JPH0766075A - チップ型電子部品 - Google Patents
チップ型電子部品Info
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- JPH0766075A JPH0766075A JP21396993A JP21396993A JPH0766075A JP H0766075 A JPH0766075 A JP H0766075A JP 21396993 A JP21396993 A JP 21396993A JP 21396993 A JP21396993 A JP 21396993A JP H0766075 A JPH0766075 A JP H0766075A
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- electronic component
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 端子電極のはんだ付け性及びはんだ耐熱性が
共に著しく改善され、苛酷な環境下に長時間放置して
も、端子電極のはんだ付け性が低下せず、また、はんだ
耐熱性も低下することが殆どないチップ型電子部品を提
供する。 【構成】 Ｎｉ系メッキ皮膜として、Ｓｎを含有しない
Ｎｉ系メッキ皮膜５と、この皮膜５上にＳｎを含有する
Ｎｉ系メッキ皮膜６とを形成する。 【効果】 端子電極のはんだ付け性及びはんだ耐熱性が
共に著しく改善される。はんだ耐熱性を第１層のＳｎ非
含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担い、はんだ付け性を第２層の
Ｓｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担うため、第２層のＳｎ含
有Ｎｉ系メッキ皮膜中には、はんだ耐熱性を考慮するこ
となく、はんだ付け性の改善効果が十分に得られる程度
のＳｎを含有させることができるので、極めて有利であ
る。
共に著しく改善され、苛酷な環境下に長時間放置して
も、端子電極のはんだ付け性が低下せず、また、はんだ
耐熱性も低下することが殆どないチップ型電子部品を提
供する。 【構成】 Ｎｉ系メッキ皮膜として、Ｓｎを含有しない
Ｎｉ系メッキ皮膜５と、この皮膜５上にＳｎを含有する
Ｎｉ系メッキ皮膜６とを形成する。 【効果】 端子電極のはんだ付け性及びはんだ耐熱性が
共に著しく改善される。はんだ耐熱性を第１層のＳｎ非
含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担い、はんだ付け性を第２層の
Ｓｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担うため、第２層のＳｎ含
有Ｎｉ系メッキ皮膜中には、はんだ耐熱性を考慮するこ
となく、はんだ付け性の改善効果が十分に得られる程度
のＳｎを含有させることができるので、極めて有利であ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はチップ型電子部品に係
り、特に、積層セラミックコンデンサ、チップ抵抗、チ
ップサーミスタ、チップインダクターなどのチップ型電
子部品であって、端子電極のはんだ耐熱性を低下させる
ことなくはんだ付け性を改善したチップ型電子部品に関
する。
り、特に、積層セラミックコンデンサ、チップ抵抗、チ
ップサーミスタ、チップインダクターなどのチップ型電
子部品であって、端子電極のはんだ耐熱性を低下させる
ことなくはんだ付け性を改善したチップ型電子部品に関
する。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサ、チップ抵
抗、チップサーミスタ、チップインダクターなどの電子
部品には、セラミック誘電体からなるベアチップの側面
（端面）に、外部電源への接続のための端子電極が形成
されている。従来、これらの電子部品の端子電極は、端
子電極形成面に銀又は銅を含むメッキ下地電極を形成し
た後、はんだ付け時のくわれ（溶蝕）を防止するための
Ｎｉ（ニッケル）系メッキ皮膜を形成し、更に、このＮ
ｉ系メッキ皮膜を、その表面の酸化によるはんだ付け性
の低下を防止するために、Ｓｎ（スズ）メッキ皮膜又は
はんだメッキ皮膜で被膜することにより形成されてい
る。
抗、チップサーミスタ、チップインダクターなどの電子
部品には、セラミック誘電体からなるベアチップの側面
（端面）に、外部電源への接続のための端子電極が形成
されている。従来、これらの電子部品の端子電極は、端
子電極形成面に銀又は銅を含むメッキ下地電極を形成し
た後、はんだ付け時のくわれ（溶蝕）を防止するための
Ｎｉ（ニッケル）系メッキ皮膜を形成し、更に、このＮ
ｉ系メッキ皮膜を、その表面の酸化によるはんだ付け性
の低下を防止するために、Ｓｎ（スズ）メッキ皮膜又は
はんだメッキ皮膜で被膜することにより形成されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の電子部品の
端子電極では、通常の使用条件下では問題はないが、高
温、高湿といった苛酷な環境において長時間放置された
ものにあっては、端子電極のはんだ付け性が低下する。
端子電極では、通常の使用条件下では問題はないが、高
温、高湿といった苛酷な環境において長時間放置された
ものにあっては、端子電極のはんだ付け性が低下する。
【０００４】従来、このようなはんだ付け性の低下を防
止するために、端子電極のＮｉ系メッキ皮膜としてＳｎ
を含有させたＮｉ系メッキ皮膜を形成し、このＳｎ含有
Ｎｉ系メッキ皮膜をＳｎメッキ皮膜又ははんだメッキ皮
膜で被膜する方法が提案されている。しかし、この方法
では、Ｎｉ系メッキ皮膜にＳｎが含有されているため、
はんだ付け性は改善されるが、Ｓｎの含有によりはんだ
耐熱性が低下するという問題がある。また、Ｓｎの含有
によるはんだ耐熱性の低下が、実用不可能な程度となる
のを防止するためには、Ｓｎ含有量にも上限があり、は
んだ付け性の改善効果も十分ではないという問題もあっ
た。
止するために、端子電極のＮｉ系メッキ皮膜としてＳｎ
を含有させたＮｉ系メッキ皮膜を形成し、このＳｎ含有
Ｎｉ系メッキ皮膜をＳｎメッキ皮膜又ははんだメッキ皮
膜で被膜する方法が提案されている。しかし、この方法
では、Ｎｉ系メッキ皮膜にＳｎが含有されているため、
はんだ付け性は改善されるが、Ｓｎの含有によりはんだ
耐熱性が低下するという問題がある。また、Ｓｎの含有
によるはんだ耐熱性の低下が、実用不可能な程度となる
のを防止するためには、Ｓｎ含有量にも上限があり、は
んだ付け性の改善効果も十分ではないという問題もあっ
た。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、端子
電極のはんだ付け性及びはんだ耐熱性が共に著しく改善
され、苛酷な環境下に長時間放置しても、端子電極のは
んだ付け性が低下せず、また、はんだ耐熱性も低下する
ことが殆どないチップ型電子部品を提供することを目的
とする。
電極のはんだ付け性及びはんだ耐熱性が共に著しく改善
され、苛酷な環境下に長時間放置しても、端子電極のは
んだ付け性が低下せず、また、はんだ耐熱性も低下する
ことが殆どないチップ型電子部品を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１のチップ型電子
部品は、セラミック誘電体よりなるベアチップの表面
に、Ｎｉ系メッキ皮膜を有する端子電極が形成されたチ
ップ型電子部品において、該Ｎｉ系メッキ皮膜が、Ｓｎ
非含有Ｎｉ系メッキ皮膜よりなる第１層と、該第１層上
に形成されたＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜よりなる第２層
とを備えることを特徴とする。
部品は、セラミック誘電体よりなるベアチップの表面
に、Ｎｉ系メッキ皮膜を有する端子電極が形成されたチ
ップ型電子部品において、該Ｎｉ系メッキ皮膜が、Ｓｎ
非含有Ｎｉ系メッキ皮膜よりなる第１層と、該第１層上
に形成されたＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜よりなる第２層
とを備えることを特徴とする。
【０００７】請求項２のチップ型電子部品は、請求項１
の電子部品において、前記第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッ
キ皮膜のＳｎ含有率が２００〜４００ｐｐｍであること
を特徴とする。
の電子部品において、前記第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッ
キ皮膜のＳｎ含有率が２００〜４００ｐｐｍであること
を特徴とする。
【０００８】請求項３のチップ型電子部品は、請求項１
又は２の電子部品において、該電子部品が積層セラミッ
クコンデンサであることを特徴とする。
又は２の電子部品において、該電子部品が積層セラミッ
クコンデンサであることを特徴とする。
【０００９】請求項４のチップ型電子部品は、請求項１
ないし３のいずれか１項の電子部品において、セラミッ
ク誘電体が鉛系ペロブスカイト、チタン酸バリウム又は
チタン酸ストロンチウムを主成分とすることを特徴とす
る。
ないし３のいずれか１項の電子部品において、セラミッ
ク誘電体が鉛系ペロブスカイト、チタン酸バリウム又は
チタン酸ストロンチウムを主成分とすることを特徴とす
る。
【００１０】以下、図面を参照して本発明を詳細に説明
する。
する。
【００１１】図１は本発明のチップ型電子部品（積層セ
ラミックコンデンサ）１の一実施例を示す模式的な断面
図である。
ラミックコンデンサ）１の一実施例を示す模式的な断面
図である。
【００１２】図１において、２は内部電極、３は誘電体
セラミックよりなるベアチップ、４はメッキ下地電極、
５はＳｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜、６はＳｎ含有Ｎｉ系
メッキ皮膜、７ははんだメッキ皮膜である。
セラミックよりなるベアチップ、４はメッキ下地電極、
５はＳｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜、６はＳｎ含有Ｎｉ系
メッキ皮膜、７ははんだメッキ皮膜である。
【００１３】図示の如く、本実施例の積層セラミックコ
ンデンサ１は、Ｎｉ系メッキ皮膜として、Ｎｉ系メッキ
皮膜が、メッキ下地電極４上のＳｎを含有しないＮｉ系
メッキ皮膜５よりなる第１層と、この第１層上のＳｎを
含有するＮｉ系メッキ皮膜６よりなる第２層との２層積
層構造であること以外は、従来のものと同様の構成とさ
れている。
ンデンサ１は、Ｎｉ系メッキ皮膜として、Ｎｉ系メッキ
皮膜が、メッキ下地電極４上のＳｎを含有しないＮｉ系
メッキ皮膜５よりなる第１層と、この第１層上のＳｎを
含有するＮｉ系メッキ皮膜６よりなる第２層との２層積
層構造であること以外は、従来のものと同様の構成とさ
れている。
【００１４】この第１層のＳｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜
５は、Ｓｎを含有しない皮膜を常法に従って形成すれば
良く、第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜６は、例え
ば、Ｎｉ系メッキ皮膜を形成するに当たり、所定量のＳ
ｎ塩、具体的にはスルファミン酸第一錫（Ｓｎ（ＮＨ2
ＳＯ3 ）2 ）などをＮｉメッキ液中に添加することによ
り容易に形成することができる。
５は、Ｓｎを含有しない皮膜を常法に従って形成すれば
良く、第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜６は、例え
ば、Ｎｉ系メッキ皮膜を形成するに当たり、所定量のＳ
ｎ塩、具体的にはスルファミン酸第一錫（Ｓｎ（ＮＨ2
ＳＯ3 ）2 ）などをＮｉメッキ液中に添加することによ
り容易に形成することができる。
【００１５】本発明において、第２層のＳｎ含有Ｎｉ系
メッキ皮膜６のＳｎ含有量は、多すぎると皮膜がもろく
なり、少なすぎるとＳｎ添加による端子電極のはんだ付
け性の改善効果が充分に得られない。従って、Ｓｎ含有
Ｎｉ系メッキ皮膜６中のＳｎ含有量は重量割合で２００
〜４００ｐｐｍ程度となるように、Ｎｉメッキ液中のＳ
ｎ塩濃度を適宜調整するのが好ましい。
メッキ皮膜６のＳｎ含有量は、多すぎると皮膜がもろく
なり、少なすぎるとＳｎ添加による端子電極のはんだ付
け性の改善効果が充分に得られない。従って、Ｓｎ含有
Ｎｉ系メッキ皮膜６中のＳｎ含有量は重量割合で２００
〜４００ｐｐｍ程度となるように、Ｎｉメッキ液中のＳ
ｎ塩濃度を適宜調整するのが好ましい。
【００１６】なお、端子電極を構成する各皮膜の厚さに
は特に制限はないが、通常の場合、メッキ下地電極４は
４００〜６００μｍ程度の厚さに、第１層のＳｎ非含有
Ｎｉ系メッキ皮膜５は１〜１．５μｍ程度の厚さに、第
２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜６は１〜１．５μｍ程
度の厚さに、更に、その上のＳｎ又ははんだメッキ皮膜
７は３〜７μｍ程度の厚さに形成するのが好ましい。
は特に制限はないが、通常の場合、メッキ下地電極４は
４００〜６００μｍ程度の厚さに、第１層のＳｎ非含有
Ｎｉ系メッキ皮膜５は１〜１．５μｍ程度の厚さに、第
２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜６は１〜１．５μｍ程
度の厚さに、更に、その上のＳｎ又ははんだメッキ皮膜
７は３〜７μｍ程度の厚さに形成するのが好ましい。
【００１７】以上、電子部品として積層セラミックコン
デンサを例示して説明したが、本発明は積層セラミック
コンデンサ以外のチップ型電子部品にも適用できること
は言うまでもない。
デンサを例示して説明したが、本発明は積層セラミック
コンデンサ以外のチップ型電子部品にも適用できること
は言うまでもない。
【００１８】
【作用】端子電極を構成するＮｉ系メッキ皮膜の第１層
にＳｎを含有しないＮｉ系メッキ皮膜を、第２層にはん
だとの接合に優れた、Ｓｎを含有させたＮｉ系メッキ皮
膜６を形成することにより、端子電極のはんだ付け性及
びはんだ耐熱性が共に著しく改善され、電子部品を苛酷
な環境下に長時間放置しても、端子電極のはんだ付け性
が低下することなく、また、はんだ耐熱性の低下も防止
することができる。
にＳｎを含有しないＮｉ系メッキ皮膜を、第２層にはん
だとの接合に優れた、Ｓｎを含有させたＮｉ系メッキ皮
膜６を形成することにより、端子電極のはんだ付け性及
びはんだ耐熱性が共に著しく改善され、電子部品を苛酷
な環境下に長時間放置しても、端子電極のはんだ付け性
が低下することなく、また、はんだ耐熱性の低下も防止
することができる。
【００１９】特に、本発明では、はんだ耐熱性を第１層
のＳｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担い、はんだ付け性を
第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担うため、第２層
のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜中には、はんだ耐熱性を考
慮することなく、はんだ付け性の改善効果が十分に得ら
れる程度のＳｎを含有させることができるので、極めて
有利である。
のＳｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担い、はんだ付け性を
第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜で担うため、第２層
のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜中には、はんだ耐熱性を考
慮することなく、はんだ付け性の改善効果が十分に得ら
れる程度のＳｎを含有させることができるので、極めて
有利である。
【００２０】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて、本発明を
より具体的に説明する。
より具体的に説明する。
【００２１】実施例１ 図１に示す本発明の積層セラミックコンデンサを製造し
た。即ち、まず、コンデンサ材料粉末を所定量秤量、混
合し、この混合物を仮焼、粉砕した後、バインダを混合
した。得られたセラミックスラリーと内部電極ペースト
を交互に印刷し、乾燥、切断した後焼成して積層セラミ
ックコンデンサを製造した。
た。即ち、まず、コンデンサ材料粉末を所定量秤量、混
合し、この混合物を仮焼、粉砕した後、バインダを混合
した。得られたセラミックスラリーと内部電極ペースト
を交互に印刷し、乾燥、切断した後焼成して積層セラミ
ックコンデンサを製造した。
【００２２】次に、この積層セラミックコンデンサの両
端面に、銀とガラス成分を含むペーストを塗布し、電気
炉で７５０℃の温度で焼き付けてメッキ下地電極４を形
成した。
端面に、銀とガラス成分を含むペーストを塗布し、電気
炉で７５０℃の温度で焼き付けてメッキ下地電極４を形
成した。
【００２３】これをはんだメッキしたスチール製のボー
ルと共にメッキバレルに入れ、Ｓｎを含有しないＮｉ系
メッキ皮膜５を約１．５μｍの厚さに、次に、Ｓｎ含有
Ｎｉ系メッキ皮膜６を約１．５μｍの厚さに、更に、は
んだメッキ皮膜７を約５μｍの厚さになるよう電解メッ
キを行った。なお、第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜
６を形成する際に用いたメッキ液は、通常のＮｉ系メッ
キ液中にＳｎ塩（スルファミン酸第一錫）を３９ｍｇ／
ｌ（金属Ｓｎとして１５ｍｇ／ｌ）の割合で溶解させた
ものであり、この結果、Ｓｎ（３００ｐｐｍ）−Ｎｉ系
メッキ皮膜が形成された。
ルと共にメッキバレルに入れ、Ｓｎを含有しないＮｉ系
メッキ皮膜５を約１．５μｍの厚さに、次に、Ｓｎ含有
Ｎｉ系メッキ皮膜６を約１．５μｍの厚さに、更に、は
んだメッキ皮膜７を約５μｍの厚さになるよう電解メッ
キを行った。なお、第２層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜
６を形成する際に用いたメッキ液は、通常のＮｉ系メッ
キ液中にＳｎ塩（スルファミン酸第一錫）を３９ｍｇ／
ｌ（金属Ｓｎとして１５ｍｇ／ｌ）の割合で溶解させた
ものであり、この結果、Ｓｎ（３００ｐｐｍ）−Ｎｉ系
メッキ皮膜が形成された。
【００２４】得られた積層セラミックコンデンサを８５
℃，８５％の環境下に１００時間放置した後、はんだ付
け性を調べた。はんだ付け性は、５０個のサンプルにつ
いてはんだ付け性試験を行い、端子電極のはんだ付け部
分に微小なものを含め、ピンホール及びはんだくわれが
発生したサンプルの数で調べた。
℃，８５％の環境下に１００時間放置した後、はんだ付
け性を調べた。はんだ付け性は、５０個のサンプルにつ
いてはんだ付け性試験を行い、端子電極のはんだ付け部
分に微小なものを含め、ピンホール及びはんだくわれが
発生したサンプルの数で調べた。
【００２５】結果を表１に示す。
【００２６】比較例１ Ｎｉ系メッキ皮膜として、Ｓｎ塩を添加しないＮｉ系メ
ッキ液にてＳｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜を１層のみ形成
したこと以外は、実施例１と全く同様にして積層セラミ
ックコンデンサを製造し、同様にはんだ付け性試験を行
い、結果を表１に示した。
ッキ液にてＳｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜を１層のみ形成
したこと以外は、実施例１と全く同様にして積層セラミ
ックコンデンサを製造し、同様にはんだ付け性試験を行
い、結果を表１に示した。
【００２７】比較例２ Ｎｉ系メッキ皮膜として、通常のＮｉ系メッキ液中にＳ
ｎ塩（スルファミン酸第一錫）を２６ｍｇ／ｌ（金属Ｓ
ｎとして１０ｍｇ／ｌ）の割合で溶解させ、Ｓｎ（２０
０ｐｐｍ）−Ｎｉ系メッキ皮膜を１層のみ形成したこと
以外は実施例１と全く同様にして積層セラミックコンデ
ンサを製造し、同様にはんだ付け性試験を行い、結果を
表１に示した。
ｎ塩（スルファミン酸第一錫）を２６ｍｇ／ｌ（金属Ｓ
ｎとして１０ｍｇ／ｌ）の割合で溶解させ、Ｓｎ（２０
０ｐｐｍ）−Ｎｉ系メッキ皮膜を１層のみ形成したこと
以外は実施例１と全く同様にして積層セラミックコンデ
ンサを製造し、同様にはんだ付け性試験を行い、結果を
表１に示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１より明らかなように、比較例１ではピ
ンホール発生割合が約２０％で、また、発生数は少ない
がはんだくわれが発生している。比較例２ではピンホー
ル発生は比較的少ないが、はんだくわれは約１０％と多
く発生している。それに対し、実施例１では、ピンホー
ル、はんだくわれ共全く発生せず、はんだ付け性、はん
だ耐熱性が効果的に改善されている。
ンホール発生割合が約２０％で、また、発生数は少ない
がはんだくわれが発生している。比較例２ではピンホー
ル発生は比較的少ないが、はんだくわれは約１０％と多
く発生している。それに対し、実施例１では、ピンホー
ル、はんだくわれ共全く発生せず、はんだ付け性、はん
だ耐熱性が効果的に改善されている。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明のチップ型電
子部品によれば、端子電極のはんだ付け性及びはんだ耐
熱性が共に著しく改善され、高温、高湿の苛酷な環境下
に長時間放置しても、端子電極のはんだ付け性が低下せ
ず、また、はんだ耐熱性も殆ど低下することのない、耐
候性、耐久性、耐熱性に優れた電子部品が提供される。
子部品によれば、端子電極のはんだ付け性及びはんだ耐
熱性が共に著しく改善され、高温、高湿の苛酷な環境下
に長時間放置しても、端子電極のはんだ付け性が低下せ
ず、また、はんだ耐熱性も殆ど低下することのない、耐
候性、耐久性、耐熱性に優れた電子部品が提供される。
【００３１】
【図１】本発明のチップ型電子部品（積層セラミックコ
ンデンサ）１の一実施例を示す模式的な断面図である。
ンデンサ）１の一実施例を示す模式的な断面図である。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ 内部電極 ３ ベアチップ ４ メッキ下地電極 ５ Ｓｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜 ６ Ｓｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜 ７ はんだメッキ皮膜
Claims (4)
- 【請求項１】 セラミック誘電体よりなるベアチップの
表面に、Ｎｉ系メッキ皮膜を有する端子電極が形成され
たチップ型電子部品において、該Ｎｉ系メッキ皮膜が、
Ｓｎ非含有Ｎｉ系メッキ皮膜よりなる第１層と、該第１
層上に形成されたＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜よりなる第
２層とを備えることを特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項２】 請求項１の電子部品において、前記第２
層のＳｎ含有Ｎｉ系メッキ皮膜のＳｎ含有率が２００〜
４００ｐｐｍであることを特徴とするチップ型電子部
品。 - 【請求項３】 請求項１又は２の電子部品において、該
電子部品が積層セラミックコンデンサであることを特徴
とするチップ型電子部品。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項の電子
部品において、セラミック誘電体が鉛系ペロブスカイ
ト、チタン酸バリウム又はチタン酸ストロンチウムを主
成分とすることを特徴とするチップ型電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21396993A JPH0766075A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | チップ型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21396993A JPH0766075A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | チップ型電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766075A true JPH0766075A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16648067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21396993A Withdrawn JPH0766075A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | チップ型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766075A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19603654C1 (de) * | 1996-02-01 | 1997-07-03 | Siemens Ag | Verfahren zum Löten eines Halbleiterkörpers auf eine Trägerplatte und Halbleiterkörper zur Durchführung des Verfahrens |
| KR20140106733A (ko) * | 2012-01-23 | 2014-09-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품 및 그 제조방법 |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21396993A patent/JPH0766075A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19603654C1 (de) * | 1996-02-01 | 1997-07-03 | Siemens Ag | Verfahren zum Löten eines Halbleiterkörpers auf eine Trägerplatte und Halbleiterkörper zur Durchführung des Verfahrens |
| KR20140106733A (ko) * | 2012-01-23 | 2014-09-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자부품 및 그 제조방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |