CN1492493A - 支撑装置 - Google Patents

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Abstract

一种支撑装置,适用于化学气相沉积机台中,在反应炉内支撑基板用,本发明的目的在于提供一种能够减少对基板造成刮伤的支撑装置,从而提高产能以及提高合格率,其基座与支撑部分离的设计,可根据不同的工作环境选择最适合的材料来制作支撑部,不需要整体使用同一材料一体成型,不仅可以降低制作成本,同时可以提供便利的更换方式。本发明的支撑装置包括一基座,一支撑部,一固定部,其中支撑部大体为圆顶的凸粒。在组装支撑装置时,将支撑部置于基座上,再用固定部将基座与支撑部耦合。

Description

支撑装置
技术背景
本发明涉及一种适用在半导体制作工艺中化学气相沉积机台,在反应炉内支撑基板用的支撑装置,特别是涉及一种配置该种支撑装置的机台。
背景技术
化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)是一种利用化学反应的方式,在反应炉内将反应物(通常为气体)生成固态的生成物沉积在基板表面的一种薄膜沉积技术,化学气相沉积为半导体制作工艺中最重要且主要的薄膜沉积方法。
如图1所示,其为现有化学气相沉积机台的示意图,一玻璃基板10放置在机台12上,通过一机械手臂14传递移动玻璃基板10,此一化学气相沉积机台位于加热反应炉之内。以目前3.5代液晶显示器(LCD)制作工艺而言,玻璃基板10的长度约为650mm-750mm、宽度约为550mm-650mm。由图所示,玻璃基板10因自重将会产生弯曲的现象,因而造成机械手臂14无法进行传送的动作,且此情况随着玻璃基板的尺寸扩大,基板弯曲的情况将会更严重。
有鉴于此,为了防止玻璃基板弯曲而影响基板传送,目前的技术是在机台上设置支撑装置,用以支撑基板,使其不会因自重而弯曲。请参见图2,其设置有支撑装置26的化学气相沉积机台22的示意图。如图所示,玻璃基板20放置于机台22上,且机台22上设置有数个支撑装置26。通过支撑装置26的支撑,玻璃基板20将不会因自重而弯曲,机械手臂24便可顺利移动玻璃基板20。
此时,支撑装置的形状及材料就非常的重要。现有的支撑装置,通常利用陶瓷或不锈钢材料制成。以使用陶瓷制成的支撑装置来说,整个支撑装置是陶瓷材料一体成型,且支撑装置上端为一平面,此种支撑装置的缺点在于因为材料为陶瓷,使得整体的重量较轻,因此当玻璃基板移动时,支撑装置容易被静电吸附而与玻璃基板同时移动,将造成玻璃基板的破片问题,又支撑装置与玻璃基板的接触面为一平面,将会增加玻璃基板的刮伤范围。以使用不锈钢材料制成的支撑装置来说,由于整个化学气相沉积机台设置于高温的反应炉之内,不锈钢在高温时会与玻璃发生反应而使玻璃基板损伤。由于使用陶瓷或不锈钢材料制成的支撑装置,均非常容易刮伤玻璃基板,或是在玻璃基板背面留下痕迹,而当玻璃基板到后段制作工艺时,因为需要切割,当切割线经过如上述的刮伤及痕迹时,极容易产生裂痕,将会造成玻璃基板的破裂,使得产能及良率大幅度下降。
发明内容
本发明的支撑装置目的在于一种能够减少对基板造成刮伤的支撑装置,进而提高产能以及提高合格率。使用时,本发明的支撑装置将放置于反应炉内既定的一杆件(图上未显示)上,由支撑部与基板接触给予基板一支撑力。
根据本发明的支撑装置,包括一基座,一支撑部,一固定部,其中支撑部大体为圆顶的凸粒。在组装支撑装置时,将支撑部置于基座上,再用固定部将基座与支撑部耦合。
根据本发明的一实施例,包括一基座,一支撑部,以及一扣环。基座具有一孔洞,支撑部为一圆顶状凸粒,具有一卡槽,扣环为一C型扣环。在组装支撑装置时,将支撑部由基座内部穿过基座的孔洞后,突出于基座上部,再将扣环卡入支撑部的卡槽,则支撑部便可通过扣环与基座卡固。
根据本发明的另一实施例,包括一基座,一支撑部以及一上盖。基座上具有一凹槽以及一第一固定部,支撑部为一圆顶状凸粒,上盖具有第二固定部。在组装支撑装置时,将支撑部放置在基座上的凹槽内,在将上盖盖上使第一固定部与第二固定部耦合。
附图说明
图1为一种现有的化学气相沉积机台示意图;
图2为一种现有配置有支撑装置的化学气相沉积机台示意图;
图3a为本发明的第一实施例的支撑装置示意图;
图3b为本发明的第一实施例的支撑装置分解图;
图4a为本发明的第二实施例的支撑装置示意图;
图4b为本发明的第二实施例的支撑装置分解图。
具体实施方式
根据本发明的支撑装置,包括一基座,设置在机台上;一支撑部,设置在基座上,用以支撑放置于机台上的玻璃基板;一固定部,用以将支撑部固定设置于基座上,以形成支撑玻璃基板的支撑装置。其中支撑部大体为圆顶的凸粒。在组装支撑装置时,将支撑部设置在基座上,再用固定部将基座与支撑部耦合。使用时,支撑装置将放置于反应炉内既定的一杆件(图上未显示)上,由支撑部与基板接触,给予基板一支撑力。
实施例一:
参见图3a和图3b,详细说明依据本发明的第一个实施例的支撑装置30。如图所示,一支撑装置30包括一基座32,一支撑部34,一固定部36,在本实施例中为一扣环。
如图3a和图3b所示,基座32上具有一孔洞,孔洞上部的截面积小于下部的截面积,支撑部34为一圆顶状凸粒,其上具有卡槽341,扣环为一标准C型扣环。在组装支撑装置时,将支撑部34由基座32内部穿过基座的孔洞后,突出于基座32上部,再将扣环36卡入支撑部34上的卡槽341中,则支撑部34便可通过扣环36与基座32卡固,形成一支撑装置30。使用时,将支撑装置30设置于反应炉内既定的一杆件(图上未显示)上,由支撑装置30的支撑部34与基板接触,给予基板一支撑力。
其中,上述的基座32其材料为不锈钢,因而使得整个支撑装置有一定的重量,就可避免因静电吸附而造成的破片问题。
又,上述的支撑部34的材料为陶瓷,且圆顶式的设计将减少与玻璃基板的接触面,进而减少玻璃基板的刮伤范围。
另外,上述的支撑部34也可为工程塑料(PBI)或是石英,也可以是可耐热且不易与玻璃产生反应的材料。
由上述可知,依本发明的支撑装置其基座32与支撑部34分离的设计,可根据不同的工作环境选择最适合的材料来制作支撑部,不需要整体用同一材料一体成型,不仅可以降低制作成本,同时可以提供便利的更换方式。又本发明使用一扣环36来卡固基座32与支撑部34,而不使用一螺丝钉的理由在于省去了螺合螺丝的步骤,且本发明的支撑装置的体积甚小,锁合螺丝也非常的麻烦。
实施例二:
参见图4a和图4b,详细说明依据本发明的第二个实施例的支撑装置40。如图所示,一支撑装置40包括一基座42,一固定部43,在本实施例中为一具有螺纹的上盖,一支撑部44。
如图4a和图4b所示,基座42上具有一凹槽421以及一第一固定部422,支撑部44为一圆顶状凸粒,上盖43具有第二固定部432。在组装支撑装置30时,将支撑部44放置于基座42上的凹槽421内,再将上盖43上的第二固定部432与基座上的第一固定部422耦合。使用时,将支撑装置40设置于反应炉内既定的一杆件(图上未显示)上,由支撑装置40的支撑部44与基板接触,给予基板一支撑力。
其中,上述的第一固定部为公螺纹,该第二固定部为母螺纹,或是上述的第一固定部为母螺纹,该第二固定部为公螺纹,该第一固定部与第二固定部螺合。
又,上述的基座42与上盖43的材料为不锈钢,因而使得整个支撑装置有一定的重量,就可避免因静电吸附而造成的破片问题。
又,上述的支撑部44的材料为陶瓷,且圆顶式的设计将减少与玻璃基板的接触面,进而减少玻璃基板的刮伤范围。
另外,上述的支撑部44也可为工程塑料(PBI)或是石英,也可以是可耐热且不易与玻璃产生反应的材料。
由上述可知,依本发明的支撑装置其基座42与支撑部44分离的设计,可根据不同的工作环境选择最适合的材料来制作支撑部,不需要整体用同一材料一体成型,不仅可以降低制作成本,同时可以提供便利的更换方式。又本发明使用一第一固定部421及一第二固定部432来卡固基座42与支撑部44,则不需要使用螺丝钉。
虽然结合以上数个较佳实施例揭露了本发明,然而其并非用以限定本发明,任何熟悉本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内,仍可作少许的更动与润饰,因此本发明的保护范围应以权利要求所界定的为准。

Claims (25)

1.一种支撑装置,适用于半导体制作工艺的机台,包括:
一基座;
一支撑部,设置于该基座上;
一固定部,耦合该基座与该支撑部。
2.如权利要求1所述的支撑装置,其中该固定部为一扣环。
3.如权利要求2所述的支撑装置,其中该支撑部上还具有一环状凹槽,该扣环与该支撑部卡合于该环状凹槽。
4.如权利要求1所述的支撑装置,其中该基座上具有公螺纹,该固定部上具有母螺纹,该公螺纹与该母螺纹螺合。
5.如权利要求1所述的支撑装置,其中该基座上具有母螺纹,该固定部上具有公螺纹,该公螺纹与该母螺纹螺合。
6.如权利要求1所述的支撑装置,其中该基座的材料为不锈钢。
7.如权利要求6所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为陶瓷。
8.如权利要求6所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为工程塑料(PBI)。
9.如权利要求6所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为石英。
10.一种支撑装置,适用于半导体制作工艺的机台,包括:
一基座,具有一孔洞;
一支撑部,穿过该孔洞而突出于该基座;
一扣环,与该基座邻接,该扣环卡固该基座与该支撑部。
11.如权利要求10所述的支撑装置,其中该支撑部上还具有一环状凹槽,该扣环与该支撑部卡合于该环状凹槽。
12.如权利要求10所述的支撑装置,其中该扣环为C型扣环。
13.如权利要求12所述的支撑装置,其中该支撑部上还具有一环状凹槽,该C型扣环与该支撑部卡合于该环状凹槽。
14.如权利要求10所述的支撑装置,其中该基座的材料为不锈钢。
15.如权利要求14所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为陶瓷。
16.如权利要求14所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为工程塑料(PBI)。
17.如权利要求14所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为石英。
18.一种支撑装置,适用于半导体制作工艺的机台,包括:
一基座,设置一凹槽,该基座具有一第一固定部;
一支撑部,置于该基座上的该凹槽中;
一上盖,具有第二固定部与该基座的第一固定部耦合。
19.如权利要求18所述的支撑装置,其中该第一固定部为公螺纹,该第二固定部为母螺纹。
20.如权利要求18所述的支撑装置,其中该第一固定部为母螺纹,该第二固定部为公螺纹。
21.如权利要求18所述的支撑装置,其中该基座的材料为不锈钢。
22.如权利要求21所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为陶瓷。
23.如权利要求21所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为工程塑料(PBI)。
24.如权利要求21所述的支撑装置,其中该支撑部的材料为石英。
25.如权利要求21所述的支撑装置,其中该上盖的材料为不锈钢。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101748385B (zh) * 2008-12-22 2012-05-09 深超光电(深圳)有限公司 用于化学气相沉积(cvd)的基板处理设备
CN104746021A (zh) * 2013-12-31 2015-07-01 宁波江丰电子材料股份有限公司 环件结构及其制造方法
CN110878429A (zh) * 2018-09-06 2020-03-13 昭和电工株式会社 基座和化学气相生长装置

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