JP2002100760A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2002100760A5 JP2002100760A5 JP2001122998A JP2001122998A JP2002100760A5 JP 2002100760 A5 JP2002100760 A5 JP 2002100760A5 JP 2001122998 A JP2001122998 A JP 2001122998A JP 2001122998 A JP2001122998 A JP 2001122998A JP 2002100760 A5 JP2002100760 A5 JP 2002100760A5
- Authority
- JP
- Japan
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001122998A JP4651848B2 (ja) | 2000-07-21 | 2001-04-20 | 半導体装置およびその製造方法並びにｃｍｏｓトランジスタ |
| TW090117416A TWI237851B (en) | 2000-07-21 | 2001-07-17 | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and CMOS transistor |
| DE10135557A DE10135557A1 (de) | 2000-07-21 | 2001-07-20 | Halbleiter-Vorrichtung, Verfahren zur Herstellung derselben und CMOS-Transistor |
| KR10-2001-0043683A KR100433437B1 (ko) | 2000-07-21 | 2001-07-20 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 및 ｃｍｏｓ 트랜지스터 |
| US09/908,618 US6774442B2 (en) | 2000-07-21 | 2001-07-20 | Semiconductor device and CMOS transistor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000220770 | 2000-07-21 | ||
| JP2000-220770 | 2000-07-21 | ||
| JP2001122998A JP4651848B2 (ja) | 2000-07-21 | 2001-04-20 | 半導体装置およびその製造方法並びにｃｍｏｓトランジスタ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002100760A JP2002100760A (ja) | 2002-04-05 |
| JP2002100760A5 true JP2002100760A5 (es) | 2008-05-22 |
| JP4651848B2 JP4651848B2 (ja) | 2011-03-16 |
Family
ID=26596432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001122998A Expired - Fee Related JP4651848B2 (ja) | 2000-07-21 | 2001-04-20 | 半導体装置およびその製造方法並びにｃｍｏｓトランジスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4651848B2 (es) |
| KR (1) | KR100433437B1 (es) |
| DE (1) | DE10135557A1 (es) |
| TW (1) | TWI237851B (es) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3781666B2 (ja) | 2001-11-29 | 2006-05-31 | エルピーダメモリ株式会社 | ゲート電極の形成方法及びゲート電極構造 |
| KR100806138B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-02-22 | 주식회사 하이닉스반도체 | 금속 게이트전극을 구비한 반도체소자의 제조 방법 |
| US7112485B2 (en) * | 2002-08-28 | 2006-09-26 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers |
| KR100693878B1 (ko) * | 2004-12-08 | 2007-03-12 | 삼성전자주식회사 | 낮은 저항을 갖는 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| US7534709B2 (en) | 2003-05-29 | 2009-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| DE102004004864B4 (de) * | 2004-01-30 | 2008-09-11 | Qimonda Ag | Verfahren zur Herstellung einer Gate-Struktur und Gate-Struktur für einen Transistor |
| KR100618895B1 (ko) * | 2005-04-27 | 2006-09-01 | 삼성전자주식회사 | 폴리메탈 게이트 전극을 가지는 반도체 소자 및 그 제조방법 |
| JP4690120B2 (ja) | 2005-06-21 | 2011-06-01 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| KR100673902B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-01-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 텅스텐폴리메탈게이트 및 그의 제조 방법 |
| KR100683488B1 (ko) | 2005-06-30 | 2007-02-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 폴리메탈 게이트전극 및 그의 제조 방법 |
| KR100654358B1 (ko) | 2005-08-10 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 집적 회로 장치와 그 제조 방법 |
| DE102007045074B4 (de) | 2006-12-27 | 2009-06-18 | Hynix Semiconductor Inc., Ichon | Halbleiterbauelement mit Gatestapelstruktur |
| KR100844940B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-07-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 다중 확산방지막을 구비한 반도체소자 및 그의 제조 방법 |
| US7781333B2 (en) * | 2006-12-27 | 2010-08-24 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device |
| KR100914283B1 (ko) | 2006-12-28 | 2009-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 폴리메탈게이트 형성방법 |
| KR100843230B1 (ko) | 2007-01-17 | 2008-07-02 | 삼성전자주식회사 | 금속층을 가지는 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그제조 방법 |
| KR100824132B1 (ko) | 2007-04-24 | 2008-04-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR100972220B1 (ko) * | 2008-01-23 | 2010-07-23 | 이동훈 | 전기자극치료기용 도자컵 패드 |
| JP2015177187A (ja) | 2014-03-12 | 2015-10-05 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0687501B2 (ja) * | 1988-09-29 | 1994-11-02 | シャープ株式会社 | 半導体装置のゲート電極の製造方法 |
| JP3183793B2 (ja) * | 1994-01-18 | 2001-07-09 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0964200A (ja) * | 1995-08-26 | 1997-03-07 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100240880B1 (ko) * | 1997-08-16 | 2000-01-15 | 윤종용 | 반도체 장치의 게이트 전극 형성 방법 |
| JPH11195621A (ja) * | 1997-11-05 | 1999-07-21 | Tokyo Electron Ltd | バリアメタル、その形成方法、ゲート電極及びその形成方法 |
| JP2000036593A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| AU5682399A (en) * | 1998-08-21 | 2000-03-14 | Micron Technology, Inc. | Field effect transistors, integrated circuitry, methods of forming field effect transistor gates, and methods of forming integrated circuitry |
| JP3264324B2 (ja) * | 1998-08-26 | 2002-03-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
| JP2001298186A (ja) * | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR100351907B1 (ko) * | 2000-11-17 | 2002-09-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 게이트 전극 형성방법 |
-
2001
- 2001-04-20 JP JP2001122998A patent/JP4651848B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-17 TW TW090117416A patent/TWI237851B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-20 KR KR10-2001-0043683A patent/KR100433437B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-20 DE DE10135557A patent/DE10135557A1/de not_active Ceased