JP2002246301A - 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法 - Google Patents

廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法

Info

Publication number
JP2002246301A
JP2002246301A JP2001044540A JP2001044540A JP2002246301A JP 2002246301 A JP2002246301 A JP 2002246301A JP 2001044540 A JP2001044540 A JP 2001044540A JP 2001044540 A JP2001044540 A JP 2001044540A JP 2002246301 A JP2002246301 A JP 2002246301A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waste liquid
photoresist
cup
exhaust
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2001044540A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4531998B2 (ja
Inventor
Toshikazu Yamauchi
俊和 山内
Yasuharu Ota
泰晴 太田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Miyazaki Oki Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd, Miyazaki Oki Electric Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP2001044540A priority Critical patent/JP4531998B2/ja
Priority to US09/968,629 priority patent/US6572701B2/en
Publication of JP2002246301A publication Critical patent/JP2002246301A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4531998B2 publication Critical patent/JP4531998B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】製品基板を汚染する事なしにホトレジスト廃液
を完全に回収することができ、ホトレジスト廃液の乾燥
によってホトレジスト廃液の回収率が低下してしまうこ
とがなく、ホトレジストの分離回収効率が高くなるよう
にする。 【解決手段】基板21の周囲に配置され、前記基板21
から飛散するホトレジスト廃液を受ける第1のカップ1
1と、前記ホトレジスト廃液を蓄積するホトレジスト廃
液溝19と、前記基板21から飛散するホトレジスト廃
液を前記ホトレジスト廃液溝19に導く排気流24を発
生させる排気手段とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、廃液分離回収シス
テム及び廃液分離回収方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体集積回路の製造工程である
ホトリソ工程において、一般にスピンコータと呼ばれる
ホトレジスト塗布装置を使用してホトレジストを塗布す
るホトレジスト塗布処理が行われる。この場合、ホトレ
ジストを塗布する工程や余分のホトレジストをリンスに
よって洗浄除去する工程において大量の処理廃液が生じ
るため、該処理廃液からホトレジスト液等を分離回収し
て再利用することが望ましい。
【0003】そして、前記ホトレジスト塗布装置におけ
るホトレジスト塗布処理によって生じる各種の廃液を分
離回収する方法としては、例えば、上下方向に多段のカ
ップを備えた構造の廃液分離カップを使用し、かつ、基
板が上下動する機構を使用して各廃液分離カップの位置
に合わせて基板を停止させ、それぞれの位置でホトレジ
スト塗布とリンスによる基板の洗浄とを別々に行ってホ
トレジスト廃液とリンス廃液とを分離させる方式が提供
されている。
【0004】また、このような処理によって廃液分離カ
ップ内で分離されたホトレジスト廃液やリンス廃液など
の各廃液は、それぞれの前記分離カップから別々の廃液
ホースを介して、個別の廃液タンクに収容されて廃液の
分別回収が行われるようになっている。
【0005】ここで、ホトレジストは基本的に樹脂成分
と希釈するための溶媒とによって構成されているが、前
述されたような方法によって回収されたホトレジスト廃
液は、溶媒が揮発してしまうので、元の状態に比べその
粘度が増加している。この粘度が増加した廃液に再度溶
媒を添加して元の粘度にまで希釈し直すことによってホ
トレジスト廃液は廃棄されることなく再使用することが
できる。なお、このような操作をホトレジスト再生とい
う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のホトレジストにおいては、廃液分離カップの構造上
の問題から廃液分離カップ内の排気方法が制限され、排
気が十分に行われないので、浮遊する塵埃(じんあい)
が排気とともに排出されずに、基板の裏面に多量に付着
して製品の品質が劣悪化してしまう。
【0007】そして、ホトレジスト廃液とリンス廃液と
を分離することによって、廃液分離カップ内でのホトレ
ジスト廃液が乾燥しやすくなり、ホトレジスト廃液中の
溶媒が蒸発することによってレジスト中の樹脂が固化し
易くなってしまう。これにより、廃液分離カップ内での
ホトレジスト廃液の溜まりが助長され、更にホトレジス
ト廃液の廃液タンク内での乾燥による量の目減りによっ
て、ホトレジスト廃液の回収率が低下してしまう。
【0008】したがって、回収率が低下することによっ
て、ホトレジスト再生時における再生率が低下してしま
うとともに、添加する溶媒を増量することによってホト
レジスト再生のためのコストが高くなってしまう。
【0009】本発明は、前記従来のホトレジスト塗布装
置の問題点を解決して、ホトレジスト廃液を完全に回収
することができ、ホトレジスト廃液の乾燥によってホト
レジスト廃液の回収率が低下してしまうことがなく、ホ
トレジストの分離回収効率の高い廃液分離回収システム
及び廃液分離回収方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】そのために、本発明の廃
液分離回収システムにおいては、基板の周囲に配置さ
れ、前記基板から飛散するホトレジスト廃液を受ける第
1のカップと、前記ホトレジスト廃液を蓄積するホトレ
ジスト廃液溝と、前記基板から飛散するホトレジスト廃
液を前記ホトレジスト廃液溝に導く排気流を発生させる
排気手段とを有する。
【0011】本発明の他の廃液分離回収システムにおい
ては、さらに、排気孔を備え、前記第1のカップと前記
基板との間に配置され、前記基板から飛散するリンス廃
液を受ける第2のカップと、前記リンス廃液を蓄積する
リンス廃液溝とを有し、前記排気手段は、前記排気流
を、前記排気孔を通じて前記第1のカップ側から前記基
板側に流れるように発生させる。
【0012】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記排気孔の前記基板側に、前記リ
ンス廃液が前記ホトレジスト廃液に混入することを防止
するための液止めを配置する。
【0013】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記第1のカップの内面が前記基板
側に湾曲している。
【0014】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記第2のカップの、前記第1のカ
ップ側の面が斜面である。
【0015】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記排気流を排気する第1の排気管
を有し、前記第1の排気管に排気弁を配置する。
【0016】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記第1のカップの外側に排気を行
うための第2の排気管を接続する。
【0017】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、廃液タンクを有し、前記ホトレジス
ト廃液溝に一端が接続され、前記廃液タンクに他端が接
続されている廃液管を有する。
【0018】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記排気流が、前記廃液タンクを外
れて流れる。
【0019】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記廃液タンクと前記排液管との間
が気密である。
【0020】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記廃液タンクは、前記ホトレジス
ト廃液の蒸発を少なくする形状である。
【0021】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記廃液管内に洗浄ノズルを有す
る。
【0022】本発明の更に他の廃液分離回収システムに
おいては、さらに、前記廃液タンク内の前記ホトレジス
ト廃液の粘度を制御するシステムを有する。
【0023】また、本発明の廃液分離回収方法において
は、基板の周囲に、飛散したホトレジストを受ける第1
のカップを配置する工程と、飛散したホトレジストを蓄
積するホトレジスト廃液溝を配置する工程と、前記基板
から飛散するホトレジストを前記ホトレジスト廃液溝に
導く排気流を発生させる工程と、前記基板の前記表面に
ホトレジストを塗布する工程と、前記基板を回転させる
ことによって飛散した前記ホトレジストを、前記第1の
カップで受けて、前記ホトレジスト廃液溝に流す工程と
を有する。
【0024】本発明の他の廃液分離回収方法において
は、さらに、排気孔を備え、飛散したリンスを受ける第
2のカップを、前記第1のカップと前記基板との間に配
置する工程と、前記リンスを蓄積するリンス廃液溝を配
置する工程とを有し、前記排気流は、前期排気孔を通じ
て前記第1のカップ側から前記基板側に流れるように発
生させる。
【0025】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記排気孔の前記基板側に、前記リンス
が前記ホトレジストに混入することを防止するための液
止めを配置する。
【0026】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記第1のカップの内面が前記基板側に
湾曲している。
【0027】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記第2のカップの前記第1のカップ側
の面を斜面とする。
【0028】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記排気流を排気する第1の排気管を備
える工程と、前記第1の排気管に排気弁を配置する工程
とを有する。
【0029】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記第1のカップの外側に第2の排気管
を接続する工程と、前記第2の排気管から排気する工程
とを有する。
【0030】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、廃液タンクを配置する工程と、前記ホト
レジスト廃液溝に一端が接続され、前記廃液タンクに他
端が接続されている廃液管を配置する工程とを有する。
【0031】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記排気流を、前記廃液タンクを外れる
ように流す。
【0032】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記廃液タンクと前記廃液管との間を気
密にする。
【0033】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記廃液タンクは、前記ホトレジスト廃
液の蒸発を少なくする形状のものを選択する。
【0034】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記リンスは、前記ホトレジストの溶媒
と同一の成分である。
【0035】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記ホトレジストの溶媒を用いて前記第
1のカップまたは前記第2のカップを洗浄する工程を有
する。
【0036】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記廃液管内に洗浄ノズルを配置する工
程を有する。
【0037】本発明の更に他の廃液分離回収方法におい
ては、さらに、前記廃液タンク内の前記ホトレジストの
粘度を制御するシステムを配置する工程を有することを
特徴とする。
【0038】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら詳細に説明する。
【0039】図1は本発明の第1の実施の形態における
ホトレジスト塗布装置の廃液分離カップの断面図であ
る。
【0040】ここで、本発明の実施の形態におけるホト
レジスト塗布装置は、一般的には、半導体集積回路の製
造工程であるホトリソ工程においてホトレジスト塗布処
理に使用される、通常、スピンコータと呼ばれる装置で
ある。
【0041】図に示されるように、廃液分離カップは第
1のカップ11、第2のカップ12、整流板13及び下
カップ14によって構成される。なお、廃液分離カップ
は、半導体基板、再生するホトレジスト廃液等の金属汚
染を考慮して一般的にはフッ素樹脂等の樹脂から成る。
【0042】そして、前記第1のカップ11の内面は、
上部の傾斜部分から側面部分へと形状が変わる部分の内
壁にR部分15を設けて緩やかな面形状にしている。ま
た、第2のカップ12の斜面部分25、26は2段階の
傾斜によって形成されている。
【0043】なお、第2のカップ12の下部側面部分に
は、全周に複数の排気孔16が等間隔で開設される。こ
こで、該排気孔16のそれぞれは、例えば、直径20.
0〔mm〕の孔であり、その数は24個程度である。さ
らに、その内側の全周にリンス止め17が形成される。
該リンス止め17は、その下端が前記排気孔16の下端
から例えば、2.0〔mm〕程度下に位置するように配
設される。
【0044】また、下カップ14の下部は、仕切り18
によってホトレジスト廃液溝19とリンス廃液溝20と
に仕切られていて、更に第2のカップ12の下部が仕切
り18の内側に嵌(は)め合わされる。なお、排気流を
発生させるために図示されない排気手段が配設される。
【0045】次に、前記構成の廃液分離カップを有する
ホトレジスト塗布装置における廃液分離回収システムの
動作について説明する。
【0046】まず、図示されない回転軸に取り付けられ
たチャックの上に吸引固定された半導体基板等の基板2
1は、塗布位置22において、図示されないモータの駆
動力によって回転させられる。そして、図示されないノ
ズルからホトレジストが回転する前記基板21の上に供
給される。そして、ホトレジストは、遠心力によって基
板21の全面を覆い、次いで、基板21のエッジから外
方へ、水平に振り切られて飛散する。外方へ飛散したホ
トレジストは、第1のカップ11の内壁に当たり、ホト
レジスト廃液となって前記内壁を伝って廃液分離カップ
の下端のホトレジスト廃液溝19に流れ落ちる。
【0047】このようにして、ホトレジストの塗布処理
が行われ、それが終了すると、前記チャックは基板21
がリンス位置23に到達するまで下降する。そして、ホ
トレジストの塗布処理の場合と同様に、基板21は回転
させられてリンス処理が行われる。
【0048】なお、リンス処理には、基板21の下面、
すなわち、バックを洗浄するためのノズルを使用するバ
ックリンス処理、又は、針状のノズルを使用して基板2
1の周辺部分を洗浄するエッジリンス処理がある。
【0049】そして、リンスは、基板21のエッジから
外方へ、水平に振り切られて飛散する。外方へ飛散した
リンス及びホトレジスト溶液は、第2のカップ12の内
壁に当たり、リンス廃液となって前記内壁を伝って廃液
分離カップの下端のリンス廃液溝20に流れ落ちる。
【0050】ここで、前記ホトレジスト廃液溝19及び
リンス廃液溝20にはそれぞれ廃液口が1箇所配設され
ていて、該廃液口にはそれぞれ廃液ホースが接続され
る。そして、ホトレジスト廃液及びリンス廃液は、前記
廃液ホースを介してそれぞれ個別の廃液タンクに収納さ
れる。
【0051】また、廃液分離カップ内の排気の流れであ
る排気流24は、廃液分離カップの上部の開口部から第
1のカップ11と第2のカップ12との間を通って廃液
分離カップの下方に流れ、第2のカップ12に配設され
た排気孔16を抜けてリンス止め17の下端を通過し、
更に整流板13と下カップ14との隙(すき)間を上が
り、最後に下カップ14の底面の一部に開口している廃
液分離カップ全体の排気口に流れる。
【0052】これにより、ホトレジストの塗布処理時に
発生するホトレジスト廃液が微少化して浮遊している塵
埃は、前記排気流24によって廃液分離カップの下方に
流される。また、前記第2のカップ12の内壁面を流下
するリンス廃液が、前記リンス止め17に遮られて、排
気孔16を抜けてホトレジスト廃液溝19に到達するこ
とがない。したがって、ホトレジスト廃液溝19内のホ
トレジスト廃液にリンス廃液が混入することがない。な
お、リンス廃液溝20内のリンス廃液にホトレジスト廃
液である塵埃が混入しても、リンス廃液は、元々、リン
ス及びホトレジスト溶液の混合液であるから、何の問題
も生じることがない。
【0053】また、排気流24は、整流板13と下カッ
プ14との隙間を上がり、最後に下カップ14の底面の
一部に開口している排気口に流れるので、排気口に到達
するまでにホトレジスト廃液やリンス廃液は脱落する。
このため、ホトレジスト廃液やリンス廃液が排気口から
外部へ漏出することがない。
【0054】このように、本実施の形態においては、第
2のカップ12の側面に排気孔16を配設したことによ
り、排気流24が新たに生じることによって、ホトレジ
ストのスピン塗布時に生じたホトレジスト廃液が微少化
して浮遊している塵埃は、前記排気流24によって廃液
分離カップの下方に流される。したがって、塵埃がホト
レジストの塗布位置22の近傍に浮遊し続けることがな
くなり、基板21の裏面(下側)に回り込んで付着する
のを防止することができる。
【0055】一方、排気孔16の配設に伴ってリンス止
め17を配設したことによって、リンス廃液はリンス止
め17の内壁を流れてリンス廃液溝20に落ちる。ここ
で、リンス止め17は排気孔16の下端よりも長く形成
されているので、リンス廃液はリンス止め17を下から
くぐって回り込み、排気孔16を通ってホトレジスト廃
液溝19側に侵入することがない。したがって、ホトレ
ジスト廃液へのリンス廃液の混入が防止され、ホトレジ
スト廃液及びリンス廃液の分離性を完全に確保すること
ができる。
【0056】また、第1のカップ11の内壁にR部分1
5を設けて緩やかな形状にしていることによって、ホト
レジスト廃液の流れがスムーズになり、ホトレジスト廃
液が付着して溜まりが生じるのを防止することができ
る。
【0057】次に、本発明の第2の実施の形態について
説明する。なお、第1の実施の形態と同じ構造を有する
ものについては、同じ符号を付与することによってその
説明を省略する。
【0058】図2は本発明の第2の実施の形態における
ホトレジスト塗布装置の他の廃液分離カップの断面図で
ある。
【0059】この場合、第2のカップ12の斜面部分2
7を直線状態にしている。このように、前記第1の実施
の形態においては第2のカップ12の斜面部分25、2
6は2段階の傾斜によって形成されているが、本実施の
形態のように一直線の斜面形状にしても面上でのホトレ
ジスト廃液の流れが滞ることがなくなるので溜まりを防
止することができる。
【0060】このように、廃液分離カップの形状の特徴
によって、ホトレジスト廃液の付着や溜まりによる廃液
分離カップ内の汚れを低減することができ、廃液分離カ
ップの使用寿命を長期化することができる。
【0061】次に、本発明の第3の実施の形態について
説明する。なお、前記第1及び第2の実施の形態と同じ
構造を有するもの及び同じ動作については、その説明を
省略する。
【0062】図3は本発明の第3の実施の形態における
ホトレジスト塗布装置の概略図である。
【0063】図に示されるように、装置本体31の上部
の送風管32が取り付けられたカバー33内にホトレジ
スト塗布処理部が形成され、その中に廃液分離カップ3
4が搭載されている。そして、該廃液分離カップ34内
には半導体基板等の基板35が、回転軸に取り付けられ
たチャックの上に吸引固定されている。また、前記回転
軸はモータ36に直結されている。なお、該モータ36
はコントローラ37に通信可能に接続され、該コントロ
ーラ37によって制御される。
【0064】そして、前記廃液分離カップ34内の底面
にはカップ排気管38が接続されていて、該カップ排気
管38の途中にはコントローラ37によって制御される
排気弁39が取り付けられている。さらに、該排気弁3
9よりも排気元に近い位置には、手動ダンパ40が取り
付けられる。
【0065】また、カバー33内の前記廃液分離カップ
34外側の底面には、第2の排気管41が接続されてい
る。そして、該第2の排気管41の途中にも手動ダンパ
42が取り付けられる。なお、前記第2の排気管41の
径はカップ排気管38の径より小さくてもよい。
【0066】次に、前記構成のホトレジスト塗布装置の
動作について説明する。
【0067】まず、送風管32からカバー33内には温
湿度制御空気43が送り込まれている。そして、廃液分
離カップ34内で行われるホトレジストの塗布処理は、
図示されないノズルからのホトレジストの供給及びモー
タ36の回転がコントローラ37によって制御される。
【0068】これにより、ホトレジストが基板35の上
面に供給される供給工程、モータ36を回転させて基板
35を回転させることによってホトレジストを基板35
の全面に行き渡らせるプリスピン工程、ホトレジストを
基板35のエッジから外方へ水平に振り切らせるメイン
スピン工程、ノズルからリンスが基板35に供給される
リンス工程、リンスを基板35のエッジから外方へ水平
に振り切らせるスピン乾燥工程の順に行われる。
【0069】ここで、前記ホトレジスト吐出工程、リン
ス工程、及び、スピン乾燥工程の三つの工程において
は、コントローラ37からの指令により、排気弁39が
閉じて、カップ排気管38からのカップ排気44の排出
が完全に遮断される。また、プリスピン工程、及び、メ
インスピン工程の二つの工程においては、前記排気弁3
9は全開となり、前記カップ排気管38からカップ排気
44が排出される。なお、前記排気弁39の開閉をどの
工程において行うかは、適宜変更することができる。そ
して、前記排気弁39の全開時の排気量は、手動ダンパ
40によってあらかじめ調整される。
【0070】一方、第2の排気管41からは常時、ユニ
ット排気45が排出される。該ユニット排気45の量は
手動ダンパ42によってあらかじめ調整される。そし
て、その排気量は、第2の排気管41からの排気量が多
すぎて、廃液分離カップ34内の排気が前記第2の排気
管41の方へ流出することがないように、カップ排気4
4の排気量よりも少なく設定する。
【0071】さらに、送風管32から送り込まれる温湿
度制御空気43がカバー33内に充満するように、カッ
プ排気44とユニット排気45とを合わせた排気量は、
温湿度制御空気43の送風量よりも少なくする。
【0072】このように、本実施の形態においては、ホ
トレジストの塗布処理の工程の中で、プリスピン工程及
びメインスピン工程の時だけ排気弁39を開けてカップ
排気44を引くようにしているので、廃液分離カップ3
4内に溜まったり廃液分離カップ34の内壁に付着した
りしているホトレジスト廃液が、排気風によって乾燥す
るのを抑制することができる。
【0073】したがって、廃液分離カップ34内でホト
レジストの樹脂が固化して固着する分量が減少し、廃液
分離カップ34から円滑に排出される。これにより、廃
液分離カップ34内のホトレジスト廃液による汚れが軽
減されるので、廃液分離カップ34の使用寿命を長期化
することができるとともに、廃液分離カップ34内にお
ける固着が減り廃液性が高まることによって廃液回収の
ロスを低減することができるので、ホトレジスト廃液の
回収を高効率化することができる。
【0074】さらに、レジスト廃液の乾燥の低減によっ
てホトレジスト廃液の高粘度化が抑制されているので、
ホトレジスト廃液を元にしてホトレジストの再生を行う
場合、これに添加する溶媒の量を少なくすることがで
き、再生コストを低くすることができる。なお、前記排
気弁39によってカップ排気44を遮断した場合は、ユ
ニット排気45によってホトレジストの溶剤雰囲気が排
気されるので、溶剤雰囲気がカバー33の外部に漏洩
(えい)するのを防止することができ、環境の安全性を
確保することができる。
【0075】次に、本発明の第4の実施の形態について
説明する。なお、前記第1〜第3の実施の形態と同じ構
造を有するもの及び同じ動作については、その説明を省
略する。
【0076】図4は本発明の第4の実施の形態における
ホトレジスト塗布装置の廃液系統の概略図である。
【0077】図に示されるように、廃液分離カップ34
内の底面には廃液管51の上端が接続されていて、該廃
液管51の下端は装置本体31内に配設された廃液タン
ク52に、接合面53を介して接続される。ここで、前
記廃液管51の長さは極力短くする。そして、前記廃液
タンク52に排気管は接続されず、廃液管51と廃液タ
ンク52との接合面53の気密性を高くすることによっ
て、廃液タンク52内の密閉性を保つことができるよう
な構造とする。
【0078】また、前記廃液管51の内径は、例えば、
10.0〔mm〕以下程度の小さいものとする。ただ
し、廃液管51の内径が小さすぎて廃液されたホトレジ
スト廃液が廃液管51内に詰まることがない程度のもの
とする。さらに、廃液タンク52は全容量を少なくし、
その形状は直径の小さい、例えば、円筒形状や角筒形状
のようなものとする。
【0079】次に、前記構成のホトレジスト塗布装置の
動作について説明する。
【0080】まず、廃液分離カップ34内におけるホト
レジスト塗布の処理によって生じたホトレジスト廃液5
4は、廃液分離カップ34内から廃液管51を通って排
出され、廃液タンク52内に回収される。そして、該廃
液タンク52内のホトレジスト廃液54が規定の量に達
すると、前記廃液タンク52は別の空の廃液タンク52
に取り替えられるようになっている。
【0081】なお、前記廃液タンク52内のホトレジス
ト廃液54から自然に揮発した溶剤雰囲気が前記廃液管
51を抜けて廃液分離カップ34まで逆流する場合に
は、廃液分離カップ34内の底面に接続されたカップ排
気管38(図3)から排気される。
【0082】このように、本実施の形態においては、廃
液タンク52に排気管は接続されておらず、かつ、廃液
管51と廃液タンク52との接合面53は気密性の高い
構造になっていて廃液タンク52内は密閉状態である。
このため、溶媒雰囲気が外部に漏洩する危険はなく、ま
た、廃液タンク52内を排気しないことによって、その
中のホトレジスト廃液54の乾燥を抑制することができ
る。
【0083】したがって、従来のように、廃液タンク5
2にホトレジスト廃液54の溶媒雰囲気を強制排気して
外部への漏洩を防止するための排気管が配設されていな
いので、廃液タンク52内のホトレジスト廃液54から
溶媒雰囲気が自然に揮発するのを加速的に助長し、ホト
レジスト廃液54の粘度の増加を招くようなことがな
い。
【0084】また、自然に揮発する溶媒雰囲気が廃液分
離カップ34に逆流するのは、廃液管51の径を極小に
することによって制限することができるとともに、廃液
管51の径が小さく、かつ、長さが短いことによって、
廃液分離カップ34から排出されるホトレジスト廃液5
4の廃液管51内における空気との接触を少なくするこ
とができるので、廃液の乾燥化を抑制することもでき
る。
【0085】さらに、廃液タンク52の容量を少なくす
ることによって、ホトレジスト廃液54が廃液タンク5
2内に溜まっている時間を短くして溶剤の揮発を時間的
に抑え、かつ、廃液タンク52の形状を小径の筒形にす
ることによって、廃液タンク52中に溜まったホトレジ
スト廃液54の液面56の表面積が小さくなって空気と
の接触面積が小さくなるので、溶媒の揮発を抑制するこ
とができる。
【0086】したがって、ホトレジスト廃液54の溶媒
の揮発が抑制されるので、廃液タンク52内で高粘度化
してしまうのを抑制することができる。また、使用前の
元のホトレジストに極めて近い状態のホトレジスト廃液
54を回収することができるので、このホトレジスト廃
液54を使用してのホトレジストの再生作業をより容易
に行うことができる。
【0087】次に、本発明の第5の実施の形態について
説明する。なお、前記第1〜第4の実施の形態と同じ構
造を有するもの及び同じ動作については、その説明を省
略する。
【0088】本実施の形態においては、廃液タンク52
を使用せずに、廃液管51はそのまま装置外に延長して
集中配管等を介して、直接装置外に排出する。この場
合、廃液管51が長くなるので、該廃液管51の径をよ
り小さくして廃液管51内におけるホトレジスト廃液5
4の乾燥を抑えるようにする。
【0089】また、廃液管51に十分な傾斜を形成し、
かつ、廃液管51の接続部の数を少なくして廃液管51
内に凹凸が生じるような箇所を減らすことによって、ホ
トレジスト廃液54が円滑に排出され、回収ロスや高粘
度化などの品質の変化もなくホトレジストの再生時の復
元性が高いホトレジスト廃液54を回収することができ
る。
【0090】次に、本発明の第6の実施の形態について
説明する。なお、前記第1〜第5の実施の形態と同じ構
造を有するもの及び同じ動作については、その説明を省
略する。
【0091】本実施の形態においては、リンスとしてホ
トレジストを希釈する溶媒と同一の溶媒を使用する。
【0092】これにより、ホトレジスト廃液54やリン
ス廃液にホトレジストのパターニング性能を変化させて
しまう可能性がある不純物が混入することがない。した
がって、ホトレジスト廃液54の粘度を調整するだけで
ホトレジストとして再利用することができる。
【0093】また、廃液分離カップ34、廃液管51等
の内壁におけるホトレジストの樹脂成分の固化は、ホト
レジストを希釈する溶媒と同一の溶媒であるリンスで防
止することができる。
【0094】次に、本発明の第7の実施の形態について
説明する。なお、前記第1〜第6の実施の形態と同じ構
造を有するもの及び同じ動作については、その説明を省
略する。
【0095】本実施の形態においては、ホトレジストを
希釈する溶媒と同一の溶媒で廃液分離カップ34内を洗
浄して、該廃液分離カップ34の壁面に付着しているホ
トレジスト廃液54等を洗浄除去する。なお、洗浄に使
用した溶媒の廃液は、ホトレジスト廃液54やリンス廃
液等と混合されて排出される。
【0096】このように、ホトレジストを希釈する溶媒
と同一の溶媒を使用して廃液分離カップ34内を洗浄す
るので、ホトレジスト廃液54やリンス廃液にホトレジ
ストのパターニング性能を変化させてしまう可能性があ
る不純物が混入することがない。したがって、ホトレジ
スト廃液54の粘度を調整するだけでホトレジストとし
て再利用することができる。
【0097】また、廃液分離カップ34、廃液管51等
の内壁におけるホトレジストの樹脂成分の固化は、ホト
レジストを希釈する溶媒と同一の溶媒であるリンスで防
止することができる。
【0098】次に、本発明の第8の実施の形態について
説明する。なお、前記第1〜第7の実施の形態と同じ構
造を有するもの及び同じ動作については、その説明を省
略する。
【0099】本実施の形態においては、ホトレジスト塗
布装置の廃液系統の廃液管51の内面を洗浄するための
洗浄ノズルを廃液管51内に配設する。そして、前記洗
浄ノズルから溶媒を噴出して廃液管51内を洗浄する。
【0100】このように、洗浄ノズルを廃液管51内に
配設して、廃液管51内を洗浄するので、廃液管51の
内壁に付着するホトレジストの樹脂成分を除去すること
ができ、廃液管51が閉塞することがない。
【0101】次に、本発明の第9の実施の形態について
説明する。なお、前記第1〜第8の実施の形態と同じ構
造を有するもの及び同じ動作については、その説明を省
略する。
【0102】本実施の形態においては、廃液タンク52
内にオンライン粘度計を配設し、ホトレジスト廃液54
を希釈する溶媒の量を調節して、ホトレジスト廃液54
の粘度を元の状態と同等、若干高め、若干低め等の任意
の粘度にすることができるよう制御する。この場合、廃
液分離カップ34の洗浄のタイミング、液量、洗浄時間
等を制御して、廃液タンク内のホトレジストの粘度を調
節するようになっている。
【0103】このように、廃液タンク内のホトレジスト
の粘度を制御するので、ホトレジスト廃液54を即座に
容易に再利用することができる。
【0104】なお、本発明の前記実施の形態は、いずれ
も半導体製造分野以外のスピンコータに対しても適用す
ることができ、ある特性の塗布薬品の分離回収技術にお
いて、その回収効率を大幅に向上することができる。
【0105】そして、本発明は前記実施の形態に限定さ
れるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々変形さ
せることが可能であり、それらを本発明の範囲から排除
するものではない。
【0106】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、廃液分離回収システムにおいては、基板の周囲に
配置され、前記基板から飛散するホトレジスト廃液を受
ける第1のカップと、前記ホトレジスト廃液を蓄積する
ホトレジスト廃液溝と、前記基板から飛散するホトレジ
スト廃液を前記ホトレジスト廃液溝に導く排気流を発生
させる排気手段とを有する。
【0107】この場合、塵埃がホトレジストの塗布位置
近傍に浮遊し続けることがなくなり、基板の裏面に回り
込んで付着するのを防止することができる。
【0108】他のホトレジスト塗布装置における廃液分
離回収システムにおいては、さらに、排気孔を備え、前
記第1のカップと前記基板との間に配置され、前記基板
から飛散するリンス廃液を受ける第2のカップと、前記
リンス廃液を蓄積するリンス廃液溝とを有し、前記排気
手段は、前記排気流を、前記排気孔を通じて前記第1の
カップ側から前記基板側に流れるように発生させる。
【0109】この場合、ホトレジスト廃液へのリンス廃
液の混入が防止され、ホトレジスト廃液及びリンス廃液
の分離性を完全に確保することができる。
【0110】また、ホトレジスト廃液の付着や溜まりに
よる廃液分離カップ内の汚れを低減することができ、廃
液分離カップの使用寿命を長期化することができる。
【0111】さらに、廃液分離カップ内における固着が
減り廃液性が高まることによって廃液回収のロスを低減
することができるので、ホトレジスト廃液の回収を高効
率化することができる。また、回収ロスや高粘度化など
の品質の変化もなくホトレジスト再生時の復元性が高い
ホトレジスト廃液を回収することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態におけるホトレジス
ト塗布装置の廃液分離カップの断面図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態におけるホトレジス
ト塗布装置の他の廃液分離カップの断面図である。
【図3】本発明の第3の実施の形態におけるホトレジス
ト塗布装置の概略図である。
【図4】本発明の第4の実施の形態におけるホトレジス
ト塗布装置の廃液系統の概略図である。
【符号の説明】
11 第1のカップ 12 第2のカップ 16 排気孔 17 リンス止め 19 ホトレジスト廃液溝 20 リンス廃液溝 21、35 基板 24 排気流 34 廃液分離カップ 39 排気弁 41 第2の排気管 51 廃液管 52 廃液タンク 54 ホトレジスト廃液
フロントページの続き (72)発明者 太田 泰晴 宮崎県宮崎郡清武町大字木原727番地 宮 崎沖電気株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AA00 AB16 EA05 5F046 JA05 JA06 JA08 JA15

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の周囲に配置され、前記基板から飛
    散するホトレジスト廃液を受ける第1のカップと、前記
    ホトレジスト廃液を蓄積するホトレジスト廃液溝と、前
    記基板から飛散するホトレジスト廃液を前記ホトレジス
    ト廃液溝に導く排気流を発生させる排気手段とを有する
    廃液分離回収システム。
  2. 【請求項2】 排気孔を備え、前記第1のカップと前記
    基板との間に配置され、前記基板から飛散するリンス廃
    液を受ける第2のカップと、前記リンス廃液を蓄積する
    リンス廃液溝とを有し、前記排気手段は、前記排気流
    を、前記排気孔を通じて前記第1のカップ側から前記基
    板側に流れるように発生させることを特徴とする請求項
    1に記載の廃液分離回収システム。
  3. 【請求項3】 前記排気孔の前記基板側に、前記リンス
    廃液が前記ホトレジスト廃液に混入することを防止する
    ための液止めを配置することを特徴とする請求項2に記
    載の廃液分離回収システム。
  4. 【請求項4】 前記第1のカップの内面が前記基板側に
    湾曲していることを特徴とする請求項1に記載の廃液分
    離回収システム。
  5. 【請求項5】 前記第2のカップの、前記第1のカップ
    側の面が斜面であることを特徴とする請求項2に記載の
    廃液分離回収システム。
  6. 【請求項6】 前記排気流を排気する第1の排気管を有
    し、前記第1の排気管に排気弁を配置することを特徴と
    する請求項1に記載の廃液分離回収システム。
  7. 【請求項7】 前記第1のカップの外側に排気を行うた
    めの第2の排気管を接続することを特徴とする請求項6
    に記載の廃液分離回収システム。
  8. 【請求項8】 廃液タンクを有し、前記ホトレジスト廃
    液溝に一端が接続され、前記廃液タンクに他端が接続さ
    れている廃液管を有することを特徴とする請求項1に記
    載の廃液分離回収システム。
  9. 【請求項9】 前記排気流が、前記廃液タンクを外れて
    流れることを特徴とする請求項8に記載の廃液分離回収
    システム。
  10. 【請求項10】 前記廃液タンクと前記排液管との間が
    気密であることを特徴とする請求項8に記載の廃液分離
    回収システム。
  11. 【請求項11】 前記廃液タンクは、前記ホトレジスト
    廃液の蒸発を少なくする形状であることを特徴とする請
    求項8に記載の廃液分離回収システム。
  12. 【請求項12】 前記廃液管内に洗浄ノズルを有するこ
    とを特徴とする請求項8に記載の廃液分離回収システ
    ム。
  13. 【請求項13】 前記廃液タンク内の前記ホトレジスト
    廃液の粘度を制御するシステムを有することを特徴とす
    る請求項8に記載の廃液分離回収システム。
  14. 【請求項14】 基板の周囲に、飛散したホトレジスト
    を受ける第1のカップを配置する工程と、飛散したホト
    レジストを蓄積するホトレジスト廃液溝を配置する工程
    と、前記基板から飛散するホトレジストを前記ホトレジ
    スト廃液溝に導く排気流を発生させる工程と、前記基板
    の前記表面にホトレジストを塗布する工程と、前記基板
    を回転させることによって飛散した前記ホトレジスト
    を、前記第1のカップで受けて、前記ホトレジスト廃液
    溝に流す工程とを有することを特徴とする廃液分離回収
    方法。
  15. 【請求項15】 排気孔を備え、飛散したリンスを受け
    る第2のカップを、前記第1のカップと前記基板との間
    に配置する工程と、前記リンスを蓄積するリンス廃液溝
    を配置する工程とを有し、前記排気流は、前期排気孔を
    通じて前記第1のカップ側から前記基板側に流れるよう
    に発生させることを特徴とする請求項14に記載の廃液
    分離回収方法。
  16. 【請求項16】 前記排気孔の前記基板側に、前記リン
    スが前記ホトレジストに混入することを防止するための
    液止めを配置することを特徴とする請求項15に記載の
    廃液分離回収方法。
  17. 【請求項17】 前記第1のカップの内面が前記基板側
    に湾曲していることを特徴とする請求項14に記載の廃
    液分離回収方法。
  18. 【請求項18】 前記第2のカップの前記第1のカップ
    側の面を斜面とすることを特徴とする請求項15に記載
    の廃液分離回収方法。
  19. 【請求項19】 前記排気流を排気する第1の排気管を
    備える工程と、前記第1の排気管に排気弁を配置する工
    程とを有することを特徴とする請求項14に記載の廃液
    分離回収方法。
  20. 【請求項20】 前記第1のカップの外側に第2の排気
    管を接続する工程と、前記第2の排気管から排気する工
    程とを有することを特徴とする請求項14に記載の廃液
    分離回収方法。
  21. 【請求項21】 廃液タンクを配置する工程と、前記ホ
    トレジスト廃液溝に一端が接続され、前記廃液タンクに
    他端が接続されている廃液管を配置する工程とを有する
    ことを特徴とする請求項14に記載の廃液分離回収方
    法。
  22. 【請求項22】 前記排気流を、前記廃液タンクを外れ
    るように流すことを特徴とする請求項21に記載の廃液
    分離回収方法。
  23. 【請求項23】 前記廃液タンクと前記廃液管との間を
    気密にすることを特徴とする請求項21に記載の廃液分
    離回収方法。
  24. 【請求項24】 前記廃液タンクは、前記ホトレジスト
    廃液の蒸発を少なくする形状のものを選択することを特
    徴とする請求項21に記載の廃液分離回収方法。
  25. 【請求項25】 前記リンスは、前記ホトレジストの溶
    媒と同一の成分であることを特徴とする請求項15に記
    載の廃液分離回収方法。
  26. 【請求項26】 前記ホトレジストの溶媒を用いて前記
    第1のカップまたは前記第2のカップを洗浄する工程を
    有することを特徴とする請求項14及び15に記載の廃
    液分離回収方法。
  27. 【請求項27】 前記廃液管内に洗浄ノズルを配置する
    工程を有することを特徴とする請求項21に記載の廃液
    分離回収方法。
  28. 【請求項28】 前記廃液タンク内の前記ホトレジスト
    の粘度を制御するシステムを配置する工程を有すること
    を特徴とする請求項14に記載の廃液分離回収方法。
JP2001044540A 2001-02-21 2001-02-21 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法 Expired - Fee Related JP4531998B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001044540A JP4531998B2 (ja) 2001-02-21 2001-02-21 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法
US09/968,629 US6572701B2 (en) 2001-02-21 2001-10-02 System for separating and recovering waste fluid and spin coater

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001044540A JP4531998B2 (ja) 2001-02-21 2001-02-21 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002246301A true JP2002246301A (ja) 2002-08-30
JP4531998B2 JP4531998B2 (ja) 2010-08-25

Family

ID=18906515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001044540A Expired - Fee Related JP4531998B2 (ja) 2001-02-21 2001-02-21 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6572701B2 (ja)
JP (1) JP4531998B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007294544A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Tokyo Electron Ltd 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体
JP2010010421A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US7837803B2 (en) 2003-03-20 2010-11-23 Lam Research Ag Device and method for wet treating disc-shaped articles
JP2010283203A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Oki Semiconductor Co Ltd 薬液回収カップ及び薬液塗布装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7531040B2 (en) * 2003-10-02 2009-05-12 Asml Holdings N.V. Resist recovery method
US7856939B2 (en) 2006-08-28 2010-12-28 Transitions Optical, Inc. Recirculation spin coater with optical controls
JP4816747B2 (ja) * 2009-03-04 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
US20140017615A1 (en) * 2012-07-11 2014-01-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for resist coating and developing
US10134611B2 (en) * 2013-03-22 2018-11-20 Lam Research Ag Collector for use with an apparatus for treating wafer-shaped articles
KR101963484B1 (ko) 2013-10-11 2019-03-28 트랜지션즈 옵티칼 인코포레이티드 유기 용매 예비-처리 및 광색성 코팅을 사용하는 광색성 광학 제품의 제조 방법
JP6618334B2 (ja) * 2015-06-03 2019-12-11 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、膜形成ユニット、基板処理方法および膜形成方法
JP6715019B2 (ja) * 2016-02-09 2020-07-01 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102139605B1 (ko) * 2018-11-06 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN115069719B (zh) * 2022-08-23 2022-11-22 智程半导体设备科技(昆山)有限公司 一种气流增强型单片式方形基板清洗设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190442A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Hitachi Ltd 薬液処理装置
JPH0963941A (ja) * 1995-08-21 1997-03-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置
JPH1041269A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1057877A (ja) * 1996-05-07 1998-03-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5711809A (en) * 1995-04-19 1998-01-27 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method of controlling the same
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JP3476305B2 (ja) * 1996-03-18 2003-12-10 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
TW418452B (en) * 1997-10-31 2001-01-11 Tokyo Electron Ltd Coating process
US6248169B1 (en) * 1999-06-01 2001-06-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dual-cup coating apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05190442A (ja) * 1992-01-10 1993-07-30 Hitachi Ltd 薬液処理装置
JPH0963941A (ja) * 1995-08-21 1997-03-07 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板回転式処理装置
JPH1057877A (ja) * 1996-05-07 1998-03-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JPH1041269A (ja) * 1996-07-22 1998-02-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7837803B2 (en) 2003-03-20 2010-11-23 Lam Research Ag Device and method for wet treating disc-shaped articles
US8955529B2 (en) 2003-03-20 2015-02-17 Lam Research Ag Device and method for wet treating disc-shaped articles
JP2007294544A (ja) * 2006-04-21 2007-11-08 Tokyo Electron Ltd 保護膜除去装置、薬液の回収方法及び記憶媒体
JP2010010421A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2010283203A (ja) * 2009-06-05 2010-12-16 Oki Semiconductor Co Ltd 薬液回収カップ及び薬液塗布装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20020112662A1 (en) 2002-08-22
US6572701B2 (en) 2003-06-03
JP4531998B2 (ja) 2010-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002246301A (ja) 廃液分離回収システム及び廃液分離回収方法
JP4582654B2 (ja) ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR19980069633A (ko) 반도체 제조용 포토 레지스트 코팅 장치
JP3573504B2 (ja) 半導体装置の製造方法
CN107785292B (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP3945569B2 (ja) 現像装置
JP5036415B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
JP3260624B2 (ja) 塗布装置およびその制御方法
US5776250A (en) Device for recovering photoresist material exhausted from a spin coater
JP2003080159A (ja) 回転塗布装置
JP3793894B2 (ja) 液晶表示装置の基板の洗滌装置及びその洗滌方法
US6582137B1 (en) Polyimide coating process with dilute TMAH and DI-water backrinse
JP3913869B2 (ja) 基板処理装置
JPH07201707A (ja) 回転式塗布装置
US7596886B1 (en) Method and system to separate and recycle divergent chemistries
JPH09225220A (ja) コーティング装備のフィルタハウジング
JP5136127B2 (ja) 塗布装置、塗布方法及び記憶媒体
JP2000292932A (ja) レジスト処理装置
JP2017034121A (ja) 基板処理装置
JPH06120136A (ja) 基板エッジ洗浄方法
JP2724870B2 (ja) 処理装置
JP6119293B2 (ja) 回転塗布装置および回転塗布装置の洗浄方法
JP2002270592A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JPH0963941A (ja) 基板回転式処理装置
JPH0684785A (ja) 浸漬式の液処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070809

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20081119

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081125

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20090127

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090915

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091112

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100223

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100414

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100608

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100610

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130618

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees