JP2002246262A - めっき膜厚均一性に優れた電子部品およびその製造方法 - Google Patents
めっき膜厚均一性に優れた電子部品およびその製造方法Info
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- JP2002246262A JP2002246262A JP2001037002A JP2001037002A JP2002246262A JP 2002246262 A JP2002246262 A JP 2002246262A JP 2001037002 A JP2001037002 A JP 2001037002A JP 2001037002 A JP2001037002 A JP 2001037002A JP 2002246262 A JP2002246262 A JP 2002246262A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 めっき膜厚均一性に優れた電子部品とその製
造方法を提供する。 【解決手段】 セラミック基体に複数の外部電極を有す
る電子部品であって、前記外部電極はセラミック基体に
形成される下地層と、当該下地層の表面に電解めっきで
形成される導体層からなり、前記導体層の膜厚の分布に
おける標準偏差が１５μｍ以下であることを特徴とし
た。
造方法を提供する。 【解決手段】 セラミック基体に複数の外部電極を有す
る電子部品であって、前記外部電極はセラミック基体に
形成される下地層と、当該下地層の表面に電解めっきで
形成される導体層からなり、前記導体層の膜厚の分布に
おける標準偏差が１５μｍ以下であることを特徴とし
た。
Description
【０００１】本発明は、セラミック基体に下地層と、当
該下地層の表面に電解めっきで形成される導体層を有す
る外部電極を備えた電子部品とその製造方法に関し、特
にはめっき膜厚均一性に優れた電子部品とその製造方法
に関するものである。
該下地層の表面に電解めっきで形成される導体層を有す
る外部電極を備えた電子部品とその製造方法に関し、特
にはめっき膜厚均一性に優れた電子部品とその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話に代表される移動体通信
等の高周波機器の発展と普及に伴い、誘電体セラミック
を基体としたチップコンデンサやＬＣフィルタ等の電子
部品が急激に普及するようになった。これらの電子部品
はＡｇ，Ｃｕ等からなる外部電極を有しているが、電子
部品を回路基板に実装半田付けする際に、Ａｇでは溶融
半田に溶解して外部電極が痩せて行く、いわゆる「はん
だ食われ」という問題が生じる。そこで、ニッケル、ニ
ッケル−Ｐ合金の導体層をバリア層として前記下地層の
表面に形成するのが一般である。またＣｕはＡｇと比較
すると溶融半田に対する溶解度は小さいが、信頼性の観
点から同様にニッケル等のバリア層を形成することが行
われているが、前記ニッケル、ニッケル−Ｐ合金、Ｃｕ
等は溶融半田をよく濡らすことが出来ず、必要な半田付
け強度が得られないため、「半田濡れ性」を高めるために
更にＳｎ又はＳｎ−Ｐｂからなる半田をめっきすること
が一般的に行われている。これら導体層はバレル浴を用
いた電解めっき法により形成される場合が多いが、外部
電極にめっきするにはセラミックは導通性が無いため、
ダミーボールと呼ばれる金属球と電子部品をバレルに混
合装入して同時にめっき液に浸漬し、前記金属球を介在
して外部電極に通電している。
等の高周波機器の発展と普及に伴い、誘電体セラミック
を基体としたチップコンデンサやＬＣフィルタ等の電子
部品が急激に普及するようになった。これらの電子部品
はＡｇ，Ｃｕ等からなる外部電極を有しているが、電子
部品を回路基板に実装半田付けする際に、Ａｇでは溶融
半田に溶解して外部電極が痩せて行く、いわゆる「はん
だ食われ」という問題が生じる。そこで、ニッケル、ニ
ッケル−Ｐ合金の導体層をバリア層として前記下地層の
表面に形成するのが一般である。またＣｕはＡｇと比較
すると溶融半田に対する溶解度は小さいが、信頼性の観
点から同様にニッケル等のバリア層を形成することが行
われているが、前記ニッケル、ニッケル−Ｐ合金、Ｃｕ
等は溶融半田をよく濡らすことが出来ず、必要な半田付
け強度が得られないため、「半田濡れ性」を高めるために
更にＳｎ又はＳｎ−Ｐｂからなる半田をめっきすること
が一般的に行われている。これら導体層はバレル浴を用
いた電解めっき法により形成される場合が多いが、外部
電極にめっきするにはセラミックは導通性が無いため、
ダミーボールと呼ばれる金属球と電子部品をバレルに混
合装入して同時にめっき液に浸漬し、前記金属球を介在
して外部電極に通電している。
【０００３】ところで、このような外部電極を形成した
電子部品のひとつとして、図１に示すように、コンデン
サ、伝送線路を内蔵したセラミック基板にダイオード、
チップコンデンサ、チップ抵抗を搭載した複合電子部品
１００が提案されている。
電子部品のひとつとして、図１に示すように、コンデン
サ、伝送線路を内蔵したセラミック基板にダイオード、
チップコンデンサ、チップ抵抗を搭載した複合電子部品
１００が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記複合電子部品１０
０の外部電極は直流的に図２に破線で示すように接続さ
れ、例えば外部電極１は他の外部電極１２，１４，１
６，Ｉ，Ｍ，Ｎ，Ｐと直流的に接続し、外部電極２は外
部電極Ｋと接続する。このように、一つの電子部品にお
いて外部電極間の接続状態は一様ではない。その結果、
めっきの際に外部電極に通電する役目を担う金属球との
接触確率が各外部端子で異なることとなり、外部端子間
でめっき膜厚のばらつきが生じる。また前記金属球は、
溶融した金属を油中に滴下したり線材を加熱し油中に投
入することにより作成されることが多いが、このような
製造方法で作られた金属球は直径のばらつきが大きいも
のが多い。このような直径バラツキが大きく、直径の大
きな物を含有している金属球をダミーボールとして用い
ると、ダミーボールと外部電極との接触がスムーズに行
われなくなり、めっき膜形成が遅くなり、膜厚ばらつき
の大きなめっき膜が形成されるのを助長する。また、金
属球としては鉄ボールにニッケルめっきを施した物が多
く用いられていが、このようなダミーボールではニッケ
ルめっき被膜のピンホールから、鉄などの金属がめっき
液中に溶けだしめっき液を汚染してしまい、溶け出した
金属がめっき皮膜中に共析して、外部電極への正常なめ
っき被膜の形成を妨げる。
０の外部電極は直流的に図２に破線で示すように接続さ
れ、例えば外部電極１は他の外部電極１２，１４，１
６，Ｉ，Ｍ，Ｎ，Ｐと直流的に接続し、外部電極２は外
部電極Ｋと接続する。このように、一つの電子部品にお
いて外部電極間の接続状態は一様ではない。その結果、
めっきの際に外部電極に通電する役目を担う金属球との
接触確率が各外部端子で異なることとなり、外部端子間
でめっき膜厚のばらつきが生じる。また前記金属球は、
溶融した金属を油中に滴下したり線材を加熱し油中に投
入することにより作成されることが多いが、このような
製造方法で作られた金属球は直径のばらつきが大きいも
のが多い。このような直径バラツキが大きく、直径の大
きな物を含有している金属球をダミーボールとして用い
ると、ダミーボールと外部電極との接触がスムーズに行
われなくなり、めっき膜形成が遅くなり、膜厚ばらつき
の大きなめっき膜が形成されるのを助長する。また、金
属球としては鉄ボールにニッケルめっきを施した物が多
く用いられていが、このようなダミーボールではニッケ
ルめっき被膜のピンホールから、鉄などの金属がめっき
液中に溶けだしめっき液を汚染してしまい、溶け出した
金属がめっき皮膜中に共析して、外部電極への正常なめ
っき被膜の形成を妨げる。
【０００５】「はんだ食われ」を防ぐのにニッケル、ニッ
ケル−Ｐ合金の導体層を前記下地層の表面に形成してバ
リア層として機能させるには、少なくとも１μｍ以上の
膜厚が必要となる。一方ニッケル、ニッケル−Ｐ合金め
っき膜は下地層に圧縮又は引張応力を作用させるため
に、めっき膜が厚くなると下地層のセラミック基体との
密着強度を減少させたりするが、前記電子部品では膜厚
を１０μｍ以下とすればよいことが、本発明者等が種々
検討を行う中で明らかになっている。しかしながら、前
記のように一つの電子部品において外部電極のめっき膜
厚が大きくばらつくため、めっき膜厚を１μｍ以上１０
μｍ以下とすることが困難であった。また、「半田濡れ
性」を高めるように前記導体層にＳｎを含有するめっき
層を表面層として具備する場合には、その膜厚が３μｍ
未満であると導体層を形成する金属とＳｎとが不動体合
金膜を形成して、所望の半田濡れ性を得ることが出来な
い。したがって、めっき処理時間を適宜調整して３μｍ
以上のめっき膜厚を得ようとすれば、必然的にめっき工
程時間が増加してしまうという問題があった。そこで本
発明の目的は、めっき膜厚均一性に優れた電子部品とそ
の製造方法を提供することである。
ケル−Ｐ合金の導体層を前記下地層の表面に形成してバ
リア層として機能させるには、少なくとも１μｍ以上の
膜厚が必要となる。一方ニッケル、ニッケル−Ｐ合金め
っき膜は下地層に圧縮又は引張応力を作用させるため
に、めっき膜が厚くなると下地層のセラミック基体との
密着強度を減少させたりするが、前記電子部品では膜厚
を１０μｍ以下とすればよいことが、本発明者等が種々
検討を行う中で明らかになっている。しかしながら、前
記のように一つの電子部品において外部電極のめっき膜
厚が大きくばらつくため、めっき膜厚を１μｍ以上１０
μｍ以下とすることが困難であった。また、「半田濡れ
性」を高めるように前記導体層にＳｎを含有するめっき
層を表面層として具備する場合には、その膜厚が３μｍ
未満であると導体層を形成する金属とＳｎとが不動体合
金膜を形成して、所望の半田濡れ性を得ることが出来な
い。したがって、めっき処理時間を適宜調整して３μｍ
以上のめっき膜厚を得ようとすれば、必然的にめっき工
程時間が増加してしまうという問題があった。そこで本
発明の目的は、めっき膜厚均一性に優れた電子部品とそ
の製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、セラミッ
ク基体に複数の外部電極を有する電子部品であって、前
記外部電極はセラミック基体に形成される下地層と、当
該下地層の表面に電解めっきで形成される導体層からな
り、前記導体層の膜厚の分布における標準偏差が１５μ
ｍ以下としためっき膜厚均一性に優れた電子部品であ
る。また本発明は、前記導体層をニッケルめっき膜と
し、その膜厚を１μｍ以上１０μｍ以下としためっき膜
厚均一性に優れた電子部品である。さらに前記導体層は
Ｓｎを含有するめっき膜を表面層として具備させ、前記
表面層を３μｍ以上の膜厚で構成しためっき膜厚均一性
に優れた電子部品である。第２の発明は、第１の発明の
めっき膜厚均一性に優れた電子部品の製造方法であっ
て、前記導体層を電解めっきにより形成し、前記セラミ
ック基体と混合装入する金属球の直径を０．１mm〜１．
０mmとしためっき膜厚均一性に優れた電子部品の製造方
法である。本発明においては、前記金属球を、その直径
の分布における標準偏差が０．2mm以下とするのが好ま
しい。また前記金属球をＳｎを主成分とするのが望まし
い。
ク基体に複数の外部電極を有する電子部品であって、前
記外部電極はセラミック基体に形成される下地層と、当
該下地層の表面に電解めっきで形成される導体層からな
り、前記導体層の膜厚の分布における標準偏差が１５μ
ｍ以下としためっき膜厚均一性に優れた電子部品であ
る。また本発明は、前記導体層をニッケルめっき膜と
し、その膜厚を１μｍ以上１０μｍ以下としためっき膜
厚均一性に優れた電子部品である。さらに前記導体層は
Ｓｎを含有するめっき膜を表面層として具備させ、前記
表面層を３μｍ以上の膜厚で構成しためっき膜厚均一性
に優れた電子部品である。第２の発明は、第１の発明の
めっき膜厚均一性に優れた電子部品の製造方法であっ
て、前記導体層を電解めっきにより形成し、前記セラミ
ック基体と混合装入する金属球の直径を０．１mm〜１．
０mmとしためっき膜厚均一性に優れた電子部品の製造方
法である。本発明においては、前記金属球を、その直径
の分布における標準偏差が０．2mm以下とするのが好ま
しい。また前記金属球をＳｎを主成分とするのが望まし
い。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明の電子部品の製造方法にお
いては、セラミック基体に形成された下地層の表面に形
成される導体層を電解めっきで形成するが、その際に、
バレルにセラミック基体と混合装入するダミーボールの
直径を０．１mm〜１．０mmとしている。０．１mm 未満
であるとダミーボール同士の間隙にめっき液が染みこま
ず正常な被膜が形成されず、また取り扱いも困難であ
る。ダミーボール直径が１．０mmよりも大きいと外部電
極への接触頻度が低下し被膜の形成が遅く、また膜厚の
バラツキの大きな膜が形成される。また、ここで使用す
るダミーボールの粒径分布の標準偏差を０．２mm以内と
している。標準偏差０．２ｍｍ超だと、それぞれの外部
電極の電流密度分布にばらつきが生じ、均一なめっき膜
を形成することが困難となる。この様にダミーボールは
直径が小さく、その直径バラツキの小さなダミーボール
を使うことで、膜厚のバラツキが小さくなり、前記導体
層の膜厚の分布における標準偏差が１５μｍ以下とした
めっき膜厚均一性に優れた電子部品を得ることが出来
る。また、前記の粒径・粒径分布の標準偏差を有するダ
ミーボールとして均一液滴噴霧（UDS）法で作製したＳ
ｎを主成分とする金属球を用いた。この方法によれば、
前記金属球の直径の分布における標準偏差が０．０５ｍ
ｍ以下という、ばらつきの小さな金属球を得ることが出
来る。このダミーボールを用いることで、Ｆｅを主成分
とするダミーボールの様にめっき被膜を形成して異種金
属の溶けだしを防ぐ必要が無くコスト的に優位である。
まためっき浴に異種の金属が溶けだし、浴不純物として
作用し正常な被膜形成を妨げられる事が無くなる。ダミ
ーボールの素材としては例えば、外部電極にＳｎを主成
分とするめっきを施す場合はＳｎを主成分とすることが
望ましい。具体的な合金元素としては、Ag, Cu, Bi, Zn
等の元素が例として挙げられる。
いては、セラミック基体に形成された下地層の表面に形
成される導体層を電解めっきで形成するが、その際に、
バレルにセラミック基体と混合装入するダミーボールの
直径を０．１mm〜１．０mmとしている。０．１mm 未満
であるとダミーボール同士の間隙にめっき液が染みこま
ず正常な被膜が形成されず、また取り扱いも困難であ
る。ダミーボール直径が１．０mmよりも大きいと外部電
極への接触頻度が低下し被膜の形成が遅く、また膜厚の
バラツキの大きな膜が形成される。また、ここで使用す
るダミーボールの粒径分布の標準偏差を０．２mm以内と
している。標準偏差０．２ｍｍ超だと、それぞれの外部
電極の電流密度分布にばらつきが生じ、均一なめっき膜
を形成することが困難となる。この様にダミーボールは
直径が小さく、その直径バラツキの小さなダミーボール
を使うことで、膜厚のバラツキが小さくなり、前記導体
層の膜厚の分布における標準偏差が１５μｍ以下とした
めっき膜厚均一性に優れた電子部品を得ることが出来
る。また、前記の粒径・粒径分布の標準偏差を有するダ
ミーボールとして均一液滴噴霧（UDS）法で作製したＳ
ｎを主成分とする金属球を用いた。この方法によれば、
前記金属球の直径の分布における標準偏差が０．０５ｍ
ｍ以下という、ばらつきの小さな金属球を得ることが出
来る。このダミーボールを用いることで、Ｆｅを主成分
とするダミーボールの様にめっき被膜を形成して異種金
属の溶けだしを防ぐ必要が無くコスト的に優位である。
まためっき浴に異種の金属が溶けだし、浴不純物として
作用し正常な被膜形成を妨げられる事が無くなる。ダミ
ーボールの素材としては例えば、外部電極にＳｎを主成
分とするめっきを施す場合はＳｎを主成分とすることが
望ましい。具体的な合金元素としては、Ag, Cu, Bi, Zn
等の元素が例として挙げられる。
【０００８】
【実施例】（実施例１）本発明について一実施例を示し
説明する。まず、アルミナを主成分とするセラミックグ
リーンシートを作製した。そして、このセラミックグリ
ーンシートの表面に、主にＡｇを主成分とする電極用ペ
ーストをスクリーン印刷法により印刷して内部電極を形
成した。印刷パターンの異なる内部電極を形成したセラ
ミックグリーンシートを複数枚数積層して圧着し、積層
体ブロックを得た。この積層体ブロックを積層方向に切
断し、チップ状の積層体を作製した。このチップ状の積
層体を、空気中で９００℃にて１時間焼成して、セラミ
ック基体とした。その後、側面に内部電極が露出するよ
うにバレル研磨を行い、続いてセラミック基体の側面、
上面にＡｇを主成分とする下地層を形成して、内部電極
と電気的に接続させた。この下地層上に直径の平均粒径
が０．４８mm、標準偏差０．０２mmのSnを主成分とした
ダミーボールを用いて、ワット浴成分のニッケルめっき
浴で、電解めっきを行いニッケルめっき膜を形成した。
なおニッケルめっき条件は次の通りである。ダミ−ボー
ル４kgと作成した試料２５００個を秤量の後、めっき用
バレル容器に投入した。バレル容器内には電気的導通を
確保するための電極が設けられている。この、製品とダ
ミーボールを投入したバレル容器を前記のめっき液中に
浸漬し、５ｒｐｍの速度で回転させた。また、同時に
０．３A/dm2の電流を１００分間印可することによりニ
ッケルめっきを行い、その後、水洗を行った。以上によ
り作製した電子部品を１０００個抜き取り、その全外部
端子のニッケルめっき膜厚について蛍光Ｘ線膜厚計（セ
イコーインスツルメンツ社製、型式ＳＦＴ３０００）に
より測定し、膜厚の最大値、最小値、バラツキの標準偏
差を評価した。 （実施例２）また他の実施例として、ダミーボールを直
径の平均粒径を０．３１mm、標準偏差０．０２mmのSnを
主成分としたダミーボールとして、ワット浴成分のニッ
ケルめっき浴で、電解めっきを行いニッケルめっき膜を
形成した。他の条件、評価は実施例１と同一なのでその
説明を省く。 （比較例１）セラミック基体の側面、上面に形成したＡ
ｇを主成分とする下地層上に、直径の平均粒径が１．５
mm、標準偏差０．６５mmのＦｅを主成分とし、表面にニ
ッケルめっきを施したダミーボールを用いて、ワット浴
成分のニッケルめっき浴で、電解めっきを行いニッケル
めっき膜を形成した。他の条件、評価は実施例１と同一
なのでその説明を省く。
説明する。まず、アルミナを主成分とするセラミックグ
リーンシートを作製した。そして、このセラミックグリ
ーンシートの表面に、主にＡｇを主成分とする電極用ペ
ーストをスクリーン印刷法により印刷して内部電極を形
成した。印刷パターンの異なる内部電極を形成したセラ
ミックグリーンシートを複数枚数積層して圧着し、積層
体ブロックを得た。この積層体ブロックを積層方向に切
断し、チップ状の積層体を作製した。このチップ状の積
層体を、空気中で９００℃にて１時間焼成して、セラミ
ック基体とした。その後、側面に内部電極が露出するよ
うにバレル研磨を行い、続いてセラミック基体の側面、
上面にＡｇを主成分とする下地層を形成して、内部電極
と電気的に接続させた。この下地層上に直径の平均粒径
が０．４８mm、標準偏差０．０２mmのSnを主成分とした
ダミーボールを用いて、ワット浴成分のニッケルめっき
浴で、電解めっきを行いニッケルめっき膜を形成した。
なおニッケルめっき条件は次の通りである。ダミ−ボー
ル４kgと作成した試料２５００個を秤量の後、めっき用
バレル容器に投入した。バレル容器内には電気的導通を
確保するための電極が設けられている。この、製品とダ
ミーボールを投入したバレル容器を前記のめっき液中に
浸漬し、５ｒｐｍの速度で回転させた。また、同時に
０．３A/dm2の電流を１００分間印可することによりニ
ッケルめっきを行い、その後、水洗を行った。以上によ
り作製した電子部品を１０００個抜き取り、その全外部
端子のニッケルめっき膜厚について蛍光Ｘ線膜厚計（セ
イコーインスツルメンツ社製、型式ＳＦＴ３０００）に
より測定し、膜厚の最大値、最小値、バラツキの標準偏
差を評価した。 （実施例２）また他の実施例として、ダミーボールを直
径の平均粒径を０．３１mm、標準偏差０．０２mmのSnを
主成分としたダミーボールとして、ワット浴成分のニッ
ケルめっき浴で、電解めっきを行いニッケルめっき膜を
形成した。他の条件、評価は実施例１と同一なのでその
説明を省く。 （比較例１）セラミック基体の側面、上面に形成したＡ
ｇを主成分とする下地層上に、直径の平均粒径が１．５
mm、標準偏差０．６５mmのＦｅを主成分とし、表面にニ
ッケルめっきを施したダミーボールを用いて、ワット浴
成分のニッケルめっき浴で、電解めっきを行いニッケル
めっき膜を形成した。他の条件、評価は実施例１と同一
なのでその説明を省く。
【００９】上記ニッケルめっき膜厚の評価、めっき浴中
のＦｅ濃度について表１に示す。
のＦｅ濃度について表１に示す。
【００１０】
【表１】
【００１１】本実施例のごとく、めっきを施した場合の
ニッケルめっき膜厚の標準偏差は、０．７μｍ〜１．１
μｍであり、１μｍ以下１０μｍ以上のめっき膜厚の端
子は全くなかった。一方、比較例の場合では、ニッケル
めっき膜厚の標準偏差が３．７μｍであり、１μｍ以下
めっき膜厚が１．１％、１０μｍ以上のめっき膜厚が
１．７％発生した。 （実施例３）実施例１と同様にして作成したニッケルめ
っき膜上に、直径の平均粒径が０．４８mm、標準偏差
０．０２mmのSnを主成分としたダミーボールを用いて、
半田めっき膜を形成した。なお半田めっき浴は不純物で
あるFeが0.01ppm以下で、外部端子にスズと鉛が９：１
で析出する浴を使用した。なお半田めっき条件は次の通
りである。ダミ−ボール４kgと作成した試料２５００個
を秤量の後、めっき用バレル容器に投入した。バレル容
器内には電気的導通を確保するための電極が設けられて
いる。この、製品とダミーボールを投入したバレル容器
を前記のめっき液中に浸漬し、５ｒｐｍの速度で回転さ
せた。また、同時に０．３A/dm2の電流を１００分間印
可することにより半田めっきを行い、その後、水洗を行
った。半田めっき膜厚についてもニッケルめっき同様測
定し、膜厚の最大値、最小値、バラツキの標準偏差を評
価した。また半田めっき後、外部電極を形成したセラミ
ック基体を２２０℃の溶融した半田に３秒浸漬した後、
端子の外観を拡大鏡にて観察し、半田濡れ性を評価し
た。また、１０万個の半田めっきが終了した後の、半田
めっき液中の成分分析を行った。 （実施例４）また他の実施例として、ダミーボールを直
径の平均粒径を０．３１mm、標準偏差０．０２mmのSnを
主成分としたダミーボールとして半田めっき膜を形成し
た。他の条件、評価は実施例３と同一なのでその説明を
省く。 （比較例２）ダミーボールを直径の平均粒径を１．５m
m、標準偏差０．６５mmのＦｅを主成分とし、表面にニ
ッケルめっきを施したダミーボールを用いてダミーボー
ルとして半田めっき膜を形成した。他の条件、評価は実
施例３と同一なのでその説明を省く。
ニッケルめっき膜厚の標準偏差は、０．７μｍ〜１．１
μｍであり、１μｍ以下１０μｍ以上のめっき膜厚の端
子は全くなかった。一方、比較例の場合では、ニッケル
めっき膜厚の標準偏差が３．７μｍであり、１μｍ以下
めっき膜厚が１．１％、１０μｍ以上のめっき膜厚が
１．７％発生した。 （実施例３）実施例１と同様にして作成したニッケルめ
っき膜上に、直径の平均粒径が０．４８mm、標準偏差
０．０２mmのSnを主成分としたダミーボールを用いて、
半田めっき膜を形成した。なお半田めっき浴は不純物で
あるFeが0.01ppm以下で、外部端子にスズと鉛が９：１
で析出する浴を使用した。なお半田めっき条件は次の通
りである。ダミ−ボール４kgと作成した試料２５００個
を秤量の後、めっき用バレル容器に投入した。バレル容
器内には電気的導通を確保するための電極が設けられて
いる。この、製品とダミーボールを投入したバレル容器
を前記のめっき液中に浸漬し、５ｒｐｍの速度で回転さ
せた。また、同時に０．３A/dm2の電流を１００分間印
可することにより半田めっきを行い、その後、水洗を行
った。半田めっき膜厚についてもニッケルめっき同様測
定し、膜厚の最大値、最小値、バラツキの標準偏差を評
価した。また半田めっき後、外部電極を形成したセラミ
ック基体を２２０℃の溶融した半田に３秒浸漬した後、
端子の外観を拡大鏡にて観察し、半田濡れ性を評価し
た。また、１０万個の半田めっきが終了した後の、半田
めっき液中の成分分析を行った。 （実施例４）また他の実施例として、ダミーボールを直
径の平均粒径を０．３１mm、標準偏差０．０２mmのSnを
主成分としたダミーボールとして半田めっき膜を形成し
た。他の条件、評価は実施例３と同一なのでその説明を
省く。 （比較例２）ダミーボールを直径の平均粒径を１．５m
m、標準偏差０．６５mmのＦｅを主成分とし、表面にニ
ッケルめっきを施したダミーボールを用いてダミーボー
ルとして半田めっき膜を形成した。他の条件、評価は実
施例３と同一なのでその説明を省く。
【００１２】上記半田めっき膜厚の評価、半田濡れ性の
評価、めっき浴中のＦｅ濃度について表２に示す。
評価、めっき浴中のＦｅ濃度について表２に示す。
【００１３】
【表２】
【００１４】本実施例のごとく、めっきを施した場合の
半田めっき膜厚の標準偏差は、２．１〜３．４μｍであ
り、３μｍ以下のめっき膜厚の端子は全くなく、半田濡
れ性不良の発生はなかった。また、ニッケルめっき後に
ニッケルめっき浴中の異種不純物であるFeは検出されな
かった。一方、比較例のものでは半田めっき膜厚の標準
偏差が16.7μｍであり、３μｍ以下のめっき膜厚の外部
端子が35％発生し、半田濡れ性不良が１１％発生した。
まためっき液中の異種不純物であるＦｅ濃度は121ppm増
加した。
半田めっき膜厚の標準偏差は、２．１〜３．４μｍであ
り、３μｍ以下のめっき膜厚の端子は全くなく、半田濡
れ性不良の発生はなかった。また、ニッケルめっき後に
ニッケルめっき浴中の異種不純物であるFeは検出されな
かった。一方、比較例のものでは半田めっき膜厚の標準
偏差が16.7μｍであり、３μｍ以下のめっき膜厚の外部
端子が35％発生し、半田濡れ性不良が１１％発生した。
まためっき液中の異種不純物であるＦｅ濃度は121ppm増
加した。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、めっき膜厚均一性に優
れた電子部品とその製造方法を提供することできる。
れた電子部品とその製造方法を提供することできる。
【図１】 本発明の一実施例に係る電子部品である。
【図２】 本発明の一実施例に係る電子部品の外部電極
接続図である。
接続図である。
１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１
２，１３，１４，１５，１６ 外部端子 Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，
Ｍ，Ｎ，Ｏ，Ｐ 外部端子
２，１３，１４，１５，１６ 外部端子 Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋ，Ｌ，
Ｍ，Ｎ，Ｏ，Ｐ 外部端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 直樹 鳥取県鳥取市南栄町70番地２号日立金属株 式会社鳥取工場内 (72)発明者 佐藤 光司 島根県安来市安来町2107番地２冶金研究所 内 Ｆターム(参考） 5E001 AB03 AF06 AH07 AJ03 5E319 AA03 BB01 CD25 GG20 5E343 AA23 BB25 BB44 BB55 BB72 DD03 DD43 ER33 ER36 ER39 FF20 GG06
Claims (6)
- 【請求項１】 セラミック基体に複数の外部電極を有す
る電子部品であって、前記外部電極はセラミック基体に
形成される下地層と、当該下地層の表面に電解めっきで
形成される導体層からなり、前記導体層の膜厚の分布に
おける標準偏差が１５μｍ以下であることを特徴とする
めっき膜厚均一性に優れた電子部品。 - 【請求項２】 前記導体層がニッケルめっき膜であり、
膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする
めっき膜厚均一性に優れた電子部品。 - 【請求項３】 前記導体層はＳｎを含有するめっき膜を
表面層として具備し、前記表面層は３μｍ以上の膜厚で
あることを特徴とする請求項１又は２に記載のめっき膜
厚均一性に優れた電子部品。 - 【請求項４】 請求項１乃至３に記載のめっき膜厚均一
性に優れた電子部品の製造方法であって、前記導体層は
バレルめっきにより形成され、前記セラミック基体と混
合装入する金属球の直径が０．１mm〜１．０mmであるこ
とを特徴とするめっき膜厚均一性に優れた電子部品の製
造方法。 - 【請求項５】 前記金属球において、その直径の分布に
おける標準偏差が０．２mm以下であることを特徴とする
請求項４に記載のめっき膜厚均一性に優れためっき膜厚
均一性に優れた電子部品の製造方法。 - 【請求項６】 前記金属球がＳｎを主成分とすることを
特徴とする請求項４又は５に記載のめっき膜厚均一性に
優れた電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001037002A JP4853751B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | めっき膜厚均一性に優れた電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001037002A JP4853751B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | めっき膜厚均一性に優れた電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002246262A true JP2002246262A (ja) | 2002-08-30 |
| JP4853751B2 JP4853751B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=18900193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001037002A Expired - Lifetime JP4853751B2 (ja) | 2001-02-14 | 2001-02-14 | めっき膜厚均一性に優れた電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4853751B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
2001
- 2001-02-14 JP JP2001037002A patent/JP4853751B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4853751B2 (ja) | 2012-01-11 |
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