JPH029721A - 金属酸化物材料 - Google Patents
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- Y10S505/775—High tc, above 30 k, superconducting material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は金属酸化物材料、特に超伝導材料として宵月な
金属酸化物材料に関する。
金属酸化物材料に関する。
(従来の技#)
従来、銅の酸化物のなかで超伝導性材料としては、La
!−WAXCL104 (AはC,a、 Sr又はBa
)、YBa2Cu、0゜及び5rBiCuO,の組成式
で表わされる材料が知ら打ている。
!−WAXCL104 (AはC,a、 Sr又はBa
)、YBa2Cu、0゜及び5rBiCuO,の組成式
で表わされる材料が知ら打ている。
(発明が解決しようとしている問題点)しかしながら、
従来の銅酸化物からなる超電導体では、その構成元素で
あるY及びランタノイド元素が、その埋蔵量が少なく高
価な原料であった。又、それらの銅酸化物をその用途に
従って焼結体やR膜にする場合には、反応温度として1
.000℃付近という高温が必要であり、製造コストが
高くなったり、基板がかなり限定される等の問題点があ
った。
従来の銅酸化物からなる超電導体では、その構成元素で
あるY及びランタノイド元素が、その埋蔵量が少なく高
価な原料であった。又、それらの銅酸化物をその用途に
従って焼結体やR膜にする場合には、反応温度として1
.000℃付近という高温が必要であり、製造コストが
高くなったり、基板がかなり限定される等の問題点があ
った。
更に単結晶にする場合にも生成が難しく、反応条件も狭
いので、大きな結晶は得られていない。又、更には組成
比のずれが超伝導転移温度(以後Tcと略す)に大きく
影響し、例えば、Y++wBai−wCu30tではX
≧0.2の範囲になると超伝導を示さなくなるという問
題点があフだ。この事は薄膜を作成する場合には組成ず
れが起こり易くなるので特に大きな問題点となる。
いので、大きな結晶は得られていない。又、更には組成
比のずれが超伝導転移温度(以後Tcと略す)に大きく
影響し、例えば、Y++wBai−wCu30tではX
≧0.2の範囲になると超伝導を示さなくなるという問
題点があフだ。この事は薄膜を作成する場合には組成ず
れが起こり易くなるので特に大きな問題点となる。
又、5rBiCuO,の組成式で表わされる材料に関し
ては、Z、Phys、 B−(:ondensed M
atter 68.421−423 (1987)に開
示されている様に、その組成は5rJi2Cu20アや
δで、Tcはミツドポイントで7乃至22にである。こ
のBi系の超伝導材料はその構成元素としてY及びラン
タノイド元素といった高価な原料を用いず、反応温度と
しても900℃以下で、従来のLa2−、AwCuO4
及びLnBatCu30.と比較すれば安価であり、又
、薄膜を形成する場合の基板の材質について、その選択
の範囲を広げられる等の点において優れた超伝導材料で
あるが、不純物の混入によりTcが著しく低下し易く、
液体ヘリウム温度(4,2に)以上の安定なTcを有す
る超伝導材料を得ることが困難である為、高純度に生成
した原料を用いる必要がある。
ては、Z、Phys、 B−(:ondensed M
atter 68.421−423 (1987)に開
示されている様に、その組成は5rJi2Cu20アや
δで、Tcはミツドポイントで7乃至22にである。こ
のBi系の超伝導材料はその構成元素としてY及びラン
タノイド元素といった高価な原料を用いず、反応温度と
しても900℃以下で、従来のLa2−、AwCuO4
及びLnBatCu30.と比較すれば安価であり、又
、薄膜を形成する場合の基板の材質について、その選択
の範囲を広げられる等の点において優れた超伝導材料で
あるが、不純物の混入によりTcが著しく低下し易く、
液体ヘリウム温度(4,2に)以上の安定なTcを有す
る超伝導材料を得ることが困難である為、高純度に生成
した原料を用いる必要がある。
更に、Japanese Journal of Ap
plied PhysicsVol、27. No、2
. February、 +988. pp、L20
9−L210には、その組成がB15rCaCu、O,
で、Tcはオンセット温度で120K、ゼロ抵抗温度で
75にであるBi系の超伝導材料が開示されており、し
かも、Bi:Sr:Ca=1 : 1 : 1の組成比
においてゼロ抵抗温度が105にとなる可能性を示唆し
ている。
plied PhysicsVol、27. No、2
. February、 +988. pp、L20
9−L210には、その組成がB15rCaCu、O,
で、Tcはオンセット温度で120K、ゼロ抵抗温度で
75にであるBi系の超伝導材料が開示されており、し
かも、Bi:Sr:Ca=1 : 1 : 1の組成比
においてゼロ抵抗温度が105にとなる可能性を示唆し
ている。
しかしながら、その組成がBier(:aCυ2011
である超伝導材料においては、105Kにおいてゼロ抵
抗は実現されず、更に低温側にもう1つの転移が現われ
た後ゼロ抵抗が実現する。この低温側の転移においても
転移温度幅はIOK程度と広く、材料の均一性が良くな
いことを示している。このことは微細な構造を有する素
子として用いた場合、再現性が十分に得られないという
欠点が生じる。
である超伝導材料においては、105Kにおいてゼロ抵
抗は実現されず、更に低温側にもう1つの転移が現われ
た後ゼロ抵抗が実現する。この低温側の転移においても
転移温度幅はIOK程度と広く、材料の均一性が良くな
いことを示している。このことは微細な構造を有する素
子として用いた場合、再現性が十分に得られないという
欠点が生じる。
又、上記超伝導材料では下部臨界磁場が55に程度の温
度では、50e(エルステッド)程度と小さく、磁気シ
ールド材料として用いるには不十分である等の問題点が
ある。
度では、50e(エルステッド)程度と小さく、磁気シ
ールド材料として用いるには不十分である等の問題点が
ある。
従って、本発明の目的は、ランタノイド元素の様な高価
な原料を多くは必要としない新規な銅酸化物材料を提供
することにある。
な原料を多くは必要としない新規な銅酸化物材料を提供
することにある。
本発明の他の目的は、生成時の反応温度が低くて済み、
又、単結晶も作成し易い新規な超伝導性銅酸化物材料を
提供することにある。
又、単結晶も作成し易い新規な超伝導性銅酸化物材料を
提供することにある。
本発明の更に他の目的は、組成比のずれによっても比較
的Tcが影響されにくい超伝導材料として有用な銅酸化
物材料を提供することにある。
的Tcが影響されにくい超伝導材料として有用な銅酸化
物材料を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、液体ヘリウムで容易に冷却出
来る超伝導材料として有用な新規な銅酸化物材料を提供
することにある。
来る超伝導材料として有用な新規な銅酸化物材料を提供
することにある。
更には少量の不純物によってTcが劣化する現象を防ぎ
、特に高純度でない通常の原料を用いても作成可能な銅
酸化物材料を得ることを目的とする。
、特に高純度でない通常の原料を用いても作成可能な銅
酸化物材料を得ることを目的とする。
本発明の更に他の目的は、下部臨界磁場を向上させ、磁
気シールド材料として利用可能な銅酸化物材料を得るこ
とである。
気シールド材料として利用可能な銅酸化物材料を得るこ
とである。
(問題点を解決する為の手段及び好ましい実施態様)
上記全ての目的は以下の本発明によって達成される。
本発明の金属酸化物材料は、以下に詳述する三態様に大
別される。
別される。
先ず1本発明の第一の態様は、その゛組成式がB12(
Sr l−+tea、l)s+ncul+no (+t
+sn+ −δで表わされ、且つO<x<1、O<n≦
10及び0<δである金属酸化物材料であり、(oiz
o2)”層の間に酸素の欠損したペロブスカイト類似の
層が位置する層状構造を有する金属酸化物材料である(
以下、本発明の金属酸化物材料[1]という)。
Sr l−+tea、l)s+ncul+no (+t
+sn+ −δで表わされ、且つO<x<1、O<n≦
10及び0<δである金属酸化物材料であり、(oiz
o2)”層の間に酸素の欠損したペロブスカイト類似の
層が位置する層状構造を有する金属酸化物材料である(
以下、本発明の金属酸化物材料[1]という)。
上記本発明の金属酸化物材料[I]は、とりわけ上記組
成比をとることで高いTc値を有することは勿論のこと
、その転移温度幅が7に以下と狭く、材料の均一性が良
好であるので、微細構造を有する素子に用いた場合にお
いても、十分な素子特性の再現性が得られる。
成比をとることで高いTc値を有することは勿論のこと
、その転移温度幅が7に以下と狭く、材料の均一性が良
好であるので、微細構造を有する素子に用いた場合にお
いても、十分な素子特性の再現性が得られる。
上記本発明の金属酸化物材料[1]の組成比において、
とりわけ!≦n≦3.0.45≦X≦0.55であると
きには、そのTe値においても110に以上という高い
値を示すものであって特に好ましい。
とりわけ!≦n≦3.0.45≦X≦0.55であると
きには、そのTe値においても110に以上という高い
値を示すものであって特に好ましい。
又、上記素子特性の再現性のみに着目するならば、転移
温度幅は好ましくは5に以下、更に好ましくは3に以下
であることが望ましい。
温度幅は好ましくは5に以下、更に好ましくは3に以下
であることが望ましい。
次に、本発明の第二の態様は、ビスマス、ストロンチウ
ム、カルシウム、銅及び酸素からなる金属酸化物材料に
おいて、前記元素の他に周期律表のIa、Ila、 I
Va、 Va、 VTa、■、mblrVb及びvb族
からなる元素群より選ばれた1種以上の元素を含有する
金属酸化物材料(以下、本発明の金属酸化物材料[11
]という)である。
ム、カルシウム、銅及び酸素からなる金属酸化物材料に
おいて、前記元素の他に周期律表のIa、Ila、 I
Va、 Va、 VTa、■、mblrVb及びvb族
からなる元素群より選ばれた1種以上の元素を含有する
金属酸化物材料(以下、本発明の金属酸化物材料[11
]という)である。
上記本発明の金属酸化物材料[[r]は、ビス7ス、ス
トロンチウム、カルシウム、銅及び酸素の5元素以外に
、周期律表の上記各機に属する第6元素(更には第7.
8・−元素)を含有することによって、前記本発明の金
属酸化物材料[I]における転移温度幅7に以下という
特性に加えて、更に1006以上、好ましくは150e
以上、特に好ましくは200e以上の下部臨界磁場を有
し、このことは本発明の金属酸化物材料[■]を磁気シ
ールド材料として用いた場合、より高い磁場迄使用する
ことが可能となる。
トロンチウム、カルシウム、銅及び酸素の5元素以外に
、周期律表の上記各機に属する第6元素(更には第7.
8・−元素)を含有することによって、前記本発明の金
属酸化物材料[I]における転移温度幅7に以下という
特性に加えて、更に1006以上、好ましくは150e
以上、特に好ましくは200e以上の下部臨界磁場を有
し、このことは本発明の金属酸化物材料[■]を磁気シ
ールド材料として用いた場合、より高い磁場迄使用する
ことが可能となる。
本発明の金属酸化物材料[■]を組成式で表わすと、
であり、且つ0≦X≦0.5.0.3≦y≦0゜7.0
≦Z≦0.5、O≦r≦0.1.1〉y十2.2≦p≦
11.1≦9≦10及び5.4≦6≦24であり、A’
ハ1IIb 、 IVb及びvb族かうなる元素群よ
り選ばれた1種以上の元素 AIはIa、 ■a及びI
Vb族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素、A
IIはIVa 、 Va 、 Vra及び■族からなる
元素群より選ばわだ1種以上の元素である。
≦Z≦0.5、O≦r≦0.1.1〉y十2.2≦p≦
11.1≦9≦10及び5.4≦6≦24であり、A’
ハ1IIb 、 IVb及びvb族かうなる元素群よ
り選ばれた1種以上の元素 AIはIa、 ■a及びI
Vb族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素、A
IIはIVa 、 Va 、 Vra及び■族からなる
元素群より選ばわだ1種以上の元素である。
ここで特に前記材料の均一性の点をも考慮するならば、
その組成比はP=3+n、q=2+n、0≦n≦δであ
ることが好ましく、この組成比にある場合には、本発明
の金属酸化物材料[I]と同様の層状構造を示す。
その組成比はP=3+n、q=2+n、0≦n≦δであ
ることが好ましく、この組成比にある場合には、本発明
の金属酸化物材料[I]と同様の層状構造を示す。
又、上記元素A1.AI及び4厘のうち、Ia族に属す
るNa、に、ffa族に属するMg、 8a、IVa族
に属するTi、 Zr、Va族に属するV、 Nb、
Ta。
るNa、に、ffa族に属するMg、 8a、IVa族
に属するTi、 Zr、Va族に属するV、 Nb、
Ta。
Vra族に属するC「、■族に属するFe、 Ru、
Ni。
Ni。
mb族に属するIn、rVb族に属するSn、 Vb族
に属するsbが特に好ましい。又、Na、 Kには融点
を低下させる作用があり、単結晶の作成には一層有利で
ある。
に属するsbが特に好ましい。又、Na、 Kには融点
を低下させる作用があり、単結晶の作成には一層有利で
ある。
更に本発明の第三の態様は、ビスマス、ストロンチウム
、カルシウム、銅及び酸素からなる金属酸化物材料にお
いて、前記元素の他に周期律表のIa、Ua、 IVa
、 Va、 VIa、 ’1M、Iffb 、 rVb
及びvb族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素
とランタノイド元素及びイツトリウムからなる元素群よ
り選ばれた1種以上の元素を含有する金属酸化物材料(
以下、本発明の金属酸化物材料[01]という)である
。
、カルシウム、銅及び酸素からなる金属酸化物材料にお
いて、前記元素の他に周期律表のIa、Ua、 IVa
、 Va、 VIa、 ’1M、Iffb 、 rVb
及びvb族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素
とランタノイド元素及びイツトリウムからなる元素群よ
り選ばれた1種以上の元素を含有する金属酸化物材料(
以下、本発明の金属酸化物材料[01]という)である
。
即ち、本発明の金属酸化物材料[111]は、前記本発
明の金属酸化物材料[I+]にランタノイド及びイツト
リウムから成る元素群より選ばれた1種以上の元素を含
有させることにより、前記本発明の金属酸化物材料[■
]における転移温度幅7に以下及び下部臨界磁場100
8以上という特性に加えて、Tcを5乃至10に程度向
上させる効果を奥する。
明の金属酸化物材料[I+]にランタノイド及びイツト
リウムから成る元素群より選ばれた1種以上の元素を含
有させることにより、前記本発明の金属酸化物材料[■
]における転移温度幅7に以下及び下部臨界磁場100
8以上という特性に加えて、Tcを5乃至10に程度向
上させる効果を奥する。
未発明の金属酸化物材料[I[+]を組成式で表すなら
ば、 で表わされ、且つ0≦X≦0.5.0.3≦y≦0.7
、O≦2≦0.5、O≦r≦0.1.1〉y+z+w、
O<w≦0.4.2≦p≦11.1≦9≦10及び5,
4≦δ≦24であり、AIはDlb、lVb及びvb族
からなる元素群より選ばれた1種以上の元素、Allは
Ia、Ila及びrVb族からなる元素群より選ばれた
1種以上の元素、AMはIa 、 Va 、 VTa及
び■族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素及び
Lnはランタノイド元素とイツトリウムからなる元素群
より選ばれた1種以上の元素である。
ば、 で表わされ、且つ0≦X≦0.5.0.3≦y≦0.7
、O≦2≦0.5、O≦r≦0.1.1〉y+z+w、
O<w≦0.4.2≦p≦11.1≦9≦10及び5,
4≦δ≦24であり、AIはDlb、lVb及びvb族
からなる元素群より選ばれた1種以上の元素、Allは
Ia、Ila及びrVb族からなる元素群より選ばれた
1種以上の元素、AMはIa 、 Va 、 VTa及
び■族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素及び
Lnはランタノイド元素とイツトリウムからなる元素群
より選ばれた1種以上の元素である。
特に均一性を考慮すれば、その組成比はP=3+n、q
=z+n、0≦n≦δであることが好ましく、この組成
比にある場合には、本発明の金属酸化物材料[I]と同
様の層状構造を示す。
=z+n、0≦n≦δであることが好ましく、この組成
比にある場合には、本発明の金属酸化物材料[I]と同
様の層状構造を示す。
又、上記元素A1.AI及びA1のうち、Ia族に属す
るNa、に、Ila族に属するMg、 Ba、IVa族
に属するTi、 Zr、 Va族に属するV 、 Nb
、 Ta、VTa族に属するC「、■族に属するFe、
Ru、 Nj、mb族に属するIn、rVb族に属す
るSn、 Vb族に属するsb及びLnはY%E「、L
aが特に好ましい。
るNa、に、Ila族に属するMg、 Ba、IVa族
に属するTi、 Zr、 Va族に属するV 、 Nb
、 Ta、VTa族に属するC「、■族に属するFe、
Ru、 Nj、mb族に属するIn、rVb族に属す
るSn、 Vb族に属するsb及びLnはY%E「、L
aが特に好ましい。
又、Na、にには融点を低下させる作用があり、単結晶
の作成には一層有利である。
の作成には一層有利である。
上記本発明の金属酸化物材料[1]乃至[111]を作
成する方法としては、いわゆるセラミックス材料で一般
に使われている様な原料粉末からの加熱による反応及び
焼結法がいずれも本発明において使用可能である。
成する方法としては、いわゆるセラミックス材料で一般
に使われている様な原料粉末からの加熱による反応及び
焼結法がいずれも本発明において使用可能である。
この様な方法の例は、Material Re5ear
chBul 1atin第11巻777頁(1973年
) 、 5olid StateCommunicat
ion第17@27頁(1975年) 、 Zeits
ch−rift fur Physik B第64@
189頁(1986年)、Physical Revi
ew Letters第58巻第9号908頁(198
7年)等に示されており、これらの方法は現在では定性
的には極めて一般的な方法として知られている。
chBul 1atin第11巻777頁(1973年
) 、 5olid StateCommunicat
ion第17@27頁(1975年) 、 Zeits
ch−rift fur Physik B第64@
189頁(1986年)、Physical Revi
ew Letters第58巻第9号908頁(198
7年)等に示されており、これらの方法は現在では定性
的には極めて一般的な方法として知られている。
又、原料粉末を高温で溶融してから単結晶成長させる方
法も本発明において有用である。更に原料を含有するタ
ーゲットを用いた高周波スパッタリングやマグネトロン
スパッタリング等のスパッタリング法、電子ビーム蒸着
、その他の真空蒸着法或いはクラスターイオンビーム法
や原料にガス材を使うCVD法又はプラズマCVD法等
を使って支持体上に本発明の材料を薄膜状に形成しても
よい。この様な場合には気体の酸素を装置内に送り込ん
で装置内で酸化させることが効果的な場合が多い。より
具体的な製造条件の例は後記実施例において説明するゆ (実施例) 次に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。尚、Tcはミツドポイントでの値である。
法も本発明において有用である。更に原料を含有するタ
ーゲットを用いた高周波スパッタリングやマグネトロン
スパッタリング等のスパッタリング法、電子ビーム蒸着
、その他の真空蒸着法或いはクラスターイオンビーム法
や原料にガス材を使うCVD法又はプラズマCVD法等
を使って支持体上に本発明の材料を薄膜状に形成しても
よい。この様な場合には気体の酸素を装置内に送り込ん
で装置内で酸化させることが効果的な場合が多い。より
具体的な製造条件の例は後記実施例において説明するゆ (実施例) 次に実施例及び比較例を挙げて本発明を更に具体的に説
明する。尚、Tcはミツドポイントでの値である。
実施例1乃至9及び比較例1
原料としてBj203 、5r(03、Cal;03及
びCuOを用い、これらを所望の混合比になる様に秤量
しその後乾式混合した。
びCuOを用い、これらを所望の混合比になる様に秤量
しその後乾式混合した。
これらの混合物を先ず大気中で800℃で反応させた。
この反応物をメノー製乳鉢で粉砕し、直径10mm及び
厚さ1a+mのベレット状に加圧形成した。この成形物
を酸化雰囲気中で850℃で熱処理して、本発明の金属
酸化物材料を作製した。
厚さ1a+mのベレット状に加圧形成した。この成形物
を酸化雰囲気中で850℃で熱処理して、本発明の金属
酸化物材料を作製した。
この様にして作製した材料をプラズマ発光分析法により
組成分析を行った。その結果を第1表に示した。
組成分析を行った。その結果を第1表に示した。
又、実施例2の試料2についてのX線回折パターンを第
1図に示す。このパターンによれば、若干の不純物ピー
クが見られるが、主相はa=5.4人、c;36人程度
の正方晶又はそれに近い構造を持つ物質であることがわ
かる。
1図に示す。このパターンによれば、若干の不純物ピー
クが見られるが、主相はa=5.4人、c;36人程度
の正方晶又はそれに近い構造を持つ物質であることがわ
かる。
実施例1の試料1の場合はa=5.4人、C=30A程
度であった。、C軸の差は余分のSr、 Ca及びCu
よりなるペロブスカイト構造のユニットが一つ増加した
ことによるものと考え得る。従ってこれらの物質は(B
i20t)層とペロブスカイト構造の層の積層よりなる
一連の構造を持ったものと推定される。
度であった。、C軸の差は余分のSr、 Ca及びCu
よりなるペロブスカイト構造のユニットが一つ増加した
ことによるものと考え得る。従ってこれらの物質は(B
i20t)層とペロブスカイト構造の層の積層よりなる
一連の構造を持ったものと推定される。
又、ペロジスカイl−構造の部分が通常の量の酸素を持
つとなると、電荷のバランスが合わないので、ペロブス
カイト構造の部分は酸素が欠損しているものと思われる
。
つとなると、電荷のバランスが合わないので、ペロブス
カイト構造の部分は酸素が欠損しているものと思われる
。
(以下余白)
γ 1 −
実施例10乃至24及び比較例2乃至5原料を第2表に
示した組成比に秤量して乾式混合した。原料はアルカリ
金属元素及びアルカリ土類金属元素については、Na2
cO3やSrl;03等の如き炭酸塩を用い、他の元素
についてはBi2O5、CuO、PbO、La、O,等
の如き酸化物を用いた。
示した組成比に秤量して乾式混合した。原料はアルカリ
金属元素及びアルカリ土類金属元素については、Na2
cO3やSrl;03等の如き炭酸塩を用い、他の元素
についてはBi2O5、CuO、PbO、La、O,等
の如き酸化物を用いた。
(以下余白)
*:組成比はBi酸成分2゜
00とした場合の相対組成で示した。
二互!;2−匁一
本1:下部臨界磁場(55に)
*2:融点
これらの混合物を夫々φ10m+i及び厚さ1mmのベ
レット状に加圧成形し、成形物をアルミナボートに乗せ
、大気中で反応及び焼結した。反応及び焼結の温度は、
実施例7乃至9及び比較例2は760℃、他は880℃
である。この様にして作成した各試料を室温から60に
の温度範囲で抵抗測定を行いTcを決定した。第2表で
Tcの欄が−となっている試料は、60に以上では超伝
導転移を起こさないことを示す。
レット状に加圧成形し、成形物をアルミナボートに乗せ
、大気中で反応及び焼結した。反応及び焼結の温度は、
実施例7乃至9及び比較例2は760℃、他は880℃
である。この様にして作成した各試料を室温から60に
の温度範囲で抵抗測定を行いTcを決定した。第2表で
Tcの欄が−となっている試料は、60に以上では超伝
導転移を起こさないことを示す。
実施例25乃至39
原料として旧、0. 、5rC03,(:a[:0.’
、 PbO。
、 PbO。
NaCO3,MgO、にC03、Y2O3、Er2O3
,Ge0z、Gum。
,Ge0z、Gum。
TiO2、z「02、Y2O1、Nb2O,、Ta、0
. 、 Rub2及びFe、03を用い、これらを実施
例1と同様の方法で熱処理した。但し、Tie□、Zr
O,、Nb2O3、Ta、03及びRub、を用いた場
合は、2回目の熱処理は890℃で行った。
. 、 Rub2及びFe、03を用い、これらを実施
例1と同様の方法で熱処理した。但し、Tie□、Zr
O,、Nb2O3、Ta、03及びRub、を用いた場
合は、2回目の熱処理は890℃で行った。
この様にして作製した試料をプラズマ発光分析法で組成
分析し、実施例1と同様に電気抵抗の温度依存性を調べ
た結果、全ての試料で超伝導が確認された。結果を第3
表に示した。
分析し、実施例1と同様に電気抵抗の温度依存性を調べ
た結果、全ての試料で超伝導が確認された。結果を第3
表に示した。
(以下余白)
実施例40
電子ビーム蒸着法により本発明の材料からなる薄膜を形
成する場合について示す。金属Bi、 Sr、Ca及び
Cuを蒸発材料として真空度が2X10−’Torr以
下になっている真空容器中にある独立した4個の電子ビ
ーム加熱装置に入れる。この各金属に電子ビームを照射
して加熱し、各加熱装置の近傍に設置した膜厚モニター
により、Bi:Sr:Ca:Cu比を2:1.5:1.
5:2(試料1)及び2: 1.5:2.5:3 (試
料2)となる様に電子ビームの強度を調節する。
成する場合について示す。金属Bi、 Sr、Ca及び
Cuを蒸発材料として真空度が2X10−’Torr以
下になっている真空容器中にある独立した4個の電子ビ
ーム加熱装置に入れる。この各金属に電子ビームを照射
して加熱し、各加熱装置の近傍に設置した膜厚モニター
により、Bi:Sr:Ca:Cu比を2:1.5:1.
5:2(試料1)及び2: 1.5:2.5:3 (試
料2)となる様に電子ビームの強度を調節する。
基板として5rTiO,単結晶を用い、これを600℃
に加熱し、又、酸素ガスを基板付近に10乃至20m1
/■i肌の割合で導入しながら萌記の組成比で蒸着する
。
に加熱し、又、酸素ガスを基板付近に10乃至20m1
/■i肌の割合で導入しながら萌記の組成比で蒸着する
。
蒸着速度は各金属材料が夫々0.5乃至3人/sec、
であり、全体での蒸着速度は2乃至10人/sec、で
ある。蒸着膜の厚さは100乃至10.000人であり
、いずれの場合も試料1では73にで5試料2では75
に以下で電気抵抗が0となった。
であり、全体での蒸着速度は2乃至10人/sec、で
ある。蒸着膜の厚さは100乃至10.000人であり
、いずれの場合も試料1では73にで5試料2では75
に以下で電気抵抗が0となった。
(効 果)
以上説明した様に、本発明により以下の効果が得られる
。
。
(1)希土類を全く用いないか或いは多量に用いないで
、安価な材料でTcの高い銅酸化物材料が得られる。
、安価な材料でTcの高い銅酸化物材料が得られる。
(2)生成時の反応温度は900℃以下であり、又、融
点も900℃或いはそれ以下である。このことはfit
膜にする際に非常に有利であるとともに、単結晶を作製
する際にも有利である。
点も900℃或いはそれ以下である。このことはfit
膜にする際に非常に有利であるとともに、単結晶を作製
する際にも有利である。
(3)例えば、YBa2Cu、0,6で代表される一連
の化合物に比べて空気中での安定性が優れており、湿度
による劣化も比較的少ない。
の化合物に比べて空気中での安定性が優れており、湿度
による劣化も比較的少ない。
(4)組成比のずれにも超伝導転移温度への影響が比較
的少ない実用的な銅酸化物材料が得られる。
的少ない実用的な銅酸化物材料が得られる。
(5)少量の不純物ではTcが影響を受けない為、特に
高純度に精製した原料を用いる必要がない。
高純度に精製した原料を用いる必要がない。
(6)本発明の材料のTcはミツドポイントで60乃至
130にの間にある為、比較的安価なヘリウム循環式冷
凍機(20に程度を実現出来る)を用いて十分利用する
ことが出来る。
130にの間にある為、比較的安価なヘリウム循環式冷
凍機(20に程度を実現出来る)を用いて十分利用する
ことが出来る。
(7)更に、超伝導特性の均一な材料が得られる。
(8)下部臨界磁場を向上させることが出来る。
第1図は本発明の金属酸化物材料のX線回折の結果を示
す図である。 第1図
す図である。 第1図
Claims (5)
- (1)組成式が Bi_2(Sr_1_−_xCa_x)_3_+_nC
u_2_+_nO_(_1_2_+_3_n_)_−_
δで表わされ、且つ0<x<1、0<n≦10及び0<
δであることを特徴とする金属酸化物材料。 - (2)ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、銅及び
酸素からなる金属酸化物材料において、前記元素の他に
周期律表の I a、IIa、IVa、Va、VIa、VIII、II
Ib、IVb及びVb族からなる元素群より選ばれた少な
くとも1種以上の元素を含有することを特徴とする金属
酸化物材料。 - (3)組成式が (Bi_1_−_xA^ I _x)_2(Sr_yCa
_1_−_y_−_zA^II_z)_p(Cu_1_−
_rA^III_r)_qO_δで表わされ、且つ0≦x
≦0.5、0.3≦y≦0.7、0≦z≦0.5、0≦
r≦0.1、1>y+z、2≦p≦11、1≦q≦10
及び5.4≦δ≦24であり、A^ I はIIIb、IVb及
びVb族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素、
A^IIは I a、IIa及びIVb族からなる元素群より選
ばれた1種以上の元素、A^IIIはIVa、Va、VIa及
びVIII族からなる元素群より選ばれた1種以上の元素で
あることを特徴とする金属酸化物材料。 - (4)ビスマス、ストロンチウム、カルシウム、銅及び
酸素からなる金属酸化物材料において、前記元素の他に
周期律表の I a、IIa、IVa、Va、VIa、VIII、II
Ib、IVb及びVb族からなる元素群より選ばれた1種
以上の元素と、ランタノイド元素及びイットリウムから
なる元素群より選ばれた1種以上の元素を含有すること
を特徴とする金属酸化物材料。 - (5)組成式が (Bi_1_−_xA^ I _x)_2(Sr_yCa
_1_−_y_−_z_−_wA^II_zLn_w)_
p(Cu_1_−_rA^III_r)_qO_δで表わ
され、且つ0≦x≦0.5、0.3≦y≦0.7、0≦
z≦0.5、0≦r≦0.1、0<w≦0.4、1>y
+z+w、2≦p≦11、1≦q≦10及び5.4≦δ
≦24であり、A^ I はIIIb、IVb及びVb族からな
る元素群より選ばれた1種以上の元素、A^IIは I a
、IIa及びIVb族からなる元素群より選ばれた1種以上
の元素、A^IIIはIVa、Va、VIa及びVIII族からな
る元素群より選ばれた1種以上の元素及びLnはランタ
ノイド元素とイットリウムからなる元素群より選ばれた
1種以上の元素であることを特徴とする金属酸化物材料
。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6973888 | 1988-03-25 | ||
JP6973988 | 1988-03-25 | ||
JP63-69738 | 1988-03-25 | ||
JP63-69739 | 1988-03-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH029721A true JPH029721A (ja) | 1990-01-12 |
JP2933225B2 JP2933225B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=26410898
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1070549A Expired - Fee Related JP2933225B2 (ja) | 1988-03-25 | 1989-03-24 | 金属酸化物材料 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5565414A (ja) |
EP (1) | EP0336621B1 (ja) |
JP (1) | JP2933225B2 (ja) |
AT (1) | ATE107613T1 (ja) |
CA (1) | CA1341504C (ja) |
DE (1) | DE68916302T2 (ja) |
ES (1) | ES2055040T3 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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NZ228132A (en) | 1988-04-08 | 1992-04-28 | Nz Government | Metal oxide material comprising various mixtures of bi, tl, pb, sr, ca, cu, y and ag |
US5098868A (en) * | 1989-10-13 | 1992-03-24 | University Of Kansas | Vanadium-based superconducting metallic oxides |
US5108985A (en) * | 1989-11-27 | 1992-04-28 | Kyocera Corporation | Bi-Pb-Sr-Ca-Cu oxide superconductor containing alkali metal and process for preparation thereof |
US5264413A (en) * | 1990-03-07 | 1993-11-23 | Ivan Bozovic | Bi-Sr-Ca-Cu-O compounds and methods |
US5238911A (en) * | 1990-04-04 | 1993-08-24 | Hitachi Chemical Company Ltd. | Oxide superconductor Bi--Sr--Ca--Mg--Ba--Cu--O |
NL9402054A (nl) * | 1994-12-07 | 1996-07-01 | Nationaal Onderzoekprogramma H | Hoge-temperatuur supergeleiders. |
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