JP2002244618A - アクティブマトリックス電界発光素子の駆動回路 - Google Patents

アクティブマトリックス電界発光素子の駆動回路

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JP2002244618A JP2001381400A JP2001381400A JP2002244618A JP 2002244618 A JP2002244618 A JP 2002244618A JP 2001381400 A JP2001381400 A JP 2001381400A JP 2001381400 A JP2001381400 A JP 2001381400A JP 2002244618 A JP2002244618 A JP 2002244618A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電流駆動用ICで集積化が可能な、nビット
のデジタル信号を入力し、各RGBチャネル別の出力電
流値の調節が可能なAMELDの駆動回路を提供する。 【解決手段】 データ信号と走査信号をパネルの各画素
に伝送するデータドライバとゲートドライバを含むAM
ELDの駆動回路において、前記データドライバは仮格
納された制御信号をラッチするラッチ部と、ラッチした
制御信号によって特定のレベルのリファレンス電流をR
GB別のデータ信号に出力する複数のデジタル−アナロ
グコンバータとを備えたことを特徴とする。即ち、n個
の基準電流値を仮に選定して、nビットのデジタル入力
信号に従って選択/非選択して所望のグレー階調を表現
し、電圧が一定に保持された電圧端と各RGBチャネル
別に電圧が変化する電圧端を備えて各カラー別の出力電
流値を調節することを技術的特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はディスプレイ素子の
駆動回路に関し、特に、デジタル信号で駆動可能なアク
ティブマトリックス電界発光素子(AMELD:Active
Matrix Electroluminescence Device)の駆動回路に関
する。
【0002】
【従来の技術】前記AMELDは、板状の発光層の両面
に電極をマトリックス状に形成された電界発光を用いた
発光体であり、大きく画面表示部と駆動回路部とに区分
される。AMELDは、広い視野角、高速応答性、高コ
ントラスト、低電圧駆動、低電力消費などの優れた特徴
を有しており、薄くて軽く、色感が優れているため、最
近の大型化の傾向に対応することができる次世代の平面
表示素子である。
【0003】一方、ディスプレイ素子は、カラー表示の
ような膨大な量の情報を表示するために、白と黒状態の
間に幾つかの中間段階を更に有するが、これを実現する
ためには、液晶に印加される電圧の強度を調節する方法
と電流の強度を調節する方法とがある。2つの方法の
内、電圧を調節する方法は、電圧によって光透過量が変
化する特性を用いて階調を調節するものであって、外部
から印加された電圧を調節して、データ電圧による画面
の明るさの変化を液晶のしきい値電圧に対するパラメー
タとして抽出する。ここで、前記しきい値電圧は、電圧
を漸増させた場合に透過率の変化が本格的に起こり始め
る電圧を云い、前記しきい値電圧が大きいと、液晶に印
加すべき電圧も大きくなり、結局、電力消耗を増加させ
る要因になり得る。
【0004】さらに、電圧に対する透過度の関係は非線
形なので、所望の透過度を得るための電圧調節には困難
が伴なう。即ち、実際の画像を実現する際には、何段階
かの印加電圧によって透過率の階調を制御することにな
るが、電圧を一定間隔の段階に分ける場合、透過率の非
線形性のため、透過率にむらを生じる。つまり、印加電
圧を一定刻みの段階にしても、透過率の刻み幅は不均一
になるので、繊細な階調表示が難しくなり、結果的に、
画像の繊細さが失われる。
【0005】反面、電流の強度に対する透過度の関係は
線形性を有するので、電流の調節方法は電圧の調節方法
よりはるかに正確且つ容易である。
【0006】以下に、添付の図面を参照して一般的なA
MELD駆動回路の構造を概略的に説明する。
【0007】図1は一般的なAMELD駆動回路の構造
を示す概略図である。一般的なAMELD駆動回路は、
図1に示すように、ディスプレイに電源を供給する電源
供給部10と、信号源の外部のマイクで制御部と映像信
号をインタフェースするインタフェース部11と、該イ
ンタフェース部11を介して伝送された映像信号を格納
するメモリ部12と、該メモリ部12に格納した映像信
号を入力され、前記電源供給部10から入力される電源
をディスプレイパネル18のデータ信号で出力するソー
スドライバ15と、ディスプレイパネル18の各画素に
データ信号が印加され得るようにTFTをオンさせる走
査信号を出力するゲートドライバ16と、前記ソースド
ライバ及びゲートドライバで必要な各種のタイミング信
号を発生し、制御するタイミング制御部17とから構成
されている。前記信号源としてはコンピュータや動画像
ディスプレイのためのレーザディスクプレイヤーなどが
ある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は電流駆動用I
Cで集積化が可能であり、nビットのデジタル信号を受
けて、各RGBチャネル別の出力電流値の調節の可能な
AMELDの駆動回路を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のAMELDの駆動回路は、データ信号と
走査信号をパネルの各画素に伝送するデータドライバと
ゲートドライバを含むAMELDの駆動回路において、
前記データドライバは仮格納された制御信号をラッチす
るラッチ部と、ラッチした制御信号によって特定のレベ
ルのリファレンス電流をRGB別のデータ信号に出力す
る複数のデジタル−アナログコンバータとを備えて構成
されることを特徴とする。
【0010】即ち、n個の基準電流値を仮に選定して、
nビットのデジタル入力信号に従って選択/非選択して
所望のグレーを表現し、電圧が一定に保持された電圧端
と各RGBチャネル別に電圧が変化する電圧端を備えて
各カラー別の出力電流値を調節することを技術的特徴と
している。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態によるA
MELDの駆動回路を添付の図面に沿って詳細に説明す
る。
【0012】図2は一般的なAMELDのデータドライ
バの構成図である。図2を参考にしてAMELDのデー
タドライバに対して説明すると、データクロック(Data
Clock)により外部から入力されたRGBのデジタル信
号を仮に格納するシフトレジスタ部と、前記シフトレジ
スタ部から印加されたRGBのデジタル信号を制御信号
によりラッチするラッチ部と、前記ラッチ部からラッチ
したRGBのデジタル信号(D〜D)を受けて、R
GBのアナログ信号に変換させるデジタル−アナログコ
ンバータ(以下、DAC)部から構成されている。この
場合、前記DAC部は複数個の電流DACから構成さ
れ、それぞれの電流DACはリファレンスブロックから
のリファレンス電流源(I〜I)を複数個のスイッ
チ素子の制御信号にして、前記RGBのデジタル信号
(D〜D)を仮に組み合わせて特定のレベルの電流
を出力することにより、各画素に接続されるデータライ
ンに特定のシンク電流を送り出す。
【0013】第1,第2実施形態 図3は本発明の第1実施形態による駆動回路図であり、
図4は本発明の第2実施形態による駆動回路図である。
本発明の第1実施形態によるAMELDの駆動回路は複
数個のリファレンス電流源(I,I,...,
)を仮に組み合わせて特定のレベルのリファレンス
電流を出力するリファレンス電流出力部Iと、リファレ
ンス電流出力部から出力される特定のレベルのリファレ
ンス電流を受けてシンク電流のレベルを調整するシンク
電流調節部(II)とから構成されている。この場合、
前記リファレンス電流出力部(I)は入力端にそれぞれ
互いに異なるレベルの電流(I,I,...,
)が印加され、その出力端は共通に接続され制御信
号(D,D,...,D)によってその出力レベ
ルが決定される複数個のスイッチ素子から構成されてい
る。ここで、前記スイッチ素子は薄膜トランジスタであ
る。
【0014】つぎに、前記シンク電流調節部(II)は
第1,第2電圧端(V,V)と、カレントミラー型
を成す多数のトランジスタとから構成されている。前記
トランジスタには前記リファレンス電流出力部(I)の
出力端と第1電圧端(V)との間に接続された第1ト
ランジスタ(T)と、第2電圧端(V)とデータラ
インに接続される第2トランジスタ(T)があり、前
記第1トランジスタ(T)のゲートと第2トランジス
タ(T)のゲートは共通に前記リファレンス電流の出
力端と接続される。
【0015】前記デジタル駆動回路で第1電圧端
(V)は一定に保持された電圧の一例として主に接地
電圧を用いることができるが、ポジティブ電圧又はネガ
ティブ電圧を用いることもできる。つぎに、第2電圧端
(V)はRGB別に他のレベルの特定の電圧を印加す
るが、このような方法で電圧レベルを調節すると、シン
ク電流のレベルが増加又は減少することにより、データ
ライン(D/L)に特定の電圧レベルが伝達される。こ
こで、基準電流I,I,....In−1,I
レベルは仮に設定可能であり、最も簡単な例としてバイ
ナリウェートを与える。即ち、「I=2In―1=2
n―2 … =2n−2=2n−1」式
を満足するように電流のレベルを設定する。その他にラ
ンマコレクション(ramma correction)でリファレンス
電流のレベルを設定することも可能である。制御信号の
,D,....,Dは入力されるアナログ信号
に対して変換されたnビットを構成するデジタル入力信
号である。
【0016】一方、第2実施形態は、図4に示すよう
に、前記第1実施形態におけるリファレンス電流出力端
(I)と第1トランジスタ(T)の入力端との間に電
流遮断スイッチ(SI)を更に設けることを特徴とす
る。
【0017】第3,第4実施形態 図5は本発明の第3実施形態による駆動回路図であり、
図6は本発明の第4実施形態による駆動回路図である。
本発明の第3実施形態によるAMELD駆動回路図もリ
ファレンス電流出力部(I)とシンク電流調節部(I
I)とから構成されている。前記リファレンス電流出力
部(I)は入力端にそれぞれ互いに異なるレベルの電流
(I,I,...,I)が印加され、その出力端
は共通に接続され、制御信号(D,D,....,
)によってその出力レベルが決定される複数個のス
イッチ素子から構成されている。ここで、前記スイッチ
素子は薄膜トランジスタである。
【0018】前記シンク電流調節部(II)は第1電圧
端と、前記リファレンス電流出力部の出両端と前記第1
電圧端(V)との間に直列に接続された第1トランジ
スタ(T)と固定抵抗(R)と、前記第1電圧端
(V)とデータライン(D/L)との間に接続された
第2トランジスタとから構成され、前記第1トランジス
タと第2トランジスタのゲートは共通に前記リファレン
ス電流出力端と接続されている。
【0019】より詳細に説明すると、前記複数個の制御
信号、即ち、デジタル入力信号(D
,....,D)によってリファレンス電流源
(I,I,...,I)のレベルが選択的に制
御、組み合わせられて前記リファレンス電流出力部に出
力される特定のレベルのリファレンス電流が第1,第2
トランジスタのゲートに入力され、第1電圧端から印加
される電圧を制御して、データラインから流れ込むシン
ク電流値を調節する。この場合、前記第1電圧端から印
加される電圧は接地電圧、ポジティブ電圧又はネガティ
ブ電圧のうち何れかから設定する。
【0020】固定抵抗はR,G,B別に違うレベルの電
圧に設定して各R,G,Bチャネルを駆動する。即ち、
リファレンス電流出力部(I)から出力される同一な特
定レベルのリファレンス電流で各カラー別の出力シンク
電流値を調節できるので、AMELD駆動回路の集積化
が可能である。以上で前記リファレンス電流源のレベル
は仮設定し、例えば、「I=2I ―1= … =2
n−2=2n−1」式を満足するように定めら
れる。
【0021】一方、第4実施形態は、図6に示すよう
に、前記第3実施形態におけるリファレンス電流出力端
(I)と第1トランジスタ(T1)の入力端との間に電
流遮断スイッチ(S1)を更に設けることを特徴とす
る。
【0022】第5,第8実施形態 図7は本発明の第5実施形態による駆動回路図である。
本発明の第5実施形態によるAMELD駆動回路図もリ
ファレンス電流出力部(I)とシンク電流調節部(I
I)とから構成されている。前記リファレンス電流出力
部(I)は入力端にそれぞれ互いに違うレベルのリファ
レンス電流(I,I,...,I)が印加され、
その出力端は共通に接続され、制御信号(D
,....,D)によってその出力レベルが決定
される複数個のスイッチ素子から構成されている。ここ
で、前記スイッチ素子は薄膜トランジスタである。
【0023】前記シンク電流調節部(II)は第1電圧
端(V)と、前記リファレンス電流出力部の出力端と
前記第1電圧端(V)との間に直列に接続された可変
抵抗(R),第1トランジスタ(T),及び固定抵
抗(R)と、前記第1電圧端(V)とデータライン
(D/L)との間に接続された第2トランジスタ
(T )及び第3トランジスタ(T)とから構成さ
れ、前記第3トランジスタのゲートは、前記可変抵抗
(R)と第1トランジスタのドレインが接続された第
1ノード(N)との間に接続され、前記第1,第2ト
ランジスタのゲートは、第2トランジスタのソースと第
3トランジスタのドレインが接続された第2ノード(N
)に共通に接続される。
【0024】前記可変抵抗(R)はリファレンス電流
出力部からデータ電圧が印加されるときパネル内に全て
のTFTが同一な特性を有し得るようにその抵抗値が調
整される。
【0025】前記第1,第3トランジスタはカレントリ
ピーター(current repeater)を構成して、データライ
ン(D/L)から第1電圧端の側に流れる電流量が第1
ノードに供給される電流量に従って変化する。すなわ
ち、データラインから第3,第2トランジスタを経由し
て、第1電圧端の側に流れる逆方向電流がリファレンス
電流出力端の電圧に従って変化する。
【0026】前記第1,第2トランジスタはカレントミ
ラーを形成するため、データラインから第1電圧端の側
に供給される電流量は第3トランジスタに流れる電流量
により定められる。
【0027】前記固定抵抗の抵抗値はR,G,Bによっ
て異なるように設定される。すなわち、同一な画素電圧
が印加されたとき、データラインから第1電圧端の側に
流れる電流量は固定抵抗の抵抗値により定められる。
【0028】かかる固定抵抗は第8実施形態を示す図1
0のように、第2トランジスタと第1電圧端との間に接
続することもできる。前記固定抵抗により、第1,第2
トランジスタのゲートに入力され、第1電圧端から印加
される電圧を制御して、データラインから流れるシンク
電流値を調節する。この場合、前記第1電圧端に印加さ
れる電圧は接地電圧、ポジティブ電圧又はネガティブ電
圧のうち何れかから設定される。すなわち、リファレン
ス電流出力部(I)から出力される同一な特定のレベル
のリファレンス電流で各カラー別の出力シンク電流値を
調節できるので、AMELD駆動回路の集積化が可能で
ある。また、可変抵抗値を調節して全体パネルの明るさ
を調節することができる。
【0029】第6,第7実施形態 図8は本発明の第6実施形態による駆動回路図であり、
図9は本発明の第7実施形態による駆動回路図である。
本発明の実施形態によるAMELDは、図8に示すよう
に、複数のリファレンス電流源を仮に組み合わせて特定
のレベルのリファレンス電流を出力するリファレンス電
流出力部(I)と、そのリファレンス電流出力部(I)
から出力されるリファレンス電流を受けてシンク電流の
レベルを調整するシンク電流調節部(II)とから構成
されている。前記リファレンス電流出力部(I)は、入
力端にそれぞれ互いに異なるレベルのリファレンス電流
(I,I,...,I)が印加され、その出力端
が共通に接続されてnビットの制御信号(D
,....,D)によってその出力レベルが決定
される複数のスイッチ素子から構成されている。ここ
で、前記スイッチ素子は薄膜トランジスタである。
【0030】前記シンク電流調節部(II)は第1電圧
端(V)と、固定抵抗(R)と、前記リファレンス
電流出力部(I)の出力端と前記第1電圧端(V)と
の間に接続された第1トランジスタ(T)及び前記固
定抵抗(R)と直列に接続され、データラインと前記
第1電圧端(V)に接続された第2トランジスタ(T
)を含むカレントミラー構造から構成されている。但
し、前記第1トランジスタ(T)と第2トランジスタ
(T)のゲートは共通に前記リファレンス電流出力部
の出力端と接続される。
【0031】前記固定抵抗(R)は第1電圧端
(V)と直接に接続されるが、前記第1電圧端
(V)を一定の電圧で固定させ、各RGB別に抵抗値
が変化する固定抵抗(R)を使用して、各RGBチャ
ネル別の出力シンク電流を調節する。
【0032】つぎに、前記リファレンス電流出力部
(I)からnビットの制御信号(D
,....,D)によってn個のリファレンス電
流源が選択又は非選択され、リファレンス電流出力部か
ら統合的に出力されるので、R,G,Bの間の所望の中
間階調を表現することができる。例えば、6ビットの駆
動回路を使用すると64階調を作ることができる。フル
カラーを要求するモニターでは256階調になると16
00万色以上が実現可能である。
【0033】一方、第7実施形態は、図9に示すよう
に、前記第6実施形態におけるリファレンス電流出力端
(I)と第1トランジスタ(T1)の入力端との間に電
流遮断スイッチ(S1)を更に設けたことを特徴とす
る。
【0034】第9,第10,第11,第12,第13実
施形態 図11は本発明の第9実施形態による駆動回路図であ
り、図12は本発明の第10実施形態による駆動回路図
である。本発明の実施形態によるAMELDは、図11
に示すように、特定のレベルのリファレンス電流を出力
するリファレンス電流出力部(I)と、シンク電流のレ
ベルを調整するシンク電流調節部(II)とから構成さ
れている。前記リファレンス電流出力部(I)は、入力
端にそれぞれ互いに異なるレベルのリファレンス電流
(I,I,...,I)が印加され、その出力端
が共通に接続されてnビットの制御信号(D
,....,D)によってリファレンス電流が組
み合わされ特定の出力レベルが決定されるn個のスイッ
チ素子から構成されている。この場合、前記スイッチ素
子は薄膜トランジスタである。
【0035】前記シンク電流調節部(II)は第1電圧
端(V)と、第1,第2トランジスタ(T,T
と、前記リファレンス電流出力部(I)の出力端と前記
第1電圧端(V)との間に直列に接続された第1,第
3トランジスタ(T,T)及び前記第1電圧端(V
)とデータラインとの間に直列に接続される第2,第
4トランジスタ(T,T)から構成され、前記第3
トランジスタと第4トランジスタのゲートは共通に前記
リファレンス電流出力部(I)の出力端の第1ノード
(N)に接続され、前記第1トランジスタのゲートと
第2トランジスタのゲートは外部から一定の電圧で制御
する特定の電圧Vbiasに共通に接続される。前記V
biasは通常3.3Vにする。前記第1電圧端はRG
B別に出力されるシンク電流のレベルを調節するために
外部から制御して印加する電圧である。
【0036】一方、第10実施形態は、図12に示すよ
うに、前記第9実施形態におけるリファレンス電流出力
端(I)と第1ノード(N)との間に電流遮断スイッ
チ(S)を更に設けたことを特徴とする。
【0037】第11実施形態は、図13に示すように、
前記第9実施形態におけるリファレンス電流出力端
(I)と第1ノード(N)との間に可変抵抗(R
を更に設け、第3,第4トランジスタに共通に接続され
た第1電圧端を分割して第3トランジスタには第1電圧
端を接続し、第4トランジスタには第2電圧端を接続す
る。ここで、前記第1電圧端(V)は一定の固定値と
して主に接地電圧を用いるが、ポジティブ電圧又はネガ
ティブ電圧を用いることもでき、前記第2電圧端
(V)はRGB別に違うレベルの特定の電圧を印加す
るが、このような方法で電圧レベルを調節すると、シン
ク電流(Isink)のレベルが増加又は減少すること
によりデータラインに特定の電圧レベルが伝達される。
【0038】第12実施形態は、図14に示すように、
前記第9実施形態におけるリファレンス電流出力端
(I)と第1ノード(N)との間に可変抵抗(R
を更に設け、第3トランジスタ(T)と第1電圧端
(V)との間に固定抵抗(R)を更に設けた。ここ
で、固定抵抗の抵抗値はR,G,Bにより異なるように
設定される。すなわち、同一な画素電圧が印加されたと
き、データラインから第1電圧端の側に流れる電流量は
固定抵抗の抵抗値により決定される。これにより同一な
デジタル入力信号を各カラー別のシンク電流値で調節す
ることができる。
【0039】前記第12実施形態における固定抵抗は第
13実施形態を示す図15のように、第4トランジスタ
と第1電圧端との間に接続することもできる。
【0040】第14,第15実施形態 図16は本発明の第14実施形態による駆動回路図であ
り、図17は本発明の第15実施形態による駆動回路図
である。本発明の実施形態によるAMELDは、図14
に示すように、リファレンス電流出力部(I)と、リフ
ァレンス電流出力部から出力されるリファレンス電流を
受けてシンク電流のレベルを調整するシンク電流調節部
(II)とから構成されている。
【0041】前記リファレンス電流出力部(I)は、入
力端にそれぞれ互いに異なるレベルのn個のリファレン
ス電流(I,I,...,I)が印加され、その
出力端が共通に接続されて制御信号(D
,....,D)によって前記リファレンス電流
が組み合わされ出力レベルが決定されるn個のスイッチ
素子から構成されている。ここで、前記スイッチ素子は
薄膜トランジスタである。
【0042】前記シンク電流調節部(II)は第1電圧
端(V)と、データラインと接続された第1トランジ
スタ(T)と、前記リファレンス電流出力部(I)の
出力端と前記第1電圧端(V)との間に接続された第
2トランジスタ(T)と、前記第1電圧端(V)と
データラインとの間に直列に接続される第1,第3トラ
ンジスタ(T,T)とから構成され、前記第2トラ
ンジスタ(T)と第3トランジスタ(T)のゲート
は共通に第1トランジスタ(T)のドレインと接続さ
れ、前記第1トランジスタのゲートはリファレンス電流
出力部(I)の出力端と第1トランジスタ(T)の入
力端との間の第1ノード(N)に接続される。
【0043】前記構造で、同一なデジタル入力信号下で
第1電圧端にRGB別に互いに異なる電圧を印加するこ
とだけで各RGB別のシンク電流値を調節できるので、
電流駆動用ICで集積化が可能となる。
【0044】一方、第15実施形態は、図17に示すよ
うに、前記第14実施形態におけるリファレンス電流出
力端(I)と第1ノード(N)との間に電流遮断スイ
ッチ(S)を更に設けたことを特徴とする。
【0045】以上の第2,4,7,10,15実施形態
における電流遮断スイッチ(S)はリファレンス電流
出力部(I)とシンク電流調節部(II)とを電気的に
分離するために構成したもので、D
,....,Dの制御信号によってスイッチ素子
がオン又はオフ時に発生するノイズを減少させ、電流の
消費を防止するためのものである(図4,6,9,1
2,17参照)。
【0046】ところが、本発明でnビットのデジタル入
力信号、即ち、制御信号によってスイッチ素子(S
がオン又はオフ時に生じるスイッチノイズは極く小さい
ので、これを無視した構造も可能である。前記スイッチ
素子を無視した構造を説明したのが第1,3,6,9,
14実施形態である。
【0047】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によるAM
ELDの駆動回路によれば、同一なデジタル入力信号で
各RGB別に駆動が可能なので、電流駆動用ドライバI
Cで集積化が可能である。また、デジタル入力信号がオ
ン又はオフする時に発生するノイズが小さいので、スイ
ッチノイズ減少のために導入されるスイッチ素子を排除
することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 一般的なAMELD駆動回路の構造を示す概
略図である。
【図2】 一般的なAMELDのデータ駆動回路の構成
図である。
【図3】 本発明の第1実施形態による駆動回路図であ
る。
【図4】 本発明の第2実施形態による駆動回路図であ
る。
【図5】 本発明の第3実施形態による駆動回路図であ
る。
【図6】 本発明の第4実施形態による駆動回路図であ
る。
【図7】 本発明の第5実施形態による駆動回路図であ
る。
【図8】 本発明の第6実施形態による駆動回路図であ
る。
【図9】 本発明の第7実施形態による駆動回路図であ
る。
【図10】 本発明の第8実施形態による駆動回路図で
ある。
【図11】 本発明の第9実施形態による駆動回路図で
ある。
【図12】 本発明の第10実施形態による駆動回路図
である。
【図13】 本発明の第11実施形態による駆動回路図
である。
【図14】 本発明の第12実施形態による駆動回路図
である。
【図15】 本発明の第13実施形態による駆動回路図
である。
【図16】 本発明の第14実施形態による駆動回路図
である。
【図17】 本発明の第15実施形態による駆動回路図
である。
【符号の説明】
,I,...,I:リファレンス電流源 D,D,...,D:デジタル入力信号 V,V:第1,第2電圧端 R:固定抵抗 R:可変抵抗 S:電流遮断スイッチ Isink:シンク電流 T,T:第1,第2トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09G 3/20 642 G09G 3/20 642L (72)発明者 リー, ハン サン 大韓民国 ソウル,グワナク−ク,シリム 1−ドン,1608−9,202 (72)発明者 パク ジュン キュー 大韓民国 ソウル,グワナク−ク,シリム 1−ドン,1630−17,1−トン 101− ホ Fターム(参考) 5C080 AA06 BB05 CC03 DD03 DD25 EE30 FF11 JJ02 JJ03

Claims (38)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 データ信号と走査信号をパネルの各画素
    に伝送するデータドライバとゲートドライバを含むAM
    ELDの駆動回路において、 前記データドライバは仮格納された制御信号をラッチす
    るラッチ部と、ラッチした制御信号によって特定のレベ
    ルのリファレンス電流をRGB別のデータ信号に出力す
    る複数のデジタル−アナログコンバータとを備えたこと
    を特徴とするAMELDの駆動回路。
  2. 【請求項2】 前記デジタル−アナログコンバータは、
    特定のレベルのリファレンス電流を出力するリファレン
    ス電流出力部と、該リファレンス電流出力部から出力さ
    れる特定のリファレンス電流を受けて、RGB別にシン
    ク電流のレベルを調節するシンク電流調節部とから構成
    されることを特徴とする請求項1記載のAMELDの駆
    動回路。
  3. 【請求項3】 前記シンク電流調節部の出力端はデータ
    配線に接続されたことを特徴とする請求項1記載のAM
    ELDの駆動回路。
  4. 【請求項4】 前記リファレンス電流の出力部は複数個
    のリファレンス電流源を複数個のスイッチ素子の制御信
    号によって仮に組み合わせて、特定のレベルのリファレ
    ンス電流を出力することを特徴とする請求項2記載のA
    MELDの駆動回路。
  5. 【請求項5】 前記制御信号は入力する映像アナログ信
    号に相応して変換したデジタル入力信号であることを特
    徴とする請求項1記載のAMELDの駆動回路。
  6. 【請求項6】 前記リファレンス電流源はバイナリウェ
    ート方式又はランマコレクション方式中の何れかによっ
    て仮に設定されたものであることを特徴とする請求項4
    記載のAMELDの駆動回路。
  7. 【請求項7】 前記スイッチ素子は薄膜トランジスタで
    あることを特徴とする請求項4記載のAMELDの駆動
    回路。
  8. 【請求項8】 前記シンク電流調節部は第1電圧端と、
    第2電圧端と、前記リファレンス電流出力部の出力端に
    より共通に制御される前記リファレンス電流出力部の出
    力端と前記第1電圧端との間に接続された第1トランジ
    スタ及び、前記第2電圧端とデータ配線との間に接続さ
    れる第2トランジスタが成すカレントミラー構造から構
    成されることを特徴とする請求項2記載のAMELDの
    駆動回路。
  9. 【請求項9】 前記第1電圧端は仮電圧に保持され、第
    2電圧端はRGB別に特定の電圧を外部から印加され
    て、RGB別にシンク電流のレベルを調節することを特
    徴とする請求項8記載のAMELDの駆動回路。
  10. 【請求項10】 前記リファレンス電流出力端と第1ト
    ランジスタとの間に電流遮断スイッチが更に設けられて
    いることを特徴とする請求項8記載のAMELDの駆動
    回路。
  11. 【請求項11】 前記シンク電流の調節部は第1電圧端
    と、固定抵抗と、前記リファレンス電流出力部の出力端
    によって共通に制御される前記リファレンス電流出力部
    の出力端と前記第1電圧端との間で前記固定抵抗と直列
    に接続された第1トランジスタ及び、前記第1電圧端と
    データ配線との間に接続された第2トランジスタが成す
    カレントミラー構造から構成されることを特徴とする請
    求項2記載のAMELDの駆動回路。
  12. 【請求項12】 前記固定抵抗は前記第1電圧端と前記
    第1トランジスタとの間に接続され、特定のリファレン
    ス電流下でRGB別にその抵抗値が変化する可変抵抗で
    あることを特徴とする請求項11記載のAMELDの駆
    動回路。
  13. 【請求項13】 前記第1電圧端は一定の電圧に保持さ
    れていることを特徴とする請求項11記載のAMELD
    の駆動回路。
  14. 【請求項14】 前記リファレンス電流出力端と第1ト
    ランジスタとの間に電流遮断スイッチが更に構成される
    ことを特徴とする請求項11記載のAMELDの駆動回
    路。
  15. 【請求項15】 前記シンク電流調節部は第1電圧端
    と、固定抵抗と、リファレンス電流出力部の出力端に共
    通に制御されるリファレンス電流出力部の出力端と前記
    第1電圧端との間に接続された第1トランジスタ及び、
    前記第1電圧端とデータ配線との間で前記固定抵抗と直
    列に接続された第2トランジスタが成すカレントミラー
    構造から構成されることを特徴とする請求項2記載のA
    MELDの駆動回路。
  16. 【請求項16】 前記第1電圧端は一定の電圧に保持さ
    れていることを特徴とする請求項15記載のAMELD
    の駆動回路。
  17. 【請求項17】 前記固定抵抗は前記第1電圧端と前記
    第2トランジスタとの間に接続され、特定のリファレン
    ス電流下でRGB別にその抵抗値が変化する可変抵抗で
    あることを特徴とする請求項15記載のAMELDの駆
    動回路。
  18. 【請求項18】 前記リファレンス電流の出力端と第1
    トランジスタとの間に電流遮断スイッチが更に構成され
    ることを特徴とする請求項15記載のAMELDの駆動
    回路。
  19. 【請求項19】 前記シンク電流調節部は第1電圧端
    と、第1,第2トランジスタと、前記リファレンス電流
    出力部の出力端に共通に制御される前記リファレンス電
    流出力部の出力端と前記第1電圧端との間で第1トラン
    ジスタと直列に接続された第3トランジスタ及び、前記
    第1電圧端とデータ配線との間で第2トランジスタと直
    列に接続された第4トランジスタが成すカレントミラー
    構造から構成されることを特徴とする請求項2記載のA
    MELDの駆動回路。
  20. 【請求項20】 前記第1トランジスタのゲートと第2
    トランジスタのゲートは、共通にVbiasに接続され
    ることを特徴とする請求項19記載のAMELDの駆動
    回路。
  21. 【請求項21】 前記第1電圧端はRGB別にシンク電
    流を調節するために、外部から制御して印加される電圧
    であることを特徴とする請求項19記載のAMELDの
    駆動回路。
  22. 【請求項22】 前記Vbiasは一定に外部から印加
    される電圧であることを特徴とする請求項19記載のA
    MELDの駆動回路。
  23. 【請求項23】 前記リファレンス電流の出力端と第1
    トランジスタとの間に電流遮断スイッチが更に構成され
    ることを特徴とする請求項19記載のAMELDの駆動
    回路。
  24. 【請求項24】 前記シンク電流調節部は第1電圧端
    と、第1トランジスタと、前記第1トランジスタのドレ
    インの出力値によって共通に制御されるリファレンス電
    流出力部の出力端と前記第1電圧端との間に接続された
    第2トランジスタ及び、前記第1電圧端とデータ配線と
    の間で前記第1トランジスタと直列に接続された第3ト
    ランジスタが成すカレントミラー構造から構成されるこ
    とを特徴とする請求項2記載のAMELDの駆動回路。
  25. 【請求項25】 前記第1トランジスタのゲートはリフ
    ァレンス電流出力部の出力端に接続されることを特徴と
    する請求項24記載のAMELDの駆動回路。
  26. 【請求項26】 前記第1電圧端は各RGB別に外部か
    ら特定の電圧を印加されることを特徴とする請求項24
    記載のAMELDの駆動回路。
  27. 【請求項27】 前記リファレンス電流の出力端と第1
    トランジスタとの間に電流遮断スイッチが更に構成され
    ることを特徴とする請求項22記載のAMELDの駆動
    回路。
  28. 【請求項28】 前記シンク電流調節部は、第1電圧端
    と、前記リファレンス電流出力部の出力端と前記第1電
    圧端との間に直列に接続された可変抵抗及び第1トラン
    ジスタと、 前記データラインと前記第1電圧端との間に直列に接続
    され、そのゲートが前記可変抵抗と第1トランジスタと
    の間に接続される第3トランジスタと、 前記第3トランジスタと前記第1電圧端との間に直列に
    接続され、そのゲートが前記第1トランジスタのゲート
    と共通に前記第3トランジスタのドレインに接続される
    第2トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項2
    記載のAMELDの駆動回路。
  29. 【請求項29】 前記第1電圧端は各R,G,B別に外
    部から特定の電圧を印加されることを特徴とする請求項
    28記載のAMELDの駆動回路。
  30. 【請求項30】 前記第1トランジスタと第1電圧端と
    の間にR,G,B別に特定の抵抗値で設定された固定抵
    抗が更に接続されていることを特徴とする請求項28記
    載のAMELDの駆動回路。
  31. 【請求項31】 前記第2トランジスタと第1電圧端と
    の間にR,G,B別に特定の抵抗値で設定された固定抵
    抗が更に接続されていることを特徴とする請求項28記
    載のAMELDの駆動回路。
  32. 【請求項32】 前記シンク電流調節部は、 第1、第2電圧端と、 前記リファレンス電流出力部の出力端と前記第1電圧端
    との間に直列に接続された可変抵抗、第1トランジス
    タ、及び第3トランジスタと、 前記データラインと前記第2電圧端との間に直列に接続
    され、そのゲートが前記第1トランジスタのゲートと共
    通にVbiasに接続される第2トランジスタと、 前記第2トランジスタと前記第2電圧端との間に直列に
    接続され、そのゲートが前記第3トランジスタのゲート
    と共通に前記可変抵抗と第1トランジスタとの間に接続
    される第4トランジスタと、を含むことを特徴とする請
    求項2記載のAMELDの駆動回路。
  33. 【請求項33】 前記Vbiasは一定に外部から印加
    される電圧であることを特徴とする請求項32記載のA
    MELDの駆動回路。
  34. 【請求項34】 前記第1電圧端は仮電圧に保持され、
    第2電圧端はR,G,B別に特定の電圧を外部から印加
    され、R,G,B別にシンク電流のレベルを調節するこ
    とを特徴とする請求項32記載のAMELDの駆動回
    路。
  35. 【請求項35】 前記シンク電流調節部は、第1電圧端
    と、前記リファレンス電流出力部の出力端と前記第1電
    圧端との間に直列に接続された可変抵抗、第1トランジ
    スタ、及び第3トランジスタと、前記データラインと前
    記第1電圧端との間に直列に接続され、そのゲートが前
    記第1トランジスタのゲートと共通にVbiasに接続
    される第2トランジスタと、前記第2トランジスタと前
    記第1電圧端との間に直列に接続され、そのゲートが前
    記第3トランジスタのゲートと共通に前記可変抵抗と第
    1トランジスタとの間に接続される第4トランジスタ
    と、を含むことを特徴とする請求項2記載のAMELD
    の駆動回路。
  36. 【請求項36】 前記第3トランジスタと第1電圧端と
    の間にR,G,B別に特定の抵抗値で設定された固定抵
    抗が更に接続されていることを特徴とする請求項35記
    載のAMELDの駆動回路。
  37. 【請求項37】 前記第4トランジスタと第1電圧端と
    の間にR,G,B別に特定の抵抗値で設定された固定抵
    抗が更に接続されていることを特徴とする請求項35記
    載のAMELDの駆動回路。
  38. 【請求項38】 前記第1電圧端は、R,G,B別にシ
    ンク電流を調節するために外部から制御して印加される
    電圧であることを特徴とする請求項35記載のAMEL
    Dの駆動回路。
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