JPS60240117A - チツプ型積層磁器コンデンサ - Google Patents
チツプ型積層磁器コンデンサInfo
- Publication number
- JPS60240117A JPS60240117A JP59097150A JP9715084A JPS60240117A JP S60240117 A JPS60240117 A JP S60240117A JP 59097150 A JP59097150 A JP 59097150A JP 9715084 A JP9715084 A JP 9715084A JP S60240117 A JPS60240117 A JP S60240117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- hang
- nickel
- solder
- external electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
゛技術分野
本発明は、外部電極が耐ハンダ性に優れかつ安価に製造
し得るチップ型積層磁気コンデンサに関する。
し得るチップ型積層磁気コンデンサに関する。
背景技術
市眼のチップfFJ積層磁気コンデンサは薄膜の誘電体
表面に内部電極を形成したものを複数枚積層して一体焼
成し、この側面に形成する外部接続用電極(外部電極)
に前記内部電極を交互に並列に接続するような構造とし
ており、回路基板に直接ハンダ付けして使用される。近
時このような超小型で実装時、回路基板へ直接ノ1ング
付けされるチップ型積層コンデンサは、ハング付は実装
時のハンダ熱が外部電極に大きく影響を与えることから
、この外部電極の耐ハング性およびハンダぬれ性の向上
が要求されている。
表面に内部電極を形成したものを複数枚積層して一体焼
成し、この側面に形成する外部接続用電極(外部電極)
に前記内部電極を交互に並列に接続するような構造とし
ており、回路基板に直接ハンダ付けして使用される。近
時このような超小型で実装時、回路基板へ直接ノ1ング
付けされるチップ型積層コンデンサは、ハング付は実装
時のハンダ熱が外部電極に大きく影響を与えることから
、この外部電極の耐ハング性およびハンダぬれ性の向上
が要求されている。
従来、この種チップ型積層磁気コンデンサにおける外部
電極の耐ハング性(一定温度のハンダに一定時間浸漬し
たときのハング食われ等の外観異常及びそれによる電気
的特性劣化の評価)を向上させるため、パラジウム (
Pd)の含有率の高い銀パラジウムで形成されることが
知られている。
電極の耐ハング性(一定温度のハンダに一定時間浸漬し
たときのハング食われ等の外観異常及びそれによる電気
的特性劣化の評価)を向上させるため、パラジウム (
Pd)の含有率の高い銀パラジウムで形成されることが
知られている。
しかしながら、外部電極中に貴金属であるパラジウム含
有率を増大することは、コスト上昇につながると共に、
パラジウムは酸化され易いためにハンダぬれ性(たとえ
ば230°Cのハンダに4秒間浸漬して外部電極の75
%以上がハングで覆われていることを評価、−EIAJ
規格)が低下する欠点がある。
有率を増大することは、コスト上昇につながると共に、
パラジウムは酸化され易いためにハンダぬれ性(たとえ
ば230°Cのハンダに4秒間浸漬して外部電極の75
%以上がハングで覆われていることを評価、−EIAJ
規格)が低下する欠点がある。
従来、銀(Ag)または銀バランツム (Ag −Pd
)で形成された外部電極上に1〜3μmのニッケルメッ
キ膜を付け、さらにそめ上に1〜3μ[0のm(Sn)
またはハング(Sn’−Pb )のメッキ膜を設けたも
のが提案されたいる。しかしながら、この様な銀 (八
8)または銀バラン・ンム(ΔE−Pcl)の口°金属
を使用することはコスト上昇につながると共に、銀また
は銀パラジウムで形成された外部電極の上にニッケルメ
ッキ膜を設け、さらにその上にハングメッキ膜を設ける
ものでは、これら全体の耐ハング性がニッケルメッキ膜
の厚みに大きく依存する にニッケルは溶解速度が比較
的遅いがニッケルメッキ膜が薄いと基板への実装置うの
熱で第2層膜までが容易に食われてしまうので゛、メッ
キ膜が厚い方が耐ハング性が良い )ため、製造時の厚
みバラツキにより耐ハング性の低下したものが生じる欠
点がある。
)で形成された外部電極上に1〜3μmのニッケルメッ
キ膜を付け、さらにそめ上に1〜3μ[0のm(Sn)
またはハング(Sn’−Pb )のメッキ膜を設けたも
のが提案されたいる。しかしながら、この様な銀 (八
8)または銀バラン・ンム(ΔE−Pcl)の口°金属
を使用することはコスト上昇につながると共に、銀また
は銀パラジウムで形成された外部電極の上にニッケルメ
ッキ膜を設け、さらにその上にハングメッキ膜を設ける
ものでは、これら全体の耐ハング性がニッケルメッキ膜
の厚みに大きく依存する にニッケルは溶解速度が比較
的遅いがニッケルメッキ膜が薄いと基板への実装置うの
熱で第2層膜までが容易に食われてしまうので゛、メッ
キ膜が厚い方が耐ハング性が良い )ため、製造時の厚
みバラツキにより耐ハング性の低下したものが生じる欠
点がある。
本件発明者は、上記の現状に鑑み鋭意研究の結果、上記
外部電極を溶融ハングへの溶解速度の比較的小さい金属
、すなわち、ニッケル(N i)、コバル)(CoL
または銅(Cu)から選ばれる金属として、これとその
上にハングぬれ性に優れた錫(Sn)、ハング(Sn−
Pb)、ニッケル(Ni)または金(A u)から選ば
れる金属によりメッキされた第2層膜を設けることによ
り耐ハング性に優れ、かつ比較的安価な拐料で外部電極
を製造しうろことを検知した。
外部電極を溶融ハングへの溶解速度の比較的小さい金属
、すなわち、ニッケル(N i)、コバル)(CoL
または銅(Cu)から選ばれる金属として、これとその
上にハングぬれ性に優れた錫(Sn)、ハング(Sn−
Pb)、ニッケル(Ni)または金(A u)から選ば
れる金属によりメッキされた第2層膜を設けることによ
り耐ハング性に優れ、かつ比較的安価な拐料で外部電極
を製造しうろことを検知した。
目 的
本発明においては、積層型磁器コンデンサの外部電極が
耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し得るように
したことを目的とする。
耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し得るように
したことを目的とする。
発明の構成および作用
図面は、本発明に適応されるチップ型積層磁器コンデン
サの構造例を示す断面図である。本発明によれば、内部
電極1を形成した誘電体3の複数枚を一体焼成した積層
型磁器コンデンサにおいて、その側面に設ける外部電極
2が溶融ハング7への溶解速度が比較的小さいニッケル
(Ni)、コバル)(Co)または銅(Cu’)から選
ばれる金属の焼結体である第1層膜4と、該膜上にハン
グぬれ性に優れた錫(Sn)、ハング (Sn Pb)
、ニッケル (N1)または金(AI+)から選ばれる
金属のメッキ膜である第2層膜5とからなることを特徴
とするチップ型積層磁気コンデンサを提供する。
サの構造例を示す断面図である。本発明によれば、内部
電極1を形成した誘電体3の複数枚を一体焼成した積層
型磁器コンデンサにおいて、その側面に設ける外部電極
2が溶融ハング7への溶解速度が比較的小さいニッケル
(Ni)、コバル)(Co)または銅(Cu’)から選
ばれる金属の焼結体である第1層膜4と、該膜上にハン
グぬれ性に優れた錫(Sn)、ハング (Sn Pb)
、ニッケル (N1)または金(AI+)から選ばれる
金属のメッキ膜である第2層膜5とからなることを特徴
とするチップ型積層磁気コンデンサを提供する。
本発明は超小型で、実装時に回路基&6の導体パターン
8・\リード線等を要さず直接ハング(・1けされる、
:とにより、ハング付時の熱が耐ハング性に大きく影響
されやすいチップ型積層コンデンサに特に適用される。
8・\リード線等を要さず直接ハング(・1けされる、
:とにより、ハング付時の熱が耐ハング性に大きく影響
されやすいチップ型積層コンデンサに特に適用される。
また本発明においては外部型)4(2の第1;(4膜4
が溶融ハング7・\の溶解速度が比lX 釣手jいニッ
ケル (Ni)、コバル)(Co)よLユは♀)4(C
u)から選ばれる金属であることり・屯″州で・ある。
が溶融ハング7・\の溶解速度が比lX 釣手jいニッ
ケル (Ni)、コバル)(Co)よLユは♀)4(C
u)から選ばれる金属であることり・屯″州で・ある。
溶融ハンダ7への溶解速度の大きい3属、たとえは銀(
Ag ) 、銀パラジウム (A、−Pd)、t、たは
、金(Au)の場合は耐ハング性J1r(lr11?+
*に++’//f合J、、Jq+!1−LXJ−UI−
1−7,m’fr(11特性の劣化が生しると共にこの
様なり’ fi:属の使用は外部電極利料のコスト上J
A、 lこつながる。また、本発明において外部電極2
の第1層膜4が焼成された膜であることが重要である。
Ag ) 、銀パラジウム (A、−Pd)、t、たは
、金(Au)の場合は耐ハング性J1r(lr11?+
*に++’//f合J、、Jq+!1−LXJ−UI−
1−7,m’fr(11特性の劣化が生しると共にこの
様なり’ fi:属の使用は外部電極利料のコスト上J
A、 lこつながる。また、本発明において外部電極2
の第1層膜4が焼成された膜であることが重要である。
この第1層膜4は上記金属と若干の接着用ガラス成分と
を混合したペーストを積層誘電体3の側面に塗布し、焼
成するが、この方法によればメッキ膜と異なり20μI
n以[−の第1/P!膜4を形成できるため耐)1ンダ
性を充分確保することができる。これに対しメッキ膜と
すれば前述の如く1〜3μ「n程度の膜しか得られず製
造II;)の厚みバラツキも欠きいため耐ノ1ング性の
変動が生じる。さらに本発明においては、前記外部電極
2のtItJ1層膜4の上にハングぬれ性に優れた錫(
S11)、ハング(Sn −Pb ) 、ニッケル (
Ni)または金(ΔU)から選ばれる金属のメッキ膜で
ある第2Jr!I膜5を設けることが重要である。第2
層膜5は、回路基板6への実装時のハングぬれ性が優れ
ていなければならない。また11屑膜4がニッケル(N
i)、コバルト (CO)または銅(Cu)から選ばれ
た金属であり、酸化さA1や)−いため、前記第2ノ1
り膜13によ−ノて自然放置または高温高湿中放置によ
る経時的劣化を防止する、二とができる。
を混合したペーストを積層誘電体3の側面に塗布し、焼
成するが、この方法によればメッキ膜と異なり20μI
n以[−の第1/P!膜4を形成できるため耐)1ンダ
性を充分確保することができる。これに対しメッキ膜と
すれば前述の如く1〜3μ「n程度の膜しか得られず製
造II;)の厚みバラツキも欠きいため耐ノ1ング性の
変動が生じる。さらに本発明においては、前記外部電極
2のtItJ1層膜4の上にハングぬれ性に優れた錫(
S11)、ハング(Sn −Pb ) 、ニッケル (
Ni)または金(ΔU)から選ばれる金属のメッキ膜で
ある第2Jr!I膜5を設けることが重要である。第2
層膜5は、回路基板6への実装時のハングぬれ性が優れ
ていなければならない。また11屑膜4がニッケル(N
i)、コバルト (CO)または銅(Cu)から選ばれ
た金属であり、酸化さA1や)−いため、前記第2ノ1
り膜13によ−ノて自然放置または高温高湿中放置によ
る経時的劣化を防止する、二とができる。
実施例
fヒ学純度99.5%、平均粒径1.0μI11のニツ
シルネ;y本またはコバルト粉本または銅粉末と有代ヒ
ヒクル、i7N:び軟化点か57 (1’(:のホウケ
イ酸・1(弓・1)ガラスを6り:25:(iの重量割
合になる、1: ラミ。’二秤菫し、それぞれの合計重
量が100gになる、]、うにした。秤量した配合物を
3本ロールミルにより混介し、混合後のペーストに有機
溶剤を添加して、ペースト粘度を調整し、外部電極焼イ
τJ用ペーストを得た。また純度99%、平均粒径0゜
【)μn1の銀粉末と純度99%、平均粒径0.8μI
nのパラジウム粉末と育成ビヒクルおよびホウケイ酸」
■5鉛ビスマスガラスを57: in: 25: 8の
重量割合になる量に秤量し 、前記と同様に3本ロール
ミルで混合して外部電極焼付用ペーストを得た。」二記
外部電極付用ペーストおよび各種メッキにより第1表に
示す電極構成の積層磁器フンデ試料となる積層磁器コン
デンサは、チタン酸バリウム系誘電体拐料およびパラジ
ウム内部電極または銀パラジウム内部電極またはニッケ
ル内部電極によって形成されでおり、その形状は約3.
18X1.57XO,75m+11であった。積層磁器
コンデンサ端部に外部電極用ニッケルペーストまたはコ
バルトペーストまたは銅ペーストを塗布し、乾燥後窒素
雰囲気中で900℃×30分間焼成して外部電極焼成膜
を得た。この時ペーストの塗布幅は約0.5mmであり
、塗布量は両端合わせて約1.6mgであり、焼成膜の
厚みは平面部で約80μm1角部で約20μInであっ
た。、第1表においてはNi −(F) 、Co (F
)あるいはCu−(F)で示した。 (F)は焼成を意
味する。
シルネ;y本またはコバルト粉本または銅粉末と有代ヒ
ヒクル、i7N:び軟化点か57 (1’(:のホウケ
イ酸・1(弓・1)ガラスを6り:25:(iの重量割
合になる、1: ラミ。’二秤菫し、それぞれの合計重
量が100gになる、]、うにした。秤量した配合物を
3本ロールミルにより混介し、混合後のペーストに有機
溶剤を添加して、ペースト粘度を調整し、外部電極焼イ
τJ用ペーストを得た。また純度99%、平均粒径0゜
【)μn1の銀粉末と純度99%、平均粒径0.8μI
nのパラジウム粉末と育成ビヒクルおよびホウケイ酸」
■5鉛ビスマスガラスを57: in: 25: 8の
重量割合になる量に秤量し 、前記と同様に3本ロール
ミルで混合して外部電極焼付用ペーストを得た。」二記
外部電極付用ペーストおよび各種メッキにより第1表に
示す電極構成の積層磁器フンデ試料となる積層磁器コン
デンサは、チタン酸バリウム系誘電体拐料およびパラジ
ウム内部電極または銀パラジウム内部電極またはニッケ
ル内部電極によって形成されでおり、その形状は約3.
18X1.57XO,75m+11であった。積層磁器
コンデンサ端部に外部電極用ニッケルペーストまたはコ
バルトペーストまたは銅ペーストを塗布し、乾燥後窒素
雰囲気中で900℃×30分間焼成して外部電極焼成膜
を得た。この時ペーストの塗布幅は約0.5mmであり
、塗布量は両端合わせて約1.6mgであり、焼成膜の
厚みは平面部で約80μm1角部で約20μInであっ
た。、第1表においてはNi −(F) 、Co (F
)あるいはCu−(F)で示した。 (F)は焼成を意
味する。
また同様に外部電極用銀パラノツムペーストを塗布し、
乾燥後大気中で850℃で30分間焼成して外部電極焼
成膜を得た。この時の塗布量は両端合わせて約1..8
mgであり、塗布幅および焼成膜厚みは前記とほぼ同じ
であった。第1表におい(にl: A g −P d
−(F )で示した。
乾燥後大気中で850℃で30分間焼成して外部電極焼
成膜を得た。この時の塗布量は両端合わせて約1..8
mgであり、塗布幅および焼成膜厚みは前記とほぼ同じ
であった。第1表におい(にl: A g −P d
−(F )で示した。
mi&中、N i −(E P )1.tt%= ッケ
ルl’y キによるメツA膜を意味する。通常のワット
浴を用い、鋼球メディアとともに回転バレル中でメッキ
した、メッキ膜の厚みは約2μI11であった。同様1
、’: S n −(E P )およびSn P’b
(EP)は電解スズメッキおよび電解ハンダメッキによ
るメッキ膜を意味する。同しく鋼球メディアと共に回転
バレル中でメッキし、メッキ膜の厚みは約1゜5μTO
であった。ハンダメッキの組成は90 S n−コOP
dであった。Sn Pb −(DP)は溶融メッキによ
るハンダメッキ膜を意味し、ハンダ組成は60 Sn
−4’OPbであり、厚みは約15u +nであった。
ルl’y キによるメツA膜を意味する。通常のワット
浴を用い、鋼球メディアとともに回転バレル中でメッキ
した、メッキ膜の厚みは約2μI11であった。同様1
、’: S n −(E P )およびSn P’b
(EP)は電解スズメッキおよび電解ハンダメッキによ
るメッキ膜を意味する。同しく鋼球メディアと共に回転
バレル中でメッキし、メッキ膜の厚みは約1゜5μTO
であった。ハンダメッキの組成は90 S n−コOP
dであった。Sn Pb −(DP)は溶融メッキによ
るハンダメッキ膜を意味し、ハンダ組成は60 Sn
−4’OPbであり、厚みは約15u +nであった。
Ni −B (ELP)はホウ素含有無電解ニッケルメ
ッキIII、Ni P (ELP)はリン含有無電解ニ
ッケルメッキ膜、Au −(IE L P )は無電M
′にメッキ膜を意味する。Ni −F3− (E L
P )およびNi’ P’ (ELP)のメツへ・膜厚
は約2μm 、Au −B (ELP)のメ1−B−(
ELP)は8¥層磁器コンデンサ端部をPd系化合物で
局部活性化処理した後、ホウ素含有無電解ニッケルメッ
キを施した。メッキ膜厚みは約3μ「0であった。
ッキIII、Ni P (ELP)はリン含有無電解ニ
ッケルメッキ膜、Au −(IE L P )は無電M
′にメッキ膜を意味する。Ni −F3− (E L
P )およびNi’ P’ (ELP)のメツへ・膜厚
は約2μm 、Au −B (ELP)のメ1−B−(
ELP)は8¥層磁器コンデンサ端部をPd系化合物で
局部活性化処理した後、ホウ素含有無電解ニッケルメッ
キを施した。メッキ膜厚みは約3μ「0であった。
こうして得られた各試料について、25℃において周波
数1kHy、、および人力型)工I V rms lこ
て静電容量および誘電損失(tan δ)を測定した。
数1kHy、、および人力型)工I V rms lこ
て静電容量および誘電損失(tan δ)を測定した。
また直流電圧50Vを1分間充電後の絶縁抵抗(IR)
を測定した。それらの結果を第2表に示す。
を測定した。それらの結果を第2表に示す。
次に外部電極2に対するハンダぬれ性を評価すべく、各
試料作成後1日および9()日間自然放置後の試料を2
30℃のハンダ融液に4秒間浸漬し、外部電極2を↑O
倍実体顕@鏡で観察した。外部電極の90%以にがハン
ダで覆われている場合○印、90%がハンダで覆われて
いない場合X印で第3表に示した。また耐ハンダ性を評
価すべく各試料作成後、1日自然放置後の試料を270
℃のハンダ融液に3秒、30秒、1分、3分および10
分間浸漬し、電気的特性および外観を評価した。
試料作成後1日および9()日間自然放置後の試料を2
30℃のハンダ融液に4秒間浸漬し、外部電極2を↑O
倍実体顕@鏡で観察した。外部電極の90%以にがハン
ダで覆われている場合○印、90%がハンダで覆われて
いない場合X印で第3表に示した。また耐ハンダ性を評
価すべく各試料作成後、1日自然放置後の試料を270
℃のハンダ融液に3秒、30秒、1分、3分および10
分間浸漬し、電気的特性および外観を評価した。
性および外観に異常がない場合○印、異常がある場合X
印で第3表に示した。第3表中のX印で示される異常は
、外部電極の一部または全部の剥離、あるいは消失また
は静電容量の低下であった。最後に、−1−記の測定お
よび試験の総合的評価を夫々評価欄において○、X印で
示した。
印で第3表に示した。第3表中のX印で示される異常は
、外部電極の一部または全部の剥離、あるいは消失また
は静電容量の低下であった。最後に、−1−記の測定お
よび試験の総合的評価を夫々評価欄において○、X印で
示した。
(以下余白)
飲 1 表
X印の試料番号ものは本発明の間外のものである。
第2表
X印の試訓届号のものは本発明の範囲外のものである。
第3表
X印の試料番号のものは本発明の範囲外のものである。
第1表−第3表の試!瑛番号415.617110 。
12,14.コア、19.および20のものは、本発明
の範囲内のものであI)、いずれも外部電極2の第1層
膜4がニッケル、コバルトあるいは銅の焼成膜で形成さ
れ、第2層膜5がスズ、スズー鉛、ニツrルあるいは金
の各種メッキ膜七形成されている08試IIとも静電’
TFi”Iが211.4nF以−14,1、誘電、 4
(1’): (Lan δ)が2.66%以下とフンデ
ン→ノの電気的特性が良好であり、また外部電極2のハ
ングぬれが90日間自然放置後も良好であり、か′)耐
ハング試験は270℃×10分間浸漬においても5′4
常がなく優れている。
の範囲内のものであI)、いずれも外部電極2の第1層
膜4がニッケル、コバルトあるいは銅の焼成膜で形成さ
れ、第2層膜5がスズ、スズー鉛、ニツrルあるいは金
の各種メッキ膜七形成されている08試IIとも静電’
TFi”Iが211.4nF以−14,1、誘電、 4
(1’): (Lan δ)が2.66%以下とフンデ
ン→ノの電気的特性が良好であり、また外部電極2のハ
ングぬれが90日間自然放置後も良好であり、か′)耐
ハング試験は270℃×10分間浸漬においても5′4
常がなく優れている。
これに刻して、試料番号1.2およ118のものは、外
部電極2のIRI層膜4が銀パランラム焼成膜で形成さ
れており、耐ハング性が本発明のものに比べ劣り、第2
層にN1−(EP)膜、第3層にSn PJ+−(EP
)膜を形成したものでも耐ハング試験の270℃×3分
間および10分間浸漬にす3いて、ハング食われ現象が
観察された。また試料番号18のものは、内部電極ニッ
ケルと合金化しがたいAg、−Pd焼成膜を第1M11
に形成しているため静電容量が113. 4 nFと目
標値の少分程度しかなく、誘電損失(tanδ)も6゜
20%と大きかった。試料番号3,11および13のも
のは外部電極2がニッケル、コバル1または銅の焼成膜
だけで形成されており、電気的特性および耐ハング性は
良好であるが90日間自然放置後のハングぬれ性が表面
の酸化のため劣化し、好ましくない。また試料番号8,
9のものは第1層II!4が二′ツケル焼成膜で形成さ
れ、第2層膜5がリン含有無電解ニッケル膜あるいは電
解ニッケルメッキ膜で形成されており、電気的特性およ
び副ハングヤ1.は良好であるが90日間自然放置後の
ハングぬれ性が表面の酸化のため劣化しており好ましく
ない。さらに試料番号15および16のものは、第1層
膜4がホウ素含有無電解ニッケル膜で形成されており、
電気的特性およびハングぬれ性は良好であるが、耐ハン
グ性が本発明のもの【ニルべて劣り好ましくない6第1
層膜4としで、Ni、CoおよV Cuのグループから
選ばれたPi哉の統よ、冒杢を用いてもよい。
部電極2のIRI層膜4が銀パランラム焼成膜で形成さ
れており、耐ハング性が本発明のものに比べ劣り、第2
層にN1−(EP)膜、第3層にSn PJ+−(EP
)膜を形成したものでも耐ハング試験の270℃×3分
間および10分間浸漬にす3いて、ハング食われ現象が
観察された。また試料番号18のものは、内部電極ニッ
ケルと合金化しがたいAg、−Pd焼成膜を第1M11
に形成しているため静電容量が113. 4 nFと目
標値の少分程度しかなく、誘電損失(tanδ)も6゜
20%と大きかった。試料番号3,11および13のも
のは外部電極2がニッケル、コバル1または銅の焼成膜
だけで形成されており、電気的特性および耐ハング性は
良好であるが90日間自然放置後のハングぬれ性が表面
の酸化のため劣化し、好ましくない。また試料番号8,
9のものは第1層II!4が二′ツケル焼成膜で形成さ
れ、第2層膜5がリン含有無電解ニッケル膜あるいは電
解ニッケルメッキ膜で形成されており、電気的特性およ
び副ハングヤ1.は良好であるが90日間自然放置後の
ハングぬれ性が表面の酸化のため劣化しており好ましく
ない。さらに試料番号15および16のものは、第1層
膜4がホウ素含有無電解ニッケル膜で形成されており、
電気的特性およびハングぬれ性は良好であるが、耐ハン
グ性が本発明のもの【ニルべて劣り好ましくない6第1
層膜4としで、Ni、CoおよV Cuのグループから
選ばれたPi哉の統よ、冒杢を用いてもよい。
効 果
以上のように本発明によれば、積層型磁器コンデンサの
外部電極の耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し
得るようになる。
外部電極の耐ハング性に優れ、かつ比較的安価に製造し
得るようになる。
図面は、本発明に適応するチップ型積層磁器コンデンサ
の構造例を示す断面図である。 1・・・内部電極、2・・・外部電極、3・・・誘電体
、4・−・第1M膜、5・・・第2N膜 代理人 弁理士 画数 圭一部 図面の浄書(内容に変更なし) 手 続 補 T:、書(方式) 昭和59年8月10日 特願昭59−97150 2、発明の名称 。 チップ型積層磁器コンデンサ 3、補正をする者 事件との関係 出願人 11”所 名称(663)京セラ株式会社 代表者 4、代理人 1t 所大阪市西区西木町1丁目13番38号新興産ビ
ル国際TET、EXO5255985INTAl)’「
J国際FAX GUI&GU (06)53802.
476、補正の対象 明JR書、図面および委任状 7、補正の内容 (1)明細−および図面の浄書(内容に変更なし)。 (2)別紙のとおり委任状を補充する。 以上 手続補正書 昭和59年10月18日 特許庁長官殿 1、事件の表示 、′滴を 特願昭59−97150 2、発明の名称 チップ型積層磁器コンデンサ 3、補正をする者 η(件との関係 出願人 住所 名称(663)京セラ株式会社 代表者 4、代理人 口゛ 所 大阪市西区西本町1丁目13番38号 新興
産ビル国装置EX 0525−5985 LNTAPT
J国際FAX GIIl&GII (06)538−
0247電話(06)538−0263(代表)6、補
正の対象 昭和59年8月10日付提出の明細書(浄書)の発明の
詳細な説明の欄 7、補正の内容 明細書第8頁第17行目においてj30分間」とあるを
、 「10分間」に訂正する。 手続補正書 昭和59年12月26日 待M昭59−97150 2、発明の名称 チップ型82層磁器コンデンサ 3、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 名称 (663ン京セラ株式会社 代表者 4、代理人 住 所大阪市西区西本町1丁目13番38号新興産ビル
国際置EXO525−5985INTAPT J国際F
AX CJI&GII (06)5380247電話(
06)538−0263(代表)5、補正命令の日付 自発補正 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 (1)明細書第1頁第17行目、第20行目、第2頁第
11行目および第5頁第7行目において「磁気コンデン
サ」とあるを、 [磁器コンデンサJに訂正する。 (2ン明#l書第9頁第19行目において「Au−B(
E L P )Jとあるを、rAu−(ELP)Jに訂
正する。 (3)明細書第10頁第15行目において[90%がJ
とあるを、「90%以上が」に訂正する。 以上
の構造例を示す断面図である。 1・・・内部電極、2・・・外部電極、3・・・誘電体
、4・−・第1M膜、5・・・第2N膜 代理人 弁理士 画数 圭一部 図面の浄書(内容に変更なし) 手 続 補 T:、書(方式) 昭和59年8月10日 特願昭59−97150 2、発明の名称 。 チップ型積層磁器コンデンサ 3、補正をする者 事件との関係 出願人 11”所 名称(663)京セラ株式会社 代表者 4、代理人 1t 所大阪市西区西木町1丁目13番38号新興産ビ
ル国際TET、EXO5255985INTAl)’「
J国際FAX GUI&GU (06)53802.
476、補正の対象 明JR書、図面および委任状 7、補正の内容 (1)明細−および図面の浄書(内容に変更なし)。 (2)別紙のとおり委任状を補充する。 以上 手続補正書 昭和59年10月18日 特許庁長官殿 1、事件の表示 、′滴を 特願昭59−97150 2、発明の名称 チップ型積層磁器コンデンサ 3、補正をする者 η(件との関係 出願人 住所 名称(663)京セラ株式会社 代表者 4、代理人 口゛ 所 大阪市西区西本町1丁目13番38号 新興
産ビル国装置EX 0525−5985 LNTAPT
J国際FAX GIIl&GII (06)538−
0247電話(06)538−0263(代表)6、補
正の対象 昭和59年8月10日付提出の明細書(浄書)の発明の
詳細な説明の欄 7、補正の内容 明細書第8頁第17行目においてj30分間」とあるを
、 「10分間」に訂正する。 手続補正書 昭和59年12月26日 待M昭59−97150 2、発明の名称 チップ型82層磁器コンデンサ 3、補正をする者 事件との関係 出願人 住所 名称 (663ン京セラ株式会社 代表者 4、代理人 住 所大阪市西区西本町1丁目13番38号新興産ビル
国際置EXO525−5985INTAPT J国際F
AX CJI&GII (06)5380247電話(
06)538−0263(代表)5、補正命令の日付 自発補正 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 (1)明細書第1頁第17行目、第20行目、第2頁第
11行目および第5頁第7行目において「磁気コンデン
サ」とあるを、 [磁器コンデンサJに訂正する。 (2ン明#l書第9頁第19行目において「Au−B(
E L P )Jとあるを、rAu−(ELP)Jに訂
正する。 (3)明細書第10頁第15行目において[90%がJ
とあるを、「90%以上が」に訂正する。 以上
Claims (1)
- 内部電極を形成した誘電体の複数枚を一体焼成したチッ
プ型積層磁器コンデンサにおいて、その側面に設ける外
部電極の溶融ハンダへの溶解速度が比較的小さいニッケ
ル、コバルトおよび銅のグループから選ばれる金属の1
または複数の焼結体である第1層膜と、該膜上にハーン
グぬれ性に優れた錫、ハンダ、ニッケル、または金から
選ばれる金属のメッキ膜である第2層膜とからなること
を持金とするチップ型積層磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59097150A JPH0616461B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | チップ型積層磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59097150A JPH0616461B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | チップ型積層磁器コンデンサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60240117A true JPS60240117A (ja) | 1985-11-29 |
JPH0616461B2 JPH0616461B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=14184539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59097150A Expired - Lifetime JPH0616461B2 (ja) | 1984-05-14 | 1984-05-14 | チップ型積層磁器コンデンサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0616461B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6294358A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-04-30 | Hitachi Ltd | ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法 |
JPH01116422U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-07 | ||
JPH01289231A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードレスチップ部品の製造方法 |
JPH0494517A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Toko Inc | 積層インダクタの製造方法 |
JP2002194555A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 無電解金めっき方法および電子部品 |
JP2002203735A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Ibiden Co Ltd | コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
JP2007053209A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Tdk Corp | セラミック電子部品の製造方法 |
JP2011129688A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Tdk Corp | 電子部品及び端子電極 |
JP2012043842A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP2019179812A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57148328A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Nippon Electric Co | Chip type capacitor and method of producing same |
-
1984
- 1984-05-14 JP JP59097150A patent/JPH0616461B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57148328A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-13 | Nippon Electric Co | Chip type capacitor and method of producing same |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6294358A (ja) * | 1985-10-22 | 1987-04-30 | Hitachi Ltd | ダイレクトドライブ型サーマルヘッドの製造方法 |
JPH01116422U (ja) * | 1988-01-30 | 1989-08-07 | ||
JPH0510348Y2 (ja) * | 1988-01-30 | 1993-03-15 | ||
JPH01289231A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードレスチップ部品の製造方法 |
JPH0494517A (ja) * | 1990-08-10 | 1992-03-26 | Toko Inc | 積層インダクタの製造方法 |
JP2002194555A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-10 | Murata Mfg Co Ltd | 無電解金めっき方法および電子部品 |
JP2002203735A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Ibiden Co Ltd | コンデンサ、多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
JP2007053209A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Tdk Corp | セラミック電子部品の製造方法 |
JP2011129688A (ja) * | 2009-12-17 | 2011-06-30 | Tdk Corp | 電子部品及び端子電極 |
JP2012043842A (ja) * | 2010-08-13 | 2012-03-01 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP2019179812A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 積層バリスタの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0616461B2 (ja) | 1994-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101004037B1 (ko) | 전자부품용 주석전해도금액, 전자부품의 주석전해도금방법및 주석전해도금 전자부품 | |
US9165714B2 (en) | Electronic component | |
JP2001307947A (ja) | 積層チップ部品及びその製造方法 | |
US8717739B2 (en) | Ceramic electronic component | |
US8363382B2 (en) | Structure of multilayer ceramic device | |
JPH10284343A (ja) | チップ型電子部品 | |
JPH11189894A (ja) | Sn合金メッキ皮膜、電子部品およびチップ型セラミック電子部品 | |
US8520361B2 (en) | Laminated electronic component | |
JPS60240117A (ja) | チツプ型積層磁器コンデンサ | |
US5128827A (en) | Electronic devices, method for forming end terminations thereof and paste material for forming same | |
JP2009141292A (ja) | 外部端子電極具備電子部品、その搭載電子用品及び外部端子電極具備電子部品の製造方法 | |
JP2830456B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
JP4083971B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
JP2658509B2 (ja) | 電子部品と電極ペーストおよび端子電極の形成方法 | |
JP2001230151A (ja) | リードレスチップ部品 | |
JP2001155955A (ja) | 外部端子電極具備電子部品及びその搭載電子用品 | |
JPH0656825B2 (ja) | セラミックコンデンサ | |
JPS6132808B2 (ja) | ||
JPH0766075A (ja) | チップ型電子部品 | |
JPS62195111A (ja) | チツプ型積層磁器コンデンサ | |
JP2000260654A (ja) | 極小チップ型電子部品 | |
JP4182489B2 (ja) | 外部接続電極付電子部品及び回路モジュール | |
JP2005277444A (ja) | 外部接続電極付電子部品及び回路モジュール | |
JPH08306584A (ja) | 外部接続電極付電子部品及び回路モジュール | |
JP2001060532A (ja) | 積層セラミック電子部品の外部電極形成方法 |