JP2002222952A - 高耐圧半導体装置 - Google Patents

高耐圧半導体装置

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JP2002222952A JP2001018013A JP2001018013A JP2002222952A JP 2002222952 A JP2002222952 A JP 2002222952A JP 2001018013 A JP2001018013 A JP 2001018013A JP 2001018013 A JP2001018013 A JP 2001018013A JP 2002222952 A JP2002222952 A JP 2002222952A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高破壊耐量を有する高耐圧半導体装置を提供
する。 【解決手段】 ｎ−型ベース層１の第１主面内にｐ型ベ
ース層２を形成し、前記ベース層２内にｎ＋型エミッタ
層３を形成し、前記ベース層１、前記ベース層２及び前
記エミッタ層３表面にゲート絶縁膜７を介してゲート電
極６を設置し、また前記ベース層１の第１主面内に、前
記ベース層２と離間してｐ＋型リング層１１を配置し、
前記ベース層２、前記エミッタ層３及び前記リング層１
１にエミッタ電極９を電気的接続し、前記ベース層１の
第２主面にｐ＋型エミッタ層５をｎ型バッファ層４を介
して形成し、前記エミッタ層５にコレクタ電極１０を設
けたＩＧＢＴにおいて、前記ｎ−型ベース層１から前記
ｐ＋型リング層１１を通して前記エミッタ電極９に流れ
る前記ｐ＋型リング層１１内の電流通路に、当該ｐ＋型
リング層１１より低抵抗を有する低抵抗領域１３を設け
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁ゲート構造を
有する高耐圧半導体装置、特に、絶縁ゲート型バイポー
ラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transist
or：以下、単にＩＧＢＴと称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＩＧＢＴは、ＭＯＳＦＥＴの高
速スイッチング特性とバイポーラトランジスタの高出力
特性とを兼ね備えた電圧駆動素子で、近年、インバータ
やスイッチング電源などのパワーエレクトロニクスの分
野で多く利用されている。
【０００３】ここで、従来のＩＧＢＴについて、一例と
して縦型ｎチャンネルＩＧＢＴを挙げ、その構造につい
て図１４及び図１５を用いて説明する。この種のＩＧＢ
Ｔは、半導体基板の周縁端部（接合終端領域に相当）を
除いた中央領域にＩＧＢＴの単位セルの集合体が短冊状
に配列されているが、ここでは、説明を簡単化するた
め、ＩＧＢＴの要部について説明する。図１４は、ＩＧ
ＢＴの要部を模式的に示す断面図、図１５は、図１４の
Ａ―Ａ’線に沿う平面図を示す。
【０００４】この種のＩＧＢＴでは、図１４に示すよう
に、ｎ−型ベース層１０１の表面には、ｐ型ベース層１
０２が拡散形成されている。前記ｐ型ベース層１０２内
には、ｎ＋型エミッタ層１０３が拡散形成されている。
前記ｎ−型ベース層１０１、前記ｐ型ベース層１０２、
前記ｎ＋型エミッタ層１０３の表面上には、ゲート絶縁
膜１０７を介してゲート電極１０６が形成されている。
また、前記ｎ＋型エミッタ層１０３及び前記ｐ型ベース
層１０２に跨ってエミッタ電極１０９が形成されてい
る。
【０００５】一方、前記ｎ型ベース層１０１の反対側の
裏面には、ｎ型バッファ層１０４を介してｐ＋型エミッ
タ層１０５が形成されている。前記ｐ＋型エミッタ層１
０５上には、コレクタ電極１１０が形成されている。
【０００６】そして、図１５に示すように、前記周縁端
部領域には、ｐ＋型リング層１１１が、素子領域及びＩ
ＧＢＴ単位セルの集合体Ｓを取囲むように形成されてい
る。また、前記周縁端部には、該周縁端部に沿ってリン
グ状のｎ＋型拡散層１１４が形成され、且つ前記ｎ＋型
拡散層１１４上には、リング状の電極１１５が形成さ
れ、前記ｎ＋型拡散層１１４と前記電極１１５とでリン
グ状の等電位層１１６が構成されている。また、前記p
＋型リング層１１１と前記ｎ＋拡散層１１４との間に
は、前記ｐ＋型リング層１１１と接してｐ−型リサーフ
層１１２が形成されている。図中、１０８は、絶縁保護
被膜を示す。
【０００７】上記ＩＧＢＴの動作について説明する。
【０００８】まず、ターンオン時の動作について説明す
る。即ち、前記コレクタ電極１１０と前記エミッタ電極
１０９間に、正バイアス(コレクタ電極１１０がプラス)
が印加された状態で、前記エミッタ電極１０９に対して
前記ゲート電極１０６に、正の電圧(正バイアス)を印加
すると、前記ｐ型ベース層１０２と前記ゲート絶縁膜１
０７の界面付近にｎ型の反転層が形成され(図示せず)、
前記ｎ＋型エミッタ層１０３から前記ｎ型ベース層１０
１中に電子が注入される。この電子の注入量に応じて正
孔が前記ｐ＋型エミッタ層１０５から前記ｎ−型ベース
層１０１中に注入され、前記ｎ−型ベース層１０１中に
キャリアが充満して伝導度変調を起こし、前記ｎ−型ベ
ース層１０１の抵抗が低下してＩＧＢＴがターンオン状
態になる。
【０００９】次に、ターンオフ時の動作について説明す
る。即ち、上記ターンオン状態において、前記ゲート電
極１０６に負バイアスを印加すると、前記ｐ型ベース層
１０２と前記ゲート絶縁膜１０７との界面付近のｎ型反
転層が消失し、前記ｎ＋型エミッタ層１０３から前記ｎ
−型ベース層１０１中への電子の注入が停止する。その
結果、前記ｐ＋型エミッタ層１０５中から前記ｎ−型ベ
ース層１０１中への正孔の注入が止まる。その後、前記
ｎ−型ベース層１０１中に充満したキャリアは排出さ
れ、前記ｐ型ベース層１０２と前記ｎ型ベース層１０１
との接合から空乏層が広がり、ＩＧＢＴは阻止状態とな
る。
【００１０】ターンオフ動作中に前記ｎ−型ベース層１
０１中に蓄積された正孔は、前記ｐ型ベース層１０２を
通って前記エミッタ電極１０９に排出されると共に前記
ｐ＋型リング層１１１を通って前記エミッタ電極１０９
に排出されるが、前記ｐ＋型リング層１１１は通常面積
をかなり広く取るため、正孔電流は、前記ｐ＋型リング
層１１１と前記エミッタ電極１０９とのコンタクト部に
集中する。更に、前記コンタクト部で流しきれなくなっ
た過剰な正孔電流は、隣接する前記ｐ型ベース層１０２
に集中して流れるようになる。この集中した電流によっ
て前記ｐ型ベース層１０２の電位が上昇し、前記ｎ＋型
エミッタ層１０３との間の接合電位(通常０．７Ｖ程度)
以上に上昇すると、前記ｎ＋型エミッタ層１０３から前
記ｎ−型ベース層１０１中へ電子が直接注入されるラッ
チアップ状態に移行する。この結果、ラッチアップした
部分に電流が、更に、集中し、ＩＧＢＴの熱破壊を起こ
すに至るという問題があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記したように、従来
のＩＧＢＴでは、ｐ＋型リング層に集中した電流が隣接
するｐ型ベース層に流れ込んでラッチアップを引き起こ
しやすくなるという問題があった。
【００１２】本発明は、上記課題に鑑みなされたもの
で、その目的とするところは、装置周辺からの電流集中
によるラッチアップを防ぎ、高破壊耐量を実現し得る高
耐圧半導体装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の発明（請求項１）に係る高耐圧半導体装置
は、対向する第１及び第２主面と周縁端部とを有する第
１導電型の第１ベース層と、前記第１ベース層の前記第
１主面内に選択的に形成された第２導電型の第２ベース
層と、前記第２ベース層内に選択的に形成された第１導
電型の第１エミッタ層と、前記第１ベース層、前記第２
ベース層及び前記第１エミッタ層表面にゲート絶縁膜を
介して設置されたゲート電極と、前記第１ベース層の第
１主面内に、前記第２ベース層と離間して近接配置され
た第２導電型のリング層と、前記第２ベース層、前記第
１エミッタ層及び前記リング層に電気的に接続された第
１主電極と、前記第１ベース層の前記第２主面に形成さ
れた第２導電型の第２エミッタ層または第1導電型のド
レイン層と、前記第２エミッタ層または前記ドレイン層
に形成された第２主電極とを具備し、前記第１ベース層
から前記リング層を通して前記第１主電極に流れる前記
リング層内の電流通路に、当該リング層より低抵抗を有
する低抵抗領域を設けたことを特徴としている。
【００１４】また、上記目的を達成するために、第２の
発明（請求項２）に係わる高耐圧半導体装置では、対向
する第１主面及び第２主面と周縁端部とを有する第１導
電型の第１ベース層と、前記第１ベース層の前記第１主
面内に選択的に形成された第２導電型の第２ベース層
と、前記第２ベース層内に選択的に形成された第１導電
型の第１エミッタ層と、前記第１ベース層、前記第２ベ
ース層及び前記第１エミッタ層表面にゲート絶縁膜を介
して設置されたゲート電極と、前記第１ベース層及び前
記第１ベース層の周縁端部間の前記第１主面内に形成さ
れた第２導電型のリング層と、前記リング層及び前記第
１ベース層の周縁端部間の前記第１主面内に形成された
絶縁保護被膜と、前記第２ベース層、前記第１エミッタ
層及び前記リング層に電気的に接続された第１主電極
と、前記第１ベース層の前記第２主面に形成された第２
導電型の第２エミッタ層または第1導電型のドレイン層
と、前記第２エミッタ層または前記ドレイン層に形成さ
れた第２主電極とを具備し、前記第１ベース層から前記
リング層を通して前記第１主電極に流れる前記リング層
内の電流通路に、当該リング層より低抵抗を有する低抵
抗領域を設けたことを特徴としている。
【００１５】上記構成の第１及び第２の発明によれば、
前記第１ベース層から前記リング層を通して前記第１主
電極に流れる前記リング層内の電流通路に、当該リング
層より低抵抗を有する低抵抗領域を設けているため、前
記リング層に集中する正孔電流を、より多く、前記低抵
抗領域を通じて前記第１主電極に流すことができる。
【００１６】そのため、隣接する第２ベース層の電位上
昇を防ぐことができ、装置の破壊耐量を向上させること
ができる。
【００１７】上記第２の発明に係わる高耐圧半導体装置
においては、絶縁保護被膜として、半絶縁性物質、例え
ばＳＩＰＯＳを用いることが好ましい。この構成によれ
ば、外部からの電界の影響ＳＩＰＯＳにより遮断するこ
とができる。
【００１８】また、前記ゲート絶縁膜は、前記第１ベー
ス層上における膜厚が前記第２ベース層と前記第１エミ
ッタ層との間における膜厚より厚く形成されてもよい。
【００１９】更に、上記目的を達成するために、第３の
発明（請求項４）に係わる高耐圧半導体装置では、対向
する第１主面及び第２主面と周縁端部とを有する第１導
電型の第１ベース層と、前記第１ベース層の前記第１主
面に間隔をもって埋め込まれた絶縁ゲートと、前記絶縁
ゲートで挟まれた前記第１ベース層内に、前記絶縁ゲー
トと接して形成された第２導電型の第２ベース層と、前
記第２ベース層内に選択的に設けられ、且つ前記絶縁ゲ
ートと接して形成された第１導電型の第１エミッタ層
と、最外側の前記絶縁ゲートと前記第１ベース層の周縁
端部と間の第１主面内に、前記絶縁ゲートと接して形成
された第２導電型のリング層と、前記第２ベース層、前
記第１エミッタ層及び前記リング層に電気的に接続され
た第１主電極と、前記第１ベース層の前記第２主面に形
成された第２導電型の第２エミッタ層と、前記第２エミ
ッタ層に形成された第２主電極とを具備し、前記第１ベ
ース層から前記リング層を通して前記第１主電極に流れ
る前記リング層内の電流通路に、当該リング層より低抵
抗を有する低抵抗領域を設けたことを特徴としている。
【００２０】上記第３の発明によれば、前記第１ベース
層から前記リング層を通して前記第１主電極に流れる前
記リング層内の電流通路に、当該リング層より低抵抗を
有する低抵抗領域を設けているため、前記リング層に集
中する正孔電流を、より多く、前記低抵抗領域を通じて
前記第１主電極に流すことができる。そのため、隣接す
る第２ベース層の電位上昇を防ぐことができ、装置の破
壊耐量を向上させることができる。
【００２１】上記第３の発明に係わる高耐圧半導体装置
において、好ましい実施形態としては、次のものが挙げ
られる。 （１）前記第１主電極は、全ての前記絶縁ゲート間の前
記第２べース層及び前記第１エミッタ層に電気的接続さ
れてなること。 （２）前記第１主電極は、全ての前記絶縁ゲート間のう
ち、選択された絶縁ゲート間の前記第２べース層及び前
記第１エミッタ層のみに電気的接続されてなること。
【００２２】また、上記第１乃至第３の発明に係わる高
耐圧半導体装置において、次のように構成してもよい。 （１）前記第１ベース層の周縁端部に、第１導電型の等
電位層を形成してもよい。 （２）前記リング層と前記第１ベース層の周縁端部間の
前記第１主面内に、前記リング層と同導電型で、且つ低
不純物濃度の第２導電型のリサーフ層を、前記リング層
から前記第１ベース層の周縁端部に向かって延在形成し
てもよい。 （３）前記絶縁保護被膜上に、一端部が前記第1主電極
と電気的に接続され、且つ他端部が前記第１ベース層の
周縁端部方向に延在するフィールドプレートを形成して
もよい。 （４）前記リング層と前記第１ベース層の周縁端部間の
前記第１主面内に、前記リング層と同導電型で、且つ高
不純物濃度を有する少なくとも１条のガードリング層を
形成してもよい。 （５）前記第１主電極と前記第２ベース層及び前記第１
エミッタ層との電気的接続は、各当該層表面より下方に
位置する層内部にて行ってもよい。 （６）前記第１主電極と前記第２ベース層、前記第１エ
ミッタ層及び前記リング層内の前記低抵抗領域との電気
的接続は、各当該層表面より下方に位置する層内部にて
行ってもよい。 （７）前記低抵抗領域は、導電性物質からなることが好
ましい。 （８）前記導電性物質は、前記第1主電極と同種金属、
又は前記リング層と同導電型で、且つ高不純物濃度のを
有する半導体からなることが好ましい。 （９）前記低抵抗領域は、前記リング層の中央部より前
記第２ベース層側に配置されてなることが好ましい。 (10)前記低抵抗領域は、前記リング層内に設けられたト
レンチと、前記トレンチ内部に形成され、且つ前記第１
主電極と電気的に接続された導電性物質とから構成され
てなることが好ましい。
【００２３】更にまた、上記目的を達成するために、第
４の発明（請求項１９）に係わる高耐圧半導体装置で
は、対向する第１及び第２主面を有する第１導電型の第
１ベース層と、前記第１ベース層の前記第１主面内に、
互いに離間して選択的に形成された複数の第２導電型の
第２ベース層と、各前記第２ベース層内に選択的に形成
された第１導電型の第１エミッタ層と、前記第１ベース
層間の第１主面内に、前記第２ベース層と離間して形成
された第２導電型のリング層と、前記第１ベース層、前
記第２ベース層及び前記第１エミッタ層上に、各々、ゲ
ート絶縁膜を介して設置されたゲート電極と、前記第２
ベース層及び前記第１エミッタ層の各々と電気的に接続
され、且つ前記リング層内の当該第２ベース層側におい
て、各々、電気的に接続された第１主電極と、前記第１
ベース層の前記第２主面に形成された第２導電型の第２
エミッタ層または第1導電型ドレイン層と、前記第２エ
ミッタ層または前記ドレイン層に形成された第２主電極
とを具備し、前記第１ベース層から前記リング層を通し
て各前記第１主電極に流れる前記リング層内の電流通路
に、各々、当該リング層より低抵抗を有する低抵抗領域
を設けたことを特徴としている。
【００２４】上記第４の発明によれば、前記第１ベース
層から前記リング層を通して前記第１主電極に流れる前
記リング層内の電流通路に、当該リング層より低抵抗を
有する低抵抗領域を設けているため、前記リング層に集
中する正孔電流を、より多く、前記低抵抗領域を通じて
前記第１主電極に流すことができる。
【００２５】そのため、隣接する第２ベース層の電位上
昇を防ぐことができ、装置の破壊耐量を向上させること
ができる。
【００２６】上記第４の発明に係わる高耐圧半導体装置
において、好ましい実施形態としては、次のものが挙げ
られる。 （１）前記低抵抗領域が、導電性物質からなること。 （２）前記導電性物質が、前記第1主電極と同種の金
属、又は前記第２導電型リング層と同導電型で、且つ高
不純物濃度のを有する半導体からなること。 （４）前記低抵抗領域が、前記第２導電型リング層の中
央部より前記第２ベース層側に配置されてなること。 （５）前記低抵抗領域は、前記リング層内に設けられた
トレンチと、前記トレンチ内部に形成され、且つ前記第
１主電極と電気的に接続された導電性物質とから構成し
てなること。 （６）前記トレンチは、前記リング層の中央部より前記
第２ベース層側に配置されてなること。 （７）前記導電性物質は、前記トレンチ内部に埋め込ま
れてなること。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態（以
下、実施形態と称する）について、図面を参照して説明
する。
【００２８】なお、高耐圧半導体装置では、半導体基板
の周縁端部領域（接合終端領域に相当）を除いた中央領
域に装置の単位セルの集合体が短冊状に配列されてなる
が、以下、各実施形態としては、説明を簡単化するた
め、装置の要部について説明する。また、以下の説明に
おいて、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型とする。
【００２９】(第１の実施の形態)まず、本発明の第１の
実施形態に係わるＩＧＢＴについて、図１及び図２を用
いて説明する。図１は、そのＩＧＢＴの主要部分を模式
的に示す断面図、図２は、図１のＡ−Ａ’に沿う平面図
である。
【００３０】この半導体装置においては、図1に示すよ
うに、ｎ−型ベース層（第１ベース層）１は、対向する
第１主面(上面)及び第２主面（裏面）を有しており、前
記主面はＩＧＢＴの単位セルの集合体が配列される中央
領域とその中央領域を取り囲む周縁端部領域を有してい
る。前記ｎ−型ベース層１上面の中央領域には、複数個
のストライプ状のｐ型ベース層（第２ベース層）２が選
択的に拡散形成されている。
【００３１】各ｐ型ベース層２内には、２個のストライ
プ状のｎ＋型エミッタ層（第１エミッタ層）３が選択的
に拡散形成されている。隣接する一方の前記ｐ型ベース
層２内の前記ｎ＋型エミッタ層３及び他方の前記ｐ型ベ
ース層３内の前記ｎ＋型エミッタ層３間には、ゲート絶
縁膜７を介してゲート電極６が形成されている。
【００３２】そして、各ｐ型ベース層２内において、前
記ｐ型ベース層２及び前記ｎ＋型エミッタ層３に跨って
エミッタ電極（第１主電極）９がオーミックコンタクト
されている。
【００３３】一方、前記ｎ−型ベース層１の反対側の裏
面には、ｎ型バッファ層４を介してｐ＋型エミッタ層５
（第２エミッタ層）が形成されている。前記ｐ＋型エミ
ッタ層５上には、コレクタ電極（第２主電極）１０がオ
ーミックコンタクトされている。
【００３４】そして、図２に示すように、前記周縁端部
領域には、ｐ＋型リング層１１が、中央領域（素子領
域）及びＩＧＢＴ単位セルの集合体Ｓを取囲むように形
成されている。また、前記周縁端部には、該周縁端部に
沿ってリング状のｎ＋型拡散層１４が形成され、且つ前
記ｎ＋型拡散層１４上には、リング状の電極１５が形成
され、前記ｎ＋型拡散層１４と前記電極１５とでリング
状の等電位層１６が構成されている。
【００３５】また、前記p＋型リング層１１と前記ｎ＋
拡散層１４との間には、前記ｐ＋型リング層１１と接し
てｐ−型リサーフ層１２が形成されている。また、前記
ｐ＋型リング層１１と最外側の前記ｐ型ベース層２内の
前記ｎ＋型エミッタ層３との間にも、前記ゲート絶縁膜
７を介して前記ゲート電極６が形成されてる。
【００３６】そして、前記ｐ＋型リング層１１内には、
該ｐ＋型リング層より低抵抗の低抵抗領域１３が各セル
集合体Ｓにおける最外側の前記ｐ型ベース層３に沿って
形成されている。また、前記低抵抗領域１３は、前記エ
ミッタ電極９に電気的に接続されている。
【００３７】ここで、本実施形態では、前記低抵抗領域
１３は、トレンチ１３ａと前記トレンチ１３ａ内に埋め
込まれた導電物質１３ｂとから構成されている。前記導
電物質１３ｂとしては、前記エミッタ電極９と同種金
属、例えば通常用いられるアルミニウム（Ａｌ）を用い
ると前記エミッタ電極との接触抵抗が無視できるため好
ましいが、後工程における熱処理を考慮する必要がある
場合には、高融点金属、例えばＭｏ，Ｔｉ，Ｗを用いる
ことが好ましい。また、前記導電性物質としては、金属
に限らず、前記ｐ＋型リング層１１と同導電型で、且つ
高不純物濃度を有する半導体、例えばポリシリコンを用
いてもよい。
【００３８】更に、前記低抵抗領域１３は、前記ｎ−型
ベース層１と前記ｐ＋型リング層１１とのｐｎ接合に接
近させて形成すれば、前記ｐ＋型リング層１１に集中す
る正孔電流を速やかに前記エミッタ電極９に流すことが
できる。
【００３９】また、前記低抵抗領域１３を、前記ｐ＋型
リング層１１の中央部より前記ｐ型ベース層２側に変移
させて配置すれば、前記ｐ型ベース層２に流れる正孔電
流をより少なくできる。なお、図中、８は、絶縁保護被
膜を示す。
【００４０】次に、上記実施形態のＩＧＢＴの動作につ
いて説明するが、動作は従来のＩＧＢＴと同じであり、
ここでは、簡単に説明する。
【００４１】まず、ターンオン時の動作は、前記コレク
タ電極１０と前記エミッタ電極９間に、正バイアスを印
加した状態で、前記エミッタ電極９に対して前記ゲート
電極６に、正の電圧を印加するこにより、前記ｐ型ベー
ス層２と前記ゲート絶縁膜７の界面付近にｎ型反転層が
形成され、前記ｎ＋型エミッタ層３から前記ｎ−型ベー
ス層１中に電子が注入され、前記ｐ＋型エミッタ層３か
ら前記ｎ−型ベース層１中に正孔が注入されて、前記ｎ
−型ベース層１中にキャリアが充満して伝導度変調を起
し、前記ｎ−型ベース層１の抵抗が低下してＩＧＢＴが
ターンオン状態になる。
【００４２】一方、ターンオフ時の動作は、上記ターン
オン状態において、前記ゲート電極６に負バイアスを印
加することにより、前記ｎ型反転層が消失し、前記ｎ＋
型エミッタ層３から前記ｎ−型ベース層１中への電子の
注入が停止し、その結果、前記ｐ＋型エミッタ層５中か
ら前記ｎ−型ベース層１中への正孔の注入が止まり、そ
の後、前記ｎ−型ベース層１中に蓄積された正孔は、前
記ｐ＋型リング層１１中の前記低抵抗領域１３を通って
前記エミッタ電極９に排出されると共に前記ｐ型ベース
層２を通って前記エミッタ電極９に排出され、前記ｐ型
ベース層２と前記ｎ−型ベース層１との接合から空乏層
が広がり、ＩＧＢＴはターンオフ状態となる。
【００４３】上記実施形態のＩＧＢＴによれば、ｐ＋型
リング層１１中に低抵抗領域１３を設け、前記ｐ＋型リ
ング層１１に集中する正孔電流を前記低抵抗領域１３を
通してエミッタ電極９に、より多く、流すことができ
る。そのため、隣接する第２導電型ベース層の電位上昇
を防ぐことができ、装置の破壊耐量を向上させることが
できる。
【００４４】更に、ｐ＋型リング層１１とｎ−型ベース
層１との間のｐｎ接合と低抵抗領域１３との間の距離
を、ＩＧＢＴのターンオフ状態の静耐圧保持時おいて前
記ｐｎ接合から前記ｐ＋型リング層１１内に伸びる空乏
層が達する距離にすることによって、ＩＧＢＴに過電圧
が掛かった時の保護装置として利用することができる。
【００４５】(第２の実施の形態)本発明の第２の実施形
態に係わるＩＧＢＴについて、図３を用いて説明する。
図３は、そのＩＧＢＴの主要部分を模式的に示す断面図
である。ここでは、上記第１の実施形態と同一構成部分
には、同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００４６】本実施形態が上記第１の実施形態と異なる
点は、上記第１の実施形態における前記ｐ−型リサーフ
層１２の代わりに、フィールドプレート１７が形成され
ていることである。即ち、前記フィールドプレート１７
が、前記絶縁保護被膜８上に形成され、その一端部が前
記低抵抗領域１３及び前記エミッタ電極９に電気的に接
続され、且つ他端部が前記ｎ−型ベース層１の周端縁部
方向に延在されてなる。
【００４７】この実施形態によれば、前記ｐ＋型リング
層１１中に前記低抵抗領域１３を設けているので、ＩＧ
ＢＴの破壊耐量を向上させることができることは勿論、
上記第１の実施形態における前記ｐ−型リサーフ層１２
と同様に、前記フィールドプレート１７は、ターンオフ
状態において、等電位面を横方向に広げる機能を有して
おり、電界集中を緩和でき、耐圧向上を図ることができ
る。
【００４８】(第３の実施の形態)本発明の第３の実施形
態に係わるＩＧＢＴについて、図４を用いて説明する。
図４は、そのＩＧＢＴの主要部分を模式的に示す断面図
である。ここでは、上記第１の実施形態と同一構成部分
には、同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００４９】本実施形態が第１の実施形態と異なる点
は、上記第１の実施形態における前記ｐ−型リサーフ層
１２の代わりに、複数条のｐ＋型ガードリング層１８が
形成されていることである。即ち、前記ｐ＋型リング層
１１と前記ｎ−型ベース層１の周縁端部間の前記ｎ−型
ベース層１上面に、前記ｐ＋リング層１１と同導電型
で、且つ高不純物濃度を有する複数条の前記ｐ＋型ガー
ドリング層１８が形成されてなる。そして、この実施形
態では、前記ｐ＋型ガードリング層１８の間隔は、前記
周縁端部に向かうにしたがって、大きくなっている。
【００５０】この実施形態によれば、前記ｐ＋型リング
層１１中に前記低抵抗領域１３を設けているので、ＩＧ
ＢＴの破壊耐量を向上させることができることは勿論、
ＩＧＢＴのターンオフ状態において、前記ｐ＋型ガード
リング層１８は、前記ｐ＋型リング層１１から前記等電
位層１６に向かうにしたがって電位が徐々に上昇するの
で、上記第１の実施形態における前記ｐ−型リサーフ層
１２と同様に、等電位面を横方向に広げる働きがあり、
電界集中を緩和でき、耐圧向上を図ることができる。ま
た、前記ｐ＋型ガードリング層１８の個数を変えること
により、耐圧を制御できる。
【００５１】（第３の実施形態の変形例）上記第３の実
施形態に係わるＩＧＢＴの変形例について、図５を用い
て説明する。図５は、そのＩＧＢＴの主要部分を模式的
に示す断面図である。ここでは、上記第３の実施形態と
同一構成部分には、同一符号を付して、詳細な説明は省
略する。
【００５２】本変形例が第３の実施形態と異なる点は、
上記第３の実施形態において、周縁端部領域上に形成し
た前記絶縁保護被膜としての酸化膜８の代わりに、例え
ば、ＳＩＰＯＳのような半絶縁性物質等の高抵抗膜１９
を設けた点にある。
【００５３】本変形例によれば、前記ｐ＋型リング層１
１中に前記低抵抗領域１３を設けているので、ＩＧＢＴ
の破壊耐量を向上させることができることは勿論、前記
高抵抗膜１９により、ＩＧＢＴ外部の電荷の影響を設け
にくくなり、ＩＧＢＴの耐圧劣化を防止することができ
る。
【００５４】（第３の実施形態の別の変形例）上記第３
の実施形態に係わるＩＧＢＴの別の変形例について、図
６を用いて説明する。図６は、そのＩＧＢＴの主要部分
を模式的に示す断面図である。ここでは、上記第３の実
施形態と同一構成部分には、同一符号を付して、詳細な
説明は省略する。
【００５５】本変形例が上記第３の実施形態と異なる点
は、前記エミッタ電極９と前記ｐ型ベース層２及び前記
ｎ＋型エミッタ層３、並びに前記低抵抗領域１３とのコ
ンタクト構造である。即ち、前記ｐ型ベース層２及び前
記ｎ＋型エミッタ層３において、前記エミッタ電極９と
のコンタクト部分の表面をエッチングして、約１．０μ
ｍのトレンチ２０を形成し、前記トレンチ２０内で、前
記ｐ型ベース層２及び前記ｎ＋型エミッタ層３と前記エ
ミッタ電極９とを接続している。
【００５６】また、前記低抵抗領域１３においても、前
記導電性物質１３ｂの上部を前記トレンチ２０と同じ深
さエッチングし、前記エミッタ電極９との接続も、前記
ｐ＋型リング層１１表面より下方に位置する層内部にて
接続している点である。
【００５７】この本変形例によれば、前記ｐ＋型リング
層１１中に前記低抵抗領域１３を設けているので、ＩＧ
ＢＴの破壊耐量を向上させることができることは勿論、
前記トレンチ２０内において前記ｐ型ベース層２と前記
エミッタ電極９を接続しているので、コンタクト性が増
加すると共に、前記ｎ−型ベース層１と前記エミッタ電
極９との距離が短くなり、前記ｐ型ベース層２の横方向
抵抗が小さくなるため、ラッチアップを引き起こす電流
値を向上させることができる。即ち、更に、ラッチアッ
プ耐量を向上できる。
【００５８】なお、本変形例においては、前記低抵抗領
域１３と前記トレンチ２０を別に設けたが、前記トレン
チ２０内に埋め込み形成された前記エミッタ電極９を前
記低抵抗領域１３の代わりに使用しても同様の効果が得
られる。即ち、別途前記低抵抗領域１３を設けなくても
良い。
【００５９】（第３の実施形態の更に別の変形例）上記
第３の実施形態に係わるＩＧＢＴの、更に別の変形例に
ついて、図７を用いて説明する。図７は、そのＩＧＢＴ
の主要部分を模式的に示す断面図である。ここでは、上
記第３の実施形態と同一構成部分には、同一符号を付し
て、詳細な説明は省略する。
【００６０】本変形例が上記第３の実施形態と異なる点
は、ゲート絶縁膜２１について、前記ゲート電極６直下
の前記ゲート絶縁膜７のうち前記ｐ型ベース層２と接す
る部分以外の部分を厚くしたことである。即ち、前記ｎ
−型ベース層１と前記ｎ＋型エミッタ層３とに挟まれた
前記ｐ型ベース層３上のゲート絶縁膜部分２１ａの膜厚
に比べて、前記ｐ型ベース層２間の前記ｎ−型ベース層
１上のゲート絶縁膜部分２１ｂの前記ゲート絶縁膜２１
の膜厚を厚く形成している点である。
【００６１】本変形例によれば、前記ｐ＋型リング層１
１中に前記低抵抗領域１３を設けているので、ＩＧＢＴ
の破壊耐量を向上させることができることは勿論、ゲー
ト・コレクタ間の容量を低減させることができ、ＩＧＢ
Ｔの動作の均一性および高速性を向上させることができ
る。
【００６２】(第４の実施の形態)次に、本発明の第４の
実施形態に係わるトレンチゲート型ＩＧＢＴについて、
図８を用いて説明する。 図８は、そのトレンチゲート
型ＩＧＢＴの主要部分の構成を模式的に示す断面図、図
９は、図８のＡ−Ａ’に沿う平面図である。
【００６３】このＩＧＢＴにおいては、図８に示すよう
に、前記ｎ−型ベース層（第１ベース層）３１は、対向
する第１主面(上面)及び第２主面（裏面）を有してお
り、前記主面はＩＧＢＴの単位セルの集合体が配列され
る中央領域とその中央領域を取り囲む周縁端部領域を有
している。前記ｎ−型ベース層３１上面の中央領域に
は、複数個のストライプ状のｐ型ベース層（第２ベース
層）３２が選択的に拡散形成されている。前記ｎ−型ベ
ース層３１及び前記ｐ型ベース層３２内には、前記ｐ型
ベース層３２を貫通し、前記ｎ−型ベース層３１の途中
まで達する深さの複数個のトレンチ４５が形成されてい
る。前記トレンチ４５内には、ゲート絶縁膜４７を介し
てゲート電極４６が埋め込み形成されている。前記トレ
ンチ４５、ゲート絶縁膜４７及び前記ゲート電極４６に
よって、トレンチゲート４４が形成される。
【００６４】前記ｐ型ベース層３２の表面内には、前記
トレンチゲート４４の側面に接してｎ＋エミッタ層（第
１エミッタ層）３３が選択的に拡散形成されている。
【００６５】そして、隣接する各トレンチゲート４４間
において、前記ｐ型ベース層３２及び前記ｎ＋型エミッ
タ層３３に跨って第１主電極としてのエミッタ電極３９
がオーミックコンタクトされている。
【００６６】一方、前記ｎ−型ベース層３１の反対側の
裏面には、ｎ型バッファ層３４を介してｐ＋型エミッタ
層（第２エミッタ層）３５が形成されている。前記ｐ＋
型エミッタ層３５上には、第２主電極としてのコレクタ
電極４０がオーミックコンタクトされている。
【００６７】そして、図９に示すように、前記周縁端部
領域には、ｐ＋型リング層４１が、中央領域（素子領
域）及びＩＧＢＴ単位セルの集合体Ｓを取囲むように形
成されている。前記ｐ＋型リング層４１は、最外側のト
レンチゲート４４と接して形成されている。また、前記
周縁端部には、該周縁端部に沿ってリング状のｎ＋型拡
散層５４が形成され、且つ前記ｎ＋型拡散層５４上に
は、リング状の電極５５が形成され、前記ｎ＋型拡散層
５４と前記電極５５とでリング状の等電位層５６が構成
されている。また、前記ｐ＋型リング層４１と前記ｎ＋
拡散層５４との間には、前記ｐ＋型リング層４１と接し
てｐ−型リサーフ層４２が形成されている。
【００６８】そして、前記ｐ＋型リング層４１内には、
該ｐ＋型リング層４１より低抵抗の低抵抗領域４３が各
セル集合体Ｓにおける最外側の前記ｐ型ベース層３２に
沿って形成されている。また、前記低抵抗領域４３は、
前記エミッタ電極３９に電気的に接続されている。
【００６９】本実施形態においても、上記第１の実施形
態と同様に、前記低抵抗領域４３は、前記トレンチ４３
ａと前記トレンチ４３ａ内に埋め込まれた導電物質４３
ｂとから構成されている。
【００７０】前記導電物質４３ｂとしては、前記エミッ
タ電極３９と同種金属、例えば通常用いられるアルミニ
ウム（Ａｌ）を用いると前記エミッタ電極３９との接触
抵抗が無視できるため好ましいが、後工程における熱処
理を考慮する必要がある場合には、高融点金属、例えば
Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗを用いることが好ましい。また、前記導
電性物質としては、金属に限らず、前記ｐ＋型リング層
４１と同導電型で、且つ高不純物濃度を有する半導体、
例えばポリシリコンを用いてもよい。
【００７１】更に、前記低抵抗領域４３は、前記ｎ−型
ベース層３１と前記ｐ＋型リング層４１とのｐｎ接合に
接近させて形成すれば、前記ｐ＋型リング層４１に集中
する正孔電流を速やかに前記エミッタ電極３９に流すこ
とができる。
【００７２】また、前記低抵抗領域４３を、前記ｐ＋型
リング層４１の中央部より前記ｐ型ベース層３２側に変
移させて配置すれば、前記ｐ型ベース層３２に流れる正
孔電流をより少なくできる。なお、図中、３８は、絶縁
保護被膜を示す。
【００７３】この実施形態のトレンチゲート型ＩＧＢＴ
の動作は、上記第１の実施形態とのＩＧＢＴと同様であ
るので、説明は省略する。
【００７４】上記実施形態のトレンチゲート型ＩＧＢＴ
によれば、上記第１の実施形態と同様に、前記ｐ＋型リ
ング層４１中に前記低抵抗領域４３を設け、前記ｐ＋型
リング層４１に集中する正孔電流を前記低抵抗領域４３
を通して前記エミッタ電極３９に、より多く、流すこと
ができる。そのため、隣接する前記第２ベース層３２の
電位上昇を防ぐことができ、装置の破壊耐量を向上させ
ることができる。
【００７５】（第４の実施形態の変形例）上記第４の実
施形態に係わるトレンチゲート型ＩＧＢＴの変形例につ
いて、図１０を用いて説明する。図１０は、そのトレン
チゲート型ＩＧＢＴの主要部分を模式的に示す断面図で
ある。ここでは、上記第４の実施形態と同一構成部分に
は、同一符号を付して、詳細な説明は省略する。
【００７６】本変形例が上記第４の実施形態と異なる点
は、上記第４の実施形態では、各トレンチゲート４４間
において、前記エミッタ電極３９をオーミックコンタク
トさせたが、本実施形態では、選択されたトレンチゲー
ト４４間でエミッタ電極５９をオーミックコンタクトさ
せ、間引き領域５８を設けた点にある。
【００７７】即ち、図１０に示すように、ここでは、エ
ミッタ電極５９を、１つ置きの前記トレンチゲート４４
間において、前記ｐ型ベース層３２及び前記ｎ＋型エミ
ッタ層３３とオーミックコンタクトさせて、１つ置きに
間引き領域５８を設けている。
【００７８】本変形例によれば、前記ｐ＋型リング層４
１中に前記低抵抗領域４３を設けているので、トレンチ
ゲート型ＩＧＢＴの破壊耐量を向上させることができる
ことは勿論、前記間引き部分５８が実質的にトレンチゲ
ート４４と同じ働きをするので、幅の広いトレンチゲー
ト４４を設けたことと同じになる。その結果、前記ｐ型
ベース層３２を通って前記エミッタ電極５９に排出され
る正孔の抵抗が高くなるので、前記ｎ型ベース層３１の
キャリア密度が高くなり、更に、抵抗が低減される効果
がある。
【００７９】（第５の実施形態）次に、本発明の第５の
実施形態に係わるＩＧＢＴについて、図１１及び図１２
を用いて説明する。図１１は、そのＩＧＢＴの主要部の
構成を模式的に示す断面図、図１２は、図１１のＡ−
Ａ’線に沿う平面図である。
【００８０】一般に、大面積のＩＧＢＴでは、ゲート信
号の遅延を防ぐためにエミッタ電極をいくつかの領域に
区切り、ゲート配線をエミッタ電極の周囲に配置するこ
とがある。このような構造のＩＧＢＴでは、耐圧劣化を
防ぐために。ｐ型リング層をゲート配線下に配置するこ
とが多い。
【００８１】本実施形態では、本発明をこのような構造
のＩＧＢＴに適用した例を示す。即ち、この半導体装置
においては、図１１及び図１２に示すように、ｎ−型ベ
ース層（第１ベース層）６１は、対向する第１主面(上
面)及び第２主面（裏面）を有しており、前記主面にお
いて、周縁端部に取囲まれた中央領域には、ＩＧＢＴの
単位セルの集合体Ｓが短冊状に配列されている。
【００８２】各ＩＧＢＴ単位セルでは、前記ｎ−型ベー
ス層６１上面に、複数個のストライプ状のｐ型ベース層
（第２ベース層）６２が選択的に拡散形成されている。
各ｐ型ベース層６２内には、２個のストライプ状のｎ＋
型エミッタ層（第１エミッタ層）６３が選択的に拡散形
成されている。隣接する一方の前記ｐ型ベース層６２内
の前記＋型エミッタ層６３及び他方の前記ｐ型ベース層
６３内の前記ｎ＋型エミッタ層６３間には、ゲート絶縁
膜６７を介してゲート電極６６が形成されている。
【００８３】そして、各ｐ型ベース層６２内において、
前記ｐ型ベース層６２及び前記ｎ＋型エミッタ層６３に
跨ってエミッタ電極（第１主電極）６９がオーミックコ
ンタクトされ、各エミッタ電極６９は、絶縁保護被膜６
８を介して前記ゲート電極６６上に配設されている。
【００８４】一方、前記ｎ−型ベース層６１の反対側の
裏面には、ｎ型バッファ層６４を介してｐ＋型エミッタ
層（第２エミッタ層）６５が形成されている。前記ｐ＋
型エミッタ層６５上には、コレクタ電極（第２主電極）
７０がオーミックコンタクトされている。
【００８５】そして、図１２に示すように、各ＩＧＢＴ
単位セルの集合体Ｓ間の前記ｎ−型ベース層６１の主面
には、ｐ＋型リング層７１が、前記ＩＧＢＴ単位セルの
集合体Ｓを取囲むように形成されている。また、前記ｐ
＋型リング層７１と該ｐ＋型リング層７１に隣接する前
記ｐ型ベース層６２内の前記ｎ＋型エミッタ層６３との
間にも、前記ゲート絶縁膜６７を介して前記ゲート電極
６６が形成されてる。
【００８６】そして、前記ｐ＋型リング層７１内には、
該ｐ＋型リング層７１より低抵抗の低抵抗領域７３が各
セル集合体Ｓに沿って形成されている。前記低抵抗領域
７３は、前記絶縁保護被膜６８上に配設された前記エミ
ッタ電極６９に電気的に接続されている。
【００８７】本実施形態では、前記低抵抗領域７３は、
トレンチ７３ａと前記トレンチ７３ａ内に埋め込まれた
導電物質７３ｂとから構成されている。
【００８８】前記導電物質７３ｂとしては、前記エミッ
タ電極６９と同種金属、例えば通常用いられるアルミニ
ウム（Ａｌ）を用いると前記エミッタ電極６９との接触
抵抗が無視できるため好ましいが、後工程における熱処
理を考慮する必要がある場合には、高融点金属、例えば
Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗを用いることが好ましい。また、前記導
電性物質７３ｂとしては、金属に限らず、前記ｐ＋型リ
ング層７１と同導電型で、且つ高不純物濃度を有する半
導体、例えばポリシリコンを用いてもよい。
【００８９】更に、前記低抵抗領域７３は、前記ｎ−型
ベース層６１と前記ｐ＋型リング層７１とのｐｎ接合に
接近させて形成すれば、前記ｐ＋型リング層７１に集中
する正孔電流を速やかに前記エミッタ電極６９に流すこ
とができる。
【００９０】また、前記低抵抗領域７３を、前記ｐ＋型
リング層７１の中央部より前記ｐ型ベース層６２側に変
移させて配置すれば、前記ｐ型ベース層６２に流れる正
孔電流をより少なくできる。
【００９１】そして、前記ｐ＋型リング層７１上には、
各ＩＧＢＴ集合体Ｓを取囲むように前記絶縁保護被膜６
８を介して前記ゲート電極６６に電位を供給するゲート
配線７４が配設されている。
【００９２】次に、上記実施形態のＩＧＢＴの動作につ
いて説明するが、動作は従来のＩＧＢＴと同じであり、
ここでは、簡単に説明する。
【００９３】まず、ターンオン時の動作は、前記コレク
タ電極７０と前記エミッタ電極６９間に、正バイアスを
印加した状態で、前記エミッタ電極６９に対して前記ゲ
ート電極６６に、正の電圧を印加するこにより、前記ｐ
型ベース層６２と前記ゲート絶縁膜６７の界面付近にｎ
型反転層が形成され、前記ｎ＋型エミッタ層６３から前
記ｎ−型ベース層６１中に電子が注入され、前記ｐ＋型
エミッタ層６５から前記ｎ−型ベース層６１中に正孔が
注入されて、前記ｎ−型ベース層６１中にキャリアが充
満して伝導度変調を起こし、前記ｎ−型ベース層６１の
抵抗が低下してＩＧＢＴがターンオン状態になる。
【００９４】一方、ターンオフ時の動作は、上記ターン
オン状態において、前記ゲート電極６６に負バイアスを
印加することにより、前記ｎ型反転層が消失し、前記ｎ
＋型エミッタ層６３から前記ｎ−型ベース層６１中への
電子の注入が停止し、その結果、前記ｐ＋型エミッタ層
６５中から前記ｎ−型ベース層６１中への正孔の注入が
止まり、その後、前記ｎ−型ベース層６１中に蓄積され
た正孔は、前記ｐ＋型リング層７１中の前記低抵抗領域
７３を通って前記エミッタ電極６９に排出されると共に
前記ｐ型ベース層６２を通って前記エミッタ電極６９に
排出され、前記ｐ型ベース層６２と前記ｎ−型ベース層
６１との接合から空乏層が広がり、ＩＧＢＴはターンオ
フ状態となる。
【００９５】上記実施形態のＩＧＢＴによれば、前記ｐ
＋型リング層７１中に前記低抵抗領域７３を設け、前記
ｐ＋型リング層７１に集中する正孔電流を前記低抵抗領
域７３を通して前記エミッタ電極６９に、より多く、流
すことができる。そのため、隣接するｐ型ベース層６２
の電位上昇を防ぐことができ、装置の破壊耐量を向上さ
せることができる。
【００９６】更に、前記ｐ＋型リング層７１と前記ｎ−
型ベース層６１との間のｐｎ接合と前記低抵抗領域７３
との間の距離を、ＩＧＢＴのターンオフ状態の静耐圧保
持時おいて前記ｐｎ接合から前記ｐ＋型リング層７１内
に伸びる空乏層が達する距離にすることによって、ＩＧ
ＢＴに過電圧が掛かった時の保護装置として利用するこ
とができる。
【００９７】（第６の実施形態）次に、本発明の第６の
実施形態に係わるパワーＭＯＳＦＥＴについて、図１３
を用いて説明する。図１３は、そのパワーＭＯＳＦＥＴ
の主要部の構成を模式的に示す断面図である。
【００９８】この半導体装置においては、図１３に示す
ように、ｎ−型ベース層（第１ベース層）８１は、対向
する第１主面(上面)及び第２主面（裏面）を有してお
り、前記主面はＭＯＳＦＥＴの単位セルの集合体が配列
される中央領域とその中央領域を取り囲む周縁端部領域
を有している。前記ｎ−型ベース層８１上面の中央領域
には、複数個のストライプ状のｐ型ベース層（第２ベー
ス層）８２が選択的に拡散形成されている。各ｐ型ベー
ス層８２内には、２個のストライプ状のｎ＋型エミッタ
層（第１エミッタ層）８３が選択的に拡散形成されてい
る。隣接する一方の前記ｐ型ベース層８２内の前記＋型
エミッタ層８３及び他方の前記ｐ型ベース層８２内の前
記ｎ＋型エミッタ層８３間には、ゲート絶縁膜８７を介
してゲート電極８６が形成されている。
【００９９】そして、各ｐ型ベース層８２内において、
前記ｐ型ベース層８２及び前記ｎ＋型エミッタ層８３に
跨ってエミッタ電極（第１主電極）８９がオーミックコ
ンタクトされている。
【０１００】一方、前記ｎ−型ベース層８１の反対側の
裏面には、ｎ＋型ドレイン層９９が形成されている。前
記ｎ＋型ドレイン層９９上には、コレクタ電極（第２主
電極）９０がオーミックコンタクトされている。
【０１０１】そして、前記周縁端部領域には、ｐ＋型リ
ング層９１が、中央領域（素子領域）及びＭＯＳＦＥＴ
単位セルの集合体Ｓを取囲むように形成されている。ま
た、前記周縁端部には、該周縁端部に沿ってリング状の
ｎ＋型拡散層９４が形成され、且つ前記ｎ＋型拡散層９
４上には、リング状の電極９５が形成され、前記ｎ＋型
拡散層９４と前記電極９５とでリング状の等電位層９６
が構成されている。
【０１０２】また、前記p＋型リング層９１と前記ｎ＋
拡散層９４との間のｎ−型ベース層８１上面には、前記
ｐ＋リング層９１と同導電型で、且つ高不純物濃度を有
する複数条のｐ＋型ガードリング層９８が形成されてな
る。そして、この実施形態では、前記ｐ＋型ガードリン
グ層９８の間隔は、前記周縁端部に向かうにしたがっ
て、大きくなっている。
【０１０３】前記ｐ＋型リング層９１と最外側の前記ｐ
型ベース層８２内の前記ｎ＋型エミッタ層８３との間に
も、前記ゲート絶縁膜８７を介して前記ゲート電極８６
が形成されてる。
【０１０４】そして、前記ｐ＋型リング層９１内には、
該ｐ＋型リング層９１より低抵抗の低抵抗領域９３が各
セル集合体における最外側の前記ｐ型ベース層８２に沿
って形成されている。また、前記低抵抗領域９３は、前
記エミッタ電極８９に電気的に接続されている。
【０１０５】本実施形態では、前記低抵抗領域９３は、
トレンチ９３ａと前記トレンチ９３ａ内に埋め込まれた
導電物質９３ｂとから構成されている。
【０１０６】前記導電物質９３ｂとしては、前記エミッ
タ電極８９と同種金属、例えば通常用いられるアルミニ
ウム（Ａｌ）を用いると前記エミッタ電極８９との接触
抵抗が無視できるため好ましいが、後工程における熱処
理を考慮する必要がある場合には、高融点金属、例えば
Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗを用いることが好ましい。また、前記導
電性物質９３ｂとしては、金属に限らず、前記ｐ＋型リ
ング層９１と同導電型で、且つ高不純物濃度を有する半
導体、例えばポリシリコンを用いてもよい。
【０１０７】更に、前記低抵抗領域９３は、前記ｎ−型
ベース層８１と前記ｐ＋型リング層９１とのｐｎ接合に
接近させて形成すれば、前記ｐ＋型リング層９１に集中
する正孔電流を速やかに前記エミッタ電極８９に流すこ
とができる。
【０１０８】また、前記低抵抗領域９３を、前記ｐ＋型
リング層９１の中央部より前記ｐ型ベース層８２側に変
移させて配置すれば、前記ｐ型ベース層８２に流れる正
孔電流をより少なくできる。なお、図中、８８は、絶縁
保護被膜を示す。
【０１０９】次に、上記実施形態のパワーＭＯＳＦＥＴ
の動作について説明する。まず、ターンオン時の動作
は、前記コレクタ電極９０と前記エミッタ電極８９間
に、正バイアスを印加した状態で、前記エミッタ電極８
９に対して前記ゲート電極８６に、正の電圧を印加する
こにより、前記ｐ型ベース層８２と前記ゲート絶縁膜８
７の界面付近にｎ型反転層が形成され、前記ｎ＋型エミ
ッタ層８３から前記ｎ−型ベース層８１中に電子が注入
される。この電子が前記ｎ−型ベース層８１から前記ｎ
＋型ドレイン層９９に流れ込み、装置がターンオン状態
になる。
【０１１０】一方、ターンオフ時の動作は、上記ターン
オン状態において、前記ゲート電極８６を、前記エミッ
タ電極８９に対して０バイアス、或いは負バイアスを印
加することにより、前記ｎ型反転層が消失し、ターンオ
フ状態となる。
【０１１１】このＭＯＳＦＥＴでは、ターンオン状態に
おいては、正孔電流が発生しないので、正孔電流の集中
によるラッチアップに起因する破壊は生じない。しかし
ながら、通常の使用用途であるインバータ回路において
は、前記ｐ型ベース層８２、前記ｎ型ドレイン層９９か
らなる寄生ダイオードが動作する。すなわち、前記エミ
ッタ電極８９に前記コレクタ電極９０に対して正バイア
スが印加される状態が生じ、前記ｐ型ベース層８２から
正孔が、前記ｎ型ドレイン層９９からは電子が前記ｎ型
ベース層８１中のそれぞれ注入され、寄生ダイオードが
オン状態となる。
【０１１２】この状態からバイアスが反転する、即ち、
前記エミッタ電極８９が前記コレクタ電極９０に対して
負バイアス状態になると、前記ｎ型ベース層８１中に蓄
積された正孔が前記エミッタ電極８９を通って装置外に
排出されることになる。この動作状態で、正孔電流が前
記ｐ＋型リング層９１に集中する。
【０１１３】従って、上記実施形態のＭＯＳＦＥＴによ
れば、前記ｐ＋型リング層９１中に前記低抵抗領域９３
を設け、前記ｐ＋型リング層９１に集中する正孔電流を
前記低抵抗領域９３を通して前記エミッタ電極８９に、
より多く、流すことができる。そのため、隣接するｐ型
ベース層８２の電位上昇を防ぐことができ、装置の破壊
耐量を向上させることができる。
【０１１４】ＭＯＳＦＥＴのターンオフ状態において、
前記ｐ＋型ガードリング層９８は、前記ｐ＋型リング層
９１から前記等電位層９６に向かうにしたがって電位が
徐々に上昇するので、上記第１の実施形態における前記
ｐ−型リサーフ層１２と同様に、等電位面を横方向に広
げる働きがあり、電界集中を緩和でき、耐圧向上を図る
ことができる。また、前記ｐ＋型ガードリング層９８の
個数を変えることにより、耐圧を制御できる。
【０１１５】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々、
変形し実施できることは勿論である。
【０１１６】例えば、図５に示す上記第３の実施形態の
変形例による発明は、上記各実施形態と組合わせて実施
することができる。
【０１１７】また、図６に示す第３の実施形態の別の変
形例による発明も、上記各実施形態と組合わせて実施す
ることができる。
【０１１８】更に、図７に示す第３の実施形態の更に別
の変形例による発明は、上記第１、２、３、５及び第６
の実施形態と組合わせて実施することができる。
【０１１９】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、破壊
耐量の高い高耐圧半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係わるＩＧ
ＢＴの主要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ’に沿う平面図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施形態に係わるＩＧ
ＢＴの主要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第３の実施形態に係わるＩＧ
ＢＴの主要部の構成を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態に係わるＩＧ
ＢＴの変形例を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の第３の実施の形態に係わるＩ
ＧＢＴの別の変形例を示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第３の実施形態に係わるＩＧ
ＢＴの更に別の変形例を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第４の実施の形態に係わるト
レンチゲート型ＩＧＢＴの主要部の構成を模式的に示す
断面図である。
【図９】図９は、図８のＡ−Ａ’線に沿う平面図であ
る。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施形態に係わる
ＩＧＢＴの変更例を示す断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第５の実施の形態に係わ
るＩＧＢＴの主要部の構成を模式的に示す断面図であ
る。
【図1２】図１２は、図１１のＡ−Ａ’線に沿う平面図
である。
【図１３】図１３は、本発明の第６の実施の形態に係わ
るパワーＭＯＳＦＥＴの主要部の構成を模式的に示す断
面図である。
【図１４】図１４は、従来のＩＧＢＴの主要部の構成を
模式的に示す断面図である。
【図1５】図１５は、図１４のＡ−Ａ’線に沿う平面図
である。
【符号の説明】
１、３１、６１、８１、１０１…ｎ−型ベース層（第１
ベース層） ２、３２、６２、８２、１０２…ｐ型ベース層（第２ベ
ース層） ３、３３、６３、８３、１０３…ｎ＋型エミッタ層（第
１エミッタ層） ４、３４、６４、１０４…ｎ型バッファ層 ５、３５、６５、１０５…ｐ＋型エミッタ層（第２エミ
ッタ層） ６．４６、６６、８６、１０６…ゲート電極 ７、２１、４７、６７、８７、１０７…ゲート絶縁膜 ８、３８、６８、８８、１０８…絶縁保護被膜 ９、３９、５９、６９、８９、１０９…エミッタ電極
（第１主電極） １０、４０、７０、９０、１１０…コレクタ電極（第２
主電極） １１、４１、７１、９１、１１１…ｐ＋型リング層（リ
ング層） １２、４２、１１２…ｐ−型リサーフ層（リサーフ層） １３、４３、７３、９３…低抵抗領域 １３ａ、４３ａ、４５、７３ａ、９３ａ…トレンチ １３ｂ、４３ｂ、７３ｂ、９３ｂ…導電性物質 １４、５４、９４、１１４…ｎ＋型拡散層 １５、５５、９５、１１５…電極 １６、５６、９６、１１６…等電位層 １７…フィールドプレート １８…ｐ＋型ガードリング層 １９…高抵抗膜 ２０…トレンチ ２１ａ…膜厚の薄い部分 ２１ｂ…膜厚の厚い部分 ４４…トレンチゲート ５８…間引き領域 ７４…ゲート配線 ９９…ｎ＋型ドレイン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/78 ６５３ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６５３Ａ ６５７ ６５７Ａ

Claims (26)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】対向する第１及び第２主面と周縁端部とを
    有する第１導電型の第1ベース層と、 前記第１ベース層の前記第１主面内に選択的に形成され
    た第２導電型の第２のベース層と、 前記第２ベース層内に選択的に形成された第１導電型の
    第１エミッタ層と、 前記第１ベース層、前記第２ベース層及び前記第１エミ
    ッタ層表面にゲート絶縁膜を介して設置されたゲート電
    極と、 前記第１ベース層の第１主面内に、前記第２ベース層と
    離間して近接配置された第２導電型のリング層と、 前記第２ベース層、前記第１エミッタ層及び前記リング
    層に電気的に接続された第１主電極と、 前記第１ベース層の前記第２主面に形成された第２導電
    型の第２エミッタ層または第1導電型のドレイン層と、 前記第２エミッタ層または前記ドレイン層に形成された
    第２主電極とを具備し、 前記第１ベース層から前記リング層を通して前記第１主
    電極に流れる前記リング層内の電流通路に、当該リング
    層より低抵抗を有する低抵抗領域を設けたことを特徴と
    する高耐圧半導体装置。
  2. 【請求項２】対向する第１主面及び第２主面と周縁端部
    とを有する第１導電型の第１ベース層と、 前記第１ベース層の前記第１主面内に選択的に形成され
    た第２導電型の第２ベース層と、 前記第２ベース層内に選択的に形成された第１導電型の
    第１エミッタ層と、 前記第１ベース層、前記第２ベース層及び前記第１エミ
    ッタ層表面にゲート絶縁膜を介して設置されたゲート電
    極と、 前記第１ベース層及び前記第１ベース層の周縁端部間の
    前記第１主面内に形成された第２導電型のリング層と、 前記リング層及び前記第１ベース層の周縁端部間の前記
    第１主面内に形成された絶縁保護被膜と、 前記第２ベース層、前記第１エミッタ層及び前記リング
    層に電気的に接続された第１主電極と、 前記第１ベース層の前記第２主面に形成された第２導電
    型の第２エミッタ層または第1導電型のドレイン層と、 前記第２エミッタ層または前記ドレイン層に形成された
    第２主電極とを具備し、 前記第１ベース層から前記リング層を通して前記第１主
    電極に流れる前記リング層内の電流通路に、当該リング
    層より低抵抗を有する低抵抗領域を設けたことを特徴と
    する高耐圧半導体装置。
  3. 【請求項３】前記絶縁保護被膜は、半絶縁性物質からな
    ることを特徴とする請求項２に記載の高耐圧半導体装
    置。
  4. 【請求項４】対向する第１主面及び第２主面と周縁端部
    とを有する第１導電型の第１ベース層と、 前記第１ベース層の前記第１主面に間隔をもって埋め込
    まれた絶縁ゲートと、 前記絶縁ゲートで挟まれた前記第１ベース層内に、前記
    絶縁ゲートと接して形成された第２導電型の第２ベース
    層と前記第２ベース層内に選択的に設けられ、且つ前記
    絶縁ゲートと接して形成された第１導電型の第１エミッ
    タ層と、 最外側の前記絶縁ゲートと前記第１ベース層の周縁端部
    と間の第１主面内に、前記絶縁ゲートと接して形成され
    た第２導電型のリング層と、 前記第２ベース層、前記第１エミッタ層及び前記リング
    層に電気的に接続された第１主電極と、 前記第１ベース層の前記第２主面に形成された第２導電
    型の第２エミッタ層と、 前記第２エミッタ層に形成された第２主電極とを具備
    し、 前記第１ベース層から前記リング層を通して前記第１主
    電極に流れる前記リング層内の電流通路に、当該リング
    層より低抵抗を有する低抵抗領域を設けたことを特徴と
    する高耐圧半導体装置。
  5. 【請求項５】前記第１主電極は、全ての前記絶縁ゲート
    間の前記第２べース層及び前記第１エミッタ層に電気的
    接続されてなることを特徴とする請求項４に記載の高耐
    圧半導体装置。
  6. 【請求項６】前記第１主電極は、全ての前記絶縁ゲート
    間のうち、選択された絶縁ゲート間の前記第２べース層
    及び前記第１エミッタ層のみに電気的接続されてなるこ
    とを特徴とする請求項４に記載の高耐圧半導体装置。
  7. 【請求項７】前記第１ベース層の周縁端部には、第１導
    電型の等電位層が形成されてなることを特徴とする請求
    項１乃至６のいずれか1項に記載の高耐圧半導体装置。
  8. 【請求項８】前記リング層と前記第１ベース層の周縁端
    部間の前記第１主面内には、前記リング層と同導電型
    で、且つ低不純物濃度の第２導電型のリサーフ層が、前
    記リング層から前記第１ベース層の周縁端部に向かって
    延在して形成されてなることを特徴とする請求項1乃至
    ７のいずれか1項に記載の高耐圧半導体装置。
  9. 【請求項９】前記絶縁保護被膜上に、一端部が前記第1
    主電極と電気的に接続され、且つ他端部が前記第１ベー
    ス層の周縁端部方向に延在するフィールドプレートが形
    成されてなることを特徴とする請求項１乃至７のいずれ
    か1項に記載の高耐圧半導体装置。
  10. 【請求項１０】前記リング層と前記第１ベース層の周縁
    端部間の前記第１主面内には、前記リング層と同導電型
    で、且つ高不純物濃度を有する少なくとも１条のガード
    リング層が形成されてなることを特徴とする請求項１乃
    至７のいずれか1項に記載の高耐圧半導体装置。
  11. 【請求項１１】前記第１主電極と前記第２ベース層及び
    前記第１型エミッタ層との電気的接続は、各当該層表面
    より下方に位置する層内部にて行われてなることを特徴
    とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の高耐圧
    半導体装置。
  12. 【請求項１２】前記第１主電極と前記第２ベース層、前
    記第１エミッタ層及び前記リング層内の前記低抵抗領域
    との電気的接続は、各当該層表面より下方に位置する層
    内部にて行われてなることを特徴とする請求項１乃至１
    ０のいずれか１項に記載の高耐圧半導体装置。
  13. 【請求項１３】前記ゲート絶縁膜は、前記第１ベース層
    上における膜厚が前記第２ベース層と前記第１エミッタ
    層との間における膜厚より厚く形成されてなること特徴
    とする請求項１、２、３、７、８、９、１０、１１また
    は１２に記載の高耐圧半導体装置。
  14. 【請求項１４】前記低抵抗領域が、導電性物質からなる
    ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記
    載の高耐圧半導体装置。
  15. 【請求項１５】前記導電性物質が、前記第1主電極と同
    種金属からなることを特徴とする請求項１４に記載の高
    耐圧半導体装置。
  16. 【請求項１６】前記導電性物質が、前記リング層と同導
    電型で、且つ高不純物濃度を有する半導体からなること
    を特徴とする請求項１４に記載の高耐圧半導体装置。
  17. 【請求項１７】前記低抵抗領域が、前記リング層の中央
    部より前記第２ベース層側に配置されてなることを特徴
    とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の高耐圧
    半導体装置。
  18. 【請求項１８】前記低抵抗領域は、前記第２リング層内
    に設けられたトレンチと、前記トレンチ内部に形成さ
    れ、且つ前記第１主電極と電気的に接続された導電性物
    質とを具備してなることを特徴とする請求項１乃至１７
    のいずれか1項に記載の高耐圧半導体装置。
  19. 【請求項１９】対向する第１及び第２主面を有する第１
    導電型の第１ベース層と、 前記第１ベース層の前記第１主面内に、互いに離間して
    選択的に形成された複数の第２導電型の第２ベース層
    と、 各前記第２ベース層内に選択的に形成された第１導電型
    の第１エミッタ層と、 前記第１ベース層間の第１主面内に、前記第２ベース層
    と離間して形成された第２導電型のリング層と、 前記第１ベース層、前記第２ベース層及び前記第１エミ
    ッタ層上に、各々、ゲート絶縁膜を介して設置されたゲ
    ート電極と、 前記第２ベース層及び前記第１エミッタ層の各々と電気
    的に接続され、且つ前記リング層内の当該第２ベース層
    側において、各々、電気的に接続された第１主電極と、 前記第１型ベース層の前記第２主面に形成された第２導
    電型の第２エミッタ層または第1導電型ドレイン層と、 前記第２エミッタ層または前記ドレイン層に形成された
    第２主電極とを具備し、 前記第１ベース層から前記リング層を通して各第１主電
    極に流れる前記リング層内の電流通路に、各々、当該リ
    ング層より低抵抗を有する低抵抗領域を設けたことを特
    徴とする高耐圧半導体装置。
  20. 【請求項２０】前記低抵抗領域が、導電性物質からなる
    ことを特徴とする請求項１９に記載の高耐圧半導体装
    置。
  21. 【請求項２１】前記導電性物質が、前記第1主電極と同
    種の金属からなることを特徴とする請求項２０に記載の
    高耐圧半導体装置。
  22. 【請求項２２】前記導電性物質が、前記リング層と同導
    電型で、且つ高不純物濃度を有する半導体からなること
    を特徴とする請求項２０に記載の高耐圧半導体装置。
  23. 【請求項２３】前記低抵抗領域が、前記リング層の中央
    部より前記第２ベース層側に配置されてなることを特徴
    とする請求項１９乃至２２のいずれか１項に記載の高耐
    圧半導体装置。
  24. 【請求項２４】前記低抵抗領域は、前記リング層内に設
    けられたトレンチと、前記トレンチ内部に形成され、且
    つ前記第１主電極と電気的に接続された導電性物質とを
    具備してなることを特徴とする請求項１９乃至２２のい
    ずれか1項に記載の高耐圧半導体装置。
  25. 【請求項２５】前記トレンチは、前記リング層の中央部
    より前記第２ベース層側に配置されてなることを特徴と
    する請求項２４に記載の高耐圧半導体装置。
  26. 【請求項２６】前記導電性物質は、前記トレンチ内部に
    埋め込まれてなることを特徴とする請求項２４又は２５
    に記載の高耐圧半導体装置。
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