JPH1022266A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH1022266A JPH1022266A JP8172392A JP17239296A JPH1022266A JP H1022266 A JPH1022266 A JP H1022266A JP 8172392 A JP8172392 A JP 8172392A JP 17239296 A JP17239296 A JP 17239296A JP H1022266 A JPH1022266 A JP H1022266A
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- semiconductor wafer
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- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温または低温で処理された半導体ウェーハ
を真空中で自動的に常温に戻す。 【解決手段】 真空チャンバー１のステージ３上に搬入
された半導体ウェーハ４の温度を温熱電対２Ａと度測定
器６で測定し、この温度に基づいて制御部２３が半導体
ウェーハ４が高温または低温で処理されたかを判定し、
低温と判定された時は加熱ユニット１３及びハロゲンラ
ンプ１０を動作状態に制御して、ガス噴出管９から噴出
される加熱ガスとハロゲンランプ１０からの輻射熱及び
ステージ３により低温の半導体ウェーハ４を常温に自動
的に戻し、また高温と判定された時は加熱ユニット１３
及びハロゲンランプ１０を非動作状態に制御してガス噴
出管９から噴出される非加熱ガス及びステージ３により
高温の半導体ウェーハを常温に自動的に戻す。
を真空中で自動的に常温に戻す。 【解決手段】 真空チャンバー１のステージ３上に搬入
された半導体ウェーハ４の温度を温熱電対２Ａと度測定
器６で測定し、この温度に基づいて制御部２３が半導体
ウェーハ４が高温または低温で処理されたかを判定し、
低温と判定された時は加熱ユニット１３及びハロゲンラ
ンプ１０を動作状態に制御して、ガス噴出管９から噴出
される加熱ガスとハロゲンランプ１０からの輻射熱及び
ステージ３により低温の半導体ウェーハ４を常温に自動
的に戻し、また高温と判定された時は加熱ユニット１３
及びハロゲンランプ１０を非動作状態に制御してガス噴
出管９から噴出される非加熱ガス及びステージ３により
高温の半導体ウェーハを常温に自動的に戻す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハを
高温あるいは低温で処理する処理チャンバー及び処理さ
れた半導体ウェーハを常温に戻す真空チャンバーを有す
るマルチチャンバー形式の半導体製造装置に関する。
高温あるいは低温で処理する処理チャンバー及び処理さ
れた半導体ウェーハを常温に戻す真空チャンバーを有す
るマルチチャンバー形式の半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化にとも
なって回路パターンの微細化が進み、ドライエッチング
の技術が採用されるようになっており、このドライエッ
チングの技術では、被処理物である半導体ウェーハの温
度を下げることにより反応を抑えて、加速されたイオン
のみで回路パターンを形成するために低温エッチング装
置が開発されている。
なって回路パターンの微細化が進み、ドライエッチング
の技術が採用されるようになっており、このドライエッ
チングの技術では、被処理物である半導体ウェーハの温
度を下げることにより反応を抑えて、加速されたイオン
のみで回路パターンを形成するために低温エッチング装
置が開発されている。
【０００３】図６は従来の半導体製造装置の要部を示す
説明図であり、エッチング処理チャンバー６６では半導
体ウェーハを−６０℃程度の低い温度条件下でエッチン
グ処理する。エッチング処理後の半導体ウェーハ６５は
エッチング処理チャンバー６６と同様な圧力に設定され
ている真空チャンバー６４に搬入され、ステージ６１に
載置される。真空チャンバー６４を大気に解放して半導
体ウェーハ６５を取り出す場合は、半導体ウェーハ６５
に空気中の水分が結露しないように、ヒータ６３により
加熱されたガス供給管６２内に窒素ガスを通して真空チ
ャンバー６４することで真空チャンバー６４内をパージ
して常温に戻すようにしていた。
説明図であり、エッチング処理チャンバー６６では半導
体ウェーハを−６０℃程度の低い温度条件下でエッチン
グ処理する。エッチング処理後の半導体ウェーハ６５は
エッチング処理チャンバー６６と同様な圧力に設定され
ている真空チャンバー６４に搬入され、ステージ６１に
載置される。真空チャンバー６４を大気に解放して半導
体ウェーハ６５を取り出す場合は、半導体ウェーハ６５
に空気中の水分が結露しないように、ヒータ６３により
加熱されたガス供給管６２内に窒素ガスを通して真空チ
ャンバー６４することで真空チャンバー６４内をパージ
して常温に戻すようにしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体ウェ
ーハのエッチング等の処理を極低温の温度条件下で行う
場合、上記のような加熱された窒素ガスを用いるといっ
た単純な真空チャンバーでは時間がかかり、スループッ
トが低下するという問題があった。
ーハのエッチング等の処理を極低温の温度条件下で行う
場合、上記のような加熱された窒素ガスを用いるといっ
た単純な真空チャンバーでは時間がかかり、スループッ
トが低下するという問題があった。
【０００５】本発明は、上記のような問題に鑑みてなさ
れたもので、高温または低温で処理された半導体ウェー
ハを真空中で自動的に常温に戻すことができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。
れたもので、高温または低温で処理された半導体ウェー
ハを真空中で自動的に常温に戻すことができる半導体製
造装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、半導体ウェーハを高温あるいは低温で処理
する処理チャンバー及び処理された半導体ウェーハを常
温に戻す真空チャンバーを少なくとも有するマルチチャ
ンバー式の半導体製造装置において、前記真空チャンバ
ーは、該真空チャンバー内に設置され、常に常温に温度
調整される半導体ウェーハ載置用ステージと、前記ステ
ージ上の半導体ウェーハに対向して配設され、高温ある
いは低温の半導体ウェーハを常温に戻すためのガスを吹
き付けるガス噴出手段と、前記ガス噴出手段から噴出さ
れるガスを加熱する加熱ユニットと、前記ステージ上の
半導体ウェーハに対向して配設され、低温の半導体ウェ
ーハを輻射熱で常温に戻すための加熱手段と、前記ステ
ージ上に搬入される半導体ウェーハの温度を測定する温
度測定手段と、前記温度測定手段が測定した温度に基づ
いて前記半導体ウェーハが高温または低温で処理された
かを判定するとともに低温と判定された時は前記加熱ユ
ニット及び前記加熱手段を動作状態に制御して低温の半
導体ウェーハを常温に戻し、高温と判定された時は前記
加熱ユニット及び前記加熱手段を非動作状態に制御して
前記ガス噴出手段から噴出されるガスにより高温の半導
体ウェーハを常温に戻す制御手段とを具備してなるもの
である。
に本発明は、半導体ウェーハを高温あるいは低温で処理
する処理チャンバー及び処理された半導体ウェーハを常
温に戻す真空チャンバーを少なくとも有するマルチチャ
ンバー式の半導体製造装置において、前記真空チャンバ
ーは、該真空チャンバー内に設置され、常に常温に温度
調整される半導体ウェーハ載置用ステージと、前記ステ
ージ上の半導体ウェーハに対向して配設され、高温ある
いは低温の半導体ウェーハを常温に戻すためのガスを吹
き付けるガス噴出手段と、前記ガス噴出手段から噴出さ
れるガスを加熱する加熱ユニットと、前記ステージ上の
半導体ウェーハに対向して配設され、低温の半導体ウェ
ーハを輻射熱で常温に戻すための加熱手段と、前記ステ
ージ上に搬入される半導体ウェーハの温度を測定する温
度測定手段と、前記温度測定手段が測定した温度に基づ
いて前記半導体ウェーハが高温または低温で処理された
かを判定するとともに低温と判定された時は前記加熱ユ
ニット及び前記加熱手段を動作状態に制御して低温の半
導体ウェーハを常温に戻し、高温と判定された時は前記
加熱ユニット及び前記加熱手段を非動作状態に制御して
前記ガス噴出手段から噴出されるガスにより高温の半導
体ウェーハを常温に戻す制御手段とを具備してなるもの
である。
【０００７】本発明の半導体製造装置においては、真空
チャンバーのステージ上に搬入された半導体ウェーハの
温度を温度測定手段で測定し、この測定温度に基づいて
制御手段の半導体ウェーハが高温または低温で処理され
たかを判定し、低温と判定された時は加熱ユニット及び
加熱手段を動作状態に制御して、ガス噴出手段から噴出
される加熱ガスと加熱手段からの輻射熱及びステージに
より低温の半導体ウェーハを常温に戻し、また高温と判
定された時は加熱ユニット及び加熱手段を非動作状態に
制御してガス噴出手段から噴出される非加熱ガス及びス
テージにより高温の半導体ウェーハを常温に戻すから、
高温または低温で処理された半導体ウェーハを真空中で
自動的に常温に戻すことができる。
チャンバーのステージ上に搬入された半導体ウェーハの
温度を温度測定手段で測定し、この測定温度に基づいて
制御手段の半導体ウェーハが高温または低温で処理され
たかを判定し、低温と判定された時は加熱ユニット及び
加熱手段を動作状態に制御して、ガス噴出手段から噴出
される加熱ガスと加熱手段からの輻射熱及びステージに
より低温の半導体ウェーハを常温に戻し、また高温と判
定された時は加熱ユニット及び加熱手段を非動作状態に
制御してガス噴出手段から噴出される非加熱ガス及びス
テージにより高温の半導体ウェーハを常温に戻すから、
高温または低温で処理された半導体ウェーハを真空中で
自動的に常温に戻すことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態例につ
いて説明する。図１は、本発明にかかるマルチチャンバ
ー式半導体製造装置の実施の形態例を示す概略構成図で
ある。図１において、真空チャンバー１は、搬送チャン
バー１６にゲートバルブ１５を介して連結されており、
スパッタ、ＣＶＤ、あるいはエッチング等のプロセスに
より処理された低温または極低温の半導体ウェーハ４は
搬送チャンバー１６からゲートバルブ１５を通して真空
チャンバー１内に搬入される。真空チャンバー１の内部
の上側には温められた窒素ガス（Ｎ２）を噴出する円形
に形成されたガス噴出管９が配置され、また、ガス導入
管９の近傍にはランプコントローラ１１により制御され
たハロゲンランプ１０が配置されている。
いて説明する。図１は、本発明にかかるマルチチャンバ
ー式半導体製造装置の実施の形態例を示す概略構成図で
ある。図１において、真空チャンバー１は、搬送チャン
バー１６にゲートバルブ１５を介して連結されており、
スパッタ、ＣＶＤ、あるいはエッチング等のプロセスに
より処理された低温または極低温の半導体ウェーハ４は
搬送チャンバー１６からゲートバルブ１５を通して真空
チャンバー１内に搬入される。真空チャンバー１の内部
の上側には温められた窒素ガス（Ｎ２）を噴出する円形
に形成されたガス噴出管９が配置され、また、ガス導入
管９の近傍にはランプコントローラ１１により制御され
たハロゲンランプ１０が配置されている。
【０００９】ガス噴出管９には、真空チャンバー１の外
部に配設した窒素ガス加熱ユニット１３がガス開閉用バ
ルブ１４を介して接続され、更に窒素ガス加熱ユニット
１３には、窒素ガスの流量をコントロールするマスフロ
コントローラ１２が接続されている。従って、ガス噴出
管９に供給される窒素ガスの流量はマスフロコントロー
ラ１２でコントロールされ、窒素ガス加熱ユニット１３
で例えば２０〜３０℃程度に加熱された後、ガス噴出管
９から真空チャンバー１内に供給される。真空チャンバ
ー１内のガス噴出管９の下方に位置する底部には半導体
ウェーハ４を載置するステージ３が設置されている。こ
のステージ３には、該ステージ３を上下方向に貫通する
とともに真空チャンバー１の底部下方に突出する複数の
ウェーハピン２が上下可能に設けられており、このウェ
ーハピン２の外方突出端は支持部材５Ａを介して上下動
用の流体圧シリンダ５に連結されている。
部に配設した窒素ガス加熱ユニット１３がガス開閉用バ
ルブ１４を介して接続され、更に窒素ガス加熱ユニット
１３には、窒素ガスの流量をコントロールするマスフロ
コントローラ１２が接続されている。従って、ガス噴出
管９に供給される窒素ガスの流量はマスフロコントロー
ラ１２でコントロールされ、窒素ガス加熱ユニット１３
で例えば２０〜３０℃程度に加熱された後、ガス噴出管
９から真空チャンバー１内に供給される。真空チャンバ
ー１内のガス噴出管９の下方に位置する底部には半導体
ウェーハ４を載置するステージ３が設置されている。こ
のステージ３には、該ステージ３を上下方向に貫通する
とともに真空チャンバー１の底部下方に突出する複数の
ウェーハピン２が上下可能に設けられており、このウェ
ーハピン２の外方突出端は支持部材５Ａを介して上下動
用の流体圧シリンダ５に連結されている。
【００１０】各ウェーハピン２の上端には、半導体ウェ
ーハ４の温度を検出するアルミキャップ付きのシース型
熱電対２Ａが取り付けられており、この各シース型熱電
対２Ａには、半導体ウェーハ４の温度に応じて熱電対に
流れる熱電流を温度値に変換する温度測定器６がそれぞ
れ接続されている。また、上記各温度測定器６から出力
される温度情報は制御部２３に取り込まれ、その平均値
から半導体ウェーハ４の温度が高温または低温処理され
たいずれの半導体ウェーハかを判定し、その判定結果に
基づいてハロゲンランプ１０及びガス加熱ユニット１３
を制御するように構成されている。また、ステージ３に
は、その内部に形成したジャケットに連通する吐出管７
と給水管８が接続されており、この吐出管７及び給水管
８を通してステージ３のジャケット内に常温の水が循環
することにより、ステージ３を常温に保持する構成にな
っている。
ーハ４の温度を検出するアルミキャップ付きのシース型
熱電対２Ａが取り付けられており、この各シース型熱電
対２Ａには、半導体ウェーハ４の温度に応じて熱電対に
流れる熱電流を温度値に変換する温度測定器６がそれぞ
れ接続されている。また、上記各温度測定器６から出力
される温度情報は制御部２３に取り込まれ、その平均値
から半導体ウェーハ４の温度が高温または低温処理され
たいずれの半導体ウェーハかを判定し、その判定結果に
基づいてハロゲンランプ１０及びガス加熱ユニット１３
を制御するように構成されている。また、ステージ３に
は、その内部に形成したジャケットに連通する吐出管７
と給水管８が接続されており、この吐出管７及び給水管
８を通してステージ３のジャケット内に常温の水が循環
することにより、ステージ３を常温に保持する構成にな
っている。
【００１１】また、真空チャンバー１内には、ベントバ
ルブ１７を介して外部から窒素ガスを供給できるように
なっており、これにより真空チャンバー１内をベント
し、常温に戻された半導体ウェーハ４の取り出しを可能
にする。また、真空チャンバー１には、ゲートバルブ２
１を介してターボ分子ポンプ１９が接続され、更にター
ボ分子ポンプ１９にはドライポンプ２０が接続されてい
る。また、ゲートバルブ２１には、ターボ分子ポンプ１
９及びドライポンプ２０による排気側の真空度を測定す
る真空ゲージ２２が接続されている。また、真空チャン
バー１には、真空チャンバー１内の真空度を測定する真
空ゲージ１８が設けられている。なお、低温下で処理さ
れた半導体ウェーハ４を常温に戻す場合、真空チャンバ
ー１の真空度を搬送チャンバー１６とほぼ等しくした
後、ゲートバルブ１５を開いて半導体ウェーハ４の搬
入、あるいは搬出を行うようにして、相互間で残留ガ
ス、あるいは空気の流れが発生しないように防止してい
る。
ルブ１７を介して外部から窒素ガスを供給できるように
なっており、これにより真空チャンバー１内をベント
し、常温に戻された半導体ウェーハ４の取り出しを可能
にする。また、真空チャンバー１には、ゲートバルブ２
１を介してターボ分子ポンプ１９が接続され、更にター
ボ分子ポンプ１９にはドライポンプ２０が接続されてい
る。また、ゲートバルブ２１には、ターボ分子ポンプ１
９及びドライポンプ２０による排気側の真空度を測定す
る真空ゲージ２２が接続されている。また、真空チャン
バー１には、真空チャンバー１内の真空度を測定する真
空ゲージ１８が設けられている。なお、低温下で処理さ
れた半導体ウェーハ４を常温に戻す場合、真空チャンバ
ー１の真空度を搬送チャンバー１６とほぼ等しくした
後、ゲートバルブ１５を開いて半導体ウェーハ４の搬
入、あるいは搬出を行うようにして、相互間で残留ガ
ス、あるいは空気の流れが発生しないように防止してい
る。
【００１２】図２は、図１のガス噴出管９の構造を示す
平面図である。ガス噴出管９は、両端を閉塞したパイプ
をステージ３上に載置される半導体ウェーハ４の外径よ
りやや小さい径の円形に成形され、このガス噴出管９に
は、ステージ３上の半導体ウェーハ４に向けて窒素ガス
を噴出する噴出口９１がガス噴出管９の長手方向に沿っ
て形成されており、更にガス噴出管９の中間部には、窒
素ガス加熱ユニット１３に接続するための継手管９２が
設けられている。
平面図である。ガス噴出管９は、両端を閉塞したパイプ
をステージ３上に載置される半導体ウェーハ４の外径よ
りやや小さい径の円形に成形され、このガス噴出管９に
は、ステージ３上の半導体ウェーハ４に向けて窒素ガス
を噴出する噴出口９１がガス噴出管９の長手方向に沿っ
て形成されており、更にガス噴出管９の中間部には、窒
素ガス加熱ユニット１３に接続するための継手管９２が
設けられている。
【００１３】図３、図４は、図１のステージ３の構造を
示す説明図であり、図３（Ａ）はステージ３の平面図で
あり、図３（Ｂ）はステージ３の側面図であり、図４
（Ａ）は図３（Ｂ）の切断線ａ−ｂに沿う断面図であ
り、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の切断線ｃ−ｄに沿う断面
図である。図３、図４において、ステージ３のジャケッ
ト３０５は、基板３０１の上面に同心に形成した外周壁
３０２及び内周壁３０３と、基板３０１の中心から半径
方向に外周壁３０２達する隔壁３０４により区画された
外側ジャケット３０５Ａ及び内側ジャケット３０５Ｂ
と、この外側ジャケット３０５Ａ及び内側ジャケット３
０５Ｂの上面開口を密閉する蓋部材３０６から構成され
ている。この外側ジャケット３０５Ａと内側ジャケット
３０５Ｂ間は、隔壁３０４に隣接して内周壁３０３に形
成した開口３０７によって連通されているとともに、隔
壁３０４に隣接して基板３０１には外側ジャケット３０
５Ａ及び内側ジャケット３０５Ｂに連通する常温水供給
口３０８及び吐出口３０９がそれぞれ形成されている。
常温水供給口３０８及び吐出口３０９には、それぞれ常
温水供給用継手管３１０及び常温水吐出継手管３１１が
接合されている。また、３１２は基板３０１の縁部に円
周方向に沿い形成した取付穴である。
示す説明図であり、図３（Ａ）はステージ３の平面図で
あり、図３（Ｂ）はステージ３の側面図であり、図４
（Ａ）は図３（Ｂ）の切断線ａ−ｂに沿う断面図であ
り、図４（Ｂ）は図４（Ａ）の切断線ｃ−ｄに沿う断面
図である。図３、図４において、ステージ３のジャケッ
ト３０５は、基板３０１の上面に同心に形成した外周壁
３０２及び内周壁３０３と、基板３０１の中心から半径
方向に外周壁３０２達する隔壁３０４により区画された
外側ジャケット３０５Ａ及び内側ジャケット３０５Ｂ
と、この外側ジャケット３０５Ａ及び内側ジャケット３
０５Ｂの上面開口を密閉する蓋部材３０６から構成され
ている。この外側ジャケット３０５Ａと内側ジャケット
３０５Ｂ間は、隔壁３０４に隣接して内周壁３０３に形
成した開口３０７によって連通されているとともに、隔
壁３０４に隣接して基板３０１には外側ジャケット３０
５Ａ及び内側ジャケット３０５Ｂに連通する常温水供給
口３０８及び吐出口３０９がそれぞれ形成されている。
常温水供給口３０８及び吐出口３０９には、それぞれ常
温水供給用継手管３１０及び常温水吐出継手管３１１が
接合されている。また、３１２は基板３０１の縁部に円
周方向に沿い形成した取付穴である。
【００１４】このように構成されたステージ３の内周壁
３０３の３箇所に位置して、図１のウェーハピン２を上
下方向に移動可能に案内する貫通孔３１３が形成されて
いる。
３０３の３箇所に位置して、図１のウェーハピン２を上
下方向に移動可能に案内する貫通孔３１３が形成されて
いる。
【００１５】従って、供給用継手管３１０から常温水を
供給すれば、常温水は供給口３０８から外側ジャケット
３０５Ａ、開口３０７、内側ジャケット３０５Ｂ及び吐
出口３０９の経路で循環され、これにより、ステージ３
を常温に冷却することができる。
供給すれば、常温水は供給口３０８から外側ジャケット
３０５Ａ、開口３０７、内側ジャケット３０５Ｂ及び吐
出口３０９の経路で循環され、これにより、ステージ３
を常温に冷却することができる。
【００１６】次に、上記のように構成された本実施の形
態例の動作について、図５に示すフローチャートを参照
して説明する。先ず、ターボ分子ポンプ１９及びドライ
ポンプ２０を駆動して真空チャンバー１内の真空度を搬
送チャンバー１６の真空度と同一に保持しておく。そし
て、ステージ３のジャケットに常温水を循環させてステ
ージ３を常温に保持する。かかる状態で、ステップＳ１
にて、シリンダ５を前進駆動させることによりウェーハ
ピン２を上昇端まで上昇させ、次のステップＳ２でゲー
トバルブ１５を開いて、スパッタ、ＣＶＤ、エッチング
等の処理プロセスで処理された高温または低温の半導体
ウェーハ４を搬送チャンバー１６から真空チャンバー１
内に搬入し、ウェーハピン２上に載置して、そのシース
型熱電対２Ａと温度測定器６により半導体ウェーハ４の
温度を測定する。次いで、ステップＳ４においてゲート
バルブ１５を閉じる。
態例の動作について、図５に示すフローチャートを参照
して説明する。先ず、ターボ分子ポンプ１９及びドライ
ポンプ２０を駆動して真空チャンバー１内の真空度を搬
送チャンバー１６の真空度と同一に保持しておく。そし
て、ステージ３のジャケットに常温水を循環させてステ
ージ３を常温に保持する。かかる状態で、ステップＳ１
にて、シリンダ５を前進駆動させることによりウェーハ
ピン２を上昇端まで上昇させ、次のステップＳ２でゲー
トバルブ１５を開いて、スパッタ、ＣＶＤ、エッチング
等の処理プロセスで処理された高温または低温の半導体
ウェーハ４を搬送チャンバー１６から真空チャンバー１
内に搬入し、ウェーハピン２上に載置して、そのシース
型熱電対２Ａと温度測定器６により半導体ウェーハ４の
温度を測定する。次いで、ステップＳ４においてゲート
バルブ１５を閉じる。
【００１７】次のステップＳ５では、ウェーハピン２が
下降して半導体ウェーハ４をステージ３上に載置して、
ステップＳ６に移行する。ステップＳ６では、温度測定
器６で測定した温度情報に基づいて制御部２３により半
導体ウェーハ４が高温または低温で処理されたものか否
かを判定する。ここで、半導体ウェーハ４が低温で処理
された半導体ウェーハ４であると判定された場合は、ス
テップＳ７に移行し、窒素ガス加熱ユニット１３を動作
させ、かつランプコントローラ１１を制御してハロゲン
ランプ１０を点灯する。次のステップＳ８でガス導入バ
ルブ１４を開くことにより、窒素ガス加熱ユニット１３
で加熱された窒素ガスをガス噴出管９から低温の半導体
ウェーハ４に吹き付けて半導体ウェーハ４を加熱すると
ともに、ハロゲンランプ１０により加熱する。これによ
り、半導体ウェーハ４は加熱された窒素ガスと、ハロゲ
ンランプ１０及び常温に保持されるステージ３で常温に
する。
下降して半導体ウェーハ４をステージ３上に載置して、
ステップＳ６に移行する。ステップＳ６では、温度測定
器６で測定した温度情報に基づいて制御部２３により半
導体ウェーハ４が高温または低温で処理されたものか否
かを判定する。ここで、半導体ウェーハ４が低温で処理
された半導体ウェーハ４であると判定された場合は、ス
テップＳ７に移行し、窒素ガス加熱ユニット１３を動作
させ、かつランプコントローラ１１を制御してハロゲン
ランプ１０を点灯する。次のステップＳ８でガス導入バ
ルブ１４を開くことにより、窒素ガス加熱ユニット１３
で加熱された窒素ガスをガス噴出管９から低温の半導体
ウェーハ４に吹き付けて半導体ウェーハ４を加熱すると
ともに、ハロゲンランプ１０により加熱する。これによ
り、半導体ウェーハ４は加熱された窒素ガスと、ハロゲ
ンランプ１０及び常温に保持されるステージ３で常温に
する。
【００１８】この時の半導体ウェーハ４の温度はシース
型熱電対２Ａと温度測定器６により測定され、その温度
情報を制御部２３で監視することにより、半導体ウェー
ハ４の温度が常温になったかを判定する（ステップＳ
９）。ここで、半導体ウェーハ４の温度が常温に達しな
い場合はステップＳ６に戻り、常温になるまでステップ
Ｓ６〜ステップＳ９の処理を繰り返し実行する。また、
半導体ウェーハ４の温度が常温に達した場合はステップ
Ｓ１０に移行し、ステップＳ１０にて窒素ガス加熱ユニ
ットの動作１３を停止し、ランプコントローラ１１を制
御してハロゲンランプ１０を消灯し、かつガス導入バル
ブ１４を閉じ、ステップＳ１１でウェーハピン２を上昇
させて半導体ウェーハ４をステージ３から離し、ステッ
プＳ１２でゲートバルブ１５を開き、ステップＳ１３で
半導体ウェーハ４を真空チャンバー１外に搬出する。そ
して、次のステップＳ１４でウェーハピン２を下降させ
てステップＳ１５でゲートバルブ１５を閉じて終了す
る。
型熱電対２Ａと温度測定器６により測定され、その温度
情報を制御部２３で監視することにより、半導体ウェー
ハ４の温度が常温になったかを判定する（ステップＳ
９）。ここで、半導体ウェーハ４の温度が常温に達しな
い場合はステップＳ６に戻り、常温になるまでステップ
Ｓ６〜ステップＳ９の処理を繰り返し実行する。また、
半導体ウェーハ４の温度が常温に達した場合はステップ
Ｓ１０に移行し、ステップＳ１０にて窒素ガス加熱ユニ
ットの動作１３を停止し、ランプコントローラ１１を制
御してハロゲンランプ１０を消灯し、かつガス導入バル
ブ１４を閉じ、ステップＳ１１でウェーハピン２を上昇
させて半導体ウェーハ４をステージ３から離し、ステッ
プＳ１２でゲートバルブ１５を開き、ステップＳ１３で
半導体ウェーハ４を真空チャンバー１外に搬出する。そ
して、次のステップＳ１４でウェーハピン２を下降させ
てステップＳ１５でゲートバルブ１５を閉じて終了す
る。
【００１９】一方、上記ステップＳ６において、半導体
ウェーハ４が高温で処理された半導体ウェーハ４である
と判定された場合は、ステップＳ８に移行してガス導入
バルブ１４を開き、加熱ユニット１３で加熱されない低
温または常温の窒素ガスをガス噴出管９から高温の半導
体ウェーハ４に吹き付けて半導体ウェーハ４を冷却する
とともに、常温のステージ３で冷却して常温にし、ステ
ップＳ９以降の処理を実行する。この場合、真空チャン
バー１内の圧力が５００Ｐａ以上にならないように、ガ
ス噴出管９から半導体ウェーハ４に窒素ガス吹き付け
る。
ウェーハ４が高温で処理された半導体ウェーハ４である
と判定された場合は、ステップＳ８に移行してガス導入
バルブ１４を開き、加熱ユニット１３で加熱されない低
温または常温の窒素ガスをガス噴出管９から高温の半導
体ウェーハ４に吹き付けて半導体ウェーハ４を冷却する
とともに、常温のステージ３で冷却して常温にし、ステ
ップＳ９以降の処理を実行する。この場合、真空チャン
バー１内の圧力が５００Ｐａ以上にならないように、ガ
ス噴出管９から半導体ウェーハ４に窒素ガス吹き付け
る。
【００２０】以上のように、シース型熱電対を用いたウ
ェーハピン２で搬入された半導体ウェーハ４の温度を検
出し、この温度情報から半導体ウェーハ４らが低温処理
された半導体ウェーハ４である場合は、ガス加熱ユニッ
ト１３及びハロゲンランプ１０を動作させて、低温の半
導体ウェーハ４を加熱された窒素ガスと、ハロゲンラン
プ１０及び常温に保持されるステージ３により加熱して
常温にする。したがって、上記のような本実施の形態例
によれば、高温または低温で処理された半導体ウェーハ
４を真空中で自動的に常温に戻すことができるととも
に、極低温で処理された半導体ウェーハ４を常温に戻す
場合でも、加熱された窒素ガスのみを用いた従来のもの
より半導体ウェーハ４を速く常温に戻すことができ、ま
た、半導体ウェーハ４のスループットを向上させること
ができる。
ェーハピン２で搬入された半導体ウェーハ４の温度を検
出し、この温度情報から半導体ウェーハ４らが低温処理
された半導体ウェーハ４である場合は、ガス加熱ユニッ
ト１３及びハロゲンランプ１０を動作させて、低温の半
導体ウェーハ４を加熱された窒素ガスと、ハロゲンラン
プ１０及び常温に保持されるステージ３により加熱して
常温にする。したがって、上記のような本実施の形態例
によれば、高温または低温で処理された半導体ウェーハ
４を真空中で自動的に常温に戻すことができるととも
に、極低温で処理された半導体ウェーハ４を常温に戻す
場合でも、加熱された窒素ガスのみを用いた従来のもの
より半導体ウェーハ４を速く常温に戻すことができ、ま
た、半導体ウェーハ４のスループットを向上させること
ができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
制御手段が温度測定手段の測定温度に基づいて半導体ウ
ェーハが高温または低温で処理されたかを判定し、低温
と判定された時は加熱ユニット及び加熱手段を動作状態
に制御して、ガス噴出手段から噴出される加熱ガスと加
熱手段からの輻射熱及びステージにより低温の半導体ウ
ェーハを常温に戻し、また高温と判定された時は加熱ユ
ニット及び加熱手段を非動作状態に制御してガス噴出手
段から噴出される非加熱ガス及びステージにより高温の
半導体ウェーハを常温に戻す構成したから、高温または
低温で処理された半導体ウェーハを真空中で自動的に常
温に戻すことができるとともに、半導体ウェーハのスル
ープットを向上させることができるという効果がある。
制御手段が温度測定手段の測定温度に基づいて半導体ウ
ェーハが高温または低温で処理されたかを判定し、低温
と判定された時は加熱ユニット及び加熱手段を動作状態
に制御して、ガス噴出手段から噴出される加熱ガスと加
熱手段からの輻射熱及びステージにより低温の半導体ウ
ェーハを常温に戻し、また高温と判定された時は加熱ユ
ニット及び加熱手段を非動作状態に制御してガス噴出手
段から噴出される非加熱ガス及びステージにより高温の
半導体ウェーハを常温に戻す構成したから、高温または
低温で処理された半導体ウェーハを真空中で自動的に常
温に戻すことができるとともに、半導体ウェーハのスル
ープットを向上させることができるという効果がある。
【図１】本発明にかかるマルチチャンバー式半導体製造
装置の実施の形態例を示す概略構成図である。
装置の実施の形態例を示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態例におけるガス噴出管の平
面図である。
面図である。
【図３】本発明の実施の形態例におけるステージの一例
を示すもので、（Ａ）はステージの平面図、（Ｂ）はス
テージの側面図である。
を示すもので、（Ａ）はステージの平面図、（Ｂ）はス
テージの側面図である。
【図４】本発明の実施の形態例におけるステージの一例
を示すもので、（Ａ）は図３（Ｂ）の切断線ａ−ｂに沿
う断面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線ｃ−ｄに沿う断面図
である。
を示すもので、（Ａ）は図３（Ｂ）の切断線ａ−ｂに沿
う断面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線ｃ−ｄに沿う断面図
である。
【図５】本発明の実施の形態例における真空チャンバー
の動作を説明するフローチャートである。
の動作を説明するフローチャートである。
【図６】従来の半導体製造装置の要部を示す説明図であ
る。
る。
１……真空チャンバー、２……ウェーハピン、３……ス
テージ、４……半導体ウエーハ、５……シリンダ、６…
…温度測定器、９……ガス噴出管、１０……ハロゲンラ
ンプ、１１……ランプコントローラ、１３……ガス加熱
ユニット、１４…ガス導入バルブ。
テージ、４……半導体ウエーハ、５……シリンダ、６…
…温度測定器、９……ガス噴出管、１０……ハロゲンラ
ンプ、１１……ランプコントローラ、１３……ガス加熱
ユニット、１４…ガス導入バルブ。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウェーハを高温あるいは低温で処
理する処理チャンバー及び処理された半導体ウェーハを
常温に戻す真空チャンバーを少なくとも有するマルチチ
ャンバー式の半導体製造装置において、 前記真空チャンバーは、 該真空チャンバー内に設置され、常に常温に温度調整さ
れる半導体ウェーハ載置用ステージと、 前記ステージ上の半導体ウェーハに対向して配設され、
高温あるいは低温の半導体ウェーハを常温に戻すための
ガスを吹き付けるガス噴出手段と、 前記ガス噴出手段から噴出されるガスを加熱する加熱ユ
ニットと、 前記ステージ上の半導体ウェーハに対向して配設され、
低温の半導体ウェーハを輻射熱で常温に戻すための加熱
手段と、 前記ステージ上に搬入される半導体ウェーハの温度を測
定する温度測定手段と、 前記温度測定手段が測定した温度に基づいて前記半導体
ウェーハが高温または低温で処理されたかを判定すると
ともに低温と判定された時は前記加熱ユニット及び前記
加熱手段を動作状態に制御して低温の半導体ウェーハを
常温に戻し、高温と判定された時は前記加熱ユニット及
び前記加熱手段を非動作状態に制御して前記ガス噴出手
段から噴出されるガスにより高温の半導体ウェーハを常
温に戻す制御手段と、 を具備したことを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記温度測定手段は、前記ステージを貫
通して上下動可能に設けられた複数のウェーハピンの先
端に設けられ、前記半導体ウェーハの温度を検知する熱
電素子と、前記各熱電素子からの熱電流を温度に変換す
る温度測定器とから構成されている請求項１記載の半導
体製造装置。 - 【請求項３】 前記ステージは、該ステージの内部に形
成したジャケットに常温水を循環させることにより常温
に維持されるように構成されている請求項１記載の半導
体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8172392A JPH1022266A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8172392A JPH1022266A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1022266A true JPH1022266A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=15941088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8172392A Pending JPH1022266A (ja) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1022266A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002059955A1 (fr) * | 2001-01-25 | 2002-08-01 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif de traitement thermique |
| KR20020095842A (ko) * | 2001-06-16 | 2002-12-28 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 에싱장치 |
| JP2008141176A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-06-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2009218301A (ja) * | 2008-03-08 | 2009-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置、載置台構造及び熱処理装置 |
| US9460945B2 (en) | 2006-11-06 | 2016-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus for semiconductor devices |
-
1996
- 1996-07-02 JP JP8172392A patent/JPH1022266A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002059955A1 (fr) * | 2001-01-25 | 2002-08-01 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif de traitement thermique |
| JP2002222804A (ja) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法及び熱処理装置 |
| US6951815B2 (en) | 2001-01-25 | 2005-10-04 | Tokyo Electron Limited | Method and device for heat treatment |
| US7313931B2 (en) | 2001-01-25 | 2008-01-01 | Tokyo Electron Limited | Method and device for heat treatment |
| KR20020095842A (ko) * | 2001-06-16 | 2002-12-28 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 에싱장치 |
| JP2008141176A (ja) * | 2006-11-06 | 2008-06-19 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US9460945B2 (en) | 2006-11-06 | 2016-10-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus for semiconductor devices |
| JP2009218301A (ja) * | 2008-03-08 | 2009-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 温度測定装置、載置台構造及び熱処理装置 |
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