CN101748385B - 用于化学气相沉积(cvd)的基板处理设备 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于化学气相沉积(CVD)的基板处理设备，包含用以承置玻璃基板的基座，并于基座上方设有可相对基座作垂直位移的遮蔽框架，基座和遮蔽框架分别设有同样为陶瓷材质的复位钮与复位块，能避免复位钮通过卡合固定于复位块来进行相互对位时造成复位块容易损伤的问题，且上述陶瓷复位块为可拆卸式，修缮时无须更换整个遮蔽框架，可有效延长遮蔽框架的使用寿命，并减少生产成本及提高产品良率。
Description
【技术领域】
本发明是有关一种化学气相沉积(CVD)装置，特别是指一种应用于化学气相沉积制程，为了将玻璃基板承载于反应室中以进行表面处理的基板处理设备。
【背景技术】
化学气相沉积(CVD)经数十年的发展，已成为半导体及薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)制程中最主要的薄膜沉积工具，而其中又以电浆为最重要的关键的一，由于PECVD制程中含有许多无法预测的变量，当电浆受异常状况(压力异常、射频供应器异常、制程气体供输异常、成膜环境异常等)影响时，轻者可能造成设备当机，重者可能致使产品的损失及设备处于生产状态的时间占总时间的比值的下降。
针对TFT-LCD的化学气相沉积制程中，请参阅图1，其为现有技术的基板处理设备的示意图，其包含基座(Susceptor)11与遮蔽框架(Shadow Frame)12，基座11与遮蔽框架12会上下(Up/Down)往复运动，来针对液晶面板进行加工；然而，在周期性往复而造成遮蔽框架12的复位针孔(Reset Pin Hole)121因多次受撞击后损坏，从而产生金属粒子(Metal Particle)122崩坏，造成面板的污染。
其次，复位针孔(Reset Pin Hole)121因撞击而使尺寸变大，导致遮蔽框架12与基座11密合时，遮蔽玻璃基板13位置偏移，而使得玻璃基板13镀膜区域也跟着位移，严重时，将会导致腔体部(Chamber Parts)的表面发生电弧放电(Arcing)。为防止这种缺失的发生，得经常性地更换遮蔽框架12，然而，仅因为复位针孔121尺寸的问题就要更换整个遮蔽框架12，造成成本大幅提高。
【发明内容】
鉴于以上的问题，本发明提供一种用于化学气相沉积(CVD)的基板处理设备，以大体上解决先前技术存在的缺失，提高基板处理设备的使用生命周期，同时避免因金属破碎粒子导致污染、与良率降低的问题。
因此为实现上述所要解决的技术问题，本发明所揭露的用于化学气相沉积(CVD)的基板处理设备，包含有基座、遮蔽框架与多个陶瓷复位块，基座具有处理平台，用以承置玻璃基板，且处理平台周围凸设至少一个陶瓷复位钮(Reset Button)；遮蔽框架，设有对应处理平台的凹槽，使基座作垂直位移而重迭于基座，并通过凹槽使玻璃基板可露出，且遮蔽框架底部对应陶瓷复位钮而设有至少一个陶瓷复位块。陶瓷复位块底部是配合陶瓷复位钮的顶部形状朝内凹陷，形成有可供陶瓷复位钮对位的复位孔，使该蔽框架重迭于基座时，陶瓷复位钮卡合固定入复位孔，同时，陶瓷复位块设置固定于遮蔽框架上，并其设置为可拆卸装置，为可自遮蔽框架拆卸更替，而可于复位孔磨损或是损坏后，仅更替复位块，除了可以免除需要更替整个遮蔽框架、而提高成本的问题外，同时可以常态保持复位孔、复位钮的配合精度，避免习知金属粒子污染的问题，提高生产加工良率，并延长使用操作的生命周期。
【附图说明】
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1为现有技术的基板处理设备的剖视图；
图2为用于化学气相沉积(CVD)的基板处理设备的实施例的剖视图；
图3A为基板处理设备的遮蔽框架的立体外观图；
图3B为图3A沿A-A剖面线所取的剖视图；
图3C为图3B局部放大图；
图4为本发明的用于化学气相沉积(CVD)的基板处理设备的另一实施例的剖视图。
【具体实施方式】
请参阅图2，为本发明的用于化学气相沉积(CVD)的基板处理设备的实施例的剖视图。化学气相沉积(CVD)的基板处理设备，包含有基座21与遮蔽框架22，基座21具有处理平台211，用以承置玻璃基板23，且处理平台211周围凸设至少一个陶瓷复位钮(Reset Button)24。遮蔽框架22设有对应处理平台211的凹槽221，使基座21作垂直位移而重迭于基座21，并藉由凹槽221使玻璃基板23可露出，且遮蔽框架22底部对应陶瓷复位钮24而设有至少一个陶瓷复位块25。陶瓷复位块25底部系配合陶瓷复位钮24的顶部形状朝内凹陷，形成有可供陶瓷复位钮24对位的复位孔222，使遮蔽框架22相对基座21作垂直位移而重迭于基座21时，陶瓷复位钮24卡合固定入复位孔222。
请参阅图3A及图3B及图3C，图3A为基板处理设备的遮蔽框架的立体外观图，图3B为图3A沿A-A剖面线所取的剖视图，图3C为图3B局部放大图。于图3A中，遮蔽框架22设有对应一基座的处理平台的凹槽221，且遮蔽框架22底部设有装设槽，以设置陶瓷复位块25。
于图3C中，由于陶瓷复位块25设置固定于遮蔽框架22上，并其设置为可拆卸装置，可自遮蔽框架22拆卸更替，而可于复位孔222磨损或是损坏后，仅更替陶瓷复位块25，而陶瓷复位块25的材质为氧化铝(Al2O3)，且陶瓷复位块25的横截面大致为T型的陶瓷T型块。其中，遮蔽框架22底部的装设槽30供陶瓷复位块25设置，而陶瓷复位块25可利用至少一螺钉31螺固于遮蔽框架22上，而螺钉31表面系经由阳极处理而形成一陶瓷氧化膜，此外，陶瓷复位块25底部配合一基座的陶瓷复位钮的顶部形状朝内凹陷，形成有可供陶瓷复位钮对位的复位孔222，这样，可以常态保持复位孔、陶瓷复位钮的配合精度。
当陶瓷复位钮通过卡合固定于陶瓷复位块25来进行相互对位，而造成陶瓷复位块25损伤时，上述陶瓷复位块25为可拆卸式，修缮时无须更换整个遮蔽框架22，仅需将螺钉31自遮蔽框架22上卸除，以使陶瓷复位块25脱离遮蔽框架22的装设槽30，可达到方便卸除更替的功效，以及有效延长遮蔽框架22的使用寿命，并减少生产成本及提高产品良率的目的。
此外，陶瓷复位块25还可通过嵌合或胶合方式设置于装设槽30内，如陶瓷复位块25是利用一耐热胶胶合于遮蔽框架22上。
请参阅图4，其为本发明的用于化学气相沉积的基板处理设备的另一实施例的剖视图。基板处理设备包含基座41与遮蔽框架42，于薄膜晶体管-液晶显示器(TFT-LCD)的化学气相沉积制程中，基座41与遮蔽框架42会上下往复运动，来针对液晶显示器进行加工动作。
图中，基座41具有处理平台及至少一陶瓷复位钮24，处理平台用以承置玻璃基板23，而基座41的处理平台的上表面具有一第一表面411与一第二表面412，且第一表面411的高度高于第二表面412，而处理平台设置于基座41的第一表面411，陶瓷复位钮24设置于基座41的第二表面412。
遮蔽框架42设有对应处理平台的凹槽221，且底部对应陶瓷复位钮24而设有至少一个陶瓷复位块25，陶瓷复位块25设置固定于遮蔽框架42上，并其设置为可拆卸装置，可自遮蔽框架42拆卸更替。陶瓷复位块25底部系配合陶瓷复位钮24的顶部形状朝内凹陷，形成有可供陶瓷复位钮24对位的复位孔222。
遮蔽框架42的下表面具有一嵌合槽421，用以置入基座41的处理平台，且嵌合槽421顶部是部份连通于凹槽221底部，其中，凹槽221的底部面积小于顶部面积而具有一梯形剖面。当遮蔽框架22相对基座21作垂直位移而重迭于基座21时，陶瓷复位钮24卡合固定入复位孔222，而处理平台可顶抵于嵌合槽421顶部的遮蔽框架22，并露出玻璃基板23于凹槽221底部。
由上述得知，本发明的复位钮与复位块的材质为陶瓷(Ceramic)取代习知复位针孔的材质为铝(Al)，用以解决现有复位针孔因多次受撞击后损坏，而需要更换整个遮蔽框架的问题。更进一步而言，能有效控制复位针孔受撞击后所产生金属粒子崩坏而面板的污染，可提高生产加工良率、生产时效，并延长使用操作的生命周期。
本发明的用于化学气相沉积(CVD)的基板处理设备的遮蔽框架的陶瓷复位块部份变化与进一步应用可轻易替换、变更，熟悉此项技术的人士也可予以再设计，在此无法逐项罗列，但并非仅限定于此些方式变化。
此些组合方式可以轻易变化，无法一一绘示列举，图中所绘示仅为实施例，并非用以限定本发明的范围。
虽然本发明以前述的实施例揭露如上，但并非用以限定本发明。在不脱离本发明的精神和范围内，所为的变动与修饰，均属本发明的专利保护范围。关于本发明所界定的保护范围请参考所附的权利要求书。
Claims (12)
1.一种用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：包含，
一基座，具有一处理平台，用以承置一玻璃基板，该处理平台周围凸设至少一陶瓷复位钮；
一遮蔽框架，设有一对应该处理平台的凹槽，且底部对应该陶瓷复位钮设有至少一陶瓷复位块；以及
该陶瓷复位块设置固定于该遮蔽框架上，并其设置为可拆卸装置，可自该遮蔽框架拆卸更替。
2.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该遮蔽框架上设置有一凹槽，使该遮蔽框架作垂直位移而重迭于该基座，并通过该凹槽使该玻璃基板可露出。
3.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该陶瓷复位块底部配合该陶瓷复位钮的顶部形状朝内凹陷，形成有一可供该陶瓷复位钮对位的复位孔，使该遮蔽框架重迭于该基座时，该陶瓷复位钮卡合固定入该复位孔。
4.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该陶瓷复位块的材质是氧化铝。
5.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该陶瓷复位块的横截面大致为T型。
6.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该遮蔽框架底部具有至少一装设槽，以设置该陶瓷复位块。
7.如权利要求6所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该陶瓷复位块是通过螺固、嵌合或胶合方式设置于该装设槽内。
8.如权利要求7所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该陶瓷复位块利用至少一螺钉螺固方式于该遮蔽框架，该螺钉表面经由阳极处理而形成一陶瓷氧化膜。
9.如权利要求7所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该陶瓷复位块是利用一耐热胶胶合方式于该遮蔽框架。
10.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该凹槽的底部面积小于顶部面积而具有一梯形剖面。
11.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该基座的上表面具有一第一表面与一第二表面，且该第一表面的高度高于该第二表面，而该处理平台设置于该基座的该第一表面，该陶瓷复位钮设置于该基座的该第二表面。
12.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的基板处理设备，其特征在于：该遮蔽框架的下表面更具有一嵌合槽，用以置入该基座的该处理平台，且该嵌合槽顶部部份连通于该凹槽底部，使该处理平台可顶抵于该嵌合槽顶部的该遮蔽框架并露出该玻璃基板于该凹槽底部。
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