WO2002055435A1

WO2002055435A1 - Compose intermetallique supraconducteur, alliage supraconducteur et leurs procedes de preparation

Info

Publication number: WO2002055435A1
Application number: PCT/JP2001/006383
Authority: WO
Inventors: Jun Akimitsu; Yuji Zenitani; Takahiro Muranaka; Norimasa Nakagawa; Jun Nagamatsu
Original assignee: Japan Science And Technology Corporation
Priority date: 2001-01-09
Filing date: 2001-07-24
Publication date: 2002-07-18
Also published as: US20030017949A1; US7172993B2; CA2401968C; US20060079402A1; KR100517455B1; CN1276872C; CN1416405A; US6956011B2; DE60136960D1; JP2002211916A; KR20020092376A; EP1350762A4; CA2401968A1; EP1350762B1; EP1350762A1; JP3575004B2

Description

明細書

金属間化合物超伝導体及び合金超伝導体並びにこれらの製造方法技術分野

本発明は、大規模な超伝導送電、超伝導電力貯蔵、高性能なジョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用でき、特に、高い超伝導転移温度を有し、製造が容易で、かつ、展性、延性に優れた全く新規な金属間化合物超伝導体及び合金超伝導体、並びにそれらの製造方法に関する。技術背景

従来、超伝導体には、単体金属からなる超伝導体、化合物からなる超伝導体、合金からなる超伝導体及び複合酸化物からなる超伝導体などが知られている。単体金属からなる超伝導体には、 Pb、 Nb等が良く知られているが、超伝導転移温度が低く実用性に欠ける。

金属間化合物からなる超伝導体には、 Nb₃ G e、 Nb G a、 Nb ₃ A l、及び N b ₃ S nに代表される A 1 5型結晶構造を有する金属間化合物超伝導体、及び PbMo₆ S₈ に代表されるシュブレル型結晶構造を有する金属間化合物超伝導体などが知られている。また、 Nb B₂ に代表される A 1 B₂ 型結晶構造を有する金属間化合物超伝導体も知られているが、超伝導転移温度（T。）が極めて低い (To = 0. 6 2 K, J o u r n a l o f t h e L e s s - C om m o n Me t a l s, 6 7 (1 9 79) 249— 2 5 5) 。これらの金属間化合物超伝導体には、 N b ₃ G e (超伝導転移温度：約 2 3 K) のように、超伝導転移温度が比較的高いものもあるが、歪みに弱く、また脆いと言った欠点を有している。

複合酸化物からなる超伝導体には、 L a₂— _x B a _x C u 0₄ の組成に代表される La系酸化物超伝導体、 Y, B a ₂ Cu ₃ 0₇-_x の組成に代表される Y系酸化物超伝導体、 B i ₂ S r 2 C a n- : C u„ 0_{2n + 2}の組成に代表される B i系酸化物超伝導体、 T l ₂ B a C a„- i C u„ 0 _{2 n + 2}の組成に代表される T 1系酸化物超伝導体、 H _{g l} B a i C a C u i 0 _{6 + x} の組成に代表される H g系酸化物超伝導体等が知られている。これらの複合酸化物からなる超伝導体は、超伝導転移温度が高く、なかには 1 5 0 Kに達するものもある。これらの複合酸化物系超伝導体は、八面体型、ピラミツド型、または平面型からなる C u 0 ₂ 超伝導層と、 L a , C a、 Y, B i、あるいは H g等の原子と酸素とからなるブロック層（超伝導層とは結晶構造が異なる）とが、互いに積層して構成されるべロプスカイト構造を有している。このように、結晶構造が極めて複雑であることから、再現性よく大量に生産することが困難であり、また、複合酸化物であることから、展性や延性といった特性に乏しく、超伝導電線として使用することが難しい。

合金からなる超伝導体には、 N b— T i合金が良く知られており、展性及び延性に優れるため、超伝導電線及び超電導磁石等に広く使用されている。しかしながら、合金からなる超伝導体は、超伝導転移温度が低く（N b— T i合金で最良のものでも約 9 Kである）、改善が望まれている。

本発明は、上記課題に鑑み、超伝導転移温度が高い金属間化合物超伝導体、及び超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に優れた合金超伝導体を提供することを目的とする。さらに本発明は、再現性よく、製造コストが低い、これらの超伝導体の製造方法を提供することを目的としている。

発明の開示

始めに本発明者らが本発明に至った経緯を概説する。一般に軽い元素を含有させた超伝導物質は超伝導転移温度が上昇すると考えられる。本発明者らは、硼素は軽い元素であり、かつその結晶は半導体であるため、他の元素と組み合わせて化合物にすることで超伝導が出現する可能性は高いと予測した。種々の遷移金属元素と硼素の化合物のうち、 A l B ₂ 型結晶構造をとる T i B ₂ では電気抵抗が非常に小さいことが分かったが、超伝導特性は示さなかった。そこで 3種類の元素の組み合わせを種々試み、そのうち、マグネシウム、遷移金属元素及び硼素の組み合わせで超伝導特性が確認された。しかしながらこの超伝導特性は極めて弱いものであった。これらの元素の比を種々に変化させて合成したところ、より強い超伝導特性が遷移金属元素を含まないマグネシウムと硼素の化合物で得られることがわかった。ところが、当初はマグネシウムの量がホウ素の量に較べて非常に大きい化合物で実験していたため、粉末 X線回折測定からはマグネシウム結晶の結晶構造に基づく回折線しか観測されず、超伝導特性の起源はマグネシウムに硼素が固溶した合金ではないかと考えたのであるが、マグネシゥムと硼素の組成比を徐々に変えて実験したところ、 M g , B ₂ の組成比で超伝導転位温度が非常に高く、かつ強い超伝導特性が観測され、これが超伝導の実体であることを確認でき、本発明に到達したものである。

上記課題を解決するために、本発明の金属間化合物超伝導体は、マグネシウム (M g ) とホウ素（B ) とからなる金属間化合物超伝導体であることを特徵とする。

また、本発明の合金超伝導体は、 M gと Bとからなる金属間化合物を含有し、かつ、単一の又は複数の金属元素を含有することを特徵としている。

前記金属間化合物超伝導体は、化学組成式 M _{g l} B ₂ で表される組成を有し、 M g層と B層が交互に積層した六方晶 A 1 B ₂ 型結晶構造を有することを特徵としている。

また、前記合金超伝導体は、 M gと Bとからなる金属間化合物を含有し、組成式 M g n B _{2 + y} ( 0 < x < 1 , — 2く yく 0及び 0く yく 2 ) で表される組成を有する合金であることを特徴としている。

この構成による金属間化合物超伝導体は、超伝導転移温度（T。） 3 9 Κを有しており、従来知られているいずれの金属間化合物超伝導体より超伝導転移温度が高く、また、従来知られている A 1 B ₂ 型結晶構造を持つ金属間化合物よりも遙かに超伝導転移温度が高い。

また、この構成による合金超伝導体は、超伝導転移温度（T。） 3 9 Κを有しており、従来知られているいずれの合金超伝導体よりも超伝導転移温度が高く、かつ、展性及び延性に富んでいる。

上記構成のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体によれば、超伝導転移温度（τ。）が高い超伝導体として、高性能なジョセフソン素子、高周波素子等の超伝導ェレクトロニクス等に利用することができる。さらに、上記構成のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体を含有する合金超伝導体を用いれば、超伝導転移温度が高く、かつ、展性、延性に優れた超伝導体として、超伝導送電、超伝導電力貯蔵等の超伝導電線に使用でき、また、高性能なジョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロ二クス用材料として使用できる。

さらに、本発明による金属間化合物超伝導体の製造方法は、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B = 1 ： 2で混合し、ペレット状に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徴とする。

また、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B- 1 ： 2で混合し、ペレツト状に成型して真空中で加熱して形成することもできる。さらに、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B = 1 ： 2で混合し、ペレツト状に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することもできる。

さらにまた、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B= 1 ： 2で混合し、ペレツト状に成型し、加圧加熱成形して形成することもできる。

さらに、本発明の金属間化合物を含有する合金超伝導体の製造方法は、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B= 1 - X ： 2 +y, (0 <x < 1 , — 2 <y< 0及び 0く yく 2) で混合し、ペレツト状に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徴とする。

上記合金超伝導体の製造方法では、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 M g : B= l -x : 2 +y, ( 0 < X < 1 , - 2 < y < 0及び 0 <y < 2) で混合し、ペレツト状に成型し、真空中で加熱して形成することもできる。

また、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B= 1 - X ： 2 + y , (0 <χ< 1, - 2 <y< 0及び 0く yく 2 ) で混合し、ペレツト状に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することもできる。

さらにまた、 Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B= 1 - ： 2 +y, (0 <χ< 1, - 2 <y< 0及び 0く yく 2 ) で混合し、ペレツト状に成型し、加圧加熱成形して形成することもできる。

また、金属間化合物超伝導体の製造方法において、不活性ガス中の加熱は、 7 0 0〜2 0 0 0 °Cの温度で数秒以上で行えば好ましい。

さらに、金属間化合物超伝導体の製造方法において、真空中での加熱は、 2 X 1 0 - ² P a以下の真空中で、 6 5 0〜1 1 0 0 °Cの温度で数分以上で行えば好ましい。

また、金属間化合物超伝導体の製造方法における加圧不活性ガス中の加熱は、 1〜 2 0 0 M P aの不活性ガス圧力中で、 6 0 0〜 1 1 0 0 °Cの温度で数分以上加熱してもよい。

さらに、金属間化合物超伝導体の製造方法における加圧加熱成形は、 0 . 1 ~ 6 G P aの圧力を加えながら、 7 0 0〜1 4 0 0 °Cの温度で数分以上加熱するようにしてもよい。

また、合金超伝導体の製造方法における不活性ガス中の加熱は、 7 0 0〜2 0 0 0 °Cの温度で数秒以上加熱してもよい。

さらに、合金超伝導体の製造方法における真空中での加熱は、 2 X 1 0— ² P a 以下の真空中で、 6 5 0〜1 1 0 0 °Cの温度で数分以上加熱するようにしてもよい。

また、合金超伝導体の製造方法における加圧不活性ガス中の加熱は、 1〜2 0 0 M P aの不活性ガス圧力中で、 6 0 0〜 1 1 0 0 °Cの温度で数分以上で行うこともできる。

さらに、合金超伝導体の製造方法における加圧加熱成形は、 0 . 1〜 6 G P a の圧力を加えながら、 7 0 0〜1 4 0 0 °Cの温度で数分以上加熱するようにしてもよい。

上記構成の金属間化合物超伝導体の製造方法によれば、本発明のマグネシウム (M g ) とホウ素（B ) とを含む金属間化合物超伝導体を再現性よく、かつ、容易に製造することができる。

また、上記構成の金属間化合物を含有する合金超伝導体の製造方法によれば、金属間化合物を含有する合金超伝導体を再現性よく、かつ、容易に製造することができる。図面の簡単な説明

本発明は、以下の詳細な説明及び本発明の実施例を示す添付図面に基づいて、より良く理解されるものとなろう。なお、添付図面に示す種々の実施例は本発明を特定又は限定することを意図するものではなく、単に本発明の説明及び理解を容易とするためだけに記載されたものである。

図中、

図 1は、本発明のマグネシゥムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構造を示す図である。

図 2は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構造を示す図であり、（a ) は側面図、（b ) は平面図である。

図 3は、本発明の金属間化合物超伝導体の粉末 X線回折測定結果を示すグラフである。

図 4は、粉末 X線回折測定のパターンから単位胞内の M gと Bの原子座標を求めたものである。

図 5は、本発明のマグネシゥムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を示すダラフである。

図 6は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測定結果を示すグラフである。

図 7は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の粉末 X線回折の測定結果を示すグラフである。

図 8は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の電気抵抗の温度特性の測定結果を示すグラフである。

図 9は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の測定結果を示すグラフである。

発明を実施するための最良の形態

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。

最初に、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構造を説明する。

図 1はこの発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の結晶構造を示す図である。図 2は図 1の結晶構造をさらに分かり易くするための図で、（a ) は側面図、（b ) は平面図である。

図 1および図 2に示すように、本発明の金属間化合物超伝導体は、化学組成式 M g , B ₂ で表され、六方晶 A 1 B ₂ 型結晶構造を有している。

図 3は、下記に説明する製造方法によって形成した本発明の金属間化合物超伝導体の粉末 X線回折結果を示す図である。 X線回折測定は、二軸 X線回折測定装置（R I G A K U社製， R I N T 2 0 0 0 ) を用いて行った。

図 3の粉末 X線回折測定のパターンから、結晶系が六方晶であり、空間群 P 6 Zmm mに属することが分かり、また、 a軸及び b軸長が 3 . 0 8 3 A、 c軸長が 3 . 5 2 7 Aであることが分かる。

図 4は、この粉末 X線回折測定のパターンから単位胞内の M gと Bの原子座標を求めたものである。図 4から明らかなように、 B原子は、 a b面内で互いに最密に配列している 3個の M g原子の中心に、かつ、 c軸方向の M g原子の配列の中間に位置していることが分かる。

図 3及び図 4から明らかなように、本発明の金属間化合物超伝導体は、図 1及び図 2に示した六方晶 A 1 B ₂ 型結晶構造を有している。

次に、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の超伝導特性について説明する。

図 5は、この発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の抵抗の温度特性の測定結果を示す図である。電気抵抗の測定は、四探針法で行つた。

図 5から、温度が低下するに従つて電気抵抗が下がり、 3 9 Kで急峻に電気抵抗が 0になっていることが分かる。すなわち、本発明の金属間化合物超伝導体は、超伝導転移温度 3 9 Kを有している。

なお、超伝導転移温度は、電気抵抗の立ち下がり温度 T。 0 n s e t、及び電気抵抗の立ち上がり温度 T。 z e r oで定義されるが、本発明の金属間化合物超伝導体は、 T _c 0 n s e t = 3 9 T ₀ z e r o = 3 8 Kである。次に、本発明の金属間化合物超伝導体の磁化率（S u s c e p t i b i l i t y) の測定結果を示す。

図 6は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体の磁化率の温度特性の測定結果を示す図である。磁化率の測定は、直流磁化率測定装置（力ンタム · デザィン社製磁気特性測定システム， M P M Sシリーズ M P M S R 2) を使用した。

図 6から明らかなように、 T。 = 3 9 Κから低温側で負の磁化率、すなわち反磁性を示しており、本発明のマグネシゥムとホウ素とからなる金属間化合物は、超伝導転移温度 Τ。 = 3 9 Κを有する超伝導体であることが分かる。

図 6において、零磁場で冷却した場合と Η (印加磁場） = 1 0 O O eで冷却した場合を示している。磁場冷却で磁化率が小さいのは、進入磁束の存在を示しており、第 2種超伝導体であることを示している。

次に、本発明のマグネシゥムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体について説明する。

図 7は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の粉末 X線回折の測定結果を示す図である。測定に用いた合金超伝導体は、下記に説明する製造方法で形成したものであり、組成 Mgi B。.₃₃を有している。測定方法は図 3の場合と同じである。

図 7において、回折ピークは、 Mg金属（六方細密結晶構造）の面指数にすべて一致しており、また、図中に矢印で示した回折角位置に Mg , B₂ 金属間化合物に基づく回折強度がわずかに観測されている。すなわち、本発明の合金超伝導体は、マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有した合金超伝導体であることが分かる。

つぎに、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の超伝導特性を説明する。

図 8は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の電気抵抗の温度特性の測定結果を示す図である。この図 8中に超伝導転移温度付近の特性を拡大して図示している。図 8から明らかなように、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度 T。 = 3 9 Kを有する超伝導体である。

次に、本発明の合金超伝導体の磁化率（S u s c e p t i b i 1 i t y) の測定結果を示す。

図 9は、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の磁化率の温度特性の測定結果を示す図である。磁化率の測定法は、図 6の測定と同じである。

図 9から明らかなように、 T。 = 3 9 Κから低温側で負の磁化率、すなわち反磁性を示しており、本発明のマグネシゥムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度 Τ。 = 3 9 Κを有する超伝導体であるこ , とが分かる。図 9において、零磁塲で冷却した場合と Η (印加磁場） = 1 000 eで冷却した場合を示している。磁場冷却で磁化率が小さいのは、進入磁束の存在を示しおり、第 2種超伝導体であることを示している。

次に、本発明のマグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びマグネシゥムとホウ素とからなる金属間化合物を含有する合金超伝導体の製造方法を説明する。

以下に説明する本発明の製造方法によれば、金属間化合物超伝導体になるか、または合金超伝導体になるかは、混合した原料粉末の Mgと Bの化学組成比によつて定まる。すなわち、化学組成比 Mg ： B= 1 ： 2で混合されている場合には、混合粉全体が、 Mg, B₂ の組成式で表される六方晶 A 1 B₂ 型結晶構造の単相の金属間化合物超伝導体となる。

また、混合粉が化学組成比 M g ： B= 1 - ： 2 +y, (0 <x< 1, - 2 < 7< 0及び0 < <2) で混合されている場合には、上記の金属間化合物を含有する合金超伝導体となり、使用目的に応じて組成比を変えることができる。例えば、 Mgの組成比を大きくすれば、展性及び延性に優れた超伝導電線を製造することができる。 Mgの原料粉末には、 Mg粉末又は MgO粉末を使用することができ、また、 Bの原料粉末には B粉末を使用できる。

本発明の金属間化合物超伝導体及び合金超伝導体の製造方法として、いくつか例を挙げることができる。

第 1の方法は、 Mg粉末、 B粉末を撹拌装置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレツト状に成型したものを、不活性ガス雰囲気中において、ァ一ク溶解法、プラズマアーク溶解法、又は、高周波溶解法等の公知の加熱方法を用いて 7 0 0〜 2 0 0 0 °Cの温度で数秒以上加熱することからなり、この方法によつて容易に形成できる。

第 2の方法は、 M g粉末、 B粉末を撹拌装置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレット状に成型したものを、 2 X 1 0— ² P a以下の真空中で、 6 5 0〜1 1 0 0 °Cの温度で数分以上加熱することからなり、この方法によって容易に形成できる。

第 3の方法は、 M g粉末、 B粉末を撹拌装置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレツト状に成型したものを、 H I P加圧装置（例えば、神戸製鋼社製，高温高圧雰囲気炉）等を用いて、不活性ガスを充塡し、 1〜2 0 O M P a の不活性ガス圧力中で、 6 0 0〜1 1 0 0 °Cの温度で数分以上加熱することからなり、この方法によって容易に形成できる。

第 4の方法は、 M g粉末、 B粉末を撹拌装置で混合して混合粉末を形成し、この混合粉末をペレツト状に成型したものを、立方体アンビル加圧装置等の加圧装置を用いて、 0 . 1〜6 G P aの圧力を加えながら、 7 0 0〜 1 4 0 0 °Cの温度で数分以上加熱することからなり、この方法によって容易に形成できる。高圧力は、粒界結合を促進するために必要であり、高温度は、超伝導相を成長するために必要である。

なお、本発明の金属間化合物超伝導体及び合金超伝導体は、上記の多結晶焼結体に限らず、多結晶バルク体、大型単結晶、又は薄膜であってもよい。

公知の鍛造装置、超高圧加圧加熱合成装置等のバルク体作製装置を用いれば、軽量、高硬度及び耐腐食性に優れた多結晶バルク体の金属間化合物超伝導体を製造できる。

また、大型単結晶金属間化合物超伝導体は、再結晶法、単純引き上げ法、浮遊帯域溶融法、フラックス法等の公知の単結晶育成法を使用し、適切なるつぼを使用し、雰囲気制御を行って製造できる。

また、金属間化合物超伝導体の薄膜は、 M gと Bの組成比が 1 ： 2となるような気相源を用いた化学気相蒸着法、又は、 M gと Bの組成比が 1 ： 2であるターゲットをスパッタして形成するスパッタ法を用いて製造できる。また、金属間化合物超伝導体の薄膜を付着させる基板として、 C uなどの金属基板、セラミックス基板、または、金属基板の上にセラミックスを被覆した複合基材等を用いることができる。用途に合わせて適宜の基板を選択すればよい。

また、 M gと Bの組成比において、展性、延性に富んだ M gの組成比を大きくして、または、展性、延性に富んだ他の金属を混合して合成することによって、展性、延性に優れた超伝導合金を製造できる。この超伝導合金は、圧延、押し出し等の加工技術を使用すれば、極細多芯形超伝導線材、超伝導細線、又は、超伝導合金線に加工することができる。産業上の利用可能性

以上の説明から理解できるように、本発明の金属間化合物超伝導体は、超伝導転移温度が高く、かつ、製造が容易であるから、高性能のジョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロニクス等に利用すれば、極めて有用である。また、本発明の金属間化合物を含有する合金超伝導体は、超伝導転移温度が高く、展性、延性に優れ、かつ、製造が容易であるから、大規模な超伝導送電、超伝導電力貯蔵、高性能なジョセフソン素子、高周波素子等の超伝導エレクトロ二クス等に利用すれば、極めて有用である。

さらに、本発明の金属間化合物超伝導体の製造方法、及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体の製造方法を用いれば、極めて再現性よく、容易に、かつ、低コストで、金属間化合物超伝導体並びに金属間化合物を含有する合金超伝導体を製造することができる。

Claims

請求の範囲

1. マグネシウム（Mg) とホウ素（B) とからなる金属間化合物であることを特徵とする、金属間化合物超伝導体。

2. Mgと Bとからなる金属間化合物を含有し、かつ、単一の又は複数の金属元素を含有する合金であることを特徵とする、合金超伝導体。

3. 前記金属間化合物超伝導体は、化学組成式 M_{g l} B₂ で表される組成を有し、 Mg層と B層が交互に積層した六方晶 A 1 B₂ 型結晶構造を有することを特徵とする、請求項 1に記載の金属間化合物超伝導体。

4. 前記合金超伝導体は、前記金属間化合物を含有し、組成式 M_{g l}-_X B _{2 + y} (0 < x < 1 , — 2く yく 0及び 0く yく 2) で表される組成を有することを特徴とする、請求項 2に記載の合金超伝導体。

5. 前記金属間化合物超伝導体は、超伝導転移温度（T。） 39 Κを有することを特徴とする、請求項 1に記載の金属間化合物超伝導体。

' 6. 前記合金超伝導体は、超伝導転移温度（Τ。） 39 Κを有することを特徴とする、請求項 2に記載の合金超伝導体。

7. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを化学組成比 M g： B= 1

： 2で混合し、ペレツト状に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徵とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。

8. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを化学組成比 M g： B= 1

： 2で混合し、ペレツト状に成型し、真空中で加熱して形成することを特徵とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。

9. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを化学組成比 Mg： B= 1 ： 2で混合し、ペレツト状に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することを特徴とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。

10. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B = 1 ： 2で混合し、ペレツト状に成型し、加圧加熱成形して形成することを特徴とする、金属間化合物超伝導体の製造方法。

1 1. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B = 1 - ： 2 + y , ( 0 < x < 1 , - 2 < y < 0及び 0 < y < 2 ) で混合し、ぺレツト状に成型し、不活性ガス中で加熱して形成することを特徵とする、合金超伝導体の製造方法。

1 2. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B = 1 - X ： 2 + y , ( 0 < X < 1 , - 2 < y < 0及び 0 < y < 2 ) で混合し、ぺレツト状に成型し、真空中で加熱して形成することを特徴とする、合金超伝導体の製造方法。

1 3. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B = 1 - X ： 2 + y , ( 0 < X < 1 , — 2く yく 0及び 0 < y < 2 ) で混合し、ぺレツト状に成型し、加圧不活性ガス中で加熱して形成することを特徵とする、合金超伝導体の製造方法。

1 4. Mgを含む原料粉末と Bを含む原料粉末とを、化学組成比 Mg ： B = 1 - X ： 2 + y , ( 0 < < 1 , - 2 < y < 0及び 0く yく 2 ) で混合し、ぺレツト状に成型し、加圧加熱成形して形成することを特徴とする、合金超伝導体の製造方法。

1 5. 前記不活性ガス中の加熱は、 7 0 0〜2 0 0 0 °Cの温度で数秒以上行うことを特徴とする、請求項 7に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。

1 6. 前記真空中での加熱は、 2 X 1 0— ²P a以下の真空中で、 6 5 0〜 1 1 0 0°Cの温度で数分以上行うことを特徴とする、請求項 8に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。

1 7. 前記加圧不活性ガス中の加熱は、 1〜 2 0 0 MP aの不活性ガス圧力中で、 6 0 0〜1 1 0 0°Cの温度で数分以上行うことを特徴とする、請求項 9 に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。

1 8. 前記加圧加熱成形は、 0. 1~6 GP aの圧力を加えながら、 7 0 0〜1 4 0 0 °Cの温度で数分以上加熱することを特徵とする、請求項 1 0に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。

1 9. 前記不活性ガス中の加熱は、 7 0 0〜 2 0 0 0 °Cの温度で数秒以上行うことを特徵とする、請求項 1 1に記載の合金超伝導体の製造方法。

2 0. 前記真空中での加熱は、 2 X 1 0— ²P a以下の真空中で、 6 5 0〜 1 1 0 0 °Cの温度で数分以上行うことを特徴とする、請求項 1 2に記載の合金超伝導体の製造方法。

2 1 . 前記加圧不活性ガス中の加熱は、 1〜 2 0 0 M P aの不活性ガス圧力中で、 6 0 0〜1 1 0 0 °Cの温度で数分以上行うことを特徵とする、請求項 1 3に記載の金属間化合物超伝導体の製造方法。

2 2 . 前記加圧加熱成形は、 0 . 1〜6 G P aの圧力を加えながら、 7 0 0〜1 4 0 0 °Cの温度で数分以上加熱することを特徴とする、請求項 1 4に記載の合金超伝導体の製造方法。