JP2933225B2 - 金属酸化物材料 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （発明の属する技術分野） 本発明は金属酸化物材料、特に超伝導材料として有用
な金属酸化物材料に関する。
な金属酸化物材料に関する。
（従来の技術） 従来、銅の酸化物のなかで超伝導性材料としては、La
2-xAxCuO4（ＡはCa、Sr又はBa）、YBa2Cu3Oy及びSrBiCu
Oyの組成式で表わされる材料が知られている。
2-xAxCuO4（ＡはCa、Sr又はBa）、YBa2Cu3Oy及びSrBiCu
Oyの組成式で表わされる材料が知られている。
（発明が解決しようとしている課題） しかしながら、従来の銅酸化物からなる超伝導体で
は、その構成元素であるＹ及びランタノイド元素が、そ
の埋蔵量が少なく高価な原料であった。又、それらの銅
酸化物をその用途に従って焼結体や薄膜にする場合に
は、反応温度として1,000℃付近という高温が必要であ
り、製造コストが高くなったり、基板がかなり限定され
る等の問題があった。
は、その構成元素であるＹ及びランタノイド元素が、そ
の埋蔵量が少なく高価な原料であった。又、それらの銅
酸化物をその用途に従って焼結体や薄膜にする場合に
は、反応温度として1,000℃付近という高温が必要であ
り、製造コストが高くなったり、基板がかなり限定され
る等の問題があった。
更に単結晶にする場合にも生成が難しく、反応条件も
狭いので、大きな結晶は得られていない。又、更には組
成比のずれが超伝導転移温度（以後Tcと略す）に大きく
影響し、例えば、Y1+xBa2-xCu3O7ではｘ≧0.2の範囲に
なると超伝導を示さなくなるという問題点があった。こ
の事は薄膜を作成する場合には組成ずれが起こり易くな
るので特に大きな問題点となる。
狭いので、大きな結晶は得られていない。又、更には組
成比のずれが超伝導転移温度（以後Tcと略す）に大きく
影響し、例えば、Y1+xBa2-xCu3O7ではｘ≧0.2の範囲に
なると超伝導を示さなくなるという問題点があった。こ
の事は薄膜を作成する場合には組成ずれが起こり易くな
るので特に大きな問題点となる。
又、SrBiCuOyの組成式で表わされる材料に関しては、
Z.Phys.B−Condensed Matter 68,421−423（1987）に開
示されている様に、その組成はSr2Bi2Cu2C７＋δで、Tc
はミッドポイントで７乃至22Kである。このBi系の超伝
導材料はその構成元素としてＹ及びランタノイド元素と
いった高価な原料を用いず、反応温度としても900℃以
下で、従来のLa2-xAxCuO4及びLnBa2Cu3Oyと比較すれば
安価であり、又、薄膜を形成する場合の基板の材質につ
いて、その選択の範囲を広げられる等の点において優れ
た超伝導材料であるが、不純物の混入によりTcが著しく
低下し易く、液体ヘリウム温度（4.2K）以上の安定なTc
を有する超伝導材料を得ることが困難である為、高純度
に生成した原料を用いる必要がある。
Z.Phys.B−Condensed Matter 68,421−423（1987）に開
示されている様に、その組成はSr2Bi2Cu2C７＋δで、Tc
はミッドポイントで７乃至22Kである。このBi系の超伝
導材料はその構成元素としてＹ及びランタノイド元素と
いった高価な原料を用いず、反応温度としても900℃以
下で、従来のLa2-xAxCuO4及びLnBa2Cu3Oyと比較すれば
安価であり、又、薄膜を形成する場合の基板の材質につ
いて、その選択の範囲を広げられる等の点において優れ
た超伝導材料であるが、不純物の混入によりTcが著しく
低下し易く、液体ヘリウム温度（4.2K）以上の安定なTc
を有する超伝導材料を得ることが困難である為、高純度
に生成した原料を用いる必要がある。
更に、Japanese Journal of Applied Physics Vol.2
7,No.2,Februaey,1988,pp.1209−L210には、その組成が
BiSrCaCu2Oxで、Tcはオンセット温度で120K、ゼロ抵抗
温度で78KであるBi系の超伝導材料が開示されており、
しかも、Bi:Sr:Ca＝1:1:1の組成比においてゼロ抵抗温
度が150Kとなる可能性を示唆している。
7,No.2,Februaey,1988,pp.1209−L210には、その組成が
BiSrCaCu2Oxで、Tcはオンセット温度で120K、ゼロ抵抗
温度で78KであるBi系の超伝導材料が開示されており、
しかも、Bi:Sr:Ca＝1:1:1の組成比においてゼロ抵抗温
度が150Kとなる可能性を示唆している。
しかしながら、その組成がBiSrCaCu2Oxである超伝導
材料においては、105Kにおいてゼロ抵抗は実現されず、
更に抵抗側にもう１つの転移が現われた後ゼロ抵抗が実
現する。この抵抗側の転移においても転移温度幅は10K
程度と広く、材料の均一性が良くないことを示してい
る。このことは微細な構造を有する素子として用いた場
合、再現性が十分に得られないという欠点が生じる。
材料においては、105Kにおいてゼロ抵抗は実現されず、
更に抵抗側にもう１つの転移が現われた後ゼロ抵抗が実
現する。この抵抗側の転移においても転移温度幅は10K
程度と広く、材料の均一性が良くないことを示してい
る。このことは微細な構造を有する素子として用いた場
合、再現性が十分に得られないという欠点が生じる。
又、上記超伝導材料では下部臨界磁場が55K程度の温
度では、50e（エルステッド）程度と小さく、磁気シー
ルド材料として用いるには不十分である等の問題点があ
る。
度では、50e（エルステッド）程度と小さく、磁気シー
ルド材料として用いるには不十分である等の問題点があ
る。
従って、本発明の目的は、ランタノイド元素の様な高
価な原料を多くは必要としない新規な銅酸化物材料を提
供することにある。
価な原料を多くは必要としない新規な銅酸化物材料を提
供することにある。
本発明の他の目的は、生成時の反応温度が低くて済
み、又、単結晶も作成し易い新規な超伝導性銅酸化物材
料を提供することにある。
み、又、単結晶も作成し易い新規な超伝導性銅酸化物材
料を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、組成比のずれによっても比
較的Tcが影響されにくい超伝導材料として有用な銅酸化
物材料を提供することにある。
較的Tcが影響されにくい超伝導材料として有用な銅酸化
物材料を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、液体ヘリウムで容易に冷却
出来る超伝導材料として有用な新規な銅酸化物材料を提
供することにある。
出来る超伝導材料として有用な新規な銅酸化物材料を提
供することにある。
更には少量の不純物によってTcが劣化する現象を防
ぎ、特に高純度でない通常の原料を用いても作成可能な
銅酸化物材料を得ることを目的とする。
ぎ、特に高純度でない通常の原料を用いても作成可能な
銅酸化物材料を得ることを目的とする。
本発明の更に他の目的は、下部臨界磁場を向上させ、
磁気シールド材料として利用可能な銅酸化物材料を得る
ことである。
磁気シールド材料として利用可能な銅酸化物材料を得る
ことである。
（課題を解決する為の手段及び好ましい実施態様） 上記全ての目的は以下の本発明によって達成される。
本発明の金属酸化物材料は、以下に詳述する２態様に
大別される。
大別される。
先ず、本発明の第一の態様は、Bi、Sr、Ca、Cu及びＯ
からなる金属酸化物材料において、前記元素の他にIn、
Sb、Na、Ｋ、Mg、Ba、Ti、Zr、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Fe、Ru
及びNiからなる元素群より選ばれた１種以上の第５の元
素を含有することによって、100e以上、好ましくは150e
以上、特に好ましくは200e以上の下部臨界磁場を有し、
このことは本発明の金属酸化物材料を磁気シールド材料
として用いた場合、より高い磁場迄使用することが可能
となる。
からなる金属酸化物材料において、前記元素の他にIn、
Sb、Na、Ｋ、Mg、Ba、Ti、Zr、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Fe、Ru
及びNiからなる元素群より選ばれた１種以上の第５の元
素を含有することによって、100e以上、好ましくは150e
以上、特に好ましくは200e以上の下部臨界磁場を有し、
このことは本発明の金属酸化物材料を磁気シールド材料
として用いた場合、より高い磁場迄使用することが可能
となる。
本発明の上記金属酸化物材料を組成式で表わすと、 （Bi1-xAI x）２（SryCa1-y-zAII z）ｐ（Cu1-rAIII r）
qOδ （Ｉ） であり、且つ０≦ｘ≦0.5、0.3≦ｙ≦0.7、０≦ｚ≦0.
5、０≦ｒ≦0.1、１＞ｙ＋ｚ、２≦ｐ≦11、１≦ｑ≦10
及び5.4≦δ≦24であり、ｘ＝ｚ＝ｒ＝０の場合を除
く。AIはIn及びSbからなる元素群より選ばれた１種以上
の元素、AIIはNa、Ｋ、Mg及びBaからなる元素群より選
ばれた１種以上の元素、AIIIはTi、Zr、Ｖ、Nb、Ta、C
r、Fe、Ru及びNiからなる元素群より選ばれた１種以上
の元素である。
qOδ （Ｉ） であり、且つ０≦ｘ≦0.5、0.3≦ｙ≦0.7、０≦ｚ≦0.
5、０≦ｒ≦0.1、１＞ｙ＋ｚ、２≦ｐ≦11、１≦ｑ≦10
及び5.4≦δ≦24であり、ｘ＝ｚ＝ｒ＝０の場合を除
く。AIはIn及びSbからなる元素群より選ばれた１種以上
の元素、AIIはNa、Ｋ、Mg及びBaからなる元素群より選
ばれた１種以上の元素、AIIIはTi、Zr、Ｖ、Nb、Ta、C
r、Fe、Ru及びNiからなる元素群より選ばれた１種以上
の元素である。
ここで特に前記材料の均一性の点をも考慮するなら
ば、その組成比はｐ＝３＋ｎ、ｑ＝２＋ｎ、０≦ｎ≦８
であることが好ましい。この組成比にある場合には、組
成式が、 Bi2（Sr1-xCax）3+nCu2+NO（12＋3n）−δ で表わされ、且つ０＜ｘ＜１、０＜ｎ≦10及び０＜δで
ある金属酸化物材料であり、（Bi2O2）+2層の間に酸素
の欠損したペロブスカイト類似の層が位置する層状構造
を有する金属酸化物材料と同様な層状構造を示す。
ば、その組成比はｐ＝３＋ｎ、ｑ＝２＋ｎ、０≦ｎ≦８
であることが好ましい。この組成比にある場合には、組
成式が、 Bi2（Sr1-xCax）3+nCu2+NO（12＋3n）−δ で表わされ、且つ０＜ｘ＜１、０＜ｎ≦10及び０＜δで
ある金属酸化物材料であり、（Bi2O2）+2層の間に酸素
の欠損したペロブスカイト類似の層が位置する層状構造
を有する金属酸化物材料と同様な層状構造を示す。
更に本発明の第二の態様は、Bi、Sr、Ca、Cu及びＯか
らなる金属酸化物材料において、前記元素の他にIn、S
n、Sb、Na、Ｋ、Mg、Ba、Sn、Ti、Zr、Ｖ、Nb、Ta、Cr
及びFeからなる元素群より選ばれた１種以上の元素とラ
ンタノイド元素とイットリウムからなる元素群より選ば
れた１種以上の元素を含有する属酸化物材料（II）であ
る。。
らなる金属酸化物材料において、前記元素の他にIn、S
n、Sb、Na、Ｋ、Mg、Ba、Sn、Ti、Zr、Ｖ、Nb、Ta、Cr
及びFeからなる元素群より選ばれた１種以上の元素とラ
ンタノイド元素とイットリウムからなる元素群より選ば
れた１種以上の元素を含有する属酸化物材料（II）であ
る。。
即ち、本発明の金属酸化物材料（II）は、前記本発明
の金属酸化物材料（Ｉ）にランタノイド及びイットリウ
ムからなる元素群より選ばれた１種以上の元素を含有さ
せることにより、前記本発明の金属酸化物材料（Ｉ）に
おける転移温度幅7K以上及び下部臨界磁場100e以上とい
う特性に加えて、Tcを５乃至10K程度向上させる効果を
奏する。
の金属酸化物材料（Ｉ）にランタノイド及びイットリウ
ムからなる元素群より選ばれた１種以上の元素を含有さ
せることにより、前記本発明の金属酸化物材料（Ｉ）に
おける転移温度幅7K以上及び下部臨界磁場100e以上とい
う特性に加えて、Tcを５乃至10K程度向上させる効果を
奏する。
本発明の上記金属酸化物材料（II）を組成式で表わす
ならば、 （Bi1-xAI x）２（SryCa1-y-z-wAII zLnw）ｐ（Cu1-rAIII r）qOδ で表わされ、且つ０≦ｘ≦0.5、0.3≦ｙ≦0.7、０≦ｚ
≦0.5、０≦ｒ≦0.1、０＜ｗ≦0.4、１＞ｙ＋ｚ＋ｗ、
２≦ｐ≦11、１≦ｑ≦10及び5.4≦δ≦24であり、ｘ＝
ｚ＝ｒ＝０の場合を除く。AIはIn、Sn及びSbからなる元
素群より選ばれた１種以上の元素、AIIはNa、Ｋ、Mg、B
a及びSnからなる元素群より選ばれた１種以上の元素、A
IIIはTi、Zr、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Fe、Ru及びNiからなる
元素群より選ばれた１種以上の元素及びLnはランタノイ
ド元素とイットリウムからなる元素群より選ばれた１種
以上の元素である。
ならば、 （Bi1-xAI x）２（SryCa1-y-z-wAII zLnw）ｐ（Cu1-rAIII r）qOδ で表わされ、且つ０≦ｘ≦0.5、0.3≦ｙ≦0.7、０≦ｚ
≦0.5、０≦ｒ≦0.1、０＜ｗ≦0.4、１＞ｙ＋ｚ＋ｗ、
２≦ｐ≦11、１≦ｑ≦10及び5.4≦δ≦24であり、ｘ＝
ｚ＝ｒ＝０の場合を除く。AIはIn、Sn及びSbからなる元
素群より選ばれた１種以上の元素、AIIはNa、Ｋ、Mg、B
a及びSnからなる元素群より選ばれた１種以上の元素、A
IIIはTi、Zr、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Fe、Ru及びNiからなる
元素群より選ばれた１種以上の元素及びLnはランタノイ
ド元素とイットリウムからなる元素群より選ばれた１種
以上の元素である。
即ち、本発明の金属酸化物材料（II）は、前記本発明
の金属酸化物材料（Ｉ）にランタノイド及びイットリウ
ムからなる元素群より選ばれた１種以上の元素を含有さ
せることにより、前記本発明の金属酸化物材料（Ｉ）に
おける転移温度幅7K以下及び下部臨界磁場100e以上とい
う特性に加えれ、Tcが５乃至10K程度向上させる効果を
奏する。
の金属酸化物材料（Ｉ）にランタノイド及びイットリウ
ムからなる元素群より選ばれた１種以上の元素を含有さ
せることにより、前記本発明の金属酸化物材料（Ｉ）に
おける転移温度幅7K以下及び下部臨界磁場100e以上とい
う特性に加えれ、Tcが５乃至10K程度向上させる効果を
奏する。
特に均一性の点を考慮すれば、その組成比はｐ＝３＋
ｎ、ｑ＝２＋ｎ、０≦ｎ≦８であることが好ましい。こ
の組成比にある場合には、本発明の金属酸化物材料（I
I）は、組成式が、 Bi2（Sr1-xCax）3+nCu2+nO（12＋3n）−δ で表わされ、且つ０＜ｘ＜１、０＜ｎ≦10及び０＜δで
ある金属酸化物材料であり、（Bi2O2）+2層の間に酸素
の欠損したペロブスカイト類似の層が位置する層状構造
を有する金属酸化物材料と同様な層状構造を示す。
ｎ、ｑ＝２＋ｎ、０≦ｎ≦８であることが好ましい。こ
の組成比にある場合には、本発明の金属酸化物材料（I
I）は、組成式が、 Bi2（Sr1-xCax）3+nCu2+nO（12＋3n）−δ で表わされ、且つ０＜ｘ＜１、０＜ｎ≦10及び０＜δで
ある金属酸化物材料であり、（Bi2O2）+2層の間に酸素
の欠損したペロブスカイト類似の層が位置する層状構造
を有する金属酸化物材料と同様な層状構造を示す。
上記本発明の金属酸化物材料（Ｉ）又は（II）を作成
する方法としては、いわゆるセラミックス材料で一般に
使われている様な原料粉末からの加熱による反応及び焼
結法がいずれも本発明において使用可能である。
する方法としては、いわゆるセラミックス材料で一般に
使われている様な原料粉末からの加熱による反応及び焼
結法がいずれも本発明において使用可能である。
この様な方法の例は、Material Research Bulletin第
８巻777頁（1973年）、Solid State Communication第17
巻27頁（1975年）、Zeitschrift fur Physik B第64巻18
9頁（1986年）、Physical Review Letters第58巻第９号
908頁（1987年）等に示されており、これらの方法は現
在では定性的には極めて一般的な方法として知られてい
る。
８巻777頁（1973年）、Solid State Communication第17
巻27頁（1975年）、Zeitschrift fur Physik B第64巻18
9頁（1986年）、Physical Review Letters第58巻第９号
908頁（1987年）等に示されており、これらの方法は現
在では定性的には極めて一般的な方法として知られてい
る。
又、原料粉末を高温で溶融してから単結晶成長させる
方法も本発明において有用である。更に原料を含有する
ターゲットを用いた高周波スパッタリングやマグネトロ
ンスパッタリング等のスパッタリング法、電子ビーム蒸
着、その他の真空蒸着法或いはクラスターイオンビーム
法や原料にガス材を使うCVD法又はプラズマCVD法等を使
って支持体上に本発明の材料を薄膜状に形成してもよ
い。この様な場合には気体の酸素を装置内に送り込んで
装置内で酸化させることが効果的な場合が多い。より具
体的な製造条件の例は後記実施例において説明する。
方法も本発明において有用である。更に原料を含有する
ターゲットを用いた高周波スパッタリングやマグネトロ
ンスパッタリング等のスパッタリング法、電子ビーム蒸
着、その他の真空蒸着法或いはクラスターイオンビーム
法や原料にガス材を使うCVD法又はプラズマCVD法等を使
って支持体上に本発明の材料を薄膜状に形成してもよ
い。この様な場合には気体の酸素を装置内に送り込んで
装置内で酸化させることが効果的な場合が多い。より具
体的な製造条件の例は後記実施例において説明する。
（実施例） 次に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に
説明する。尚、Tcはミッドポイントでの値である。
説明する。尚、Tcはミッドポイントでの値である。
参考例１〜２ 原料として、Bi2O3、SrCO3、CaCO3及びCuOを用い、こ
れらを所望の混合比となるように秤量しその後乾式混合
した。
れらを所望の混合比となるように秤量しその後乾式混合
した。
これらの混合物を先ず大気中で800℃で反応させた。
この反応物をメノー製乳鉢で粉砕し、直径10mm及び厚さ
1mmのペレット状に加圧成形した。この成形物を酸素雰
囲気中で850℃で熱処理して、本発明の金属酸化物材料
を作成した。
この反応物をメノー製乳鉢で粉砕し、直径10mm及び厚さ
1mmのペレット状に加圧成形した。この成形物を酸素雰
囲気中で850℃で熱処理して、本発明の金属酸化物材料
を作成した。
このようにして作成した材料をプラズマ発光分析法に
より組成分析を行った。その結果を第１表に示した。
より組成分析を行った。その結果を第１表に示した。
又、参考例２の試料２についてのＸ線回折パターンを
第１図に示す。このパターンによれば、若干の不純物ピ
ークが見られるが、主相にはａ＝5.4Å、ｃ＝36Åの正
方晶又はそれに近い構造を持つ物質であることがわか
る。
第１図に示す。このパターンによれば、若干の不純物ピ
ークが見られるが、主相にはａ＝5.4Å、ｃ＝36Åの正
方晶又はそれに近い構造を持つ物質であることがわか
る。
参考例１の試料１の場合はａ＝5.4Å、ｃ＝30Å程度
であった。ｃ軸の差は余分のSr、Ca及びCuよりなるペロ
ブスカイト構造のユニットが一つ増加増加したことによ
るものと考え得る。従ってこれらの物質は（Bi2O2）層
とペロブスカイト構造の層の積層による一連の構造を持
ったものと推定される。
であった。ｃ軸の差は余分のSr、Ca及びCuよりなるペロ
ブスカイト構造のユニットが一つ増加増加したことによ
るものと考え得る。従ってこれらの物質は（Bi2O2）層
とペロブスカイト構造の層の積層による一連の構造を持
ったものと推定される。
又、ペロブスカイト構造の部分が通常の量の酸素を持
つとなると、電荷のバランスが合わないので、ペロブス
カイト構造の部分は酸素が欠損しているものと思われ
る。
つとなると、電荷のバランスが合わないので、ペロブス
カイト構造の部分は酸素が欠損しているものと思われ
る。
実施例１乃至12及び比較例１乃至４ 原料を第２表に示した組成比に秤量して乾式混合し
た。原料はアルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元素
については、Na2CO3やSrCO3等の如き炭酸塩を用い、他
の元素についてはBi2O3、CuO、PbO、La2O3等の如き酸化
物を用いた。
た。原料はアルカリ金属元素及びアルカリ土類金属元素
については、Na2CO3やSrCO3等の如き炭酸塩を用い、他
の元素についてはBi2O3、CuO、PbO、La2O3等の如き酸化
物を用いた。
これらの混合物を夫々φ10mm及び厚さ1mmのペレット
状に加圧成形し、成形物をアルミナボードに乗せ、大気
中に反応及び焼結した。反応及び焼結の温度は、比較例
１は760℃、他は880℃である。この様にして作成した各
試料を室温から60Kの温度範囲で抵抗測定を行いTcを決
定した。第２表でTcの欄が−となっている試料は、60K
以上では超伝導転移を起こさないことを示す。
状に加圧成形し、成形物をアルミナボードに乗せ、大気
中に反応及び焼結した。反応及び焼結の温度は、比較例
１は760℃、他は880℃である。この様にして作成した各
試料を室温から60Kの温度範囲で抵抗測定を行いTcを決
定した。第２表でTcの欄が−となっている試料は、60K
以上では超伝導転移を起こさないことを示す。
実施例13乃至27 原料としてBi2O3、SrCO3、CaCO3、PbO、NaCO3、MgO、
KCO3、Y2O3、Er2O3、GeO2、CuO、TiO2、ZrO2、V2O3、Nb
2O3、Ta2O3、RuO2及びFe2O3を用い、これらを参考例１
と同様の方法で熱処理した。但し、TiO2、ZrO2、Nb
2O3、Ta2O3及びRuO2を用いた場合は、２回目の熱処理は
890℃で行った。
KCO3、Y2O3、Er2O3、GeO2、CuO、TiO2、ZrO2、V2O3、Nb
2O3、Ta2O3、RuO2及びFe2O3を用い、これらを参考例１
と同様の方法で熱処理した。但し、TiO2、ZrO2、Nb
2O3、Ta2O3及びRuO2を用いた場合は、２回目の熱処理は
890℃で行った。
この様にして作成した試料をプラズマ発光分析法で組
成分析し、参考例１と同様に電気抵抗の温度依存性を調
べた結果、全ての試料で超伝導が確認された。結果を第
３表に示した。
成分析し、参考例１と同様に電気抵抗の温度依存性を調
べた結果、全ての試料で超伝導が確認された。結果を第
３表に示した。
（発明の効果） 以上説明した様に、本発明により以下の効果が得られ
る。
る。
（１）希土類を全く用いないか或いは多量に用いない
で、安価な材料でTcの高い銅酸化物材料が得られる。
で、安価な材料でTcの高い銅酸化物材料が得られる。
（２）生成時の反応温度は900℃以下であり、又、融点
も900℃或いはそれ以下である。このことは薄膜にする
際に非常に有利であるとともに、単結晶を作成する際に
も有利である。
も900℃或いはそれ以下である。このことは薄膜にする
際に非常に有利であるとともに、単結晶を作成する際に
も有利である。
（３）例えば、YB2Cu3C７−δで代表される一連の化合
物に比べて空気中での安定性が優れており、温度による
劣化も比較的少ない。
物に比べて空気中での安定性が優れており、温度による
劣化も比較的少ない。
（４）組成比のずれにも超伝導転移温度への影響が比較
的少ない実用的な銅酸化物材料が得られる。
的少ない実用的な銅酸化物材料が得られる。
（５）多量の不純物ではTcが影響を受けない為、特に高
純度に精製した原料を用いる必要がない。
純度に精製した原料を用いる必要がない。
（６）本発明の材料のTcはミッドポイントで60乃至130K
の間になる為、比較的安価なヘリウム循環式冷凍機（20
K程度を実現出来る）を用いて十分利用することが出来
る。
の間になる為、比較的安価なヘリウム循環式冷凍機（20
K程度を実現出来る）を用いて十分利用することが出来
る。
（７）更に、超伝導性の均一な材料が得られる。
（８）とりわけ、下部臨界磁場を向上させることが出来
る。
る。
第１図は参考例の金属酸化物材料のＸ線回折の結果を示
す図である。
す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 金子 典夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 赤池 正剛 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 新妻 清純 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 田中 温子 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−188456（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−224229（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−215721（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−242419（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−197321（ＪＰ，Ａ) Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．27 Ｎｏ．２ ｐ．Ｌ209〜 Ｌ210
Claims (2)
- 【請求項１】組成式が （Bi1-xAI x）２（SryCa1-y-zAII z）ｐ（Cu1-rAIII r）qOδ で表わされ、且つ０≦ｘ≦0.5、0.3≦ｙ≦0.7、０≦ｚ
≦0.5、０≦ｒ≦0.1、１＞ｙ＋ｚ、２≦ｐ≦11、１≦ｑ
≦10及び5.4≦δ≦24であり、ｘ＝ｚ＝ｒ＝０の場合を
除く。AIはIn及びSbからなる元素群より選ばれた１種以
上の元素、AIIはNa、Ｋ、Mg及びBaからなる元素群より
選ばれた１種以上の元素、AIIIはTi、Zr、Ｖ、Nb、Ta、
Cr、Fe、Ru及びNiからなる元素群より選ばれた１種以上
の元素であることを特徴とする金属酸化物材料。 - 【請求項２】組成式が （Bi1-xAI x）２（SryCa1-y-z-wAII zLnw）ｐ（Cu1-rAIII r）qOδ で表わされ、且つ０≦ｘ≦0.5、0.3≦ｙ≦0.7、０≦ｚ
≦0.5、０≦ｒ≦0.1、０＜ｗ≦0.4、１＞ｙ＋ｚ＋ｗ、
２≦ｐ≦11、１≦ｑ≦10及び5.4≦δ≦24であり、ｘ＝
ｚ＝ｒ＝０の場合を除く。AIはIn、Sn及びSbからなる元
素群より選ばれた１種以上の元素、AIIはNa、Ｋ、Mg、B
a及びSnからなる元素群より選ばれた１種以上の元素、A
IIIはTi、Zr、Ｖ、Nb、Ta、Cr、Fe、Ru及びNiからなる
元素群より選ばれた１種以上の元素及びLnはランタノイ
ド元素とイットリウムからなる元素群より選ばれた１種
以上の元素であることを特徴とする金属酸化物材料。
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| JP63-69739 | 1988-03-25 | ||
| JP6973988 | 1988-03-25 | ||
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| DE10111938A1 (de) * | 2001-03-13 | 2002-09-26 | Merck Patent Gmbh | Herstellung von Hochtemperatur-Supraleiter-Pulvern in einem Pulsationsreaktor |
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-
1994
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Non-Patent Citations (1)
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|---|
| Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｖｏｌ．２７ Ｎｏ．２ ｐ．Ｌ２０９〜Ｌ２１０ |
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|---|---|---|---|
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