JPH1197968A - チップ型弾性表面波デバイス - Google Patents
チップ型弾性表面波デバイスInfo
- Publication number
- JPH1197968A JPH1197968A JP27346397A JP27346397A JPH1197968A JP H1197968 A JPH1197968 A JP H1197968A JP 27346397 A JP27346397 A JP 27346397A JP 27346397 A JP27346397 A JP 27346397A JP H1197968 A JPH1197968 A JP H1197968A
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- JP
- Japan
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- acoustic wave
- surface acoustic
- piezoelectric substrate
- dielectric film
- piezoelectric
- Prior art date
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- Pending
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ケースをなくして、より小型化を実現できる
弾性表面波デバイスを提供する。 【解決手段】 圧電基板１の表面に電極パターン２１，
２２とこれら電極パターンを引き出すリード電極３１，
３２が形成された弾性表面波デバイスであって、当該圧
電基板の表面上に、前記圧電基板と音響インピーダンス
の異なる非圧電性誘電膜４を、弾性表面波波長の２倍以
上の厚みにて形成し、かつ、前記非圧電性誘電膜により
被覆されないリード電極部分を外部導出部５１，５２と
して回路基板上の導通パッドと電気的機械的に接続し
た。
弾性表面波デバイスを提供する。 【解決手段】 圧電基板１の表面に電極パターン２１，
２２とこれら電極パターンを引き出すリード電極３１，
３２が形成された弾性表面波デバイスであって、当該圧
電基板の表面上に、前記圧電基板と音響インピーダンス
の異なる非圧電性誘電膜４を、弾性表面波波長の２倍以
上の厚みにて形成し、かつ、前記非圧電性誘電膜により
被覆されないリード電極部分を外部導出部５１，５２と
して回路基板上の導通パッドと電気的機械的に接続し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、圧電基板上を伝搬
する弾性表面波を利用した弾性表面波共振子、弾性表面
波フィルタ等の弾性表面波デバイスのパッケージ構造に
関し、特に回路基板に表面実装できるチップ型弾性表面
波デバイスに関するものである。
する弾性表面波を利用した弾性表面波共振子、弾性表面
波フィルタ等の弾性表面波デバイスのパッケージ構造に
関し、特に回路基板に表面実装できるチップ型弾性表面
波デバイスに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のチップ型弾性表面波デバイスは、
ケースを介して回路基板に搭載するのが一般的な形態で
あった。この搭載形態は、外部回路とのケース内部とを
導通するための接続電極が形成されたケースが有り、こ
のケースにインターデジタルトランスジューサ（以下、
ＩＤＴと称する）、並びにリード電極が形成された弾性
表面波素子を収容し、前記弾性表面波素子とケースを電
気的機械的に接続した後、ケース内部を不活性ガスある
いは真空状態にしてキャップを被せ、気密封止してい
た。そして、前記ケースの接続電極と回路基板とを導電
性接合材により電気的機械的に接合していた。
ケースを介して回路基板に搭載するのが一般的な形態で
あった。この搭載形態は、外部回路とのケース内部とを
導通するための接続電極が形成されたケースが有り、こ
のケースにインターデジタルトランスジューサ（以下、
ＩＤＴと称する）、並びにリード電極が形成された弾性
表面波素子を収容し、前記弾性表面波素子とケースを電
気的機械的に接続した後、ケース内部を不活性ガスある
いは真空状態にしてキャップを被せ、気密封止してい
た。そして、前記ケースの接続電極と回路基板とを導電
性接合材により電気的機械的に接合していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成で
は、ケースに収容する圧電基板の寸法、あるいは逆に、
圧電基板を収容するケースの寸法を考慮する必要があ
り、設計上の制限が生じることが否めなかった。また、
ケースに収容することにより弾性表面波デバイスを構成
することからより一層の小型化、薄型化にも限界があっ
た。
は、ケースに収容する圧電基板の寸法、あるいは逆に、
圧電基板を収容するケースの寸法を考慮する必要があ
り、設計上の制限が生じることが否めなかった。また、
ケースに収容することにより弾性表面波デバイスを構成
することからより一層の小型化、薄型化にも限界があっ
た。
【０００４】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたもので、ケースをなくして、より小型化を実現でき
る弾性表面波デバイスを提供することを目的とするもの
である。
れたもので、ケースをなくして、より小型化を実現でき
る弾性表面波デバイスを提供することを目的とするもの
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明によるチップ型弾性表面波デバイスは、圧
電基板の表面に電極パターンとこれら電極パターンを引
き出すリード電極が形成された弾性表面波デバイスであ
って、当該圧電基板の表面上に、前記圧電基板と音響イ
ンピーダンスの異なる非圧電性誘電膜を、弾性表面波波
長の２倍以上の厚みにて形成し、かつ、前記非圧電性誘
電膜により被覆されないリード電極部分を外部導出部と
して回路基板上の導通パッドと電気的機械的に接続され
てなることを特徴とする。
めに、本発明によるチップ型弾性表面波デバイスは、圧
電基板の表面に電極パターンとこれら電極パターンを引
き出すリード電極が形成された弾性表面波デバイスであ
って、当該圧電基板の表面上に、前記圧電基板と音響イ
ンピーダンスの異なる非圧電性誘電膜を、弾性表面波波
長の２倍以上の厚みにて形成し、かつ、前記非圧電性誘
電膜により被覆されないリード電極部分を外部導出部と
して回路基板上の導通パッドと電気的機械的に接続され
てなることを特徴とする。
【０００６】上記構成により、ケースの寸法に制限され
ることなく、電極パターン、リード電極、外部導出部、
非圧電性誘電膜が形成された圧電基板単体による寸法を
もってチップ型弾性表面波デバイスを構成することか
ら、弾性表面波デバイスとして、より一層の小型化、薄
型化を実現し、回路基板表面へのマウント方法の自由度
も向上する。
ることなく、電極パターン、リード電極、外部導出部、
非圧電性誘電膜が形成された圧電基板単体による寸法を
もってチップ型弾性表面波デバイスを構成することか
ら、弾性表面波デバイスとして、より一層の小型化、薄
型化を実現し、回路基板表面へのマウント方法の自由度
も向上する。
【０００７】そして、電極パターンは弾性表面波波長の
２倍以上の厚みで形成された前記圧電基板と音響インピ
ーダンスの異なる非圧電性誘電膜により被覆されている
ことから、弾性表面波デバイスの電極パターンが経時変
化に伴って酸化するのを防止したり、回路基板上におけ
る他の電子部品、導体と短絡しない。さらに、弾性表面
波素子の表面に伝搬する弾性表面波に前記非圧電誘電膜
の外部から悪影響を与えず、励起を阻害することがほと
んどない。図３は、弾性表面波素子の弾性表面波波長の
厚み方向におけるエネルギー分布を示したグラフであ
り、弾性表面波の伝搬する表面部分を１としたものであ
る。このグラフからもわかるように、弾性表面波波長の
２倍以上でエネルギー損失の影響がほとんどなくなって
おり、前記圧電基板と音響インピーダンスの異なる非圧
電性誘電膜との境界で発生した弾性表面波は、前記非圧
電性誘電膜の外表面での影響を受けることなく伝搬する
ことができる。
２倍以上の厚みで形成された前記圧電基板と音響インピ
ーダンスの異なる非圧電性誘電膜により被覆されている
ことから、弾性表面波デバイスの電極パターンが経時変
化に伴って酸化するのを防止したり、回路基板上におけ
る他の電子部品、導体と短絡しない。さらに、弾性表面
波素子の表面に伝搬する弾性表面波に前記非圧電誘電膜
の外部から悪影響を与えず、励起を阻害することがほと
んどない。図３は、弾性表面波素子の弾性表面波波長の
厚み方向におけるエネルギー分布を示したグラフであ
り、弾性表面波の伝搬する表面部分を１としたものであ
る。このグラフからもわかるように、弾性表面波波長の
２倍以上でエネルギー損失の影響がほとんどなくなって
おり、前記圧電基板と音響インピーダンスの異なる非圧
電性誘電膜との境界で発生した弾性表面波は、前記非圧
電性誘電膜の外表面での影響を受けることなく伝搬する
ことができる。
【０００８】また、前記非圧電性誘電膜として、低融点
ガラスを用いたことを特徴とする。
ガラスを用いたことを特徴とする。
【０００９】上記構成により、圧電基板と非圧電性誘電
膜との境界で発生した弾性表面波エネルギーを吸収する
ことなく、かつ外部からの影響を受けることのない外装
膜として機能するとともに、ガラス粉末をペースト状に
したものをスクリーン印刷することにより、弾性表面波
波長の２倍以上の膜厚に対しても厚膜形成することがで
きる。
膜との境界で発生した弾性表面波エネルギーを吸収する
ことなく、かつ外部からの影響を受けることのない外装
膜として機能するとともに、ガラス粉末をペースト状に
したものをスクリーン印刷することにより、弾性表面波
波長の２倍以上の膜厚に対しても厚膜形成することがで
きる。
【００１０】
【実施例】本発明のチップ型弾性表面波の実施例につ
き、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施例を
示す斜視図、図２は図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図であ
る。
き、図面を参照して説明する。図１は本発明の実施例を
示す斜視図、図２は図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図であ
る。
【００１１】図１、図２に示すように、圧電基板１は、
ニオブ酸リチウムの単結晶板、タンタル酸リチウムの単
結晶板、あるいは水晶板からなり、矩形形状に加工され
ている。この圧電基板１の表面には、フォトエッチング
技術により、電極パターンとしての入出力のＩＤＴ２
１，２２とリード電極３１，３２が形成されている。前
記ＩＤＴ２１は前記リード電極３１と接続され、前記Ｉ
ＤＴ２２は前記リード電極３２と接続されている。これ
ら各電極に用いられる電極材料は、アルミニウムにより
構成される。
ニオブ酸リチウムの単結晶板、タンタル酸リチウムの単
結晶板、あるいは水晶板からなり、矩形形状に加工され
ている。この圧電基板１の表面には、フォトエッチング
技術により、電極パターンとしての入出力のＩＤＴ２
１，２２とリード電極３１，３２が形成されている。前
記ＩＤＴ２１は前記リード電極３１と接続され、前記Ｉ
ＤＴ２２は前記リード電極３２と接続されている。これ
ら各電極に用いられる電極材料は、アルミニウムにより
構成される。
【００１２】そして、前記圧電基板のＩＤＴ、リード電
極の一部を含んだ上面に低融点ガラスからなる誘電膜４
が形成され、また、前記圧電基板１の端面に形成された
リード電極３１，３２の一部を前記誘電膜４で被覆しな
いことにより、外部導出部５１，５２を構成する。低融
点ガラスの誘電膜を形成するには、前記圧電基板表面に
ガラス粉末をペースト状にしたものをスクリーン印刷に
より塗布し、その後焼結することにより成膜する。
極の一部を含んだ上面に低融点ガラスからなる誘電膜４
が形成され、また、前記圧電基板１の端面に形成された
リード電極３１，３２の一部を前記誘電膜４で被覆しな
いことにより、外部導出部５１，５２を構成する。低融
点ガラスの誘電膜を形成するには、前記圧電基板表面に
ガラス粉末をペースト状にしたものをスクリーン印刷に
より塗布し、その後焼結することにより成膜する。
【００１３】このように低融点ガラスを用いた成膜の利
点として、同系列の酸化シリコン膜に比べて、厚膜成形
しやすい点にある。酸化シリコン膜では、スパッタリン
グ法、真空蒸着法などにより成膜するため、厚膜成形が
困難になることが考えられる。
点として、同系列の酸化シリコン膜に比べて、厚膜成形
しやすい点にある。酸化シリコン膜では、スパッタリン
グ法、真空蒸着法などにより成膜するため、厚膜成形が
困難になることが考えられる。
【００１４】また、前記誘電膜により被覆されないリー
ド電極の外部導出部５１，５２については、アルミニウ
ム電極のままで露出されれば、比較的酸化しやすいた
め、アルミニウムの電極上面に、銀、金等の公知の電極
材料をスパッタリング法、真空蒸着法によりを構成する
ことが実施するうえで好ましい。
ド電極の外部導出部５１，５２については、アルミニウ
ム電極のままで露出されれば、比較的酸化しやすいた
め、アルミニウムの電極上面に、銀、金等の公知の電極
材料をスパッタリング法、真空蒸着法によりを構成する
ことが実施するうえで好ましい。
【００１５】尚、本発明の実施例では、圧電基板とし
て、ニオブ酸リチウムの単結晶板、タンタル酸リチウム
の単結晶板、あるいは水晶板を用いたが、ホウ酸リチウ
ム、リン酸アルミ、ランガサイト、ＰＺＴ等を用いても
よい。しかし、これらの圧電基板を用いた場合、これら
の圧電基板に硬度が近接した非圧電性誘電膜を用いるこ
とにより、圧電基板と非圧電性誘電膜との境界で発生し
た弾性表面波エネルギーを吸収することのない低損失
で、外部からの影響を受けることのない外装膜とする必
要がある。
て、ニオブ酸リチウムの単結晶板、タンタル酸リチウム
の単結晶板、あるいは水晶板を用いたが、ホウ酸リチウ
ム、リン酸アルミ、ランガサイト、ＰＺＴ等を用いても
よい。しかし、これらの圧電基板を用いた場合、これら
の圧電基板に硬度が近接した非圧電性誘電膜を用いるこ
とにより、圧電基板と非圧電性誘電膜との境界で発生し
た弾性表面波エネルギーを吸収することのない低損失
で、外部からの影響を受けることのない外装膜とする必
要がある。
【００１６】
【発明の効果】本発明により、ケースの寸法に制限され
ることなく、ＩＤＴ、リード電極、外部導出部、誘電膜
が形成された圧電基板単体による寸法をもってチップ型
弾性表面波デバイスを構成し、より一層の小型化、薄型
化を実現できるとともに、回路基板表面へのマウント方
法の自由度も向上する。さらに、弾性表面波素子の表面
に伝搬する弾性表面波は、前記非圧電性誘電膜の外表面
での悪影響を受けることないチップ型弾性表面波デバイ
スを提供することができる。
ることなく、ＩＤＴ、リード電極、外部導出部、誘電膜
が形成された圧電基板単体による寸法をもってチップ型
弾性表面波デバイスを構成し、より一層の小型化、薄型
化を実現できるとともに、回路基板表面へのマウント方
法の自由度も向上する。さらに、弾性表面波素子の表面
に伝搬する弾性表面波は、前記非圧電性誘電膜の外表面
での悪影響を受けることないチップ型弾性表面波デバイ
スを提供することができる。
【００１７】本発明の特許請求項２により、圧電基板と
非圧電性誘電膜との境界で発生した弾性表面波エネルギ
ーを吸収することなく、かつ外部からの影響を受けるこ
とのない外装膜として機能するとともに、ガラス粉末を
ペースト状にしたものをスクリーン印刷することによ
り、弾性表面波波長の２倍以上の膜厚に対しても厚膜形
成することができるため製造性の高いチップ型弾性表面
波デバイスを提供することができる。
非圧電性誘電膜との境界で発生した弾性表面波エネルギ
ーを吸収することなく、かつ外部からの影響を受けるこ
とのない外装膜として機能するとともに、ガラス粉末を
ペースト状にしたものをスクリーン印刷することによ
り、弾性表面波波長の２倍以上の膜厚に対しても厚膜形
成することができるため製造性の高いチップ型弾性表面
波デバイスを提供することができる。
【図１】本発明の実施例を示す斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図３】弾性表面波素子の弾性表面波波長の厚み方向に
おけるのエネルギー分布を示したグラフである。
おけるのエネルギー分布を示したグラフである。
１・・・圧電基板 ２１，２２・・・ＩＤＴ ３１，３２・・・リード電極 ４・・・誘電膜 ５１，５２・・・外部導出部
Claims (2)
- 【請求項１】 圧電基板の表面に電極パターンとこれら
電極パターンを引き出すリード電極が形成された弾性表
面波デバイスであって、当該圧電基板の表面上に、前記
圧電基板と音響インピーダンスの異なる非圧電性誘電膜
を、弾性表面波波長の２倍以上の厚みにて形成し、か
つ、前記非圧電性誘電膜により被覆されないリード電極
部分を外部導出部として回路基板上の導通パッドと電気
的機械的に接続されてなることを特徴とするチップ型弾
性表面波デバイス。 - 【請求項２】 前記非圧電性誘電膜として、低融点ガラ
スを用いたことを特徴とする特許請求項１記載のチップ
型弾性表面波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27346397A JPH1197968A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | チップ型弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27346397A JPH1197968A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | チップ型弾性表面波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197968A true JPH1197968A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17528282
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27346397A Pending JPH1197968A (ja) | 1997-09-19 | 1997-09-19 | チップ型弾性表面波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1197968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075391B2 (en) * | 2001-10-29 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same |
-
1997
- 1997-09-19 JP JP27346397A patent/JPH1197968A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7075391B2 (en) * | 2001-10-29 | 2006-07-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter element, surface acoustic wave filter and communication device using the same |
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