JPS60240117A - チツプ型積層磁器コンデンサ - Google Patents
チツプ型積層磁器コンデンサInfo
- Publication number
- JPS60240117A JPS60240117A JP59097150A JP9715084A JPS60240117A JP S60240117 A JPS60240117 A JP S60240117A JP 59097150 A JP59097150 A JP 59097150A JP 9715084 A JP9715084 A JP 9715084A JP S60240117 A JPS60240117 A JP S60240117A
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- Japan
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- film
- hang
- nickel
- solder
- external electrode
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
゛技術分野
本発明は、外部電極が耐ハンダ性に優れかつ安価に製造
し得るチップ型積層磁気コンデンサに関する。
し得るチップ型積層磁気コンデンサに関する。
背景技術
市眼のチップｆＦＪ積層磁気コンデンサは薄膜の誘電体
表面に内部電極を形成したものを複数枚積層して一体焼
成し、この側面に形成する外部接続用電極（外部電極）
に前記内部電極を交互に並列に接続するような構造とし
ており、回路基板に直接ハンダ付けして使用される。近
時このような超小型で実装時、回路基板へ直接ノ１ング
付けされるチップ型積層コンデンサは、ハング付は実装
時のハンダ熱が外部電極に大きく影響を与えることから
、この外部電極の耐ハング性およびハンダぬれ性の向上
が要求されている。
表面に内部電極を形成したものを複数枚積層して一体焼
成し、この側面に形成する外部接続用電極（外部電極）
に前記内部電極を交互に並列に接続するような構造とし
ており、回路基板に直接ハンダ付けして使用される。近
時このような超小型で実装時、回路基板へ直接ノ１ング
付けされるチップ型積層コンデンサは、ハング付は実装
時のハンダ熱が外部電極に大きく影響を与えることから
、この外部電極の耐ハング性およびハンダぬれ性の向上
が要求されている。
従来、この種チップ型積層磁気コンデンサにおける外部
電極の耐ハング性（一定温度のハンダに一定時間浸漬し
たときのハング食われ等の外観異常及びそれによる電気
的特性劣化の評価）を向上させるため、パラジウム （
Ｐｄ）の含有率の高い銀パラジウムで形成されることが
知られている。
電極の耐ハング性（一定温度のハンダに一定時間浸漬し
たときのハング食われ等の外観異常及びそれによる電気
的特性劣化の評価）を向上させるため、パラジウム （
Ｐｄ）の含有率の高い銀パラジウムで形成されることが
知られている。
しかしながら、外部電極中に貴金属であるパラジウム含
有率を増大することは、コスト上昇につながると共に、
パラジウムは酸化され易いためにハンダぬれ性（たとえ
ば２３０°Ｃのハンダに４秒間浸漬して外部電極の７５
％以上がハングで覆われていることを評価、−ＥＩＡＪ
規格）が低下する欠点がある。
有率を増大することは、コスト上昇につながると共に、
パラジウムは酸化され易いためにハンダぬれ性（たとえ
ば２３０°Ｃのハンダに４秒間浸漬して外部電極の７５
％以上がハングで覆われていることを評価、−ＥＩＡＪ
規格）が低下する欠点がある。
従来、銀（Ａｇ）または銀バランツム （Ａｇ −Ｐｄ
）で形成された外部電極上に１〜３μｍのニッケルメッ
キ膜を付け、さらにそめ上に１〜３μ［０のｍ（Ｓｎ）
またはハング（Ｓｎ’−Ｐｂ ）のメッキ膜を設けたも
のが提案されたいる。しかしながら、この様な銀 （八
８）または銀バラン・ンム（ΔＥ−Ｐｃｌ）の口°金属
を使用することはコスト上昇につながると共に、銀また
は銀パラジウムで形成された外部電極の上にニッケルメ
ッキ膜を設け、さらにその上にハングメッキ膜を設ける
ものでは、これら全体の耐ハング性がニッケルメッキ膜
の厚みに大きく依存する にニッケルは溶解速度が比較
的遅いがニッケルメッキ膜が薄いと基板への実装置うの
熱で第２層膜までが容易に食われてしまうので゛、メッ
キ膜が厚い方が耐ハング性が良い ）ため、製造時の厚
みバラツキにより耐ハング性の低下したものが生じる欠
点がある。
）で形成された外部電極上に１〜３μｍのニッケルメッ
キ膜を付け、さらにそめ上に１〜３μ［０のｍ（Ｓｎ）
またはハング（Ｓｎ’−Ｐｂ ）のメッキ膜を設けたも
のが提案されたいる。しかしながら、この様な銀 （八
８）または銀バラン・ンム（ΔＥ−Ｐｃｌ）の口°金属
を使用することはコスト上昇につながると共に、銀また
は銀パラジウムで形成された外部電極の上にニッケルメ
ッキ膜を設け、さらにその上にハングメッキ膜を設ける
ものでは、これら全体の耐ハング性がニッケルメッキ膜
の厚みに大きく依存する にニッケルは溶解速度が比較
的遅いがニッケルメッキ膜が薄いと基板への実装置うの
熱で第２層膜までが容易に食われてしまうので゛、メッ
キ膜が厚い方が耐ハング性が良い ）ため、製造時の厚
みバラツキにより耐ハング性の低下したものが生じる欠
点がある。
本件発明者は、上記の現状に鑑み鋭意研究の結果、上記
外部電極を溶融ハングへの溶解速度の比較的小さい金属
、すなわち、ニッケル（Ｎ ｉ）、コバル）（ＣｏＬ
または銅（Ｃｕ）から選ばれる金属として、これとその
上にハングぬれ性に優れた錫（Ｓｎ）、ハング（Ｓｎ−
Ｐｂ）、ニッケル（Ｎｉ）または金（Ａ ｕ）から選ば
れる金属によりメッキされた第２層膜を設けることによ
り耐ハング性に優れ、かつ比較的安価な拐料で外部電極
を製造しうろことを検知した。
外部電極を溶融ハングへの溶解速度の比較的小さい金属
、すなわち、ニッケル（Ｎ ｉ）、コバル）（ＣｏＬ
または銅（Ｃｕ）から選ばれる金属として、これとその
上にハングぬれ性に優れた錫（Ｓｎ）、ハング（Ｓｎ−
Ｐｂ）、ニッケル（Ｎｉ）または金（Ａ ｕ）から選ば
れる金属によりメッキされた第２層膜を設けることによ
り耐ハング性に優れ、かつ比較的安価な拐料で外部電極
を製造しうろことを検知した。
目 的
本発明においては、積層型磁器コンデンサの外部電極が
耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し得るように
したことを目的とする。
耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し得るように
したことを目的とする。
発明の構成および作用
図面は、本発明に適応されるチップ型積層磁器コンデン
サの構造例を示す断面図である。本発明によれば、内部
電極１を形成した誘電体３の複数枚を一体焼成した積層
型磁器コンデンサにおいて、その側面に設ける外部電極
２が溶融ハング７への溶解速度が比較的小さいニッケル
（Ｎｉ）、コバル）（Ｃｏ）または銅（Ｃｕ’）から選
ばれる金属の焼結体である第１層膜４と、該膜上にハン
グぬれ性に優れた錫（Ｓｎ）、ハング （Ｓｎ Ｐｂ）
、ニッケル （Ｎ１）または金（ＡＩ＋）から選ばれる
金属のメッキ膜である第２層膜５とからなることを特徴
とするチップ型積層磁気コンデンサを提供する。
サの構造例を示す断面図である。本発明によれば、内部
電極１を形成した誘電体３の複数枚を一体焼成した積層
型磁器コンデンサにおいて、その側面に設ける外部電極
２が溶融ハング７への溶解速度が比較的小さいニッケル
（Ｎｉ）、コバル）（Ｃｏ）または銅（Ｃｕ’）から選
ばれる金属の焼結体である第１層膜４と、該膜上にハン
グぬれ性に優れた錫（Ｓｎ）、ハング （Ｓｎ Ｐｂ）
、ニッケル （Ｎ１）または金（ＡＩ＋）から選ばれる
金属のメッキ膜である第２層膜５とからなることを特徴
とするチップ型積層磁気コンデンサを提供する。
本発明は超小型で、実装時に回路基＆６の導体パターン
８・＼リード線等を要さず直接ハング（・１けされる、
：とにより、ハング付時の熱が耐ハング性に大きく影響
されやすいチップ型積層コンデンサに特に適用される。
８・＼リード線等を要さず直接ハング（・１けされる、
：とにより、ハング付時の熱が耐ハング性に大きく影響
されやすいチップ型積層コンデンサに特に適用される。
また本発明においては外部型）４（２の第１；（４膜４
が溶融ハング７・＼の溶解速度が比ｌＸ 釣手ｊいニッ
ケル （Ｎｉ）、コバル）（Ｃｏ）よＬユは♀）４（Ｃ
ｕ）から選ばれる金属であることり・屯″州で・ある。
が溶融ハング７・＼の溶解速度が比ｌＸ 釣手ｊいニッ
ケル （Ｎｉ）、コバル）（Ｃｏ）よＬユは♀）４（Ｃ
ｕ）から選ばれる金属であることり・屯″州で・ある。
溶融ハンダ７への溶解速度の大きい３属、たとえは銀（
Ａｇ ） 、銀パラジウム （Ａ、−Ｐｄ）、ｔ、たは
、金（Ａｕ）の場合は耐ハング性Ｊ１ｒ（ｌｒ１１？＋
＊に＋＋’／／ｆ合Ｊ、、Ｊｑ＋！１−ＬＸＪ−ＵＩ−
１−７，ｍ’ｆｒ（１１特性の劣化が生しると共にこの
様なり’ ｆｉ：属の使用は外部電極利料のコスト上Ｊ
Ａ、 ｌこつながる。また、本発明において外部電極２
の第１層膜４が焼成された膜であることが重要である。
Ａｇ ） 、銀パラジウム （Ａ、−Ｐｄ）、ｔ、たは
、金（Ａｕ）の場合は耐ハング性Ｊ１ｒ（ｌｒ１１？＋
＊に＋＋’／／ｆ合Ｊ、、Ｊｑ＋！１−ＬＸＪ−ＵＩ−
１−７，ｍ’ｆｒ（１１特性の劣化が生しると共にこの
様なり’ ｆｉ：属の使用は外部電極利料のコスト上Ｊ
Ａ、 ｌこつながる。また、本発明において外部電極２
の第１層膜４が焼成された膜であることが重要である。
この第１層膜４は上記金属と若干の接着用ガラス成分と
を混合したペーストを積層誘電体３の側面に塗布し、焼
成するが、この方法によればメッキ膜と異なり２０μＩ
ｎ以［−の第１／Ｐ！膜４を形成できるため耐）１ンダ
性を充分確保することができる。これに対しメッキ膜と
すれば前述の如く１〜３μ「ｎ程度の膜しか得られず製
造ＩＩ；）の厚みバラツキも欠きいため耐ノ１ング性の
変動が生じる。さらに本発明においては、前記外部電極
２のｔＩｔＪ１層膜４の上にハングぬれ性に優れた錫（
Ｓ１１）、ハング（Ｓｎ −Ｐｂ ） 、ニッケル （
Ｎｉ）または金（ΔＵ）から選ばれる金属のメッキ膜で
ある第２Ｊｒ！Ｉ膜５を設けることが重要である。第２
層膜５は、回路基板６への実装時のハングぬれ性が優れ
ていなければならない。また１１屑膜４がニッケル（Ｎ
ｉ）、コバルト （ＣＯ）または銅（Ｃｕ）から選ばれ
た金属であり、酸化さＡ１や）−いため、前記第２ノ１
り膜１３によ−ノて自然放置または高温高湿中放置によ
る経時的劣化を防止する、二とができる。
を混合したペーストを積層誘電体３の側面に塗布し、焼
成するが、この方法によればメッキ膜と異なり２０μＩ
ｎ以［−の第１／Ｐ！膜４を形成できるため耐）１ンダ
性を充分確保することができる。これに対しメッキ膜と
すれば前述の如く１〜３μ「ｎ程度の膜しか得られず製
造ＩＩ；）の厚みバラツキも欠きいため耐ノ１ング性の
変動が生じる。さらに本発明においては、前記外部電極
２のｔＩｔＪ１層膜４の上にハングぬれ性に優れた錫（
Ｓ１１）、ハング（Ｓｎ −Ｐｂ ） 、ニッケル （
Ｎｉ）または金（ΔＵ）から選ばれる金属のメッキ膜で
ある第２Ｊｒ！Ｉ膜５を設けることが重要である。第２
層膜５は、回路基板６への実装時のハングぬれ性が優れ
ていなければならない。また１１屑膜４がニッケル（Ｎ
ｉ）、コバルト （ＣＯ）または銅（Ｃｕ）から選ばれ
た金属であり、酸化さＡ１や）−いため、前記第２ノ１
り膜１３によ−ノて自然放置または高温高湿中放置によ
る経時的劣化を防止する、二とができる。
実施例
ｆヒ学純度９９．５％、平均粒径１．０μＩ１１のニツ
シルネ；ｙ本またはコバルト粉本または銅粉末と有代ヒ
ヒクル、ｉ７Ｎ：び軟化点か５７ （１’（：のホウケ
イ酸・１（弓・１）ガラスを６り：２５：（ｉの重量割
合になる、１： ラミ。’二秤菫し、それぞれの合計重
量が１００ｇになる、］、うにした。秤量した配合物を
３本ロールミルにより混介し、混合後のペーストに有機
溶剤を添加して、ペースト粘度を調整し、外部電極焼イ
τＪ用ペーストを得た。また純度９９％、平均粒径０゜
【）μｎ１の銀粉末と純度９９％、平均粒径０．８μＩ
ｎのパラジウム粉末と育成ビヒクルおよびホウケイ酸」
■５鉛ビスマスガラスを５７： ｉｎ： ２５： ８の
重量割合になる量に秤量し 、前記と同様に３本ロール
ミルで混合して外部電極焼付用ペーストを得た。」二記
外部電極付用ペーストおよび各種メッキにより第１表に
示す電極構成の積層磁器フンデ試料となる積層磁器コン
デンサは、チタン酸バリウム系誘電体拐料およびパラジ
ウム内部電極または銀パラジウム内部電極またはニッケ
ル内部電極によって形成されでおり、その形状は約３．
１８Ｘ１．５７ＸＯ，７５ｍ＋１１であった。積層磁器
コンデンサ端部に外部電極用ニッケルペーストまたはコ
バルトペーストまたは銅ペーストを塗布し、乾燥後窒素
雰囲気中で９００℃×３０分間焼成して外部電極焼成膜
を得た。この時ペーストの塗布幅は約０．５ｍｍであり
、塗布量は両端合わせて約１．６ｍｇであり、焼成膜の
厚みは平面部で約８０μｍ１角部で約２０μＩｎであっ
た。、第１表においてはＮｉ −（Ｆ） 、Ｃｏ （Ｆ
）あるいはＣｕ−（Ｆ）で示した。 （Ｆ）は焼成を意
味する。
シルネ；ｙ本またはコバルト粉本または銅粉末と有代ヒ
ヒクル、ｉ７Ｎ：び軟化点か５７ （１’（：のホウケ
イ酸・１（弓・１）ガラスを６り：２５：（ｉの重量割
合になる、１： ラミ。’二秤菫し、それぞれの合計重
量が１００ｇになる、］、うにした。秤量した配合物を
３本ロールミルにより混介し、混合後のペーストに有機
溶剤を添加して、ペースト粘度を調整し、外部電極焼イ
τＪ用ペーストを得た。また純度９９％、平均粒径０゜
【）μｎ１の銀粉末と純度９９％、平均粒径０．８μＩ
ｎのパラジウム粉末と育成ビヒクルおよびホウケイ酸」
■５鉛ビスマスガラスを５７： ｉｎ： ２５： ８の
重量割合になる量に秤量し 、前記と同様に３本ロール
ミルで混合して外部電極焼付用ペーストを得た。」二記
外部電極付用ペーストおよび各種メッキにより第１表に
示す電極構成の積層磁器フンデ試料となる積層磁器コン
デンサは、チタン酸バリウム系誘電体拐料およびパラジ
ウム内部電極または銀パラジウム内部電極またはニッケ
ル内部電極によって形成されでおり、その形状は約３．
１８Ｘ１．５７ＸＯ，７５ｍ＋１１であった。積層磁器
コンデンサ端部に外部電極用ニッケルペーストまたはコ
バルトペーストまたは銅ペーストを塗布し、乾燥後窒素
雰囲気中で９００℃×３０分間焼成して外部電極焼成膜
を得た。この時ペーストの塗布幅は約０．５ｍｍであり
、塗布量は両端合わせて約１．６ｍｇであり、焼成膜の
厚みは平面部で約８０μｍ１角部で約２０μＩｎであっ
た。、第１表においてはＮｉ −（Ｆ） 、Ｃｏ （Ｆ
）あるいはＣｕ−（Ｆ）で示した。 （Ｆ）は焼成を意
味する。
また同様に外部電極用銀パラノツムペーストを塗布し、
乾燥後大気中で８５０℃で３０分間焼成して外部電極焼
成膜を得た。この時の塗布量は両端合わせて約１．．８
ｍｇであり、塗布幅および焼成膜厚みは前記とほぼ同じ
であった。第１表におい（にｌ： Ａ ｇ −Ｐ ｄ
−（Ｆ ）で示した。
乾燥後大気中で８５０℃で３０分間焼成して外部電極焼
成膜を得た。この時の塗布量は両端合わせて約１．．８
ｍｇであり、塗布幅および焼成膜厚みは前記とほぼ同じ
であった。第１表におい（にｌ： Ａ ｇ −Ｐ ｄ
−（Ｆ ）で示した。
ｍｉ＆中、Ｎ ｉ −（Ｅ Ｐ ）１．ｔｔ％＝ ッケ
ルｌ’ｙ キによるメツＡ膜を意味する。通常のワット
浴を用い、鋼球メディアとともに回転バレル中でメッキ
した、メッキ膜の厚みは約２μＩ１１であった。同様１
、’： Ｓ ｎ −（Ｅ Ｐ ）およびＳｎ Ｐ’ｂ
（ＥＰ）は電解スズメッキおよび電解ハンダメッキによ
るメッキ膜を意味する。同しく鋼球メディアと共に回転
バレル中でメッキし、メッキ膜の厚みは約１゜５μＴＯ
であった。ハンダメッキの組成は９０ Ｓ ｎ−コＯＰ
ｄであった。Ｓｎ Ｐｂ −（ＤＰ）は溶融メッキによ
るハンダメッキ膜を意味し、ハンダ組成は６０ Ｓｎ
−４’ＯＰｂであり、厚みは約１５ｕ ＋ｎであった。
ルｌ’ｙ キによるメツＡ膜を意味する。通常のワット
浴を用い、鋼球メディアとともに回転バレル中でメッキ
した、メッキ膜の厚みは約２μＩ１１であった。同様１
、’： Ｓ ｎ −（Ｅ Ｐ ）およびＳｎ Ｐ’ｂ
（ＥＰ）は電解スズメッキおよび電解ハンダメッキによ
るメッキ膜を意味する。同しく鋼球メディアと共に回転
バレル中でメッキし、メッキ膜の厚みは約１゜５μＴＯ
であった。ハンダメッキの組成は９０ Ｓ ｎ−コＯＰ
ｄであった。Ｓｎ Ｐｂ −（ＤＰ）は溶融メッキによ
るハンダメッキ膜を意味し、ハンダ組成は６０ Ｓｎ
−４’ＯＰｂであり、厚みは約１５ｕ ＋ｎであった。
Ｎｉ −Ｂ （ＥＬＰ）はホウ素含有無電解ニッケルメ
ッキＩＩＩ、Ｎｉ Ｐ （ＥＬＰ）はリン含有無電解ニ
ッケルメッキ膜、Ａｕ −（ＩＥ Ｌ Ｐ ）は無電Ｍ
′にメッキ膜を意味する。Ｎｉ −Ｆ３− （Ｅ Ｌ
Ｐ ）およびＮｉ’ Ｐ’ （ＥＬＰ）のメツへ・膜厚
は約２μｍ 、Ａｕ −Ｂ （ＥＬＰ）のメ１−Ｂ−（
ＥＬＰ）は８￥層磁器コンデンサ端部をＰｄ系化合物で
局部活性化処理した後、ホウ素含有無電解ニッケルメッ
キを施した。メッキ膜厚みは約３μ「０であった。
ッキＩＩＩ、Ｎｉ Ｐ （ＥＬＰ）はリン含有無電解ニ
ッケルメッキ膜、Ａｕ −（ＩＥ Ｌ Ｐ ）は無電Ｍ
′にメッキ膜を意味する。Ｎｉ −Ｆ３− （Ｅ Ｌ
Ｐ ）およびＮｉ’ Ｐ’ （ＥＬＰ）のメツへ・膜厚
は約２μｍ 、Ａｕ −Ｂ （ＥＬＰ）のメ１−Ｂ−（
ＥＬＰ）は８￥層磁器コンデンサ端部をＰｄ系化合物で
局部活性化処理した後、ホウ素含有無電解ニッケルメッ
キを施した。メッキ膜厚みは約３μ「０であった。
こうして得られた各試料について、２５℃において周波
数１ｋＨｙ、、および人力型）工Ｉ Ｖ ｒｍｓ ｌこ
て静電容量および誘電損失（ｔａｎ δ）を測定した。
数１ｋＨｙ、、および人力型）工Ｉ Ｖ ｒｍｓ ｌこ
て静電容量および誘電損失（ｔａｎ δ）を測定した。
また直流電圧５０Ｖを１分間充電後の絶縁抵抗（ＩＲ）
を測定した。それらの結果を第２表に示す。
を測定した。それらの結果を第２表に示す。
次に外部電極２に対するハンダぬれ性を評価すべく、各
試料作成後１日および９（）日間自然放置後の試料を２
３０℃のハンダ融液に４秒間浸漬し、外部電極２を↑Ｏ
倍実体顕＠鏡で観察した。外部電極の９０％以にがハン
ダで覆われている場合○印、９０％がハンダで覆われて
いない場合Ｘ印で第３表に示した。また耐ハンダ性を評
価すべく各試料作成後、１日自然放置後の試料を２７０
℃のハンダ融液に３秒、３０秒、１分、３分および１０
分間浸漬し、電気的特性および外観を評価した。
試料作成後１日および９（）日間自然放置後の試料を２
３０℃のハンダ融液に４秒間浸漬し、外部電極２を↑Ｏ
倍実体顕＠鏡で観察した。外部電極の９０％以にがハン
ダで覆われている場合○印、９０％がハンダで覆われて
いない場合Ｘ印で第３表に示した。また耐ハンダ性を評
価すべく各試料作成後、１日自然放置後の試料を２７０
℃のハンダ融液に３秒、３０秒、１分、３分および１０
分間浸漬し、電気的特性および外観を評価した。
性および外観に異常がない場合○印、異常がある場合Ｘ
印で第３表に示した。第３表中のＸ印で示される異常は
、外部電極の一部または全部の剥離、あるいは消失また
は静電容量の低下であった。最後に、−１−記の測定お
よび試験の総合的評価を夫々評価欄において○、Ｘ印で
示した。
印で第３表に示した。第３表中のＸ印で示される異常は
、外部電極の一部または全部の剥離、あるいは消失また
は静電容量の低下であった。最後に、−１−記の測定お
よび試験の総合的評価を夫々評価欄において○、Ｘ印で
示した。
（以下余白）
飲 １ 表
Ｘ印の試料番号ものは本発明の間外のものである。
第２表
Ｘ印の試訓届号のものは本発明の範囲外のものである。
第３表
Ｘ印の試料番号のものは本発明の範囲外のものである。
第１表−第３表の試！瑛番号４１５．６１７１１０ 。
１２，１４．コア、１９．および２０のものは、本発明
の範囲内のものであＩ）、いずれも外部電極２の第１層
膜４がニッケル、コバルトあるいは銅の焼成膜で形成さ
れ、第２層膜５がスズ、スズー鉛、ニツｒルあるいは金
の各種メッキ膜七形成されている０８試ＩＩとも静電’
ＴＦｉ”Ｉが２１１．４ｎＦ以−１４，１、誘電、 ４
（１’）： （Ｌａｎ δ）が２．６６％以下とフンデ
ン→ノの電気的特性が良好であり、また外部電極２のハ
ングぬれが９０日間自然放置後も良好であり、か′）耐
ハング試験は２７０℃×１０分間浸漬においても５′４
常がなく優れている。
の範囲内のものであＩ）、いずれも外部電極２の第１層
膜４がニッケル、コバルトあるいは銅の焼成膜で形成さ
れ、第２層膜５がスズ、スズー鉛、ニツｒルあるいは金
の各種メッキ膜七形成されている０８試ＩＩとも静電’
ＴＦｉ”Ｉが２１１．４ｎＦ以−１４，１、誘電、 ４
（１’）： （Ｌａｎ δ）が２．６６％以下とフンデ
ン→ノの電気的特性が良好であり、また外部電極２のハ
ングぬれが９０日間自然放置後も良好であり、か′）耐
ハング試験は２７０℃×１０分間浸漬においても５′４
常がなく優れている。
これに刻して、試料番号１．２およ１１８のものは、外
部電極２のＩＲＩ層膜４が銀パランラム焼成膜で形成さ
れており、耐ハング性が本発明のものに比べ劣り、第２
層にＮ１−（ＥＰ）膜、第３層にＳｎ ＰＪ＋−（ＥＰ
）膜を形成したものでも耐ハング試験の２７０℃×３分
間および１０分間浸漬にす３いて、ハング食われ現象が
観察された。また試料番号１８のものは、内部電極ニッ
ケルと合金化しがたいＡｇ、−Ｐｄ焼成膜を第１Ｍ１１
に形成しているため静電容量が１１３． ４ ｎＦと目
標値の少分程度しかなく、誘電損失（ｔａｎδ）も６゜
２０％と大きかった。試料番号３，１１および１３のも
のは外部電極２がニッケル、コバル１または銅の焼成膜
だけで形成されており、電気的特性および耐ハング性は
良好であるが９０日間自然放置後のハングぬれ性が表面
の酸化のため劣化し、好ましくない。また試料番号８，
９のものは第１層ＩＩ！４が二′ツケル焼成膜で形成さ
れ、第２層膜５がリン含有無電解ニッケル膜あるいは電
解ニッケルメッキ膜で形成されており、電気的特性およ
び副ハングヤ１．は良好であるが９０日間自然放置後の
ハングぬれ性が表面の酸化のため劣化しており好ましく
ない。さらに試料番号１５および１６のものは、第１層
膜４がホウ素含有無電解ニッケル膜で形成されており、
電気的特性およびハングぬれ性は良好であるが、耐ハン
グ性が本発明のもの【ニルべて劣り好ましくない６第１
層膜４としで、Ｎｉ、ＣｏおよＶ Ｃｕのグループから
選ばれたＰｉ哉の統よ、冒杢を用いてもよい。
部電極２のＩＲＩ層膜４が銀パランラム焼成膜で形成さ
れており、耐ハング性が本発明のものに比べ劣り、第２
層にＮ１−（ＥＰ）膜、第３層にＳｎ ＰＪ＋−（ＥＰ
）膜を形成したものでも耐ハング試験の２７０℃×３分
間および１０分間浸漬にす３いて、ハング食われ現象が
観察された。また試料番号１８のものは、内部電極ニッ
ケルと合金化しがたいＡｇ、−Ｐｄ焼成膜を第１Ｍ１１
に形成しているため静電容量が１１３． ４ ｎＦと目
標値の少分程度しかなく、誘電損失（ｔａｎδ）も６゜
２０％と大きかった。試料番号３，１１および１３のも
のは外部電極２がニッケル、コバル１または銅の焼成膜
だけで形成されており、電気的特性および耐ハング性は
良好であるが９０日間自然放置後のハングぬれ性が表面
の酸化のため劣化し、好ましくない。また試料番号８，
９のものは第１層ＩＩ！４が二′ツケル焼成膜で形成さ
れ、第２層膜５がリン含有無電解ニッケル膜あるいは電
解ニッケルメッキ膜で形成されており、電気的特性およ
び副ハングヤ１．は良好であるが９０日間自然放置後の
ハングぬれ性が表面の酸化のため劣化しており好ましく
ない。さらに試料番号１５および１６のものは、第１層
膜４がホウ素含有無電解ニッケル膜で形成されており、
電気的特性およびハングぬれ性は良好であるが、耐ハン
グ性が本発明のもの【ニルべて劣り好ましくない６第１
層膜４としで、Ｎｉ、ＣｏおよＶ Ｃｕのグループから
選ばれたＰｉ哉の統よ、冒杢を用いてもよい。
効 果
以上のように本発明によれば、積層型磁器コンデンサの
外部電極の耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し
得るようになる。
外部電極の耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し
得るようになる。
図面は、本発明に適応するチップ型積層磁器コンデンサ
の構造例を示す断面図である。 １・・・内部電極、２・・・外部電極、３・・・誘電体
、４・−・第１Ｍ膜、５・・・第２Ｎ膜 代理人 弁理士 画数 圭一部 図面の浄書（内容に変更なし） 手 続 補 Ｔ：、書（方式） 昭和５９年８月１０日 特願昭５９−９７１５０ ２、発明の名称 。 チップ型積層磁器コンデンサ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 １１”所 名称（６６３）京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 １ｔ 所大阪市西区西木町１丁目１３番３８号新興産ビ
ル国際ＴＥＴ、ＥＸＯ５２５５９８５ＩＮＴＡｌ）’「
Ｊ国際ＦＡＸ ＧＵＩ＆ＧＵ （０６）５３８０２．
４７６、補正の対象 明ＪＲ書、図面および委任状 ７、補正の内容 （１）明細−および図面の浄書（内容に変更なし）。 （２）別紙のとおり委任状を補充する。 以上 手続補正書 昭和５９年１０月１８日 特許庁長官殿 １、事件の表示 、′滴を 特願昭５９−９７１５０ ２、発明の名称 チップ型積層磁器コンデンサ ３、補正をする者 η（件との関係 出願人 住所 名称（６６３）京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 口゛ 所 大阪市西区西本町１丁目１３番３８号 新興
産ビル国装置ＥＸ ０５２５−５９８５ ＬＮＴＡＰＴ
Ｊ国際ＦＡＸ ＧＩＩｌ＆ＧＩＩ （０６）５３８−
０２４７電話（０６）５３８−０２６３（代表）６、補
正の対象 昭和５９年８月１０日付提出の明細書（浄書）の発明の
詳細な説明の欄 ７、補正の内容 明細書第８頁第１７行目においてｊ３０分間」とあるを
、 「１０分間」に訂正する。 手続補正書 昭和５９年１２月２６日 待Ｍ昭５９−９７１５０ ２、発明の名称 チップ型８２層磁器コンデンサ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 名称 （６６３ン京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 住 所大阪市西区西本町１丁目１３番３８号新興産ビル
国際置ＥＸＯ５２５−５９８５ＩＮＴＡＰＴ Ｊ国際Ｆ
ＡＸ ＣＪＩ＆ＧＩＩ （０６）５３８０２４７電話（
０６）５３８−０２６３（代表）５、補正命令の日付 自発補正 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書第１頁第１７行目、第２０行目、第２頁第
１１行目および第５頁第７行目において「磁気コンデン
サ」とあるを、 ［磁器コンデンサＪに訂正する。 （２ン明＃ｌ書第９頁第１９行目において「Ａｕ−Ｂ（
Ｅ Ｌ Ｐ ）Ｊとあるを、ｒＡｕ−（ＥＬＰ）Ｊに訂
正する。 （３）明細書第１０頁第１５行目において［９０％がＪ
とあるを、「９０％以上が」に訂正する。 以上
の構造例を示す断面図である。 １・・・内部電極、２・・・外部電極、３・・・誘電体
、４・−・第１Ｍ膜、５・・・第２Ｎ膜 代理人 弁理士 画数 圭一部 図面の浄書（内容に変更なし） 手 続 補 Ｔ：、書（方式） 昭和５９年８月１０日 特願昭５９−９７１５０ ２、発明の名称 。 チップ型積層磁器コンデンサ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 １１”所 名称（６６３）京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 １ｔ 所大阪市西区西木町１丁目１３番３８号新興産ビ
ル国際ＴＥＴ、ＥＸＯ５２５５９８５ＩＮＴＡｌ）’「
Ｊ国際ＦＡＸ ＧＵＩ＆ＧＵ （０６）５３８０２．
４７６、補正の対象 明ＪＲ書、図面および委任状 ７、補正の内容 （１）明細−および図面の浄書（内容に変更なし）。 （２）別紙のとおり委任状を補充する。 以上 手続補正書 昭和５９年１０月１８日 特許庁長官殿 １、事件の表示 、′滴を 特願昭５９−９７１５０ ２、発明の名称 チップ型積層磁器コンデンサ ３、補正をする者 η（件との関係 出願人 住所 名称（６６３）京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 口゛ 所 大阪市西区西本町１丁目１３番３８号 新興
産ビル国装置ＥＸ ０５２５−５９８５ ＬＮＴＡＰＴ
Ｊ国際ＦＡＸ ＧＩＩｌ＆ＧＩＩ （０６）５３８−
０２４７電話（０６）５３８−０２６３（代表）６、補
正の対象 昭和５９年８月１０日付提出の明細書（浄書）の発明の
詳細な説明の欄 ７、補正の内容 明細書第８頁第１７行目においてｊ３０分間」とあるを
、 「１０分間」に訂正する。 手続補正書 昭和５９年１２月２６日 待Ｍ昭５９−９７１５０ ２、発明の名称 チップ型８２層磁器コンデンサ ３、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 名称 （６６３ン京セラ株式会社 代表者 ４、代理人 住 所大阪市西区西本町１丁目１３番３８号新興産ビル
国際置ＥＸＯ５２５−５９８５ＩＮＴＡＰＴ Ｊ国際Ｆ
ＡＸ ＣＪＩ＆ＧＩＩ （０６）５３８０２４７電話（
０６）５３８−０２６３（代表）５、補正命令の日付 自発補正 ６、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ７、補正の内容 （１）明細書第１頁第１７行目、第２０行目、第２頁第
１１行目および第５頁第７行目において「磁気コンデン
サ」とあるを、 ［磁器コンデンサＪに訂正する。 （２ン明＃ｌ書第９頁第１９行目において「Ａｕ−Ｂ（
Ｅ Ｌ Ｐ ）Ｊとあるを、ｒＡｕ−（ＥＬＰ）Ｊに訂
正する。 （３）明細書第１０頁第１５行目において［９０％がＪ
とあるを、「９０％以上が」に訂正する。 以上
Claims (1)
- 内部電極を形成した誘電体の複数枚を一体焼成したチッ
プ型積層磁器コンデンサにおいて、その側面に設ける外
部電極の溶融ハンダへの溶解速度が比較的小さいニッケ
ル、コバルトおよび銅のグループから選ばれる金属の１
または複数の焼結体である第１層膜と、該膜上にハーン
グぬれ性に優れた錫、ハンダ、ニッケル、または金から
選ばれる金属のメッキ膜である第２層膜とからなること
を持金とするチップ型積層磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097150A JPH0616461B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | チップ型積層磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59097150A JPH0616461B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | チップ型積層磁器コンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60240117A true JPS60240117A (ja) | 1985-11-29 |
| JPH0616461B2 JPH0616461B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=14184539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59097150A Expired - Lifetime JPH0616461B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | チップ型積層磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616461B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-05-14 JP JP59097150A patent/JPH0616461B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0616461B2 (ja) | 1994-03-02 |
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