CN203546206U - 一种下炉盖升降机构 - Google Patents

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CN201320737510.8U
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赵梅玉
邓树军
高宇
段聪
陶莹
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Hebei Tongguang Semiconductor Co ltd
Original Assignee
HEBEI TONGGUANG CRYSTAL CO Ltd
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Abstract

本实用新型涉及一种下炉盖升降机构,包括机台(1)、气缸(2)、撞块(3)、O型密封圈(5)、下炉盖(6)、套筒(7)、支架(8)和升降平台组件(9);所述升降平台组件(9)安装在所述机台(1)上;所述下炉盖(6)与所述升降平台组件(9)之间通过所述套筒(7)和所述支架(8)连接;所述气缸(2)以所述下炉盖(6)圆心为圆心环形均匀分布三套,每一套所述气缸(2)上设有一个所述撞块(3);所述O型密封圈(5)处于下炉室(4)下部。本实用新型提供一种下炉盖升降机构使得拆装热场方便,同时保证炉体具有真空密封的问题。

Description

一种下炉盖升降机构
技术领域
本实用新型涉及碳化硅单晶生长炉领域,具体涉及一种下炉盖升降机构。
背景技术
在半导体器件的应用方面,随着碳化硅生产成本的降低,碳化硅由于其优良的性能而可能取代硅作芯片,打破硅芯片由于材料本身性能的瓶颈,将给电子业带来革命性的变革。目前碳化硅的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件,未来手机和笔记本电脑的背景光市场将给碳化硅提供巨大的需求增长。同时晶体生长设备-单晶生长炉也随之得到了飞速的发展。碳化硅单晶生长炉属于高真空密封装置,对真空泄漏率的要求很高。由于晶体工艺要求,需要增加下炉盖下降开启功能,便于拆装内部热场件。晶体生长过程,需要下炉盖与下炉室密封。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供一种下炉盖升降机构。
本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下:一种下炉盖升降机构,包括机台1、气缸2、撞块3、O型密封圈5、下炉盖6、套筒7、支架8和升降平台组件9;所述升降平台组件9安装在所述机台1上;所述下炉盖6与所述升降平台组件9之间通过所述套筒7和所述支架8连接;所述气缸2围绕所述下炉盖6中心环形均匀分布有三套,每一套所述气缸2上设有一个所述撞块3;所述O型密封圈5处于下炉室4下部。
进一步,所述套筒7与所述下炉盖6无硬连接,仅有孔轴间隙配合;所述升降平台组件9上通过内置的限位开关控制所述下炉盖6的最高及最低位置高度;所述下炉盖6升至上限位高度时与所述O型密封圈5之间留有一定的间隙。
本实用新型的有益效果是:拆装热场方便,同时保证炉体具有真空密封的问题。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图;
图2为图1的A-A剖视图。
附图中,各标号所代表的部件列表如下:
1、机台,2、气缸,3、撞块,4、下炉室,5、O型密封圈,6、下炉盖,7、套筒,8、支架,9、升降平台组件。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本实用新型,并非用于限定本实用新型的范围。
如图1和图2所示,一种下炉盖升降机构,包括机台1、气缸2、撞块3、O型密封圈5、下炉盖6、套筒7、支架8和升降平台组件9;所述O型密封圈5处于下炉室4下部;所述升降平台组件9安装在所述机台1上;所述气缸2围绕所述下炉盖6中心环形均匀分布有三套,每一套所述气缸2上设有一个所述撞块3,气缸2开启顶升,带动撞块3压紧下炉盖6继续顶升,使O型密封圈5变形压紧,保证密封,顶升均匀,防止下炉盖6偏移下炉室4,影响密封,如果没有气缸2顶升,升降平台组件9的上限位很难准确至O型密封圈5压紧密封位置;丝杠需要长时期承受下炉盖6的压紧力;所述下炉盖6与所述升降平台组件9之间通过所述套筒7和所述支架8连接,套筒7与下炉盖6无硬连接,仅有孔轴间隙配合,便于气缸2顶升下炉盖6保证密封;所述升降平台组件9上通过内置的限位开关控制所述下炉盖6的最高及最低位置高度;可下降至热场取出的低位,下炉盖6复位时,先升至上限位高度,即下炉盖6上方进入下炉室4的炉口,与O型密封圈5留有一定的间隙,套筒7进入定位孔内,位于机台1下方的气缸2动作。本实用新型提供的一种下炉盖升降机构整个过程无需繁杂人工操作,仅控制气缸2启动时间,其余自动完成,同时保证炉体具有真空密封的问题。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种下炉盖升降机构,其特征在于:包括机台(1)、气缸(2)、撞块(3)、O型密封圈(5)、下炉盖(6)、套筒(7)、支架(8)和升降平台组件(9);所述升降平台组件(9)安装在所述机台(1)上;所述下炉盖(6)与所述升降平台组件(9)之间通过所述套筒(7)和所述支架(8)连接;所述气缸(2)围绕所述下炉盖(6)中心环形均匀分布有三套,每一套所述气缸(2)上设有一个所述撞块(3);所述O型密封圈(5)处于下炉室(4)下部。
2.根据权利要求1所述的一种下炉盖升降机构,其特征在于:所述套筒(7)与所述下炉盖(6)连接采用孔轴间隙配合。
3.根据权利要求1所述的一种下炉盖升降机构,其特征在于:所述升降平台组件(9)上通过内置的限位开关控制所述下炉盖(6)的最高及最低位置高度。
4.根据权利要求1至3任一所述的一种下炉盖升降机构,其特征在于:所述下炉盖(6)升至上限位高度时与所述O型密封圈(5)之间留有一定的间隙。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109682215A (zh) * 2019-01-10 2019-04-26 浙江晶盛机电股份有限公司 一种用于碳化硅炉炉底板的升降合笼结构及其使用方法
CN114645323A (zh) * 2022-03-30 2022-06-21 中科前沿科技研究有限公司 一种钻石晶体生长设备的真空系统结构

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Patentee before: HEBEI TONGGUANG CRYSTAL Co.,Ltd.

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