JP2002144456A

JP2002144456A - 半導電性多層無端管状ポリイミド系フイルムとその製造方法及びその使用

Info

Publication number: JP2002144456A
Application number: JP2000344129A
Authority: JP
Inventors: Naoki Nishiura; 直樹西浦; Takashi Kuraoka; 隆志鞍岡
Original assignee: Gunze Ltd
Current assignee: Gunze Ltd
Priority date: 2000-11-10
Filing date: 2000-11-10
Publication date: 2002-05-21

Abstract

(57)【要約】【課題】表面抵抗率（表面層）と体積抵抗率値とが個々
に独立して自由に変えることが可能なポリイミド系無端
管状フイルムの提供。【解決手段】３ｋＶ以下の直流電圧を印加した場合に得
られる体積抵抗率の絶対値を表面抵抗率の絶対値で除し
た値が０．１〜１０００倍の範囲にあるように少なくと
も二層で構成されている半導電性多層無端管状ポリイミ
ド系フイルム。具体的にこれは裏面層の有する表面抵抗
率を変えることで行う。必要な表面層と裏面層の半導電
化（電気抵抗付与）は導電性カーボンブラックの混合が
有効である。該フイルムの製造は成形原液を実質的無遠
心力下で、噴霧状供給・加熱成形が好ましい。該フイル
ムは、例えば各カラー複写機（各メーカ）の紙搬送兼転
写用又は中間転写用のベルト使用に関し、それが必要と
する電気抵抗特性に対して容易に対応供給することがで
きる。ベルトによる紙両面印刷方式にも対応が容易。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、特に種々の印加電
圧条件に対しても、所望する電気抵抗値、つまり体積抵
抗値と表面抵抗値とが独立的に各々得られるように制御
のできることを可能にした半導電性多層無端管状ポリイ
ミド系フイルムとその製造方法及びその使用に関し提供
するものである。該フイルムはカラー複写機の紙搬送兼
転写用又は中間転写用のベルト部材としての使用が有効
である。

【０００２】

【従来の技術】例えばゼログラフィーのカラー複写手段
で、近年中間（転写）方式を取り入れることが盛んに行
われている。この中間（転写）方式の中でベルト（半導
電性）を介在してカラー複写を行う方法がある。このベ
ルトの使用形態には２つの場合がある。その一つは中間
転写方式と呼ばれる方法である。これは感光ドラム上に
形成されたトナー顕像を、一旦該ベルトに一次転写し、
これを別途給紙されてくる複写紙に二次転写し、最後に
定着器に送って加熱定着する方法である。もう一つは、
紙搬送兼転写方式と呼ばれる方法である。これはまず該
紙がベルトに乗って感光ドラムの下まで運ばれてくる。
そして該ドラム上のトナー顕像が該紙に転写される。最
後に定着器に送られて加熱定着される。

【０００３】前記中間転写方式によるトナー顕像の一次
転写及び二次転写にしても、そして紙搬送兼転写方式に
よる紙搬送と紙へのトナー顕像転写にしても、全てベル
トの有する静電気作用（静電吸着及び／又は静電脱着作
用）とによって行われている。

【０００４】前記静電気作用の発現は、電気絶縁樹脂の
単層でもってなるベルトによる場合と、電気絶縁樹脂層
を表面層とし、半導電樹脂層を裏面層とする二層構成を
採ってなるベルトによる場合とがある（例えば半導電樹
脂層を導電性カーボンブラック分散のポリイミドにより
形成し、電気絶縁樹脂層をポリイミド又はフッ素樹脂に
より積層するものとして特開平１０−１４２８１２号公
報又は特開平１１−２３５７６５号公報がある）。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで前記静電気作
用は、各々の作用の違いでベルトが必要とする静電力
（帯電荷量）は異なる。更には複写機毎（メーカ）にト
ナー、紙、転写（帯電）ロール等の電気抵抗とか、印加
電圧方向、設定印加電圧の大きさ等が異なるので、この
ことによっても必要とするベルトの静電力も異なる。こ
のような状況に対応できるためには、ベルトの有する電
気抵抗特性、特に表面抵抗と体積抵抗とを各々独立的に
最適な値でコントロールできるかどうかに係っている。

【０００６】しかしながら、前記する従来の知られてい
る手段、つまり単層ベルトとか、二層ベルトの場合に
は、表面抵抗値と体積抵抗値とは厚みを係数とする比例
関係にあることから、表面抵抗値が決まればその値に従
い体積抵抗値も自ずから決まってしまう。つまり独立的
に所望する最適値が得られないと言う問題がある。又、
印加電圧の上昇に対して表面抵抗は差ほどの変化はない
が、体積抵抗の変化は大きく低下すると言った問題があ
る。又、特に前記二層によるベルトの場合の電気絶縁樹
脂層をフッ素樹脂による場合の欠点は、長期間の反復使
用で表面が摩耗するとか破壊（剥離）する危険性が高
く、これは静電容量の変化に繋がり静電気引力の減衰を
招くことになる。

【０００７】本発明は前記の３つの点を課題として、こ
れを解決するために鋭意検討して見出されたものであ
る。その解決手段は次の通りである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、まず請求
項１に記載するように、３ｋＶ以下の直流電圧を印加し
た場合に得られる体積抵抗率の絶対値を表面抵抗率の絶
対値で除した値が０．１〜１０００倍の範囲にあるよう
に少なくとも二層で構成されている半導電性多層無端管
状ポリイミド系フイルムである。

【０００９】又、請求項１に記載の前記フイルムは、請
求項２で提供するように、導電性カーボンブラックによ
り付与された表面抵抗率の小さい半導電性ポリイミド表
面層と導電性カーボンブラックにより付与された表面抵
抗率の大きい半導電性ポリイミド裏面層との構成によっ
て好ましく達成され、更にこの各層の表面抵抗率として
は、表面層を１０^６〜１２Ω／□の範囲に、裏面層を１
０^{１０〜１５}Ω／□の範囲に設定し、この範囲の中で大
小異なる両層とすることでより好ましく達成される。こ
れを請求項３の発明として提供する。

【００１０】又、前記半導電性多層無端管状ポリイミド
系フイルムの製造方法に関し、好ましいものとして請求
項４に記載の通り提供する。つまりこの製造方法は、次
の（Ａ）〜（Ｃ）に記載の各工程が順次行われてなるこ
とを特徴とするものである。（Ａ）ポリアミド酸と導電性カーボンブラック粉体と有
機溶媒とを含有する電気抵抗の小さい高半導電性ポリア
ミド酸溶液を、実質的無遠心力の速度で回転する該ドラ
ムの内面に噴霧状で均一に供給し加熱して、該溶媒の含
有量１０％以下の高半導電性無端管状ポリアミド酸層に
成形する第一工程、（Ｂ）前記により金属ドラム内面に
成形された高半導電性の無端管状ポリアミド酸層の内面
に、ポリアミド酸と導電性カーボンブラック粉体と有機
溶媒とを含有する電気抵抗の大きい低半導電性ポリアミ
ド酸溶液を、実質的無遠心力の速度で回転する該ドラム
の内面に噴霧状で均一に供給し加熱して低半導電性の無
端管状ポリアミド酸層を積層する第二工程、（Ｃ）前記
第二工程で得られた半導電性無端管状ポリアミド酸フイ
ルムを熱風加熱して残存有機溶媒の蒸発除去と共に、ポ
リアミド酸成分をイミド化して相当する多層無端管状ポ
リイミド系フイルムに変える第三工程。

【００１１】そして前記製造方法に関し、特に前記フイ
ルム平滑性の面でより改良を計るために、特定の化合物
を使用することについて請求項５をも提供する。

【００１２】又、前記半導電性多層無端管状ポリイミド
系フイルムの有効な用途として、カラー複写機の紙搬送
兼転写用又は中間転写用のベルトとしての使用を請求項
６で提供する。以上の請求項１〜６記載の発明によっ
て、前記課題は達成されるが、詳細は次の実施形態で説
明する。

【００１３】

【発明の実施の形態】まず本発明の半導電性多層無端管
状ポリイミド系フイルムは（以下Ｓ・ＭＬフイルムと呼
ぶ）、（電気絶縁層を有しない）半導電層のみをもって
なる少なくとも二層の積層フイルムであり、且つその二
層の有する半導電層は電気抵抗が異なると言うものであ
る。従って、前記の従来技術に見られる電気絶縁層を表
面に半導電層を裏面にもってなるものでは、前記課題は
達成されない。

【００１４】前記Ｓ・ＭＬフイルムではあるが、更に前
記課題を十分に満足できるレベルで達成するために、３
ｋＶの直流電圧（以下単に電圧と呼ぶ）、好ましくは２
ｋＶ以下１００Ｖ以上の範囲で印加した場合に得られる
体積抵抗率の絶対値を表面抵抗率の絶対値で除した値
（以下Ｒ値と呼ぶ）が、特に０．１〜１０００倍、好ま
しくは０．５≦Ｒ値≦６００、更には１≦Ｒ値≦２００
の範囲で構成した該フイルムに限られると言うことであ
る。ここで体積抵抗率は、該フイルム全体が有する体積
抵抗率で、そして表面抵抗率は表面層の有する抵抗率を
意味する。

【００１５】前記Ｒ値は、まず３ｋＶ以下の電圧印加下
でのものであるが、これは次の理由による。本発明のＳ
・ＭＬフイルムにおいては、３ｋＶを超える電圧を印加
すると、表面からの放電、更には絶縁破壊と言ったこと
が起こり易くなり、このような現象が起こると、予め決
められたＲ値が変動する結果になる。使用中でのＲ値の
変動は、二層としての全体の電気抵抗バランスが大きく
崩れることになり、前記課題が十分に達成できなくな
る。つまり本発明ではまず３ｋＶ以下、より安全には２
ｋＶ以下の印加条件下での使用に限って成立するもので
ある。尚、下限を１００Ｖとして好ましく例示している
のは、これよりも低電圧印加では敢えて本発明の構成を
取る必要がないからである。

【００１６】更に前記印加電圧下であっても、表面抵抗
率と体積抵抗率の要求に対して自由に対応できるのは、
Ｒ値で０．１〜１０００倍の範囲に限って行われるが、
これは次の理由による。まずＲ値が０．１倍未満になる
場合は、裏面層の有する表面抵抗率の絶対値が表面層の
有する表面抵抗率の絶対値よりも小さくなる場合であ
る。つまり体積抵抗率の絶対値が表面層の表面抵抗率よ
りも小さくなった場合である。このような二層では、よ
り低抵抗の実質的単層から成るものに等しくなり、要求
する表面抵抗率と体積抵抗率に対して自由に対応するこ
とができなくなる。更には電圧を印加しても蓄電される
電荷の寿命が極めて短くなり直ぐに減衰してしまう。電
荷の寿命が余りにも短いことは、その作用（例えばトナ
ーの転写とか、紙搬送）が安定して行われないことにな
る。

【００１７】一方、Ｒ値が１０００倍を超える場合は、
前記０．１倍未満の場合と逆で裏面層の有する表面抵抗
率の絶対値が表面層の有する表面抵抗率の絶対値よりも
余りにも大きくなり過ぎた場合である。つまり体積抵抗
率の絶対値が表面層の表面抵抗率よりも大過剰になった
場合である。裏面層の有する表面抵抗率が大きくなり過
ぎると半導電性が電気絶縁性的になる。つまり実質的に
半導電性の表面層と電気絶縁性の裏面層をもってなるＰ
Ｉフイルムと言ったものになる。このようになっても前
記と同様に要求する表面抵抗率と体積抵抗率に対して自
由に対応することができなくなるのは勿論、特により高
い電圧を印加して行くと表面抵抗率よりも体積抵抗率の
変化が大きく低下する傾向になり、設定された両抵抗を
安定して維持できなくなる。更に蓄電される電荷が必要
以上に多く、且つその寿命も必要以上に長くなり、その
結果自然徐電も容易でなくなる。所定時間内に徐電して
しまおうとするならば、徐電器を設けて積極的徐電をす
る必要がある。これはオゾンの発生をより多くすること
にもなり好ましいことにはならない。

【００１８】前記の通り条件下のＳ・ＭＬフイルムであ
るが、該フイルムは成分上からは主としてポリイミド系
樹脂（以下ＰＩ樹脂）と導電性粉体とによってなる。こ
こで特にＰＩ樹脂が使用されるのは、他の樹脂にはない
優れた特性（耐熱性、機械的強度、耐薬品性）があるこ
とと、同質ＰＩ樹脂による多層であるので層間剥離する
ようなことが全くないこと等である。該ＰＩ樹脂は、一
般に知られているように、芳香族基が２つのイミド基に
結合されて、これが反復単位となって高分子（少なくと
もフイルムとして使用できる高分子量体）化している芳
香族ＰＩ樹脂をはじめ、芳香族基が１つのイミド基とア
ミド基に結合されてこれが反復単位となって同様に高分
子量化している芳香族ポリアミドイミド（ＰＡＩ樹脂）
でもある。尚、特に芳香族ＰＩ樹脂の場合、これを合成
する出発原料の種類によって、熱硬化性と熱可塑性とに
変わる。従って本発明に係わる半導電性ＰＩ層の特性も
異なっていて、その特性に適した使われ方がなされる。
中でもより高い耐熱性、より優れた機械的性質（伸縮な
く、強靱）、より高い耐薬品性を必要とする場合は熱硬
化性ＰＩ樹脂が選ばれる。

【００１９】又導電性粉体は、一般に知られている体積
抵抗率で１０^０Ω・ｃｍ以下の無機粉体を言うが、就中
導電性カーボンブラック（以下ＣＢ粉体）が好ましい。
これは他の導電性粉体と比較して、ＰＩ樹脂との分散性
（バラツキが小さい）、分散後の安定性、比較的少量添
加で所望する半導電性の付与ができる等の理由による。
尚前記ＣＢ粉体は、その製造原料（天然ガス、アセチレ
ンガス、コールタール等）と製造条件（燃焼条件）とに
よって種々の物性（電気抵抗、揮発分、比表面積、粒
径、ｐＨ値、ＤＢＰ吸油量等）を有したものがある。可
能なかぎり少量の混合分散でもって、より所望する前記
表面抵抗率が安定して得られるようなものを選ぶのがよ
い。例えばストラクチャーの発達した導電指標の高いも
のとか（これはアセチレンガスを原料として製造して得
たＣＢ粉体に多い）、或いは導電指標はあまり高くない
が（ｐＨ値を低くするような）、揮発分を多く含有する
もの等適当なパラメーターでもって選択する。

【００２０】少なくとも二層の半導電化は、前記ＰＩ樹
脂への導電性粉体の混合分散によって行われるが、各層
の半導電化の程度は、前記印加電圧下のＲ値範囲で適宜
決められる。これを好ましく例示したものが、請求項３
で提供する、表面層の表面抵抗率は１０^６〜１２Ω／
□、裏面層の表面抵抗率は１０^{１０〜１５}Ω／□の範囲
である。この抵抗率範囲の中で前記Ｒ値の範囲が維持さ
れるように、裏面層を表面層よりも大きく設定すれば良
い。これをＣＢ粉体の使用量に換算すると、例えば体積
抵抗率で１０^−１Ω・ｃｍのＣＢ粉体を使ったとして、
ＰＩ樹脂に対して約５〜２０重量％混合すれば、その量
に比例して１０^６〜１５Ω／□を自由に得ることができ
る。従って、例えばユーザから印加電圧５００Ｖで対応
で、表面層の表面抵抗率を１０^９Ω／□桁、体積抵抗率
１０^９Ω・ｃｍ桁、つまりＲ値１桁倍に設定された二層
のＳ・ＭＬフイルムが欲しいとの要望があった場合、次
のように対応すれば良い。まず該ＣＢ粉体（１０^−１Ω
・ｃｍのもの）約１３〜１４重量％を含有する無端管状
のＰＩ樹脂層（表面層）形成する。これによって、表面
抵抗率は要望通りの１０^９Ω／□桁が得られる。次にこ
の内面に、該ＣＢ粉体１２〜１３重量％を含有する無端
管状のＰＩ樹脂層を積層する。表面層は要求通りの１０
^９Ω／□の桁の表面抵抗率を有し、裏面層は１０^１２Ω
／□桁が測定される。これによる体積抵抗率は１０^９Ω
・ｃｍが測定される。従って、得られるＲ値は１桁倍に
あって要求通りの該フイルムを提供することができる。

【００２１】尚、Ｓ・ＭＬフイルムの厚さ構成は、該フ
イルムの使用形態によるが、基本的に必要な適度の柔軟
性と十分な耐屈曲性（強度）の点から、全厚として５０
〜１５０μｍ程度あるのが良い。従ってこの中で表面層
と裏面層との層厚は適宜決めればよいが、どちらかと言
えば裏面層を厚くしたほうが良い。

【００２２】次に前記Ｓ・ＭＬフイルムの製造方法につ
いて説明する。本製造法については制限はないが、好ま
しい手段として前記請求項４で提供する製造方法を主体
に説明することにする。尚、本方法は従来の成形原液を
遠心成形する遠心成形に比較して次のような特長があ
る。 ◎成形原液を高速回転して遠心力で流延塗布することは
ないので、被塗布面の状態（性質）にも関係なく円滑
に、且つ高厚み精度でもって迅速に塗布でき、各層の形
成ができる。 ◎表面層と裏面層との層界面で両者が混ざり合うような
作用をしないので、半導電ＰＩと高導電ＰＩとの特性が
変化することなくそのまま形成される。 ◎形成層に微細気泡が入るようなことはなく緻密であ
る。この効果は絶縁耐力にも優れている作用に繋がって
発現するものと考えらる。 ◎特に無機系の添加剤を混合して成形する場合、該添加
剤が表面部分に偏在して分散するようなことは全くな
く、全体に均一に分散した状態で得られる。 ◎より高い溶液粘度の成形原液を使うのにより有効な成
形方法である。これは使用する有機溶媒量がより少量に
なるので、製造時間が大幅に短縮される。 ◎無遠心（低速回転）であるので、金属ドラムの回転ブ
レの心配もないので、より大きい径の該ドラムが使用で
きる。つまりより大きい径の該フイルムが容易に製造で
きることになる。又厚み精度も極めて高く、精度ムラも
より一層の改善がなされる。

【００２３】（Ａ）に記載の第一工程（以下Ａ１工程）
から説明する。まず本工程及び後述のＢ２工程で使用さ
れる、成形原液としての高半導電性ポリアミド酸溶液
（以下高半導電ＰＡ酸溶液と呼ぶ）と低半導電性ポリア
ミド酸溶液（以下低半導電ＰＡ酸溶液と呼ぶ）とは次の
通り調製される。＜高半導電ＰＡ酸溶液＞まず熱硬化性ＰＩ樹脂の前駆体
であるポリアミド酸（ＰＡ酸）を有機溶媒中で合成す
る。具体的には芳香族酸二無水物成分としてピロメリッ
ト酸二無水物、４，４´−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物又は３´，４，４´−ベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸二無水物、芳香族ジアミン成分としてｐ−フエ
ニレンジアミン、４，４´−ジアミノジフェニルエーテ
ル又は４，４´−ジアンミノジフェニルメタンを選び、
（これ等両成分のいずれかの組み合わせで）当モル量で
有機溶媒中で常温以下（約１０〜２０℃）で重縮合反応
する。イミド化することなくＰＡ酸が合成され溶液状で
得られる。使用する該溶媒は固形分濃度が１５〜３０重
量％程度になるような量とするのが良い。前記するよう
に無遠心、噴霧成形では高濃度溶液で行えるが、溶液濃
度（粘度）を調整したい場合には該溶媒の希釈で行う。
そして、得られたＰＡ酸溶液にＣＢ粉体を添加し混合分
散する。ここで該溶液は、後述の低半導電ＰＡ酸溶液で
添加するＣＢ粉体の量よりも多く添加して、より低電気
抵抗になるようにする。添加量は、例えば前記例示する
表面層が必要とする表面抵抗率の範囲で、必要とする該
抵抗率が得られる量を添加する。十分に分散する必要が
あるが、そのためには、まず羽根付きハイミキサーで攪
拌しながら徐々に添加し、最後にボールミル機の中でセ
ラミックスボールと共に回転攪拌するのが良い。この添
加の際に、ＣＢ粉体の分散性をより良化するために、例
えばフッ素系の界面活性剤を微量添加しても良い。

【００２４】＜低半導電ＰＡ酸溶液＞まず前記の通りＰ
Ａ酸溶液を調製する。そして該溶液に前記のようにＣＢ
粉体を添加し混合分散するが、ここでの添加量は高半導
電ＰＡ酸溶液の場合より少なくしてより高電気抵抗が得
られるようにする。ここでの添加量も、前記例示する裏
面層が必要とする表面抵抗率の範囲で、必要とする該抵
抗率が得られる量を添加する。

【００２５】又、前記高・低の各半導電ＰＡ酸溶液に
は、請求項５で提供するｐＫｂ≧５，好ましくは６〜１
１の塩基性有機化合物を微量（ＰＡ酸に対して０．４〜
４．０重量％、好ましくは０．５〜３．５重量％程度）
を添加混合しておくのが好ましい。ここでｐＫｂは、塩
基性有機化合物の電離的解離度を示す電離指数であり、
これはその化合物の有する電離定数Ｋｂの逆数の対数値
として求められる。この数値は最大１４までであり、大
きい程塩基性としての作用は小さくなる。該化合物の微
量添加は次のような点で有効である。その一つは半導電
ＰＡ酸溶液にとっては、最終得られる半導電ＰＩ層に付
与されている体積抵抗値に関し、特に横（幅）方向のバ
ラツキを抑制する作用があり、その抑制の安全弁とな
る。その二つは、最終得られるＳ・ＭＬフイルムの特に
裏面に位置するいずれかの層（金属ドラム面に、対して
反対側の内側に相当）に発生し易い薄い鱗模様とか、痘
痕模様のような痕跡模様の発生を抑制する作用をするこ
とである。従ってｐＫｂが５未満の強塩基性有機化合物
では、これ等の作用はしないことになる。尚、一般に塩
基性有機化合物はイミド化促進のために無水酢酸等の酸
無水物と共に使われるが、本発明では酸無水物が加わる
と、前記作用をしなく逆効果となって現れるので使用で
きない。

【００２６】前記塩基性有機化合物に属するもで代表的
なものを例示すると、次の通りである。ピリジン、２，
３，４位のいずれかのメチル置換ピリジン、ベンゾピリ
ジン、ｉｓｏ−ベンゾピリジン等のピリジン系化合物に
代表されるヘテロ窒素原子１個を含む６員環芳香族複素
環化合物類。ピリダジン、ピリミジン、ピラジン又はこ
れらのメチル置換体等に代表されるヘテロ窒素原子２個
を含む６員環芳香族複素環化合物類。ピロール、２〜３
位置換メチルピロール、ｉｓｏ−ピロール等に代表され
るヘテロ窒素原子１個を含む５員環芳香族複素環化合物
類。２−イミダゾリン、３−イミダゾリン、４−イミダ
ゾリン、ピラゾール、イミダゾール、２−メチルイミダ
ゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−メチル−
４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミ
ダゾール、２−フェニルイミダゾール等のイミダゾール
（イミダゾリンゾール）系化合物等に代表されるヘテロ
窒素原子２個を含む５員環芳香族複素環化合物類が挙げ
られる。これ等の中で好ましいのはｐＫｂが６〜１０の
範囲にあるヘテロ窒素原子１個を含む６員環芳香族複素
環化合物類又はヘテロ窒素原子２個を含む５員環芳香族
複素環化合物類、更には６〜９にあるヘテロ窒素原子２
個を含む５員環芳香族複素環化合物類である。尚、該化
合物は、一般にはいずれか１種類のみで添加されるが複
数であっても良い。

【００２７】尚、前記有機溶媒は、一般にＰＡ酸の溶媒
として知られている、非プロトン性の有機極性化合物で
ある。例えばＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰと略
す）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアセトアミド、ジメチルスルホン等である。

【００２８】そして、まず前記高半導電ＰＡ酸溶液が実
質的無遠心力の速度で回転する該ドラムの内面に噴霧状
で均一に供給、加熱されて有機溶媒の含有量１０％以下
の高半導電性（低電気抵抗）無端管状ＰＡ酸層に成形さ
れる。ここで特に該溶媒の含有量を１０％以下、望まし
くは７％以下にする、つまり供給した該ＰＡ酸溶液に含
まれる該溶媒量を９０％以上除去する必要があるのは、
次の理由による。１０％よりも多いと、裏面層の表面抵
抗率が小さくなる傾向になり、従って所望通りの体積抵
抗率にコントロールされたＳ・ＭＬフィルムが得られ難
くなる。これは次のＢ２工程で積層される低導電ＰＡ酸
層と既成の高導電ＰＡ酸層との積層界面で両層が入り交
じり、ＣＢ粉体の移動現象が起るためではないかと考え
られる。

【００２９】次に前記加熱・成形について製造装置を例
にとって詳述する。まず製造装置としては、概略次のよ
うな機構をもってなる。該両端開口の金属ドラムが２本
の回転ローラ上に（着脱自在に）載置される。該ドラム
は、該ローラの回転によって間接回転する機構を採る。
そして該ドラム内を加熱するための加熱源（例えば遠赤
外線）が外側上部に設けられている。ここで該ローラ内
にも加熱源が設けられ、該ドラムの補助的加熱を行う。
そして、該ドラム内には左右動と挿脱自在機構を有して
なる成形原液吐出用スリット状ノズルが設けられるが、
このノズルにはこの吐出口を挟んで両サイドに圧空供給
ノズルも合体して設けられている。これは成形原液を噴
霧化して金属ドラムに供給するためである。ここで該ノ
ズルの出口幅（スリット幅）は、約０．２〜３ｍｍ、長
さは約１０〜１００ｍｍと言ったところである。そし
て、少なくとも該ドラムの全体は排気フアンを持った筐
体で囲まれるようになっていて、回転成形中に加熱蒸発
される有機溶媒を速やかに系外に除去するようにされて
いる。勿論、成形原液は内周全面に均一に供給されて、
且つ所望するフイルム厚さが自由に得られるように、成
形原液の供給量と該ドラムの回転速度と該ノズルの左動
又は右動の速度とが自動的に制御されるようにコンピュ
ーターが組み込まれてもいる。

【００３０】前記製造装置による加熱・成形は次のよう
に行われる。まず前記ノズルが、金属ドラムの内右端の
上位置に３０〜５０ｍｍ程度離して配置される。該ドラ
ムは、コンピューター制御された所定の回転速度（勿論
遠心力の作用しない角速度、例えば４〜６ｒａｄ／ｓ程
度の低速度）で回転を始める。そして、（若干時差をお
いて）所定量の前記いずれかの成形原液が噴霧状での供
給を開始し、同時に該ノズルは右端から左端へコンピュ
ーター制御下で移動を始める。右端から左端への供給が
終わったら直ちに噴射供給を停止し、該ノズルは一旦原
位置に自動復帰させ、更に後退させて系外に出される。

【００３１】次に回転し続けている金属ドラムを筐体で
囲み、前記加熱源による加熱をスタートし、該ドラム内
を所定温度に保つ。この加熱の開始と共に、前記筐体の
排気フアンの稼働もスタートする。この時の回転速度
は、頭初の速度と同じであるが、若干速く又は遅く（勿
論無遠心力下の速度で、一般には前記最初の速度の０．
５〜３倍程度）する場合もある。ここでの加熱条件は基
本的には、有機溶媒の蒸発温度よりも高いものであるこ
とが必要である（一般に１３０〜２００℃）。時間は少
なくとも有機溶媒残存量が１０％以下になるように適宜
決めれば良い。ここでの回転・加熱が終了したら、加熱
を停止して常温にまで冷却し最後に回転を停止する。尚
加熱の上昇はより時間を要して徐々に上げ、ゆっくりと
蒸発除去するようにするのが良い。これでもってＡ１工
程は終了する。

【００３２】次に（Ｂ）の第二工程（以下Ｂ２工程）に
ついて説明する。本工程は前記Ａ１工程で加熱・形成さ
れた高導電ＰＡ酸層の内面に、前記低導電ＰＡ酸溶液を
該工程と同じ条件範囲内で加熱・形成して、低導電ＰＡ
酸層を積層するものである。尚ここでの加熱による有機
溶媒の除去は、必ずしもＡ１工程と同じ１０％以下にす
る必要はなく、少なくとも自己支持性が得られて密着積
層されているレベルに達すれば良い。これは前記の通り
既成の高導電ＰＡ酸層に残存する有機溶媒の量が１０％
以下にされていることによる。

【００３３】次に（Ｃ）の第三工程（以下Ｃ３工程）に
ついて説明する。本工程は最終工程で、前記得られた金
属ドラム内の半導電性積層ＰＡ酸フイルムは、残存する
有機溶媒の実質的完全除去とイミド化のために、更に熱
風による加熱処理を行って所望するＳ・ＭＬフイルムを
製造するものである。ここで熱風によるのは、該溶媒の
完全除去がよりスムーズにできる上に、イミド化によっ
て副生する水を、速やかに系外に除去するのに有効であ
るからである。これは、より高品質（気泡のない緻密
な）のＳ・ＭＬフイルムが得られることになる。

【００３４】前記熱風加熱処理の条件は次の通りであ
る。まず温度は、常温から約３５０±５０℃を上限とし
て約８０〜１００分を要して徐々に昇温する。この上限
温度に達したらその温度で約４０〜８０分間加熱する。
そして加熱手段としては次の２つの方法がある。いずれ
の方法を採るかはＳ・ＭＬフイルムの主成分であるＰＩ
樹脂の熱的性質による。つまりこの加熱課程で収縮の起
こるものは（一般にＴｇ温度もないＰＩ樹脂）は下記Ａ
法によるのがよい。 ◎（Ａ法）金属ドラム内周面に付着している半導電性積層ＰＡ酸フ
イルムを剥離し、これを別設の中空管状金型に嵌挿し
て、これを熱風乾燥機の中で熱風加熱する。 ◎（Ｂ法）半導電性積層ＰＡ酸フイルムが金属ドラム内周面に着接
のままで、この全体を熱風乾燥機に投入して熱風加熱す
る。尚、前記するように有機溶媒に可溶の熱可塑性ＰＩ
樹脂とＰＡＩ樹脂については、イミド化が行われていて
も該溶媒に溶解する。従って、これ等についてはＰＩ溶
液又はＰＡＩ溶液を成形原液とすることができ、敢えて
ＰＡ酸の溶液とする必要はない。従って、これらのＰＩ
系樹脂をマトリックスとする場合には、本工程では残存
溶媒の除去を目的とした熱風加熱処理と言うことになる
ので、温度は２５０〜２８０℃程度で良い。

【００３５】かくして製造されたＳ・ＭＬフイルムは、
前記の通り極めて優れた特性（耐熱性、耐薬品性、機械
的性質）をもって、表面抵抗率と体積抵抗率とが個々に
所望通りコントロールでき、しかも得られた各抵抗は印
加電圧に依存して変わるようなこともなく安定してい
る。このような特性は、例えばカラー複写機の重要部材
の一つであるベルト状の紙搬送兼転写用又は中間転写用
のベルト部材として有効であるが、表面抵抗率と体積抵
抗率が自由に変えられることは、今後紙両面同時複写を
行う場合のベルト部材としての使用が有効である。尚、
紙搬送兼転写用又は中間転写用のベルト部材として使用
する場合の形態は、一般に採用されている方法によるの
で詳細は割愛する。

【００３６】

【実施例】以下に比較例と共に実施例によって更に詳述
する。尚、本例における表面抵抗率（Ｒｓ）、体積抵抗
率（Ｒｖ）は次の条件で測定した。 ●Ｒｓ（Ω／□）、Ｒｖ（Ω・ｃｍ）株式会社アドバンテスト製の抵抗測定器“Ｒ８３４０
Ａ”に、ＪＩＳ−Ｋ６９１１法に準じて作製したプロー
ブ（主電極外径５０ｍｍ、ガード電極内径７０ｍｍ（外
径８０ｍｍ）を繋ぎ，印加電圧５００Ｖ（実施例１〜
４、比較例１，２）と１．５ｋＶ（実施例５）の下で３
０秒後に測定した値。

【００３７】（参考例１）（ＰＡ酸関連成形原液の調製
例）ＰＩ樹脂がマトリックスとなる場合の成形原液は次のよ
うにして調製した。

【００３８】まず芳香族ＰＡ酸溶液を次のようにして調
製した。つまりビフエニルテトラカルボン酸二無水物と
４，４´−ジアミノジフエニルエーテルとの当モル量を
ＮＭＰ溶媒中、２０℃で重縮合反応させて、固形分（Ｐ
Ａ酸）濃度１６重量％、溶液粘度３．５Ｐａ・ｓの１０
ｋｇを得た。該溶液に各半導電性を付与のために下記の
ように調合する。

【００３９】＜高半導電ＰＡ酸溶液１＞前記芳香族ＰＡ
酸溶液の３ｋｇを採取して、これに７５ｇのＣＢ粉体
（１０^−１Ω・ｃｍ）（固形分に対して１３．３重量
％）及びＮＭＰ２２５ｇ（希釈用）とを添加し、まず羽
根付きの攪拌機で予備的混合後、これをボールミル機に
移し換えて更に混合した。そしてこれに９．６ｇ（固形
分に対して１．７重量％）の２−フェニルイミダゾール
（ｐＫｂ＝６．３）を添加し、羽根付きの攪拌機で攪拌
して混合溶解した。この溶液の粘度は３．２Ｐａ・ｓで
あった。

【００４０】＜高半導電ＰＡ酸溶液２＞（前記高半導電
ＰＡ酸溶液１よりも高半導電性）前記芳香族ＰＡ酸溶液１ｋｇを採取して、これに前記Ｃ
Ｂ粉体２６ｇ（固形分に対して１３．７重量％）とＮＭ
Ｐ８０ｇ（希釈用）とを使用する以外は前記同様にして
混合分散した。この溶液の粘度は３．２Ｐａ・ｓであっ
た。

【００４１】＜高半導電ＰＡ酸溶液３＞前記芳香族ＰＡ
酸溶液１ｋｇを採取して、これに前記ＣＢ粉体２４．５
ｇ（固形分に対して１３．０重量％）とＮＭＰ７０ｇ
（希釈用）とを使用する以外は前記同様にして混合分散
した。この溶液の粘度は３．１Ｐａ・ｓであった。

【００４２】＜低半導電ＰＡ酸溶液４＞前記得られた芳
香族ＰＡ酸溶液の１ｋｇを採取して、これに前記ＣＢ粉
体２０ｇ（固形分に対して１０．９重量％）とＮＭＰ５
０ｇ（希釈用）とを使用する以外は前記同様にして混合
分散した。この溶液の粘度は３．１Ｐａ・ｓであった。

【００４３】＜低半導電ＰＡ酸溶液５＞（前記低半導電
ＰＡ酸溶液４よりも低半導電性）前記得られた芳香族ＰＡ酸溶液の１ｋｇを採取して、こ
れに前記ＣＢ粉体の２２ｇ（固形分に対して１１．９重
量％）とＮＭＰ６０ｇ（希釈用）添加し前記同様混合分
散した。この溶液の粘度は３．２Ｐａ・ｓであった。

【００４４】＜低半導電ＰＡ酸溶液６＞前記得られた芳
香族ＰＡ酸溶液の１ｋｇを採取して、これに前記ＣＢ粉
体２１ｇ（固形分に対して１１．４重量％）とＮＭＰ５
５ｇ（希釈用）とを添加し前記同様混合分散した。この
溶液の粘度は３．２Ｐａ・ｓであった。

【００４５】＜低半導電ＰＡ酸溶液７＞前記得られた芳
香族ＰＡ酸溶液の１ｋｇを採取して、これに前記ＣＢ粉
体１８ｇ（固形分に対して９．６重量％）とＮＭＰ４０
ｇ（希釈用）とを添加し前記同様混合分散した。この溶
液の粘度は３．０Ｐａ・ｓであった。

【００４６】（参考例２）（ＰＡＩ関連成形原液の調製
例）ＰＡＩ樹脂がマトリックスとなる場合の成形原液を次の
ようにして調製した。

【００４７】まず無水トリメリット酸無水物と４，４′
―ジアミノジフェニルメタンとの当モル量をＮＭＰ中で
重縮合しイミド化して固形分濃度２０重量％、溶液粘度
３．２Ｐａ・ｓの実質的イミド化されたＰＡＩ溶液５ｋ
ｇを得た。

【００４８】＜高半導電ＰＡＩ溶液８＞前記ＰＡＩ溶液
の２ｋｇを採取して、これに前記ＣＢ粉体の６０ｇ（固
形分に対して１３．０重量％）とＮＭＰ１１０ｇ（希釈
用）とを添加し、まず羽根付きの攪拌機で予備的混合
し、次にボールミルに移し換えて更に混合分散した。こ
の溶液の粘度は１．８Ｐａ・ｓであった。

【００４９】＜低半導電ＰＡＩ溶液９＞前記得たＰＡＩ
溶液１ｋｇを採取して、これに前記ＣＢ粉体２６ｇ（固
形分に対して１１．５重量％）とＮＭＰ５０ｇ（希釈
用）とを添加し添加し、前記同様にして混合分散した。
この溶液の粘度は１．８Ｐａ・ｓであった。

【００５０】＜低半導電ＰＡＩ溶液１０＞（前記低半導
電ＰＡＩ溶液９よりも低半導電溶液）前記得たＰＡＩ溶液１ｋｇを採取して、これに前記ＣＢ
粉体２４ｇ（固形分に対して１０．７重量％）とＮＭＰ
４５ｇ（希釈用）とを添加し添加し、前記同様にして混
合分散した。この溶液の粘度は１．８Ｐａ・ｓであっ
た。

【００５１】（実施例１）（Ｒ値＝３００の場合）前記の高半導電ＰＡ酸溶液１の１ｋｇと前記低半導電Ｐ
Ａ酸溶液４の１ｋｇとを用いて、次の条件でまずＡ１工
程を実施した。尚、ここで使用した製造装置と製造手順
は、前記本文中の記載に基づくが、詳細は次の通りであ
った。

【００５２】＜製造装置＞ ◎金属ドラム・・内面鏡面仕上げ（クロムメッキ、Ｒｚ
＝０．６μｍ）、両端開口の幅４５０ｍｍ、内径３１０
ｍｍの金属ドラム、 ◎スリット状ノズル（ヘッド）・・吐出口幅０．５ｍ
ｍ、長さ５０ｍｍのノズルが２個横列で一体化したもの
で、このノズルの一個は各高半導電ＰＡ酸溶液用及び高
半導電ＰＡＩ溶液用のタンクと、もう一個は各低導電Ｐ
Ａ酸溶液用及び低半導電ＰＡＩ溶液用のタンクと供給パ
イプを介して切り替え弁をもって各々繋がれている。

【００５３】前記製造装置を用いて、まず前記スリット
状ノズルを金属ドラム内右端に該ドラム内面から４０ｍ
ｍ離してセットしたら、５ｒａｄ／ｓの角速度でゆっく
りと回転を始めた。次にこの回転の１０秒後に、左方向
移動速度４．０ｍｍ／秒に制御された該ノズル（この速
度は終始一定）から、まず高半導電ＰＡ酸溶液１を、噴
霧量８０ｇ／分で移動しつつ噴射した。そしてこの移動
・噴射開始後１１２秒経過したら、該ノズルからの噴射
は停止し、直ちに原位置に復帰させると共に、一旦系外
に取り出した。

【００５４】そして前記回転速度を維持しつつ、金属ド
ラムを筐体で囲い加熱を開始した。加熱は、まず３０分
を要して１４０℃（該ドラム内温度）まで昇温し、そし
てその温度で３０分間加熱、更に３０分を要して２００
℃まで昇温し、そしてその温度で３０分間加熱した。こ
の加熱の間は、筐体に付設された排気フアンによって蒸
発する有機溶媒を積極的に排出除去した。該加熱が終了
したら、加熱を停止し常温に冷却し回転を停止した。乾
燥固化した高半導電ＰＡ酸層（表面層）が該ドラムの内
面にしっかりと形成された。この外層の有するＮＭＰ量
は５．５重量％であった。尚、このＮＭＰ残存率は、別
途予め同一条件で成形し加熱することで、温度と加熱時
間に対する残存量率の関係をグラフ化し、これから読み
とって確認したものである。

【００５５】そして次の条件でＢ２工程を実施し、前記
高半導電ＰＡ酸層の内面に低半導電ＰＡ酸溶液４を噴
射、加熱して相当する低半導電ＰＡ酸層を積層した。つ
まり、低半導電ＰＡ酸溶液４に切り替えたスリット状ノ
ズルから噴霧量を１００ｇ／分として、前記Ａ１工程と
同一条件で無遠心回転下、噴射し加熱積層した。

【００５６】最後に次の条件でＣ３工程を実施し、所望
する２層のＳ・ＭＬフイルムを製造した。つまり前記Ｂ
２工程を終了した、（二層の半導電ＰＡ酸フイルムを有
する）金属ドラムを回転ローラから着脱し、このドラム
の全体を熱風乾燥機に投入し、まず９０分を要して３２
０℃まで昇温し、そしてその温度で６０分間加熱した
（前記Ｂ法を採用）。この加熱が終了したら常温に冷却
し、脱溶媒とイミド化を行った。そして常温に冷却した
ら積層フイルムを着脱し、この両端をカットして幅３５
０ｍｍに仕上げ製品とした。該フイルムの全厚は９０μ
ｍ、表面層の厚さは４０μｍであり、これの各測定結果
を表１に示した。

【００５７】

【表１】

【００５８】（実施例２）（Ｒ値＝１．５の場合）前記高半導電ＰＡ酸溶液１の１ｋｇを採取し、前記実施
例１と同条件にてまずＡ１工程を実施し、有機溶媒残存
量５．１重量％の高半導電ＰＡ酸層（表面層）を形成し
た。そして引き続き該層の内面に前記低半導電ＰＡ酸溶
液５の１ｋｇを用いて実施例１と同条件にてＢ２工程を
実施し、金属ドラムの内面に積層された半導電ＰＡ酸フ
イルムを形成した。そして最後に該金属ドラムを回転ロ
ーラから着脱して、該実施例１と同様条件にてＣ３工程
を実施し、幅３５０ｍｍに仕上げた積層無端管状フイル
ムを得た。これの全厚は９１μｍ、表面層の厚さは３９
μｍであり、これの各測定結果を表１に示した。

【００５９】実施例１と２とは、例えばあるユーザから
印加電圧５００Ｖ対応で、Ｒｓは１０^１０桁Ω／□のも
ので一定にして、Ｒｖを１０^１２桁Ω・ｃｍのものと１
０^１ ^０桁Ω・ｃｍのものとの二種のＳ・ＭＬフイルムを
製造して欲しいとの依頼があった場合に実施する製造例
と言うことになる。

【００６０】（比較例１）（Ｒ値が０．１未満の場合）実施例１において、前記の高半導電ＰＡ酸溶液１の１ｋ
ｇと高半導電ＰＡ酸溶液２の１ｋｇとを使って、実施例
１と同じ条件でまず該ＰＡ酸溶液１を無遠心下、噴霧供
給し加熱して残存溶媒量５．３重量％の高半導電ＰＡ酸
層を形成し、引き続き高半導電ＰＡ酸溶液２を内面に噴
霧供給、加熱して積層された半導電無端管状ＰＡ酸フイ
ルムに成形した。そして最後に脱溶媒とイミド化を行な
い、表面層よりも裏面層の有する半導性が高い二層無端
管状ＰＩフイルムを得た。幅３５０ｍｍにカット仕上げ
した。該フイルム全厚は８９．７μｍ、表面層の厚さは
４０μｍであった。これについての各測定結果も表１に
まとめた。

【００６１】（比較例２）（Ｒ値が１０００を超える場
合）実施例１において、前記高半導電ＰＡ酸溶液１の１ｋｇ
と前記低半導電ＰＡ酸溶液７の１ｋｇとを使って、実施
例１と同じ条件でまず該ＰＡ酸溶液１からＰＡ酸溶液５
を順次無遠心下、噴霧供給し加熱し、積層された半導電
管状ＰＡ酸フイルムに成形し、最後に該フイルムの脱溶
媒とイミド化を行ない相当する無端管状ＰＩフイルムを
得た。これについての各測定結果は表１の通りであっ
た。尚、該フイルムの全厚は９０μｍ、表面層の厚さは
３９μｍであった。

【００６２】（実施例３）（ＰＡＩ樹脂をマトリックス
としたＲ値＝０．３３の場合）まず前記高半導電ＰＡＩ溶液８の１ｋｇを使って、実施
例１と同一条件でＡ１工程を実施し高半導電ＰＡＩ表面
層を形成した。該層の有する溶媒残存量は３．５重量％
であった。但し、ここでの加熱は１８０℃で行った。そ
して引き続き低半導電ＰＡＩ溶液９を使って、該例と同
様にしてＢ２工程を実施し低半導電ＰＡＩ層を内面に積
層した。但し、ここでも加熱は１８０℃で行った。最後
に該例と同様にしてＣ３工程の熱風による加熱処理を行
ない、相当する半導電性二層無端管状ＰＡＩフイルムを
得た。該フイルムの全厚は１１２μｍ、表面層の厚さは
５０μｍであった。但しここでの熱風加熱は（イミド化
する必要がないので）２８０℃とした。これについての
各測定結果は表１にまとめた。

【００６３】（実施例４）（ＰＡＩ樹脂をマトリックス
としたＲ値＝５０の場合）まず前記高半導電ＰＡＩ溶液８の１ｋｇを使って、実施
例３と同一条件でＡ１工程を実施し高半導電ＰＡＩ表面
層を形成した。該層の有する溶媒残存量は３．８重量％
であった。そして引き続き低半導電ＰＡＩ溶液１０を使
って、該例と同様にしてＢ２工程を実施し低半導電ＰＡ
Ｉ層を内面に積層した。最後に該例と同様にしてＣ３工
程の熱風による加熱処理を行ない、相当する半導電性二
層無端管状ＰＡＩフイルムを得た。該フイルムの全厚は
１１０μｍ、表面層の厚さは５１μｍであった。これに
ついての各測定結果は表１にまとめた。

【００６４】実施例３と４とは、例えばあるユーザから
印加電圧５００Ｖ対応で、Ｒｓは１０^１１桁Ω／□にし
て、Ｒｖを１０^１１桁Ω・ｃｍのものと、１０^１３桁Ω
・ｃｍの（ＰＡＩ樹脂をマトリックスとした）二種のＳ
・ＭＬフイルムを製造して欲しいとの依頼があった場合
に実施する製造例と言うことになる。

【００６５】（実施例５）（印加電圧１．５ｋＶ対応で
Ｒ値＝３の例）前記高半導電ＰＡ酸溶液３と低半導電ＰＡ酸溶液６とを
用いて、実施例１と同一条件にて、まず該高半導電ＰＡ
酸溶液３をＡ１工程、次に該低半導電ＰＡ酸溶液６をＢ
２工程にて内面噴霧成形・加熱して積層された二層の半
導電性無端管状ＰＡ酸フイルムを得た。尚、表面の高半
導電ＰＡ酸からなる表面層の有する残存溶媒量は５．６
重量％であった。

【００６６】最後に前記Ｂ２工程で得た半導電性二層無
端管状ＰＡ酸フイルムを、同様にしてＣ３工程を実施し
て脱溶媒とイミド化とを行ない、相当するＳ・ＭＬフイ
ルムを製造した。該フイルムの全厚は９１μｍ、表面層
の厚さは４０．８μｍであった。各電圧印加下での測定
結果を表１にまとめた。

【００６７】実施例５は、例えばあるユーザから印加電
圧１．５ｋＶ対応で、Ｒ値を３、つまりＲｓは１０^１０
桁Ω／□、Ｒｖは１０^１０桁Ω・ｃｍとして、（ＰＩ樹
脂をマトリックスとした）Ｓ・ＭＬフイルムを製造して
欲しいとの依頼があった場合に実施する製造例と言うこ
とになる。印加電圧が変わることで、それに対応して各
抵抗値の設定も変わるが、その設定の中で、表面層の有
する表面抵抗率と体積抵抗率とを自由に変えることがで
きる。

【００６８】

【発明の効果】本発明は前記の通り構成されているの
で、次のような効果を奏する。

【００６９】ＰＩ系無端管状フイルムに関し、印加電圧
３ｋＶ以下での帯電使用の場合、表面抵抗率と体積抵抗
率とを各々独立的に自由に変更することが可能になっ
た。これによって、各種異なる使用形態に対して対応が
容易になった。

【００７０】又、ＰＩ系による少なくとも二層による無
端管状フイルムで構成されるために、該フイルムの表面
にある物体を当接しつつ、長期間反復回転使用しても、
表面が摩耗するとか破壊（剥離）する危険性がないの
で、終始安定した電気的特性（例えば静電容量）を維持
することも可能になった。

【００７１】前記の２つの効果により、より一層使用し
易くなった。例えばカラー複写機に使用される中間転写
用又は紙搬送兼転写用のベルトとしての使用では、各メ
ーカの機種、要望に対して自由に対応することができる
ようになった。更に複写紙の両面印刷対応が可能にな
り、今後の使用が大いに期待される。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｂ 5/06 Ｈ０１Ｂ 5/06 13/00 ５０１ 13/00 ５０１Ｐ // Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｃ０８Ｌ 79:08 Ｆターム(参考） 2H200 FA09 JB07 JB22 JC04 JC09 JC13 JC15 JC16 JC17 JC18 MA04 MA11 MA14 MB02 MB04 MB05 MC05 NA02 4F071 AA60 AB03 AE15 AF37 AF38 AH17 BA02 BB02 BB12 BC01 4F100 AA37A AA37B AH10A AH10B AK49A AK49B BA02 BA14 DA11 DE01A DE01B EG002 EH762 EJ422 EJ862 GB51 JA20A JA20B JG01A JG01B 5G307 DA05 DB04 DC01 DC02

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】３ｋＶ以下の直流電圧を印加した場合に得
られる体積抵抗率の絶対値を表面抵抗率の絶対値で除し
た値が０．１〜１０００倍の範囲にあるように少なくと
も二層で構成されている半導電性多層無端管状ポリイミ
ド系フイルム。
【請求項２】前記半導電性多層無端管状ポリイミド系フ
イルムが、導電性カーボンブラックにより付与された表
面抵抗率の小さい半導電性ポリイミド表面層と導電性カ
ーボンブラックにより付与された表面抵抗率の大きい半
導電性ポリイミド裏面層とからなる請求項１に記載の半
導電性多層無端管状ポリイミド系フイルム。
【請求項３】前記表面層の有する表面抵抗率が１０
^６〜１２Ω／□であり、裏面層の有する表面抵抗率が１
０^{１０〜１５}Ω／□である請求項２に記載の半導電性多
層無端管状ポリイミド系フイルム。
【請求項４】次の（Ａ）〜（Ｃ）に記載の各工程が順次
行われてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
１項に記載の半導電性多層無端管状ポリイミド系フイル
ムの製造方法。（Ａ）ポリアミド酸と導電性カーボンブラック粉体と有
機溶媒とを含有する電気抵抗の小さい高半導電性ポリア
ミド酸溶液を、実質的無遠心力の速度で回転する該ドラ
ムの内面に噴霧状で均一に供給し加熱して、該溶媒の含
有量１０％以下の高半導電性無端管状ポリアミド酸層に
成形する第一工程、（Ｂ）前記により金属ドラム内面に
成形された高半導電性の無端管状ポリアミド酸層の内面
に、ポリアミド酸と導電性カーボンブラック粉体と有機
溶媒とを含有する電気抵抗の大きい低半導電性ポリアミ
ド酸溶液を、実質的無遠心力の速度で回転する該ドラム
の内面に噴霧状で均一に供給し加熱して低半導電性の無
端管状ポリアミド酸層を積層する第二工程、（Ｃ）前記
第二工程で得られた半導電性無端管状ポリアミド酸フイ
ルムを熱風加熱して残存有機溶媒の蒸発除去と共に、ポ
リアミド酸成分をイミド化して相当する多層無端管状ポ
リイミド系フイルムに変える第三工程。
【請求項５】前記高半導電性ポリアミド酸及び低半導電
性ポリアミド酸溶液にｐＫｂ≧５の塩基性有機化合物が
含有されてなる請求項４に記載の半導電性多層無端管状
ポリイミド系フイルムの製造方法。
【請求項６】カラー複写機の紙搬送兼転写用又は中間転
写用のベルトとしての請求項１に記載の半導電性多層無
端管状ポリイミド系フイルムの使用。