JP2004532173A - MgB2からなる超伝導材料の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、多様な幾何学形状の形の超伝導材料MgB2の製造方法に関する。さらに、本発明は、本方法により製造された材料並びに本方法を実施するための母合金に関する。
【背景技術】
【0002】
MgB2は以前から公知である。これは六方晶AlB2構造で結晶し、かつMg原子からなる交替層とBからなるグラファイト様の層からなる。この超伝導特性は2001年1月に初めて発見され、これは39Kの高い転移温度のためにセンセーショナルであった。これに関しては、刊行物S.L.Bud’ko,G.Lapertot,G.Petrovic,C.E.Cunningham,N.Anderson及びP.C.Canfield著,Ames Laboratory and Department of Physics and Astronomy Iowa State University,Ames,IA 50011(January 30,2001)及びJ.Kortus,I.I.Mazin,K.D.Belashchenko,V.P.Antropov,L.L.Boyer著,Center for Computational Materials Science,Code 6390,Naval Research Laboratory,Washington,DC 20375,Ames Laboratory,ISU,Ames,IA,50011(January 30,2001)に記載されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
MgB2は極めて脆く、工業的部材の製造、特にこの材料からワイヤを製造することは費用がかかる。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明の根底をなす課題は、超伝導のMgB2から成形品を製造することができる方法を開発することであった。前記の課題は、Mg及びB並びに少なくとも1種の他の成分を含有する成形可能な母合金を製造し、成形された母合金から前記の少なくとも1種の他の成分を除去することにより解決される。従って、本発明による方法の場合に、超伝導材料ではなく、成形可能な母合金を所望の形状の製造のために加工する。特に適した母合金はLiMgB−合金である。これは、極めて安定な相として製造され、たとえば鍛造可能で、鋳造可能でかつプレス成形可能である。この母合金の製造の後に、Liの除去により超伝導材料に移行させる。Liの除去は形状を変えずに行うことができる。従って母合金の成形後に、超伝導材料へ移行させる際の形状は維持される。LiMgBは電極材料としてフランス国特許(FR−A)第2563535号明細書から公知である。
【0005】
この母合金は溶融物の形で180〜600℃の温度で製造することができる。180〜450℃の間の溶融温度が特に有利であることは判明した。しかしながら、この母合金は各成分の粉砕及び特に冷間粉砕によって製造することもできる。約450℃の温度では、この相は極めて均質であり、さらに温度が上昇した場合にはペースト状の状態に移行する。この状態で母合金は成形することができる。また、母合金の均質相を冷却し、引き続きその延性に基づき成形、たとえば鍛造又はプレス成形することもできる。
【0006】
この他の成分、特にLiは熱処理により除去することができる。この除去は有利には真空中で行う。この他の成分の除去は、化学的又は物理的方法により、たとえば電気分解又はソルボリシスを用いて行うこともできる。
【0007】
この母合金の特に適した組成は、Li 10%〜97%(原子パーセント)、Mg 1%〜30%(原子パーセント)及びB 2%〜60%(原子パーセント)からなる。
【0008】
この母合金は特に、たとえばBe及び/又はAlでドープされるのに適している。
【0009】
本方法により製造された材料は特に成形品である。特に、この成形品は、ワイヤ、特に鍛造された、プレス成形された又は引き出し成形されたワイヤである。
【0010】
本発明による方法の場合に、Mg及びB並びに他の成分、特にLiから溶融により均質な相が製造される。この溶融は、180〜600℃、有利には180〜450℃の温度範囲で行われる。しかしながら、他の温度範囲も考えられる。この場合に、前記の成分の粉砕及び特に冷間粉砕によって製造される。この溶融物の形で、比較的高い温度の場合、たとえば450℃の場合に極めて高い均質性が達成される。この温度を上回る場合に、LiMgB−合金は次第に硬くなる。この異例な挙動は成形可能な母合金の製造のために利用できる。この母合金は、硬質、たとえばペースト状及び延性である場合のこの高い温度でたとえば鍛造される。真空中での熱処理により、この成形された母合金は超伝導材料に移行される。この処理の場合に、Liもしくは他の成分は除去される。この熱処理の代わりに、他の成分の除去は脱インターカレーションによる電気分解も可能である。さらに、他の成分は化学的に除去できる。このために、特にソルボリシス、たとえばアルコール中での、特にイソプロパノールもしくはイソプロパノール/エタノール混合物中でのソルボリシスが適している。
【0011】
この母合金はドープされていてもよい。特に、Mgを過剰ドープすることができる。このドープは特にBe及び/又はAlで行うのが有利である。
【0012】
母合金の成形にとって、この母合金の延性に基づき極めて多様な作業方法が可能である。特にこの母合金は、鍛造、鋳造、プレス成形又は押出成形を行うことができる。これは、高めた温度で、特に450℃を上回る温度で、又は冷却された状態で室温で行うことができる。主にすべての成形品を製造することができる。しかしながら、所望の直径及び長さで極めて簡単に製造することができるワイヤの製造が特に工業的に重要である。
Claims (23)
- Mg及びB並びに少なくとも1種の他の成分を含有する成形可能な母合金を製造し、前記母合金から前記の少なくとも1種の他の成分を少なくとも部分的に除去することを特徴とする、超伝導材料のMgB2の製造方法。
- 前記母合金がLiMgB−合金であることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- LiMgB−合金を溶融した形で180〜600℃、有利には180〜450℃で製造することを特徴とする、請求項2に記載の方法。
- LiMgB−合金を各成分の粉砕、及び特に冷間粉砕により製造することを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記母合金は約450℃を越えると硬さが増大し、かつ特にペースト状になることを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1種の他の成分を熱処理によって除去することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1種の他の成分を真空中で除去することを特徴とする、請求項6に記載の方法。
- 少なくとも1種の他の成分を脱インターカレーションによる電気分解によって除去することを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも1種の他の成分をソルボリシスによって溶出させることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 他の成分がLiであることを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記母合金が次の組成:
Li 10〜97%(原子パーセント)、
Mg 1〜30%(原子パーセント)、
B 2〜60%(原子パーセント)
を示すことを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記母合金をドープすることを特徴とする、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記母合金をBe及び/又はAlでドープすることを特徴とする、請求項12に記載の方法。
- Mgが過剰にドープされていることを特徴とする、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記母合金を成形することを特徴とする、請求項1から14までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記母合金を鋳造、プレス成形又は鍛造することを特徴とする、請求項15に記載の方法。
- 前記母合金をワイヤに成形することを特徴とする、請求項15又は16に記載の方法。
- 請求項1記載の方法により製造された超伝導材料が成形品であることを特徴とする、請求項1記載の方法により製造された超伝導材料。
- 鍛造された部材であることを特徴とする、請求項18に記載の材料。
- ワイヤであることを特徴とする、請求項18に記載の材料。
- 母合金がLiMgB−合金であることを特徴とする、請求項1に記載の方法を実施するための母合金。
- 母合金がドープされていることを特徴とする、請求項21に記載の母合金。
- Mgが過剰ドープされていることを特徴とする、請求項21又は22に記載の母合金。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5156806A (en) * | 1975-05-05 | 1992-10-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Metal alloy and method of preparation thereof |
JP2002211916A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-31 | Japan Science & Technology Corp | マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法 |
JP2002222619A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Hideyuki Shinagawa | 二硼化マグネシウム超伝導線材 |
JP2004532171A (ja) * | 2001-02-15 | 2004-10-21 | アイオワ・ステイト・ユニバーシティ・リサーチ・ファウンデーション | 二硼化マグネシウム超伝導材の合成 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5156806A (en) * | 1975-05-05 | 1992-10-20 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Metal alloy and method of preparation thereof |
JP2002211916A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-07-31 | Japan Science & Technology Corp | マグネシウムとホウ素とからなる金属間化合物超伝導体及びその金属間化合物を含有する合金超伝導体並びにこれらの製造方法 |
JP2002222619A (ja) * | 2001-01-24 | 2002-08-09 | Hideyuki Shinagawa | 二硼化マグネシウム超伝導線材 |
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