JP2002222804A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板キャリアが搬入出されるキャリア室と基板を搬送するための搬送室と基板を熱処理するためのホットウオール型熱処理ユニットの反応容器とを気密に接続した熱処理装置を用い、前記搬送室内の搬送手段によりキャリア室内の基板キャリアから基板を取り出して前記熱処理ユニット内に搬送しここで熱処理を行う方法において、
前記搬送室から熱処理ユニット内の反応容器内に基板を搬入する工程と、
前記反応容器内を処理温度に加熱して基板に対して熱処理を行う工程と、
前記反応容器内を処理温度まで昇温する過程及び熱処理後に反応容器を降温する過程の少なくとも一方において、前記基板の表面に熱交換用のガスを供給して基板と当該ガスとの間で熱交換を行う工程と、
前記反応容器から熱処理後の基板を搬出する工程と、を含むことを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】 熱交換用のガスは、基板の表面に対向するガス供給部から当該基板のほぼ全面に亘って吹き付けられることを特徴とする請求項１記載の熱処理方法。
【請求項３】 熱交換用のガスは、反応容器内に供給される前に予め所定の温度に調整されていることを特徴とする請求項１または２記載の熱処理方法。
【請求項４】 反応容器内を処理温度まで昇温する過程において第１の熱交換用のガスを基板に供給し、熱処理後に反応容器を降温する過程において基板に前記第１の熱交換用のガスよりも温度の低い第２の熱交換用のガスを供給することを特徴とする請求項１または２に記載の熱処理方法。
【請求項５】 反応容器内を処理温度まで昇温する過程において前記基板の表面に熱交換用のガスを供給する工程を含み、この工程の途中で熱交換用のガスの流量を大きくすること及び反応容器内に供給される前の温度を高くすることの少なくとも一方を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の熱処理方法。
【請求項６】 反応容器内を処理温度まで昇温する過程は、前記基板の表面に熱交換用のガスを処理温度より低い温度で供給する工程を含むと共に反応容器の外側に設けられた加熱手段により反応容器内が処理温度に加熱されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の熱処理方法。
【請求項７】 反応容器内を処理温度まで降温する過程において前記基板の表面に熱交換用のガスを供給する工程を含み、この工程の途中で熱交換用のガスの流量を大きくすること及び反応容器内に供給される前の温度を低くすることの少なくとも一方を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の熱処理方法。
【請求項８】 前記基板の表面に熱交換用のガスを供給する工程は、反応容器内に載置された基板を複数の領域に分割してこれら分割領域毎に独立して熱交換用のガスを供給する工程であり、
更に前記基板の分割領域の各々の温度を検出する工程と、
各分割領域の温度の検出結果に基づいて、各分割領域に供給される熱交換用のガスの流量及び温度の少なくとも一方を制御する工程と、を含むことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の熱処理方法。
【請求項９】 基板キャリアが搬入出されるキャリア室と基板を搬送するための搬送室と基板を熱処理するためのホットウオール型熱処理ユニットの反応容器とを気密に接続した熱処理装置を用い、前記搬送室内の搬送手段によりキャリア室内の基板キャリアから基板を取り出して前記熱処理ユニット内に搬送しここで熱処理を行う装置において、
前記反応容器内にて基板を載置するための載置部と、
この載置部に載置された基板の表面に熱交換用のガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部にガスを送るためのガス流路に介設された流路開閉部と、
前記反応容器内を処理温度まで昇温する過程及び熱処理後に反応容器を降温する過程の少なくとも一方において、前記基板に熱交換用のガスを供給するために流路開閉部を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】 ガス供給部は、載置部に載置された基板の表面に対向するように設けられると共にガスが基板のほぼ全面に亘って吹き付けられるように構成されていることを特徴とする請求項９記載の熱処理装置。
【請求項１１】 熱交換用のガスが反応容器内に供給される前に当該熱交換用のガスを予め所定の温度に調整するための温度調整部を備えたことを特徴とする請求項９または１０記載の熱処理装置。
【請求項１２】 ガス供給部は、反応容器内を処理温度まで昇温する過程において第１の熱交換用のガスを基板に供給し、熱処理後に反応容器を降温する過程において基板に前記第１の熱交換用のガスよりも温度の低い第２の熱交換用のガスを供給することを特徴とする請求項９または１０記載の熱処理装置。
【請求項１３】 ガス供給部は、反応容器内に載置された基板を複数の領域に分割してこれら分割領域毎に独立して熱交換用のガスを供給するように構成され、
前記基板の分割領域の各々の温度を検出する温度検出部と、
各分割領域の温度の検出結果に基づいて、各分割領域に供給される熱交換用のガスの流量及び温度の少なくとも一方を制御する手段と、を含むことを特徴とする請求項９ないし１２のいずれかに記載の熱処理装置。
【請求項１４】 流路開閉部の上流側に一回の熱交換に必要な量の熱交換用のガスを蓄えておくタンクを設けことを特徴とする請求項９ないし１３のいずれかに記載の熱処理装置。

【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板キャリアが搬入出されるキャリア室と基板を搬送するための搬送室と基板を熱処理するためのホットウオール型熱処理ユニットの反応容器とを気密に接続した熱処理装置を用い、前記搬送室内の搬送手段によりキャリア室内の基板キャリアから基板を取り出して前記熱処理ユニット内に搬送しここで熱処理を行う方法において、
前記搬送室から熱処理ユニット内の反応容器内に基板を搬入する工程と、
前記反応容器内を処理温度に加熱して基板に対して熱処理を行う工程と、
前記反応容器内を処理温度まで昇温する過程及び熱処理後に反応容器を降温する過程の少なくとも一方において、前記基板の表面に熱交換用のガスを供給して基板と当該ガスとの間で熱交換を行う工程と、
前記反応容器から熱処理後の基板を搬出する工程と、を含むことを特徴とする。
この発明では、 熱交換用のガスは、基板の表面に対向するガス供給部から当該基板のほぼ全面に亘って吹き付けられることが好ましく、また熱交換用のガスは、反応容器内に供給される前に予め所定の温度に調整されていることが好ましい。具体的には、例えば反応容器内を処理温度まで昇温する過程において第１の熱交換用のガスを基板に供給し、熱処理後に反応容器を降温する過程において基板に前記第１の熱交換用のガスよりも温度の低い第２の熱交換用のガスを供給する。

また反応容器内を処理温度まで昇温する工程の途中で熱交換用のガスの流量を大きくすること及び反応容器内に供給される前の温度を高くすることの少なくとも一方を行うようにしてもよいし、また反応容器内を処理温度まで降温する工程の途中で熱交換用のガスの流量を大きくすること及び反応容器内に供給される前の温度を低くすることの少なくとも一方を行うようにしてもよい。また反応容器内を処理温度まで昇温する過程は、前記基板の表面に熱交換用のガスを処理温度より低い温度で供給する工程を含むと共に反応容器の外側に設けられた加熱手段により反応容器内が処理温度に加熱されるようにしてもよい。

更に本発明では、前記基板の表面に熱交換用のガスを供給する工程は、反応容器内に載置された基板を複数の領域に分割してこれら分割領域毎に独立して熱交換用のガスを供給する工程であり、
前記基板の分割領域の各々の温度を検出する工程と、
各分割領域の温度の検出結果に基づいて、各分割領域に供給される熱交換用のガスの流量及び温度の少なくとも一方を制御する工程と、を含むようにしてもよく、このようにすればより一層高い面内均一性をもって基板の加熱、冷却を行うことができる。

また本発明は、熱処理装置としても成立するものであり、具体的には基板キャリアが搬入出されるキャリア室と基板を搬送するための搬送室と基板を熱処理するためのホットウオール型熱処理ユニットの反応容器とを気密に接続した熱処理装置を用い、前記搬送室内の搬送手段によりキャリア室内の基板キャリアから基板を取り出して前記熱処理ユニット内に搬送しここで熱処理を行う装置において、
前記反応容器内にて基板を載置するための載置部と、
この載置部に載置された基板の表面に熱交換用のガスを供給するためのガス供給部と、
前記ガス供給部にガスを送るためのガス流路に介設された流路開閉部と、
前記反応容器内を処理温度まで昇温する過程及び熱処理後に反応容器を降温する過程の少なくとも一方において、前記基板に熱交換用のガスを供給するために流路開閉部を制御する制御部と、を備えたことを特徴とする。この場合、流路開閉部の上流側に一回の熱交換に必要な量の熱交換用のガスを蓄えておくタンクを設けておくようにしてもよい。