JP2002211916A - マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法 - Google Patents
マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法Info
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Abstract
体、及び、超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性
に優れた合金超伝導体を提供する。また、再現性がよ
く、製造コストが低い、これらの超伝導体の製造方法を
提供する。 【解決手段】 マグネシウム(Mg)とホウ素(B)と
からなる全く新規な金属間化合物超伝導体であり、化学
組成式Mg1 B2 で表され、六方晶AlB2 型結晶構造
を有し、超伝導転移温度(Tc)39Kを有する。この
金属間化合物を含有する合金は、展性、延性に優れた、
超伝導転移温度(Tc)39Kを有する合金超伝導体で
ある。Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末とを混合
し、例えば加圧加熱成形して製造する。
Description
電、超伝導電力貯蔵、高性能なジョセフソン素子、高周
波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用でき、特
に、高い超伝導転移温度を有し、製造が容易で、かつ、
展性、延性に優れた全く新規な金属間化合物超伝導体及
び合金超伝導体、並びにそれらの製造方法に関する。
超伝導体、化合物からなる超伝導体、合金からなる超伝
導体、及び複合酸化物からなる超伝導体等が知られてい
る。単体金属からなる超伝導体には、Pb、Nb等が良
く知られているが、超伝導転移温度が低く実用性に欠け
る。金属間化合物からなる超伝導体には、Nb3 Ge、
Nb3 Ga、Nb3 Al、及びNb3 Snに代表される
Al5型結晶構造を有する金属間化合物超伝導体、及び
PbMo6 S8 に代表されるシェブレル型結晶構造を有
する金属間化合物超伝導体等が知られている。また、N
bB2 に代表されるAlB2 型結晶構造を有する金属間
化合物超伝導体も知られているが、超伝導転移温度(T
c)が極めて低い(Tc=0.62K,Journal
of the Less−Common Metal
s,67(1979)249−255)。これらの金属
間化合物超伝導体には、Nb3 Ge(超伝導転移温度:
約23K)のように、超伝導転移温度が比較的高いもの
もあるが、歪みに弱く、また脆いと言った欠点を有して
いる。
2-x Bax CuO4 の組成に代表されるLa系酸化物超
伝導体、Y1 Ba2 Cu3 O7-x の組成に代表されるY
系酸化物超伝導体、Bi2 Sr2 Can-1 Cun O2n+2
の組成に代表されるBi系酸化物超伝導体、Tl2 Ba
2 Can-1 Cun O2n+2の組成に代表されるTl系酸化
物超伝導体、Hg1 Ba1 CaCu1 O6+x の組成に代
表されるHg系酸化物超伝導体等が知られている。これ
らの複合酸化物からなる超伝導体は、超伝導転移温度が
高く、なかには150Kに達するものもある。これらの
複合酸化物系超伝導体は、八面体型、ピラミッド型、ま
たは平面型からなるCuO2 超伝導層と、La,Ca、
Y,Bi、あるいはHg等の原子と酸素とからなるブロ
ック層(超伝導層とは結晶構造が異なる)とが、互いに
積層して構成されるペロブスカイト構造を有している。
このように、結晶構造が極めて複雑であることから、再
現性よく、大量に生産することが困難であり、また、複
合酸化物であることから、展性、延性といった特性に乏
しく、超伝導電線として使用することが難しい。
金が良く知られており、展性及び延性に優れるため、超
伝導電線及び超電導磁石等に広く使用されている。しか
しながら、合金からなる超伝導体は、超伝導転移温度が
低く(Nb−Ti合金で最良のものでも約9Kであ
る)、改善が望まれている。
鑑み、超伝導転移温度が高い金属間化合物超伝導体、及
び超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に優れた
合金超伝導体を提供することを目的とする。さらに本発
明は、再現性よく、製造コストが低い、これらの超伝導
体の製造方法を提供することを目的とする。
に、本発明の金属間化合物超伝導体は、マグネシウム
(Mg)とホウ素(B)とからなる金属間化合物超伝導
体であることを特徴とする。また、本発明の合金超伝導
体は、MgとBとからなる金属間化合物を含有し、か
つ、単一の又は複数の金属元素を含有することを特徴と
する。前記金属間化合物超伝導体は、化学組成式Mg1
B2 で表される組成を有し、Mg層とB層が交互に積層
した六方晶AlB2 型結晶構造を有することを特徴とす
る。また、前記合金超伝導体は、MgとBとからなる金
属間化合物を含有し、組成式Mg1-x B2+y (0<x<
1,−2<y<0及び0<y<2)で表される組成を有
する合金であることを特徴とする。この構成による金属
間化合物超伝導体は、超伝導転移温度(Tc)39Kを
有しており、従来知られているいずれの金属間化合物超
伝導体より超伝導転移温度が高く、また、従来知られて
いるAlB2 型結晶構造を持つ金属間化合物よりも遙か
に超伝導転移温度が高い。また、この構成による合金超
伝導体は、超伝導転移温度(Tc)39Kを有してお
り、従来知られているいずれの合金超伝導体よりも超伝
導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に富んでいる。
る金属間化合物超伝導体によれば、超伝導転移温度(T
c)が高い超伝導体として、高性能なジョセフソン素
子、高周波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用す
ることができる。さらに、上記構成のマグネシウムとホ
ウ素とからなる金属間化合物超伝導体を含有する合金超
伝導体を用いれば、超伝導転移温度が高く、かつ、展
性、延性に優れた超伝導体として、超伝導送電、超伝導
電力貯蔵等の超伝導電線に使用でき、また、高性能なジ
ョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニク
ス用材料として使用できる。
造方法は、Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末と
を、化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレット状
に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徴
とする。また、Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末
とを、化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレット
状に成型して真空中で加熱して形成することもできる。
さらに、Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末とを、
化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレット状に成
型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することもでき
る。さらにまた、Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉
末とを、化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレッ
ト状に成型し、加圧加熱成形して形成することもでき
る。
合金超伝導体の製造方法は、Mgを含む原料粉末とBを
含む原料粉末とを、化学組成比Mg:B=1−x:2+
y,(0<x<1,−2<y<0及び0<y<2)で混
合し、ペレット状に成型し、不活性ガス中で加熱して形
成することを特徴とする。上記合金超伝導体の製造方法
では、Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末とを、化
学組成比Mg:B=1−x:2+y,(0<x<1,−
2<y<0及び0<y<2)で混合し、ペレット状に成
型し、真空中で加熱して形成することもできる。また、
Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末とを、化学組成
比Mg:B=1−x:2+y,(0<x<1,−2<y
<0及び0<y<2)で混合し、ペレット状に成型し、
加圧不活性ガス中で加熱して形成することもできる。さ
らにまた、Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末と
を、化学組成比Mg:B=1−x:2+y,(0<x<
1,−2<y<0及び0<y<2)で混合し、ペレット
状に成型し、加圧加熱成形して形成することもできる。
おいて、不活性ガス中の加熱は、700〜2000℃の
温度で数秒以上で行えば好ましい。さらに、金属間化合
物超伝導体の製造方法において、真空中での加熱は、2
×10-2Pa以下の真空中で、650〜1100℃の温
度で数分以上で行えば好ましい。また、金属間化合物超
伝導体の製造方法における加圧不活性ガス中の加熱は、
1〜200MPaの不活性ガス圧力中で、600〜11
00℃の温度で数分以上加熱してもよい。さらに、金属
間化合物超伝導体の製造方法における加圧加熱成形は、
0.1〜6GPaの圧力を加えながら、700〜140
0℃の温度で数分以上加熱するようにしてもよい。
活性ガス中の加熱は、700〜2000℃の温度で数秒
以上加熱してもよい。さらに、合金超伝導体の製造方法
における真空中での加熱は、2×10-2Pa以下の真空
中で、650〜1100℃の温度で数分以上加熱するよ
うにしてもよい。また、合金超伝導体の製造方法におけ
る加圧不活性ガス中の加熱は、1〜200MPaの不活
性ガス圧力中で、600〜1100℃の温度で数分以上
で行うこともできる。さらに、合金超伝導体の製造方法
における加圧加熱成形は、0.1〜6GPaの圧力を加
えながら、700〜1400℃の温度で数分以上加熱す
るようにしてもよい。
法によれば、本発明のマグネシウム(Mg)とホウ素
(B)とを含む金属間化合物超伝導体を再現性よく、か
つ、容易に製造することができる。また、上記構成の金
属間化合物を含有する合金超伝導体の製造方法によれ
ば、金属間化合物を含有する合金超伝導体を再現性よ
く、かつ、容易に製造することができる。
施の形態を詳細に説明する。最初に、本発明のマグネシ
ウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構
造を説明する。図1はこの発明のマグネシウムとホウ素
とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構造を示す図で
ある。図2は図1の結晶構造をさらに解り易くするため
の図で、(a)は側面図、(b)は平面模式図である。
図1及び図2に示すように、本発明の金属間化合物超伝
導体は、化学組成式Mg1 B2 で表され、六方晶AlB
2 型結晶構造を有している。図3は、下記に説明する製
造方法によって形成した本発明の金属間化合物超伝導体
の粉末X線回折結果を示す図である。X線回折測定は、
二軸X線回折測定装置(RIGAKU社製,RINT2
000)を用いて行った。図3の粉末X線回折測定のパ
ターンから、結晶系が六方晶であり、空間群p6/mm
mに属することが解り、また、a軸及びb軸長が3.0
83Å、c軸長が3.527Åであることが解る。図4
は、この粉末X線回折測定のパターンから単位胞内のM
gとBの原子座標を求めたものである。図4から明らか
なように、B原子は、ab面内で互いに最密に配列して
いる3個のMg原子の中心に、かつ、c軸方向のMg原
子の配列の中間に位置していることが解る。図3及び図
4から明らかなように、本発明の金属間化合物超伝導体
は、図1及び図2に示した六方晶AlB2 型結晶構造を
有している。
らなる金属間化合物超伝導体の超伝導特性について説明
する。図5は、本発明のマグネシウムとホウ素とからな
る金属間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を
示す図である。電気抵抗の測定は、四探針法で行った。
図5から、温度が低下するに従って電気抵抗が下がり、
39Kで急峻に電気抵抗が0になっていることが解る。
すなわち、本発明の金属間化合物超伝導体は、超伝導転
移温度39Kを有している。なお、超伝導転移温度は、
電気抵抗の立ち下がり温度Tconset、及び電気抵
抗の立ち上がり温度Tczeroで定義されるが、本発
明の金属間化合物超伝導体は、Tconset=39
K、Tczero=38Kである。次に、本発明の金属
間化合物超伝導体の磁化率(Susceptibili
ty)の測定結果を示す。
からなる金属間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測
定結果を示す図である。磁化率の測定は、直流磁化率測
定装置(カンタム・デザイン社製磁気特性測定システ
ム,MPMSシリーズMPMSR2)を使用した。図6
から明らかなように、Tc=39Kから低温側で負の磁
化率、すなわち反磁性を示しており、本発明のマグネシ
ウムとホウ素とからなる金属間化合物は、超伝導転移温
度Tc=39Kを有する超伝導体であることが解る。図
6において、零磁場で冷却した場合とH(印加磁場)=
100Oeで冷却した場合を示している。磁場冷却で磁
化率が小さいのは、進入磁束の存在を示しており、第2
種超伝導体であることを示している。
なる金属間化合物を含有する合金超伝導体について説明
する。図7は、本発明のマグネシウムとホウ素とからな
る金属間化合物を含有する合金超伝導体の粉末X線回折
の測定結果を示す図である。測定に用いた合金超伝導体
は、下記に説明する製造方法で形成したものであり、組
成Mg1 B0.33を有している。測定方法は図3の場合と
同じである。図7において、回折ピークは、Mg金属
(六方細密結晶構造)の面指数にすべて一致しており、
また、図中に矢印で示した回折角位置にMg1 B2 金属
間化合物に基づく回折強度がわずかに観測されている。
すなわち、本発明の合金超伝導体は、マグネシウムとホ
ウ素とからなる金属間化合物を含有した合金超伝導体で
あることが解る。
からなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の超伝導
特性を説明する。図8は、本発明のマグネシウムとホウ
素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の電
気抵抗の温度特性の測定結果を示す図である。この図8
中に超伝導転移温度付近の特性を拡大して図示してい
る。図8から明らかなように、本発明のマグネシウムと
ホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体
は、超伝導転移温度Tc=39Kを有する超伝導体であ
る。
usceptibility)の測定結果を示す。図9
は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化
合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の測定
結果を示す図である。磁化率の測定法は、図6の測定と
同じである。図9から明らかなように、Tc=39Kか
ら低温側で負の磁化率、すなわち反磁性を示しており、
本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物
を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度Tc=39
Kを有する超伝導体であることが解る。図9において、
零磁場で冷却した場合とH(印加磁場)=100Oeで
冷却した場合を示している。磁場冷却で磁化率が小さい
のは、進入磁束の存在を示しおり、第2種超伝導体であ
ることを示している。
らなる金属間化合物超伝導体及びマグネシウムとホウ素
とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の製造
方法を説明する。以下に説明する本発明の製造方法によ
れば、金属間化合物超伝導体になるか、または合金超伝
導体になるかは、混合した原料粉末のMgとBの化学組
成比によって定まる。すなわち、化学組成比Mg:B=
1:2で混合されている場合には、混合粉全体が、Mg
1 B2 の組成式で表される六方晶AlB2 型結晶構造の
単相の金属間化合物超伝導体となる。また、混合粉が化
学組成比Mg:B=1−x:2+y,(0<x<1,−
2<y<0及び0<y<2)で混合されている場合に
は、上記の金属間化合物を含有する合金超伝導体とな
り、使用目的に応じて組成比を変えることができる。例
えば、Mgの組成比を大きくすれば、展性及び延性に優
れた超伝導電線を製造することができる。Mgの原料粉
末には、Mg粉末又はMgO粉末を使用することがで
き、また、Bの原料粉末にはB粉末を使用できる。
伝導体の製造方法として、いくつか例を挙げることがで
きる。第1の方法は、Mg粉末、B粉末を撹拌装置で混
合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレット状に
成型したものを、不活性ガス雰囲気中において、アーク
溶解法、プラズマアーク溶解法、又は、高周波溶解法等
の公知の加熱方法を用いて700〜2000℃の温度で
数秒以上加熱することからなり、この方法によって容易
に形成できる。
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、2×10-2Pa以下の真空中
で、650〜1100℃の温度で数分以上加熱すること
からなり、この方法によって容易に形成できる。
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、HIP加圧装置(例えば、神戸
製鋼社製,高温高圧雰囲気炉)等を用いて、不活性ガス
を充填し、1〜200MPaの不活性ガス圧力中で、6
00〜1100℃の温度で数分以上加熱することからな
り、この方法によって容易に形成できる。
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、立方体アンビル加圧装置等の加
圧装置を用いて、0.1〜6GPaの圧力を加えなが
ら、700〜1400℃の温度で数分以上加熱すること
からなり、この方法によって容易に形成できる。高圧力
は、粒界結合を促進するために必要であり、高温度は、
超伝導相を成長するために必要である。
合金超伝導体は、上記の多結晶焼結体に限らず、多結晶
バルク体、大型単結晶、又は薄膜であってもよい。公知
の鍛造装置、超高圧加圧加熱合成装置等のバルク体作製
装置を用いれば、軽量、高硬度、及び耐腐食性に優れた
多結晶バルク体の金属間化合物超伝導体を製造できる。
また、大型単結晶金属間化合物超伝導体は、再結晶法、
単純引き上げ法、浮遊帯域溶融法、フラックス法等の公
知の単結晶育成法を使用し、適切なるつぼを使用し、雰
囲気制御を行って製造できる。また、金属間化合物超伝
導体の薄膜は、MgとBの組成比が1:2となるような
気相源を用いた化学気相蒸着法、又は、MgとBの組成
比が1:2であるターゲットをスパッタして形成するス
パッタ法を用いて製造できる。また、金属間化合物超伝
導体の薄膜を付着させる基板として、Cuなどの金属基
板、セラミックス基板、または、金属基板の上にセラミ
ックスを被覆した複合基材等を用いることができる。用
途に合わせて適宜の基板を選択すればよい。また、Mg
とBの組成比において、展性、延性に富んだMgの組成
比を大きくして、または、展性、延性に富んだ他の金属
を混合して合成することによって、展性、延性に優れた
超伝導合金を製造できる。この超伝導合金は、圧延、押
し出し等の加工技術を使用すれば、極細多芯形超伝導線
材、超伝導細線、又は、超伝導合金線に加工することが
できる。
明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝
導体は、超伝導転移温度が高く、かつ、製造が容易であ
るから、高性能のジョセフソン素子、高周波素子等の超
伝導エレクトロニクス等に利用すれば、極めて有用であ
る。また、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金
属間化合物を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度
が高く、展性、延性に優れ、かつ、製造が容易であるか
ら、大規模な超伝導送電、超伝導電力貯蔵、高性能なジ
ョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニク
ス等に利用すれば、極めて有用である。また、本発明の
マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体
の製造方法、及びその金属間化合物を含有する合金超伝
導体の製造方法を用いれば、極めて再現性よく、容易
に、かつ、低コストで、金属間化合物超伝導体並びに金
属間化合物を含有する合金超伝導体を製造することがで
きる。
間化合物超伝導体の結晶構造を示す図である。
間化合物超伝導体の結晶構造を示す図であり、(a)は
側面図、(b)は平面模式図である。
測定結果を示すグラフである。
gとBの原子座標を求めたものである。
間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を示すグ
ラフである。
間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測定結果を示す
グラフである。
間化合物を含有する合金超伝導体の粉末X線回折の測定
結果を示すグラフである。
間化合物を含有する合金超伝導体の電気抵抗の温度特性
の測定結果を示すグラフである。
間化合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の
測定結果を示すグラフである。
Claims (22)
- 【請求項1】 マグネシウム(Mg)とホウ素(B)と
からなる金属間化合物であることを特徴とする、金属間
化合物超伝導体。 - 【請求項2】 MgとBとからなる金属間化合物を含有
し、かつ、単一の又は複数の金属元素を含有する合金で
あることを特徴とする、合金超伝導体。 - 【請求項3】 前記金属間化合物超伝導体は、化学組成
式Mg1 B2 で表される組成を有し、Mg層とB層が交
互に積層した六方晶AlB2 型結晶構造を有することを
特徴とする、請求項1に記載の金属間化合物超伝導体。 - 【請求項4】 前記合金超伝導体は、前記金属間化合物
を含有し、組成式Mg1-x B2+y (0<x<1,−2<
y<0及び0<y<2)で表される組成を有することを
特徴とする、請求項2に記載の合金超伝導体。 - 【請求項5】 前記金属間化合物超伝導体は、超伝導転
移温度(Tc)39Kを有することを特徴とする、請求
項1に記載の金属間化合物超伝導体。 - 【請求項6】 前記合金超伝導体は、超伝導転移温度
(Tc)39Kを有することを特徴とする、請求項2に
記載の合金超伝導体。 - 【請求項7】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末
とを化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレット状
に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徴
とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項8】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末
とを化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレット状
に成型し、真空中で加熱して形成することを特徴とす
る、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項9】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉末
とを化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレット状
に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することを
特徴とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項10】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉
末とを、化学組成比Mg:B=1:2で混合し、ペレッ
ト状に成型し、加圧加熱成形して形成することを特徴と
する、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項11】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉
末とを、化学組成比Mg:B=1−x:2+y,(0<
x<1,−2<y<0及び0<y<2)で混合し、ペレ
ット状に成型し、不活性ガス中で加熱して形成すること
を特徴とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項12】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉
末とを、化学組成比Mg:B=1−x:2+y,(0<
x<1,−2<y<0及び0<y<2)で混合し、ペレ
ット状に成型し、真空中で加熱して形成することを特徴
とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項13】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉
末とを、化学組成比Mg:B=1−x:2+y,(0<
x<1,−2<y<0及び0<y<2)で混合し、ペレ
ット状に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成する
ことを特徴とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項14】 Mgを含む原料粉末とBを含む原料粉
末とを、化学組成比Mg:B=1−x:2+y,(0<
x<1,−2<y<0及び0<y<2)で混合し、ペレ
ット状に成型し、加圧加熱成形して形成することを特徴
とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項15】 前記不活性ガス中の加熱は、700〜
2000℃の温度で数秒以上行うことを特徴とする、請
求項7に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項16】 前記真空中での加熱は、2×10-2P
a以下の真空中で、650〜1100℃の温度で数分以
上行うことを特徴とする、請求項8に記載の金属間化合
物超伝導体の製造方法。 - 【請求項17】 前記加圧不活性ガス中の加熱は、1〜
200MPaの不活性ガス圧力中で、600〜1100
℃の温度で数分以上行うことを特徴とする、請求項9に
記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項18】 前記加圧加熱成形は、0.1〜6GP
aの圧力を加えながら、700〜1400℃の温度で数
分以上加熱することを特徴とする、請求項10に記載の
金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項19】 前記不活性ガス中の加熱は、700〜
2000℃の温度で数秒以上行うことを特徴とする、請
求項11に記載の合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項20】 前記真空中での加熱は、2×10-2P
a以下の真空中で、650〜1100℃の温度で数分以
上行うことを特徴とする、請求項12に記載の合金超伝
導体の製造方法。 - 【請求項21】 前記加圧不活性ガス中の加熱は、1〜
200MPaの不活性ガス圧力中で、600〜1100
℃の温度で数分以上行うことを特徴とする、請求項13
に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項22】 前記加圧加熱成形は、0.1〜6GP
aの圧力を加えながら、700〜1400℃の温度で数
分以上加熱することを特徴とする、請求項14に記載の
合金超伝導体の製造方法。
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