JP2002232099A - セラミック回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】回路基板の端子電極を用いてシールドケースを
安定に、また、実装基板に安定して接合できる端子電極
を構造を有するセラミック回路基板を提供すく。 【解決手段】セラミック基板１の端面に、基板の厚み方
向に延び且つ基板表面に概略横長の半長円状開口を有す
る凹部２を設けるとともに、前記凹部２の表面開口周囲
に表面導体膜３Ｚ、凹部２の内壁の中央領域４に基板１
の厚み方向に延びる端面導体膜３ｄを被着して成る端子
電極を有するセラミック回路基板であって、前記表面導
体膜３Ｚの導体距離が、端面導体膜３ｄと接続する端面
導体膜の稜線長さよりも長く設定されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装可能なセ
ラミック回路基板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器は小型軽量化、多機能化
の要求に応えるため、各種電子回路をセラミック回路基
板に実装し、このセラミック回路基板を１つの複合型の
電子部品として取り扱うようになっている。そして、こ
のセラミック回路基板の端面には、マザー基板上に表面
実装されるように端子電極が形成されていた。

【０００３】このようなセラミック回路基板の表面に
は、所定回路網を形成し、所定動作を行なうための電子
部品素子等が配置されている。特に、高周波動作を行な
う回路や外来の電磁ノイズを低減するために、セラミッ
ク基板の表面には、シールドケースが取着されていた。
尚、このようなセラミック回路基板は、各種電子回路が
複合化され、特定の機能を導出するようにしているた
め、表面実装用のモジュールとしても使用される。

【０００４】また、セラミック回路基板は、回路網を高
密度に形成するため、また、インダクタ成分や容量成分
を有する機能素子を内層化するために、積層基板を用い
ていた。

【０００５】このようなセラミック回路基板の製造方法
は、実質的に従来の多層回路基板と同様の製造方法で形
成されている。

【０００６】即ち、複数のセラミック回路基板が抽出で
きるセラミックグリーンシートを形成する。そして、こ
のグリーンシートに所定回路網を形成するビアホール導
体または端面の端子電極となる貫通孔を形成し、このビ
アホール導体となる貫通孔内に導体ペーストを充填する
に、端子電極となる貫通孔の内壁面に導体膜を導体ペー
ストの印刷により被着する。その後、各グリーンシート
上に内部配線導体となる導体膜、必要に応じて表面配線
導体となる導体膜を導体ペーストの印刷により被着形成
する。

【０００７】その後、各グリーンシートを積層基板の積
層順序に応じて積層し、大型積層基板を形成する。その
後、焼成処理を行なう。この焼成処理により、グリーン
シートや各種導体（膜）に含有する有機成分を除去し、
また、各セラミック成分やガラス成分が焼結し、さら
に、導体中の金属成分を焼結する。即ち、基板に所定強
度が得られ、導体と一体化し、導体の低抵抗化が達成さ
れることになる。

【０００８】その後、焼成された大型セラミック基板の
各基板領域の表面には、各種膜（抵抗体膜、コンデンサ
誘電体膜、絶縁保護膜など）を形成し、チップ部品や能
動素子などの電子部品素子を搭載する。

【０００９】その後、大型積層基板を回路基板領域毎に
分割または切断して、大型積層基板から抽出する。具体
的には、各回路基板領域の境界部分をあらかじめ分割溝
を形成しておき、スナップ機により分割したり、またダ
イシングなどにより切断する。

【００１０】これにより、大型基板の端子電極となる貫
通孔は、実質的と半割された凹部となり、その内壁面に
は、導体膜が形成されていることになる。

【００１１】その後、各回路基板後に、シールドケース
を取着する。具体的には、図７に示すように、シールド
ケース５の一部（延出部５ａ）を上述の端子電極（グラ
ンド電位の端子電極）３０となる凹部１２に挿入すると
ともに、シールドケース５の一部５ａと凹部１２の内壁
の導体膜１３を半田などで接合することにより行なわれ
る。

【００１２】ここで、半田接合されるグランド電位の端
子電極が形成される凹部１２の形状は、シールドケース
５の一部５ａが挿入され易いことと、回路基板１の表面
部分の面積を最大限広くすることから、基板の境界線方
向が長径となる概略長円形状であり、実際の切断、また
は分割された回路基板の表面側の形状は、概略長円形状
を長径で半割した概略横長の半長円状開口を有する凹部
１２が現れることになる。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このシールド
ケース５と回路基板１との接合は、凹部１２内の導体膜
１３に接合しており、実際に、シールドケース５の一部
５ａの内面側側で接合されることになる。しかし、こ
の、凹部１２内の導体膜１３が凹部１２の中央部分のみ
形成されているため、シールドケース５の固定状態が非
常に不安定となる。このシールドケース５と回路基板１
との接合箇所が少ないと不安定が顕著となり、セラミッ
ク回路基板の外観不良が発生してしまう。

【００１４】また、上述の端子電極３０となる導体膜１
３を導電性ペーストの印刷により形成には、その凹部１
２の中央領域のみに塗布されるように細心の注意を払う
必要がある。例えば、導体膜１３が基板１の切断または
分割される領域にまで形成されていると、切断・分割時
に、導体膜の一部がはがれてしてしまう。また、仮に、
はがれが発生しなくとも、ダイシングカットのホイール
との摩擦や分割時の機械的応力が導体膜に付与され、接
合強度が極端に低下してしまう。尚、スクリーン製版の
制御により、基板が切断、分割される領域に導体膜が付
着しないように制御しても、印刷塗布のバラツキ、ペー
スト量の偏り、吸引に偏りなどにより、貫通孔の内面で
ペーストが広がり、結果として、導体膜が切断、分割さ
れる直下の領域にまで広がる場合がある。

【００１５】これを防止するために、端子電極３０の導
体膜１３の形成領域（導体幅）を、凹部１２の開口幅に
比較して狭くすることが考えられる。しかし、シールド
ケース５の一部５ａとの接合面積が低下してしまい、そ
の結果、シールドケース５との接合強度が低下してしま
う。これは、シールドケース５を取着する構造に限ら
ず、例えば、マザーホードなどにこのセラミック回路基
板を接合する場合に場合においても同様である。

【００１６】尚、上述のシールドケース５が不安定に取
着される原因の１つとして、凹部１２となる長円形状の
貫通孔に導体ペーストを塗布した場合、曲率の大きい角
部（長径から短径に変化ふる部位）付近に導体ペースト
が集中してしまう。その結果、端子電極となる凹部１２
両端部付近の導体膜１３の厚みが特に厚くなり、一方部
側のみの角部に偏って厚くなってしまうなどが原因があ
る。本発明は上述の課題に鑑みて案出したものであり、
その目的は、導体膜のはがれがなく、また、回路基板と
マザーボードやシールドケースとの接合強度が低下する
ことがなく、また、所定形状の端子電極が容易に形成で
きるセラミック回路基板を提供する。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明は、セラミック基
板の端面に、基板の厚み方向に延び且つ基板表面に半長
円状開口を有する凹部を設けるとともに、該凹部に端子
電極を設けたセラミック回路基板であって、前記端子電
極は、前記基板表面の凹部周囲に形成した表面導体膜
と、凹部内壁に基板の厚み方向に延びる端面導体膜とか
ら成り、且つ前記表面導体膜の長さが、端面導体膜の幅
よりも長いことを特徴とするセラミック回路基板であ
る。

【００１８】また、前記セラミック基板の表面に、前記
端子電極の端子導体膜及び表面導体膜に接合するシール
ドケースが取着されている。

【００１９】さらに、前記凹部の内壁の端面導体膜が、
該凹部の内壁面より窪んだ第２の凹部内に形成されてい
る。

【００２０】さらに、前記凹部の内壁の端面導体膜が、
前記凹部の両端と接することがなく、且つ前記凹部の基
板の厚み方向に延びる複数の溝部に挟まれた領域に形成
されている。

【作用】本発明では、凹部の上面、下面である表面開口
周囲の表面導体膜の導体の周回距離が、凹部の内壁面に
おける中央部領域の端面導体膜の幅よりも長くなってい
る。

【００２１】従って、少なくとも端面導体膜が、凹部の
両端部までに到達されないため、製造工程中、大型基板
を切断または分割しても、端面導体膜がはがれたり、破
損したりすることが一切ない。

【００２２】これに対して、表面導体膜の周囲距離が端
面導体膜の幅に比較して長くなっているため、この端子
電極に接合するシールドケースやマザーボードとの接合
信頼性が向上する。

【００２３】第２の発明のように、シールドケースを回
路基板に被着するにあたり、シールドケースの延出部の
内面側において、この内面と端面導体膜及び表面導体膜
の中央部付近との間で半田などの導電性接着材を介して
接合される。また、シールドケースの延出部の厚み部分
において、端面導体膜よりも長く延びた表面導体膜の両
端部分を利用して、半田などの導電性接着材を介して接
合されることになる。これにより、シールドケースを安
定的に接合できる。尚、マザーボードのパッド部分にお
いても、表面端子電極の長さを長くして分だけ、バッド
部分との対向面積が大きくなり、その接合信頼性が向上
する。

【００２４】さらに、この端面導体膜が、例えばシール
ドケースの延出部幅に対応させるなど、端面導体膜の幅
を規定する構造として、例えば、凹部の内壁の中央領域
に、さらに窪んだ第２の凹部（窪み部）を形成する。こ
れにより、第２の凹部に被覆した端面導体膜となる導電
性ペーストは、窪み部の両端の角部に大きな表面張力が
発生し、この角部を越えて凹部の両端部側に広がること
がない。

【００２５】即ち、端面導体膜が形成されるべき、凹部
の中央領域が明確に規定でき、しかも、容易に端面導体
膜を形成することができる。

【００２６】さらに、この端面導体膜の幅を規定する構
造として、例えば、凹部の内壁に、基板の厚み方向に、
互いに平行な複数の溝部を形成し、外側に位置する溝部
間に挟まれる領域に端面導体膜を形成してもよい。

【００２７】このよう構造において、外側に位置する溝
部、例えば２つの溝部間に挟まれる領域に端面導体膜と
なる導電性ペーストを塗布し、凹部の両端部側に広がろ
うとしても、少なくとも溝部の存在により、両端部に広
がることを阻止することができる。この溝部に導電性ペ
ーストが多量に流れ込んだとしても、この溝部での表面
張力により、導電性ペーストが盛り上がることがあるに
せよ、それが凹部の両端部側に流れることがないためで
ある。この実施例では、溝部での導電性ペーストの盛り
上がり部分が、端面導体膜中において、基板の厚み方向
に延びる突条として現れる。この端面導体膜には、例え
ばシールドケースの一部の内面側に半田などの導電性接
着材を介して結合されるが、この突条の高さ分だけ、端
面導体膜とシールドケースの内面側との間で間隙が形成
せされ、半田などの導電性接着材を存在させる領域を確
保することができる。

【００２８】このように、端面導体膜を凹部の両端部側
には広がらないようにしたため、上述のように、端面導
体膜のはがれ、損傷などを防止するだけでなく、このシ
ールドケースの一部を凹部に収容して半田などの導電性
接着材で接合する点から非常に重要である。即ち、凹部
のみにおいては、凹部の角部が曲率が大きくなり、表面
張力により、導電性ペーストが集中することになる。即
ち、この角部での端面導体膜の厚みが極端に厚くなり得
る。このため導体膜が局部的に厚くなることになり、そ
の結果、シールドケースの一部が、凹部の内壁に対して
ゆがんで配置されることになり、セラミック回路基板の
外観不良となることが一切なくなる。

【００２９】結局、本発明のセラミック回路基板では、
製造工程において基板を分割または切断したとしても、
端面導体膜がこの切断、分割部分に存在しないため、端
面導体膜のはがれ、または機械的な応力の内在は一切発
生しない。

【００３０】また、表面導体膜の周回距離が、端面導体
膜の幅よりも長くなっているため、シールドケースやマ
ザーボードなどの接合において、強固な接合が達成でき
ることになる。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明のセラミック回路基
板を図面に基づいて詳説する。

【００３２】図１は本発明のセラミック回路基板の分解
斜視図であり、図２は本発明のセラミック回路基板の端
子電極部分の外観斜視図である。

【００３３】図において、１０はセラミック回路基板で
あり、１はセラミック基板であり、３は端子電極であ
り、５はシールドケースであり、７は各種電子部品であ
る。尚、端子電極３は、凹部２、凹部２の内壁に形成さ
れた導体膜３ａ、３ｃとから構成されている。また、各
端子電極3のうち、シールドケースと接合する端子電極
３は、凹部２、凹部２の内壁に形成された導体膜３ｂ、
３ｄ及び凹部２の開口周囲に形成された表面導体膜３Ｚ
とから構成されている。

【００３４】セラミック基板１は、セラミック、ガラス
セラミック、ガラスエポキシ基板などからなり、基板1
の表面には、各種電子回路網を構成する表面配線導体膜
が形成され、さらに、各種電子部品７が搭載されてい
る。尚、セラミック基板１が積層構造である場合、この
基板内１内には、所定内部配線及びビアホール導体など
が形成されている。

【００３５】また、セラミック基板１の端面には、外部
配線基板（マザーボード）と接続する端子電極３が形成
されている。端子電極３のうち、例えばグランド電位と
なる端子電極や電気的な動作に作用してない端子電極３
には、セラミック基板１の表面の各種電子部品７や表面
配線導体などの回路網を外部からの電磁ノイズから保護
し、またこの回路網から外部に電磁ノイズを放射するこ
とを防止するシールドケース５が被覆・接合されてい
る。

【００３６】このシールドケース５は、一面が開口した
金属材料からなり、シールドケース５の側面から下方に
延びた延出部５ａが形成されている。

【００３７】この延出部５ａは、上述のグランド電位な
どの端子電極（例えば導体膜３ｂ、３ｄを有する端子電
極）に半田などの導電性接着材Ｓ、Ｓ‘を介して接合さ
れる。これにより、シールドケース５はセラミック回路
基板１０に強固に固定される。ここで、端子電極３は、
特にグランド電位またはシールドケース５が接合される
端子電極３は、凹部２と、該凹部２の内壁の中央部領域
に形成された端面導体膜３ｄと、凹部２の表面開口周囲
に形成された表面導体膜３ｚとから構成されている。即
ち、図２に示すように、凹部２は長円形状の貫通孔を長
径方向に２分してなっている。そして、基板側の内壁の
中央部領域に、基板の厚み方向に全体にわたり端面導体
膜３ｄが形成されている。また、凹部２の表面開口周囲
には、この端面導体膜３ｄの稜線で接続する表面導体３
ｚが形成されていいる。そして、表面導体膜３zは、端
面導体膜3ｄと接続する稜線部分から、さらに、凹部２
の開口の両端側に広がるように形成されている。即ち、
表面導体膜３zの導体距離(開口周囲の距離)が、端面導
体膜３ｄと接続する稜線長さよりも長くなっている。
尚、図２は、基板の上面側の表面のみ示しているが、下
面側にも同様の表面導体膜を形成することが望ましい。

【００３８】次に、基板１に搭載した電子部品７などを
被覆するシールドケース５と、基板１との接合状態を図
３で説明する。まず、端子電極３の凹部２にあらかじめ
半田クリームなどの導電性接着材を塗布または供給す
る。具体的には、凹部２の中央部領域に形成された端面
導体膜３ｄ上、及び凹部２の開口周囲に表面配線導体３
ｚ上に夫々塗布する。次に、この凹部２にシールドケー
ス５の延出部５ａを挿入し、この導電性接着材で接合す
る。例えば、導電性接着材が半田である場合、半田の溶
融硬化により、また、導電性樹脂接着材であれば、熱硬
化により行う。

【００３９】これにより、シールドケース５の延出部５
ａの内面側は、実質的に端子電極３うち、凹部２の内壁
に形成された端面導体膜３ｄに導電性接着材Ｓを介して
接続する。同時に、延出部５ａの基板表面付近の内面側
及び厚み部分は、基板１の表面の導体膜３ｚとの間で導
電性接着材Ｓ‘によって接合される。

【００４０】即ち、シールドケース５の延出部５ａは、
内面側及び厚み部分（延出部５ａの側面側）の３方向か
ら強固に接合されることになる。これにより、従来に比
較して、非常に強固な接合が達成される上、特に、表面
導体膜３zと延出部５ａとの接合（例えばメニスカスの
形成）により、仮にシールドケース５が凹部２内に歪ん
で挿入されたとしても、自己補正が働き、セラミック回
路基板の外観のばらつきも防止できる。

【００４１】このようなセラミック回路基板１０の製造
方法を説明する。

【００４２】複数のセラミック基板１が抽出できる大型
セラミック回路基板を形成する。この大型セラミック基
板１の各層となるセラミックグリーンシートを公知形成
方法にて製造する。即ち、グリーンシート上に、基板の
ビアホール導体となる貫通孔を形成する。その後、この
貫通孔の内部に導体を充填するとともに、各シートの表
面に所定形状の表面配線導体や内部配線導体となる導体
パターンを形成する。同時に、大型セラミック回路基板
の上下面の表面側となるシート表面に、端子電極３の凹
部２の周囲となる領域に表面導体膜３ｚとなる導体膜を
形成する。

【００４３】この表面配線導体や内部配線導体、表面導
体膜３ｚとなる導体パターン、ビアホール導体となる導
体は、導電性ペーストの印刷または印刷充填及び乾燥に
より形成する。尚、端子電極３の表面導体膜となるパタ
ーンは、隣接しあう回路基板に跨がって、表面導体膜の
外形形状を考慮した長円形状に、さらに表面導体膜を考
慮してドーナッツ状に形成する。

【００４４】その後、上述のグリーンシートを各積層順
に積層圧着処理を行う。

【００４５】次に、未焼成状態の大型積層基板におい
て、各回路基板の端子電極３が形成される凹部２とし
て、貫通孔２０をプレスなとにより形成する。この貫通
孔２０の形成により、貫通孔の周囲には、隣接しあう基
板の端子電極３の表面導体膜３ｚとなる導体パターンが
形成されることになる。実際には、外形形状は上述の導
体パターンの形成により決定され、この工程では、内径
形状が規定されることになる。

【００４６】次に、図４に示すように、この貫通孔２０
の一方の開口（基板下面側の開口）から吸引処理して、
貫通孔２０の他方の開口（基板上面側の開口）から、こ
の貫通孔２０の一方及び他方の基板側の内壁面の中央領
域４部分のみに、導電性ペーストが塗布できる製版を利
用して、端子電極３の端面導体膜３ｄとなる導体膜を形
成する。この工程により、端面導体膜３ｄとなる導体膜
の上下側に稜線部分で、先に形成した表面導体膜３zと
なる導体パターンと導通を図ることができる。

【００４７】尚、上述のまでの工程で、例えば、大型セ
ラミック回路基板をスナップ装置などで分割する場合、
各回路領域の形状に応じて、未焼成状態の積層基板にプ
レス処理により分割溝を形成する。この分割溝の形成
は、端子電極３の表面導体膜３ｚとなる導体パターンを
形成した後であれば、どの工程で行っても構わない。

【００４８】次に、このように形成された未焼成状態の
積層基板を焼成処理する。これにより、大型セラミック
回路基板が形成される。

【００４９】次に、必要に応じて、大型セラミック回路
基板の各回路基板領域の表面に各種膜（絶縁膜、導体
膜、抵抗体膜、誘電体膜）などを形成し、さらに、各種
電子部品７を搭載し接合する。

【００５０】次に、この大型セラミック回路基板の各回
路基板領域を、分割溝にそって分割したり、または、境
界部分をダイシングソーなどによって切断処理を行う。
これにより、セラミック回路基板１０を抽出する。

【００５１】上述のように、このようなセラミック回路
基板１０においては、端子電極３の構造が重要になる。
まず、端子電極３の内壁に形成される導体膜３ａ〜３ｄ
は、所定位置、例えば中央領域４に安定して形成しない
と、従来のように切断や分割の際、分離される一方のセ
ラミック回路基板１側に取られてしまう。

【００５２】さらに、シールドケース５を接合する端子
電極３においては、凹部２に安定して配置することが困
難となる。

【００５３】端子電極３、特に、シールドケース５が接
合する端子電極３の構造は、図４のように、大型セラミ
ック基板で各セラミック基板の境界部分（図では点線）
に該略長円形状の貫通孔２０が形成される。即ち、この
貫通孔２０は、点線部分で２分した凹部２となる。

【００５４】ここで、表面導体膜３ｚとなる導体パター
ンは、貫通孔２０の略全周にわたり形成されている。し
かし、製造工程上、この導体パターンは、分割処理する
大型セラミック回路基板であっても、分割溝などを形成
する前に形成されるため、導電性ペーストが分割溝など
に沿って流れるなどの問題は一切発生しない。

【００５５】このように、結果として、凹部２の周囲に
形成された表面導体膜３ｚによって、上術のようにシー
ルドケース５を接合する場合でも、また、実装用基板の
ハッド電極に接合する場合でも、強固に機械的な接合が
でき、しかも、安定して電気的な接続が達成されること
になる。

【００５６】また、端子電極３の凹部２の内壁面の中央
領域４に形成された導体膜３dは、てこの内壁面の中央
領域４の両端側の部位には、端面導体膜が形成されてい
ないこのため、大型積層基板を点線に沿って切断、また
は分割したところで、従来の他の基板側への引きとられ
や破損などを防止している。図４の中央領域４に端面導
体膜３ｄを塗布する手段としては、例えば一方側の貫通
孔２０の開口側からの空気の流れをこの中央領域４とな
る部位に集中させ、且つ、他方の開口側からの導電性ペ
ーストの印刷領域を中央領域４のみになるように設定す
ることにより達成している。

【００５７】この他の構造として、図５に示すように、
凹部２を構成する貫通孔２０の内面に、さらに、一段と
窪んだ第２の凹部（窪み部）２１を形成し、この窪み部
２１の内壁面を端面導体膜３ｄが形成される中央領域と
する。尚、実際のセラミック回路基板では、図中の点線
で分割または切断され、この貫通孔２０が２分されて凹
部２となる。

【００５８】このような構造では、凹部２内に、窪み部
２１を形成するため、これらの交差部分に内径を部分的
に広げる形の段差が存在することになる。この段差部４
a、４ｂの内側は曲率Ｒ（凹部２の曲率に比較して当然
大きくなる）となっている。

【００５９】従って、窪み部２１の内面に塗布付着され
た導体ペーストは、曲率Ｒ２の段差部４a、4ｂに引かれ
るように、窪み部２１の内面に広がることになる。その
結果、窪み部２１の奥行き面に塗布された導体ペースト
からなる導体膜３ｄは、その内面に均一の厚みで塗布さ
れるのではなく、両側の段差部４ａに引かれる形で、２
つの段差部４ａ、４ｂに囲まれた第２の凹部４の奥行き
面のみに形成され、これ以上、即ち、凹部２の両端側の
領域に導体膜３ｄが広がることがない。これは、段差部
４ａ、4ｂの中央領域４側の曲率Ｒが全体の凹部２の曲
率に比較して大きいため、表面張力が大きくなり、その
結果、窪み部２１に塗布した導電性ペーストが段差部４
ａ、４ｂに引かれることになる。

【００６０】さらに他の構造として、図６に示すよう
に、凹部２を構成する貫通孔２０の内面に、端面導体膜
３ｄが形成される中央領域４を規定する基板の厚み方向
に延びる溝部８ａ、８ｂを形成しても構わない。尚、実
際のセラミック回路基板では、図中の点線で分割または
切断され、この貫通孔２０が２分されて凹部２となる。

【００６１】上述の溝部８ａ、８ｂとして、例えば、凹
部２の開口幅が２ｍｍ、基板の端面から奥行き面までの
深さ０．３ｍｍである場合、この溝部８ａ、８ｂとして
は、その開口幅、深さ方向ともに、０．１５〜０.２ｍ
ｍ程度となっている。

【００６２】従って、この溝部８ａ、８ｂに挟まれた中
央領域に導電性ペーストを塗布しても、この中央領域４
のみに、端子面電極３ｄとなる導体膜を維持形成でき
る。仮に、溝部８ａ、８ｂを越えて、凹部２の両端側に
導電性ペーストが広がろうとしても、この溝部８ａ、８
ｂ内にペーストが滞留し、表面張力により、この溝部８
ａ、８ｂの表面に盛り上がるだけで、凹部２の両端側に
導電性ペーストが広がらない。

【００６３】そして、従って、凹部２の内壁の中央領域
４に端面導体膜３ｄとなる導体膜を安定して形成できる
ことになる。仮に、この内壁に溝部８ａ、８ｂ部分に導
電性ペーストの盛り上がりによる導体膜の突条部が形成
してしまう。しかし、この突条部は、例えば端子電極３
とシールドケース５との接合において、延出部５ａの内
面側と接触して、端面導体膜３ｄ部分とシールドケース
５の延出部５ａの間隙を形成し、この間隙内に半田など
の導電性接着材Ｓが充填され得るため、この部分におけ
る接合が強固になり、好適であるといえる。尚、図６で
は、溝部は中央領域４の両端部を規定するために、基板
１の厚み方向に、且つ互いに平行に形成されているが、
例えば、中央領域４内に基板１の厚み方向に形成された
第３の溝部を形成しても構わない。

【００６４】尚、この溝部８ａ、８ｂは、図６に示した
ように平断面形状が円形以外に、三角形状であっても構
わない。

【００６５】図６の形状では、溝部８ａ、８ｂの形成に
より、端面導体膜３ｄと実質的に表面導体膜３Ｚとが接
続する稜線を長くできるため、両者の接続がより確実と
なる。

【００６６】また、上述の実施例では、シールドケース
５の一部が接合するグランド電位の端子電極を用いて説
明したが、通常の電源供給端子電極、信号電位の端子電
極にもこの構造を用いても構わない。

【００６７】

【発明の効果】以上のように、端子電極の凹部の上面、
下面である表面開口周囲の表面導体膜の導体の周回距離
が、凹部の内壁面における中央部領域の端面導体膜の幅
よりも長くなって形成されている。また、端面導体膜が
凹部の両端部までに到達されないため、端面導体膜がは
がれたり、破損したりすることが一切ない。

【００６８】このため、この端子電極に接合するシール
ドケースやマザーボードとの接合信頼性が向上する。

【００６９】また、安定して端面導体膜を容易、且つ確
実に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のセラミック回路基板の分解斜視図であ
る。

【図２】本発明の実施例を示す回路基板の端子電極の部
分斜視図である

【図３】本発明の端子電極部分にシールドケースを被着
した状態の部分斜視図である。

【図４】本発明のセラミック回路基板の端子電極部分の
製造工程における部分平面図である。

【図５】本発明の他のセラミック回路基板の端子電極部
分の製造工程における部分平面図である。

【図６】本発明のさらに別のセラミック回路基板の端子
電極部分の製造工程における部分平面図である。

【図７】従来のセラミック回路基板の分解斜視図であ
る。

【符号の説明】

１・・・セラミック基板 ２・・・凹部 ３・・・端子電極 ３ｂ、３ｄ・・端面導体膜 ３ｚ・・表面導体膜 ４・・中央領域 ２１・・窪み部 ８ａ、８ｂ・・溝部

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】セラミック基板の端面に、基板の厚み方向
   に延び且つ基板表面に半長円状開口を有する凹部を設け
   るとともに、該凹部に端子電極を設けたセラミック回路
   基板であって、 前記端子電極は、前記基板表面の凹部周囲に形成した表
   面導体膜と、凹部内壁に基板の厚み方向に延びる端面導
   体膜とから成り、且つ前記表面導体膜の長さが、端面導
   体膜の幅よりも長いことを特徴とするセラミック回路基
   板。
2. 【請求項２】前記セラミック基板の表面に、前記端子電
   極の端面導体膜及び表面導体膜に接合するシールドケー
   スが取着されていることを特徴とする請求項１記載のセ
   ラミック回路基板。
3. 【請求項３】前記凹部の内壁の端面導体膜が、該凹部の
   内壁面より窪んだ第２の凹部内に形成されていることを
   特徴とする請求項１記載のセラミック回路基板。
4. 【請求項４】前記凹部の内壁の端面導体膜が、前記凹部
   の両端と接することがなく、且つ前記凹部の基板の厚み
   方向に延びる複数の溝部に挟まれた領域に形成されてい
   ることを特徴とする請求項１記載のセラミック回路基
   板。