JP2002274845A - 超伝導材料 - Google Patents
超伝導材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属化合物のMgB2超伝導物質は高密度の材料
合成が困難であり、それに起因して材料中の超伝導体積
分率が低い点を改善する超伝導材料を提供することを目
的とする。 【解決手段】 Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも
１種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種
を含み、且つ前記元素から選ばれた、少なくとも３種の
元素からなるＴｃが２５Ｋ以上の超伝導材料である。ま
た基板上に形成された、Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少
なくとも１種の元素Ｍと、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれ
た少なくとも１種の元素Ｔからなる薄膜で構成する。
合成が困難であり、それに起因して材料中の超伝導体積
分率が低い点を改善する超伝導材料を提供することを目
的とする。 【解決手段】 Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも
１種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種
を含み、且つ前記元素から選ばれた、少なくとも３種の
元素からなるＴｃが２５Ｋ以上の超伝導材料である。ま
た基板上に形成された、Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少
なくとも１種の元素Ｍと、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれ
た少なくとも１種の元素Ｔからなる薄膜で構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超伝導マグネッ
ト、リニアモ−タカ−、蓄電設備、電磁シ−ルド、超伝
導コンピュ−タ、スイッチ素子、センサ−などに広く利
用される超伝導線材、超伝導薄膜などの超伝導材料に関
するものである。
ト、リニアモ−タカ−、蓄電設備、電磁シ−ルド、超伝
導コンピュ−タ、スイッチ素子、センサ−などに広く利
用される超伝導線材、超伝導薄膜などの超伝導材料に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来超伝導材料として、Ａ１５型２元系
化合物である窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオ
ブ（Ｎｂ3Ｇｅ）などの金属系化合物超伝導体が知られ
ていたが、これらの材料の超電導転移温度（Ｔｃ）はた
かだか２４Ｋであった。一方、１９８６年以降次々と発
見されたペロブスカイト構造を基幹とした酸化物超伝導
体は、HgBaCuO系で超伝導臨界温度が１３５Ｋにも達す
ることが示された。しかし酸化物材料の場合、線材や薄
膜への加工性が悪く、また空気中の水分等による劣化の
問題もあり、本格的実用化が阻害されていた。
化合物である窒化ニオブ（ＮｂＮ）やゲルマニウムニオ
ブ（Ｎｂ3Ｇｅ）などの金属系化合物超伝導体が知られ
ていたが、これらの材料の超電導転移温度（Ｔｃ）はた
かだか２４Ｋであった。一方、１９８６年以降次々と発
見されたペロブスカイト構造を基幹とした酸化物超伝導
体は、HgBaCuO系で超伝導臨界温度が１３５Ｋにも達す
ることが示された。しかし酸化物材料の場合、線材や薄
膜への加工性が悪く、また空気中の水分等による劣化の
問題もあり、本格的実用化が阻害されていた。
【０００３】最近、酸化物以外のバルク材で高いＴｃを
示す材料として、金属化合物の２ホウ化マグネシウムMg
B2がＴｃが39Kのバルクの超伝導を示すことが発見され
た（Nature 410, 63-64 (2001)）。酸素欠損や安定性に
難のある酸化物に比べて取り扱いやすい金属化合物であ
るため、その実用化が注目を集めている。
示す材料として、金属化合物の２ホウ化マグネシウムMg
B2がＴｃが39Kのバルクの超伝導を示すことが発見され
た（Nature 410, 63-64 (2001)）。酸素欠損や安定性に
難のある酸化物に比べて取り扱いやすい金属化合物であ
るため、その実用化が注目を集めている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらMgB2超伝
導物質は高密度の材料合成が困難であり、それに起因し
て材料中の超伝導体積分率が上がらないという課題があ
った。この系の物質の実用的な量産手法、あるいは材料
改善が求められていた。
導物質は高密度の材料合成が困難であり、それに起因し
て材料中の超伝導体積分率が上がらないという課題があ
った。この系の物質の実用的な量産手法、あるいは材料
改善が求められていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明はBe、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも１
種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種を
含み、且つ前記元素から選ばれた、少なくとも３種の元
素からなるＴｃが２５Ｋ以上の超伝導材料である。
に、本発明はBe、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも１
種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種を
含み、且つ前記元素から選ばれた、少なくとも３種の元
素からなるＴｃが２５Ｋ以上の超伝導材料である。
【０００６】また本発明の超伝導材料は、Be、Ｍｇ、Ｃ
ａから選ばれた元素をＭ、またＢ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選
ばれた元素をＴとすると、化学式、ＭＴ2で表されると
きに高いＴｃを示す。
ａから選ばれた元素をＭ、またＢ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選
ばれた元素をＴとすると、化学式、ＭＴ2で表されると
きに高いＴｃを示す。
【０００７】また本発明の超伝導材料は、結晶構造が六
方晶であるときに高いＴｃを示す。
方晶であるときに高いＴｃを示す。
【０００８】また本発明の超伝導材料は、前記元素Ｔ
が、前記元素Ｍに挟まれた層状構造を有するとき高いＴ
ｃを示す。ここで前記元素Ｔは、ハニ−コ−ム型格子層
を形成していても良い。
が、前記元素Ｍに挟まれた層状構造を有するとき高いＴ
ｃを示す。ここで前記元素Ｔは、ハニ−コ−ム型格子層
を形成していても良い。
【０００９】また本発明の基板上に形成された、Be、Ｍ
ｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも１種の元素Ｍと、Ｂ、
Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素Ｔから
なる薄膜で、且つ前記薄膜が、MT2なる化学式で表され
ることを特徴とする超伝導薄膜は、基板上に形成するこ
とで、高密度化を達成することができる。
ｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも１種の元素Ｍと、Ｂ、
Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種の元素Ｔから
なる薄膜で、且つ前記薄膜が、MT2なる化学式で表され
ることを特徴とする超伝導薄膜は、基板上に形成するこ
とで、高密度化を達成することができる。
【００１０】また本発明の超伝導材料または超伝導薄膜
は、基板上に形成された薄膜が、ｃ軸配向した六方晶で
あることで高いＴｃを示す。
は、基板上に形成された薄膜が、ｃ軸配向した六方晶で
あることで高いＴｃを示す。
【００１１】また本発明の超伝導材料または超伝導薄膜
は、スパッタリング法により作製されるることで、高密
度化を達成する。
は、スパッタリング法により作製されるることで、高密
度化を達成する。
【００１２】またこのとき、スパッタリング法が、少な
くとも２つのタ−ゲットを用いた多元スパッタであるこ
とで、結晶性に優れた超伝導薄膜、あるいは材料を達成
できる。
くとも２つのタ−ゲットを用いた多元スパッタであるこ
とで、結晶性に優れた超伝導薄膜、あるいは材料を達成
できる。
【００１３】また前記製造方法で、Be、Ｍｇ、Ｃａから
選ばれた少なくとも１種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ば
れた少なくとも１種を、少なくとも２つのタ−ゲットを
用いた多元スパッタで、多層構造形成することで、結晶
性に優れた超伝導材料または超伝導薄膜を作製できる。
選ばれた少なくとも１種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ば
れた少なくとも１種を、少なくとも２つのタ−ゲットを
用いた多元スパッタで、多層構造形成することで、結晶
性に優れた超伝導材料または超伝導薄膜を作製できる。
【００１４】また前記製造方法で、基板上にMg下地を形
成することで、さらに結晶性に優れた超伝導材料または
超伝導薄膜を作製できる。
成することで、さらに結晶性に優れた超伝導材料または
超伝導薄膜を作製できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の超伝導材料は、原材料粉
を混ぜ合わせ、プレス成形し、これを６００℃以上、１
５００℃以下の高温、高圧下において、ホットプレス、
あるいはHIP（Hot isostatic presiing）等により焼結
することで合成できる。ここで、原材料粉としては、M
g、Al、B、Cの単元素粉末、あるいはBe-Al、Be-Mg-Al、
Be-Mg、Mg-Al、Mg-Ca等の合金粉末、またはMgB2、Mg
B4、BeB2、CaB6、CaC2、Ca3Ｎ2、B4C、BN、AlN、AlB2、
Al4C3等の化合物粉末を用いる。また例えばHIPを用いる
場合、原材料をプレス成形せず、アンプルの中に封じ込
めることで、加圧焼結してもよい。またこのとき材料中
に窒素が含まれる場合、このアンプル中に、N2ガスを封
じ込めてもよい。
を混ぜ合わせ、プレス成形し、これを６００℃以上、１
５００℃以下の高温、高圧下において、ホットプレス、
あるいはHIP（Hot isostatic presiing）等により焼結
することで合成できる。ここで、原材料粉としては、M
g、Al、B、Cの単元素粉末、あるいはBe-Al、Be-Mg-Al、
Be-Mg、Mg-Al、Mg-Ca等の合金粉末、またはMgB2、Mg
B4、BeB2、CaB6、CaC2、Ca3Ｎ2、B4C、BN、AlN、AlB2、
Al4C3等の化合物粉末を用いる。また例えばHIPを用いる
場合、原材料をプレス成形せず、アンプルの中に封じ込
めることで、加圧焼結してもよい。またこのとき材料中
に窒素が含まれる場合、このアンプル中に、N2ガスを封
じ込めてもよい。
【００１６】また本発明の超伝導材料は、例えば、B、
C、MgB2、B4C、BN、AlN、Al4C3など比較的融点の高い材
料に、他の融点の低い材料を組み合わせた原料をアンプ
ルに封じ込めるなどし、高温下で融点の低い材料を溶融
させ、固相−液相あるいは固相−気相反応させることで
も形成できる。
C、MgB2、B4C、BN、AlN、Al4C3など比較的融点の高い材
料に、他の融点の低い材料を組み合わせた原料をアンプ
ルに封じ込めるなどし、高温下で融点の低い材料を溶融
させ、固相−液相あるいは固相−気相反応させることで
も形成できる。
【００１７】また特に、超伝導材料を薄膜化する場合、
パルスレ−ザデポジション(PLD)、イオンビ−ムデポジ
ション（ＩＢＤ）、クラスタ−イオンビ−ムまたはＲ
Ｆ、ＤＣ、ＥＣＲ、ヘリコン、ＩＣＰまたは対向タ−ゲ
ットなどのスパッタリング法、ＭＢＥ、イオンプレ−テ
ィング法、化学ビ−ムエピタキシ−、ガスソ−スＭＢ
Ｅ、反応性蒸着、反応性スパッタを用いて作製すること
ができる。これらの成膜技術で薄膜を形成後、さらに不
足元素を補償するために、不足反応元素の原子、分子、
イオン（プラズマ）、ラジカル等を、適当な分圧、反応
温度、時間を制御することで反応させてもよい。
パルスレ−ザデポジション(PLD)、イオンビ−ムデポジ
ション（ＩＢＤ）、クラスタ−イオンビ−ムまたはＲ
Ｆ、ＤＣ、ＥＣＲ、ヘリコン、ＩＣＰまたは対向タ−ゲ
ットなどのスパッタリング法、ＭＢＥ、イオンプレ−テ
ィング法、化学ビ−ムエピタキシ−、ガスソ−スＭＢ
Ｅ、反応性蒸着、反応性スパッタを用いて作製すること
ができる。これらの成膜技術で薄膜を形成後、さらに不
足元素を補償するために、不足反応元素の原子、分子、
イオン（プラズマ）、ラジカル等を、適当な分圧、反応
温度、時間を制御することで反応させてもよい。
【００１８】これらの成膜技術で作製された薄膜は、何
れも高密度に形成可能であるが、特に、大面積化や、組
成制御安定性（再現性）の点からスパッタ法を用いるこ
とが好ましい。例えば、MＴ2の合成には、Mg、Al、B、C
の単元素タ−ゲットの他、Be-Al、Be-Mg-Al、Be-Mg、Mg
-Al、Mg-Ca等の合金タ−ゲット、MgB2、BeB2、CaB6、Ca
C2、Ca3Ｎ2、B4C、BN、AlN、AlB2、Al4C3等の化合物タ
−ゲットを用い、ＤＣまたはＲＦによる単元スパッタ、
あるいは多元スパッタにより作製できる。これらのタ−
ゲットは、前記元素、合金、化合物のチップあるいは粉
末を用いてもよい。単元スパッタの場合、作製する材料
の組成ずれを考慮した化合物タ−ゲット、あるいは母体
のタ−ゲット上にチップを配置した複合タ−ゲット、粉
末を混ぜ合わせた粉末複合タ−ゲット等を用いればよ
い。また、材料の組み合わせによっては、多元スパッタ
を用いて、２つ以上のタ−ゲットを同時放電して作製す
ることも可能となる。さらに多元スパッタにより、材料
組成比となる多層膜を作製し、適度な熱処理を行うこと
で薄膜を合成してもよい。
れも高密度に形成可能であるが、特に、大面積化や、組
成制御安定性（再現性）の点からスパッタ法を用いるこ
とが好ましい。例えば、MＴ2の合成には、Mg、Al、B、C
の単元素タ−ゲットの他、Be-Al、Be-Mg-Al、Be-Mg、Mg
-Al、Mg-Ca等の合金タ−ゲット、MgB2、BeB2、CaB6、Ca
C2、Ca3Ｎ2、B4C、BN、AlN、AlB2、Al4C3等の化合物タ
−ゲットを用い、ＤＣまたはＲＦによる単元スパッタ、
あるいは多元スパッタにより作製できる。これらのタ−
ゲットは、前記元素、合金、化合物のチップあるいは粉
末を用いてもよい。単元スパッタの場合、作製する材料
の組成ずれを考慮した化合物タ−ゲット、あるいは母体
のタ−ゲット上にチップを配置した複合タ−ゲット、粉
末を混ぜ合わせた粉末複合タ−ゲット等を用いればよ
い。また、材料の組み合わせによっては、多元スパッタ
を用いて、２つ以上のタ−ゲットを同時放電して作製す
ることも可能となる。さらに多元スパッタにより、材料
組成比となる多層膜を作製し、適度な熱処理を行うこと
で薄膜を合成してもよい。
【００１９】また必要に応じ、さらにCH4、N2、NH3等の
ガスを導入し反応性スパッタを行ってもよい。成膜され
る基板の温度は室温から５００℃程度以下が好ましく、
また、放電ガス圧は10mTorr以下が好ましい。また、組
成調整、内部応力制御のために、バイアススパッタと併
用することも可能である。
ガスを導入し反応性スパッタを行ってもよい。成膜され
る基板の温度は室温から５００℃程度以下が好ましく、
また、放電ガス圧は10mTorr以下が好ましい。また、組
成調整、内部応力制御のために、バイアススパッタと併
用することも可能である。
【００２０】また、作製する薄膜が数１００ミクロン以
上の厚膜である場合、ＣＶＤや、メッキあるいはゾルゲ
ル法で作製することもできる。
上の厚膜である場合、ＣＶＤや、メッキあるいはゾルゲ
ル法で作製することもできる。
【００２１】（実施例１）HIPを用いて焼結した、表
（１）に示す材料について、２５Ｋでのマイスナ−分率
を測定した。
（１）に示す材料について、２５Ｋでのマイスナ−分率
を測定した。
【００２２】
【表１】
【００２３】表中、Ａ〜ＤおよびＥ〜Ｒを比較すること
により、Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも１種
と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種を含
み、且つ前記元素から選ばれた少なくとも３種の元素か
らなる超伝導材料では、高いマイスナ−分率を示すこと
がわかる。すなわちこれらの物質において高密度の材料
合成が可能となり、超伝導体積分率が上がったことが示
された。一方、表中、高いマイスナ−分率を示した材料
は、全て６方晶で、またＸ線回折などによる構造解析の
結果、Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた元素をＭ、またＢ、
Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた元素をＴとすると元素Ｔが、
元素Ｍに挟まれた層状構造を有することがわった。
により、Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも１種
と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種を含
み、且つ前記元素から選ばれた少なくとも３種の元素か
らなる超伝導材料では、高いマイスナ−分率を示すこと
がわかる。すなわちこれらの物質において高密度の材料
合成が可能となり、超伝導体積分率が上がったことが示
された。一方、表中、高いマイスナ−分率を示した材料
は、全て６方晶で、またＸ線回折などによる構造解析の
結果、Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた元素をＭ、またＢ、
Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた元素をＴとすると元素Ｔが、
元素Ｍに挟まれた層状構造を有することがわった。
【００２４】（実施例２）単元のＲＦマグネトロンスパ
ッタで、MgB2粉末タ−ゲットをスパッタし、ガラス基板
上に、MgB2薄膜およびMg(NB)2薄膜を形成した。ここ
で、MgB2薄膜はAr雰囲気で、またMg(NB)2薄膜は同じタ
−ゲットを用い、Ar＋N2混合雰囲気中で成膜を行った。
ッタで、MgB2粉末タ−ゲットをスパッタし、ガラス基板
上に、MgB2薄膜およびMg(NB)2薄膜を形成した。ここ
で、MgB2薄膜はAr雰囲気で、またMg(NB)2薄膜は同じタ
−ゲットを用い、Ar＋N2混合雰囲気中で成膜を行った。
【００２５】作製された薄膜のマイスナ−分率を測定す
ると、何れも（実施例１）の値よりも高く、それぞれ、
94％および98％であった。
ると、何れも（実施例１）の値よりも高く、それぞれ、
94％および98％であった。
【００２６】また作製したそれぞれの膜のＸ線回折を行
ったところ、膜は基板面に対してｃ軸方向に配向してい
ることが分かった。
ったところ、膜は基板面に対してｃ軸方向に配向してい
ることが分かった。
【００２７】（実施例３）２元のＲＦマグネトロンスパ
ッタで、MgあるいはMg-Ca合金タ−ゲットとBタ−ゲット
を同時にスパッタし、ガラス基板上に、MgB2薄膜および
(MgCa)B2薄膜を形成した。ここで、成膜はAr雰囲気で行
った。
ッタで、MgあるいはMg-Ca合金タ−ゲットとBタ−ゲット
を同時にスパッタし、ガラス基板上に、MgB2薄膜および
(MgCa)B2薄膜を形成した。ここで、成膜はAr雰囲気で行
った。
【００２８】作製された薄膜のマイスナ−分率を測定す
ると、何れも（実施例１）の値よりも高く、それぞれ、
95％および98％であった。
ると、何れも（実施例１）の値よりも高く、それぞれ、
95％および98％であった。
【００２９】また作製したそれぞれの膜のＸ線回折を行
ったところ、膜は基板面に対してｃ軸方向に配向してい
ることが分かった。
ったところ、膜は基板面に対してｃ軸方向に配向してい
ることが分かった。
【００３０】（実施例４）２元のヘリコンマグネトロン
スパッタで、Mgタ−ゲットおよびＢあるいはB4Cタ−ゲ
ットを原子層レベルで交互にスパッタし、ガラス基板上
に、MgB2薄膜およびMg(BC)2薄膜を形成した。ここで、
成膜はAr雰囲気で行った。ここで、第一層目はBあるい
はB4Cから成膜を始めた。
スパッタで、Mgタ−ゲットおよびＢあるいはB4Cタ−ゲ
ットを原子層レベルで交互にスパッタし、ガラス基板上
に、MgB2薄膜およびMg(BC)2薄膜を形成した。ここで、
成膜はAr雰囲気で行った。ここで、第一層目はBあるい
はB4Cから成膜を始めた。
【００３１】作製された薄膜のマイスナ−分率を測定す
ると、何れも（実施例１）の値よりも高く、それぞれ、
94％および98％であった。さらにこの膜を600℃真空中
で熱処理することでそれぞれ96％および99%まで向上し
た。
ると、何れも（実施例１）の値よりも高く、それぞれ、
94％および98％であった。さらにこの膜を600℃真空中
で熱処理することでそれぞれ96％および99%まで向上し
た。
【００３２】また作製したそれぞれの膜のＸ線回折を行
ったところ、膜は基板面に対してｃ軸方向に配向してい
ることが分かった。
ったところ、膜は基板面に対してｃ軸方向に配向してい
ることが分かった。
【００３３】（実施例５）ガラス基板上にMgタ−ゲット
およびBタ−ゲットを用いた２元のヘリコンマグネトロ
ンスパッタで、ガラス基板上に、以下の方法でMgB2薄膜
を形成した。
およびBタ−ゲットを用いた２元のヘリコンマグネトロ
ンスパッタで、ガラス基板上に、以下の方法でMgB2薄膜
を形成した。
【００３４】サンプル１ 基板上に、Bから成膜を行い、MgとBを原子層レベルで交
互にスパッタ サンプル２ 基板上に、Mgから成膜を行い、MgとBを原子層レベルで
交互にスパッタ サンプル３ 基板上に、MgとBを同時にスパッタ サンプル４ 基板上に、下地層としてMgを0.5nm成膜後、MgとBを同時
にスパッタ サンプル１〜サンプル４のマイスナ−分率はそれぞれ94
％、97％、95％、98％であり、またMg下地層を用いるこ
とで、結晶性と超伝導性の向上も見られた。
互にスパッタ サンプル２ 基板上に、Mgから成膜を行い、MgとBを原子層レベルで
交互にスパッタ サンプル３ 基板上に、MgとBを同時にスパッタ サンプル４ 基板上に、下地層としてMgを0.5nm成膜後、MgとBを同時
にスパッタ サンプル１〜サンプル４のマイスナ−分率はそれぞれ94
％、97％、95％、98％であり、またMg下地層を用いるこ
とで、結晶性と超伝導性の向上も見られた。
【００３５】以上実施例１〜４において、同一材料であ
る場合、マイスナ−分率の向上とともに、結晶性と密度
の向上が見られた。
る場合、マイスナ−分率の向上とともに、結晶性と密度
の向上が見られた。
【００３６】
【発明の効果】本発明の組成を用いた超伝導材料を用い
ることで、材料密度の向上とともにマイスナ−分率が高
い、実用的な材料改善が行える。また、本発明の薄膜形
成法により、さらに高密度の材料を作製できる。
ることで、材料密度の向上とともにマイスナ−分率が高
い、実用的な材料改善が行える。また、本発明の薄膜形
成法により、さらに高密度の材料を作製できる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ３０Ｂ 29/36 ＺＡＡ Ｃ３０Ｂ 29/36 ＺＡＡＺ 29/52 ＺＡＡ 29/52 ＺＡＡ Ｆターム(参考） 4G046 MA00 MA19 MB03 MB08 MC02 4G047 JA03 JB02 JC16 KE05 LB01 4G077 AA03 AB03 BA07 BE06 BE07 DA14 EF03 SB03 4K029 AA09 BA53 BC04 CA05 CA06 DC05 DC09 DC16 DC39
Claims (15)
- 【請求項１】 Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくとも
１種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１種
を含み、且つ前記元素から選ばれた少なくとも３種の元
素からなる超伝導臨界温度（Ｔｃ）が２５Ｋ以上の超伝
導材料。 - 【請求項２】 Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた元素をＭ、
またＢ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた元素をＴとすると、
化学式、ＭＴ2で表される請求項１記載の超伝導材料。 - 【請求項３】 結晶構造が六方晶である請求項１または
２記載の超伝導材料。 - 【請求項４】 元素Ｔが、元素Ｍに挟まれた層状構造を
有する請求項１〜３のいずれかに記載の超伝導材料。 - 【請求項５】 基板上に形成された、Be、Ｍｇ、Ｃａか
ら選ばれた少なくとも１種の元素Ｍと、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａ
ｌから選ばれた少なくとも１種の元素Ｔからなる薄膜
で、且つ前記薄膜が、MT2なる化学式で表されることを
特徴とする超伝導薄膜。 - 【請求項６】 ｃ軸配向した六方晶である請求項１から
４のいずれかに記載の超伝導材料。 - 【請求項７】 基板上に形成された薄膜が、ｃ軸配向し
た六方晶である請求項５記載の超伝導薄膜。 - 【請求項８】 スパッタリング法により作製されたこと
を特徴とする請求項１から４、６のいずれかに記載の超
伝導材料。 - 【請求項９】 スパッタリング法により作製されたこと
を特徴とする請求項５または７に記載の超伝導薄膜。 - 【請求項１０】 少なくとも２つのタ−ゲットを用いた
多元スパッタにより作成されたことを特徴とする請求項
８に記載の超伝導材料。 - 【請求項１１】 少なくとも２つのタ−ゲットを用いた
多元スパッタにより作成されたことを特徴とする請求項
９に記載の超伝導薄膜。 - 【請求項１２】 Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくと
も１種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１
種を、少なくとも２つのタ−ゲットを用いた多元スパッ
タで、多層構造形成する超伝導材料の製造方法。 - 【請求項１３】 Be、Ｍｇ、Ｃａから選ばれた少なくと
も１種と、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ａｌから選ばれた少なくとも１
種を、少なくとも２つのタ−ゲットを用いた多元スパッ
タで、多層構造形成する超伝導薄膜の製造方法。 - 【請求項１４】 基板上にMg下地を形成したことを特徴
とする請求項８または１０に記載の超伝導材料。 - 【請求項１５】 基板上にMg下地を形成したことを特徴
とする請求項９または１１に記載の超伝導薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001069950A JP2002274845A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 超伝導材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001069950A JP2002274845A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 超伝導材料 |
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ID=18927904
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001069950A Pending JP2002274845A (ja) | 2001-03-13 | 2001-03-13 | 超伝導材料 |
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002352649A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ＭｇＢ２超電導線材の製造方法 |
| JP2007521397A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-08-02 | スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 反応性蒸発による現場での薄膜の生長 |
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-
2001
- 2001-03-13 JP JP2001069950A patent/JP2002274845A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4676089B2 (ja) * | 2001-05-30 | 2011-04-27 | 古河電気工業株式会社 | ＭｇＢ２超電導線材の製造方法 |
| JP2007521397A (ja) * | 2003-12-01 | 2007-08-02 | スーパーコンダクター・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 反応性蒸発による現場での薄膜の生長 |
| CN106319628A (zh) * | 2015-07-06 | 2017-01-11 | 中国科学院金属研究所 | 一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法 |
| CN106319628B (zh) * | 2015-07-06 | 2019-02-19 | 中国科学院金属研究所 | 一种高质量超薄二维过渡族金属碳化物晶体及其制备方法 |
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