JP2002151999A - 弾性表面波フィルタ装置および弾性表面波フィルタを収容するためのパッケージ - Google Patents
弾性表面波フィルタ装置および弾性表面波フィルタを収容するためのパッケージInfo
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- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
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- H03H9/02—Details
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- H03H9/02818—Means for compensation or elimination of undesirable effects
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- Acoustics & Sound (AREA)
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＡＷフィルタの基板への実装時や試験時等
において、分極でチップ基板に生ずる電荷による櫛形電
極パターンの破壊を防止できる構造のＳＡＷフィルタを
提供する。 【解決手段】 ＧＮＤ端子７４は、パッケージ７の内部
に延伸し、さらに、延伸した部分（縦方向延伸部分）か
ら横方向に延びる部分（横方向延伸部分）を有する。Ｇ
ＮＤ端子７４の縦方向延伸部分および横方向延伸部分
は、パッケージ７の内部の溝部７８において露出してい
る金属製の板状部分８０を形成する。パッケージ７にＳ
ＡＷフィルタ１００を収容する場合には、チップ基板の
裏面が板状部分８０に接触するように、ＳＡＷフィルタ
１００をパッケージ７の溝部７８に載置する。
において、分極でチップ基板に生ずる電荷による櫛形電
極パターンの破壊を防止できる構造のＳＡＷフィルタを
提供する。 【解決手段】 ＧＮＤ端子７４は、パッケージ７の内部
に延伸し、さらに、延伸した部分（縦方向延伸部分）か
ら横方向に延びる部分（横方向延伸部分）を有する。Ｇ
ＮＤ端子７４の縦方向延伸部分および横方向延伸部分
は、パッケージ７の内部の溝部７８において露出してい
る金属製の板状部分８０を形成する。パッケージ７にＳ
ＡＷフィルタ１００を収容する場合には、チップ基板の
裏面が板状部分８０に接触するように、ＳＡＷフィルタ
１００をパッケージ７の溝部７８に載置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信機器や移動
体無線通信機器において用いられる弾性表面波フィルタ
装置、および弾性表面波フィルタを収容するためのパッ
ケージに関する。
体無線通信機器において用いられる弾性表面波フィルタ
装置、および弾性表面波フィルタを収容するためのパッ
ケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波フィルタ（以下、ＳＡＷ（Su
rface Acoustic Wave ）フィルタという。）は、小型、
高安定、高精度、高信頼度、無調整等の特徴があり、光
通信機器や移動体通信機器において、高周波信号を制御
する機能素子として広く用いられている。例えば、周波
数選択素子、フィルタ素子、共振器、遅延素子などの機
能素子として使用されている。
rface Acoustic Wave ）フィルタという。）は、小型、
高安定、高精度、高信頼度、無調整等の特徴があり、光
通信機器や移動体通信機器において、高周波信号を制御
する機能素子として広く用いられている。例えば、周波
数選択素子、フィルタ素子、共振器、遅延素子などの機
能素子として使用されている。
【０００３】ＳＡＷフィルタでは、基材表面を伝搬する
弾性表面波を介して電気的な高周波信号を制御するの
で、基材として、一般に、水晶、ＬＢＯ、リチウムタン
タレート（ＬｉＴａＯ３）またはリチウムナイオベート
（ＬｉＮｂＯ３）等の圧電性材料が用いられる。以下、
圧電性材料による基材をチップ基板という。そして、図
１２に示すように、チップ基板１０上に、例えば薄膜形
成技術およびフォトリソグラフィー技術を用いて複数の
櫛形電極パターン（Interdigital Transducer ：ＩＤ
Ｔ）１１，１２，１３，１４が形成される。
弾性表面波を介して電気的な高周波信号を制御するの
で、基材として、一般に、水晶、ＬＢＯ、リチウムタン
タレート（ＬｉＴａＯ３）またはリチウムナイオベート
（ＬｉＮｂＯ３）等の圧電性材料が用いられる。以下、
圧電性材料による基材をチップ基板という。そして、図
１２に示すように、チップ基板１０上に、例えば薄膜形
成技術およびフォトリソグラフィー技術を用いて複数の
櫛形電極パターン（Interdigital Transducer ：ＩＤ
Ｔ）１１，１２，１３，１４が形成される。
【０００４】ＳＡＷフィルタでは、１対の櫛形電極パタ
ーン、または弾性表面波の進行方向に配された数対の櫛
形電極パターンが設置されるのであるが、図１２には、
２対の櫛形電極パターンが配置された例が示されてい
る。ＳＡＷフィルタは、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４が設けられている領域である表面波伝搬路に
おいて、電気的な高周波信号を弾性表面波に変換したり
弾性表面波を電気的な高周波信号に変換したりすること
によって、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の
線幅に依存した周波数を選択することができる。
ーン、または弾性表面波の進行方向に配された数対の櫛
形電極パターンが設置されるのであるが、図１２には、
２対の櫛形電極パターンが配置された例が示されてい
る。ＳＡＷフィルタは、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４が設けられている領域である表面波伝搬路に
おいて、電気的な高周波信号を弾性表面波に変換したり
弾性表面波を電気的な高周波信号に変換したりすること
によって、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の
線幅に依存した周波数を選択することができる。
【０００５】ＳＡＷフィルタは一般にパッケージに収容
された状態で使用される。以下、パッケージに収容され
た状態のＳＡＷフィルタをＳＡＷフィルタ装置という。
そして、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４は、
ＳＡＷフィルタを収容するパッケージに設けられる入力
信号電極端子または出力信号電極端子に、ボンディング
ワイヤ等で接続される。図１２に示すＳＡＷフィルタで
は、例えば、櫛形電極パターン１１が入力信号電極とな
って入力信号電極端子に接続され、櫛形電極パターン１
４が出力信号電極となって出力信号電極端子に接続され
る。また、櫛形電極パターン１２，１３が接地電極とな
って接地電極端子に接続される。
された状態で使用される。以下、パッケージに収容され
た状態のＳＡＷフィルタをＳＡＷフィルタ装置という。
そして、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４は、
ＳＡＷフィルタを収容するパッケージに設けられる入力
信号電極端子または出力信号電極端子に、ボンディング
ワイヤ等で接続される。図１２に示すＳＡＷフィルタで
は、例えば、櫛形電極パターン１１が入力信号電極とな
って入力信号電極端子に接続され、櫛形電極パターン１
４が出力信号電極となって出力信号電極端子に接続され
る。また、櫛形電極パターン１２，１３が接地電極とな
って接地電極端子に接続される。
【０００６】圧電性材料は焦電性を有するので、ＳＡＷ
フィルタ装置をプリント配線板等に実装する場合にリフ
ローによるはんだ付けが行われるときや熱衝撃試験が実
施されるとき等の周囲環境において急激な温度変化があ
るときには、分極を生じて、チップ基板１０の表面に電
荷を発生することがある。チップ基板１０の表面におい
て電荷が発生すると、電荷によって櫛形電極パターンに
電界が発生する。電荷が最も集中する部分の電界が絶縁
破壊レベルに達すると、櫛形電極パターン間で放電が生
ずる。そして、最悪の場合には、放電によってパターン
破壊を招く。
フィルタ装置をプリント配線板等に実装する場合にリフ
ローによるはんだ付けが行われるときや熱衝撃試験が実
施されるとき等の周囲環境において急激な温度変化があ
るときには、分極を生じて、チップ基板１０の表面に電
荷を発生することがある。チップ基板１０の表面におい
て電荷が発生すると、電荷によって櫛形電極パターンに
電界が発生する。電荷が最も集中する部分の電界が絶縁
破壊レベルに達すると、櫛形電極パターン間で放電が生
ずる。そして、最悪の場合には、放電によってパターン
破壊を招く。
【０００７】櫛形電極パターン間の放電を防止するため
に、図１３に示すように、ＳＡＷフィルタを収容するパ
ッケージとしてセラミックを材質とするパッケージ９１
が用いられ、さらに、パッケージ内部の底面に、めっき
や蒸着によって金属膜９２が形成される。すなわち、Ｓ
ＡＷフィルタ１００をパッケージに収容したときに、Ｓ
ＡＷフィルタ１００のチップ基板の裏面と金属膜９２と
が接触するようなセラミック製のパッケージ９１が用い
られている。そして、ＳＡＷフィルタの接地電極と金属
膜９２とが接続される。そのようなパッケージを用いれ
ば、分極が生じて電荷が発生しても、発生した電荷が金
属膜９２に逃がされて、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４の破壊が防止される。
に、図１３に示すように、ＳＡＷフィルタを収容するパ
ッケージとしてセラミックを材質とするパッケージ９１
が用いられ、さらに、パッケージ内部の底面に、めっき
や蒸着によって金属膜９２が形成される。すなわち、Ｓ
ＡＷフィルタ１００をパッケージに収容したときに、Ｓ
ＡＷフィルタ１００のチップ基板の裏面と金属膜９２と
が接触するようなセラミック製のパッケージ９１が用い
られている。そして、ＳＡＷフィルタの接地電極と金属
膜９２とが接続される。そのようなパッケージを用いれ
ば、分極が生じて電荷が発生しても、発生した電荷が金
属膜９２に逃がされて、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４の破壊が防止される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ＳＡＷフィルタのコス
トを低減させるために、プラスチック製のパッケージが
用いられることがある。ところが、プラスチック製のパ
ッケージに対して、めっきや蒸着によって金属膜を形成
することは難しい。すなわち、分極によって生じて電荷
を逃がすための手段をパッケージに設けることが難し
い。従って、図１４に示すように、プラスチック製のパ
ッケージ７とＳＡＷフィルタ１００との間に金属膜が存
在しない状態で、ＳＡＷフィルタをパッケージングせざ
るを得ない。その結果、プラスチック製のパッケージ７
を使用できるようにするために、ＳＡＷフィルタ１００
のチップ基板自体の構造を、分極が生じないような構造
にしたり分極によって生じた電荷を逃がしたりする構造
にすることが重要になっている。
トを低減させるために、プラスチック製のパッケージが
用いられることがある。ところが、プラスチック製のパ
ッケージに対して、めっきや蒸着によって金属膜を形成
することは難しい。すなわち、分極によって生じて電荷
を逃がすための手段をパッケージに設けることが難し
い。従って、図１４に示すように、プラスチック製のパ
ッケージ７とＳＡＷフィルタ１００との間に金属膜が存
在しない状態で、ＳＡＷフィルタをパッケージングせざ
るを得ない。その結果、プラスチック製のパッケージ７
を使用できるようにするために、ＳＡＷフィルタ１００
のチップ基板自体の構造を、分極が生じないような構造
にしたり分極によって生じた電荷を逃がしたりする構造
にすることが重要になっている。
【０００９】そこで、本発明は、プラスチック製のパッ
ケージに収容されたＳＡＷフィルタ装置であって、特に
ＳＡＷフィルタ装置の基板への実装時や試験時等におい
て、分極でチップ基板に生ずる電荷による櫛形電極パタ
ーンの破壊を防止できる構造のＳＡＷフィルタ装置を提
供することを目的とする。また、ＳＡＷフィルタを収容
するためのパッケージであって、プラスチック製でも、
分極によって生じた電荷を逃がすことが可能になる構造
のパッケージを提供することを目的とする。
ケージに収容されたＳＡＷフィルタ装置であって、特に
ＳＡＷフィルタ装置の基板への実装時や試験時等におい
て、分極でチップ基板に生ずる電荷による櫛形電極パタ
ーンの破壊を防止できる構造のＳＡＷフィルタ装置を提
供することを目的とする。また、ＳＡＷフィルタを収容
するためのパッケージであって、プラスチック製でも、
分極によって生じた電荷を逃がすことが可能になる構造
のパッケージを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によるＳＡＷフィ
ルタ装置は、プラスチック製のパッケージに収容される
ＳＡＷフィルタ装置であって、複数の櫛形電極パターン
の間の放電を防止する放電防止手段として、各櫛形電極
パターンの電位を共通にするための電位共通化手段、分
極によって前記チップ基板に生じた電荷を中和させるた
めの電荷中和手段、または分極によって前記チップ基板
に生じた電荷を退避させる電荷退避手段が設けられてい
ることを特徴とする。
ルタ装置は、プラスチック製のパッケージに収容される
ＳＡＷフィルタ装置であって、複数の櫛形電極パターン
の間の放電を防止する放電防止手段として、各櫛形電極
パターンの電位を共通にするための電位共通化手段、分
極によって前記チップ基板に生じた電荷を中和させるた
めの電荷中和手段、または分極によって前記チップ基板
に生じた電荷を退避させる電荷退避手段が設けられてい
ることを特徴とする。
【００１１】放電防止手段がチップ基板に設けられてい
る場合には、パッケージ側で何らの対策を施すことな
く、ＳＡＷフィルタの基板への実装時や試験時等におい
て、分極によって発生した電荷を中和したり逃がしたり
することができるので、ＳＡＷフィルタをプラスチック
製のパッケージに収容することが可能になる。すなわ
ち、プラスチック製のパッケージを使用しても、分極で
生ずる電荷によって櫛形電極パターンが破壊されること
が防止される。
る場合には、パッケージ側で何らの対策を施すことな
く、ＳＡＷフィルタの基板への実装時や試験時等におい
て、分極によって発生した電荷を中和したり逃がしたり
することができるので、ＳＡＷフィルタをプラスチック
製のパッケージに収容することが可能になる。すなわ
ち、プラスチック製のパッケージを使用しても、分極で
生ずる電荷によって櫛形電極パターンが破壊されること
が防止される。
【００１２】本発明によるＳＡＷフィルタを収容するた
めのパッケージは、パッケージの外部に延びるととも
に、パッケージの内部に延伸して板状部分を形成する金
属製の端子を含むことを特徴とする。よって、チップ基
板の裏面が金属製の板状部分に接するように、パッケー
ジにＳＡＷフィルタを収容することができる。従って、
分極によって生ずる電荷が、ＳＡＷフィルタのチップ基
板の表面側に集中することなく中和される。よって、櫛
形電極パターンにおける特定の箇所に電荷が集中してし
まうような事態を避けることができる。その結果、櫛形
電極パターン間の放電が防止される。
めのパッケージは、パッケージの外部に延びるととも
に、パッケージの内部に延伸して板状部分を形成する金
属製の端子を含むことを特徴とする。よって、チップ基
板の裏面が金属製の板状部分に接するように、パッケー
ジにＳＡＷフィルタを収容することができる。従って、
分極によって生ずる電荷が、ＳＡＷフィルタのチップ基
板の表面側に集中することなく中和される。よって、櫛
形電極パターンにおける特定の箇所に電荷が集中してし
まうような事態を避けることができる。その結果、櫛形
電極パターン間の放電が防止される。
【００１３】本発明による好ましい形態のＳＡＷフィル
タ装置は、放電防止手段がチップ基板に設けられている
ＳＡＷフィルタが、上記のパッケージに収容されている
ものである。よって、ＳＡＷフィルタ装置の内部におい
てチップ基板の裏面が金属製の板状部分に接しているの
で、分極が生じたとしても、分極によって生じた電荷が
ＳＡＷフィルタのチップ基板の表面側に集中することな
く中和される。
タ装置は、放電防止手段がチップ基板に設けられている
ＳＡＷフィルタが、上記のパッケージに収容されている
ものである。よって、ＳＡＷフィルタ装置の内部におい
てチップ基板の裏面が金属製の板状部分に接しているの
で、分極が生じたとしても、分極によって生じた電荷が
ＳＡＷフィルタのチップ基板の表面側に集中することな
く中和される。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００１５】実施の形態１．図１（Ａ）は、本発明によ
るＳＡＷフィルタの第１の実施の形態を示す平面図であ
り、図１（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第１
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、リチウムタンタレ
ート（ＬｉＴａＯ３）やリチウムナイオベート（ＬｉＮ
ｂＯ３）等の圧電性材料のチップ基板１上にＡｌ（アル
ミニウム）薄膜やＡｌ合金薄膜等で櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４が形成されているが、さらに、チ
ップ基板１と櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
との間に、電気的に高抵抗値を示す高抵抗薄膜２が形成
されている。
るＳＡＷフィルタの第１の実施の形態を示す平面図であ
り、図１（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第１
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、リチウムタンタレ
ート（ＬｉＴａＯ３）やリチウムナイオベート（ＬｉＮ
ｂＯ３）等の圧電性材料のチップ基板１上にＡｌ（アル
ミニウム）薄膜やＡｌ合金薄膜等で櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４が形成されているが、さらに、チ
ップ基板１と櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
との間に、電気的に高抵抗値を示す高抵抗薄膜２が形成
されている。
【００１６】櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
は、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージに設けられる
入力信号電極端子、出力信号電極端子および接地電極端
子に、ボンディングワイヤ（図示せず）等で接続され
る。図１に示すＳＡＷフィルタでは、例えば、櫛形電極
パターン１３が入力信号電極となって入力信号電極端子
に接続され、櫛形電極パターン１２が出力信号電極とな
って出力信号電極端子に接続される。また、櫛形電極パ
ターン１１，１４が接地電極となって接地電極端子に接
続される。
は、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージに設けられる
入力信号電極端子、出力信号電極端子および接地電極端
子に、ボンディングワイヤ（図示せず）等で接続され
る。図１に示すＳＡＷフィルタでは、例えば、櫛形電極
パターン１３が入力信号電極となって入力信号電極端子
に接続され、櫛形電極パターン１２が出力信号電極とな
って出力信号電極端子に接続される。また、櫛形電極パ
ターン１１，１４が接地電極となって接地電極端子に接
続される。
【００１７】高抵抗薄膜２として、Ｔｉ（チタン）やＳ
ｉ（シリコン）等のＭΩオーダ以上の高い抵抗率の材料
が用いられる。高抵抗薄膜２としてＳｉＯ２を採用して
もよい。また、高抵抗薄膜２の厚さは、数１００Åのオ
ーダ（１０−２μｍオーダ）である。
ｉ（シリコン）等のＭΩオーダ以上の高い抵抗率の材料
が用いられる。高抵抗薄膜２としてＳｉＯ２を採用して
もよい。また、高抵抗薄膜２の厚さは、数１００Åのオ
ーダ（１０−２μｍオーダ）である。
【００１８】高抵抗薄膜２は、蒸着やスパッタリングに
よって、チップ基板１上に形成される。さらに、スパッ
タリング等によってＡｌ等の電極パターン材料が成膜さ
れる。次いで、レジストがコーティングされた後、露光
装置等でパターニングが行われ、その後、不要部分のレ
ジストが除去された後、エッチングによって櫛形電極パ
ターン１１，１２，１３，１４が形成される。あるい
は、チップ基板１上に高抵抗薄膜２が形成された後、所
定のレジストを行ってからＡｌ等の電極パターン材料を
形成するようにしてもよい。以上のような工程によっ
て、図１に示すＳＡＷフィルタを得ることができる。
よって、チップ基板１上に形成される。さらに、スパッ
タリング等によってＡｌ等の電極パターン材料が成膜さ
れる。次いで、レジストがコーティングされた後、露光
装置等でパターニングが行われ、その後、不要部分のレ
ジストが除去された後、エッチングによって櫛形電極パ
ターン１１，１２，１３，１４が形成される。あるい
は、チップ基板１上に高抵抗薄膜２が形成された後、所
定のレジストを行ってからＡｌ等の電極パターン材料を
形成するようにしてもよい。以上のような工程によっ
て、図１に示すＳＡＷフィルタを得ることができる。
【００１９】図１に示すＳＡＷフィルタにおいて、高抵
抗薄膜２は全ての櫛形電極パターン１１，１２，１３，
１４に接している。よって、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４を同電位にすることができる。上述した
ように、ＳＡＷフィルタを収容したパッケージを通信機
器等に組み付ける際のリフローはんだ付け時やＳＡＷフ
ィルタに対する熱衝撃試験時に、ＳＡＷフィルタにおい
て、焦電効果による分極が生じ電荷が発生する可能性が
ある。分極によって電荷が発生しても、櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４が同電位になっているので、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電を防
止することができ、櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊が防止される。
抗薄膜２は全ての櫛形電極パターン１１，１２，１３，
１４に接している。よって、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４を同電位にすることができる。上述した
ように、ＳＡＷフィルタを収容したパッケージを通信機
器等に組み付ける際のリフローはんだ付け時やＳＡＷフ
ィルタに対する熱衝撃試験時に、ＳＡＷフィルタにおい
て、焦電効果による分極が生じ電荷が発生する可能性が
ある。分極によって電荷が発生しても、櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４が同電位になっているので、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電を防
止することができ、櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊が防止される。
【００２０】また、高抵抗薄膜２は、圧電性材料による
チップ基板１の表面に形成されている。すると、分極に
よって生ずる電荷が中和される。その結果、櫛形電極パ
ターン１１，１２，１３，１４における特定の箇所に電
荷が集中してしまうような事態を避けることができる。
このことからも、櫛形電極パターン１１，１２，１３，
１４間の放電が防止される。すなわち、高抵抗薄膜２を
チップ基板１と櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４との間に形成することによって、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４を同電位にし、さらに、電荷の中
和作用を発揮させることによって、分極によって生ずる
電荷に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４の破壊をより確実に防止することができる。
チップ基板１の表面に形成されている。すると、分極に
よって生ずる電荷が中和される。その結果、櫛形電極パ
ターン１１，１２，１３，１４における特定の箇所に電
荷が集中してしまうような事態を避けることができる。
このことからも、櫛形電極パターン１１，１２，１３，
１４間の放電が防止される。すなわち、高抵抗薄膜２を
チップ基板１と櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４との間に形成することによって、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４を同電位にし、さらに、電荷の中
和作用を発揮させることによって、分極によって生ずる
電荷に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４の破壊をより確実に防止することができる。
【００２１】従って、図１に示す構造のＳＡＷフィルタ
をプラスチック製のパッケージに収容した場合に、パッ
ケージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０
の焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
１に示す構造は、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、高抵抗薄膜２は非常に薄いので、弾
性表面波に与える影響は無視できる程度である。
をプラスチック製のパッケージに収容した場合に、パッ
ケージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０
の焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
１に示す構造は、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、高抵抗薄膜２は非常に薄いので、弾
性表面波に与える影響は無視できる程度である。
【００２２】実施の形態２．図２（Ａ）は、本発明によ
るＳＡＷフィルタの第２の実施の形態を示す平面図であ
り、図２（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第２
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成されているが、さらに、全ての櫛形電極パターン
１１，１２，１３，１４を覆うように、電気的に高抵抗
値を示す高抵抗薄膜２が形成されている。高抵抗薄膜２
の材質や厚さは、第１の実施の形態において用いられた
ものと同じものでよい。
るＳＡＷフィルタの第２の実施の形態を示す平面図であ
り、図２（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第２
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成されているが、さらに、全ての櫛形電極パターン
１１，１２，１３，１４を覆うように、電気的に高抵抗
値を示す高抵抗薄膜２が形成されている。高抵抗薄膜２
の材質や厚さは、第１の実施の形態において用いられた
ものと同じものでよい。
【００２３】例えば、スパッタリング技術やフォトリソ
グラフィー技術によって、チップ基板１上に櫛形電極パ
ターン１１，１２，１３，１４が形成された後、蒸着や
スパッタリング等によってチップ基板１の裏面に高抵抗
薄膜２が形成される。あるいは、高抵抗薄膜２を形成し
てから、チップ基板１上に櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４を形成してもよい。
グラフィー技術によって、チップ基板１上に櫛形電極パ
ターン１１，１２，１３，１４が形成された後、蒸着や
スパッタリング等によってチップ基板１の裏面に高抵抗
薄膜２が形成される。あるいは、高抵抗薄膜２を形成し
てから、チップ基板１上に櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４を形成してもよい。
【００２４】図２に示すＳＡＷフィルタでも、高抵抗薄
膜２は全ての櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
に接している。よって、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４を同電位にすることができる。従って、リフ
ローはんだ付けや熱衝撃試験等が行われるときに、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４が同電位になって
いるので、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４間
の放電を防止することができる。よって、図２に示す構
造でも、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の破
壊が防止される。
膜２は全ての櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
に接している。よって、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４を同電位にすることができる。従って、リフ
ローはんだ付けや熱衝撃試験等が行われるときに、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４が同電位になって
いるので、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４間
の放電を防止することができる。よって、図２に示す構
造でも、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の破
壊が防止される。
【００２５】また、図２に示す構造のＳＡＷフィルタに
おいて、高抵抗薄膜２は、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４が形成されていない部分において圧電性
材料によるチップ基板１に接触している。すると、分極
によって生ずる電荷の中和効果も期待できる。すなわ
ち、この実施の形態でも、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４における特定の箇所に電荷が集中してし
まうような事態を避けることができる。
おいて、高抵抗薄膜２は、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４が形成されていない部分において圧電性
材料によるチップ基板１に接触している。すると、分極
によって生ずる電荷の中和効果も期待できる。すなわ
ち、この実施の形態でも、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４における特定の箇所に電荷が集中してし
まうような事態を避けることができる。
【００２６】従って、図２に示す構造のＳＡＷフィルタ
をプラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッ
ケージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０
の焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
２に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、高抵抗薄膜２は非常に薄いので、弾
性表面波に与える影響は無視できる程度である。
をプラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッ
ケージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０
の焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
２に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、高抵抗薄膜２は非常に薄いので、弾
性表面波に与える影響は無視できる程度である。
【００２７】実施の形態３．図３（Ａ）は、本発明によ
るＳＡＷフィルタの第３の実施の形態を示す平面図であ
り、図３（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第３
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成されているが、さらに、チップ基板１の裏面（櫛
形電極パターン１１，１２，１３，１４が形成されてい
る面と反対の面）の全域に、導電性材料３が被覆され
る。導電性材料３は例えばＡｌやＴｉである。チップ基
板１の裏面には電極パターンは形成されないので、導電
性材料３としてＡｌ等の金属を使用することができる。
るＳＡＷフィルタの第３の実施の形態を示す平面図であ
り、図３（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第３
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成されているが、さらに、チップ基板１の裏面（櫛
形電極パターン１１，１２，１３，１４が形成されてい
る面と反対の面）の全域に、導電性材料３が被覆され
る。導電性材料３は例えばＡｌやＴｉである。チップ基
板１の裏面には電極パターンは形成されないので、導電
性材料３としてＡｌ等の金属を使用することができる。
【００２８】チップ基板１の裏面に導電性材料３による
被覆膜が形成されている場合には、分極によって生ずる
電荷が、チップ基板１の表面側に集中することなく中和
されることが期待される。よって、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４における特定の箇所に電荷が集中
してしまうような事態を避けることができる。従って、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電が防
止される。
被覆膜が形成されている場合には、分極によって生ずる
電荷が、チップ基板１の表面側に集中することなく中和
されることが期待される。よって、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４における特定の箇所に電荷が集中
してしまうような事態を避けることができる。従って、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電が防
止される。
【００２９】図３に示す構造のＳＡＷフィルタをプラス
チック製のパッケージに収容した場合も、パッケージ側
で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の焦電効
果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。すなわち、図３に示す
構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージとしてプ
ラスチック製のパッケージを用いた場合に特に有効であ
る。
チック製のパッケージに収容した場合も、パッケージ側
で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の焦電効
果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。すなわち、図３に示す
構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージとしてプ
ラスチック製のパッケージを用いた場合に特に有効であ
る。
【００３０】実施の形態４．図４（Ａ）は、本発明によ
るＳＡＷフィルタの第４の実施の形態を示す平面図であ
り、図４（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第４
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成され、さらに、チップ基板１の裏面の全域にＡｌ
等の導電性材料３による被覆膜が被覆されるとともに、
接地電極となる櫛形電極パターンとチップ基板１の裏面
の金属膜とが導電性材料３で接続される。図４には、櫛
形電極パターン１４と金属膜とが導電性材料３で接続さ
れている例が示されている。
るＳＡＷフィルタの第４の実施の形態を示す平面図であ
り、図４（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第４
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成され、さらに、チップ基板１の裏面の全域にＡｌ
等の導電性材料３による被覆膜が被覆されるとともに、
接地電極となる櫛形電極パターンとチップ基板１の裏面
の金属膜とが導電性材料３で接続される。図４には、櫛
形電極パターン１４と金属膜とが導電性材料３で接続さ
れている例が示されている。
【００３１】チップ基板１の裏面に導電性材料３による
被覆膜が形成されて、さらに、櫛形電極パターンと導電
性の被覆膜とが導電性材料３で接続されている場合に
は、焦電効果にもとづく分極によって生ずる電荷の中和
を期待できるとともに、分極によって生じた電荷を櫛形
電極パターンを介して導電性の被覆膜に逃がすことがで
きる。よって、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４における特定の箇所に電荷が集中してしまうような事
態を、より効果的に避けることができる。従って、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電が、さら
に効果的に防止される。
被覆膜が形成されて、さらに、櫛形電極パターンと導電
性の被覆膜とが導電性材料３で接続されている場合に
は、焦電効果にもとづく分極によって生ずる電荷の中和
を期待できるとともに、分極によって生じた電荷を櫛形
電極パターンを介して導電性の被覆膜に逃がすことがで
きる。よって、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４における特定の箇所に電荷が集中してしまうような事
態を、より効果的に避けることができる。従って、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電が、さら
に効果的に防止される。
【００３２】従って、図４に示す構造のＳＡＷフィルタ
をプラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッ
ケージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０
の焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
４に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図４に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
をプラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッ
ケージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０
の焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
４に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図４に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
【００３３】実施の形態５．図５（Ａ）は、本発明によ
るＳＡＷフィルタの第５の実施の形態を示す平面図であ
り、図５（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第５
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成され、さらに、チップ基板１の表面側の周囲部分
が、金属等の導電性材料３の膜で覆われている。導電性
材料３の膜は、ＳＡＷフィルタにおける表面波伝搬路の
部分を覆うことはない。
るＳＡＷフィルタの第５の実施の形態を示す平面図であ
り、図５（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第５
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成され、さらに、チップ基板１の表面側の周囲部分
が、金属等の導電性材料３の膜で覆われている。導電性
材料３の膜は、ＳＡＷフィルタにおける表面波伝搬路の
部分を覆うことはない。
【００３４】チップ基板１の表面側の周囲部分に導電性
材料３による膜が形成されている場合には、分極によっ
て電荷が生じても、電荷は導電性の膜の側に逃げ、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４の部分に集中する
ことはない。すなわち、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４における特定の箇所に電荷が集中してしまう
ような事態を避けることができ、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４間の放電が防止される。特定の箇
所への電荷の集中を回避することができるので、導電性
材料３による膜は、実質的に、チップ基板１において電
荷を中和させる作用を果たしているといえる。
材料３による膜が形成されている場合には、分極によっ
て電荷が生じても、電荷は導電性の膜の側に逃げ、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４の部分に集中する
ことはない。すなわち、櫛形電極パターン１１，１２，
１３，１４における特定の箇所に電荷が集中してしまう
ような事態を避けることができ、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４間の放電が防止される。特定の箇
所への電荷の集中を回避することができるので、導電性
材料３による膜は、実質的に、チップ基板１において電
荷を中和させる作用を果たしているといえる。
【００３５】従って、図５示す構造のＳＡＷフィルタを
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
５に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図５に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
５に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図５に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
【００３６】実施の形態６．図６（Ａ）は、本発明によ
るＳＡＷフィルタの第６の実施の形態を示す平面図であ
り、図６（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第６
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成され、さらに、櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４同士がＴｉ等の高抵抗値を示す細いパターン４
１で接続されている。
るＳＡＷフィルタの第６の実施の形態を示す平面図であ
り、図６（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。第６
の実施の形態のＳＡＷフィルタでは、圧電性材料のチッ
プ基板１上に櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
が形成され、さらに、櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４同士がＴｉ等の高抵抗値を示す細いパターン４
１で接続されている。
【００３７】図６に示す例では、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４同士を接続するために、チップ基
板１の表面側の周囲部分に高抵抗値を示すパターン（高
抵抗パターン）４が形成されている。そして、各パター
ン４１が高抵抗パターン４に接続されることによって、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４同士が接続さ
れる。高抵抗パターン４の材質はパターン４１の材質と
同じである。なお、高抵抗パターン４は、ＳＡＷフィル
タにおける表面波伝搬路の部分を覆うことはない。ま
た、パターン４１の太さは、弾性表面波に影響を与えな
いような太さである。
１，１２，１３，１４同士を接続するために、チップ基
板１の表面側の周囲部分に高抵抗値を示すパターン（高
抵抗パターン）４が形成されている。そして、各パター
ン４１が高抵抗パターン４に接続されることによって、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４同士が接続さ
れる。高抵抗パターン４の材質はパターン４１の材質と
同じである。なお、高抵抗パターン４は、ＳＡＷフィル
タにおける表面波伝搬路の部分を覆うことはない。ま
た、パターン４１の太さは、弾性表面波に影響を与えな
いような太さである。
【００３８】図６に示すＳＡＷフィルタにおいて、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４同士が接続される
ことによってそれらは同電位になるので、櫛形電極パタ
ーン１１，１２，１３，１４間の放電を防止することが
できる。その結果、櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊が防止される。
電極パターン１１，１２，１３，１４同士が接続される
ことによってそれらは同電位になるので、櫛形電極パタ
ーン１１，１２，１３，１４間の放電を防止することが
できる。その結果、櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊が防止される。
【００３９】従って、図６示す構造のＳＡＷフィルタを
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
６に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図６に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
６に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図６に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
【００４０】実施の形態７．図７は、本発明によるＳＡ
Ｗフィルタの第７の実施の形態における一部分を示す平
面図である。第７の実施の形態のＳＡＷフィルタも、圧
電性材料のチップ基板１上に櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４が形成されているものであるが、図７に
示すように、チップ基板１の表面において、櫛形電極パ
ターン１２，１４の一部が延伸され、第１のパターンと
してのパターン５１を形成している。なお、図７では、
２つの櫛形電極パターンのうちの１対が図示されてい
る。
Ｗフィルタの第７の実施の形態における一部分を示す平
面図である。第７の実施の形態のＳＡＷフィルタも、圧
電性材料のチップ基板１上に櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４が形成されているものであるが、図７に
示すように、チップ基板１の表面において、櫛形電極パ
ターン１２，１４の一部が延伸され、第１のパターンと
してのパターン５１を形成している。なお、図７では、
２つの櫛形電極パターンのうちの１対が図示されてい
る。
【００４１】さらに、パターン５１と同じ線幅の第２の
パターンとしてのパターン５２が、間隙５３を挟んで形
成されている。そして、ダミー電極パターン５が形成さ
れ、パターン５２はダミー電極パターン５に接続されて
いる。なお、間隙５３の幅（パターン５１，５２間の長
さ）は、櫛型電極パターン１１，１３と櫛形電極パター
ン１２，１４との間の間隔よりも狭い。また、パターン
５１，５２の線幅は、櫛型電極パターン１１，１２，１
３，１４のパターン幅よりも狭い。
パターンとしてのパターン５２が、間隙５３を挟んで形
成されている。そして、ダミー電極パターン５が形成さ
れ、パターン５２はダミー電極パターン５に接続されて
いる。なお、間隙５３の幅（パターン５１，５２間の長
さ）は、櫛型電極パターン１１，１３と櫛形電極パター
ン１２，１４との間の間隔よりも狭い。また、パターン
５１，５２の線幅は、櫛型電極パターン１１，１２，１
３，１４のパターン幅よりも狭い。
【００４２】図７に示すように形成されているＳＡＷフ
ィルタでは、間隙５３の幅が櫛型電極パターン１１，１
３と櫛形電極パターン１２，１４との間の間隔よりも狭
いので、チップ基板１に分極が生じて電荷が発生し放電
が発生するような場合、間隙５３において放電が生ず
る。すなわち、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４間の放電を防止することができ、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４の破壊を防止することができる。
ィルタでは、間隙５３の幅が櫛型電極パターン１１，１
３と櫛形電極パターン１２，１４との間の間隔よりも狭
いので、チップ基板１に分極が生じて電荷が発生し放電
が発生するような場合、間隙５３において放電が生ず
る。すなわち、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４間の放電を防止することができ、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４の破壊を防止することができる。
【００４３】従って、図７示す構造のＳＡＷフィルタを
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
７に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図７に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
７に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図７に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
【００４４】間隙５３において放電が生ずると電気的な
ノイズが発生するが、分極による電荷が発生するのはリ
フローはんだ付けや熱衝撃試験等が行われるときであ
り、ＳＡＷフィルタが実稼働しているときではない。よ
って、電気的なノイズが生じても問題になることはな
い。
ノイズが発生するが、分極による電荷が発生するのはリ
フローはんだ付けや熱衝撃試験等が行われるときであ
り、ＳＡＷフィルタが実稼働しているときではない。よ
って、電気的なノイズが生じても問題になることはな
い。
【００４５】実施の形態８．図８は、本発明によるＳＡ
Ｗフィルタの第７の実施の形態における一部分を示す平
面図である。第８の実施の形態のＳＡＷフィルタも、圧
電性材料のチップ基板１上に櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４が形成されているものであるが、図８に
示すように、各櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４の先端や角が丸まった形状とされる。すなわち、各櫛
形電極パターン１１，１２，１３，１４において、対に
なる櫛形電極パターンに対向する部分６１，６２，６
３，６４が丸まった形状になっている。
Ｗフィルタの第７の実施の形態における一部分を示す平
面図である。第８の実施の形態のＳＡＷフィルタも、圧
電性材料のチップ基板１上に櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４が形成されているものであるが、図８に
示すように、各櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４の先端や角が丸まった形状とされる。すなわち、各櫛
形電極パターン１１，１２，１３，１４において、対に
なる櫛形電極パターンに対向する部分６１，６２，６
３，６４が丸まった形状になっている。
【００４６】櫛形電極パターンに対向する部分６１，６
２，６３，６４が尖鋭にはなっていないので、チップ基
板１に分極が生じ電荷が発生しても、櫛形電極パターン
１１，１２，１３，１４の間での放電が発生しにくくな
る。すなわち、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４間の放電を防止することができ、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４の破壊を防止することができる。
２，６３，６４が尖鋭にはなっていないので、チップ基
板１に分極が生じ電荷が発生しても、櫛形電極パターン
１１，１２，１３，１４の間での放電が発生しにくくな
る。すなわち、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１
４間の放電を防止することができ、櫛形電極パターン１
１，１２，１３，１４の破壊を防止することができる。
【００４７】従って、図８示す構造のＳＡＷフィルタを
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
８に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図８に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
プラスチック製のパッケージに収容した場合も、パッケ
ージ側で何らの対策を施すことなく、チップ基板１０の
焦電効果に起因する櫛形電極パターン１１，１２，１
３，１４の破壊を防止することができる。すなわち、図
８に示す構造も、ＳＡＷフィルタを収容するパッケージ
としてプラスチック製のパッケージを用いた場合に特に
有効である。なお、図８に示す構造のＳＡＷフィルタを
セラミック製のパッケージに収容すれば、セラミック製
のパッケージの底面に金属膜を形成する等の対策を講ず
ることなく、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４
の破壊を防止することができる。
【００４８】上記の実施の形態１〜８において採用され
た構造は、それぞれ、パッケージ側で何らの対策を施す
ことなく、チップ基板１０の焦電効果に起因する櫛形電
極パターン１１，１２，１３，１４の破壊を防止するこ
とができるような構造である。しかし、実施の形態１〜
８において採用された構造のうちの２つまたは３つ以上
の構造を組み合わせることもできる。複数の構造を組み
合わせた場合には、焦電効果に起因する櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４の破壊をより確実に防止する
ことができる。
た構造は、それぞれ、パッケージ側で何らの対策を施す
ことなく、チップ基板１０の焦電効果に起因する櫛形電
極パターン１１，１２，１３，１４の破壊を防止するこ
とができるような構造である。しかし、実施の形態１〜
８において採用された構造のうちの２つまたは３つ以上
の構造を組み合わせることもできる。複数の構造を組み
合わせた場合には、焦電効果に起因する櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４の破壊をより確実に防止する
ことができる。
【００４９】なお、実施の形態１〜５において採用され
た構造では、実質的に電荷中和または電荷拡散の作用を
果たす電荷中和手段が実現されている。また、実施の形
態１，２では電荷中和手段とともに電位共通化手段も実
現され、実施の形態４，５では電荷中和手段とともに電
荷退避手段も実現されている。そして、実施の形態６に
おいて採用された構造では、電位共通化手段が実現され
ている。
た構造では、実質的に電荷中和または電荷拡散の作用を
果たす電荷中和手段が実現されている。また、実施の形
態１，２では電荷中和手段とともに電位共通化手段も実
現され、実施の形態４，５では電荷中和手段とともに電
荷退避手段も実現されている。そして、実施の形態６に
おいて採用された構造では、電位共通化手段が実現され
ている。
【００５０】実施の形態９．図９（Ａ）は、ＳＡＷフィ
ルタを収容するのに適したパッケージの一構成例を示す
平面図、図９（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図、図９
（Ｃ）はＣ−Ｃ断面を示す断面図である。なお、図９
（Ｃ）には、パッド部と端子との接続関係を明示するた
めに、Ｃ−Ｃ断面には現れないパッド部７１ａ，７２
ａ，７３ａ，７５ａ，７６ａも示されている。パッケー
ジ７は、プラスチックで一体形成されている。図９に示
す例では、パッケージ７の平面形状は長方形であり、周
囲部分が壁状になっている。また、中央部分にはＳＡＷ
フィルタを設置するための長方形の溝部７８が形成され
る。
ルタを収容するのに適したパッケージの一構成例を示す
平面図、図９（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図、図９
（Ｃ）はＣ−Ｃ断面を示す断面図である。なお、図９
（Ｃ）には、パッド部と端子との接続関係を明示するた
めに、Ｃ−Ｃ断面には現れないパッド部７１ａ，７２
ａ，７３ａ，７５ａ，７６ａも示されている。パッケー
ジ７は、プラスチックで一体形成されている。図９に示
す例では、パッケージ７の平面形状は長方形であり、周
囲部分が壁状になっている。また、中央部分にはＳＡＷ
フィルタを設置するための長方形の溝部７８が形成され
る。
【００５１】周囲部分に形成される壁状の部分（壁部）
７７と中央部分の溝部７８との間の棚状の部分７９に
は、複数のパッド部７１ａ，７２ａ，７３ａ，７５ａ，
７６ａが形成されている。さらに、パッケージ７の内部
から外部に延伸する金属製の端子７１，７２，７２，７
４，７５，７６が設けられている。端子７１，７２，７
２，７４，７５，７６のうちの端子７４は、接地端子
（ＧＮＤ端子）として使用される。各パッド部７１ａ，
７２ａ，７３ａ，７５ａ，７６ａは、対応する端子７
１，７２，７２，７５，７６と一体形成されている。
７７と中央部分の溝部７８との間の棚状の部分７９に
は、複数のパッド部７１ａ，７２ａ，７３ａ，７５ａ，
７６ａが形成されている。さらに、パッケージ７の内部
から外部に延伸する金属製の端子７１，７２，７２，７
４，７５，７６が設けられている。端子７１，７２，７
２，７４，７５，７６のうちの端子７４は、接地端子
（ＧＮＤ端子）として使用される。各パッド部７１ａ，
７２ａ，７３ａ，７５ａ，７６ａは、対応する端子７
１，７２，７２，７５，７６と一体形成されている。
【００５２】ＧＮＤ端子７４は、パッケージ７の内部に
延伸し、さらに、延伸した部分（縦方向延伸部分）から
横方向に延びる部分（横方向延伸部分）を有する。ＧＮ
Ｄ端子７４の縦方向延伸部分および横方向延伸部分は、
パッケージ７の内部の溝部７８において露出している金
属製の板状部分８０を形成する。なお、図９に示す例で
は１つのＧＮＤ端子７４が設けられているが、複数のＧ
ＮＤ端子を設けてもよい。例えば、２つのＧＮＤ端子が
設けられる場合には、各ＧＮＤ端子が、溝部７８におい
て露出している板状部分８０と一体化される。その場合
には、溝部７８において露出している板状部分８０が２
箇所で支持されるので、板状部分８０の姿勢が安定す
る。
延伸し、さらに、延伸した部分（縦方向延伸部分）から
横方向に延びる部分（横方向延伸部分）を有する。ＧＮ
Ｄ端子７４の縦方向延伸部分および横方向延伸部分は、
パッケージ７の内部の溝部７８において露出している金
属製の板状部分８０を形成する。なお、図９に示す例で
は１つのＧＮＤ端子７４が設けられているが、複数のＧ
ＮＤ端子を設けてもよい。例えば、２つのＧＮＤ端子が
設けられる場合には、各ＧＮＤ端子が、溝部７８におい
て露出している板状部分８０と一体化される。その場合
には、溝部７８において露出している板状部分８０が２
箇所で支持されるので、板状部分８０の姿勢が安定す
る。
【００５３】図１０は、図９に示すパッケージ７にＳＡ
Ｗフィルタ１００が収容された様子を示す平面図であ
る。パッケージ７にＳＡＷフィルタ１００を収容する場
合には、まず、チップ基板の裏面が板状部分８０に接触
するように、ＳＡＷフィルタ１００をパッケージ７の溝
部７８に載置する。そして、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４と所定のパッド部７１ａ，７２ａ，７５
ａ，７６ａとの間を、ボンディングワイヤ７１ｂ，７２
ｂ，７５ｂ，７６ｂで接続する。その後、パッケージ７
の上面をプラスチック等で塞ぐ。
Ｗフィルタ１００が収容された様子を示す平面図であ
る。パッケージ７にＳＡＷフィルタ１００を収容する場
合には、まず、チップ基板の裏面が板状部分８０に接触
するように、ＳＡＷフィルタ１００をパッケージ７の溝
部７８に載置する。そして、櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４と所定のパッド部７１ａ，７２ａ，７５
ａ，７６ａとの間を、ボンディングワイヤ７１ｂ，７２
ｂ，７５ｂ，７６ｂで接続する。その後、パッケージ７
の上面をプラスチック等で塞ぐ。
【００５４】図９に示すパッケージ７には、金属製の板
状部分８０が存在する。そして、板状部分８０は、ＧＮ
Ｄ端子７４と一体化されている。よって、ＳＡＷフィル
タ１００がパッケージ７に収容されると、チップ基板の
裏面に金属板が接する状態になる。すると、パッケージ
７にＳＡＷフィルタ１００が収容された状態では、図３
に示す第３の実施の形態の状態に類似した状態になる。
従って、分極によって生ずる電荷が、ＳＡＷフィルタ１
００のチップ基板の表面側に集中することなく中和され
ることが期待される。よって、櫛形電極パターン１１，
１２，１３，１４における特定の箇所に電荷が集中して
しまうような事態を避けることができる。よって、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電が防止さ
れる。
状部分８０が存在する。そして、板状部分８０は、ＧＮ
Ｄ端子７４と一体化されている。よって、ＳＡＷフィル
タ１００がパッケージ７に収容されると、チップ基板の
裏面に金属板が接する状態になる。すると、パッケージ
７にＳＡＷフィルタ１００が収容された状態では、図３
に示す第３の実施の形態の状態に類似した状態になる。
従って、分極によって生ずる電荷が、ＳＡＷフィルタ１
００のチップ基板の表面側に集中することなく中和され
ることが期待される。よって、櫛形電極パターン１１，
１２，１３，１４における特定の箇所に電荷が集中して
しまうような事態を避けることができる。よって、櫛形
電極パターン１１，１２，１３，１４間の放電が防止さ
れる。
【００５５】また、例えば、パッケージ７の外（例えば
プリント配線板上）で、ＧＮＤ端子７４と導通をとるこ
とによって、ＧＮＤ端子７４と接地電極となる櫛形電極
パターンとを接続することも可能である。ＧＮＤ端子７
４と櫛形電極パターンとが接続されている状態では、図
４に示す第４の実施の形態の状態に類似した状態にな
る。その状態では、焦電効果にもとづく分極によって生
ずる電荷の中和を期待できるとともに、分極によって生
じた電荷を櫛形電極パターンを介してチップ基板裏面に
位置する金属板に逃がすことができる。よって、櫛形電
極パターン１１，１２，１３，１４における特定の箇所
に電荷が集中してしまうような事態を、より効果的に避
けることができる。
プリント配線板上）で、ＧＮＤ端子７４と導通をとるこ
とによって、ＧＮＤ端子７４と接地電極となる櫛形電極
パターンとを接続することも可能である。ＧＮＤ端子７
４と櫛形電極パターンとが接続されている状態では、図
４に示す第４の実施の形態の状態に類似した状態にな
る。その状態では、焦電効果にもとづく分極によって生
ずる電荷の中和を期待できるとともに、分極によって生
じた電荷を櫛形電極パターンを介してチップ基板裏面に
位置する金属板に逃がすことができる。よって、櫛形電
極パターン１１，１２，１３，１４における特定の箇所
に電荷が集中してしまうような事態を、より効果的に避
けることができる。
【００５６】つまり、この実施の形態のパッケージ７を
使用すれば、分極によって生ずる電荷に対する対策をＳ
ＡＷフィルタ自体の側でとらなくても、櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４の破壊を防止することができ
る。ただし、上記の実施の形態１〜８に示されたような
対策が施されたＳＡＷフィルタを図９に示すパッケージ
７に収容すれば、櫛形電極パターン１１，１２，１３，
１４の破壊をさらに確実に防止することができる。すな
わち、実施の形態１〜８によるＳＡＷフィルタが図９に
示すパッケージ７に収容されたＳＡＷフィルタ装置は、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の破壊に対す
る耐性がより強くなる。
使用すれば、分極によって生ずる電荷に対する対策をＳ
ＡＷフィルタ自体の側でとらなくても、櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４の破壊を防止することができ
る。ただし、上記の実施の形態１〜８に示されたような
対策が施されたＳＡＷフィルタを図９に示すパッケージ
７に収容すれば、櫛形電極パターン１１，１２，１３，
１４の破壊をさらに確実に防止することができる。すな
わち、実施の形態１〜８によるＳＡＷフィルタが図９に
示すパッケージ７に収容されたＳＡＷフィルタ装置は、
櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の破壊に対す
る耐性がより強くなる。
【００５７】なお、図９に示すパッケージ７では、金属
製の板状部分８０は、ＧＮＤ端子７４と一体化されてい
る。よって、パッケージ７に端子７１〜７６を形成する
際に、「く」字型の金属板をＧＮＤ端子７４として作り
込むだけで、金属製の板状部分８０が形成される。すな
わち、端子７１〜７６を形成すると同時に板状部分８０
が形成される。よって、パッケージ７を作成するための
工程が複雑になることはない。従って、セラミック製の
パッケージに図９に示す構造を採用することもできる
が、その場合、パッケージ内部の底面にめっきや蒸着に
よって金属膜９２を形成する場合に比べて製造工程を簡
略化することができる。
製の板状部分８０は、ＧＮＤ端子７４と一体化されてい
る。よって、パッケージ７に端子７１〜７６を形成する
際に、「く」字型の金属板をＧＮＤ端子７４として作り
込むだけで、金属製の板状部分８０が形成される。すな
わち、端子７１〜７６を形成すると同時に板状部分８０
が形成される。よって、パッケージ７を作成するための
工程が複雑になることはない。従って、セラミック製の
パッケージに図９に示す構造を採用することもできる
が、その場合、パッケージ内部の底面にめっきや蒸着に
よって金属膜９２を形成する場合に比べて製造工程を簡
略化することができる。
【００５８】実施の形態１０．さらに、図９に示すパッ
ケージ７にＳＡＷフィルタ１００を収容するときに、図
１１に示すように、導電性接着剤８１によってＳＡＷフ
ィルタ１００をパッケージ７に固定するようにしてもよ
い。図１１に示すように、金属製の板状部分８０はＳＡ
Ｗフィルタ１００とパッケージ７との間に位置している
ので、導電性接着剤８１によってＳＡＷフィルタ１００
がパッケージ７に固着されるときに、ＳＡＷフィルタ１
００と板状部分８０との間の接続も強固になる。従っ
て、ＳＡＷフィルタ１００と金属製の板状部分８０との
間の電気的導通をより確実にすることができる。
ケージ７にＳＡＷフィルタ１００を収容するときに、図
１１に示すように、導電性接着剤８１によってＳＡＷフ
ィルタ１００をパッケージ７に固定するようにしてもよ
い。図１１に示すように、金属製の板状部分８０はＳＡ
Ｗフィルタ１００とパッケージ７との間に位置している
ので、導電性接着剤８１によってＳＡＷフィルタ１００
がパッケージ７に固着されるときに、ＳＡＷフィルタ１
００と板状部分８０との間の接続も強固になる。従っ
て、ＳＡＷフィルタ１００と金属製の板状部分８０との
間の電気的導通をより確実にすることができる。
【００５９】以上に説明したように、実施の形態１〜８
では、ＳＡＷフィルタのチップ基板１自体の構造が分極
によって生じた電荷を中和したり逃がしたりすることが
できる構造になっている。従って、そのようなＳＡＷフ
ィルタをプラスチック製のパッケージに収容した場合
に、周囲環境において急激な温度変化があっても櫛形電
極パターン１１，１２，１３，１４の破壊を防止するこ
とができる。換言すれば、実施の形態１〜８による構造
のＳＡＷフィルタがプラスチック製のパッケージに収容
されているＳＡＷフィルタ装置では、周囲環境において
急激な温度変化があっても櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４の破壊を防止することができる。なお、
実施の形態１〜８に示された構造のチップ基板１をセラ
ミック製のパッケージに収容することも可能である。
では、ＳＡＷフィルタのチップ基板１自体の構造が分極
によって生じた電荷を中和したり逃がしたりすることが
できる構造になっている。従って、そのようなＳＡＷフ
ィルタをプラスチック製のパッケージに収容した場合
に、周囲環境において急激な温度変化があっても櫛形電
極パターン１１，１２，１３，１４の破壊を防止するこ
とができる。換言すれば、実施の形態１〜８による構造
のＳＡＷフィルタがプラスチック製のパッケージに収容
されているＳＡＷフィルタ装置では、周囲環境において
急激な温度変化があっても櫛形電極パターン１１，１
２，１３，１４の破壊を防止することができる。なお、
実施の形態１〜８に示された構造のチップ基板１をセラ
ミック製のパッケージに収容することも可能である。
【００６０】また、実施の形態９，１０では、パッケー
ジ７において、ＳＡＷフィルタが収容されるときにチッ
プ基板の裏面が接触する金属板を、めっきや蒸着を用い
ることなく形成することができる。実施の形態９，１０
に示されたパッケージ７を使用すれば、分極によって生
ずる電荷に対する対策をＳＡＷフィルタ自体の側でとら
なくても、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の
破壊を防止することができる。つまり、実施の形態１〜
８に示された対策が施されていないようなＳＡＷフィル
タでも、パッケージ７に収容されることによって、周囲
環境において急激な温度変化があっても櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４の破壊を防止することができ
る。
ジ７において、ＳＡＷフィルタが収容されるときにチッ
プ基板の裏面が接触する金属板を、めっきや蒸着を用い
ることなく形成することができる。実施の形態９，１０
に示されたパッケージ７を使用すれば、分極によって生
ずる電荷に対する対策をＳＡＷフィルタ自体の側でとら
なくても、櫛形電極パターン１１，１２，１３，１４の
破壊を防止することができる。つまり、実施の形態１〜
８に示された対策が施されていないようなＳＡＷフィル
タでも、パッケージ７に収容されることによって、周囲
環境において急激な温度変化があっても櫛形電極パター
ン１１，１２，１３，１４の破壊を防止することができ
る。
【００６１】
【発明の効果】本発明によれば、ＳＡＷフィルタ装置に
おいて、チップ基板自体に放電防止手段を備えた構造に
なっているので、何らの放電破壊対策も施されていない
プラスチック製のパッケージを使用しても、特にＳＡＷ
フィルタの基板への実装時や試験時等において、分極で
生ずる電荷によって櫛形電極パターンが破壊されること
が防止される。
おいて、チップ基板自体に放電防止手段を備えた構造に
なっているので、何らの放電破壊対策も施されていない
プラスチック製のパッケージを使用しても、特にＳＡＷ
フィルタの基板への実装時や試験時等において、分極で
生ずる電荷によって櫛形電極パターンが破壊されること
が防止される。
【００６２】また、本発明によれば、ＳＡＷフィルタを
収容するためのパッケージが、パッケージの外部に延び
るとともにパッケージの内部に延伸して板状部分を形成
する金属製の端子を含む構造になっているので、チップ
基板の裏面が金属製の板状部分に接するように、パッケ
ージにＳＡＷフィルタを収容することができる。その結
果、分極によって生ずる電荷が、ＳＡＷフィルタのチッ
プ基板の表面側に集中することなく中和される。
収容するためのパッケージが、パッケージの外部に延び
るとともにパッケージの内部に延伸して板状部分を形成
する金属製の端子を含む構造になっているので、チップ
基板の裏面が金属製の板状部分に接するように、パッケ
ージにＳＡＷフィルタを収容することができる。その結
果、分極によって生ずる電荷が、ＳＡＷフィルタのチッ
プ基板の表面側に集中することなく中和される。
【００６３】さらに、本発明によれば、ＳＡＷフィルタ
装置が、パッケージの外部に延びるとともにパッケージ
の内部に延伸して板状部分を形成する金属製の端子を含
む構造のパッケージに、放電防止手段がチップ基板に設
けられているＳＡＷフィルタが収容されている構造にし
たので、ＳＡＷフィルタ装置の内部においてチップ基板
の裏面が金属製の板状部分に接しているので、分極が生
じたとしても、分極によって生じた電荷がＳＡＷフィル
タのチップ基板の表面側に集中することなく中和され
る。
装置が、パッケージの外部に延びるとともにパッケージ
の内部に延伸して板状部分を形成する金属製の端子を含
む構造のパッケージに、放電防止手段がチップ基板に設
けられているＳＡＷフィルタが収容されている構造にし
たので、ＳＡＷフィルタ装置の内部においてチップ基板
の裏面が金属製の板状部分に接しているので、分極が生
じたとしても、分極によって生じた電荷がＳＡＷフィル
タのチップ基板の表面側に集中することなく中和され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施の形態を示す平面図およ
び断面図である。
び断面図である。
【図２】 本発明の第２の実施の形態を示す平面図およ
び断面図である。
び断面図である。
【図３】 本発明の第３の実施の形態を示す平面図およ
び断面図である。
び断面図である。
【図４】 本発明の第４の実施の形態を示す平面図およ
び断面図である。
び断面図である。
【図５】 本発明の第５の実施の形態を示す平面図およ
び断面図である。
び断面図である。
【図６】 本発明の第６の実施の形態を示す平面図およ
び断面図である。
び断面図である。
【図７】 本発明の第７の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図８】 本発明の第８の実施の形態を示す平面図であ
る。
る。
【図９】 ＳＡＷフィルタを収容するのに適したパッケ
ージの一構成例を示す平面図および断面図である。
ージの一構成例を示す平面図および断面図である。
【図１０】 パッケージにＳＡＷフィルタが収容された
様子を示す平面図である。
様子を示す平面図である。
【図１１】 導電性接着剤によってＳＡＷフィルタを固
着したパッケージを示す断面図である。
着したパッケージを示す断面図である。
【図１２】 ２対の櫛形電極パターンが配置されたＳＡ
Ｗフィルタを示す平面図である。
Ｗフィルタを示す平面図である。
【図１３】 セラミック製のパッケージにＳＡＷフィル
タが収容された様子を示す断面図である。
タが収容された様子を示す断面図である。
【図１４】 プラスチック製のパッケージにＳＡＷフィ
ルタが収容された様子を示す断面図である。
ルタが収容された様子を示す断面図である。
１ チップ基板 ２ 高抵抗薄膜 ３ 導電性材料 ４ 高抵抗パターン ５ ダミー電極パターン ５１，５２ パターン ５３ 間隙 ７ パッケージ ７１，７２，７３，７４，７５，７６ 端子 ８０ 金属製の板状部分 ８１ 導電性接着剤 １１，１２，１３，１４ 櫛形電極パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 泰司 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 川原 浩 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 5J097 AA27 DD24 DD29 EE08 FF08 JJ01 JJ07 JJ08 KK09
Claims (12)
- 【請求項１】 圧電材料のチップ基板上に複数の櫛形電
極パターンが形成され、プラスチック製のパッケージに
収容された弾性表面波フィルタ装置において、 前記複数の櫛形電極パターンの間の放電を防止する放電
防止手段として、各櫛形電極パターンの電位を共通にす
るための電位共通化手段、分極によって前記チップ基板
に生じた電荷を中和させるための電荷中和手段、または
分極によって前記チップ基板に生じた電荷を退避させる
電荷退避手段がチップ基板に設けられていることを特徴
とする弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項２】 放電防止手段は、チップ基板と櫛形電極
パターンとの間に設けられ、チップ基板の表面を覆う高
抵抗薄膜で実現される請求項１記載の弾性表面波フィル
タ装置。 - 【請求項３】 放電防止手段は、全ての櫛形電極パター
ンの上に被覆された高抵抗薄膜で実現される請求項１記
載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項４】 放電防止手段は、チップ基板の裏面に被
覆された導電性材料による膜で実現される請求項１記載
の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項５】 チップ基板の裏面に被覆された導電性材
料による膜と櫛形電極パターンとを電気的に接続する導
電性材料をさらに含む請求項４記載の弾性表面波フィル
タ装置。 - 【請求項６】 放電防止手段は、チップ基板の表面側の
周囲部分に設けられている導電性材料の膜で実現される
請求項１記載の弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項７】 放電防止手段は、チップ基板の表面側の
周囲部分を囲むように設けられている高抵抗パターン、
および各櫛形電極パターンと前記高抵抗パターンとを接
続するパターンとで実現される請求項１記載の弾性表面
波フィルタ装置。 - 【請求項８】 圧電材料のチップ基板上に複数の櫛形電
極パターンが形成され、プラスチック製のパッケージに
収容された弾性表面波フィルタ装置において、 前記複数の櫛形電極パターンの間の放電を防止する放電
防止手段として、櫛形電極パターンの一部が延伸されて
形成された第１のパターンと、第１のパターンに対して
間隙を挟んで形成されている第２のパターンと、第２の
パターンに接続されるダミー電極パターンとがチップ基
板の表面に設けられていることを特徴とする弾性表面波
フィルタ装置。 - 【請求項９】 圧電材料のチップ基板上に複数の櫛形電
極パターンが形成され、プラスチック製のパッケージに
収容された弾性表面波フィルタ装置において、 前記複数の櫛形電極パターンの間の放電を防止する放電
防止手段は、各櫛形電極パターンにおける、対になる櫛
形電極パターンに対向する部分を非尖鋭形状にすること
によって実現されていることを特徴とする弾性表面波フ
ィルタ装置。 - 【請求項１０】 内部に弾性表面波フィルタを収容する
ためのパッケージであって、 パッケージの外部に延びるとともに、パッケージの内部
に延伸して板状部分を形成する金属製の端子を含むこと
を特徴とする弾性表面波フィルタを収容するためのパッ
ケージ。 - 【請求項１１】 パッケージの外部に延びるとともにパ
ッケージの内部に延伸して板状部分を形成する金属製の
端子を含むプラスチック製のパッケージにおける前記板
状部分にチップ基板の裏面が接触するように収容された
請求項１から請求項９のうちのいずれか１項に記載され
た弾性表面波フィルタを含む弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項１２】 チップ基板の裏面が導電性接着剤によ
ってパッケージに固着されている請求項１１記載の弾性
表面波フィルタ装置。
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