JP2002236354A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも下記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｄ）、及び（Ｅ）を含有することを特徴とする電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂
（Ｂ）酸発生剤
（Ｃ１）分子内にベンゼン環原子団を３〜１０個含むフェノール誘導体であり、分子量２０００以下、ヒドロキシメチル基及びアルコキシメチル基を分子内にそれぞれ１個以上有し、それらを少なくともいずれかのベンゼン環原子団に結合している、酸の作用により架橋反応を示す架橋剤
（Ｄ）有機塩基性化合物
（Ｅ）有機溶剤
【請求項２】 さらに下記（Ｃ２）及び／又は（Ｃ３）を含有することを特徴とする請求項1記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
（Ｃ２）分子内にベンゼン環原子団を３〜１０個含むフェノール誘導体であり、分子量２０００以下、ヒドロキシメチル基を含まずアルコキシメチル基を分子内に２個以上有し、それらを少なくともいずれかのベンゼン環原子団に結合している、酸の作用により架橋反応を示す架橋剤
（Ｃ３）分子内にベンゼン環原子団を３〜１０個含むフェノール誘導体であり、分子量２０００以下、アルコキシメチル基を含まずヒドロキシメチル基を分子内に２個以上有し、それらを少なくともいずれかのベンゼン環原子団に結合している、酸の作用により架橋反応を示す架橋剤
【請求項３】 （Ｂ）酸発生剤が、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）のうちのいずれかで示される化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【化１】

〔一般式（Ｉ）〜(III)において、Ｒ₁〜Ｒ₃₇は、水素原子、アルキル基、アルコキシル基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又は−Ｓ−Ｒ₃₈で示せる基を表す。−Ｓ−Ｒ₃₈中のＲ₃₈は、アルキル基又はアリール基を表す。Ｒ₁〜Ｒ₃₈は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Ｒ₁〜Ｒ₁₅の場合、その中から選択される二つ以上は互いに直接末端で結合しあい、あるいは酸素、イオウ及び窒素から選ばれる元素を介して結合しあって環構造を形成していてもよい。Ｒ₁₆〜Ｒ₂₇の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。Ｒ₂₈〜Ｒ₃₇の場合も、同じように環構造を形成していてもよい。
Ｘ^-は、有機スルホン酸のアニオンを示す〕
【請求項４】 一般式（Ｉ）〜（III）の酸発生剤において、Ｘ^-が、ベンゼンスルホン酸、ナフタレンスルホン酸、又はアントラセンスルホン酸の中から選ばれた有機スルホン酸のアニオンであり、且つ水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換されているか、或いは水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子で置換された有機基で置換されていることを特徴とする請求項３記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物。
【請求項５】 請求項１〜４のいずれかに記載の電子線又はＸ線用ネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜に電子線又はＸ線を照射し、現像することを特徴とするパターン形成方法。