JP2002064134A - 静電チャック及びその製造方法 - Google Patents
静電チャック及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002064134A JP2002064134A JP2000246740A JP2000246740A JP2002064134A JP 2002064134 A JP2002064134 A JP 2002064134A JP 2000246740 A JP2000246740 A JP 2000246740A JP 2000246740 A JP2000246740 A JP 2000246740A JP 2002064134 A JP2002064134 A JP 2002064134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- electrostatic chuck
- thickness
- film
- electrode layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/269—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension including synthetic resin or polymer layer or component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31721—Of polyimide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
って優れた吸着性能を発揮し得るほか、プラズマにアタ
ックされて発塵し装置周辺やウエハを汚染するというよ
うなこともない静電チャック、及び、その製造方法を提
供する。 【解決手段】 金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び
第二絶縁層が順次積層された積層構造を有する静電チャ
ックであり、第一絶縁層及び第二絶縁層がポリイミドフ
ィルムで構成されていると共に、少なくとも金属基盤と
第一絶縁層との間、好ましくは更に第一絶縁層と電極層
との間、及び電極層と第二絶縁層との間が膜厚5〜50
μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムにより接着さ
れている静電チャックである。また、このような静電チ
ャックを製造するために、加圧下に加熱温度100〜2
50℃で低温圧着処理する静電チャックの製造方法であ
る。
Description
造プロセスで用いられる種々の装置において、ウエハ等
の試料を静電気力で吸着保持するための静電チャック及
びその製造方法に関する。
ッチング装置、プラズマCVD装置、イオン注入装置、
アッシング装置、電子ビームリソグラフィー、X線リソ
グラフィー等の装置ではウエハ等の試料を真空中で処理
することが要求され、その際にウエハ等の保持手段とし
て静電チャックが用いられている。
に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層からなる積層構
造を有する静電チャックシートを積層して構成されてお
り、この静電チャックシートの第二絶縁層の上にウエハ
を載置してこのウエハと電極層との間に高電圧を印加
し、この際にウエハと電極との間に発生する静電引力
(クーロン力)を利用してウエハをステージ上に吸着し
保持させるものであり、第一絶縁層としては耐熱性に優
れたポリイミドフィルムやセラミックス薄板が用いら
れ、電極層としては勤続の蒸着膜やメッキ膜が用いら
れ、また、第二絶縁層としてはポリイミドフィルムが用
いられ、そして、各金属基盤、第一絶縁層、電極層、及
び第二絶縁層の間は接着剤層で接着されている。
は、使用時にウエハ内に発生する熱エネルギーを効率良
く発散させてウエハ表面温度を低温に維持する必要があ
ることから、種々の工夫が施されている。
は、金属基盤上に積層される静電チャックシート(第一
絶縁層、電極層、及び第二絶縁層)の厚さを可能な限り
薄くしたり、あるいは、金属基盤、第一絶縁層、電極
層、及び第二絶縁層の間を接着する接着剤層の1層又は
2層以上に熱伝導性フィラーを分散させて静電チャック
全体の熱伝導性の向上を図ることが提案されている。
09,256号の各公報には、第一絶縁層をセラミックからな
る絶縁板で構成し、各接着剤層の層厚を薄くして熱伝導
性を改善すると共に、セラミック絶縁板上に積層された
第二絶縁層の絶縁性フィルムが疲労した際には、容易に
これを交換できるようにしたものが提案されている。
基盤とこの金属基盤上に積層されるセラミック絶縁板製
の第一絶縁層との間を接着する接着剤層として、ゴム成
分とフェノール系抗酸化剤とを含有する接着剤を用いる
ことにより、ウエハ吸着面の平面度の悪化やセラミック
絶縁板からの接着剤層の剥離を長期間に渡って防止でき
るようにしたものが提案されている。
従来の静電チャックにおいては、例えばプラズマエッチ
ング装置に使用された場合、通常その使用時間が300
〜600時間を超えると、金属基盤上に設けられた静電
チャックシートがその外周から徐々に剥離し、平坦が失
われてしまうと共に、この静電チャックシート上にウエ
ハが均一に接触し難くなり、ウエハの場所によってその
冷却効率に差ができて温度分布にムラが生じ、特にウエ
ハ外周部の冷却不良は過熱によるレジスト焼け等の深刻
な障害を引き起こす場合がある。
記外周部の剥離という現象は、更に進行するとこの外周
部が基盤からまくれ上がり、静電チャックがウエハを吸
着する力よりも静電チャックシートが反り上がる力の方
が勝るようになり、ウエハ吸着状態の時でも吸着面とウ
エハとの間に隙間が生じ、吸着面とウエハ裏面との間に
熱伝達媒体として供給されるHeガスがこの隙間から漏
れてしまい、所定のガス圧を達成し、また、維持できな
くなり、Heガスによるウエハ冷却能力が不足し、正常
なエッチングプロセスを遂行できなくなり、装置本体に
インターロックがかかって稼動不能になる場合もあり、
結果として静電チャックがその寿命を迎えることにな
る。
ャックシートにおける外周部の剥離という問題がどのよ
うなメカニズムで発生するかについて鋭意検討した結
果、金属基盤、第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層の
間を接着する接着剤層として、エポキシ系、ゴム系、変
性ポリエステル系等の接着剤を用いたり、あるいは、ブ
タジエン−アクリロニトリル共重合体、オレフィン系共
重合体、及びポリフェニルエーテル共重合体から選ばれ
る1種又は2種以上とヒンダードフェノール系抗酸化剤
とを含む接着剤を用いると、プラズマエッチングの際に
静電チャックの外周部から接着剤層がプラズマ粒子によ
り激しく侵食を受け、これによって接着剤層のみが徐々
に焼失していき、静電チャックシートがその外周部から
剥離していくことを突き止めた。また、この問題は、金
属基盤と第一絶縁層との間を接着する接着剤層において
顕著であることも突き止めた。
二絶縁層、及び接着剤層で構成される静電チャックはそ
の接着剤層の耐熱性が他の構成部材に比べて低いため、
この静電チャックの使用温度の上限が接着剤層の耐熱性
により決まってしまう。そこで、接着剤層として耐熱性
に優れたポリイミド系、変性ポリアミド系、ポリアミド
イミド系の接着剤を用いることも考えられる。
硬化温度は通常300℃を超えており、静電チャックの
金属基盤としてアルマイト処理が施されたアルミ合金を
用いると、これらアルミ合金とアルマイト皮膜との間の
熱膨張係数の差(アルミ合金の熱膨張係数は通常アルマ
イト皮膜のそれの約3倍である)により、接着剤の硬化
操作の際の加熱によりアルマイト皮膜にクラックが発生
してしまい、このような耐熱性接着剤の使用も金属基盤
の種類により制限されるという問題もあった。
る種々の問題を解決することについて更に鋭意検討した
結果、驚くべきことには、第一絶縁層及び第二絶縁層と
してポリイミドフィルムを用い、また、金属基盤と第一
絶縁層との間、第一絶縁層と電極層との間、及び電極層
と第二絶縁層との間を、特に金属基盤と第一絶縁層との
間を膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィ
ルムを用いて接着することにより、その使用時間が約1
000時間を超えても上述した静電チャックシートの外
周部から徐々に剥離するという問題が発生せず、上述し
た接着剤に基づく種々の問題を一挙に解決できることを
見出し、本発明を完成した。
び耐熱性を有して長期間に亘って優れた吸着性能を発揮
し得るほか、例えばプラズマエッチング装置等に使用さ
れた場合であっても、静電チャックシートがその外周部
から剥離することがなく、長期間に亘って使用すること
ができ、しかも、接着剤がプラズマにアタックされて発
塵し装置周辺やウエハを汚染するというようなこともな
い静電チャックを提供することにある。また、本発明の
他の目的は、上述したような静電チャックを製造するた
めの静電チャックの製造方法を提供することにある。
属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次
積層された積層構造を有する静電チャックであり、第一
絶縁層及び第二絶縁層がポリイミドフィルムで構成され
ていると共に、少なくとも上記金属基盤と第一絶縁層と
の間を、好ましくは第一絶縁層と電極層との間、及び電
極層と第二絶縁層との間も含めて膜厚5〜50μmの熱
可塑性ポリイミド系接着フィルムにより接着されてい
る、静電チャックである。
0μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、第一絶縁
層となるポリイミドフィルム、膜厚5〜50μmの熱可
塑性ポリイミド系接着フィルム、電極層となる金属箔、
膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィル
ム、及び第二絶縁層となるポリイミドフィルムを順次重
ね合わせ、加圧下に加熱温度100〜250℃で低温圧
着処理し、金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二
絶縁層が順次積層された積層構造を形成する、静電チャ
ックの製造方法である。
ミドフィルム、膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド
系接着フィルム、電極層となる金属箔、膜厚5〜50μ
mの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、及び第二絶縁
層となるポリイミドフィルムを順次重ね合わせ、加圧下
に加熱温度100〜250℃で低温圧着処理して第一絶
縁層、電極層、及び第二絶縁層が積層された静電チャッ
クシートを形成し、次いで膜厚5〜50μmの熱可塑性
ポリイミド系接着フィルムを介して上記静電チャックシ
ートを金属基盤上に重ね合わせ、加圧下に加熱温度10
0〜250℃で低温圧着処理して金属基盤上に第一絶縁
層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構造
を形成する、静電チャックの製造方法である。
金属基盤としては、アルミ合金製のアルミ基盤等を挙げ
ることができるが、本発明によれば、加熱温度100〜
250℃という低温で金属基盤上に第一絶縁層、電極
層、及び第二絶縁層をそれぞれ積層することができるの
で、特に100℃近くの比較的低い温度条件で積層を行
うと、熱膨張係数の差に基づいてアルマイト皮膜にクラ
ックが発生するという虞がないことから、アルミ基盤に
対しても好適に用いることができる。
層及び第二絶縁層はポリイミドフィルムである。この絶
縁層を構成するポリイミドフィルムについては、従来よ
りこの種の静電チャックにおいて用いられている耐電圧
特性及び200℃以上の耐熱性に優れたものものがよ
く、具体的には、カプトン(東レ・デュポン社製商品
名)、ユーピレックス(宇部興産社製商品名)、ニトミ
ッド(日東電気工業社製商品名)、アピカル(鐘淵化学
工業社製商品名)等を例示することができる。また、こ
の絶縁層を構成するポリイミドフィルムの膜厚は、通常
5〜70μm、好ましくは20〜50μmであり、膜厚
が5μmより薄いと絶縁破壊を起こし易いという問題が
あり、また、70μmより厚くなると吸着電圧を高くし
なければならなくなるという問題が生じて好ましくな
い。
は、銀、白金、パラジウム、銅、アルミニウム、錫、ニ
ッケル、モリブデン、マグネシウム、タングステン等の
金属で形成され、膜厚5〜50μm、好ましくは10〜
20μmの金属箔が用いられる。電極層の膜厚について
は、5μmより薄いと製造上の取扱いが難しくなるとい
う問題があり、50μmより厚くなるとポリイミドフィ
ルムで被覆される電極の側面に隙間が形成されるという
問題が生じる。なお、この電極層については、必ずしも
金属箔で形成する必要はなく、例えば、第一又は第二絶
縁層のポリイミドフィルムに蒸着又はメッキの手段で金
属層を設けて形成してもよく、この場合には、第一又は
第二絶縁層のポリイミドフィルムと電極層との間には熱
可塑性ポリイミド系接着フィルムによる接着は存在しな
しいことになる。
縁層との間、第一絶縁層と電極層との間、及び電極層と
第二絶縁層との間がそれぞれ膜厚5〜50μm、好まし
くは10〜25μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィル
ムにより接着される。この接着フィルムの膜厚が4μm
より薄いと接着力が低いほか、互いに接着される各部材
間の熱膨張の差を吸収し得なくなるという問題があり、
50μmより厚くなると積層構造全体が厚くなりすぎる
という問題が生じる。
系接着フィルムとしては、それが優れた接着強度を与
え、かつ、優れた耐熱性、電気特性(特に絶縁性)、耐
薬品性、低熱膨張性を有するものであればよく、特に制
限されるものではないが、好ましくは加圧下に好ましく
は加熱温度100〜250℃、より好ましくは加熱温度
100〜200℃で低温圧着処理できるものであるのが
よく、特に金属基盤がアルミ基盤の場合には特に好まし
くは加圧下に加熱温度100〜120℃で低温圧着処理
できるものがよい。加熱圧着時の加熱温度が100℃よ
り低いと接着力が不足する場合があり、反対に、250
℃より高くなると特に金属基盤がアルミ基盤である場合
にアルマイト皮膜に大きなクラックが発生して実用上深
刻な問題を生じる。このような熱可塑性ポリイミド系接
着フィルムの具体例としては、例えばエスパネックス
(ESPANEX;新日鐵化学社製商品名)を挙げることがで
き、このものはジアミノシロキサン及び芳香族ジアミン
とテトラカルボン酸二無水物との反応により得られるシ
ロキサン変性熱可塑性ポリイミド系接着フィルムである
(特開平10-212,468号公報)。
いては、特に制限されるものではないが、一般的には下
記の方法により製造される。すなわち、第一の方法は、
金属基盤上に膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系
接着フィルム、第一絶縁層となるポリイミドフィルム、
膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィル
ム、電極層となる金属箔、膜厚5〜50μmの熱可塑性
ポリイミド系接着フィルム、及び第二絶縁層となるポリ
イミドフィルムを順次重ね合わせ、加圧下に加熱温度1
00〜250℃で低温圧着処理し、金属基盤上に第一絶
縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構
造を形成する方法である。
リイミドフィルム、膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイ
ミド系接着フィルム、電極層となる金属箔、膜厚5〜5
0μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、及び第二
絶縁層となるポリイミドフィルムを順次重ね合わせ、加
圧下に加熱温度100〜250℃で低温圧着処理して第
一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が積層された静電チ
ャックシートを形成し、次いで膜厚5〜50μmの熱可
塑性ポリイミド系接着フィルムを介して上記静電チャッ
クシートを金属基盤上に重ね合わせ、加圧下に加熱温度
100〜250℃で低温圧着処理して金属基盤上に第一
絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層された積層
構造を形成する方法である。
いて、第一絶縁層を構成するポリイミドフィルムと膜厚
5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムとを
予め積層一体化せしめて第一積層シートを形成すると共
に、第二絶縁層を構成するポリイミドフィルムと膜厚5
〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィルムとを予
め積層一体化せしめて第二積層シートを形成し、これら
第一積層シート及び第二積層シートの各接着フィルム間
に金属箔を挟み込み、加圧下に加熱温度100〜250
℃で低温圧着処理して静電チャックシートを形成する方
法である。
大気中で厚さ方向圧力2〜5MPa、好ましくは3〜4
MPaの加圧条件下で行うのがよく、厚さ方向圧力が2
MPaより低いと接着力不足や気泡発生という問題が生
じ、反対に、5MPaより高くなるとシートに亀裂が発
生したり、金属基盤に変形が生じる等の問題が生じる。
また、この低温圧着処理については、好ましくは133
Pa以下、より好ましくは13Pa以下の減圧雰囲気下
に、厚さ方向圧力0.1〜5MPa、好ましくは0.5
〜2MPaの加圧条件下で行うのがよい。熱可塑性ポリ
イミド系接着フィルムは一般に吸湿し易く、加熱時には
接着フィルム中に含まれる水分が水蒸気として放出さ
れ、大気中で低温圧着処理を行うと空気の巻き込みのほ
か、この水蒸気によるボイドの発生が起こり、このため
に比較的高圧の加熱圧着が必要になる。しかしながら、
減圧下で低温圧着処理を行う場合には、空気の巻き込み
がなく、また、発生する水蒸気も速やかに除去されるの
で、比較的低圧の加熱圧着で十分である。
例に基づいて、本発明の好適な実施の形態を具体的に説
明する。
れ、図示外の水冷管を内包するアルミニウム合金(A6
061)製のアルミ基盤を用い、第一及び第二絶縁層2
a,2bとして膜厚50μmのポリイミドフィルム(東レ・
デュポン社製商品名:カプトンH)を用い、また、電極
層3として膜厚18μmの電解銅箔を用い、更に、熱可
塑性ポリイミド系の接着フィルム4a,4b,4cとして膜厚2
0μmのボンディングシート(新日鐵化学社製商品名:
エスパネックス)を用い、図1に示す積層構造{金属基
盤(アルミ基盤)1、接着フィルム(膜厚20μmのボ
ンディングシート)4c、第一絶縁層(膜厚50μmのポ
リイミドフィルム)2a、接着フィルム(膜厚20μmの
ボンディングシート)4a、電極層(膜厚18μmの電解
銅箔)3、接着フィルム(膜厚20μmのボンディング
シート)4b、及び第二絶縁層(膜厚50μmのポリイミ
ドフィルム)2b}を有する静電チャックを作製した。
95mmの大きさに切り出された第一絶縁層2aを形成す
るポリイミドフィルム(膜厚50μ)、熱可塑性ポリイ
ミド系接着フィルム4aとしてボンディングシート(膜厚
20μm)、直径193mmの電極層3を形成する電解
銅箔(膜厚18μm)、熱可塑性ポリイミド系接着フィ
ルム4bとしてボンディングシート(膜厚20μm)、及
び、直径195mmの大きさに切り出された第二絶縁層
2bを形成するポリイミドフィルム(膜厚50μ)を順次
重ね合わせ、更に上記第一絶縁層2aの下面側及び第二絶
縁層2bの上面側にそれぞれクッション材として厚さ1m
mのテフロン(登録商標)シート6を重ね合わせ、これ
を加熱プレス機5a,5bにセットし、厚さ方向圧力2.2
MPa、加熱温度150℃、及び保持時間40分の条件
で加熱加圧し、テフロンシート6を取り除いて図3に示
す積層構造を有する静電チャックシートSを作製した。
属基盤)1上に熱可塑性ポリイミド系接着フィルム4cと
してボンディングシート(膜厚20μm)と、上で得ら
れた静電チャックシートSとを順次重ね合わせ、更にそ
の上にクッション材として厚保さ1mmのテフロンシー
ト6を重ね合わせ、これを加熱プレス機5a,5bにセット
し、厚さ方向圧力3.0MPa、加熱温度150℃、及
び保持時間60分の条件で加熱加圧し、テフロンシート
6を取り除いて図1に示す積層構造を有する静電チャッ
クを作製した。
ク吸着力測定装置(株式会社クリエイティブ テクノロ
ジー製)を用い、以下の方法で吸着力を測定し、その評
価を行った。
は、この真空チャンバー10のHeガス供給口11と静電チ
ャックの下面から上面にかけて貫通する貫通孔7とが連
通連結するように静電チャックをセットし、この静電チ
ャックの静電チャックシートS上にシリコンウエハWを
載置し、真空チャンバー内が0.1Paの減圧になるま
で排気口12から排気し、この状態で直流電源13から静電
チャックの電極層3に1.5kVの直流電圧を印加し、
また、シリコンウエハWにはリード線を取り付けてこれ
を接地し、流量調節器14で流量を調節しながら上記He
ガス供給口11及び貫通孔7を介してこのシリコンウエハ
Wの裏面に10ml/分の速度でHeガスを供給し、静
電チャックシートS上の吸着面とシリコンウエハWとの
間に充満していくHeガスの圧力をガス圧力計15で時間
の経過と共に測定した。結果は、Heガスの圧力が13
000Paに達しても、シリコンウエハWは浮き上がる
ことがなく、十分な吸着力が発揮された。
持しながら、8インチウエハの中心位置、直径90mm
の円周上に3〜9個所、及び直径180mmの円周上に
3〜9箇所にそれぞれ熱電対を取り付けて各位置の温度
を測定できるようにした測温ウエハ(株式会社クリエイ
ティブ テクノロジー製商品名:Tcウエハ)により、
シリコンウエハ面内の温度分布を測定した。結果は、シ
リコンウエハ面内の温度分布は±1.0℃であった。
ラズマエッチング装置の実機に搭載してエッチングテス
トを行った。この平行平板型プラズマエッチング装置
は、反応チャンバー内に静電チャックを載置し、その真
上に上部シャワー電極を配置したもので、静電チャック
のアルミ基盤には周波数13.56MHz、出力150
0Wの高周波電源の出力が接続され、また、上部シャワ
ー電極は接地されており、かつ、そのシャワー孔から反
応ガスが供給されるように、その裏面に反応ガス配管が
接続されている。そして、静電チャックの吸着電極には
1.5kVの直流電源の出力が接続されている。
配設された静電チャックの吸着面に、フォトレジストに
より所定のパターニングが施されたシリコンウエハを載
置し、バックグランド真空度が70Paとなるように排
気しながら、上部シャワー電極からエッチングガスCH
F3を50cm3/分の速度で流し、静電チャックのアル
ミ基盤に周波数13.56MHz、出力1500Wの高
周波電界を付与し、上部シャワー電極とアルミ基盤との
間にプラズマを発生させた。
ャックの吸着面とシリコンウエハとの間にHeガスを1
0cm3/分の流量で供給し、そのHeガスの飽和値が
3000Paの以上になったことを確認した。
ング処理時間を2分間に設定し、約100時間毎にクリ
ーニングメンテナンスを入れながら、ウエハの連続処理
を行った。結果は、合計処理枚数2万枚(合計エッチン
グ時間約660時間)を経過しても、静電チャック周辺
部からのシートの剥離、Heガス圧異常、ポリイミド絶
縁破壊等の異常現象は認められず、かつ、ウエハのエッ
チング速度、エッチング形状等も長期に亘って安定して
いた。
00mmの大きさに切り出し、また、上記ボンディング
シートを5mm×50mmの大きさに切り出し、ポリイ
ミドフィルムと電解銅箔との間にはその端から50mm
のところにボンディングシートを挟み込み、厚さ方向圧
力2MPa、加熱温度150℃、及び保持時間30分の
条件で加熱圧着し、試験片Aを調製した。
び電解銅箔を5mm×100mmの大きさに切り出し、
これらポリイミドフィルム及び電解銅箔の間にその端か
ら50mmの範囲までエポキシ接着剤(スリーボンド社
製商品名:エポキシ2230)を20μmの厚さに塗布
し、100℃で30分、150℃で30分の条件で加熱
して接着し、試験片Bを調製した。
ついて、剥離強度試験機を使用し、角度180°及び引
張り速度50mm/分の条件で剥離試験を行った結果、
試験片Aは0.76kg/cmであって、試験片Bは
0.45kg/cmであり、試験片Aで用いた本発明の
ボンディングシートによる接着強度は、試験片Bで用い
た従来のエポキシ接着剤による接着強度に比べて、約7
0%も接着強度が高いことが判明した。
着剤(スリーボンド社製商品名:エポキシ2230)を
用いた以外は、上記実施例1と同様にして静電チャック
を作製した。得られた静電チャックを試験例3と同様に
実機で使用した結果、ウエハ処理枚数1.2万枚(合計
エッチング時間約400時間)を経過した後に、静電チ
ャック周辺部からシートの剥離が発生し始めた。
及び耐熱性を有して長期間に亘って優れた吸着性能を発
揮し得るほか、例えばプラズマエッチング装置等に使用
された場合であっても、静電チャックシートがその外周
部から剥離することがなく、長期間に亘って使用するこ
とができ、しかも、接着剤がプラズマにアタックされて
発塵し装置周辺やウエハを汚染するというようなことも
ない。また、本発明の方法によれば、このような静電チ
ャックを工業的に容易に製造することができる。
クの断面説明図である。
おける静電チャックシート作製工程を示す断面説明図で
ある。
で製造された静電チャックシートを示す断面説明図であ
る。
静電チャックシートとアルミ基盤との間を接着する工程
を示す断面説明図である。
測定するのに用いた、静電チャック吸着力測定装置の原
理を示す断面説明図である。
ミドフィルム)、2b…第二絶縁層(ポリイミドフィル
ム)、3…電極層(電解銅箔)、4a,4b,4c…熱可塑性ポ
リイミド系接着フィルム(ボンディングシート)、5a,5
b…加熱プレス機、6…クッション材(テフロンシー
ト)、7…貫通孔、S…静電チャックシート、W…シリ
コンウエハ、10…真空チャンバー、11…Heガス供給
口、12…排気口、13…直流電源、14…流量調節器、15…
ガス圧力計。
Claims (12)
- 【請求項1】 金属基盤上に第一絶縁層、電極層、及び
第二絶縁層が順次積層された積層構造を有する静電チャ
ックであり、第一絶縁層及び第二絶縁層がポリイミドフ
ィルムで構成されていると共に、少なくとも上記金属基
盤と第一絶縁層との間が膜厚5〜50μmの熱可塑性ポ
リイミド系接着フィルムにより接着されていることを特
徴とする静電チャック。 - 【請求項2】 金属基盤と第一絶縁層との間、第一絶縁
層と電極層との間、及び電極層と第二絶縁層との間がそ
れぞれ膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フ
ィルムにより接着されている請求項1に記載の静電チャ
ック。 - 【請求項3】 金属基盤がアルミ合金製金属基盤である
請求項1又は2に記載の静電チャック。 - 【請求項4】 第一絶縁層及び第二絶縁層を構成するポ
リイミドフィルムは、その膜厚が20〜50μmである
請求項1〜3のいずれかに記載の静電チャック。 - 【請求項5】 金属基盤上に膜厚5〜50μmの熱可塑
性ポリイミド系接着フィルム、第一絶縁層となるポリイ
ミドフィルム、膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド
系接着フィルム、電極層となる金属箔、膜厚5〜50μ
mの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、及び第二絶縁
層となるポリイミドフィルムを順次重ね合わせ、加圧下
に加熱温度100〜250℃で低温圧着処理し、金属基
盤上に第一絶縁層、電極層、及び第二絶縁層が順次積層
された積層構造を形成することを特徴とする静電チャッ
クの製造方法。 - 【請求項6】 第一又は第二の絶縁層の一側面上に蒸着
手段又はメッキ手段で電極層を積層し、金属基盤上に膜
厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、
第一絶縁層となるポリイミドフィルム、膜厚5〜50μ
mの熱可塑性ポリイミド系接着フィルム、上記電極層、
膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィル
ム、及び第二絶縁層となるポリイミドフィルムの順とな
るように重ね合わせ、加圧下に加熱温度100〜250
℃で低温圧着処理し、金属基盤上に第一絶縁層、電極
層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構造を形成す
ることを特徴とする静電チャックの製造方法。 - 【請求項7】 第一絶縁層となるポリイミドフィルム、
膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド系接着フィル
ム、電極層となる金属箔、膜厚5〜50μmの熱可塑性
ポリイミド系接着フィルム、及び第二絶縁層となるポリ
イミドフィルムを順次重ね合わせ、加圧下に加熱温度1
00〜250℃で低温圧着処理して第一絶縁層、電極
層、及び第二絶縁層が積層された静電チャックシートを
形成し、次いで膜厚5〜50μmの熱可塑性ポリイミド
系接着フィルムを介して上記静電チャックシートを金属
基盤上に重ね合わせ、加圧下に加熱温度100〜250
℃で低温圧着処理して金属基盤上に第一絶縁層、電極
層、及び第二絶縁層が順次積層された積層構造を形成す
ることを特徴とする静電チャックの製造方法。 - 【請求項8】 静電チャックシートは、第一絶縁層を構
成するポリイミドフィルムと膜厚5〜50μmの熱可塑
性ポリイミド系接着フィルムとを予め積層一体化せしめ
て第一積層シートを形成すると共に、第二絶縁層を構成
するポリイミドフィルムと膜厚5〜50μmの熱可塑性
ポリイミド系接着フィルムとを予め積層一体化せしめて
第二積層シートを形成し、これら第一積層シート及び第
二積層シートの各接着フィルム間に金属箔を挟み込み、
加圧下に加熱温度100〜250℃で低温圧着処理して
形成される請求項7に記載の静電チャックの製造方法。 - 【請求項9】 金属基盤がアルミ合金製金属基盤である
請求項5〜8のいずれかに記載の静電チャックの製造方
法。 - 【請求項10】 第一絶縁層及び第二絶縁層を構成する
ポリイミドフィルムは、その膜厚が20〜50μmであ
る請求項5〜9のいずれかに記載の静電チャックの製造
方法。 - 【請求項11】 低温圧着処理は、大気中で厚さ方向圧
力2〜5MPaの加圧条件下で行う請求項5〜10のい
ずれかに記載の静電チャックの製造方法。 - 【請求項12】 低温圧着処理は、133Pa以下の減
圧雰囲気下に厚さ方向圧力0.1〜5MPaの加圧条件
下で行う請求項5〜11のいずれかに記載の静電チャッ
クの製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000246740A JP4753460B2 (ja) | 2000-08-16 | 2000-08-16 | 静電チャック及びその製造方法 |
US09/925,739 US6813134B2 (en) | 2000-08-16 | 2001-08-10 | Electrostatic chucking device and manufacturing method thereof |
KR1020010048966A KR100691098B1 (ko) | 2000-08-16 | 2001-08-14 | 정전 척 및 그 제조방법 |
TW90119917A TW517326B (en) | 2000-08-16 | 2001-08-14 | Electrostatic chucking device and manufacturing method thereof |
EP20010306975 EP1180793A3 (en) | 2000-08-16 | 2001-08-16 | Electrostatic chuck and manufacturing method thereof |
US10/774,472 US7411773B2 (en) | 2000-08-16 | 2004-02-10 | Electrostatic chucking device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000246740A JP4753460B2 (ja) | 2000-08-16 | 2000-08-16 | 静電チャック及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002064134A true JP2002064134A (ja) | 2002-02-28 |
JP2002064134A5 JP2002064134A5 (ja) | 2007-07-12 |
JP4753460B2 JP4753460B2 (ja) | 2011-08-24 |
Family
ID=18736992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000246740A Expired - Lifetime JP4753460B2 (ja) | 2000-08-16 | 2000-08-16 | 静電チャック及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6813134B2 (ja) |
EP (1) | EP1180793A3 (ja) |
JP (1) | JP4753460B2 (ja) |
KR (1) | KR100691098B1 (ja) |
TW (1) | TW517326B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049357A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Toto Ltd | 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置 |
JP2008282875A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
JP2010165776A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置の補修方法および補修装置、ならびに静電チャック装置 |
JP2011512034A (ja) * | 2008-02-11 | 2011-04-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ウエハ処理用高効率静電チャック |
JP2014143283A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 伝熱シート貼付方法 |
WO2017033738A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US9765428B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for deposition and substrate alignment method in the same |
US9771645B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-09-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for deposition and substrate alignment method in the same |
JP2019047019A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100912003B1 (ko) * | 2003-01-06 | 2009-08-14 | 주식회사 코미코 | 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척 |
KR100899292B1 (ko) * | 2003-01-06 | 2009-05-26 | 주식회사 코미코 | 수명을 연장시키는 절연막을 갖는 반도체 장비용 정전척 |
JP2004235563A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置用電極シート及びこれを用いた静電チャック装置 |
US7084492B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Underfill and mold compounds including siloxane-based aromatic diamines |
US6944028B1 (en) * | 2004-06-19 | 2005-09-13 | C-One Technology Corporation | Storage memory device |
US7436645B2 (en) | 2004-10-07 | 2008-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
US7648914B2 (en) * | 2004-10-07 | 2010-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method for etching having a controlled distribution of process results |
US7544251B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
US8123902B2 (en) * | 2007-03-21 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Gas flow diffuser |
CN101803000A (zh) * | 2007-08-02 | 2010-08-11 | 株式会社爱发科 | 静电卡盘装置的制造方法 |
WO2009085163A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Lam Research Corporation | A composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus |
US8449786B2 (en) * | 2007-12-19 | 2013-05-28 | Lam Research Corporation | Film adhesive for semiconductor vacuum processing apparatus |
US8876024B2 (en) | 2008-01-10 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heated showerhead assembly |
TWI475594B (zh) | 2008-05-19 | 2015-03-01 | Entegris Inc | 靜電夾頭 |
CN104538507B (zh) * | 2008-06-02 | 2017-08-15 | Lg伊诺特有限公司 | 用于制备半导体发光装置的方法 |
KR100995250B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2010-11-18 | 주식회사 코미코 | 열 응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척 |
US9520314B2 (en) * | 2008-12-19 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chuck bonding adhesive |
EP2430654B1 (en) | 2009-05-15 | 2019-12-25 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with polymer protrusions |
US8861170B2 (en) | 2009-05-15 | 2014-10-14 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface |
CN102986017B (zh) | 2010-05-28 | 2015-09-16 | 恩特格林斯公司 | 高表面电阻率静电吸盘 |
JP5885404B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2016-03-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US20120154974A1 (en) * | 2010-12-16 | 2012-06-21 | Applied Materials, Inc. | High efficiency electrostatic chuck assembly for semiconductor wafer processing |
EP2490073B1 (en) * | 2011-02-18 | 2015-09-23 | ASML Netherlands BV | Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder |
KR20130025025A (ko) * | 2011-09-01 | 2013-03-11 | 주식회사 코미코 | 정전척 |
NL2010139A (en) | 2012-02-03 | 2013-08-06 | Asml Netherlands Bv | Substrate holder, lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of manufacturing a substrate holder. |
KR101970301B1 (ko) | 2012-07-11 | 2019-04-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 테스트 장치 |
KR102046534B1 (ko) * | 2013-01-25 | 2019-11-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 |
CN104752301B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种静电卡盘以及腔室 |
US10570257B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Copolymerized high temperature bonding component |
CN110473824A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-11-19 | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 | 一种半导体用可再生静电卡盘及其制造方法 |
CN113613411B (zh) * | 2021-09-23 | 2023-04-07 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性电路基板及其制备方法和应用 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63168072A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベ−ス印刷回路用基板 |
JPH01240243A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Tokuda Seisakusho Ltd | 電極およびその製造方法 |
JPH05152742A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属はく張りセラミツク基板 |
JPH0587177B2 (ja) * | 1988-07-16 | 1993-12-15 | Tomoegawa Paper Co Ltd | |
JPH06200216A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Nippon Steel Chem Co Ltd | プリント基板用耐熱性接着剤フィルム及びその使用方法並びにこれを用いたプリント基板の製造方法 |
JPH08139422A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 金属酸化物層を有するフレキシブル回路基板 |
JPH08330405A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-12-13 | Applied Materials Inc | 高温ポリイミド静電チャック |
JPH1041377A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Nhk Spring Co Ltd | 静電チャック装置 |
JPH11233604A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置用シートおよび静電チャック装置 |
JPH11310769A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性ボンディングシート用接着剤、耐熱性ボンディングシート、およびそれらを用いた耐熱性フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6131636U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 株式会社 徳田製作所 | 静電チヤツク |
US5494522A (en) | 1993-03-17 | 1996-02-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma process system and method |
JPH07249586A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法 |
WO1995020838A1 (en) | 1994-01-31 | 1995-08-03 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with conformal insulator film |
WO1996015295A1 (en) * | 1994-11-16 | 1996-05-23 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | Vacuum chamber made of aluminum or its alloy, and surface treatment and material for the vacuum chamber |
JP3208029B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2001-09-10 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置およびその作製方法 |
US6099678A (en) * | 1995-12-26 | 2000-08-08 | Hitachi Chemical Company Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
US6071630A (en) * | 1996-03-04 | 2000-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
US6166897A (en) * | 1997-01-22 | 2000-12-26 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Static chuck apparatus and its manufacture |
JPH10209256A (ja) | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置およびその製造方法 |
JP3923120B2 (ja) | 1997-01-30 | 2007-05-30 | 新日鐵化学株式会社 | プリント基板用接着剤樹脂組成物 |
EP0948042A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-10-06 | VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung | Elektrostatische Vorrichtung zum Halten von Wafern und anderen Bauteilen |
JPH11297805A (ja) | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤 |
US6256187B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-07-03 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP2000243823A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Sozo Kagaku:Kk | 静電チャック |
TW492135B (en) * | 2000-05-25 | 2002-06-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive sheets for static electricity chuck device, and static electricity chuck device |
-
2000
- 2000-08-16 JP JP2000246740A patent/JP4753460B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-10 US US09/925,739 patent/US6813134B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-14 KR KR1020010048966A patent/KR100691098B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-14 TW TW90119917A patent/TW517326B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-16 EP EP20010306975 patent/EP1180793A3/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-02-10 US US10/774,472 patent/US7411773B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63168072A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベ−ス印刷回路用基板 |
JPH01240243A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Tokuda Seisakusho Ltd | 電極およびその製造方法 |
JPH0587177B2 (ja) * | 1988-07-16 | 1993-12-15 | Tomoegawa Paper Co Ltd | |
JPH05152742A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属はく張りセラミツク基板 |
JPH06200216A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-19 | Nippon Steel Chem Co Ltd | プリント基板用耐熱性接着剤フィルム及びその使用方法並びにこれを用いたプリント基板の製造方法 |
JPH08139422A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-31 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 金属酸化物層を有するフレキシブル回路基板 |
JPH08330405A (ja) * | 1995-01-31 | 1996-12-13 | Applied Materials Inc | 高温ポリイミド静電チャック |
JPH1041377A (ja) * | 1996-07-22 | 1998-02-13 | Nhk Spring Co Ltd | 静電チャック装置 |
JPH11233604A (ja) * | 1998-02-16 | 1999-08-27 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置用シートおよび静電チャック装置 |
JPH11310769A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性ボンディングシート用接着剤、耐熱性ボンディングシート、およびそれらを用いた耐熱性フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006049357A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Toto Ltd | 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置 |
JP2008282875A (ja) * | 2007-05-08 | 2008-11-20 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
US8023246B2 (en) | 2007-05-08 | 2011-09-20 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electrostatic chuck and method of manufacturing the same |
TWI417164B (zh) * | 2007-05-08 | 2013-12-01 | Shinko Electric Ind Co | 靜電夾盤及其製造方法 |
JP2011512034A (ja) * | 2008-02-11 | 2011-04-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体ウエハ処理用高効率静電チャック |
JP2010165776A (ja) * | 2009-01-14 | 2010-07-29 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置の補修方法および補修装置、ならびに静電チャック装置 |
JP2014143283A (ja) * | 2013-01-23 | 2014-08-07 | Tokyo Electron Ltd | 伝熱シート貼付方法 |
US9812297B2 (en) | 2013-01-23 | 2017-11-07 | Tokyo Electron Limited | Method of affixing heat transfer sheet |
US9765428B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-09-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for deposition and substrate alignment method in the same |
US9771645B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-09-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for deposition and substrate alignment method in the same |
WO2017033738A1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6123952B1 (ja) * | 2015-08-27 | 2017-05-10 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
US10256131B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-04-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP2019047019A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-03-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1180793A3 (en) | 2004-06-16 |
TW517326B (en) | 2003-01-11 |
US20040160021A1 (en) | 2004-08-19 |
KR100691098B1 (ko) | 2007-03-09 |
JP4753460B2 (ja) | 2011-08-24 |
US20020021545A1 (en) | 2002-02-21 |
KR20020014722A (ko) | 2002-02-25 |
US6813134B2 (en) | 2004-11-02 |
US7411773B2 (en) | 2008-08-12 |
EP1180793A2 (en) | 2002-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2002064134A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
TWI717542B (zh) | 基板保持裝置 | |
US5908334A (en) | Electrical connector for power transmission in an electrostatic chuck | |
EP2402298B1 (en) | Method of fabricating a ceramic-metal junction | |
JP5507198B2 (ja) | 静電チャック | |
JP4948337B2 (ja) | 静電チャック装置用接着シート、および静電チャック装置 | |
JPH07335731A (ja) | 吸着装置およびその製造方法 | |
JP2019009270A (ja) | 基板固定装置 | |
CN111684579B (zh) | 晶片保持台 | |
JP3484107B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
US11631598B2 (en) | Substrate fixing device | |
KR20200143268A (ko) | 기판 고정 장치 및 그 제조 방법 | |
WO2001020661A1 (fr) | Plaquette semi-conductrice dotee d'un film anisotrope et procede de fabrication correspondant | |
JP3979694B2 (ja) | 静電チャック装置およびその製造方法 | |
JP2004031938A (ja) | 静電チャック | |
JPH09260473A (ja) | 静電チャック | |
JP2003142567A (ja) | ウエハ載置ステージ | |
JPH10209256A (ja) | 静電チャック装置およびその製造方法 | |
JP2011077303A (ja) | 静電チャック装置 | |
US20220208593A1 (en) | Electrostatic chuck and substrate fixing device | |
US20230420231A1 (en) | Substrate fixing device | |
JPH10335439A (ja) | 静電チャック | |
JP2000243823A (ja) | 静電チャック | |
JP2004296911A (ja) | 静電チャック | |
JP2022148714A (ja) | 静電チャック、基板固定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070510 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070510 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100323 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110524 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140603 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4753460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |