JP2002105502A - 軟質磁性金属粉末および粉末集合体並びに圧縮成形体 - Google Patents
軟質磁性金属粉末および粉末集合体並びに圧縮成形体Info
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Abstract
とが可能な圧縮成形体を得るとともに、この成形体のた
めの軟質磁性金属粉末とこの集合体を提供する。 【解決手段】 本発明に係る軟質磁性金属粉末1は、長
軸Lとこの長軸Lと直交する短軸Dとを有し、前記長軸
Lを横切る短軸D方向における断面の外郭形状が曲線と
されていてこの曲線が前記長軸Lの方向で連続すること
で外表面が曲面形状とされているとともに前記長軸Lの
両端部分が凸曲面に形成され、更に、前記長軸Lの最大
長さL1、前記短軸Dの最大径長をD1としたとき、ア
スペクト比L1/D1が1.5〜10望ましくは3〜8
とされている粉末の表面に、軟化点が当該粉末の結晶化
温度よりも低いガラス粉末を固着させ、前記粉末の表面
が前記ガラスで被覆された複合粉末とされている。
Description
および粉末集合体並びに圧縮成形体に係り、例えば、高
周波磁気回路等で使用される磁性体、機械部品等に用い
られるものである。
コア(以下磁心という)には高透磁率と低鉄損が要求さ
れる。また、最近テレビジョンの大画面化、高輝度化に
対応して高周波化が進む中で従来のフェライト製の鉄心
では飽和磁束密度が低いため軟質磁性金属粉末による高
磁束密度化を行い、かつ高透磁率、低鉄損であることが
要求される。高透磁率を得るためには磁心を構成する
磁性体粉末を高密度化する事、磁性粉単体の反磁界係
数を小さくする事が必要である。
理想配分したものを使用してバインダーをできるだけ少
なく混合して粉末相互が振動やプレス圧力によって相互
の隙間を埋めるように移動しながら高密度成形磁心を得
る方法や、薄片状や鱗片状の粉末を作成してバインダー
と混合して磁心を成形する方法が試みられた。高透磁率
を得るためには反磁界係数を小さくすれば良く、のた
めには、軟質磁性金属粉末のアスペクト比(縦・横比,
偏平比)を高くすることが肝要である。
ール法等によって、偏平の形状とされた薄片状粉末、薄
帯(リボン)を粉砕することによって得られる鱗片状粉
末等が提案されており、これらはアスペクト比が約30
〜100というように高いものであった(例えば、特開
平5−295402号公報等参照)。
理想的な粉末は球形粉末の粒径(粒度)を理想配分した
ものを使用してバインダーをできるだけ少なく混合して
振動を加えたり高圧プレス成形すれば、粉末粒子同士が
押し合いながら粒子の隙間を埋めるように動くことによ
り高密度成形ができる。しかしながら磁性粉末単体が球
体では反磁界係数が0.33と大きく、このため磁心と
しての実効透磁率が低下してしまう。他方磁性粉末単体
の反磁界係数を小さくするため薄片状や鱗片状の粉末を
作成して成形する事が試みられているがこれらの粉末は
バインダーと混合されて振動や圧力を加えても、元々の
厚みが数ミクロンと薄いため粒子間に存在するバインダ
ーの厚みと磁性粉の厚みとの差が小さい事や、粉体が千
鳥に重なってできた隙間を埋めようとして粉体の厚み方
向に圧力をかけても薄片や鱗片では隙間を埋めるように
長さ方向に動く力が働かないこと等がネックとなって高
圧成形によっても高密度化ができず、そのため高透磁率
の磁心を得られないのが現実である。
は、確かに、高アスペクト比であるけれども、その厚さ
は数μmのものであって、これではバインダーと混合し
て圧縮成形して得られる軟質磁性金属圧縮成形体は、前
記バインダーの占める体積が大きくなり、換言すれば、
圧縮成形体に占める軟質磁性粉末の割合が低下し、高飽
和磁束密度と高透磁率を同時に達成しがたくなる。従っ
て、高密度成形が可能でなおかつ磁心を構成する磁性粉
末単体の反磁界係数を小さくできる粉末が望まれてい
る。
に、外郭形状を曲面(凹凸曲面)に形成することによっ
て、反磁界係数を低くでき、しかも、アスペクト比を
1.5〜10望ましくは2〜8にすることによって、こ
の粉末集合体を成形するときバインダーの混合比率を少
なくできるようにしたことを目的とするものである。
属粉末は、前述の目的を達成するために、長軸Lとこの
長軸Lと直交する短軸Dとを有し、前記長軸Lを横切る
短軸D方向における断面の外郭形状が概略円形もしくは
楕円形とされていてこの概略円形もしくは楕円形の外郭
形状が前記長軸Lの方向で連続することで外表面が曲面
形状とされているとともに前記長軸Lの両端部分が凸曲
面に形成され、更に、前記長軸Lの最大長さL1、前記
短軸Dの最大径長をD1としたとき、アスペクト比L1
/D1が1.5〜10望ましくは2〜8とされている粉
末の表面に、軟化点が当該粉末の結晶化温度よりも低い
ガラス粉末を固着させ、前記粉末の表面が前記ガラスで
被覆された複合粉末とされていることを特徴とするもの
である。(請求項1)。
よると、球状粉末に比べて反磁界係数が低くできて、ま
た、アスペクト比を前述のように規定することによって
バインダーの混合比率を少なくできるのである。また、
このような複合粉末であれば、透磁率をより一層高くす
ることができるのである。請求項1に係る軟質磁性金属
粉末の外郭形状は、長軸L方向の断面形状がほぼ細長回
転楕円体又は該細長回転楕円体の長軸L方向の中途にく
びれた凹曲面部を有する形状とされていることことが望
ましい(請求項2)。
属粉末は、アモルファス粉末であることが望ましい(請
求項3)。このようにアモルファス粉末(非結晶性粉
末)であれば、構成原子配列が不規則のため結晶磁気異
方性がなく高い透磁率を示すからである。更に、請求項
4に係る粉末集合体は、長軸Lとこの長軸Lと直交する
短軸Dとを有し、前記長軸Lを横切る短軸D方向におけ
る断面の外郭形状が概略円形もしくは楕円形とされてい
てこの概略円形もしくは楕円形の外郭形状が前記長軸L
の方向で連続することで外表面が曲面形状とされている
とともに前記長軸Lの両端部分が凸曲面に形成され、も
しくは、前記長軸L方向の断面形状がほぼ細長回転楕円
体又は該細長回転楕円体の長軸L方向の中途にくびれた
凹曲面部を有する形状とされている軟質磁性金属粉末
(第1粉末)と、外郭形状が球形(球体)に形成されて
いる軟質磁性金属粉末(第2粉末)と、外郭形状が偏平
楕円体もしくはこれに類似する形状に形成されている軟
質磁性金属粉末(第3粉末)とのうち、第1粉末に第2
粉末又は第3粉末のいずれか一方又は双方が少なくとも
混在されており、第1〜3粉末の表面に、軟化点が当該
粉末の結晶化温度よりも低いガラス粉末を固着させ、前
記第1〜3粉末の表面が前記ガラスで被覆された複合粉
末とされていることを特徴とするものである。
粉末のアスペクト比は任意に設定することも可能である
が、該第1粉末のアスペクト比は1.5〜10望ましく
は2〜8が推奨される(請求項5)。また、前記第1〜
3粉末の粒子径が3μm〜300μmであることから、
当該第1粉末の混在百分率は任意に設定することが可能
であるが、該第1粉末の混在百分率は30%以上である
ことが推奨される(請求項6)。また、前述した請求項
4〜6のいずれかに記載の粉末集合体にバインダーを混
練して圧縮成形された圧縮成形体(請求項7)によれ
ば、細長回転楕円体の軟質磁性粉末を混在していること
から、当該成形体は球状粉末群又は偏平楕円体粉末群か
らなる成形体に比較して高い透磁率を示すし、また、バ
インダーの混合比率が小さくなって磁性金属粉末の体積
比率が約90%ともなり、薄片粉末などを同様に成形し
て得た成形体では当該粉末の体積比率が約50%程度で
あることからして、請求項6に係る本発明の圧縮成形体
は、高い飽和磁束密度が得られるし、また、細長回転楕
円体形状の軟質磁性金属粉末であることからして、バイ
ンダーと混練して得た圧密(圧縮)成形体は良好な粒子
間絶縁を示し、高周波領域でも粒子間渦電流の発生が小
さいことから高い高周波透磁率を得ることが可能である
だけでなく、細長回転楕円体形状であることから、絶縁
層(バインダー層)を突き破り難くなって粒子相互間の
絶縁を良好にできたのである(請求項7)。
の代表例が図1から図4に示してある(但し、該粉末1
は粒子径が3μm〜300μmであることから、図1〜
図4では拡大して示している)。図1に示す粉末1は、
長軸Lとこの長軸Lと直交する短軸Dとを有し、前記長
軸Lを横切る短軸D方向における断面の外郭形状Qが概
略円形もしくは楕円形とされていてこの外郭形状Qが前
記長軸Lの方向で連続することで外表面が曲面形状とさ
れているとともに前記長軸Lの両端部分が凸曲面1A,
1Bに形成され、更に、前記長軸L方向の断面形状が細
長楕円体(長軸Lを中心として回転させたときの外郭形
状Qは細長回転楕円体)とされている。
1A,1Bが一方が他方に対して大きく形成されている
とともに、長軸L方向の中途、図では凸曲面1A側寄り
においてくびれた凹曲面部1Cを有するものであり、所
謂フランスパン形状とされている。図3に示す粉末1
は、外郭形状が凹曲面部1Cを有する所謂ナマコ形状に
されたものであり、図4に示す粉末1は、外郭形状が凹
曲面部1Cを有する所謂ヒョウタン(瓢箪)形状とされ
たものである。
軸Lの最大長さをL1、前記短軸Dの最大径長さD1と
したとき、アスペクト比L1/D1が1.5〜10望ま
しくは2〜8とされている。図1〜図4に示した粉末1
はいずれも軟質磁性材料の溶融金属(溶湯)を1.5〜
7.0MPaのアルゴン、チッソ等の不活性ガスジェッ
トによって分断して溶滴となし、この溶滴を高速で旋回
する水流中に突入させる(ガスアトマイズ法と水アトマ
イズ法の併合形アトマイズ)ことによって得ることがで
き、このようにして得られた粉末1はアモルファス粉末
でなくとも良いけれども、アモルファス粉末とされるこ
とにより、構成原子配列が不規則のため結晶磁気異方性
がなくなって高い透磁率を示すことから推奨される。
−B系の金属材料、Fe−Cr−Si−B−C系の金属
材料若しくは、Fe−Si−B系の材料に、Mo,W,
Nb,C,Zr,Cuの一種又は2種以上を含む材料を
挙げることができる。図7を参照すると、アスペクト比
(L1/D1)が実質的に1である球形(球体)の軟質
磁性金属粉末10の一例が示してあり、この粉末10が
ガスアトマイズ法によって得られることが知られてい
る。すなわち、当該粉末10は、凝固と冷却が同時に進
行することによって融液の表面張力によって球状化が進
んだ結果物である。
心とする細長楕円体であるが、厚みtが数μmという薄
い偏平楕円体の外郭形状を有する軟質磁性粉末11の一
例が示してあり、この粉末11にアスペクト比L1/D
1が30〜100というように高いアスペクト比を有す
るけれども偏平であるが故に、バインダーの占める割合
が高くなるのである。図5及び図6を参照すると、本発
明に係る粉末1(以下、第1粉末という)と、球状粉末
10(以下、第2粉末という)および偏平楕円体粉末1
1(以下、第3粉末という)との比較図が例示されてい
る。
スペクト比と反磁界係数Nとの関係であり、図6は、第
1粉末1と第2粉末との高周波と透磁率との関係を示し
ている。図5を参照すれば明らかなように、本発明に係
る第1粉末1は、第3粉末11に比べて反磁界係数が低
くなる(第2粉末10についてはアスペクト比が1であ
ることから、反磁界係数は0.333である。また、図
6を参照すれば明らかなように、本発明に係る第1粉末
1は、第2粉末10に比較して透磁率が高くなるのであ
る。
クト比L1/D1が1.5〜10望ましくは2〜8とさ
れていることによって、該第1粉末1に絶縁用バインダ
ーを混練して圧密成形して例えば図9で示すドーナツ形
の圧縮成形体20を作成したとき、球状粉とほぼ同等の
粉末比率の成形体20を得ることができ、ここに、高飽
和磁束密度と高透磁率をともに確保できるのである。す
なわち、本発明に係る第1粉末1については、その体積
比率が約90%ともなり、第3粉末11では体積比率が
約50%程度であるのに対し体積比率が高いことから、
高飽和磁束密度と高透磁率をともに確保できたのであ
る。
とこの長軸Lと直交する短軸Dとを有し、前記長軸Lを
横切る短軸D方向における断面の外郭形状Qが概略円形
もしくは楕円形とされていてこの外郭形状Qが前記長軸
Lの方向で連続することで外表面が曲面形状とされてい
るとともに前記長軸Lの両端部分が凸曲面1A,1Bに
形成され、更に、前記長軸L方向の断面形状がほぼ細長
回転楕円体又は該細長楕円体の長軸L方向の中途にくび
れた凹曲面部1Cを有する形状とされている軟質磁性金
属粉末であることから、絶縁用のバインダーと混練して
圧密成形を行っても粉末粒子同士が絶縁層(バインダー
層)を突き破りにくく粉末粒子相互間の絶縁を良好にす
るのである。
は、粒径(粒度)が3μm〜300μmでその粒度分布
が広範囲であることから、粒度を異にする図1〜図4を
参照して既述した第1粉末1の集合群(集合体)で構成
することもできる。しかしながら、本発明者等は、第1
粉末1に、第2粉末10および第3粉末11のいずれか
一方又は双方が少なくとも混在した粉末集合体を開発し
たのである。すなわち、本発明に係る粉末集合体は、長
軸Lとこの長軸Lと直交する短軸Dとを有し、前記長軸
Lを横切る短軸D方向における断面の外郭形状Qが概略
円形もしくは楕円形とされていてこの外郭形状Qが前記
長軸Lの方向で連続することで外表面が曲面形状とされ
ているとともに前記長軸Lの両端部分が凸曲面1A,1
Bに形成され、もしくは、前記長軸L方向の中途にくび
れた凹曲面部1Cを有する形状とされている軟質磁性金
属粉末(第1粉末)1と、外郭形状がほぼ球形(球体)
に形成されている軟質磁性金属粉末(第2粉末)10
と、外郭形状が偏平楕円体もしくはこれに類似する形状
に形成されている軟質磁性金属粉末(第3粉末)11と
のうち、第1粉末1に第2粉末10又は第3粉末11の
いずれか一方又は双方が少なくとも混在されているので
ある。
第3粉末11のいずれか一方又は双方が少なくとも混在
されている限りにおいて、薄片状粉末や鱗片状粉末等々
の従来公知の軟質磁性金属粉末を第4粉末、第5粉末
(第6以上の粉末を含む)として1種又は2種以上を混
在することもできる。また、第1粉末1の混在率(混在
百分率)は、この粉末1の粒度、第2〜粉末10,11
……の粒度によって左右されるけれども、該第1粉末1
の混在百分率は30%以上であることが望ましい。
10,11を混在した実施例を示す。
で、アスペクト比が約3.5とされた第1粉末1と、
(以下、この実施例1ではイという)と、粒径150〜
250μmで、アスペクト比が1.7〜3.6とされた
第1粉末1(以下、この実施例1ではロという)と、粒
径80〜150μmで、アスペクト比が1.1〜1.7
とされた第1粉末1と(以下、この実施例1ではハとい
う)とを混在された粉末集合体の顕微鏡写真(倍率×7
0)で示す図10であり、図10においてイは8%の混
在率、ロは55%の混在率、ハは37%の混在率とされ
ている。
で、アスペクト比が2.6〜4とされた第1粉末1(以
下、この実施例2ではイという)と、粒径5〜50μm
でアスペクト比が1とされた球形の第2粉末10(以
下、この実施例2ではロという)とが混在された粉末集
合体の顕微鏡写真(倍率×150)で示す図11であ
り、図11においてイの混在率は60%とされている。
で、アスペクト比が2〜6とされた第1粉末1(以下、
この実施例3ではイという)と、粒径150〜300μ
mでアスペクト比が2〜4とされた偏平楕円体の第3粉
末11(以下、この実施例3ではロという)とが混在さ
れた粉末集合体の顕微鏡写真(倍率×30)で示す図1
2であり、この図12においてイの混在率は65%とさ
れている。
で、アスペクト比が約3とされた第1粉末1(以下、こ
の実施例4ではイという)と、粒径50〜150μm
で、アスペクト比が1とされた球形の第2粉末10(以
下、この実施例4ではロという)と、粒径135〜30
0μmで、アスペクト比が2〜4とされた偏平楕円体の
第3粉末11(以下、この実施例4ではハという)とを
混在させた粉末集合体の顕微鏡写真(倍率×30)で示
す図13であり、この図13においてイの混在率は45
%、ロの混在率は10%、ハの混在率は45%とされて
いる。
縁用バインダーとして例えばホウケイ酸ガラス1〜4を
10重量%混合して1.25GPa,723kの条件の
下でホットプレスによって圧密成形したところ、図9で
例示する成形体20を得た。この成形体20は、良好な
粒子間絶縁を示し、高周波領域でも粒子間渦電流の発生
が小さく高い高周波透磁率を得ることができた。次に、
図14を参照して前述した軟質磁性金属粉末(前述の第
1〜3粉末をいう)の表面に、軟化点が当該粉末(合
金)結晶化温度より低いガラス粉末を固着させ、前記粉
末の表面がガラスで被覆された複合粉末とされる、すな
わち、複合粉末を製造するための高速ミル装置の実施の
形態について説明する。
円筒状容器2の内部には、回転軸3に固定されたボス4
から第1・2アーム5,6が半径方向に互いに反対方向
として突出されており、第1アーム5の先端には、容器
2の軸方向に延伸した蒲鉾形の押圧部材7が形成され、
該押圧部材7の円弧押圧面7Aと容器2の内面2Aとは
所定の間隔があってこの間隔内において容器2に投入さ
れた粉末(合金粉末およびガラス粉末)9が押圧・圧縮
可能とされている。一方、第2アーム6の先端には、容
器2の軸方向に向けて細長い板状のスクレーパ8が形成
され、該スクレーパ8は粉末9を掻き取ることができる
ように、容器2の内面2Aとほぼ接触するように配備さ
れている。
不活性ガスの雰囲気環境下にすることができ、また、回
転軸3は図示省略した回転駆動装置に連動連結されてい
て第1・2アーム5,6は回転軸3とともに高速回転す
るようになっており、図14(a)はスクレーパ8が最
下部に位置して粉末9を掻き上げようとしているときを
示し、図14(b)は押圧部材7が最下部に位置してそ
の押圧面7Aと容器内面2Aとで粉末9を圧縮している
ときを示している。なお、図では回転軸3を軸心廻りに
高速回転させ、容器2は非回転として定置しているもの
を示しているが、容器2をその軸心廻りに回転させ、軸
3は支軸として非回転としても構わない。
を用いて本発明に係る複合粉末は、次の要領にて製造さ
れる。容器2に投入された合金粉末(図1〜図4を参照
して既述した第1粉末1、図7を参照して既述した第2
粉末10、図8を参照して既述した第3粉末11のいず
れか一種の粉末をいう)とガラス粉末(例えば、鉛ホウ
酸系、リン酸ホウ酸系、錫リン酸系、亜鉛リン酸系等の
低融点ガラス微粉末をいう)9は、スクレーパ8によっ
て図14(a)で示すように掻き取られて攪拌され、次
に、押圧部材7によって図14(b)で示すように容器
2の内面2Aに押しつけられて強力な圧縮摩擦作用を受
ける。
ことにより、非晶質軟磁性合金粒子とガラス粉末との間
で表面融合が起こり、また、ガラス粉末同士が融着する
結果、図14(c)で示すように粉末(第1〜3粉末の
いずれかであるが、図では第2粉末10を代表して示し
ている)の表面がガラスの層12で被覆された複合粉末
(複合粒子)13が得られる。この複合粉末13におけ
るガラス層12の厚さは、最大約3μmにすることが好
ましい。これは、当該層12の厚さが3μmを越えると
ガラス層の欠け落ちが生じ易く、厚さが不均一になって
絶縁性を損なうおそれがあるためである。
は、酸化防止のため、不活性ガスの雰囲気又は真空下で
行なわれるが、真空下で行なうと、固体一固体間の接合
を阻害する気体分子が存在しないため、粒子の複合化が
促進されるのでより好ましい。このようにして製造した
複合粉末を成形温度400℃〜500℃の範囲で500
MPa〜2GPaの圧力で熱間成形した後、500℃程
度の歪み取り熱処理によって所定の圧縮成形体を得るこ
とができた。さらに、冷間・温間成形の場合は、前述し
た複合粉末に、PVA,PVB溶液,アクリル樹脂,フ
ェノール樹脂,水ガラス等の結着性樹脂を混合した後、
金型内でプレス成形(成形圧力500MPa以上)を行
った。金型より脱型後、結晶化温度以下(例えば450
〜500℃×15min)で焼成することにより所定の
圧縮成形体を得ることができた。
晶化開始温度(Tx)が約530℃であれば、図14
(a)(b)を参照して既述した高速ミル装置により5
重量%のガラス粉末(軟化点300℃)を合金粉末の表
面に3μm以下で被覆した複合粉末を製造し、次に、結
着性樹脂としてPVB15%水溶液等を複合粉末に対し
て5%添加し、ミキサーにより混合して複合粉末を得、
この複合粉末を所定の常温成形あるいは250℃以下の
温間成形を行い、結晶化温度以下(例えば480℃)の
温度で15min間焼成処理した。これによって得られ
た成形体(圧縮成形体)は、粒子間で発生する渦電流を
抑制し、コアロスを低減させるとともに優れた高周波数
特性を有する成形磁心であった。
金粉末についても同様な成形が可能であり、焼成温度を
ナノ結晶の開始温度で行うことにより優れた軟磁性材料
を得ることができる。
和磁束密度と高透磁率を同時に得ることができる圧縮成
形体を提供でき、この成形体の原料としての粉末集合体
および軟質磁性金属粉末を提供できる。
第1例を示す拡大図である。
第2例を示す拡大図である。
第3例を示す拡大図である。
第4例を示す拡大図である。
比して示したアスペクト比と反磁界係数の関係図であ
る。
示した高周波と透磁率の関係図である。
る。
る。
る。
る。
る。
作用図と、粉末の表面にガラスの層が被覆された複合粉
末を示し、(a)(b)が作用図、(c)が複合粉末の
断面を模式的に示している。
Claims (7)
- 【請求項1】 長軸Lとこの長軸Lと直交する短軸Dと
を有し、前記長軸Lを横切る短軸D方向における断面の
外郭形状が概略円形もしくは楕円形とされていてこの概
略円形もしくは楕円形の外郭形状が前記長軸Lの方向で
連続することで外表面が曲面形状とされているとともに
前記長軸Lの両端部分が凸曲面に形成され、更に、前記
長軸Lの最大長さL1、前記短軸Dの最大径長をD1と
したとき、アスペクト比L1/D1が1.5〜10望ま
しくは2〜8とされている粉末の表面に、軟化点が当該
粉末の結晶化温度よりも低いガラス粉末を固着させ、前
記粉末の表面が前記ガラスで被覆された複合粉末とされ
ていることを特徴とする軟質磁性金属粉末。 - 【請求項2】 請求項1記載の粉末は、長軸L方向の断
面形状がほぼ細長回転楕円体又は該細長回転楕円体の長
軸L方向の中途にくびれた凹曲面部を有する形状とされ
ていることを特徴とする軟質磁性金属粉末。 - 【請求項3】 請求項1又は2記載の粉末は、アモルフ
ァス粉末であることを特徴とする軟質磁性金属粉末。 - 【請求項4】 長軸Lとこの長軸Lと直交する短軸Dと
を有し、前記長軸Lを横切る短軸D方向における断面の
外郭形状が概略円形もしくは楕円形とされていてこの概
略円形もしくは楕円形の外郭形状が前記長軸Lの方向で
連続することで外表面が曲面形状とされているとともに
前記長軸Lの両端部分が凸曲面に形成され、もしくは、
前記長軸L方向の断面形状がほぼ細長回転楕円体又は該
細長回転楕円体の長軸L方向の中途にくびれた凹曲面部
を有する形状とされている軟質磁性金属粉末(第1粉
末)と、外郭形状がほぼ球形(球体)に形成されている
軟質磁性金属粉末(第2粉末)と、外郭形状が偏平回転
楕円体もしくはこれに類似する形状に形成されている軟
質磁性金属粉末(第3粉末)とのうち、第1粉末に第2
粉末又は第3粉末のいずれか一方又は双方が少なくとも
混在されており、この第1〜3粉末の表面に、軟化点が
当該粉末の結晶化温度よりも低いガラス粉末を固着さ
せ、前記第1〜3粉末の表面が前記ガラスで被覆された
複合粉末とされていることを特徴とする粉末集合体。 - 【請求項5】 請求項4に記載の第1粉末のアスペクト
比L1/D1が1.5〜10望ましくは2〜8とされて
いることを特徴とする請求項4に記載の粉末集合体。 - 【請求項6】 請求項4又は5に記載の第1粉末の混在
百分率は30%以上であることを特徴とする粉末集合
体。 - 【請求項7】 請求項4〜6のいずれかに記載の粉末集
合体にバインダーを混練して圧縮成形されていることを
特徴とする圧縮成形体。
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