JPH01164707A - 高温超伝導体、その製造方法およびその使用 - Google Patents
高温超伝導体、その製造方法およびその使用Info
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- JPH01164707A JPH01164707A JP63284042A JP28404288A JPH01164707A JP H01164707 A JPH01164707 A JP H01164707A JP 63284042 A JP63284042 A JP 63284042A JP 28404288 A JP28404288 A JP 28404288A JP H01164707 A JPH01164707 A JP H01164707A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、以下の組成
M(I)xM(II)yM(III)tO=X v式中
、 M(1)はBa、Sr、CaおよびPbよりなるグルー
プの元素であり、 M(I+)は希±(RE)およびYよりなるグループの
元素であり、 M(Ill)は遷移金属よりなるグループの元素であり
、 XはN、CIおよびF よりなるグループの元素であり
、また、 0<x ≦ 3.0 0<y ≦ 3−0 2.0<z ≦ 4.0 3.0<w ≦ 9.0 0<v:C3,0である を有し、77 K を超える転移温度(Tc)を有す
る超伝導材料に、この超伝導材料の製造方法に、および
その使用に関するものである。
、 M(1)はBa、Sr、CaおよびPbよりなるグルー
プの元素であり、 M(I+)は希±(RE)およびYよりなるグループの
元素であり、 M(Ill)は遷移金属よりなるグループの元素であり
、 XはN、CIおよびF よりなるグループの元素であり
、また、 0<x ≦ 3.0 0<y ≦ 3−0 2.0<z ≦ 4.0 3.0<w ≦ 9.0 0<v:C3,0である を有し、77 K を超える転移温度(Tc)を有す
る超伝導材料に、この超伝導材料の製造方法に、および
その使用に関するものである。
超伝導性化合物はある温度、いわゆる転移温度(Tc)
以下では測定可能な電気抵抗を持たない物質である(フ
イジカルレビ、:L −(Physical Revi
ew) B、 35巻、16号、 1987.8782
−4ページ)。
以下では測定可能な電気抵抗を持たない物質である(フ
イジカルレビ、:L −(Physical Revi
ew) B、 35巻、16号、 1987.8782
−4ページ)。
この種の化合物は特に、極めて強力な磁界の製造用に使
用される。超伝導性化合物の他の用途はエネルギー貯蔵
、エネルギー移送およびエネルギーの発生、ならびにそ
の知覚分析(sensory analysis)およ
びディジタル技術(回路のスイッチ操作)用の使用であ
る。
用される。超伝導性化合物の他の用途はエネルギー貯蔵
、エネルギー移送およびエネルギーの発生、ならびにそ
の知覚分析(sensory analysis)およ
びディジタル技術(回路のスイッチ操作)用の使用であ
る。
超伝導材料を有する系を使用することの主要な利点の一
つは、無損失で、したがって永久に電流を流し得ること
である。他の一つの利点は、この種の材料が通常の銅伝
導体のそれよりもかなり大きな高度の固有電流搬送容量
(specific currentcarrying
capacity)を有することにある。
つは、無損失で、したがって永久に電流を流し得ること
である。他の一つの利点は、この種の材料が通常の銅伝
導体のそれよりもかなり大きな高度の固有電流搬送容量
(specific currentcarrying
capacity)を有することにある。
従前使用されていた超伝導体の主要な欠点は、その10
ないし23 K という極めて低い臨界温度(cri
tical temperature)である。この低
い臨界温度または転移温度(Tc)のために、通常の超
伝導体(NbTi、Nb3Sn、MoN 等)を用いて
作動する系は液体ヘリウムで冷却しなければならない。
ないし23 K という極めて低い臨界温度(cri
tical temperature)である。この低
い臨界温度または転移温度(Tc)のために、通常の超
伝導体(NbTi、Nb3Sn、MoN 等)を用いて
作動する系は液体ヘリウムで冷却しなければならない。
1986年の終りから、はるかに高い臨界温度を有する
新しい型の超伝導材料が発見されてきている。B a−
L a−Cu−○の系に属するこの種の化合物に関する
最初の報文はベドノルツ(J、 G、 Bednorz
)およびミュラー(K、 A、 Mtiller) 、
物理学報文集(Zeitschrift f、 Phy
sik)旦64 (1986) 。
新しい型の超伝導材料が発見されてきている。B a−
L a−Cu−○の系に属するこの種の化合物に関する
最初の報文はベドノルツ(J、 G、 Bednorz
)およびミュラー(K、 A、 Mtiller) 、
物理学報文集(Zeitschrift f、 Phy
sik)旦64 (1986) 。
189に見える。この最初の報文の出現以来、新しい型
の酸化物超伝導体の関する大量の報文が公刊されている
。
の酸化物超伝導体の関する大量の報文が公刊されている
。
これらの材料は一般に、混合、圧縮して錠剤を形成させ
、空気または酸素中で焼き戻しくanneal)だ金属
の酸化物、過酸化物または炭酸塩の混合物より製造する
。この種の技術は十分な機械的強度と電流搬送容量とを
有する半製品の製造には適当ではない。
、空気または酸素中で焼き戻しくanneal)だ金属
の酸化物、過酸化物または炭酸塩の混合物より製造する
。この種の技術は十分な機械的強度と電流搬送容量とを
有する半製品の製造には適当ではない。
超伝導性スプール中で極めて強力な磁界を発生させる場
合には極めて高い張力がスプール内に発生し、この張力
が材料に吸収されなければならない。公知のセラミソク
工程で製造した材料はlミム(mym)を超える平均粒
子サイズの粗い粒子により構成されているので、脆さ、
低い曲げ強度および低い引っ張り強度か特徴である。
合には極めて高い張力がスプール内に発生し、この張力
が材料に吸収されなければならない。公知のセラミソク
工程で製造した材料はlミム(mym)を超える平均粒
子サイズの粗い粒子により構成されているので、脆さ、
低い曲げ強度および低い引っ張り強度か特徴である。
この種の半製品は今日ではしばしば蒸気沈積(vapo
ur deposition)またはスパッタリングの
ような方法で製造する(フィジカルビュー(Physi
cal Review) B 、 35巻、 16号、
1987.8821−3ページ)。しかし、これらの
方法は単位製品あたりの経費を大幅に増加させる極端な
高真空で実施しなければならない。その上、製造中の製
品(workpieces)の処理し得る大きさは処理
装置の大きさにより制限される。現在のスパッタリング
工程での沈積速度は低いものであり、単位時間あたりに
僅かな数の小片を製造し得るに過ぎない。
ur deposition)またはスパッタリングの
ような方法で製造する(フィジカルビュー(Physi
cal Review) B 、 35巻、 16号、
1987.8821−3ページ)。しかし、これらの
方法は単位製品あたりの経費を大幅に増加させる極端な
高真空で実施しなければならない。その上、製造中の製
品(workpieces)の処理し得る大きさは処理
装置の大きさにより制限される。現在のスパッタリング
工程での沈積速度は低いものであり、単位時間あたりに
僅かな数の小片を製造し得るに過ぎない。
MOCVD 法(加熱基材上での有機金属錯体の分解)
は、一般に空気および水に対して高度に敏感なを機金属
錯体に関する極めて高い経費が特徴的である。この方法
では一般に薄層のみが得られる。欠点は、一般に相当す
る金属のアルコキシドより出発するゾル−ゲル法にも見
いだされる。この出発物質は極めて困難な、したがって
経費がかかる方法によってはじめて製造することができ
、転化の工程で生ずる体積収縮は、この方法が体積の大
きな物体を製造するには有用性が限られたものであるこ
とを示している。
は、一般に空気および水に対して高度に敏感なを機金属
錯体に関する極めて高い経費が特徴的である。この方法
では一般に薄層のみが得られる。欠点は、一般に相当す
る金属のアルコキシドより出発するゾル−ゲル法にも見
いだされる。この出発物質は極めて困難な、したがって
経費がかかる方法によってはじめて製造することができ
、転化の工程で生ずる体積収縮は、この方法が体積の大
きな物体を製造するには有用性が限られたものであるこ
とを示している。
したがって、これらの欠点を持たず、半製品(semi
−finished goods) 、たとえば電線の
製造に適した超伝導材料を提供することが本発明の目標
である。
−finished goods) 、たとえば電線の
製造に適した超伝導材料を提供することが本発明の目標
である。
これらの要求が、77 K を超える転移温度(Tc)
と以下の組成 M(I)xM(+1)vM(III)、OJ V式中、 M(1)はBaX5rXCaおよびPbよりなるグルー
プの元素であり、 M(I+)は希土(RE)およびY よりなるグループ
の元素であり、 M(III)は遷移金属よりなるグループの元素であり
、 XはNXC1およびF よりなるグループの元素であり
、また、 0<X ≦ 3,0 0<y ≦ 3.0 2.0<z ≦ 4.0 3.0<W ≦ 9.0 0<V ≦ 3.0である とを有し、理論的密度の99%を超える密度を有する超
伝導材料を用いることにより、極めて満足に充たされ得
ることがここに見いだされた。
と以下の組成 M(I)xM(+1)vM(III)、OJ V式中、 M(1)はBaX5rXCaおよびPbよりなるグルー
プの元素であり、 M(I+)は希土(RE)およびY よりなるグループ
の元素であり、 M(III)は遷移金属よりなるグループの元素であり
、 XはNXC1およびF よりなるグループの元素であり
、また、 0<X ≦ 3,0 0<y ≦ 3.0 2.0<z ≦ 4.0 3.0<W ≦ 9.0 0<V ≦ 3.0である とを有し、理論的密度の99%を超える密度を有する超
伝導材料を用いることにより、極めて満足に充たされ得
ることがここに見いだされた。
これらの超伝導材料は本発明の主題である。その結晶構
造が知られているならば、その理論的密度は化学式単位
の数、単位格子の体積(cell vatume)およ
び平均原子量より計算することかできる。
造が知られているならば、その理論的密度は化学式単位
の数、単位格子の体積(cell vatume)およ
び平均原子量より計算することかできる。
本発明の関連では、M(I+)に想定されて17為る希
土(RE)は周期表の57ないし71の原子番号を有す
る元素である。また、本発明の関連でM(111)を構
成する遷移金属は21な171L30.40ないし48
および72ないし80の原子番号を有する元素である。
土(RE)は周期表の57ないし71の原子番号を有す
る元素である。また、本発明の関連でM(111)を構
成する遷移金属は21な171L30.40ないし48
および72ないし80の原子番号を有する元素である。
特に好ましい具体例の一つにおいて、本発明記載の超伝
導材料のM(Ill)はCu、 Ag、 Mn。
導材料のM(Ill)はCu、 Ag、 Mn。
Ni、PdおよびPtよりなるグループから選択した元
素、またはこれらの元素の組合わせである。
素、またはこれらの元素の組合わせである。
本発明記載の超伝導材料はその高い転移温度のために、
液体窒素で冷却するのみで足りるという利点を有する。
液体窒素で冷却するのみで足りるという利点を有する。
本発明記載の超伝導体より、改良された機械的および電
気的性質を有する半製品が得られる。
気的性質を有する半製品が得られる。
本発明はまた、超伝導材料の組成を有する化合物または
結果的に超電動材料の組成となる出発物質の混合物を製
造条件下で熔融し、この熔融物を液体状態または固化し
た状態で小片に分割し、つ、いで、固化した小片を焼き
戻しく temper)することを特徴とする本発明記
載の超伝導材料の製造方法に関するものでもある。
結果的に超電動材料の組成となる出発物質の混合物を製
造条件下で熔融し、この熔融物を液体状態または固化し
た状態で小片に分割し、つ、いで、固化した小片を焼き
戻しく temper)することを特徴とする本発明記
載の超伝導材料の製造方法に関するものでもある。
この方法は以下のようにして実施する数段の段階よりな
るものである: 1、超伝導体に必要な組成に相当する各成分を混合する
。通常の混合装置、たとえばボールミルまたはすきべら
(p loughshare)混合器等をこの目的に使
用し得る。
るものである: 1、超伝導体に必要な組成に相当する各成分を混合する
。通常の混合装置、たとえばボールミルまたはすきべら
(p loughshare)混合器等をこの目的に使
用し得る。
2、 この混合物を、熔融により攻撃を受けず、したが
って熔融物の組成を変化させない材料で製造したルツボ
中で熔融する。B ao 、 P 5Mg0 およびチ
タン酸のアルカリ土類金属塩、たとえばMgTiO3、
Mg2Ti0いMgTi2O5,3rT io 3、ま
たは B aT io 3より製造したルツボがこの目
的に適していることが実証されている。
って熔融物の組成を変化させない材料で製造したルツボ
中で熔融する。B ao 、 P 5Mg0 およびチ
タン酸のアルカリ土類金属塩、たとえばMgTiO3、
Mg2Ti0いMgTi2O5,3rT io 3、ま
たは B aT io 3より製造したルツボがこの目
的に適していることが実証されている。
3、 この熔融物を冷却または深冷(chill)する
。
。
4、 この熔融物を鋸びき、切断、研歴、スパーク腐食
もしくは類似の技術により所要の形状の小片に分割する
か、または、この熔融物を糸状に加工(5pin) シ
て繊維、針金もしくは他の成形品を形成する 5、上記の成形品をこの相の融点以下の温度に加熱する
。
もしくは類似の技術により所要の形状の小片に分割する
か、または、この熔融物を糸状に加工(5pin) シ
て繊維、針金もしくは他の成形品を形成する 5、上記の成形品をこの相の融点以下の温度に加熱する
。
6、上記の成形品を冷却する。
本発明記載の方法の好ましい具体例によれは、上記の小
片は1μmを超える厚さを有する。本件方法は液状熔融
物を線状体引出し工程(threaddrawing
process)により細い線状体に転化させる場合に
特に容易に実施し得る。小片の焼き戻しは、本発明に従
って、不活性気体および/またはN2.02、C12も
しくはF2の雰囲気中、300ないし1000°Cの、
好ましくは600ないし800°Cの温度で好適に実施
し得る。
片は1μmを超える厚さを有する。本件方法は液状熔融
物を線状体引出し工程(threaddrawing
process)により細い線状体に転化させる場合に
特に容易に実施し得る。小片の焼き戻しは、本発明に従
って、不活性気体および/またはN2.02、C12も
しくはF2の雰囲気中、300ないし1000°Cの、
好ましくは600ないし800°Cの温度で好適に実施
し得る。
最終の冷却も不活性気体および/またはN2.02、C
12もしくはF2の雰囲気中、0.OlないしIOK/
分の速度および0.01ないし1バールの気体圧力で、
連続的にも、数段階にわけても好適に実施し得る。
12もしくはF2の雰囲気中、0.OlないしIOK/
分の速度および0.01ないし1バールの気体圧力で、
連続的にも、数段階にわけても好適に実施し得る。
本発明記載の方法の利点の一つは簡単な、かつ極めて経
済的な工程で実施し得ることにある。本件方法により得
られる製品は、公知のセラミック法により得られるもの
よりも良好な電気的性質を有し、機械的負荷に耐えるこ
とができる。
済的な工程で実施し得ることにある。本件方法により得
られる製品は、公知のセラミック法により得られるもの
よりも良好な電気的性質を有し、機械的負荷に耐えるこ
とができる。
本発明はまた、本発明記載の超伝導材料の、高度の磁界
を製造するための、情報処理用および情報伝送用の、な
らびに工矛ルギーの移送、変換、発生または貯蔵に用い
る設備用の半製品としての使用に関するものでもある。
を製造するための、情報処理用および情報伝送用の、な
らびに工矛ルギーの移送、変換、発生または貯蔵に用い
る設備用の半製品としての使用に関するものでもある。
以下の実施例は本発明を限定することなく説明するため
のものである。特に当業者は金属M(1)、M(II)
およびM(III)、ならびに Xの性質と量とを変更
することにより、所望の組成を容易に得ることができる
。
のものである。特に当業者は金属M(1)、M(II)
およびM(III)、ならびに Xの性質と量とを変更
することにより、所望の組成を容易に得ることができる
。
実施例 1
265.8 gのB aCOs (99%) 、222
.2 gのCuC01・Cu(○H)、 (99,5%
)および75.3 gのY 203 (99,99%)
を混合器中で注意深く混合し、圧縮して錠剤に成形した
。この錠剤を白金皿中で、3時間以内に1200°Cに
加熱し、この温度t: 10 時間保ち、ついで、4に
/分の速度で室温に冷却した。
.2 gのCuC01・Cu(○H)、 (99,5%
)および75.3 gのY 203 (99,99%)
を混合器中で注意深く混合し、圧縮して錠剤に成形した
。この錠剤を白金皿中で、3時間以内に1200°Cに
加熱し、この温度t: 10 時間保ち、ついで、4に
/分の速度で室温に冷却した。
得られる錠剤を内部さん孔鋸(internally
perforated saw)を用いて厚さ400
ミムの円盤にひき、ついで13012/時の酸素と70
Q/時のアルゴンとの雰囲気中で900°Cに加熱し、
209分で120°Cに冷却した。
perforated saw)を用いて厚さ400
ミムの円盤にひき、ついで13012/時の酸素と70
Q/時のアルゴンとの雰囲気中で900°Cに加熱し、
209分で120°Cに冷却した。
Tc:94K の黒い超伝導相が得られた。臨界温度は
温度に対する感受性(susceptibility)
を測定することにより決定した。
温度に対する感受性(susceptibility)
を測定することにより決定した。
実施例 2
実施例1と同様にして製造した錠剤を厚さ200ミムの
円盤に鋸びきし、純粋な酸素雰囲気中で400°Cに加
熱し、ついで、400°Cより 40℃に226分で冷
却した。Tc:94K の超伝導相が得られた。
円盤に鋸びきし、純粋な酸素雰囲気中で400°Cに加
熱し、ついで、400°Cより 40℃に226分で冷
却した。Tc:94K の超伝導相が得られた。
B a2. aY +、 oc N3. Go 7.0
の組成を有するこの相の単位格子体積は0.1734
nm3であり、これより X−線密度が6,403 g
/Cm3であると計算した。
の組成を有するこの相の単位格子体積は0.1734
nm3であり、これより X−線密度が6,403 g
/Cm3であると計算した。
比重ビン測定(境界液(barrier 1iquid
) :石油)は密度が6.370 g/cm3であるこ
とを示した。これはX−線密度の99.4%に相当する
。
) :石油)は密度が6.370 g/cm3であるこ
とを示した。これはX−線密度の99.4%に相当する
。
本発明の主なる特徴および態様は以下のとおりである。
1、理論的密度の99%を超える密度を有することを特
徴とする、以下の組成 M(+)yM(II)yM(Ill)tO,X v式中
、 M(1)はB a、 S r、CaおよびPbよりなる
グループから選択した元素であり、 M(II)は希±(RE)およびY よりなるグループ
から選択した元素であり、 M(III)は遷移金属元素であり、 XはN、CIおよびF よりなるグジレープから選択し
た元素であり、 X は0より大きいが3よりは小さい、または3と等し
い数であり、 y は0より大きいが3よりは小さl/1、または3と
等しい数であり、 Z は2より大きいが4よ、りは小さい、または4と等
しい数であり、 Wは3より大きいが9よりは小さl、%、または9と等
しい数であり、 ■ は0より大きいが3よりは小さし1、または3と等
しい数である を有し、77 K を超える転移温度(T c)を有す
る超伝導材料。
徴とする、以下の組成 M(+)yM(II)yM(Ill)tO,X v式中
、 M(1)はB a、 S r、CaおよびPbよりなる
グループから選択した元素であり、 M(II)は希±(RE)およびY よりなるグループ
から選択した元素であり、 M(III)は遷移金属元素であり、 XはN、CIおよびF よりなるグジレープから選択し
た元素であり、 X は0より大きいが3よりは小さい、または3と等し
い数であり、 y は0より大きいが3よりは小さl/1、または3と
等しい数であり、 Z は2より大きいが4よ、りは小さい、または4と等
しい数であり、 Wは3より大きいが9よりは小さl、%、または9と等
しい数であり、 ■ は0より大きいが3よりは小さし1、または3と等
しい数である を有し、77 K を超える転移温度(T c)を有す
る超伝導材料。
2、 M(III)がCu、 Ag、 Au5)NiS
PdおよびPtよりなるグループから選択した元素また
はこれらの元素の組合わせであることを特徴とする上記
の第1項記載の超伝導材料。
PdおよびPtよりなるグループから選択した元素また
はこれらの元素の組合わせであることを特徴とする上記
の第1項記載の超伝導材料。
3、超伝導材料の組成に相当する化合物または結果的に
超電動材料の組成となる出発物質の混合物を製造条件下
で熔融し、この熔融物を液体状態または固化した状態で
小片に分割し、ついで、固化した小片を焼き戻しするこ
とを特徴とする上記の第1項記載の超伝導材料の製造方
法。
超電動材料の組成となる出発物質の混合物を製造条件下
で熔融し、この熔融物を液体状態または固化した状態で
小片に分割し、ついで、固化した小片を焼き戻しするこ
とを特徴とする上記の第1項記載の超伝導材料の製造方
法。
4、上記の小片が1μmを超える厚さを有するものであ
ることを特徴とする上記の第3項記載の方法。
ることを特徴とする上記の第3項記載の方法。
5、上記の液状熔融物を線状体引出し装置により細い線
状体に転化させることを特徴とする上記の第3項記載の
方法。
状体に転化させることを特徴とする上記の第3項記載の
方法。
6、上記の小片が1μmを超える厚さを有するものであ
ることを特徴とする上記の第5項記載の方法。
ることを特徴とする上記の第5項記載の方法。
7、上記の小片を不活性気体、N2.02、C12、F
2またはこれらの混合物の雰囲気中、300ないし10
00°C1好ましくは600ないし800°cの温度で
焼き戻しすることを特徴とする上記の第3項記載の方法
。
2またはこれらの混合物の雰囲気中、300ないし10
00°C1好ましくは600ないし800°cの温度で
焼き戻しすることを特徴とする上記の第3項記載の方法
。
8.600ないし800°Cて上記の焼き戻しを行うこ
とを特徴とする上記の第7項記載の方法。
とを特徴とする上記の第7項記載の方法。
9、上記の焼き戻しに続いて不活性気体、N2.02、
C12、F2またはこれらの混合物の雰囲気中で、0.
01ないし10に7分の速度で、かつ、0.1ないし1
000バールの気体圧力下で、連続的に、または複数の
段階で冷却することを特徴とする上記の第7項記載の方
法。
C12、F2またはこれらの混合物の雰囲気中で、0.
01ないし10に7分の速度で、かつ、0.1ないし1
000バールの気体圧力下で、連続的に、または複数の
段階で冷却することを特徴とする上記の第7項記載の方
法。
10、使用する超伝導材料が上記の第1項記載の物質で
あることを特徴とする、超伝導材料を用いて強力な磁界
を発生する方法。
あることを特徴とする、超伝導材料を用いて強力な磁界
を発生する方法。
11、超伝導材料を用いる情報処理および情報伝送の方
法において、使用する超伝導材料が上記の第1項記載の
材料であることよりなる改良。
法において、使用する超伝導材料が上記の第1項記載の
材料であることよりなる改良。
12、上記の第1項記載の超伝導材料よりなるエネルギ
ーの移送、変換、発生または貯蔵のための設備用の構成
要素としての半製品および製品。
ーの移送、変換、発生または貯蔵のための設備用の構成
要素としての半製品および製品。
−]6−
Claims (3)
- 1.理論的密度の99%を超える密度を有することを特
徴とする、以下の組成 M(I)_xM(II)_yM(III)_zO_wX
_v 式中、 M(I)はBa、Sr、CaおよびPbよりなるグルー
プから選択した元素であり、 M(II)は希土(RE)およびYよりなるグループか
ら選択した元素であり、 M(III)は遷移金属元素であり、 XはN、ClおよびFよりなるグループから選択した元
素であり、 xは0より大きいが3よりは小さい、または3と等しい
数であり、 yは0より大きいが3よりは小さい、または3と等しい
数であり、 zは2より大きいが4よりは小さい、または4と等しい
数であり、 wは3より大きいが9よりは小さい、または9と等しい
数であり、 vは0より大きいが3よりは小さい、または3と等しい
数である を有し、77Kを超える転移温度(Tc)を有する超伝
導材料。 - 2.超伝導材料の組成に相当する化合物または結果的に
超電動材料の組成となる出発物質の混合物を製造条件下
で熔融し、この熔融物を液体状態または固化した状態で
小片に分割し、ついで、固化した小片を焼き戻しするこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の超伝導材料
の製造方法。 - 3.使用する超伝導材料が特許請求の範囲第1項記載の
物質であることを特徴とする、超伝導材料を用いて強力
な磁界を発生する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873739258 DE3739258A1 (de) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | Hochtemperatursupraleiter, verfahren zu ihrer herstellung sowie deren verwendung |
DE3739258.1 | 1987-11-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01164707A true JPH01164707A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=6340820
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63284042A Pending JPH01164707A (ja) | 1987-11-18 | 1988-11-11 | 高温超伝導体、その製造方法およびその使用 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0316844A1 (ja) |
JP (1) | JPH01164707A (ja) |
DE (1) | DE3739258A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1113637C (zh) * | 1995-10-27 | 2003-07-09 | 花王株式会社 | 吸收性物品 |
US7979047B2 (en) | 2005-12-13 | 2011-07-12 | Panasonic Corporation | Sampling filter |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2647434A1 (fr) * | 1989-05-23 | 1990-11-30 | Rhone Poulenc Chimie | Materiau ceramique supraconducteur, composition precurseur de ce materiau et procede de preparation |
DE202024100204U1 (de) | 2024-01-17 | 2024-03-04 | Rüdiger Schloo | Hochtemperatur - Supraleitung durch Vervielfachung von Grenzflächeneffekten |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1332509C (en) * | 1987-03-20 | 1994-10-18 | Kazuo Sawada | Method of manufacturing superconductive conductor |
CA1332513C (en) * | 1987-04-02 | 1994-10-18 | Yoshihiro Nakai | Superconductor and method of manufacturing the same |
-
1987
- 1987-11-18 DE DE19873739258 patent/DE3739258A1/de not_active Withdrawn
-
1988
- 1988-11-11 JP JP63284042A patent/JPH01164707A/ja active Pending
- 1988-11-14 EP EP88118956A patent/EP0316844A1/de not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1113637C (zh) * | 1995-10-27 | 2003-07-09 | 花王株式会社 | 吸收性物品 |
US7979047B2 (en) | 2005-12-13 | 2011-07-12 | Panasonic Corporation | Sampling filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0316844A1 (de) | 1989-05-24 |
DE3739258A1 (de) | 1989-06-01 |
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