＰ−９．８重量％とＡｌ−１．６重量％から
なる合金、Ｃｏ−８９重量％とＦｅ−５．３重量％とＳ
ｉ−２．３重量％とＢ−３．４重量％からなる合金、Ｃ
ｏ−８１．９重量％とＦｅ−５．１重量％とＳｉ−１０
重量％とＢ−３重量％からなる合金、Ｃｏ−８０重量％
とＦｅ−１０重量％とＳｉ−６重量％とＢ−４重量％か
らなる合金、Ｃｏ−７８．８重量％とＦｅ−５．１重量
％とＳｉ−６．１重量％とＢ−４．７重量％とＮｉ−
５．３重量％からなる合金等が挙げられる。鉄系合金の
具体的例としては、Ｆｅ−９５．４重量％とＢ−４．６
重量％からなる合金、Ｆｅ−９１．４重量％とＳｉ−
５．９重量％とＢ−２．７重量％からなる合金等が挙げ
られる。Ｎｉ系合金の具体的例としては、Ｎｉ−９４．
５重量％とＰ−５．５重量％からなる合金等が挙げられ
る。
【００１４】パーマロイの具体例としては、78-Permall
oy，45-Permalloy，Hipernik，Monimax，Sinimax，Radi
ometal，1040 Alloy，Mumetal，Cr-Permalloy，Mo-Perm
alloy，Supermalloy，Hardperm，36-Permalloy，Deltam
ax，角形ヒステリシスパーマロイ，JIS PB 1種及び2
種，JIS PC 1種〜3種，JIS PD 1種及び2種，JIS PE 1種
及び2種等が挙げられる。
oy，45-Permalloy，Hipernik，Monimax，Sinimax，Radi
ometal，1040 Alloy，Mumetal，Cr-Permalloy，Mo-Perm
alloy，Supermalloy，Hardperm，36-Permalloy，Deltam
ax，角形ヒステリシスパーマロイ，JIS PB 1種及び2
種，JIS PC 1種〜3種，JIS PD 1種及び2種，JIS PE 1種
及び2種等が挙げられる。
【００１５】電磁軟鉄の具体例としては、工業純鉄、ア
ームコ鉄、Cioffi純鉄、低炭素鋼板等が挙げられる。ケ
イ素鋼板の具体例としては、無方向性ケイ素鋼板、方向
性ケイ素鋼板等が挙げられる。センダスト・Ｆｅ−Ａｌ
合金の具体例としては、アルパーム、ハイパーマル、セ
ンダスト、スーパーセンダスト等が挙げられる。フェラ
イトとは、二価の金属イオンをＭと表した場合に、ＭＯ
・Ｆｅ2Ｏ3なる化学式で表される酸化物であり、二価の
金属イオンとしては、Ｍｎ，Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，
Ｚｎなどが挙げられる。但し、Ｍに入る元素は上記金属
イオン中の１種類に限定されるわけではなく、例えば
（ＮｉＸＺｎ１−Ｘ）Ｏ・Ｆｅ2Ｏ3のように複数で構成
されてもよい。またフェライト粉末は、フェライト焼結
体を微粉砕した焼結フェライト粉末であってもよい。フ
ェライトの具体例としては、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトや、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等が挙げられる。
ームコ鉄、Cioffi純鉄、低炭素鋼板等が挙げられる。ケ
イ素鋼板の具体例としては、無方向性ケイ素鋼板、方向
性ケイ素鋼板等が挙げられる。センダスト・Ｆｅ−Ａｌ
合金の具体例としては、アルパーム、ハイパーマル、セ
ンダスト、スーパーセンダスト等が挙げられる。フェラ
イトとは、二価の金属イオンをＭと表した場合に、ＭＯ
・Ｆｅ2Ｏ3なる化学式で表される酸化物であり、二価の
金属イオンとしては、Ｍｎ，Ｍｇ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｕ，
Ｚｎなどが挙げられる。但し、Ｍに入る元素は上記金属
イオン中の１種類に限定されるわけではなく、例えば
（ＮｉＸＺｎ１−Ｘ）Ｏ・Ｆｅ2Ｏ3のように複数で構成
されてもよい。またフェライト粉末は、フェライト焼結
体を微粉砕した焼結フェライト粉末であってもよい。フ
ェライトの具体例としては、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトや、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト等が挙げられる。
【００１６】上記軟磁性材料の粉末としては、粒径が１
〜１００μｍの粉末を用いることが好ましい。また軟磁
性材料のフレークとしては、上記粉末をボールミル、ロ
ーラー等で機械的に扁平化して得られたフレークや、鉄
系又はコバルト系合金の溶湯を水冷銅に衝突させて得ら
れたアモルファスフレークなどを用いることが好まし
い。また軟磁性材料の粉末又はフレークを分散するプラ
スチックとしては、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエチレン
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂
や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、
ウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。また軟磁
性材料の粉末又はフレークを分散するゴムとしては、天
然ゴムや合成ゴムが挙げられる。
〜１００μｍの粉末を用いることが好ましい。また軟磁
性材料のフレークとしては、上記粉末をボールミル、ロ
ーラー等で機械的に扁平化して得られたフレークや、鉄
系又はコバルト系合金の溶湯を水冷銅に衝突させて得ら
れたアモルファスフレークなどを用いることが好まし
い。また軟磁性材料の粉末又はフレークを分散するプラ
スチックとしては、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエチレン
樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル
樹脂、ポリアミド樹脂、フッ素樹脂等の熱可塑性樹脂
や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、
ウレタン樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。また軟磁
性材料の粉末又はフレークを分散するゴムとしては、天
然ゴムや合成ゴムが挙げられる。
【００１７】電磁遮蔽板１６に含まれる軟磁性材料は７
５重量％以上であり、残部がプラスチック又はゴムであ
る。また電磁遮蔽板１６の電気抵抗率は１×１０6Ω・
ｃｍ以上である。軟磁性材料を７５重量％以上に限定し
たのは、７５重量％未満では、表面が導電性材料や強磁
性材料により形成された物品１１からアンテナ１４を電
磁遮蔽できないからである。また電気抵抗率を１×１０
6Ω・ｃｍ以上に限定したのは、１×１０6Ω・ｃｍ未満
では、渦電流損の増大によりアンテナ１４を含む共振回
路の共振が極めて小さくなり、アンテナ１４として事実
上動作不能になるからである。
５重量％以上であり、残部がプラスチック又はゴムであ
る。また電磁遮蔽板１６の電気抵抗率は１×１０6Ω・
ｃｍ以上である。軟磁性材料を７５重量％以上に限定し
たのは、７５重量％未満では、表面が導電性材料や強磁
性材料により形成された物品１１からアンテナ１４を電
磁遮蔽できないからである。また電気抵抗率を１×１０
6Ω・ｃｍ以上に限定したのは、１×１０6Ω・ｃｍ未満
では、渦電流損の増大によりアンテナ１４を含む共振回
路の共振が極めて小さくなり、アンテナ１４として事実
上動作不能になるからである。
【００１８】なお、軟磁性材料の含有量の上限値を設定
しなかったのは次の理由に基づく。軟磁性材料の含有量
の上限を決定付ける特性は電磁遮蔽板の電気抵抗値であ
り、一般に軟磁性材料の含有量の増加に伴って電磁遮蔽
板の電気抵抗率が減少し、電気抵抗率が１×１０6Ω・
ｃｍを下回ると、電磁遮蔽板としての機能が失われる。
この電気抵抗率の減少の度合は軟磁性材料の種類によっ
て異なる。例えば、軟磁性材料の含有量がほぼ１００重
量％であっても高い電気抵抗率を保つものから、軟磁性
材料の含有量が９０重量％を越えた直後に電磁遮蔽機能
を失うものまである。よって、軟磁性材料の含有量の上
限を、電磁遮蔽板の電気抵抗率の下限（１×１０6Ω・
ｃｍ）で代用したためである。
しなかったのは次の理由に基づく。軟磁性材料の含有量
の上限を決定付ける特性は電磁遮蔽板の電気抵抗値であ
り、一般に軟磁性材料の含有量の増加に伴って電磁遮蔽
板の電気抵抗率が減少し、電気抵抗率が１×１０6Ω・
ｃｍを下回ると、電磁遮蔽板としての機能が失われる。
この電気抵抗率の減少の度合は軟磁性材料の種類によっ
て異なる。例えば、軟磁性材料の含有量がほぼ１００重
量％であっても高い電気抵抗率を保つものから、軟磁性
材料の含有量が９０重量％を越えた直後に電磁遮蔽機能
を失うものまである。よって、軟磁性材料の含有量の上
限を、電磁遮蔽板の電気抵抗率の下限（１×１０6Ω・
ｃｍ）で代用したためである。
【００１９】一方、ＩＣチップ１３は図３に示すよう
に、電源回路１３ａと、無線周波数（ＲＦ）回路１３ｂ
と、変調回路１３ｃと、復調回路１３ｄと、ＣＰＵ１３
ｅと、このＣＰＵ１３ｅに接続され物品１１に固有の情
報が記憶されるメモリ１３ｆとを有する。電源回路１３
ａはコンデンサ（図示せず）を内蔵し、このコンデンサ
はアンテナ１４とともに共振回路を形成する。このコン
デンサにはアンテナ１４が特定の周波数の電波（上記共
振回路が共振する周波数）を受信したときにその相互誘
導作用で生じる電力が充電される。電源回路１３ａはこ
の電力を整流し安定化してＣＰＵ１３ｅに供給し、ＩＣ
チップ１３を活性化する。メモリ１３ｆはＲＯＭ（read
only memory）、ＲＡＭ（ramdom-access memory）及び
ＥＥＰＲＯＭ（electrically erasable programmable r
ead only memory）を含み、ＣＰＵ１３ｅの制御の下で
後述するリーダライタ１７（図３）からの電波のデータ
通信による読出しコマンドに応じて記憶されたデータの
読出しを行うとともに、リーダライタ１７からの書込み
コマンドに応じてデータの書込みが行われる。
に、電源回路１３ａと、無線周波数（ＲＦ）回路１３ｂ
と、変調回路１３ｃと、復調回路１３ｄと、ＣＰＵ１３
ｅと、このＣＰＵ１３ｅに接続され物品１１に固有の情
報が記憶されるメモリ１３ｆとを有する。電源回路１３
ａはコンデンサ（図示せず）を内蔵し、このコンデンサ
はアンテナ１４とともに共振回路を形成する。このコン
デンサにはアンテナ１４が特定の周波数の電波（上記共
振回路が共振する周波数）を受信したときにその相互誘
導作用で生じる電力が充電される。電源回路１３ａはこ
の電力を整流し安定化してＣＰＵ１３ｅに供給し、ＩＣ
チップ１３を活性化する。メモリ１３ｆはＲＯＭ（read
only memory）、ＲＡＭ（ramdom-access memory）及び
ＥＥＰＲＯＭ（electrically erasable programmable r
ead only memory）を含み、ＣＰＵ１３ｅの制御の下で
後述するリーダライタ１７（図３）からの電波のデータ
通信による読出しコマンドに応じて記憶されたデータの
読出しを行うとともに、リーダライタ１７からの書込み
コマンドに応じてデータの書込みが行われる。
【００２０】上記ＩＣチップ１３のメモリ１３ｆに記憶
された物品１１固有の情報は図３に示すように、送受信
アンテナ１８を有するリーダライタ１７により取出され
る。リーダライタ１７はＩＣチップ１３のメモリ１３ｆ
に記憶された情報を読出しかつＩＣチップ１３のメモリ
１３ｆに情報を書込むように構成され、アンテナ１４と
相互誘導作用するアンテナ１７ａと、このアンテナ１７
ａから電波を発信しかつアンテナ１７ａの受けた電波を
処理する処理部１７ｂと、ＩＣチップ１３のメモリ１３
ｆに記憶された情報を表示する表示部１７ｃとを有す
る。アンテナ１７ａは物品１１に取付けられたタグ１２
のアンテナ１４に電波を発信しかつそのアンテナ１４か
らの電波を受信可能に構成される。また処理部１７ｂは
アンテナ１７ａに接続され、バッテリを内蔵する電源回
路１７ｄと、無線周波数（ＲＦ）回路１７ｅと、変調回
路１７ｆと、復調回路１７ｇと、ＣＰＵ１７ｈと、この
ＣＰＵ１７ｈに接続されＩＣチップ１３から読取った情
報を記憶するメモリ１７ｉとを有する。また処理部１７
ｂのＣＰＵ１７ｈには入力部１７ｊが接続され、この入
力部１７ｊにより入力された情報はＩＣチップ１３のメ
モリ１３ｆに書込み可能に構成される。上記リーダライ
タ１７は倉庫の管理者により持運び可能に構成される。
またＩＣチップ１３のメモリ１３ｆにはその物品１１の
名称、材質、重量、成形年月日等が記憶される。更に上
記タグ１２（電磁遮蔽板１６を含む。）は図示しないが
接着剤又は両面粘着テープを介して物品１１の表面に取
付けられる。
された物品１１固有の情報は図３に示すように、送受信
アンテナ１８を有するリーダライタ１７により取出され
る。リーダライタ１７はＩＣチップ１３のメモリ１３ｆ
に記憶された情報を読出しかつＩＣチップ１３のメモリ
１３ｆに情報を書込むように構成され、アンテナ１４と
相互誘導作用するアンテナ１７ａと、このアンテナ１７
ａから電波を発信しかつアンテナ１７ａの受けた電波を
処理する処理部１７ｂと、ＩＣチップ１３のメモリ１３
ｆに記憶された情報を表示する表示部１７ｃとを有す
る。アンテナ１７ａは物品１１に取付けられたタグ１２
のアンテナ１４に電波を発信しかつそのアンテナ１４か
らの電波を受信可能に構成される。また処理部１７ｂは
アンテナ１７ａに接続され、バッテリを内蔵する電源回
路１７ｄと、無線周波数（ＲＦ）回路１７ｅと、変調回
路１７ｆと、復調回路１７ｇと、ＣＰＵ１７ｈと、この
ＣＰＵ１７ｈに接続されＩＣチップ１３から読取った情
報を記憶するメモリ１７ｉとを有する。また処理部１７
ｂのＣＰＵ１７ｈには入力部１７ｊが接続され、この入
力部１７ｊにより入力された情報はＩＣチップ１３のメ
モリ１３ｆに書込み可能に構成される。上記リーダライ
タ１７は倉庫の管理者により持運び可能に構成される。
またＩＣチップ１３のメモリ１３ｆにはその物品１１の
名称、材質、重量、成形年月日等が記憶される。更に上
記タグ１２（電磁遮蔽板１６を含む。）は図示しないが
接着剤又は両面粘着テープを介して物品１１の表面に取
付けられる。
【００２１】このように構成されたＲＦＩＤ用タグ１２
の動作を図１〜図３に基づいて説明する。倉庫の管理者
はリーダライタ１７を用いて物品１１をチェックする。
具体的にはリーダライタ１７のアンテナ１７ａをタグ１
２に近付け、アンテナ１７ａからタグ１２のアンテナ１
４に向けて２値化されたデジタル信号の質問信号を特定
周波数の電波により送信する。リーダライタ１７から発
せられるデジタル信号は、図示しない信号発生器から発
せられ変調回路１７ｆで変調を受け、ＲＦ回路１７ｅで
この変調した信号を増幅してアンテナ１７ａから送信さ
れる。この変調には例えばＡＳＫ（振幅変調）、ＦＳＫ
（周波数変調）又はＰＳＫ（位相変調）が挙げられる。
送信された質問信号の電波はタグ１２のアンテナ１４に
受信される。このときコイル１５とＩＣチップ１３の電
源回路１３ａのコンデンサ（図示せず）により構成され
る共振回路は電磁遮蔽板１６により上記鋼板製の物品１
１から電磁遮蔽される。即ち、上記質問信号の電波の発
信により物品１１に渦電流が発生しても、共振回路は電
磁遮蔽板１６により電磁遮蔽されて上記渦電流の影響を
受けないので、共振回路のＱ値が低下することはなく、
共振回路の自己インダクタンスは殆ど変化せず、共振の
幅は鋭さを保つ。なお、外来ノイズが発生しても、上記
共振回路は電磁遮蔽板１６により電磁遮蔽されて上記外
来ノイズの影響を受けない。
の動作を図１〜図３に基づいて説明する。倉庫の管理者
はリーダライタ１７を用いて物品１１をチェックする。
具体的にはリーダライタ１７のアンテナ１７ａをタグ１
２に近付け、アンテナ１７ａからタグ１２のアンテナ１
４に向けて２値化されたデジタル信号の質問信号を特定
周波数の電波により送信する。リーダライタ１７から発
せられるデジタル信号は、図示しない信号発生器から発
せられ変調回路１７ｆで変調を受け、ＲＦ回路１７ｅで
この変調した信号を増幅してアンテナ１７ａから送信さ
れる。この変調には例えばＡＳＫ（振幅変調）、ＦＳＫ
（周波数変調）又はＰＳＫ（位相変調）が挙げられる。
送信された質問信号の電波はタグ１２のアンテナ１４に
受信される。このときコイル１５とＩＣチップ１３の電
源回路１３ａのコンデンサ（図示せず）により構成され
る共振回路は電磁遮蔽板１６により上記鋼板製の物品１
１から電磁遮蔽される。即ち、上記質問信号の電波の発
信により物品１１に渦電流が発生しても、共振回路は電
磁遮蔽板１６により電磁遮蔽されて上記渦電流の影響を
受けないので、共振回路のＱ値が低下することはなく、
共振回路の自己インダクタンスは殆ど変化せず、共振の
幅は鋭さを保つ。なお、外来ノイズが発生しても、上記
共振回路は電磁遮蔽板１６により電磁遮蔽されて上記外
来ノイズの影響を受けない。
【００２２】このため、上記コンデンサには十分な量の
電力が充電される、即ちアンテナ１７ａとアンテナ１４
の相互誘導作用により十分な量の電力が電源回路１３ａ
のコンデンサに充電される。電源回路１３ａはこの電力
を整流し安定化してＣＰＵ１３ｅに供給し、ＩＣチップ
１３を活性化し、更にＲＦ回路１３ｂを介して復調回路
１３ｄで元のデジタル信号の質問信号を再現させる。Ｃ
ＰＵ１３ｅはこの質問信号に基づいてメモリ１３ｆに書
込まれていたその物品１１に関する情報を送信する。こ
の情報の送信は２値化されたデータ信号をＩＣチップ１
３の変調回路１３ｃで変調し、ＲＦ回路１３ｂで増幅し
てアンテナ１４から送出することにより行われる。送信
されたデータはリーダライタ１７のアンテナ１７ａが受
信し、処理部１７ｂはタグ１２からの物品１１固有の情
報を表示部１７ｃに表示する。倉庫の管理者は表示部１
７ｃに表示された情報を見てその物品１１の保管場所を
変更したり或いは工場に搬送したりして在庫管理する。
電力が充電される、即ちアンテナ１７ａとアンテナ１４
の相互誘導作用により十分な量の電力が電源回路１３ａ
のコンデンサに充電される。電源回路１３ａはこの電力
を整流し安定化してＣＰＵ１３ｅに供給し、ＩＣチップ
１３を活性化し、更にＲＦ回路１３ｂを介して復調回路
１３ｄで元のデジタル信号の質問信号を再現させる。Ｃ
ＰＵ１３ｅはこの質問信号に基づいてメモリ１３ｆに書
込まれていたその物品１１に関する情報を送信する。こ
の情報の送信は２値化されたデータ信号をＩＣチップ１
３の変調回路１３ｃで変調し、ＲＦ回路１３ｂで増幅し
てアンテナ１４から送出することにより行われる。送信
されたデータはリーダライタ１７のアンテナ１７ａが受
信し、処理部１７ｂはタグ１２からの物品１１固有の情
報を表示部１７ｃに表示する。倉庫の管理者は表示部１
７ｃに表示された情報を見てその物品１１の保管場所を
変更したり或いは工場に搬送したりして在庫管理する。
【００２３】また管理者はリーダライタ１７の入力部１
７ｊから在庫管理した日付をＩＣチップ１３のメモリ１
３ｆに書込む。具体的にはリーダライタ１７のアンテナ
１７ａからタグ１２のアンテナ１４に向けて上記在庫管
理した日付を特定周波数の電波により送信する。この情
報は２値化されたデジタル信号としてリーダライタ１７
から発せられる。このデジタル信号は、図示しない信号
発生器から発せられ変調回路１７ｆで変調を受け、ＲＦ
回路１７ｅでこの変調した信号を増幅してアンテナ１７
ａから送信される。送信された電波はタグ１２のアンテ
ナ１４に受信され、この受信により、電源回路１３ａの
コンデンサにはアンテナ１７ａとアンテナ１４の相互誘
導作用で生じる電力が充電される。この結果、電源回路
１３ａは電力を整流し安定化してＣＰＵ１３ｅに供給
し、ＩＣチップ１３を活性化する。次にＩＣチップ１３
のＲＦ回路１３ｂでは復調に必要な信号のみを取込み、
復調回路１３ｄで上記情報のデジタル信号を再現させ
て、ＣＰＵ１３ｅによりこのデジタル信号をメモリ１３
ｆに書込む。
７ｊから在庫管理した日付をＩＣチップ１３のメモリ１
３ｆに書込む。具体的にはリーダライタ１７のアンテナ
１７ａからタグ１２のアンテナ１４に向けて上記在庫管
理した日付を特定周波数の電波により送信する。この情
報は２値化されたデジタル信号としてリーダライタ１７
から発せられる。このデジタル信号は、図示しない信号
発生器から発せられ変調回路１７ｆで変調を受け、ＲＦ
回路１７ｅでこの変調した信号を増幅してアンテナ１７
ａから送信される。送信された電波はタグ１２のアンテ
ナ１４に受信され、この受信により、電源回路１３ａの
コンデンサにはアンテナ１７ａとアンテナ１４の相互誘
導作用で生じる電力が充電される。この結果、電源回路
１３ａは電力を整流し安定化してＣＰＵ１３ｅに供給
し、ＩＣチップ１３を活性化する。次にＩＣチップ１３
のＲＦ回路１３ｂでは復調に必要な信号のみを取込み、
復調回路１３ｄで上記情報のデジタル信号を再現させ
て、ＣＰＵ１３ｅによりこのデジタル信号をメモリ１３
ｆに書込む。
【００２４】図４及び図５は本発明の第２の実施の形態
を示す。図４及び図５において図１及び図２と同一符号
は同一部品を示す。この実施の形態では、アンテナ４４
が軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴ
ムに分散することにより形成されたコア板４６と、この
コア板４６の表面上に設けられた第１コイル５１と、コ
ア板４６の裏面上に設けられた第２コイル５２とを有す
る。第１及び第２コイル５１，５２はコア板４６に直交
する軸線を中心とする渦巻き状に形成され、第２コイル
５２の一端はコア板４６に形成された第１通孔４６ａを
介して第１コイル５１の一端に電気的に接続される。上
記第１及び第２コイル５１，５２は共振時にこれらのコ
イルに流れる電流が互いに打消し合うのを防止するため
に、同一方向に巻回される。またコア板４６の表面には
ＩＣチップ１３が取付けられ、このＩＣチップ１３は第
１コイル５１の他端及び第２コイル５２の他端にそれぞ
れ電気的に接続される。ここでＩＣチップ１３と第２コ
イル５２とは第２通孔４６ｂを介して電気的に接続され
る。なお、この実施の形態では、ＩＣチップをコア板の
表面に取付けたが、コア板の裏面に取付けてもよい。
を示す。図４及び図５において図１及び図２と同一符号
は同一部品を示す。この実施の形態では、アンテナ４４
が軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴ
ムに分散することにより形成されたコア板４６と、この
コア板４６の表面上に設けられた第１コイル５１と、コ
ア板４６の裏面上に設けられた第２コイル５２とを有す
る。第１及び第２コイル５１，５２はコア板４６に直交
する軸線を中心とする渦巻き状に形成され、第２コイル
５２の一端はコア板４６に形成された第１通孔４６ａを
介して第１コイル５１の一端に電気的に接続される。上
記第１及び第２コイル５１，５２は共振時にこれらのコ
イルに流れる電流が互いに打消し合うのを防止するため
に、同一方向に巻回される。またコア板４６の表面には
ＩＣチップ１３が取付けられ、このＩＣチップ１３は第
１コイル５１の他端及び第２コイル５２の他端にそれぞ
れ電気的に接続される。ここでＩＣチップ１３と第２コ
イル５２とは第２通孔４６ｂを介して電気的に接続され
る。なお、この実施の形態では、ＩＣチップをコア板の
表面に取付けたが、コア板の裏面に取付けてもよい。
【００２５】コア板４６は第１の実施の形態の電磁遮蔽
板と同一材料により形成される。またコア板４６の電気
抵抗率は第１の実施の形態の電磁遮蔽板と同様に、１×
１０ 6Ω・ｃｍ以上である。更に第１絶縁シート２１と
物品１１との間には電磁遮蔽板１６が介装され、この電
磁遮蔽板１６は第１の実施の形態の電磁遮蔽板と同一材
料により同一形状に形成される。なお、コア板４６と第
１及び第２コイル５１，５２と電磁遮蔽板１６とにより
アンテナ４４が構成され、コア板４６と第１及び第２コ
イル５１，５２とＩＣチップ１３とによりタグ本体４８
が構成される。上記以外は第１の実施の形態と同一に構
成される。
板と同一材料により形成される。またコア板４６の電気
抵抗率は第１の実施の形態の電磁遮蔽板と同様に、１×
１０ 6Ω・ｃｍ以上である。更に第１絶縁シート２１と
物品１１との間には電磁遮蔽板１６が介装され、この電
磁遮蔽板１６は第１の実施の形態の電磁遮蔽板と同一材
料により同一形状に形成される。なお、コア板４６と第
１及び第２コイル５１，５２と電磁遮蔽板１６とにより
アンテナ４４が構成され、コア板４６と第１及び第２コ
イル５１，５２とＩＣチップ１３とによりタグ本体４８
が構成される。上記以外は第１の実施の形態と同一に構
成される。
【００２６】このように構成されたＲＦＩＤ用タグ４２
では、第１及び第２コイル５１，５２を２層構造に形成
したので、同じ面積及び同じ厚さの単層構造のコイルよ
りコイル中心の開口面積及びコイルの巻数を増大でき
る。この結果、到来する電波に対する感度が高くなる。
またコア板４６が軟磁性材料の粉末又はフレークをプラ
スチック又はゴムに分散して得られた磁性体により形成
されるので、到来する電波（電磁波）を第１及び第２コ
イル５１，５２に収束させることができる。この結果、
電波に対する感度が更に高まる。換言すれば、同一の感
度を有するトランスポンダ用アンテナを作製する場合、
本実施の形態のアンテナは小型化が可能となる。
では、第１及び第２コイル５１，５２を２層構造に形成
したので、同じ面積及び同じ厚さの単層構造のコイルよ
りコイル中心の開口面積及びコイルの巻数を増大でき
る。この結果、到来する電波に対する感度が高くなる。
またコア板４６が軟磁性材料の粉末又はフレークをプラ
スチック又はゴムに分散して得られた磁性体により形成
されるので、到来する電波（電磁波）を第１及び第２コ
イル５１，５２に収束させることができる。この結果、
電波に対する感度が更に高まる。換言すれば、同一の感
度を有するトランスポンダ用アンテナを作製する場合、
本実施の形態のアンテナは小型化が可能となる。
【００２７】図６及び図７は本発明の第３の実施の形態
を示す。図６及び図７において図１及び図２と同一符号
は同一部品を示す。この実施の形態では、アンテナ６４
が軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴ
ムに分散することにより形成された磁芯部材６６と、こ
の磁芯部材６６の外周面に螺旋状にされたコイル６５と
を有する。磁芯部材６６は第１の実施の形態の電磁遮蔽
板と同一材料により矩形の板状に形成される。また第１
絶縁シート２１と物品１１との間には電磁遮蔽板１６が
介装され、この電磁遮蔽板１６は第１の実施の形態の電
磁遮蔽板と同一材料により同一形状に形成される。な
お、磁芯部材６６、コイル６５及び電磁遮蔽板１６によ
りアンテナ６４が構成され、磁芯部材６６、コイル６５
及びＩＣチップ１３によりタグ本体６８が構成される。
また磁芯部材は板状ではなく、棒状に形成してもよい。
上記以外は第１の実施の形態と同一に構成される。
を示す。図６及び図７において図１及び図２と同一符号
は同一部品を示す。この実施の形態では、アンテナ６４
が軟磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴ
ムに分散することにより形成された磁芯部材６６と、こ
の磁芯部材６６の外周面に螺旋状にされたコイル６５と
を有する。磁芯部材６６は第１の実施の形態の電磁遮蔽
板と同一材料により矩形の板状に形成される。また第１
絶縁シート２１と物品１１との間には電磁遮蔽板１６が
介装され、この電磁遮蔽板１６は第１の実施の形態の電
磁遮蔽板と同一材料により同一形状に形成される。な
お、磁芯部材６６、コイル６５及び電磁遮蔽板１６によ
りアンテナ６４が構成され、磁芯部材６６、コイル６５
及びＩＣチップ１３によりタグ本体６８が構成される。
また磁芯部材は板状ではなく、棒状に形成してもよい。
上記以外は第１の実施の形態と同一に構成される。
【００２８】このように構成されたＲＦＩＤ用タグ６２
では、鋼板製の物品１１にＲＦＩＤ用タグ６２を取付け
た場合、アンテナ６４のコイル６５の軸心が物品１１に
平行であるため、コイル６５を含む共振回路の共振の幅
はコイル６５の軸心に垂直な電波よりコイル６５の軸心
に平行な電波に対して鋭くなる。上記以外の動作は第１
の実施の形態と略同様であるので、繰返しの説明を省略
する。
では、鋼板製の物品１１にＲＦＩＤ用タグ６２を取付け
た場合、アンテナ６４のコイル６５の軸心が物品１１に
平行であるため、コイル６５を含む共振回路の共振の幅
はコイル６５の軸心に垂直な電波よりコイル６５の軸心
に平行な電波に対して鋭くなる。上記以外の動作は第１
の実施の形態と略同様であるので、繰返しの説明を省略
する。
【００２９】なお、上記第１〜第３の実施の形態では、
トランスポンダとしてＲＦＩＤ用タグを挙げたが、ＥＡ
Ｓ用タグ、リーダライタ又はその他のトランスポンダで
もよい。また、物品と電磁遮蔽板との間に高導電率層を
介装し、この高導電率層を１×１０-2Ω・ｃｍ以下の電
気抵抗率を有する非磁性材料により形成してもよい。こ
の場合、アンテナを含む共振回路が電磁遮蔽板により物
品から電磁遮蔽され、かつ高導電率層により共振回路の
Ｑ値が高められるので、共振回路の自己インダクタンス
は殆ど変化せず、共振の幅が鋭くなる。また薄い高導電
率層を介装するだけで、電磁遮蔽板の厚さを大幅に薄く
することができるので、トランスポンダ全体の厚さを薄
くでき、しかも安価にトランスポンダを製造することが
できる。ここで、高導電率層を介装することによりＱ値
が高くなるのは、電波が高導電率層により遮断され、高
導電率層直下の物品に届かないため、高導電率層直下の
物品の材質による共振回路の自己インダクタンスの変化
が殆ど発生しないためである。
トランスポンダとしてＲＦＩＤ用タグを挙げたが、ＥＡ
Ｓ用タグ、リーダライタ又はその他のトランスポンダで
もよい。また、物品と電磁遮蔽板との間に高導電率層を
介装し、この高導電率層を１×１０-2Ω・ｃｍ以下の電
気抵抗率を有する非磁性材料により形成してもよい。こ
の場合、アンテナを含む共振回路が電磁遮蔽板により物
品から電磁遮蔽され、かつ高導電率層により共振回路の
Ｑ値が高められるので、共振回路の自己インダクタンス
は殆ど変化せず、共振の幅が鋭くなる。また薄い高導電
率層を介装するだけで、電磁遮蔽板の厚さを大幅に薄く
することができるので、トランスポンダ全体の厚さを薄
くでき、しかも安価にトランスポンダを製造することが
できる。ここで、高導電率層を介装することによりＱ値
が高くなるのは、電波が高導電率層により遮断され、高
導電率層直下の物品に届かないため、高導電率層直下の
物品の材質による共振回路の自己インダクタンスの変化
が殆ど発生しないためである。
【００３０】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、縦×横×厚さ
が５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．１ｍｍの薄いポリエチレン
からなる第１絶縁シート２１の両面にアルミニウム箔を
接着剤で貼り合わせたものを用意した。この第１絶縁シ
ート２１の上面のアルミニウム箔に、中心から矩形の渦
巻き状に巻回されたコイル１５とこのコイル１５の内端
に電気的に接続された第１端子部３１を耐エッチング塗
料のシルクスクリーン法により印刷し、第１絶縁シート
２１の下面のアルミニウム箔に一端がコイル１５の外端
に接続され他端が第１端子部３１近傍まで延びる第２端
子部３２を耐エッチング塗料のシルクスクリーン法によ
り印刷した。上記耐エッチング塗料を乾燥してエッチン
グ処理を行った後に、第１絶縁シート２１を圧縮して破
壊することによりコイル１５の外端と第２端子部３２の
一端とを電気的に接続した。次にＩＣチップ１３を第１
絶縁シート２１上にコイル１５の中心に位置するように
接着し、ＩＣチップ１３と第１端子部３１とを電気的に
接続するとともに、第１絶縁シート２１の所定部分を破
壊してＩＣチップ１３と第２端子部３２の他端とを電気
的に接続した。更にコイル１５及びＩＣチップ１３の上
面に第１絶縁シート２１と同一材質及び同一形状の第２
絶縁シート３２を接着した。これによりＩＣチップ１３
及びコイル１５からなるタグ本体１８を形成した。
説明する。 ＜実施例１＞図１及び図２に示すように、縦×横×厚さ
が５０ｍｍ×５０ｍｍ×０．１ｍｍの薄いポリエチレン
からなる第１絶縁シート２１の両面にアルミニウム箔を
接着剤で貼り合わせたものを用意した。この第１絶縁シ
ート２１の上面のアルミニウム箔に、中心から矩形の渦
巻き状に巻回されたコイル１５とこのコイル１５の内端
に電気的に接続された第１端子部３１を耐エッチング塗
料のシルクスクリーン法により印刷し、第１絶縁シート
２１の下面のアルミニウム箔に一端がコイル１５の外端
に接続され他端が第１端子部３１近傍まで延びる第２端
子部３２を耐エッチング塗料のシルクスクリーン法によ
り印刷した。上記耐エッチング塗料を乾燥してエッチン
グ処理を行った後に、第１絶縁シート２１を圧縮して破
壊することによりコイル１５の外端と第２端子部３２の
一端とを電気的に接続した。次にＩＣチップ１３を第１
絶縁シート２１上にコイル１５の中心に位置するように
接着し、ＩＣチップ１３と第１端子部３１とを電気的に
接続するとともに、第１絶縁シート２１の所定部分を破
壊してＩＣチップ１３と第２端子部３２の他端とを電気
的に接続した。更にコイル１５及びＩＣチップ１３の上
面に第１絶縁シート２１と同一材質及び同一形状の第２
絶縁シート３２を接着した。これによりＩＣチップ１３
及びコイル１５からなるタグ本体１８を形成した。
【００３１】一方、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト焼結体を乳
鉢ですりつぶし、ボールミル粉砕による粉砕後粒径１０
μｍのふるいを通した粉末を用意した。この粉末を７５
重量部と、エポキシ樹脂（プラスチック）を２５重量部
とを少量のアセトン中で十分に混合して型に入れ、縦×
横×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍのＮｉ−Ｚｎ系
フェライト粉末を分散したエポキシ樹脂板からなる電磁
遮蔽板１６を作製した。この電磁遮蔽板１６をタグ本体
１８の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグ１２を得た。この
ＲＦＩＤ用タグ１２を実施例１とした。
鉢ですりつぶし、ボールミル粉砕による粉砕後粒径１０
μｍのふるいを通した粉末を用意した。この粉末を７５
重量部と、エポキシ樹脂（プラスチック）を２５重量部
とを少量のアセトン中で十分に混合して型に入れ、縦×
横×厚さが５０ｍｍ×５０ｍｍ×２ｍｍのＮｉ−Ｚｎ系
フェライト粉末を分散したエポキシ樹脂板からなる電磁
遮蔽板１６を作製した。この電磁遮蔽板１６をタグ本体
１８の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグ１２を得た。この
ＲＦＩＤ用タグ１２を実施例１とした。
【００３２】＜実施例２＞Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末
を９０重量部と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例２とした。 ＜実施例３＞Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を９５重量部
と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセトン中で十
分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電磁
遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一の
タグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。この
ＲＦＩＤ用タグを実施例３とした。 ＜実施例４＞Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を７５重量部
と、エポキシ樹脂を２５重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを実施例４とした。
を９０重量部と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例２とした。 ＜実施例３＞Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末を９５重量部
と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセトン中で十
分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電磁
遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一の
タグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。この
ＲＦＩＤ用タグを実施例３とした。 ＜実施例４＞Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を７５重量部
と、エポキシ樹脂を２５重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを実施例４とした。
【００３３】＜実施例５＞Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末
を９０重量部と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例５とした。 ＜実施例６＞Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉末を７５重量部
と、エポキシ樹脂を２５重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを実施例６とした。 ＜実施例７＞Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉末を９０重量部
と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを実施例７とした。
を９０重量部と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例５とした。 ＜実施例６＞Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉末を７５重量部
と、エポキシ樹脂を２５重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを実施例６とした。 ＜実施例７＞Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉末を９０重量部
と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを実施例７とした。
【００３４】＜実施例８＞電磁軟鉄粉末であるカーボニ
ル鉄粉末を７５重量部と、エポキシ樹脂を２５重量部と
を少量のアセトン中で十分に混合したことを除いて、実
施例１と同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮
蔽板を実施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦ
ＩＤ用タグを得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例８とし
た。 ＜実施例９＞電磁軟鉄粉末であるカーボニル鉄粉末を９
０重量部と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量のアセ
トン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と同様
にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例
１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを
得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例９とした。 ＜実施例１０＞電磁軟鉄粉末であるカーボニル鉄粉末を
９５重量部と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセ
トン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と同様
にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例
１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを
得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例１０とした。
ル鉄粉末を７５重量部と、エポキシ樹脂を２５重量部と
を少量のアセトン中で十分に混合したことを除いて、実
施例１と同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮
蔽板を実施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦ
ＩＤ用タグを得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例８とし
た。 ＜実施例９＞電磁軟鉄粉末であるカーボニル鉄粉末を９
０重量部と、エポキシ樹脂を１０重量部とを少量のアセ
トン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と同様
にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例
１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを
得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例９とした。 ＜実施例１０＞電磁軟鉄粉末であるカーボニル鉄粉末を
９５重量部と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセ
トン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と同様
にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例
１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを
得た。このＲＦＩＤ用タグを実施例１０とした。
【００３５】＜比較例１＞Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉末
を７０重量部と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを比較例１とした。 ＜比較例２＞Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を７０重量部
と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを比較例２とした。 ＜比較例３＞Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を９５重量部
と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセトン中で十
分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電磁
遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一の
タグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。この
ＲＦＩＤ用タグを比較例３とした。
を７０重量部と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを比較例１とした。 ＜比較例２＞Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を７０重量部
と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量のアセトン中で
十分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電
磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一
のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。こ
のＲＦＩＤ用タグを比較例２とした。 ＜比較例３＞Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト粉末を９５重量部
と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセトン中で十
分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電磁
遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一の
タグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。この
ＲＦＩＤ用タグを比較例３とした。
【００３６】＜比較例４＞Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉末
を７０重量部と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを比較例４とした。 ＜比較例５＞Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉末を９５重量部
と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセトン中で十
分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電磁
遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一の
タグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。この
ＲＦＩＤ用タグを比較例５とした。 ＜比較例６＞電磁軟鉄粉末であるカーボニル鉄粉末を７
０重量部と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量のアセ
トン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と同様
にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例
１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを
得た。このＲＦＩＤ用タグを比較例６とした。
を７０重量部と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量の
アセトン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と
同様にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実
施例１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タ
グを得た。このＲＦＩＤ用タグを比較例４とした。 ＜比較例５＞Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉末を９５重量部
と、エポキシ樹脂を５重量部とを少量のアセトン中で十
分に混合したことを除いて、実施例１と同様にして電磁
遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例１と同一の
タグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを得た。この
ＲＦＩＤ用タグを比較例５とした。 ＜比較例６＞電磁軟鉄粉末であるカーボニル鉄粉末を７
０重量部と、エポキシ樹脂を３０重量部とを少量のアセ
トン中で十分に混合したことを除いて、実施例１と同様
にして電磁遮蔽板を作製した。この電磁遮蔽板を実施例
１と同一のタグ本体の下面に貼付けてＲＦＩＤ用タグを
得た。このＲＦＩＤ用タグを比較例６とした。
【００３７】＜比較試験１及び評価＞実施例１〜１０及
び比較例１〜６のＲＦＩＤ用タグを縦×横×厚さが６０
ｍｍ×６０ｍｍ×０．３ｍｍのアルミニウム製の板に密
着させ、リーダライタの送受信アンテナを各タグから３
００ｍｍ離した状態で、リーダライタから質問信号を送
信したときに各タグが作動するか否か、即ち各タグから
応答信号が戻ってくるか否かを調べた。また各タグの電
磁遮蔽板の比透磁率と各タグのＱ値を次のようにして測
定した。電磁遮蔽板の比透磁率は電磁遮蔽板から切出し
た外径×内径×厚さがそれぞれ１０ｍｍ×６ｍｍ×２ｍ
ｍのリング状サンプルに線径が０．１ｍｍの被覆銅線を
１０〜８０回巻回してトロイダルコイルを作製し、この
トロイダルコイルの１３．５６ＭＨｚにおける自己イン
ダクタンスをインピダスアナライザを用いて測定した後
に、この自己インダクタンスから算出して求めた。
び比較例１〜６のＲＦＩＤ用タグを縦×横×厚さが６０
ｍｍ×６０ｍｍ×０．３ｍｍのアルミニウム製の板に密
着させ、リーダライタの送受信アンテナを各タグから３
００ｍｍ離した状態で、リーダライタから質問信号を送
信したときに各タグが作動するか否か、即ち各タグから
応答信号が戻ってくるか否かを調べた。また各タグの電
磁遮蔽板の比透磁率と各タグのＱ値を次のようにして測
定した。電磁遮蔽板の比透磁率は電磁遮蔽板から切出し
た外径×内径×厚さがそれぞれ１０ｍｍ×６ｍｍ×２ｍ
ｍのリング状サンプルに線径が０．１ｍｍの被覆銅線を
１０〜８０回巻回してトロイダルコイルを作製し、この
トロイダルコイルの１３．５６ＭＨｚにおける自己イン
ダクタンスをインピダスアナライザを用いて測定した後
に、この自己インダクタンスから算出して求めた。
【００３８】また各タグのＱ値は各タグのアンテナに向
って、電波の周波数を１２ＭＨｚ〜１５ＭＨｚの範囲で
変化させたときのアンテナを含む共振回路の共振特性を
ネットワークアナライザを用いて測定した後に、その共
振特性から算出して求めた。その結果を電磁遮蔽板の構
成材料及び電気抵抗率とともに表１に示す。なお、電磁
遮蔽板の電気抵抗率は次のようにして求めた。先ず実施
例１〜１０及び比較例１〜６のタグに用いられた電磁遮
蔽板から断面積が４ｍｍ2であって長さが５ｍｍである
直方体状のブロックをそれぞれ作製した。次にこれらの
ブロックの両端面に電極を形成し、絶縁抵抗計を用いて
抵抗値を測定した。更に抵抗値に上記ブロックの断面積
を掛けて得られた値を上記ブロックの長さで割ることに
より各電磁遮蔽板の電気抵抗率を求めた。
って、電波の周波数を１２ＭＨｚ〜１５ＭＨｚの範囲で
変化させたときのアンテナを含む共振回路の共振特性を
ネットワークアナライザを用いて測定した後に、その共
振特性から算出して求めた。その結果を電磁遮蔽板の構
成材料及び電気抵抗率とともに表１に示す。なお、電磁
遮蔽板の電気抵抗率は次のようにして求めた。先ず実施
例１〜１０及び比較例１〜６のタグに用いられた電磁遮
蔽板から断面積が４ｍｍ2であって長さが５ｍｍである
直方体状のブロックをそれぞれ作製した。次にこれらの
ブロックの両端面に電極を形成し、絶縁抵抗計を用いて
抵抗値を測定した。更に抵抗値に上記ブロックの断面積
を掛けて得られた値を上記ブロックの長さで割ることに
より各電磁遮蔽板の電気抵抗率を求めた。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１から明らかなように、軟磁性材料とし
てＮｉ−Ｚｎ系フェライト複合材を用いた場合には、軟
磁性材料の含有率が７５〜９５重量％であって、かつ電
磁遮蔽板の電気抵抗率が１×１０9〜８×１０9Ω・ｃｍ
であると、タグが作動した。軟磁性材料としてＭｎ−Ｚ
ｎ系フェライト複合材を用いた場合には、軟磁性材料の
含有率が７５〜９０重量％であって、かつ電磁遮蔽板の
電気抵抗率が１×１０ 6〜１×１０9Ω・ｃｍであると、
タグが作動した。また軟磁性材料としてＭｇ−Ｚｎ系フ
ェライト複合材を用いた場合には、軟磁性材料の含有率
が７５〜９０重量％であって、かつ電磁遮蔽板の電気抵
抗率が５×１０6〜６×１０9Ω・ｃｍであると、タグが
作動した。軟磁性材料として電磁軟鉄複合材を用いた場
合には、軟磁性材料の含有率が７５〜９５重量％であっ
て、かつ電磁遮蔽板の電気抵抗率が１×１０9〜６×１
０9Ω・ｃｍであると、タグが作動した。更にタグが作
動するためには、電磁遮蔽板の比透磁率が４以上であっ
て、かつタグのＱ値が５０以上であることが必要である
ことが判った。
てＮｉ−Ｚｎ系フェライト複合材を用いた場合には、軟
磁性材料の含有率が７５〜９５重量％であって、かつ電
磁遮蔽板の電気抵抗率が１×１０9〜８×１０9Ω・ｃｍ
であると、タグが作動した。軟磁性材料としてＭｎ−Ｚ
ｎ系フェライト複合材を用いた場合には、軟磁性材料の
含有率が７５〜９０重量％であって、かつ電磁遮蔽板の
電気抵抗率が１×１０ 6〜１×１０9Ω・ｃｍであると、
タグが作動した。また軟磁性材料としてＭｇ−Ｚｎ系フ
ェライト複合材を用いた場合には、軟磁性材料の含有率
が７５〜９０重量％であって、かつ電磁遮蔽板の電気抵
抗率が５×１０6〜６×１０9Ω・ｃｍであると、タグが
作動した。軟磁性材料として電磁軟鉄複合材を用いた場
合には、軟磁性材料の含有率が７５〜９５重量％であっ
て、かつ電磁遮蔽板の電気抵抗率が１×１０9〜６×１
０9Ω・ｃｍであると、タグが作動した。更にタグが作
動するためには、電磁遮蔽板の比透磁率が４以上であっ
て、かつタグのＱ値が５０以上であることが必要である
ことが判った。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、軟
磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴムに
分散することにより電磁遮蔽板を形成し、この電磁遮蔽
板の表面上に設けられたコイルを電磁遮蔽板に直交する
軸線を中心とする渦巻き状に形成し、更に電磁遮蔽板に
含まれる軟磁性材料を７５重量％以上とし電磁遮蔽板の
電気抵抗率を１×１０6Ω・ｃｍ以上としたので、表面
が導電性材料や強磁性材料により形成された物品に、ア
ンテナを含むトランスポンダを取付けた状態で、トラン
スポンダに向って電波を発信すると、コイルは電磁遮蔽
板により上記物品から電磁遮蔽される。この結果、コイ
ルを含む共振回路のＱ値は低下せず、共振回路の自己イ
ンダクタンスは殆ど変化しないので、共振回路の共振の
幅は鋭さを保ち、トランスポンダは確実に作動する。ま
た軟磁性材料の粉末等をプラスチック等に分散すること
によりコア板を形成し、コア板の表面上に設けられた第
１コイルをコア板に直交する軸線を中心とする渦巻き状
に形成し、コア板の裏面上に設けられた第２コイルをコ
ア板に直交する軸線を中心とする渦巻き状に形成しかつ
一端を第１コイルの一端に電気的に接続し、更にコア板
に含まれる軟磁性材料を７５重量％以上としコア板の電
気抵抗率を１×１０6Ω・ｃｍ以上とすれば、同じ面積
及び同じ厚さの単層構造のコイルよりコイル中心の開口
面積及びコイルの巻数を増大できるので、到来する電波
に対する感度が高くなる。また磁性体（軟磁性材料の粉
末等を含むプラスチック等）により形成されたコア板の
存在により、到来する電波（電磁波）を第１及び第２コ
イルに収束させることができ、電波に対する感度が更に
高まる。これは、同一の感度を有するトランスポンダ用
アンテナを作製する場合、アンテナを小型化できること
を意味する。
磁性材料の粉末又はフレークをプラスチック又はゴムに
分散することにより電磁遮蔽板を形成し、この電磁遮蔽
板の表面上に設けられたコイルを電磁遮蔽板に直交する
軸線を中心とする渦巻き状に形成し、更に電磁遮蔽板に
含まれる軟磁性材料を７５重量％以上とし電磁遮蔽板の
電気抵抗率を１×１０6Ω・ｃｍ以上としたので、表面
が導電性材料や強磁性材料により形成された物品に、ア
ンテナを含むトランスポンダを取付けた状態で、トラン
スポンダに向って電波を発信すると、コイルは電磁遮蔽
板により上記物品から電磁遮蔽される。この結果、コイ
ルを含む共振回路のＱ値は低下せず、共振回路の自己イ
ンダクタンスは殆ど変化しないので、共振回路の共振の
幅は鋭さを保ち、トランスポンダは確実に作動する。ま
た軟磁性材料の粉末等をプラスチック等に分散すること
によりコア板を形成し、コア板の表面上に設けられた第
１コイルをコア板に直交する軸線を中心とする渦巻き状
に形成し、コア板の裏面上に設けられた第２コイルをコ
ア板に直交する軸線を中心とする渦巻き状に形成しかつ
一端を第１コイルの一端に電気的に接続し、更にコア板
に含まれる軟磁性材料を７５重量％以上としコア板の電
気抵抗率を１×１０6Ω・ｃｍ以上とすれば、同じ面積
及び同じ厚さの単層構造のコイルよりコイル中心の開口
面積及びコイルの巻数を増大できるので、到来する電波
に対する感度が高くなる。また磁性体（軟磁性材料の粉
末等を含むプラスチック等）により形成されたコア板の
存在により、到来する電波（電磁波）を第１及び第２コ
イルに収束させることができ、電波に対する感度が更に
高まる。これは、同一の感度を有するトランスポンダ用
アンテナを作製する場合、アンテナを小型化できること
を意味する。
【００４２】また軟磁性材料の粉末等をプラスチック等
に分散することにより磁芯部材を形成し、磁芯部材の外
周面にコイルを螺旋状に巻回し、更に磁芯部材に含まれ
る軟磁性材料を７５重量％以上とし磁芯部材の電気抵抗
率を１×１０6Ω・ｃｍ以上とすれば、表面が導電性材
料や強磁性材料により形成された物品に、アンテナを含
むトランスポンダを取付けた場合、アンテナのコイルの
軸心が物品に平行であるため、コイルを含む共振回路の
共振の幅はコイルの軸心に垂直な電波よりコイルの軸心
に平行な電波に対して鋭くなるとともに、上記と同様の
効果が得られる。また軟磁性材料の粉末等をプラスチッ
ク等に分散することにより形成された電磁遮蔽板をトラ
ンスポンダ及び物品間に介装し、この電磁遮蔽板に含ま
れる軟磁性材料を７５重量％以上とし電磁遮蔽板の電気
抵抗率を１×１０6Ω・ｃｍ以上とすれば、表面が導電
性材料や強磁性材料により形成された物品に、アンテナ
を含むトランスポンダを取付けた状態で、トランスポン
ダに向って電波を発信すると、コイルは電磁遮蔽板によ
り上記物品から電磁遮蔽されるので、このコイルを含む
共振回路のＱ値は低下せず、共振回路の自己インダクタ
ンスは殆ど変化せず、上記と同様の効果が得られる。
に分散することにより磁芯部材を形成し、磁芯部材の外
周面にコイルを螺旋状に巻回し、更に磁芯部材に含まれ
る軟磁性材料を７５重量％以上とし磁芯部材の電気抵抗
率を１×１０6Ω・ｃｍ以上とすれば、表面が導電性材
料や強磁性材料により形成された物品に、アンテナを含
むトランスポンダを取付けた場合、アンテナのコイルの
軸心が物品に平行であるため、コイルを含む共振回路の
共振の幅はコイルの軸心に垂直な電波よりコイルの軸心
に平行な電波に対して鋭くなるとともに、上記と同様の
効果が得られる。また軟磁性材料の粉末等をプラスチッ
ク等に分散することにより形成された電磁遮蔽板をトラ
ンスポンダ及び物品間に介装し、この電磁遮蔽板に含ま
れる軟磁性材料を７５重量％以上とし電磁遮蔽板の電気
抵抗率を１×１０6Ω・ｃｍ以上とすれば、表面が導電
性材料や強磁性材料により形成された物品に、アンテナ
を含むトランスポンダを取付けた状態で、トランスポン
ダに向って電波を発信すると、コイルは電磁遮蔽板によ
り上記物品から電磁遮蔽されるので、このコイルを含む
共振回路のＱ値は低下せず、共振回路の自己インダクタ
ンスは殆ど変化せず、上記と同様の効果が得られる。
【００４３】また電磁遮蔽板、コア板又は磁芯部材に含
まれる軟磁性材料がアモルファス合金、パーマロイ、電
磁軟鉄、ケイ素鋼板、センダスト合金、Ｆｅ−Ａｌ合金
又はフェライトのいずれかであれば、透磁率が１０００
以上と大きく、保磁力が１００Ａ／ｍ以下と小さく、か
つヒステリシス損が小さいため、表面が導電性材料や強
磁性材料により形成された物品からコイルを確実に電磁
遮蔽できる。更に物品と電磁遮蔽板との間に高導電率層
を介装し、この高導電率層を１×１０-2Ω・ｃｍ以下の
電気抵抗率を有する非磁性材料により形成すれば、アン
テナを含む共振回路が電磁遮蔽板により物品から電磁遮
蔽され、かつ高導電率層により共振回路のＱ値が高めら
れるので、共振回路の自己インダクタンスは殆ど変化せ
ず、共振の幅が鋭くなる。
まれる軟磁性材料がアモルファス合金、パーマロイ、電
磁軟鉄、ケイ素鋼板、センダスト合金、Ｆｅ−Ａｌ合金
又はフェライトのいずれかであれば、透磁率が１０００
以上と大きく、保磁力が１００Ａ／ｍ以下と小さく、か
つヒステリシス損が小さいため、表面が導電性材料や強
磁性材料により形成された物品からコイルを確実に電磁
遮蔽できる。更に物品と電磁遮蔽板との間に高導電率層
を介装し、この高導電率層を１×１０-2Ω・ｃｍ以下の
電気抵抗率を有する非磁性材料により形成すれば、アン
テナを含む共振回路が電磁遮蔽板により物品から電磁遮
蔽され、かつ高導電率層により共振回路のＱ値が高めら
れるので、共振回路の自己インダクタンスは殆ど変化せ
ず、共振の幅が鋭くなる。
【図１】本発明第１実施形態のＲＦＩＤ用タグを物品に
取付けた状態を示す図２のＡ−Ａ線断面図。
取付けた状態を示す図２のＡ−Ａ線断面図。
【図２】図１のＢ−Ｂ線断面図。
【図３】そのＲＦＩＤ用タグのアンテナにリーダライタ
のアンテナを対向させた状態を示すＲＦＩＤ用タグ及び
リーダライタの回路構成図。
のアンテナを対向させた状態を示すＲＦＩＤ用タグ及び
リーダライタの回路構成図。
【図４】本発明第２実施形態のＲＦＩＤ用タグを物品に
取付けた状態を示す図１に対応する断面図。
取付けた状態を示す図１に対応する断面図。
【図５】そのＲＦＩＤ用タグの分解斜視図。
【図６】本発明第３実施形態のＲＦＩＤ用タグを物品に
取付けた状態を示す図７のＣ−Ｃ線断面図。
取付けた状態を示す図７のＣ−Ｃ線断面図。
【図７】図６のＤ−Ｄ線断面図。
１１ 物品 １２，４２，６２ ＲＦＩＤ用タグ（トランスポンダ） １３ ＩＣチップ １４，４４，６４ アンテナ １５，５１，５２，６５ コイル １６ 電磁遮蔽板 ４６ コア板 ６６ 磁芯部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｑ 1/24 Ｈ０１Ｑ 1/52 1/40 21/24 1/52 23/00 21/24 Ｈ０４Ｂ 1/59 23/00 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｈ Ｈ０４Ｂ 1/59 Ｋ (72)発明者 中里 稔 東京都文京区小石川１丁目12番14号 三菱 マテリアル株式会社移動体事業開発センタ ー内 (72)発明者 石山 宏一 東京都文京区小石川１丁目12番14号 三菱 マテリアル株式会社移動体事業開発センタ ー内 Ｆターム(参考） 5B035 AA11 BA05 BB09 BC00 CA01 CA23 5C084 AA03 AA09 AA14 BB04 BB32 CC35 DD07 DD86 EE07 GG07 GG09 GG71 5J021 AA02 AA09 AB04 CA06 FA14 FA15 FA16 FA17 FA20 FA32 GA08 HA05 HA10 5J046 AA04 AB11 QA02 UA08 5J047 AA04 AB11 FD01
Claims (6)
- 【請求項１】 軟磁性材料の粉末又はフレークをプラス
チック又はゴムに分散することにより形成された電磁遮
蔽板(16)と、前記電磁遮蔽板(16)の表面上に設けられか
つ前記電磁遮蔽板(16)に直交する軸線を中心とする渦巻
き状に形成されたコイル(15)とを有するトランスポンダ
用アンテナにおいて、 前記電磁遮蔽板(16)に含まれる軟磁性材料が７５重量％
以上であって前記電磁遮蔽板(16)の電気抵抗率が１×１
０6Ω・ｃｍ以上であることを特徴とするトランスポン
ダ用アンテナ。 - 【請求項２】 軟磁性材料の粉末又はフレークをプラス
チック又はゴムに分散することにより形成されたコア板
(46)と、 前記コア板(46)の表面上に設けられかつ前記コア板(46)
に直交する軸線を中心とする渦巻き状に形成された第１
コイル(51)と、 前記コア板(46)の裏面上に設けられかつ前記コア板(46)
に直交する軸線を中心とする渦巻き状に形成され更に一
端が前記第１コイル(51)の一端に電気的に接続された第
２コイル(52)とを有するトランスポンダ用アンテナであ
って、 前記コア板(46)に含まれる軟磁性材料が７５重量％以上
であって前記コア板(46)の電気抵抗率が１×１０6Ω・
ｃｍ以上であることを特徴とするトランスポンダ用アン
テナ。 - 【請求項３】 軟磁性材料の粉末又はフレークをプラス
チック又はゴムに分散することにより形成された磁芯部
材(66)と、前記磁芯部材(66)の外周面に螺旋状に巻回さ
れたコイル(65)とを有するトランスポンダ用アンテナに
おいて、 前記磁芯部材(66)に含まれる軟磁性材料が７５重量％以
上であって前記磁芯部材(66)の電気抵抗率が１×１０6
Ω・ｃｍ以上であることを特徴とするトランスポンダ用
アンテナ。 - 【請求項４】 軟磁性材料の粉末又はフレークをプラス
チック又はゴムに分散することにより形成された電磁遮
蔽板(16)がトランスポンダ(42,62)及び物品(11)間に介
装され、前記電磁遮蔽板(16)に含まれる軟磁性材料が７
５重量％以上であって前記電磁遮蔽板(16)の電気抵抗率
が１×１０6Ω・ｃｍ以上である請求項２又は３記載の
トランスポンダ用アンテナ。 - 【請求項５】 電磁遮蔽板(16)、コア板(46)又は磁芯部
材(66)に含まれる軟磁性材料がアモルファス合金、パー
マロイ、電磁軟鉄、ケイ素鋼板、センダスト合金、Ｆｅ
−Ａｌ合金又はフェライトのいずれかである請求項１な
いし４いずれか記載のトランスポンダ用アンテナ。 - 【請求項６】 物品と電磁遮蔽板との間に高導電率層が
介装され、前記高導電率層が１×１０-2Ω・ｃｍ以下の
電気抵抗率を有する非磁性材料により形成された請求項
１、４又は５記載のトランスポンダ用アンテナ。
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