JP2002152015A - 出力回路 - Google Patents

出力回路

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JP2002152015A
JP2002152015A JP2000340495A JP2000340495A JP2002152015A JP 2002152015 A JP2002152015 A JP 2002152015A JP 2000340495 A JP2000340495 A JP 2000340495A JP 2000340495 A JP2000340495 A JP 2000340495A JP 2002152015 A JP2002152015 A JP 2002152015A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 出力可能な最大電圧値を高く維持しつつ消費
電力の低減を図る。 【解決手段】 充放電回路36は、コンデンサ47の端
子電圧Vcを台形波電圧とし、駆動回路37は、端子電
圧Vcに基づいて出力トランジスタ38を駆動すること
により、負荷43に対し端子電圧Vcに等しい電圧Vo
を出力する。電圧検出回路32は、トランジスタ49の
エミッタ電圧(Vc+VF)を検出し、端子電圧Vcに
比例した電流を生成する。この電流は、可変電流回路を
介して出力トランジスタ38のベース電流となる。従っ
て、出力トランジスタ38には出力電圧Voに比例した
ベース電流が流れる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、負荷に対しコンデ
ンサの充電電圧に応じた電圧を出力する出力回路に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えば車載用の通信信号出力回路は、車
両内に配設された通信線からの誘導放射を抑えてラジオ
ノイズを低減するために、立ち上がりおよび立ち下がり
のスルーレートが小さい台形波状の信号を出力するよう
になっている。こうした台形波発生回路としては、例え
ば特開平6−214665号公報や特開平9−2610
16号公報に開示された回路がある。これらの回路は、
コンデンサに対して定電流で充電および放電を行うこと
により台形波信号を生成するように構成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】図11には、この種の
一般的な台形波出力回路の電気的構成が示されている。
この図11において、IC化された台形波出力回路1
は、電源端子2、3間に印加される比較的高い電源電圧
VB(例えばバッテリから出力される12V〜16Vの
電圧)により動作するため、MOSICに比べ高耐圧化
が容易なバイポーラICとして構成されている。
【0004】この台形波出力回路1は、充放電回路4、
駆動回路5および出力トランジスタ6を備えており、出
力端子7と電源端子3との間には負荷8が接続されてい
る。このうち充放電回路4は、コンデンサ9、このコン
デンサ9を充放電する定電流回路10、11、制御端子
12を介して与えられる切替信号Saにより充放電動作
を切り替えるスイッチ回路13から構成されている。ま
た、駆動回路5は、トランジスタ14、15、16およ
び抵抗17、18、19から構成される3段のエミッタ
フォロア回路から構成され、抵抗19を介して出力トラ
ンジスタ6に対しベース電流を供給するようになってい
る。なお、ダイオード20、21は、電源逆接続時にト
ランジスタ15、6を保護するためのものである。
【0005】この構成において、コンデンサ9の両端子
間には切替信号Saに基づいて台形波状の電圧が生成さ
れ、この電圧はトランジスタ14、15、16によって
順次レベルシフトされながら出力トランジスタ6のベー
ス電圧となる。そして、出力トランジスタ6も負荷8と
ともにエミッタフォロア回路を構成しており、結局、台
形波出力回路1は負荷8に対しコンデンサ9の端子電圧
をそのままの電圧レベルで出力する。
【0006】この場合、駆動回路5および出力トランジ
スタ6により電流増幅が行われる。出力電圧Voの大き
さにかかわらず出力トランジスタ6が負荷8を十分に駆
動できるようにするためには、最大の出力電流Ioが流
れる場合つまり出力電圧Voが最大の場合においても、
出力トランジスタ6に十分なベース電流が供給されなけ
ればならない。具体的には、出力電圧Voの最大電圧値
をVo(max) 、負荷8の抵抗値をRL、出力トランジス
タ6の直流電流増幅率をhFEとすれば、出力トランジス
タ6に流すべき電流値IB1は以下の(1)式のように求
められる。このベース電流は、全て抵抗19を介して流
れるため、抵抗19の抵抗値は、当該電流値IB1と最大
電圧値Vo(max) とに基づいて決定される。 IB1≧(Vo(max) /RL)/hFE …(1)
【0007】しかしながら、コンデンサ9の放電に伴っ
て出力電圧Voが低下すると、抵抗19の両端電圧が出
力電圧Voの電圧低下分だけ増大し、抵抗19に流れる
電流は上記(1)式で示す電流値IB1よりも増加する。
また、出力トランジスタ6を駆動するのに必要なベース
電流は、出力電流Ioが低減する分だけ減少する。これ
ら抵抗19に流れる電流の増加分とベース電流の減少分
とは、出力トランジスタ6のベース電流とならず、無駄
な電流としてトランジスタ16を介して電源端子3へ流
れてしまう。また、抵抗19に替えて電流値IB1の定電
流回路を備えた回路構成としても、やはり上記ベース電
流の減少分だけは無駄に流れてしまう。その結果、IC
の消費電流(つまり消費電力)が増大し、チップ温度が
上昇したりバッテリの容量低下が早まるなどの問題が生
じる。
【0008】これに対し、図12に示す台形波出力回路
22は、出力トランジスタ6とトランジスタ23とをダ
ーリントン接続し、駆動回路24が出力すべきベース電
流を低減している。ここで、駆動回路24は、トランジ
スタ14、16および抵抗17、19から構成される2
段のエミッタフォロア回路から構成されている。
【0009】この台形波出力回路22によれば、トラン
ジスタ23に流すべき電流値IB2は、上記電流値IB1を
トランジスタ23の直流電流増幅率で除した値となるた
め、たとえ出力電圧Voが低下したとしても無駄に流れ
る電流は減少する。しかしながら、出力電圧Voは、
(電源電圧VB−ダイオード25の順方向電圧VF−ト
ランジスタ23のコレクタ・エミッタ間電圧−トランジ
スタ6のベース・エミッタ間電圧)で計算される値より
も高くなり得ず、上述の台形波出力回路1に比べ最大電
圧値Vo(max) が低下してしまう。
【0010】その結果、台形波出力回路22の電流出力
能力が低下したり、電源電圧VBの低下時に、台形波状
の通信信号の波高値が不足して通信エラーが発生し易く
なる。また、出力トランジスタ6のコレクタ・エミッタ
間電圧が、台形波出力回路1の場合に比べ電圧VFだけ
高くなるので、コレクタ損失が増大するといった不都合
も生じる。このように、従来構成の台形波出力回路1、
22では、消費電力の低減と高い出力電圧Voの確保と
を同時に達成することができなかった。
【0011】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的は、コンデンサの充電電圧に応じた電圧を
出力するものであって、その出力可能な最大電圧値を高
く維持しつつ消費電力の低減を図った出力回路を提供す
ることにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載した手段
によれば、出力トランジスタは、負荷に対してコンデン
サの充電電圧に応じた電圧を出力し、その出力電圧に応
じた電流を流し出す(または流し込む)。このコンデン
サの充電電圧は、充放電回路によって生成され、一般的
には定電圧ではなく例えば台形波電圧のように増減する
電圧となる。本手段の駆動回路によれば、電圧検出回路
がコンデンサの充電電圧を検出し、可変電流回路はこの
検出された充電電圧に応じたベース電流を出力トランジ
スタに供給する。すなわち、駆動回路は、出力電圧が高
く出力トランジスタの出力電流が大きい場合には、比較
的大きいベース電流を供給し、出力電圧が低く出力トラ
ンジスタの出力電流が小さい場合には、比較的小さいベ
ース電流を供給するようになる。この点において、出力
トランジスタのベース電流が最大出力電圧のみに基づい
て決定される従来構成の駆動回路とは異なる。
【0013】その結果、駆動回路は、出力電圧(コンデ
ンサの充電電圧)の高低にかかわらず、出力トランジス
タに対し負荷を駆動するのに必要且つ十分なベース電流
を供給することが可能となり、回路内に無駄な電流を流
すことがなくなる。これにより、駆動回路ひいては出力
回路の消費電流(消費電力)を低減でき、電源として用
いるバッテリの容量低下やIC化されている場合のチッ
プ温度の上昇を抑えることができる。
【0014】また、上述のように電圧検出回路と可変電
流回路とを用いてベース電流を最適化しているので、例
えば出力トランジスタをダーリントン接続してベース電
流を低減するといった構成が不要となり(勿論、より大
電流を流すために必要な場合にはダーリントン接続とし
ても良い)、出力可能な最大電圧値を高く維持すること
ができる。
【0015】請求項2に記載した手段によれば、電圧検
出回路は、コンデンサの充電電圧として、コンデンサの
端子電圧を直接検出するので、駆動回路における種々の
非線形回路やその温度変動などの影響を受けることなく
コンデンサの両端電圧を正確に検出することができる。
【0016】請求項3に記載した手段によれば、駆動回
路はエミッタフォロア回路から構成されているので、各
トランジスタのエミッタ端子は、コンデンサの端子電圧
をほぼ一定電圧だけレベルシフトした電圧となり、電圧
検出回路はコンデンサの端子電圧に応じた電圧すなわち
コンデンサの充電電圧を検出することができる。
【0017】エミッタフォロア回路は入力インピーダン
スが高いので、駆動回路がコンデンサの充電電荷に及ぼ
す影響が小さく、また、出力インピーダンスが低いの
で、電圧検出回路を接続したことによる影響も小さい。
その結果、出力電圧は、充放電回路によって生成された
コンデンサの端子電圧通りの電圧となり、その電圧歪み
が抑制される。
【0018】請求項4に記載した手段によれば、電圧検
出回路を構成する電圧−電流変換回路は、検出したコン
デンサの充電電圧に応じた電流を出力し、可変電流回路
は、その電流に応じたベース電流を出力トランジスタに
出力する。従って、出力トランジスタにはコンデンサの
充電電圧に応じたベース電流が供給される。
【0019】請求項5に記載した手段によれば、電圧検
出回路を構成する電圧−電流変換回路において、変換用
トランジスタのベース端子に与えられた検出電圧は、ベ
ース・エミッタ間電圧VFだけレベルシフトされてエミ
ッタ電圧となり、変換用トランジスタには変換用抵抗の
抵抗値に応じてエミッタ電圧に比例したコレクタ電流が
流れる。このコレクタ電流は、可変電流回路としてのカ
レントミラー回路を介して出力トランジスタのベース電
流となる。
【0020】請求項6に記載した手段によれば、IC化
する場合に変換用抵抗が温度係数の小さいクロムシリコ
ンから構成されるので、例えば当該ICが自動車のよう
に温度変動幅が大きい環境下で用いられる場合であって
も、出力トランジスタにベース電流を過不足なく供給す
ることができる。
【0021】請求項7に記載した手段によれば、電圧−
電流変換回路の入力端子と電源線との間に起動回路(抵
抗素子など)が接続されているので、例えば駆動回路内
において電圧−電流変換回路の入力端子とカレントミラ
ー回路の出力端子とが同一ノードとなるような場合にお
いても、カレントミラー回路を起動し動作させることが
できる。
【0022】請求項8に記載した手段によれば、電圧−
電流変換回路の入力端子と電圧検出点との間にオフセッ
ト電圧発生回路が接続されているので、変換用トランジ
スタのベース端子の電圧が電圧検出点の電圧に比べオフ
セット電圧だけ高くなる。その結果、変換用トランジス
タおよびカレントミラー回路にそのオフセット電圧に応
じた電流が流れ続けるので、カレントミラー回路を起動
した状態に保持することができる。また、コンデンサの
充電電圧が低い場合(例えば0V近辺)に生じ易い出力
電圧の波形歪みを低減することができる。
【0023】請求項9に記載した手段によれば、電圧検
出回路を構成する電圧−電流変換回路は、検出電圧と基
準電圧との比較結果に基づいて、出力する電流値を複数
段階に切り替え、可変電流回路は、その電流に応じたベ
ース電流を出力トランジスタに出力する。従って、出力
トランジスタにはコンデンサの充電電圧に応じたベース
電流が供給される。
【0024】請求項10に記載した手段によれば、比較
回路(例えばコンパレータ)は、検出電圧と基準電圧と
の比較結果に基づいた電圧を出力する。この電圧は、変
換用トランジスタのベース端子に与えられ、電圧VFだ
けレベルシフトされてエミッタ電圧となる。変換用トラ
ンジスタにはそのエミッタ電圧に比例したコレクタ電流
が流れ、このコレクタ電流は、可変電流回路としてのカ
レントミラー回路を介して出力トランジスタのベース電
流となる。
【0025】請求項11に記載した手段によれば、充放
電回路は、コンデンサを充放電するための第1および第
2の定電流回路を備えているので、一定電流での充放電
が可能となって、一定のスルーレートで上昇し下降する
電圧例えば台形波電圧を生成することが可能となる。
【0026】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
を台形波出力回路に適用した第1の実施形態について、
図1ないし図3を参照しながら説明する。図1は、台形
波出力回路の電気的構成図である。この図1に示す台形
波出力回路31は、車載用のICとして構成されてお
り、特に電圧検出回路32および可変電流回路33に特
徴を有している。また、ICの高電位側の電源端子34
と低電位側の電源端子35との間に電源電圧VBとして
バッテリ電圧(12V〜16V)を直接印加できるよう
にするため、本ICはMOSICに対し比較的高耐圧化
が容易なバイポーラICとして構成されている。
【0027】図1において、台形波出力回路31は、充
放電回路36、駆動回路37およびNPN型の出力トラ
ンジスタ38などから構成されている。電源端子34、
35にはそれぞれ電源線39、40が接続されており、
出力トランジスタ38のコレクタは図示極性の逆電流遮
断用のダイオード41を介して電源線39に接続され、
出力トランジスタ38のエミッタは出力端子42に接続
されている。出力端子42と電源端子35との間には負
荷43が接続されており、負荷43に対しハイサイド側
に位置する出力トランジスタ38は、負荷43に対して
電流を流し出すように動作(ソース動作)する。
【0028】上記充放電回路36において、電源線39
と40との間には定電流回路44(第1の定電流回路に
相当)、スイッチ回路45および定電流回路46(第2
の定電流回路に相当)が直列に接続されている。定電流
回路44とスイッチ回路45との共通接続点は充放電回
路36の出力端子であって、当該出力端子と電源線40
との間にコンデンサ47が接続されている。スイッチ回
路45は、例えばアナログスイッチにより構成され、端
子48を介して外部から与えられる切替信号Saに従っ
てオンオフ動作を行うようになっている。
【0029】駆動回路37は、PNP型のトランジスタ
49、NPN型のトランジスタ50およびPNP型トラ
ンジスタ51からなる3段構成の増幅回路である。各ト
ランジスタ49〜51のコレクタは、直接または逆電流
遮断用のダイオード52を介して電源線39または40
に接続されており、全てエミッタフォロアの接続形態と
なっている。1段目のトランジスタ49のベースは、駆
動回路37の入力端子であって、上記充放電回路36の
出力端子に接続されている。また、そのエミッタは、抵
抗53を介して電源線39に接続されるとともに2段目
のトランジスタ50のベースに接続されている。さら
に、トランジスタ50のエミッタは、抵抗54を介して
電源線40に接続されるとともに3段目のトランジスタ
51のベースに接続されている。トランジスタ51のエ
ミッタは、駆動回路37の出力端子であって、上記出力
トランジスタ38のベースに接続されている。
【0030】トランジスタ49のエミッタと電源線40
との間には、トランジスタ55(変換用トランジスタに
相当)と抵抗56(変換用抵抗に相当)とからなる電圧
検出回路32が接続されている。ここで、トランジスタ
55のベースはトランジスタ49のエミッタに接続さ
れ、トランジスタ55のエミッタは抵抗56を介して電
源線40に接続されている。抵抗56は、温度変化率の
小さいクロムシリコン(CrSi)から構成されてい
る。
【0031】電源線39と駆動回路37の出力端子(ト
ランジスタ51のエミッタ)との間には上記可変電流回
路33が接続されている。この可変電流回路33は、P
NP型のトランジスタ57、58からなるカレントミラ
ー回路であって、その入力側のトランジスタ57は電源
線39とトランジスタ55のコレクタとの間に接続さ
れ、その出力側のトランジスタ58は電源線39と駆動
回路37の出力端子との間に接続されている。
【0032】次に、本実施形態の動作について図2およ
び図3も参照しながら説明する。上記構成を持つ台形波
出力回路31から出力される台形波電圧は、車室内に設
置されたスイッチの状態を検出するためのバイアス回
路、あるいは車内LANを構築する場合の通信信号出力
回路などで用いられる。
【0033】図2は、上記バイアス回路の電気的構成を
示している。スイッチ59a〜59dの各一端子は、そ
れぞれ抵抗60a〜60dにより台形波出力回路31の
出力端子42にプルアップされており、電子制御装置
(ECU)内に具備されたCPU61の入力ポート61
a〜61dは、それぞれ上記各一端子に接続されてい
る。図1に示す負荷43は、これらスイッチ59a〜5
9dおよび抵抗60a〜60dから構成される回路を代
表したものである。
【0034】この場合、消費電流を低減するため、台形
波出力回路31は、CPU61がスイッチ59a〜59
dの状態を読み込む時だけ、切替信号Saに従って台形
波電圧を出力するようになっている。台形波電圧は、立
ち上がりおよび立ち下がりのスルーレートが小さいので
誘導放射が抑えられ、矩形波電圧を用いた場合に比べラ
ジオノイズを低減することができるためである。
【0035】図3は、スイッチ回路45のオンオフ状
態、コンデンサ47の端子電圧Vc(すなわち充放電回
路36の出力電圧)の波形、出力端子42における出力
電圧Voの波形および可変電流回路33が流し出す電流
Icの波形を示している。この図3において、時刻t1
に切替信号SaがLレベルになると、スイッチ回路45
がオフとなり、コンデンサ47の端子電圧Vcは、定電
流回路44から出力される一定の電流Iaにより一定の
スルーレートで上昇する。図示しないが、定電流回路4
4の出力部はカレントミラー回路から構成されており、
端子電圧Vcは,ほぼ電源電圧VBに到達するまで上昇
し、到達した時刻t3以降はその電圧VBを維持する。
【0036】一方、時刻t4において切替信号SaがH
レベルになると、スイッチ回路45がオンとなり、コン
デンサ47の端子電圧Vcは、定電流回路46の電流I
bと定電流回路44の電流Iaとの差の電流(Ib−I
a)により一定のスルーレートで下降する。定電流回路
46の出力部もカレントミラー回路から構成されてお
り、端子電圧Vcはほぼ0Vに到達するまで下降し、到
達した時刻t6以降はその電圧0Vを維持する。
【0037】このコンデンサ47の端子電圧Vcは、ト
ランジスタ49のベースに与えられ、ベース・エミッタ
間電圧VFだけレベルシフトされてエミッタに出力され
る。ここで、エミッタフォロア回路を構成するトランジ
スタ49は、入力インピーダンスが高く出力インピーダ
ンスが低いためバッファ回路として機能する。その結
果、トランジスタ49は、台形波形を持つ端子電圧Vc
を、そのままの波形で次段のトランジスタ50に伝送す
ることができる。
【0038】そのトランジスタ50およびその後段のト
ランジスタ51もエミッタフォロア回路であり、バッフ
ァ回路として動作してレベルシフトと電流増幅とを行
う。これにより、トランジスタ51のエミッタ電圧はコ
ンデンサ47の端子電圧Vcに対し電圧VFだけ高くな
る。この電圧は、さらに出力トランジスタ38のベース
・エミッタ間で電圧VFだけ低下するので、結局、出力
電圧Voはコンデンサ47の端子電圧Vcに等しくな
る。
【0039】ただし、トランジスタ58と38とにはバ
イアス電圧が必要となるため、出力電圧Voの最大値V
o(max) は、(電源電圧VB−トランジスタ58のVCE
−出力トランジスタ38のVBE)となる。従って、図3
に示すように、出力電圧Voは、時刻t1以降上記最大
値Vo(max) に到達する時刻t2までの期間コンデンサ
47の端子電圧Vcと等しく上昇し、時刻t2以降は上
記最大値Vo(max) を維持する。時刻t4以降について
も、出力電圧Voは、コンデンサ47の端子電圧Vcが
上記最大値Vo(max) に低下する時刻t5までの期間上
記最大値Vo(max) を維持し、それ以降は端子電圧Vc
と等しく下降する。
【0040】さて、負荷43は抵抗負荷であるため、出
力トランジスタ38には出力電圧Voに比例したコレク
タ電流が流れる。出力トランジスタ38を十分に駆動す
るには、このコレクタ電流を直流電流増幅率hFEで除し
ただけのベース電流が必要となる。そこで、台形波出力
回路31では、このベース電流を以下のようにして生成
している。
【0041】すなわち、トランジスタ49のエミッタ電
圧は(Vc+VF)であって、トランジスタ55のエミ
ッタ電圧は端子電圧Vcとなる。電圧検出回路32は電
圧−電流変換回路であり、トランジスタ55には(Vc
/Ra)(Raは抵抗56の抵抗値)のコレクタ電流が
流れる。このコレクタ電流は可変電流回路33を構成す
るカレントミラー回路に流れ、その結果、図3に示すよ
うにトランジスタ58にはコンデンサ47の端子電圧V
cすなわち出力電圧Voに比例した台形波電流が流れる
ことになる。この電流Icの大部分は出力トランジスタ
38のベース電流となるので、負荷43の抵抗値と上記
直流電流増幅率hFEとに応じて抵抗値Raを一旦設定す
れば、駆動回路37は、出力電圧Voの大きさにかかわ
らず、出力トランジスタ38に対して負荷43を駆動す
るのに必要且つ十分なベース電流を供給することができ
る。なお、従来構成(図11に示す台形波出力回路1に
おいて抵抗19に替えて定電流回路を用いたもの)の場
合には、上記電流Icに相当する電流は図3において一
点鎖線で示すようになり、出力電圧Voの大きさにかか
わらず一定となる。
【0042】以上述べたように、本実施形態によれば、
駆動回路37に電圧検出回路32と可変電流回路33と
を備え、出力トランジスタ38に対しコンデンサ47の
端子電圧Vcにほぼ比例したベース電流つまり負荷43
を駆動するのに必要且つ十分なベース電流を供給するよ
うに構成したので、駆動回路37に無駄な電流が流れる
ことがなくなる。これにより、台形波出力回路31の消
費電流(消費電力)を低減でき、電源となるバッテリの
容量低下やICの温度上昇を抑えることができる。この
効果は、出力電圧Voのデューティ比が小さい(出力電
圧Voが0V付近の値となる時間比率が大きい)ほど大
きくなる。
【0043】また、台形波出力回路31は、出力電圧V
oとして最大値Vo(max) (=VB−VCE−VBE)まで
出力することができるので、図12に示す従来構成に比
べてより高い電圧まで出力可能となる。従って、CPU
61は、より低いバッテリ電圧に対しても、スイッチ5
9a〜59dのオンオフ状態を正しく読み込むことがで
きるようになる。
【0044】さらに、電圧検出回路32の抵抗56を温
度変化率の小さいクロムシリコンから構成したので、当
該ICの温度が変化した場合であっても、ベース電流が
不足して出力電圧Voが低下したり、ベース電流が過剰
に流れて消費電流が必要以上に増大するといったことが
なくなる。
【0045】(第2の実施形態)次に、本発明を台形波
出力回路に適用した第2の実施形態について、図4およ
び図5を参照しながら説明する。なお、台形波出力回路
の電気的構成を示す図4において、図1と同一構成部分
には同一符号を付して示し、ここでは異なる構成部分に
ついて説明する。
【0046】図4に示す台形波出力回路62は、図1に
示す台形波出力回路31に対し、駆動回路63の構成が
一部異なっている。すなわち、駆動回路63において、
電圧検出回路32の入力端子(トランジスタ55のベー
ス)とトランジスタ49のエミッタとの間に、図示極性
のダイオード64(オフセット電圧発生回路に相当)が
接続されている。
【0047】図5は、第1の実施形態で説明した図3に
相当するものである。ダイオード64を追加すると、ト
ランジスタ55のエミッタ電圧はVFだけ高くなり(V
c+VF)となる。その結果、図5に示すように、端子
電圧Vcが0Vの場合であっても、トランジスタ55、
57、58には(VF/Ra)だけのオフセット電流が
流れ続ける。この場合、電圧VF(約0.7V)は電源
電圧VB(バッテリ電圧:12V〜16V)に比べて充
分に小さいので、上記電圧VFに基づいて流れるオフセ
ット電流も充分に小さくなり、消費電流の増加分はわず
かとなる。
【0048】ダイオード64を付加しない台形波出力回
路31にあっては、トランジスタ55のエミッタ電圧は
コンデンサ47の端子電圧Vcと等しくなる。この場
合、例えば製造プロセス上のばらつき等によりトランジ
スタ55のベース・エミッタ間電圧VFがトランジスタ
49のベース・エミッタ間電圧VFよりも大きいと、端
子電圧Vcが0V付近においてトランジスタ55、5
7、58および出力トランジスタ38のベースに電流が
流れず、出力電圧Voに歪みが生じてしまう。
【0049】これに対し、本実施形態の台形波出力回路
62にあっては、ダイオード64によりトランジスタ5
5のベース電圧が電圧VFだけ高く設定され、トランジ
スタ55、57、58には常にオフセット電流が流れて
いる。従って、端子電圧Vcが0V付近であっても出力
トランジスタ38にベース電流を供給可能となり、出力
電圧Voに歪みが生じることがなくなる。
【0050】(第3の実施形態)図6は、本発明の第3
の実施形態である台形波出力回路65の電気的構成図
で、図1と同一構成部分には同一符号を付して示してい
る。この図6において、駆動回路66のトランジスタ4
9のベースと電源線40との間には電圧検出回路67が
接続されている。この電圧検出回路67は、十分に高い
入力インピーダンスを持つ電圧−電流変換回路から構成
され、可変電流回路33に対し端子電圧Vcに比例した
電流を流すようになっている。
【0051】この電圧検出回路67は、コンデンサ47
の端子電圧Vcを直接検出するので、より正確な電圧検
出が可能となり、出力トランジスタ38のベース電流の
制御すなわち消費電流の低減制御を精度良く実行するこ
とができる。なお、本実施形態ではコンデンサ47の両
端子間に電圧検出回路67が接続されるので、コンデン
サ47の充電電荷への影響を低減するために、コンデン
サ47の静電容量を増やしたり、定電流回路44、46
の電流値Ia、Ibを大きく設定することが好ましい。
【0052】(第4の実施形態)図7は、本発明の第4
の実施形態である台形波出力回路68の電気的構成図
で、図1と同一構成部分には同一符号を付して示してい
る。この図7において、駆動回路69の2段目のトラン
ジスタ50のエミッタと電源線40との間に電圧検出回
路32が接続されている。この場合、バッファ回路とし
て機能するトランジスタ50の出力インピーダンスは低
いので、台形波出力回路31で用いた電圧検出回路32
をそのまま用いることができる。トランジスタ50のエ
ミッタ電圧は、コンデンサ47の端子電圧Vcに等しい
ので、本実施形態によっても第1の実施形態と同様の作
用および効果を得ることができる。
【0053】(第5の実施形態)上述の第1ないし第4
の実施形態では駆動回路を3段のエミッタフォロア回路
により構成したが、駆動回路の段数はこの限りでない。
図8は、本発明の第5の実施形態である台形波出力回路
70の電気的構成図であって、図1と同一構成部分には
同一符号を付して示している。この図8において、駆動
回路71は、トランジスタ49からなる1段のエミッタ
フォロア回路により構成されている。トランジスタ49
のエミッタは、出力トランジスタ38のベースに接続さ
れており、そのトランジスタ49のエミッタと電源線3
9、40との間にはそれぞれ電圧検出回路32、可変電
流回路33が接続されている。
【0054】本実施形態の駆動回路71によっても、出
力トランジスタ38に対しコンデンサ47の端子電圧V
cに比例したベース電流を流すことができ、第1の実施
形態と同様の効果を得ることができる。ただし、駆動回
路71にあっては、電圧検出回路32の入力端子(トラ
ンジスタ55のベース)が、当該電圧検出回路32の出
力電流により動作する可変電流回路33によりバイアス
されるので、トランジスタ55のベースと電源線39と
の間に起動抵抗72(起動回路に相当)が接続されてい
る。この起動抵抗72は高い抵抗値を持つので、起動抵
抗72を付加したことによる消費電流の増加はほとんど
ない。これにより、端子電圧Vcが0V付近であっても
トランジスタ49、55、57、58が常にオン動作状
態にバイアスされ、起動失敗や起動遅延を防止すること
ができる。また、出力電圧Voの波形歪みを低減するこ
とができる。
【0055】(第6の実施形態)図9は、本発明の第6
の実施形態である台形波出力回路73の電気的構成図
で、図4または図8と同一構成部分には同一符号を付し
て示している。この台形波出力回路73の駆動回路74
には、図8に示す起動抵抗72に替えて、図4に示す台
形波出力回路62と同様の抵抗53およびダイオード6
4(オフセット電圧発生回路)が付加されている。
【0056】このダイオード64の動作は、第2の実施
形態で説明した通りであって、トランジスタ49、5
5、57、58には常にオフセット電流が流れ続ける。
従って、起動失敗や起動遅延の発生を防止できるととも
に、出力電圧Voの波形歪みを低減することができる。
【0057】(第7の実施形態)図10は、本発明の第
7の実施形態である台形波出力回路75の電気的構成図
で、図1と同一構成部分には同一符号を付して示してい
る。この図10において、駆動回路76は、コンデンサ
47の端子電圧Vcを検出するための電圧検出回路77
を備えている。
【0058】この電圧検出回路77は、電圧−電流変換
回路であって、コンパレータ78(比較回路に相当)、
オープンコレクタの形態を持つNPN型のトランジスタ
79(変換用トランジスタに相当)および抵抗80〜8
3から構成されている。コンパレータ78の非反転入力
端子は充放電回路36の出力端子に接続され、反転入力
端子は基準電圧Vrを生成する図示しない基準電圧発生
回路に接続されている。また、コンパレータ78の出力
端子は、抵抗80を介してトランジスタ79のベースに
接続され、そのベースと電源線39、40との間にはそ
れぞれバイアス設定用の抵抗81、82が接続されてい
る。トランジスタ79のエミッタは抵抗83(変換用抵
抗に相当)を介して電源線40に接続され、そのコレク
タは可変電流回路33を構成するトランジスタ57のコ
レクタに接続されている。
【0059】上記構成において、端子電圧Vcが基準電
圧Vrよりも低い場合、コンパレータ78はLレベルの
電圧を出力し、トランジスタ79のベースには比較的低
い一定電圧V1が与えられる。一方、端子電圧Vcが基
準電圧Vrよりも高い場合、コンパレータ78はHレベ
ルの電圧を出力し、トランジスタ79のベースには比較
的高い一定電圧V2(>V1)が与えられる。トランジ
スタ79のエミッタ電圧はベース電圧よりもVFだけ低
くなり、トランジスタ79にはこのエミッタ電圧に比例
したコレクタ電流が流れる。このコレクタ電流は、可変
電流回路33を介して出力トランジスタ38のベース電
流となる。
【0060】この台形波出力回路75によれば、出力ト
ランジスタ38のベース電流は、端子電圧Vcつまり出
力電圧Voの大きさに応じて2段階に変化する。これに
より、出力電圧Voが低下した時に無駄に流れるベース
電流が減少し、従来構成の台形波出力回路1(図11参
照)に比べ消費電流を低減することができる。
【0061】(その他の実施形態)なお、本発明は上記
し且つ図面に示す各実施形態に限定されるものではな
く、例えば以下のように変形または拡張が可能である。
上記各実施形態では台形波電圧を出力するように構成し
たが、コンデンサ47の充放電により、台形波電圧以外
の電圧を出力するようにしても良い。各駆動回路は、エ
ミッタフォロア回路に限定されず、他の回路構成であっ
ても良い。この場合、各電圧検出回路は、コンデンサ4
7の端子電圧Vcに応じた電圧が現れるノードに接続す
れば良い。各台形波出力回路において、電源線39、4
0に対する接続形態を逆にし、且つ各トランジスタのタ
イプをPNP型とNPN型との間で替えることにより、
PNP型の出力トランジスタが負荷43に対しロウサイ
ド側に位置するように構成しても良い。この場合、出力
トランジスタは、電流吸い込み動作(シンク動作)とな
る。
【0062】第1の実施形態において、トランジスタ5
1のエミッタ電圧を検出するように電圧検出回路32を
設けても良い。この場合、第2または第5の実施形態で
示したように、ダイオード64または起動抵抗72を付
加することが好ましい。第7の実施形態において、出力
電圧Voの大きさに応じて出力トランジスタ38のベー
ス電流を2段階に変化させたが、複数のコンパレータを
備えることにより、さらに多段階に変化させるように構
成しても良い。また、比較回路はコンパレータに限られ
ない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態を示す台形波出力回路
の電気的構成図
【図2】スイッチ状態を検出するためのバイアス回路の
電気的構成図
【図3】台形波電圧を生成する場合における各部の電圧
波形を示す図
【図4】本発明の第2の実施形態を示す図1相当図
【図5】図3相当図
【図6】本発明の第3の実施形態を示す図1相当図
【図7】本発明の第4の実施形態を示す図1相当図
【図8】本発明の第5の実施形態を示す図1相当図
【図9】本発明の第6の実施形態を示す図1相当図
【図10】本発明の第7の実施形態を示す図1相当図
【図11】従来構成を示す図1相当図
【図12】他の従来構成を示す図1相当図
【符号の説明】
31、62、65、68、70、73、75は台形波出
力回路(出力回路)、32、67、77は電圧検出回
路、33は可変電流回路、36は充放電回路、37、6
3、66、69、71、74、76は駆動回路、38は
出力トランジスタ、39、40は電源線、43は負荷、
44は定電流回路(第1の定電流回路)、46は定電流
回路(第2の定電流回路)、47はコンデンサ、55、
79はトランジスタ(変換用トランジスタ)、56、8
3は抵抗(変換用抵抗)、64はダイオード(オフセッ
ト電圧発生回路)、72は起動抵抗(起動回路)、78
はコンパレータ(比較回路)である。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 コンデンサを有しこのコンデンサに対し
    て充放電を行う充放電回路と、 負荷に対して直列に接続された出力トランジスタと、 この出力トランジスタが前記負荷に対して前記コンデン
    サの充電電圧に応じた電圧を出力するように、前記コン
    デンサの充電電圧に基づいて前記出力トランジスタを駆
    動する駆動回路とを備え、 前記駆動回路は、 前記コンデンサの充電電圧を検出する電圧検出回路と、 この電圧検出回路により検出された前記コンデンサの充
    電電圧に応じたベース電流を前記出力トランジスタに対
    して出力する可変電流回路とを備えて構成されているこ
    とを特徴とする出力回路。
  2. 【請求項2】 前記電圧検出回路は、前記コンデンサの
    端子電圧を直接検出するように構成されていることを特
    徴とする請求項1記載の出力回路。
  3. 【請求項3】 前記駆動回路は、前記コンデンサの端子
    電圧を入力としエミッタフォロアの形態で1段または多
    段に接続された1または複数のトランジスタから構成さ
    れ、 前記電圧検出回路は、前記トランジスタのエミッタ端子
    の電圧を検出するように構成されていることを特徴とす
    る請求項1記載の出力回路。
  4. 【請求項4】 前記電圧検出回路は、検出電圧に応じた
    電流を出力する電圧−電流変換回路から構成され、 前記可変電流回路は、前記出力トランジスタに対して前
    記電圧−電流変換回路の出力電流に応じたベース電流を
    出力するように構成されていることを特徴とする請求項
    1ないし3の何れかに記載の出力回路。
  5. 【請求項5】 前記充放電回路および前記駆動回路は、
    一対の電源線間に接続されており、 前記電圧−電流変換回路は、オープンコレクタの形態を
    持つ変換用トランジスタと、この変換用トランジスタの
    エミッタと前記電源線との間に接続された変換用抵抗と
    から構成され、 前記可変電流回路は、カレントミラー回路から構成され
    ていることを特徴とする請求項4記載の出力回路。
  6. 【請求項6】 前記変換用抵抗は、IC化された場合に
    クロムシリコンから構成されていることを特徴とする請
    求項5記載の出力回路。
  7. 【請求項7】 前記電圧−電流変換回路の入力端子と前
    記電源線との間に起動回路が接続されていることを特徴
    とする請求項5または6記載の出力回路。
  8. 【請求項8】 前記電圧−電流変換回路の入力端子と電
    圧検出点との間に、オフセット電圧発生回路が接続され
    ていることを特徴とする請求項5または6記載の出力回
    路。
  9. 【請求項9】 前記電圧検出回路は、検出電圧と基準電
    圧との比較結果に基づいた電流を出力する電圧−電流変
    換回路から構成され、 前記可変電流回路は、前記出力トランジスタに対して前
    記電圧−電流変換回路の出力電流に応じたベース電流を
    出力するように構成されていることを特徴とする請求項
    1ないし3の何れかに記載の出力回路。
  10. 【請求項10】 前記充放電回路および前記駆動回路
    は、一対の電源線間に接続されており、 前記電圧−電流変換回路は、前記検出電圧と前記基準電
    圧とを比較する比較回路、この比較回路の出力端子に接
    続されたオープンコレクタの形態を持つ変換用トランジ
    スタおよびこの変換用トランジスタのエミッタと前記電
    源線との間に接続された変換用抵抗から構成され、 前記可変電流回路は、カレントミラー回路から構成され
    ていることを特徴とする請求項9記載の出力回路。
  11. 【請求項11】 前記充放電回路は、前記コンデンサを
    充電するための第1の定電流回路と前記コンデンサを放
    電するための第2の定電流回路とを備えていることを特
    徴とする請求項1ないし10の何れかに記載の出力回
    路。
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