JP2002211916A - マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法 - Google Patents
マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 超伝導転移温度が高い金属間化合物超伝導
体、及び、超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性
に優れた合金超伝導体を提供する。また、再現性がよ
く、製造コストが低い、これらの超伝導体の製造方法を
提供する。 【解決手段】 マグネシウム（Ｍｇ）とホウ素（Ｂ）と
からなる全く新規な金属間化合物超伝導体であり、化学
組成式Ｍｇ1 Ｂ2 で表され、六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造
を有し、超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを有する。この
金属間化合物を含有する合金は、展性、延性に優れた、
超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを有する合金超伝導体で
ある。Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを混合
し、例えば加圧加熱成形して製造する。
体、及び、超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性
に優れた合金超伝導体を提供する。また、再現性がよ
く、製造コストが低い、これらの超伝導体の製造方法を
提供する。 【解決手段】 マグネシウム（Ｍｇ）とホウ素（Ｂ）と
からなる全く新規な金属間化合物超伝導体であり、化学
組成式Ｍｇ1 Ｂ2 で表され、六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造
を有し、超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを有する。この
金属間化合物を含有する合金は、展性、延性に優れた、
超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを有する合金超伝導体で
ある。Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを混合
し、例えば加圧加熱成形して製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、大規模な超伝導送
電、超伝導電力貯蔵、高性能なジョセフソン素子、高周
波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用でき、特
に、高い超伝導転移温度を有し、製造が容易で、かつ、
展性、延性に優れた全く新規な金属間化合物超伝導体及
び合金超伝導体、並びにそれらの製造方法に関する。
電、超伝導電力貯蔵、高性能なジョセフソン素子、高周
波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用でき、特
に、高い超伝導転移温度を有し、製造が容易で、かつ、
展性、延性に優れた全く新規な金属間化合物超伝導体及
び合金超伝導体、並びにそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超伝導体には、単体金属からなる
超伝導体、化合物からなる超伝導体、合金からなる超伝
導体、及び複合酸化物からなる超伝導体等が知られてい
る。単体金属からなる超伝導体には、Ｐｂ、Ｎｂ等が良
く知られているが、超伝導転移温度が低く実用性に欠け
る。金属間化合物からなる超伝導体には、Ｎｂ3 Ｇｅ、
Ｎｂ3 Ｇａ、Ｎｂ3 Ａｌ、及びＮｂ3 Ｓｎに代表される
Ａｌ５型結晶構造を有する金属間化合物超伝導体、及び
ＰｂＭｏ6 Ｓ8 に代表されるシェブレル型結晶構造を有
する金属間化合物超伝導体等が知られている。また、Ｎ
ｂＢ2 に代表されるＡｌＢ2 型結晶構造を有する金属間
化合物超伝導体も知られているが、超伝導転移温度（Ｔ
ｃ）が極めて低い（Ｔｃ＝０．６２Ｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ｔｈｅ Ｌｅｓｓ−Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｅｔａｌ
ｓ，６７（１９７９）２４９−２５５）。これらの金属
間化合物超伝導体には、Ｎｂ3 Ｇｅ（超伝導転移温度：
約２３Ｋ）のように、超伝導転移温度が比較的高いもの
もあるが、歪みに弱く、また脆いと言った欠点を有して
いる。
超伝導体、化合物からなる超伝導体、合金からなる超伝
導体、及び複合酸化物からなる超伝導体等が知られてい
る。単体金属からなる超伝導体には、Ｐｂ、Ｎｂ等が良
く知られているが、超伝導転移温度が低く実用性に欠け
る。金属間化合物からなる超伝導体には、Ｎｂ3 Ｇｅ、
Ｎｂ3 Ｇａ、Ｎｂ3 Ａｌ、及びＮｂ3 Ｓｎに代表される
Ａｌ５型結晶構造を有する金属間化合物超伝導体、及び
ＰｂＭｏ6 Ｓ8 に代表されるシェブレル型結晶構造を有
する金属間化合物超伝導体等が知られている。また、Ｎ
ｂＢ2 に代表されるＡｌＢ2 型結晶構造を有する金属間
化合物超伝導体も知られているが、超伝導転移温度（Ｔ
ｃ）が極めて低い（Ｔｃ＝０．６２Ｋ，Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆ ｔｈｅ Ｌｅｓｓ−Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｅｔａｌ
ｓ，６７（１９７９）２４９−２５５）。これらの金属
間化合物超伝導体には、Ｎｂ3 Ｇｅ（超伝導転移温度：
約２３Ｋ）のように、超伝導転移温度が比較的高いもの
もあるが、歪みに弱く、また脆いと言った欠点を有して
いる。
【０００３】複合酸化物からなる超伝導体には、Ｌａ
2-x Ｂａx ＣｕＯ4 の組成に代表されるＬａ系酸化物超
伝導体、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の組成に代表されるＹ
系酸化物超伝導体、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏ2n+2
の組成に代表されるＢｉ系酸化物超伝導体、Ｔｌ2 Ｂａ
2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏ2n+2の組成に代表されるＴｌ系酸化
物超伝導体、Ｈｇ1 Ｂａ1 ＣａＣｕ1 Ｏ6+x の組成に代
表されるＨｇ系酸化物超伝導体等が知られている。これ
らの複合酸化物からなる超伝導体は、超伝導転移温度が
高く、なかには１５０Ｋに達するものもある。これらの
複合酸化物系超伝導体は、八面体型、ピラミッド型、ま
たは平面型からなるＣｕＯ2 超伝導層と、Ｌａ，Ｃａ、
Ｙ，Ｂｉ、あるいはＨｇ等の原子と酸素とからなるブロ
ック層（超伝導層とは結晶構造が異なる）とが、互いに
積層して構成されるペロブスカイト構造を有している。
このように、結晶構造が極めて複雑であることから、再
現性よく、大量に生産することが困難であり、また、複
合酸化物であることから、展性、延性といった特性に乏
しく、超伝導電線として使用することが難しい。
2-x Ｂａx ＣｕＯ4 の組成に代表されるＬａ系酸化物超
伝導体、Ｙ1 Ｂａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-x の組成に代表されるＹ
系酸化物超伝導体、Ｂｉ2 Ｓｒ2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏ2n+2
の組成に代表されるＢｉ系酸化物超伝導体、Ｔｌ2 Ｂａ
2 Ｃａn-1 Ｃｕn Ｏ2n+2の組成に代表されるＴｌ系酸化
物超伝導体、Ｈｇ1 Ｂａ1 ＣａＣｕ1 Ｏ6+x の組成に代
表されるＨｇ系酸化物超伝導体等が知られている。これ
らの複合酸化物からなる超伝導体は、超伝導転移温度が
高く、なかには１５０Ｋに達するものもある。これらの
複合酸化物系超伝導体は、八面体型、ピラミッド型、ま
たは平面型からなるＣｕＯ2 超伝導層と、Ｌａ，Ｃａ、
Ｙ，Ｂｉ、あるいはＨｇ等の原子と酸素とからなるブロ
ック層（超伝導層とは結晶構造が異なる）とが、互いに
積層して構成されるペロブスカイト構造を有している。
このように、結晶構造が極めて複雑であることから、再
現性よく、大量に生産することが困難であり、また、複
合酸化物であることから、展性、延性といった特性に乏
しく、超伝導電線として使用することが難しい。
【０００４】合金からなる超伝導体には、Ｎｂ−Ｔｉ合
金が良く知られており、展性及び延性に優れるため、超
伝導電線及び超電導磁石等に広く使用されている。しか
しながら、合金からなる超伝導体は、超伝導転移温度が
低く（Ｎｂ−Ｔｉ合金で最良のものでも約９Ｋであ
る）、改善が望まれている。
金が良く知られており、展性及び延性に優れるため、超
伝導電線及び超電導磁石等に広く使用されている。しか
しながら、合金からなる超伝導体は、超伝導転移温度が
低く（Ｎｂ−Ｔｉ合金で最良のものでも約９Ｋであ
る）、改善が望まれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記課題に
鑑み、超伝導転移温度が高い金属間化合物超伝導体、及
び超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に優れた
合金超伝導体を提供することを目的とする。さらに本発
明は、再現性よく、製造コストが低い、これらの超伝導
体の製造方法を提供することを目的とする。
鑑み、超伝導転移温度が高い金属間化合物超伝導体、及
び超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に優れた
合金超伝導体を提供することを目的とする。さらに本発
明は、再現性よく、製造コストが低い、これらの超伝導
体の製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の金属間化合物超伝導体は、マグネシウム
（Ｍｇ）とホウ素（Ｂ）とからなる金属間化合物超伝導
体であることを特徴とする。また、本発明の合金超伝導
体は、ＭｇとＢとからなる金属間化合物を含有し、か
つ、単一の又は複数の金属元素を含有することを特徴と
する。前記金属間化合物超伝導体は、化学組成式Ｍｇ1
Ｂ2 で表される組成を有し、Ｍｇ層とＢ層が交互に積層
した六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造を有することを特徴とす
る。また、前記合金超伝導体は、ＭｇとＢとからなる金
属間化合物を含有し、組成式Ｍｇ1-x Ｂ2+y （０＜ｘ＜
１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で表される組成を有
する合金であることを特徴とする。この構成による金属
間化合物超伝導体は、超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを
有しており、従来知られているいずれの金属間化合物超
伝導体より超伝導転移温度が高く、また、従来知られて
いるＡｌＢ2 型結晶構造を持つ金属間化合物よりも遙か
に超伝導転移温度が高い。また、この構成による合金超
伝導体は、超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを有してお
り、従来知られているいずれの合金超伝導体よりも超伝
導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に富んでいる。
に、本発明の金属間化合物超伝導体は、マグネシウム
（Ｍｇ）とホウ素（Ｂ）とからなる金属間化合物超伝導
体であることを特徴とする。また、本発明の合金超伝導
体は、ＭｇとＢとからなる金属間化合物を含有し、か
つ、単一の又は複数の金属元素を含有することを特徴と
する。前記金属間化合物超伝導体は、化学組成式Ｍｇ1
Ｂ2 で表される組成を有し、Ｍｇ層とＢ層が交互に積層
した六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造を有することを特徴とす
る。また、前記合金超伝導体は、ＭｇとＢとからなる金
属間化合物を含有し、組成式Ｍｇ1-x Ｂ2+y （０＜ｘ＜
１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で表される組成を有
する合金であることを特徴とする。この構成による金属
間化合物超伝導体は、超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを
有しており、従来知られているいずれの金属間化合物超
伝導体より超伝導転移温度が高く、また、従来知られて
いるＡｌＢ2 型結晶構造を持つ金属間化合物よりも遙か
に超伝導転移温度が高い。また、この構成による合金超
伝導体は、超伝導転移温度（Ｔｃ）３９Ｋを有してお
り、従来知られているいずれの合金超伝導体よりも超伝
導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に富んでいる。
【０００７】上記構成のマグネシウムとホウ素とからな
る金属間化合物超伝導体によれば、超伝導転移温度（Ｔ
ｃ）が高い超伝導体として、高性能なジョセフソン素
子、高周波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用す
ることができる。さらに、上記構成のマグネシウムとホ
ウ素とからなる金属間化合物超伝導体を含有する合金超
伝導体を用いれば、超伝導転移温度が高く、かつ、展
性、延性に優れた超伝導体として、超伝導送電、超伝導
電力貯蔵等の超伝導電線に使用でき、また、高性能なジ
ョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニク
ス用材料として使用できる。
る金属間化合物超伝導体によれば、超伝導転移温度（Ｔ
ｃ）が高い超伝導体として、高性能なジョセフソン素
子、高周波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用す
ることができる。さらに、上記構成のマグネシウムとホ
ウ素とからなる金属間化合物超伝導体を含有する合金超
伝導体を用いれば、超伝導転移温度が高く、かつ、展
性、延性に優れた超伝導体として、超伝導送電、超伝導
電力貯蔵等の超伝導電線に使用でき、また、高性能なジ
ョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニク
ス用材料として使用できる。
【０００８】また、本発明の金属間化合物超伝導体の製
造方法は、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末と
を、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット状
に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徴
とする。また、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末
とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット
状に成型して真空中で加熱して形成することもできる。
さらに、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを、
化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット状に成
型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することもでき
る。さらにまた、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉
末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレッ
ト状に成型し、加圧加熱成形して形成することもでき
る。
造方法は、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末と
を、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット状
に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徴
とする。また、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末
とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット
状に成型して真空中で加熱して形成することもできる。
さらに、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを、
化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット状に成
型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することもでき
る。さらにまた、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉
末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレッ
ト状に成型し、加圧加熱成形して形成することもでき
る。
【０００９】さらに、本発明の金属間化合物を含有する
合金超伝導体の製造方法は、Ｍｇを含む原料粉末とＢを
含む原料粉末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋
ｙ，（０＜ｘ＜１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混
合し、ペレット状に成型し、不活性ガス中で加熱して形
成することを特徴とする。上記合金超伝導体の製造方法
では、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを、化
学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜１，−
２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレット状に成
型し、真空中で加熱して形成することもできる。また、
Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを、化学組成
比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜１，−２＜ｙ
＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレット状に成型し、
加圧不活性ガス中で加熱して形成することもできる。さ
らにまた、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末と
を、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜
１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレット
状に成型し、加圧加熱成形して形成することもできる。
合金超伝導体の製造方法は、Ｍｇを含む原料粉末とＢを
含む原料粉末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋
ｙ，（０＜ｘ＜１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混
合し、ペレット状に成型し、不活性ガス中で加熱して形
成することを特徴とする。上記合金超伝導体の製造方法
では、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを、化
学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜１，−
２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレット状に成
型し、真空中で加熱して形成することもできる。また、
Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末とを、化学組成
比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜１，−２＜ｙ
＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレット状に成型し、
加圧不活性ガス中で加熱して形成することもできる。さ
らにまた、Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末と
を、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜
１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレット
状に成型し、加圧加熱成形して形成することもできる。
【００１０】また、金属間化合物超伝導体の製造方法に
おいて、不活性ガス中の加熱は、７００〜２０００℃の
温度で数秒以上で行えば好ましい。さらに、金属間化合
物超伝導体の製造方法において、真空中での加熱は、２
×１０-2Ｐａ以下の真空中で、６５０〜１１００℃の温
度で数分以上で行えば好ましい。また、金属間化合物超
伝導体の製造方法における加圧不活性ガス中の加熱は、
１〜２００ＭＰａの不活性ガス圧力中で、６００〜１１
００℃の温度で数分以上加熱してもよい。さらに、金属
間化合物超伝導体の製造方法における加圧加熱成形は、
０．１〜６ＧＰａの圧力を加えながら、７００〜１４０
０℃の温度で数分以上加熱するようにしてもよい。
おいて、不活性ガス中の加熱は、７００〜２０００℃の
温度で数秒以上で行えば好ましい。さらに、金属間化合
物超伝導体の製造方法において、真空中での加熱は、２
×１０-2Ｐａ以下の真空中で、６５０〜１１００℃の温
度で数分以上で行えば好ましい。また、金属間化合物超
伝導体の製造方法における加圧不活性ガス中の加熱は、
１〜２００ＭＰａの不活性ガス圧力中で、６００〜１１
００℃の温度で数分以上加熱してもよい。さらに、金属
間化合物超伝導体の製造方法における加圧加熱成形は、
０．１〜６ＧＰａの圧力を加えながら、７００〜１４０
０℃の温度で数分以上加熱するようにしてもよい。
【００１１】また、合金超伝導体の製造方法における不
活性ガス中の加熱は、７００〜２０００℃の温度で数秒
以上加熱してもよい。さらに、合金超伝導体の製造方法
における真空中での加熱は、２×１０-2Ｐａ以下の真空
中で、６５０〜１１００℃の温度で数分以上加熱するよ
うにしてもよい。また、合金超伝導体の製造方法におけ
る加圧不活性ガス中の加熱は、１〜２００ＭＰａの不活
性ガス圧力中で、６００〜１１００℃の温度で数分以上
で行うこともできる。さらに、合金超伝導体の製造方法
における加圧加熱成形は、０．１〜６ＧＰａの圧力を加
えながら、７００〜１４００℃の温度で数分以上加熱す
るようにしてもよい。
活性ガス中の加熱は、７００〜２０００℃の温度で数秒
以上加熱してもよい。さらに、合金超伝導体の製造方法
における真空中での加熱は、２×１０-2Ｐａ以下の真空
中で、６５０〜１１００℃の温度で数分以上加熱するよ
うにしてもよい。また、合金超伝導体の製造方法におけ
る加圧不活性ガス中の加熱は、１〜２００ＭＰａの不活
性ガス圧力中で、６００〜１１００℃の温度で数分以上
で行うこともできる。さらに、合金超伝導体の製造方法
における加圧加熱成形は、０．１〜６ＧＰａの圧力を加
えながら、７００〜１４００℃の温度で数分以上加熱す
るようにしてもよい。
【００１２】上記構成の金属間化合物超伝導体の製造方
法によれば、本発明のマグネシウム（Ｍｇ）とホウ素
（Ｂ）とを含む金属間化合物超伝導体を再現性よく、か
つ、容易に製造することができる。また、上記構成の金
属間化合物を含有する合金超伝導体の製造方法によれ
ば、金属間化合物を含有する合金超伝導体を再現性よ
く、かつ、容易に製造することができる。
法によれば、本発明のマグネシウム（Ｍｇ）とホウ素
（Ｂ）とを含む金属間化合物超伝導体を再現性よく、か
つ、容易に製造することができる。また、上記構成の金
属間化合物を含有する合金超伝導体の製造方法によれ
ば、金属間化合物を含有する合金超伝導体を再現性よ
く、かつ、容易に製造することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づいて本発明の実
施の形態を詳細に説明する。最初に、本発明のマグネシ
ウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構
造を説明する。図１はこの発明のマグネシウムとホウ素
とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構造を示す図で
ある。図２は図１の結晶構造をさらに解り易くするため
の図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面模式図である。
図１及び図２に示すように、本発明の金属間化合物超伝
導体は、化学組成式Ｍｇ1 Ｂ2 で表され、六方晶ＡｌＢ
2 型結晶構造を有している。図３は、下記に説明する製
造方法によって形成した本発明の金属間化合物超伝導体
の粉末Ｘ線回折結果を示す図である。Ｘ線回折測定は、
二軸Ｘ線回折測定装置（ＲＩＧＡＫＵ社製，ＲＩＮＴ２
０００）を用いて行った。図３の粉末Ｘ線回折測定のパ
ターンから、結晶系が六方晶であり、空間群ｐ６／ｍｍ
ｍに属することが解り、また、ａ軸及びｂ軸長が３．０
８３Å、ｃ軸長が３．５２７Åであることが解る。図４
は、この粉末Ｘ線回折測定のパターンから単位胞内のＭ
ｇとＢの原子座標を求めたものである。図４から明らか
なように、Ｂ原子は、ａｂ面内で互いに最密に配列して
いる３個のＭｇ原子の中心に、かつ、ｃ軸方向のＭｇ原
子の配列の中間に位置していることが解る。図３及び図
４から明らかなように、本発明の金属間化合物超伝導体
は、図１及び図２に示した六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造を
有している。
施の形態を詳細に説明する。最初に、本発明のマグネシ
ウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構
造を説明する。図１はこの発明のマグネシウムとホウ素
とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構造を示す図で
ある。図２は図１の結晶構造をさらに解り易くするため
の図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面模式図である。
図１及び図２に示すように、本発明の金属間化合物超伝
導体は、化学組成式Ｍｇ1 Ｂ2 で表され、六方晶ＡｌＢ
2 型結晶構造を有している。図３は、下記に説明する製
造方法によって形成した本発明の金属間化合物超伝導体
の粉末Ｘ線回折結果を示す図である。Ｘ線回折測定は、
二軸Ｘ線回折測定装置（ＲＩＧＡＫＵ社製，ＲＩＮＴ２
０００）を用いて行った。図３の粉末Ｘ線回折測定のパ
ターンから、結晶系が六方晶であり、空間群ｐ６／ｍｍ
ｍに属することが解り、また、ａ軸及びｂ軸長が３．０
８３Å、ｃ軸長が３．５２７Åであることが解る。図４
は、この粉末Ｘ線回折測定のパターンから単位胞内のＭ
ｇとＢの原子座標を求めたものである。図４から明らか
なように、Ｂ原子は、ａｂ面内で互いに最密に配列して
いる３個のＭｇ原子の中心に、かつ、ｃ軸方向のＭｇ原
子の配列の中間に位置していることが解る。図３及び図
４から明らかなように、本発明の金属間化合物超伝導体
は、図１及び図２に示した六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造を
有している。
【００１４】次に、本発明のマグネシウムとホウ素とか
らなる金属間化合物超伝導体の超伝導特性について説明
する。図５は、本発明のマグネシウムとホウ素とからな
る金属間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を
示す図である。電気抵抗の測定は、四探針法で行った。
図５から、温度が低下するに従って電気抵抗が下がり、
３９Ｋで急峻に電気抵抗が０になっていることが解る。
すなわち、本発明の金属間化合物超伝導体は、超伝導転
移温度３９Ｋを有している。なお、超伝導転移温度は、
電気抵抗の立ち下がり温度Ｔｃｏｎｓｅｔ、及び電気抵
抗の立ち上がり温度Ｔｃｚｅｒｏで定義されるが、本発
明の金属間化合物超伝導体は、Ｔｃｏｎｓｅｔ＝３９
Ｋ、Ｔｃｚｅｒｏ＝３８Ｋである。次に、本発明の金属
間化合物超伝導体の磁化率（Ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉ
ｔｙ）の測定結果を示す。
らなる金属間化合物超伝導体の超伝導特性について説明
する。図５は、本発明のマグネシウムとホウ素とからな
る金属間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を
示す図である。電気抵抗の測定は、四探針法で行った。
図５から、温度が低下するに従って電気抵抗が下がり、
３９Ｋで急峻に電気抵抗が０になっていることが解る。
すなわち、本発明の金属間化合物超伝導体は、超伝導転
移温度３９Ｋを有している。なお、超伝導転移温度は、
電気抵抗の立ち下がり温度Ｔｃｏｎｓｅｔ、及び電気抵
抗の立ち上がり温度Ｔｃｚｅｒｏで定義されるが、本発
明の金属間化合物超伝導体は、Ｔｃｏｎｓｅｔ＝３９
Ｋ、Ｔｃｚｅｒｏ＝３８Ｋである。次に、本発明の金属
間化合物超伝導体の磁化率（Ｓｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉ
ｔｙ）の測定結果を示す。
【００１５】図６は、本発明のマグネシウムとホウ素と
からなる金属間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測
定結果を示す図である。磁化率の測定は、直流磁化率測
定装置（カンタム・デザイン社製磁気特性測定システ
ム，ＭＰＭＳシリーズＭＰＭＳＲ２）を使用した。図６
から明らかなように、Ｔｃ＝３９Ｋから低温側で負の磁
化率、すなわち反磁性を示しており、本発明のマグネシ
ウムとホウ素とからなる金属間化合物は、超伝導転移温
度Ｔｃ＝３９Ｋを有する超伝導体であることが解る。図
６において、零磁場で冷却した場合とＨ（印加磁場）＝
１００Ｏｅで冷却した場合を示している。磁場冷却で磁
化率が小さいのは、進入磁束の存在を示しており、第２
種超伝導体であることを示している。
からなる金属間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測
定結果を示す図である。磁化率の測定は、直流磁化率測
定装置（カンタム・デザイン社製磁気特性測定システ
ム，ＭＰＭＳシリーズＭＰＭＳＲ２）を使用した。図６
から明らかなように、Ｔｃ＝３９Ｋから低温側で負の磁
化率、すなわち反磁性を示しており、本発明のマグネシ
ウムとホウ素とからなる金属間化合物は、超伝導転移温
度Ｔｃ＝３９Ｋを有する超伝導体であることが解る。図
６において、零磁場で冷却した場合とＨ（印加磁場）＝
１００Ｏｅで冷却した場合を示している。磁場冷却で磁
化率が小さいのは、進入磁束の存在を示しており、第２
種超伝導体であることを示している。
【００１６】次に本発明のマグネシウムとホウ素とから
なる金属間化合物を含有する合金超伝導体について説明
する。図７は、本発明のマグネシウムとホウ素とからな
る金属間化合物を含有する合金超伝導体の粉末Ｘ線回折
の測定結果を示す図である。測定に用いた合金超伝導体
は、下記に説明する製造方法で形成したものであり、組
成Ｍｇ1 Ｂ0.33を有している。測定方法は図３の場合と
同じである。図７において、回折ピークは、Ｍｇ金属
（六方細密結晶構造）の面指数にすべて一致しており、
また、図中に矢印で示した回折角位置にＭｇ1 Ｂ2 金属
間化合物に基づく回折強度がわずかに観測されている。
すなわち、本発明の合金超伝導体は、マグネシウムとホ
ウ素とからなる金属間化合物を含有した合金超伝導体で
あることが解る。
なる金属間化合物を含有する合金超伝導体について説明
する。図７は、本発明のマグネシウムとホウ素とからな
る金属間化合物を含有する合金超伝導体の粉末Ｘ線回折
の測定結果を示す図である。測定に用いた合金超伝導体
は、下記に説明する製造方法で形成したものであり、組
成Ｍｇ1 Ｂ0.33を有している。測定方法は図３の場合と
同じである。図７において、回折ピークは、Ｍｇ金属
（六方細密結晶構造）の面指数にすべて一致しており、
また、図中に矢印で示した回折角位置にＭｇ1 Ｂ2 金属
間化合物に基づく回折強度がわずかに観測されている。
すなわち、本発明の合金超伝導体は、マグネシウムとホ
ウ素とからなる金属間化合物を含有した合金超伝導体で
あることが解る。
【００１７】つぎに、本発明のマグネシウムとホウ素と
からなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の超伝導
特性を説明する。図８は、本発明のマグネシウムとホウ
素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の電
気抵抗の温度特性の測定結果を示す図である。この図８
中に超伝導転移温度付近の特性を拡大して図示してい
る。図８から明らかなように、本発明のマグネシウムと
ホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体
は、超伝導転移温度Ｔｃ＝３９Ｋを有する超伝導体であ
る。
からなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の超伝導
特性を説明する。図８は、本発明のマグネシウムとホウ
素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の電
気抵抗の温度特性の測定結果を示す図である。この図８
中に超伝導転移温度付近の特性を拡大して図示してい
る。図８から明らかなように、本発明のマグネシウムと
ホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体
は、超伝導転移温度Ｔｃ＝３９Ｋを有する超伝導体であ
る。
【００１８】次に、本発明の合金超伝導体の磁化率（Ｓ
ｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）の測定結果を示す。図９
は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化
合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の測定
結果を示す図である。磁化率の測定法は、図６の測定と
同じである。図９から明らかなように、Ｔｃ＝３９Ｋか
ら低温側で負の磁化率、すなわち反磁性を示しており、
本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物
を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度Ｔｃ＝３９
Ｋを有する超伝導体であることが解る。図９において、
零磁場で冷却した場合とＨ（印加磁場）＝１００Ｏｅで
冷却した場合を示している。磁場冷却で磁化率が小さい
のは、進入磁束の存在を示しおり、第２種超伝導体であ
ることを示している。
ｕｓｃｅｐｔｉｂｉｌｉｔｙ）の測定結果を示す。図９
は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化
合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の測定
結果を示す図である。磁化率の測定法は、図６の測定と
同じである。図９から明らかなように、Ｔｃ＝３９Ｋか
ら低温側で負の磁化率、すなわち反磁性を示しており、
本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物
を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度Ｔｃ＝３９
Ｋを有する超伝導体であることが解る。図９において、
零磁場で冷却した場合とＨ（印加磁場）＝１００Ｏｅで
冷却した場合を示している。磁場冷却で磁化率が小さい
のは、進入磁束の存在を示しおり、第２種超伝導体であ
ることを示している。
【００１９】次に、本発明のマグネシウムとホウ素とか
らなる金属間化合物超伝導体及びマグネシウムとホウ素
とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の製造
方法を説明する。以下に説明する本発明の製造方法によ
れば、金属間化合物超伝導体になるか、または合金超伝
導体になるかは、混合した原料粉末のＭｇとＢの化学組
成比によって定まる。すなわち、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝
１：２で混合されている場合には、混合粉全体が、Ｍｇ
1 Ｂ2 の組成式で表される六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造の
単相の金属間化合物超伝導体となる。また、混合粉が化
学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜１，−
２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合されている場合に
は、上記の金属間化合物を含有する合金超伝導体とな
り、使用目的に応じて組成比を変えることができる。例
えば、Ｍｇの組成比を大きくすれば、展性及び延性に優
れた超伝導電線を製造することができる。Ｍｇの原料粉
末には、Ｍｇ粉末又はＭｇＯ粉末を使用することがで
き、また、Ｂの原料粉末にはＢ粉末を使用できる。
らなる金属間化合物超伝導体及びマグネシウムとホウ素
とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の製造
方法を説明する。以下に説明する本発明の製造方法によ
れば、金属間化合物超伝導体になるか、または合金超伝
導体になるかは、混合した原料粉末のＭｇとＢの化学組
成比によって定まる。すなわち、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝
１：２で混合されている場合には、混合粉全体が、Ｍｇ
1 Ｂ2 の組成式で表される六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造の
単相の金属間化合物超伝導体となる。また、混合粉が化
学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜ｘ＜１，−
２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合されている場合に
は、上記の金属間化合物を含有する合金超伝導体とな
り、使用目的に応じて組成比を変えることができる。例
えば、Ｍｇの組成比を大きくすれば、展性及び延性に優
れた超伝導電線を製造することができる。Ｍｇの原料粉
末には、Ｍｇ粉末又はＭｇＯ粉末を使用することがで
き、また、Ｂの原料粉末にはＢ粉末を使用できる。
【００２０】本発明の金属間化合物超伝導体及び合金超
伝導体の製造方法として、いくつか例を挙げることがで
きる。第１の方法は、Ｍｇ粉末、Ｂ粉末を撹拌装置で混
合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレット状に
成型したものを、不活性ガス雰囲気中において、アーク
溶解法、プラズマアーク溶解法、又は、高周波溶解法等
の公知の加熱方法を用いて７００〜２０００℃の温度で
数秒以上加熱することからなり、この方法によって容易
に形成できる。
伝導体の製造方法として、いくつか例を挙げることがで
きる。第１の方法は、Ｍｇ粉末、Ｂ粉末を撹拌装置で混
合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレット状に
成型したものを、不活性ガス雰囲気中において、アーク
溶解法、プラズマアーク溶解法、又は、高周波溶解法等
の公知の加熱方法を用いて７００〜２０００℃の温度で
数秒以上加熱することからなり、この方法によって容易
に形成できる。
【００２１】第２の方法は、Ｍｇ粉末、Ｂ粉末を撹拌装
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、２×１０-2Ｐａ以下の真空中
で、６５０〜１１００℃の温度で数分以上加熱すること
からなり、この方法によって容易に形成できる。
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、２×１０-2Ｐａ以下の真空中
で、６５０〜１１００℃の温度で数分以上加熱すること
からなり、この方法によって容易に形成できる。
【００２２】第３の方法は、Ｍｇ粉末、Ｂ粉末を撹拌装
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、ＨＩＰ加圧装置（例えば、神戸
製鋼社製，高温高圧雰囲気炉）等を用いて、不活性ガス
を充填し、１〜２００ＭＰａの不活性ガス圧力中で、６
００〜１１００℃の温度で数分以上加熱することからな
り、この方法によって容易に形成できる。
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、ＨＩＰ加圧装置（例えば、神戸
製鋼社製，高温高圧雰囲気炉）等を用いて、不活性ガス
を充填し、１〜２００ＭＰａの不活性ガス圧力中で、６
００〜１１００℃の温度で数分以上加熱することからな
り、この方法によって容易に形成できる。
【００２３】第４の方法は、Ｍｇ粉末、Ｂ粉末を撹拌装
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、立方体アンビル加圧装置等の加
圧装置を用いて、０．１〜６ＧＰａの圧力を加えなが
ら、７００〜１４００℃の温度で数分以上加熱すること
からなり、この方法によって容易に形成できる。高圧力
は、粒界結合を促進するために必要であり、高温度は、
超伝導相を成長するために必要である。
置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレッ
ト状に成型したものを、立方体アンビル加圧装置等の加
圧装置を用いて、０．１〜６ＧＰａの圧力を加えなが
ら、７００〜１４００℃の温度で数分以上加熱すること
からなり、この方法によって容易に形成できる。高圧力
は、粒界結合を促進するために必要であり、高温度は、
超伝導相を成長するために必要である。
【００２４】なお、本発明の金属間化合物超伝導体及び
合金超伝導体は、上記の多結晶焼結体に限らず、多結晶
バルク体、大型単結晶、又は薄膜であってもよい。公知
の鍛造装置、超高圧加圧加熱合成装置等のバルク体作製
装置を用いれば、軽量、高硬度、及び耐腐食性に優れた
多結晶バルク体の金属間化合物超伝導体を製造できる。
また、大型単結晶金属間化合物超伝導体は、再結晶法、
単純引き上げ法、浮遊帯域溶融法、フラックス法等の公
知の単結晶育成法を使用し、適切なるつぼを使用し、雰
囲気制御を行って製造できる。また、金属間化合物超伝
導体の薄膜は、ＭｇとＢの組成比が１：２となるような
気相源を用いた化学気相蒸着法、又は、ＭｇとＢの組成
比が１：２であるターゲットをスパッタして形成するス
パッタ法を用いて製造できる。また、金属間化合物超伝
導体の薄膜を付着させる基板として、Ｃｕなどの金属基
板、セラミックス基板、または、金属基板の上にセラミ
ックスを被覆した複合基材等を用いることができる。用
途に合わせて適宜の基板を選択すればよい。また、Ｍｇ
とＢの組成比において、展性、延性に富んだＭｇの組成
比を大きくして、または、展性、延性に富んだ他の金属
を混合して合成することによって、展性、延性に優れた
超伝導合金を製造できる。この超伝導合金は、圧延、押
し出し等の加工技術を使用すれば、極細多芯形超伝導線
材、超伝導細線、又は、超伝導合金線に加工することが
できる。
合金超伝導体は、上記の多結晶焼結体に限らず、多結晶
バルク体、大型単結晶、又は薄膜であってもよい。公知
の鍛造装置、超高圧加圧加熱合成装置等のバルク体作製
装置を用いれば、軽量、高硬度、及び耐腐食性に優れた
多結晶バルク体の金属間化合物超伝導体を製造できる。
また、大型単結晶金属間化合物超伝導体は、再結晶法、
単純引き上げ法、浮遊帯域溶融法、フラックス法等の公
知の単結晶育成法を使用し、適切なるつぼを使用し、雰
囲気制御を行って製造できる。また、金属間化合物超伝
導体の薄膜は、ＭｇとＢの組成比が１：２となるような
気相源を用いた化学気相蒸着法、又は、ＭｇとＢの組成
比が１：２であるターゲットをスパッタして形成するス
パッタ法を用いて製造できる。また、金属間化合物超伝
導体の薄膜を付着させる基板として、Ｃｕなどの金属基
板、セラミックス基板、または、金属基板の上にセラミ
ックスを被覆した複合基材等を用いることができる。用
途に合わせて適宜の基板を選択すればよい。また、Ｍｇ
とＢの組成比において、展性、延性に富んだＭｇの組成
比を大きくして、または、展性、延性に富んだ他の金属
を混合して合成することによって、展性、延性に優れた
超伝導合金を製造できる。この超伝導合金は、圧延、押
し出し等の加工技術を使用すれば、極細多芯形超伝導線
材、超伝導細線、又は、超伝導合金線に加工することが
できる。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、本発
明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝
導体は、超伝導転移温度が高く、かつ、製造が容易であ
るから、高性能のジョセフソン素子、高周波素子等の超
伝導エレクトロニクス等に利用すれば、極めて有用であ
る。また、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金
属間化合物を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度
が高く、展性、延性に優れ、かつ、製造が容易であるか
ら、大規模な超伝導送電、超伝導電力貯蔵、高性能なジ
ョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニク
ス等に利用すれば、極めて有用である。また、本発明の
マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体
の製造方法、及びその金属間化合物を含有する合金超伝
導体の製造方法を用いれば、極めて再現性よく、容易
に、かつ、低コストで、金属間化合物超伝導体並びに金
属間化合物を含有する合金超伝導体を製造することがで
きる。
明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝
導体は、超伝導転移温度が高く、かつ、製造が容易であ
るから、高性能のジョセフソン素子、高周波素子等の超
伝導エレクトロニクス等に利用すれば、極めて有用であ
る。また、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金
属間化合物を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度
が高く、展性、延性に優れ、かつ、製造が容易であるか
ら、大規模な超伝導送電、超伝導電力貯蔵、高性能なジ
ョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニク
ス等に利用すれば、極めて有用である。また、本発明の
マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体
の製造方法、及びその金属間化合物を含有する合金超伝
導体の製造方法を用いれば、極めて再現性よく、容易
に、かつ、低コストで、金属間化合物超伝導体並びに金
属間化合物を含有する合金超伝導体を製造することがで
きる。
【図１】本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属
間化合物超伝導体の結晶構造を示す図である。
間化合物超伝導体の結晶構造を示す図である。
【図２】本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属
間化合物超伝導体の結晶構造を示す図であり、（ａ）は
側面図、（ｂ）は平面模式図である。
間化合物超伝導体の結晶構造を示す図であり、（ａ）は
側面図、（ｂ）は平面模式図である。
【図３】本発明の金属間化合物超伝導体の粉末Ｘ線回折
測定結果を示すグラフである。
測定結果を示すグラフである。
【図４】粉末Ｘ線回折測定のパターンから単位胞内のＭ
ｇとＢの原子座標を求めたものである。
ｇとＢの原子座標を求めたものである。
【図５】本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属
間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を示すグ
ラフである。
間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を示すグ
ラフである。
【図６】本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属
間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測定結果を示す
グラフである。
間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測定結果を示す
グラフである。
【図７】本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属
間化合物を含有する合金超伝導体の粉末Ｘ線回折の測定
結果を示すグラフである。
間化合物を含有する合金超伝導体の粉末Ｘ線回折の測定
結果を示すグラフである。
【図８】本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属
間化合物を含有する合金超伝導体の電気抵抗の温度特性
の測定結果を示すグラフである。
間化合物を含有する合金超伝導体の電気抵抗の温度特性
の測定結果を示すグラフである。
【図９】本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属
間化合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の
測定結果を示すグラフである。
間化合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の
測定結果を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｂ 12/00 ＺＡＡ Ｈ０１Ｂ 12/00 ＺＡＡ 13/00 ５６３ 13/00 ５６３Ａ ５６５ ５６５Ｚ (72)発明者 村中 隆弘 東京都世田谷区北烏山８−22−22 第二杉 田ハイツ201 (72)発明者 中川 鑑応 東京都昭島市中神町1391−45 (72)発明者 永松 純 東京都世田谷区祖師谷６−４−19−103 Ｆターム(参考） 4G001 BA61 BA68 BB41 BC22 BC42 BC52 BC54 BD22 BE01 4K018 AA13 BC12 CA01 EA02 5G321 AA12 DC08 DC33 DC36 DD99
Claims (22)
- 【請求項１】 マグネシウム（Ｍｇ）とホウ素（Ｂ）と
からなる金属間化合物であることを特徴とする、金属間
化合物超伝導体。 - 【請求項２】 ＭｇとＢとからなる金属間化合物を含有
し、かつ、単一の又は複数の金属元素を含有する合金で
あることを特徴とする、合金超伝導体。 - 【請求項３】 前記金属間化合物超伝導体は、化学組成
式Ｍｇ1 Ｂ2 で表される組成を有し、Ｍｇ層とＢ層が交
互に積層した六方晶ＡｌＢ2 型結晶構造を有することを
特徴とする、請求項１に記載の金属間化合物超伝導体。 - 【請求項４】 前記合金超伝導体は、前記金属間化合物
を含有し、組成式Ｍｇ1-x Ｂ2+y （０＜ｘ＜１，−２＜
ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で表される組成を有することを
特徴とする、請求項２に記載の合金超伝導体。 - 【請求項５】 前記金属間化合物超伝導体は、超伝導転
移温度（Ｔｃ）３９Ｋを有することを特徴とする、請求
項１に記載の金属間化合物超伝導体。 - 【請求項６】 前記合金超伝導体は、超伝導転移温度
（Ｔｃ）３９Ｋを有することを特徴とする、請求項２に
記載の合金超伝導体。 - 【請求項７】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末
とを化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット状
に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徴
とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項８】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末
とを化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット状
に成型し、真空中で加熱して形成することを特徴とす
る、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項９】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉末
とを化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレット状
に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することを
特徴とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項１０】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉
末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１：２で混合し、ペレッ
ト状に成型し、加圧加熱成形して形成することを特徴と
する、金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項１１】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉
末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜
ｘ＜１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレ
ット状に成型し、不活性ガス中で加熱して形成すること
を特徴とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項１２】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉
末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜
ｘ＜１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレ
ット状に成型し、真空中で加熱して形成することを特徴
とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項１３】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉
末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜
ｘ＜１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレ
ット状に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成する
ことを特徴とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項１４】 Ｍｇを含む原料粉末とＢを含む原料粉
末とを、化学組成比Ｍｇ：Ｂ＝１−ｘ：２＋ｙ，（０＜
ｘ＜１，−２＜ｙ＜０及び０＜ｙ＜２）で混合し、ペレ
ット状に成型し、加圧加熱成形して形成することを特徴
とする、合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項１５】 前記不活性ガス中の加熱は、７００〜
２０００℃の温度で数秒以上行うことを特徴とする、請
求項７に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項１６】 前記真空中での加熱は、２×１０-2Ｐ
ａ以下の真空中で、６５０〜１１００℃の温度で数分以
上行うことを特徴とする、請求項８に記載の金属間化合
物超伝導体の製造方法。 - 【請求項１７】 前記加圧不活性ガス中の加熱は、１〜
２００ＭＰａの不活性ガス圧力中で、６００〜１１００
℃の温度で数分以上行うことを特徴とする、請求項９に
記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項１８】 前記加圧加熱成形は、０．１〜６ＧＰ
ａの圧力を加えながら、７００〜１４００℃の温度で数
分以上加熱することを特徴とする、請求項１０に記載の
金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項１９】 前記不活性ガス中の加熱は、７００〜
２０００℃の温度で数秒以上行うことを特徴とする、請
求項１１に記載の合金超伝導体の製造方法。 - 【請求項２０】 前記真空中での加熱は、２×１０-2Ｐ
ａ以下の真空中で、６５０〜１１００℃の温度で数分以
上行うことを特徴とする、請求項１２に記載の合金超伝
導体の製造方法。 - 【請求項２１】 前記加圧不活性ガス中の加熱は、１〜
２００ＭＰａの不活性ガス圧力中で、６００〜１１００
℃の温度で数分以上行うことを特徴とする、請求項１３
に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。 - 【請求項２２】 前記加圧加熱成形は、０．１〜６ＧＰ
ａの圧力を加えながら、７００〜１４００℃の温度で数
分以上加熱することを特徴とする、請求項１４に記載の
合金超伝導体の製造方法。
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