TW517326B - Electrostatic chucking device and manufacturing method thereof - Google Patents
Electrostatic chucking device and manufacturing method thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TW517326B TW517326B TW90119917A TW90119917A TW517326B TW 517326 B TW517326 B TW 517326B TW 90119917 A TW90119917 A TW 90119917A TW 90119917 A TW90119917 A TW 90119917A TW 517326 B TW517326 B TW 517326B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- insulating layer
- film
- polyimide
- electrostatic chuck
- layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
- H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/269—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension including synthetic resin or polymer layer or component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31721—Of polyimide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
^17326 A7 ___ B7_^___ 五、發明説明(1) 〔發明領域相關技術〕 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關例如在半導體製造工程上所用之各種裝 置中,利用靜電力吸附保持晶圓等試樣之靜電夾頭及其製 造方法。 在半導體製造工程中,例如鈾刻裝置、電漿CVD裝 置、離子注入裝置、硏磨裝置、電子束石版印刷術、X線 石版印刷術等之裝置上,都要求在真空中處理晶圓等試樣 ’此時靜電夾頭即被做爲晶圓等之保持裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 該項靜電夾頭通常係在金屬基板上將具有第1絕緣層 、電極層,及第2絕緣層所構成之層合構造之靜電夾頭片 (Chuck sheet )層合而成,在該靜電夾頭片之第2絕緣層 上載置晶圓,並對該晶圓與電極層之間施加高電壓,此時 利用晶圓與電極間所產生之靜電引力(庫倫力)將晶圓吸 附保持於台面(stage )上者,第1絕緣層係使用耐熱性優 異之聚醯亞胺薄膜或陶瓷薄膜,電極層係利用蒸鑛膜或電 鍍膜,另外,第2絕緣層係使用聚醯亞胺薄膜,而且各金 屬基板,第1絕緣層、電極層及第2絕緣層之間係以粘合 劑層粘合。 而且,在該項靜電夾頭使用中必須將發生於晶圓內之 熱能有效散發以維持表面溫度於低溫,而有各種竅門被提 出。 例如,在特公平5 - 8 7 1 7 7號公報中,即提出盡 可能將層合於金屬基板上之靜電夾頭片(第1絕緣層、電 極層及第二絕緣層)之厚度弄薄,或在粘合金屬基板,第 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公酱) ~' -4- 517326 A7 B7 五、發明説明(2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一絕緣層、電極層及第二絕緣層間之粘合劑層之一層或2 層以上分散導熱性塡料以謀求提升靜電夾頭整體之導熱性 (thermal eonclucfivify ) ° 另外,特開平1 0 — 2 0 9 2 5 6號及特開平 1. 0 - 2 0 9 2 5 6號之各公報中,提出以陶瓷製成之絕 緣板構成第1絕緣層,將各粘合劑層之層厚薄化以改善導 熱性,同時在層合於陶瓷絕緣板上之第2絕緣層之絕緣性 薄膜疲勞時,可以容易地更換之夾頭。 此外,在特開平1 1 — 2 9 7 8 0 5號公報中提出利 用含有橡膠成分與苯酚系抗氧化劑之粘合劑做爲粘合金屬 基板與層合於該金屬基板之陶瓷絕緣板製之第1絕緣層之 間的粘合劑層,藉以長期間防止晶圓吸附面之平面度之惡 化與粘合劑層由陶瓷絕緣板剝離之夾頭。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 可是,在該等先前之靜電夾頭中,例如使用於電漿鈾 刻裝置時,通常如使用時間超過3 0 0至6 0 0小時時, 設置於金屬基板上之靜電夾頭片即由其外周慢慢剝離而失 .去其平坦度,同時,晶圓不易均勻接觸於該靜電夾頭片上 ,隨著晶圓之位置,其冷却效率發生差異,溫度分布產生 不均,尤其是晶圓外周部之冷却不良有時會引起因爲過熱 所導致之抗蝕燒焦等深刻的弊害。 另外,上述該靜電夾頭片之外周部分之剝離現象如進 一步進行時,該外周部份即由基板捲起,而靜電夾頭片趫 起的力量大於靜電夾頭吸附晶圓的力量,即使在晶圓吸附 狀態時,吸附面與晶圓背面之間會產生空隙,供應予吸附 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) -5- 517326 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(3) 面與晶圓背面之間做爲導熱媒體之氦氣會由該空隙漏失, 以致無法達成或保持一定之氣體壓力,氦氣之冷却能變及 不足以致無法進行正常之鈾刻工程,有時使裝置本身發生 聯鎖(i n t e r 1 〇 c k )而無法操作,結果是靜電夾頭壽終正寢。 因此,本發明人等針對該項靜電夾頭片外周部分剝離 之問題係以何種機制而發生銳意檢討之結果,發現利用環 氧系、橡膠系、改性聚酯系等之粘合劑,或用含有由丁間 二烯-丙烯腈共聚物、烯烴系共聚物及聚苯醚共聚物所選 出之一種或2種以上與受阻酚(hinderel phenol)系抗氧化 劑之粘合劑以做爲粘合金屬基板,第1絕緣層、電極層及 第2絕緣層之間之粘合劑層時,在電漿蝕刻時,粘合劑層 被電漿粒子由靜電夾頭之外周部分嚴重侵蝕,因此僅有粘 合劑層慢慢被燒掉,而靜電夾頭片由其外周部分開始剝離 。另外,又查明該問題在粘合金屬基板與第1絕緣層之間 之粘合劑層尤其顯著。 另外,因爲以金屬基板,第1絕緣層、電極層、第2 絕緣層及粘合劑層所構成之靜電夾頭之粘合劑層之耐熱性 比其他構造部件爲低,因此,該靜電夾頭之使用溫度之上 限係由粘合劑層之耐熱性來決定。 因此,也可以考慮以耐熱性優異之聚醯亞胺系、改性 聚醯胺系、聚醯胺亞胺系之粘合劑。 可是,該等耐熱性粘合劑之硬化溫度通常超過3 0〇 °C,如果使用施以耐酸(alumite )處理之鋁合金做爲靜電 夾頭之金屬基板,則由於該等鋁合金與耐酸皮膜之間之熱 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) «1 訂 線·· -6- 7326 A7 B7 五、發明説明(4) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 膨脹係數之差(鋁合金之熱膨脹係數通常約爲耐酸皮膜之 3倍),由於粘合劑之硬化操作時之加熱而使耐酸皮膜發 生裂紋,使用該項耐熱性粘合劑也有受金屬基板之種類之 限制之問題。 〔發明之目的與要旨〕 本發明人等對於該項粘合劑引起之問題之解決方法銳 意檢討之結果,驚奇地發現以聚醯亞胺做爲第1絕緣層及 第2絕緣層,另在金屬基板與第1絕緣層之間,第1絕緣 層與電極層之間,及電極層與第2絕緣層之間,尤其是金 屬基板與第1絕緣層之間利用膜厚5至5 0 // m之熱塑性 聚醯亞胺系粘合薄膜粘合,其使用時間縱使超過1 0 0 0 小時也不致發生由上述之靜電夾頭片之外周部分慢慢剝離 之問題,而可一舉解決了由上述粘合劑所發生之各種問題 ,因而完成本發明。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,本發明之目的在提供一種靜電夾頭,其除了具 有優異之耐久性及耐熱性而可長時間發揮優異之吸附性能 之外,例如使用於電漿蝕刻裝置等時,靜電夾頭也不會由 外周部剝離,而可長期間使用,而且不致因粘合劑被電漿 撞擊而發塵而污染裝置之周邊或晶圓。 另外,本發明之另一目的在提供用於製造上述靜電夾 頭之靜電夾頭之製造方法。 亦即,本發明爲在金屬基板上具有依次將第1絕緣層 、電極層及第2絕緣層層合之層合構造之靜電夾頭,第1 本紙張又度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7326 A7 B7 五、發明説明(5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 絕緣層及第2絕緣層係由聚醯亞胺薄膜所構成,同時,至 少上述金屬基板與第1絕緣層之間,較佳爲連同第1絕緣 層與電極層之間,以及電極層與第2絕緣層之間也以膜厚 5至5 0 //m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜粘合之靜電夾 頭。 另外’本發明爲靜電夾頭之製造方法,係在金屬基板 上依次重疊膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄 膜,第1絕緣層之聚醯亞胺薄膜,膜厚5至5 0 // m之熱 塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,做爲電極層之金屬箔,膜厚5 至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,以及第2絕緣 層之聚醯亞胺,在加壓下及加熱溫度1 〇 〇至2 5 0。(:下 進行低溫壓接處理,而在金屬基板上形成第1絕緣層、電 極層及第2絕緣層依次層合之層合構造。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 力外’本發明爲喊電夾頭之製造方法,係依次將第1 絕緣層之聚醯亞胺薄膜,膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯 亞胺系粘合薄膜,做爲電極層之金屬箔,膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜及第2絕緣層之聚醯亞 胺薄膜,在加壓下及加熱溫度1 〇 〇至2 5 〇它下進行低 溫壓接處理以形成層合第1絕緣層、電極層及第2絕緣層 之靜電夾頭片,然後,藉由膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚 醯亞胺系粘合將上述靜電夾頭片重疊於金屬基板上,在加 壓下及加熱溫度1 0 0至2 5 0 °C下進行低溫壓接處理, 而在金屬基板上形成依次層合第1絕緣層、電極層及第2 絕緣層之層合構造。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -8- 517326 A7 B7 五、發明説明(6) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明中構成靜電夾頭之金屬基板係可以舉鋁合金 製之鋁基板等爲例,惟依據本發明,可以用加熱溫度 1 0 0至2 5 0 °C之低溫分別在金屬基板上層合第1絕緣 層、電極層及第2絕緣層,因此如特別在接近1 0 0 t之 較低溫度條件進行層合時,即沒有由於熱膨脹係數之差異 而在耐酸皮膜上發生裂紋之虞,因此對於鋁基板也適用良 好。 另外,在本發明中所用之第1絕緣層及第2絕緣層爲 聚醯亞胺薄膜。構成該絕緣層之聚醯亞胺以先前在該種靜 電夾頭中所用之耐電壓特性及2 0 0 °C以上之耐熱性優異 者爲佳,具體地舉例有卡普東(東麗,杜邦公司製品名稱 )、優比烈士(宇部奧產公司製品名稱)、尼多米度(曰 東電氣工業公司製品名稱)、阿匹卡魯(鐘淵化學工業公 司製品)等。另外,構成該絕緣層之聚醯亞胺薄膜之膜厚 通常爲5至7 0 // m,較佳爲2 0至5 0 // m,膜厚小於 5 // m時有容易發生絕緣破壞之問題,另外,比7 0 // m 厚時會發生非提高吸附電壓不可之問題,故不理想。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外,在本發明所用之電極層係由銀、白金、鈀、銅 、鋁、錫、鎳、銅、鎂、鎢等金屬所形成,膜厚爲5至 50//m,較佳爲1〇至20//m之金屬箔。電極層之膜 厚如比5 // m薄,則在製造上之處理不易,比5 0 // m厚 時,則被聚醯亞胺薄膜覆蓋之電極側面有形成空隙的問題 。此外,該電極層並不一定以金屬箔形成,例如可以利用 蒸鑛或電鑛之方法在第1或第2絕緣層之聚醯亞胺處設置 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -9- 517326 A7 B7 五、發明説明(7) 金屬層以形成也可以,此時,第1或第2絕緣層之聚醯亞 胺與電極層之間就不利用熱塑性聚醯亞胺粘合薄膜粘合。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明中,上述金屬基板與第1絕緣層之間,第1 絕緣層與電極層之間及電極層與第2絕緣層之間分別以膜 厚5至50//m,較佳爲10至25//m之熱塑性聚醯亞 胺系粘合薄膜粘合。該粘合薄膜之膜厚如小於4 // m時, 則有粘合力低,而且有無法吸收互相粘合之各構件間之熱 膨脹之差之問題,比5 0 // m厚時,則會發生整體層合構 造過大之問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 用於該目的之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜只要具優異 之粘合強度,且具有優異之耐熱性,電氣特性(尤其是絕 緣性)、耐藥性、低熱膨脹性等即可,並無特別之限制, 惟宜可以在加壓下及加熱溫度1 0 0至2 5 0 °C下,較佳 爲1 0 0至2 0 0 °C下進行低溫壓接處理等,尤其金屬基 板爲鋁基板時,最理想爲可在加壓下及加熱溫度1 0 0至 1 2 0 °C下進行低溫壓接處理。如加熱壓接時之加熱溫度 低於1 0 0 °C時,有時粘合力不足,相反地,高於2 5 0 °C時,尤其是金屬基板爲鋁基板時,在耐酸皮膜會發生大 的裂紋而實用上會發生大問題。此種熱塑性聚醯亞胺系粘 合薄膜之具體例有例如埃斯帕內克斯(Espanex,新日鐵化 學公司製品名稱),該製品爲二氨基矽氧烷及芳族二胺與 四羧酸二酐之反應而及之矽氧烷改性熱塑性聚醯亞胺系米占 合薄膜(特開平1 〇 - 2 1 2 4 6 8號公報)。 製造本發明之靜電夾頭之方法沒有特別的限制,彳旦胃 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 10- 517326 Α7 Β7 五、發明説明(8) 通常是以下面方法製造。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 即,第1種方法係在金屬基板上依次將膜厚5至5 〇 # m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,第1絕緣層之聚醯亞 胺薄膜’膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜 ,.做爲電極層之金屬箔,膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯 亞胺系粘合薄膜以及第2絕緣層之聚醯亞胺重疊,在加壓 下及加熱溫度1 0 0至2 5 Ο T:下進行低溫壓按處理,以 使在金屬基板上形成依次層合第1絕緣層、電極層及第2 絕緣層之層合構造之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另外,第2種方法係依次將第1絕緣層之聚醯亞胺, 膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,做爲電 極層之金屬箔’膜厚5至5 0 //m之熱塑性聚醯亞胺系粘 合薄膜以及第2絕緣層之聚醯亞胺重疊,在加壓下及加熱 溫度1 0 0至2 5 0 °C下進行低溫壓接處理以形成層合第 1絕緣層、電極層及第2絕緣層之靜電夾頭片,然後,隔 著膜厚5至5 0 /zm之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄片將上述 靜電夾頭片重疊於金屬基板上,在加壓下及加熱溫度 1 0 0至2 5 0 °C下進行低溫壓接處理以在金屬基板上形 成依次層合第1絕緣層、電極層以及第2絕緣層之層合構 造之方法。 此外,第3種方法係將第2種方法中之構成第1絕緣 層之聚醯亞胺薄膜與膜厚5至5 0 //m之熱塑性聚醯亞胺 系粘合薄膜事先層合成一體以形成第1層合片,同時事先 將構成第2絕緣層之聚醯亞胺薄膜與膜厚5至5 0 # m之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐) ' " " -11 - 517326 A7 B7 五、發明説明(g (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜層合成一體以形成第2層合片 ,再於該第1層合片與第2層合片之各粘合薄膜間夾持金 屬箔,在加壓下及加熱溫度1 0 0至2 5 0 t下進行低溫 壓接處理而形成靜電夾頭片之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在這些方法中,低溫壓接處理係在大氣中厚度方向壓 2至5MPa ,較佳爲3至4MPa之加壓條件下進行, 厚度方向壓力小於2MP a時,有粘合力不足或發生氣泡 之問題,反之,如高於5 M P a時,片上有發生龜裂,而 金屬基板會發生變形等問題。另外,該低溫壓接處理宜在 13 3 P a以下,較佳爲1 3 P a以下之減壓氣氛下,厚 度方向壓力0 . 1至5MPa ,較佳爲0 . 5至2MPa 之加壓條件下進行。熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜通常容易 吸濕,加熱時於粘合薄膜中之水分發散成水蒸汽,如在大 氣中進行低溫壓接處理時,除了捲入空氣之外,會發生由 該空氣而引起之空隙(void),因此,需要比較高壓之加熱 壓接。然而,如在減壓下進行低溫壓接處理時,沒有空氣 之捲入而且所發生之水蒸汽被迅速排除,所以只要比較低 壓之加熱壓接即足。 本發明之靜電夾頭除了具有優異之耐久性及耐熱性並 可以長期間發揮優異之吸附性能之外,例如縱使使用於電 漿鈾刻裝置等時,靜電夾頭片也不致於由其外周部分剝離 而可以長期間使用,而且沒有粘合劑被電漿撞擊而發塵以 致污染裝置周邊或晶圓之事。 另外,利用本發明之方法,在工業上很容易製造此種 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇X297公釐) -12- 517326 A7 B7 五、發明説明()〇 靜電夾頭。 圖式之簡單說明 第1圖爲本發明之實施例1之靜電夾頭之剖面說明圖 〇 第2圖爲表示製造第1圖之靜電夾頭時之靜電夾頭片 製造工程之剖面說明圖。 第3圖爲表示在第2圖之靜電夾頭片之製造工程中所 製造之靜電夾頭片之剖面說明圖。 第4圖爲表示在製造第1圖之靜電夾頭時粘合靜電夾 頭片與鋁基板間的工程剖面說明圖。 第5圖爲表示在試驗例1中用於測定靜電夾頭之吸附 力之靜電夾頭吸附力測定裝置之原理的剖面說明圖。 主要元件對照表 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 金屬 基 板 2 a 第1 絕 緣 層 2 b 第2 絕 緣 層 3 電極 層 4 a 粘合 薄 膜 4 b 粘合 薄 膜 5 a 熱壓 機 5 b 熱壓 機 6 特氟 隆 薄 膜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 517326 A7 B7
五、發明説明(L 7 貫 穿 孔 1 0 真 空 槽 1 1 氦 氣 供 應 □ 1 2 排 氣 □ 1 3 直 流 電 流 1 4 流 里 調 節 器 1 5 氣 體 壓 力 計 S 靜 電 夾 頭 片 W 矽 晶 圓 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施發明之最佳形態 以下要根據實施例、比較例、及實驗例具體說明本發 明之最佳實施形態。 〔實施例1〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 金屬基板1係使用膜厚5 0 //m之耐酸處理過而包含 圖示以外之水冷却管之鋁合金(A 6 0 6 1 )製之鋁基板 ,第1及第2絕緣層2 a、2 b係使用膜厚5 0 // m之聚 醯亞胺薄膜(東麗,杜邦公司製品名稱:卡普東Η ),另 外,電極層3係使用膜厚1 8 // m之電解銅箔,另外,熱 塑性聚醯亞胺系之粘合薄膜4 a、4 b、4 c係使用膜厚 2 0 // m之結合片(新日鐵化學公司製品名稱:埃斯帕內 克斯),而製成具有第1圖所示之層合構造丨金屬基板( 鋁質基板)1 ,粘合薄膜(膜厚2 0 // m之結合片〔 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -14 - 517326 A7 B7 五、發明説明(& bonding sheet〕)4a、電極層(膜厚18/zm之電解銅箱 )3、粘合薄膜(膜厚2 0 // m之結合片)4 b、以及第 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2絕緣層(膜厚5 0 // m之聚醯亞胺)2 b丨之靜電夾頭 〇 即,如第2圖所示,首先將形成切成直徑1 9 5 m m 大小之第1絕緣層2 a之聚醯亞胺薄膜(膜厚5 〇 // m ) ,做爲熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜4 a之結合片(膜厚 2 0 // m ),形成直徑1 9 3 m m之電極層3之電解銅箔 (膜厚1 8 // m ) ’做爲熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜4 b 之結合片(膜厚2 0 // m )以及用於形成切成直徑1 9 5 m m大小之第2絕緣層2 b之聚醯亞胺薄膜(膜厚5 0 #m)依次重疊,另外,在上述第1絕緣層2 a下面及第 2絕緣層2 b上面分別重疊厚度1 m m之特氟隆薄膜6以 做爲緩衝材料並將其放在熱壓機5 a、5 b上以厚度方向 壓力2 · 2 Μ P a,加熱溫度1 5 0 °C及保持時間4 0分 鐘之條件下加熱加壓,並取走特氟隆薄膜6以製及具有第 3圖所示之層合構造之靜電夾頭片S。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後,如第4圖所示,在鋁質基板(金屬基板)1上 依次重疊熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜4 c之結合片(膜厚 2 0 //m)以及上面製及之靜電夾頭片S,再於其上面重 疊做爲緩衝材料之厚度1 m m之特氟隆薄膜6 ,將其放在 熱壓機5 a、5b上,並以厚度方向壓力3 . OMPa , 加熱溫度1 5 0 °C及保持時間(holding time ) 6 0分鐘之 條件下加熱加壓,再取走特氟隆薄膜6而製及具有第1圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 517326 A7 B7 五、發明説明( 所示之層合構造之靜電夾頭。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔試驗例1〕 就實施例1所及之靜電夾頭,利用靜電夾頭吸附力測 定裝置(Creative Technology公司製)以下列方法測定吸附 力並進行評估。 線__ 首先,在測定裝置之真空槽1 〇裝設靜電夾頭俾該真 空槽10之氦氣供應口11與由靜電夾頭下面貫穿到上面 之貫穿孔7連通,在該靜電夾頭之靜電夾頭片S上面載置 矽晶圓,由排氣口 1 2排氣直到真空槽內減壓至〇 · 1 P a ,在此狀態下,由直流電源1 3將1 . 5 k V之直流 電壓施加予靜電夾頭之電極層3,另外,將導線接砂晶圓 W並將其接地,以流量調節器1 4 一邊調節流量,一邊透 過上述氨氣供應口11及貫穿孔7以10J/分鐘之速度 對該矽晶圓W之背面供應氦氣,再利用氣體壓力計1 5經 時測定漸漸充滿靜電夾頭片S上之吸附面與矽晶圓W之間 之氮氣壓力。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 結果,氦氣之壓力達到1 3 0 0 0 P a時,矽晶圓W 仍未浮上來,發揮了充分之吸附力。 〔試驗例2〕 其次,一邊維持槽內之氨氣壓力於lOOOOPa, 一邊利用以測溫晶片(Creative technology公司製品名稱爲 T c晶圓)在8吋晶圓之中心位置,直徑9 0 m m之圓周 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -16- 517326 A7 B7 _ 五、發明説明()4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 上3至9個位置及直徑1 8 Omm之圓周上3至9個位置 分別裝設熱電偶俾可測定各位置之溫度’以測定砂晶圓表 面內之溫度分布。結果,矽晶圓表面內之溫度分布爲 ± 1 · 0。(:。 〔實驗3〕 再者,將實施例1所製及之靜電夾頭載置於平行平板 型電漿鈾刻裝置之機器上進行鈾刻試驗。 該平行平板型電漿蝕刻裝置係在反應槽中載置靜電夾 頭,其正面配置簇射電極(shower llectrode)者’因此在靜 電夾頭之鋁質基板連接著頻率1 3 . 56MHz,輸出 1 5 0 0 W之高頻電源之輸出,另外,上部簇射電極被接 地,且其裡面連接反應氣配管俾由該簇射孔供應反應氣。 而且在靜電夾頭之吸附電極連接著1 . 5 k V之直流電源 之輸出。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 配置於上述平行平板型電獎蝕刻裝置之靜電夾頭之吸 附面載置等以光阻劑施予特定圖案之矽晶圓,一邊排氣一 邊由上部簇射電極以5 0 c m 3 /分鐘之速度流出蝕刻氣體 CHF3俾背景真空度成爲7 0 P a,並對靜電夾頭之鋁質 基板賦予頻率13 . 56MHz ,輸出1 500 W之高頻 電場,俾在上部簇射電極與鋁質基板之間發生電漿。 在貫穿靜電夾頭之貫穿孔對靜電夾頭之吸附面與矽晶 圓之間以1 0 c m 3 /分鐘之流量供應氦氣,而確認了該氦 氣之飽和値超過3 0 0 0 P a以上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 517326 A7 B7 五、發明説明( 在此種條件下,將每一晶圓之蝕刻處理時間設定爲兩 分鐘,而於約每1 0 0小時一邊進行淸潔保護,一邊進行 晶圓之連續處理。 結果,經過總計處理2萬片.(總計蝕刻時間約6 6 0 小時)也沒有發現由靜電夾頭周邊部分之薄片之剝離,氨 氣壓力之異常,聚醯亞胺絕緣破壞等之異常現象,而且晶 圓之蝕刻速度,蝕刻形狀等長期間穩定。 〔試驗例4〕
將上述聚醯亞胺薄膜及上述電解銅箔切成5 m m X 1 Ο 0 m m之大小,另外,將結合片切成5 m m χ 5 Ο m m之大小,而在聚醯亞胺薄膜與電解銅箔之間,距離其 端部5 Omm之處夾持結合片,並以厚度方向壓力2 Μ P a,加熱溫度1 5 0 °C及保持時間3 0分鐘之條件下 加熱壓接以調製試驗片A。 另外’如上述將聚醯亞胺薄膜及電解銅箔切成5 m m χ 1 Ο 0 m m之大小,並在該等聚醯亞胺薄膜及電解銅箔 之間塗敷環氧粘合劑(Three Bond公司製品名稱:環氧
2 2 3 0 )至距離該端部5 0 m m之範圍,並以1 0 0 °C 3 0分鐘’ 1 5 0 °C分鐘之條件加熱粘合而調製了試驗片 B。
利用剝離強度試驗機針對如此製及之試驗片A及B以 角度1 8 0 °及拉伸速度5 〇 ^ m /分鐘之條件進行剝離 試驗之結果,試驗片A爲〇 . 7 6公斤/公分,試驗片B 本紙張尺度適用中國國冬標準(CNS ) A4規格(21〇 χ 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 -線·· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 517326 A7 B7 五、發明説明(id 爲0 · 4 5公斤/公分,確認了在試驗片A所用之本發明 之結合片之粘合強度比試驗片B所用之先前之環氧粘合劑 之粘合強度,其粘合強度高7 0%左右。 〔比較例1〕 除了使用環氧粘合劑(Three Bond公司製品名稱:環氧 2 2 3 0 )以代替熱塑性聚酿亞胺粘合薄片以外,以與上 述1相同之方法製及靜電夾頭。 與試驗例3 —樣在實際機器上使用所製及之靜電夾頭 之結果,經處理晶圓片數1 · 2萬片(總計蝕刻時間約 4 0 0小時)之後,由靜電夾頭周邊部分開始薄片之剝離 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -19-
Claims (1)
- 517326 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 附件1: 第90119917號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國91年11月1日修正 1 · 一種靜電夾頭,其特徵爲:在金屬基板上具有依 次層合第1絕緣層、電極層及第2絕緣層之層合構造,第 1絕緣層及第2絕緣層係以聚醯亞胺所構成,而且至少上 述金屬基板與第1絕緣層之間係由膜厚5至5 0 # m之熱 塑性聚醯亞胺系粘合薄膜粘合。 2 ·如申請‘專利範圍第1項之靜電夾頭,其中金屬基 板與第1絕緣層之間,第1絕緣層與電極層之間,以及電 極層與第二絕緣層之間分別係由膜厚5至5 0 // m熱塑性 聚醯亞胺系粘合薄膜粘合。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭,其中金 屬基板爲鋁合金製金屬基板。 4 ·如申請專利範圍第1或2項之靜電夾頭,其中構 成第1絕緣層及第2絕緣層之聚醯亞胺薄膜之膜厚爲2 0 至5 〇/z m 。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 · —種靜電夾頭之製造方法,其特徵爲: 在金屬基板上依次重疊膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚 醯亞胺粘合薄膜,第1絕緣層之聚醯亞胺薄膜,膜厚5至 5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,做爲電極層之金 屬范,膜厚5至5 0 /z m之熱可塑性聚醯亞胺系粘合薄膜 以及第2絕緣層之聚醯亞胺薄膜,並在加壓下及加熱溫度 1〇0至2 5 0 °C下進行低溫壓接處理,而形成在金屬基 氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4· ( 21〇x297公釐)—-:--- 517326 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 板上依次層合第1絕緣層、電極層及第2絕緣層之層合構 造。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6 · —種靜電夾頭之製造方法,其特徵爲·· 在第1或第2絕緣層之一側面上利用蒸鍍手段或電鍍 手段積層電極層,在金屬基板上依序重疊膜厚5至5 0 # m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,第1絕緣層之聚醯亞 胺薄膜,上述電極層,以及第2絕緣層之聚醯亞胺薄膜之 同時,於上述第1或第2絕緣層與上述電極層之間挾持膜 厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,並在加壓 下及加熱溫度1 0 0至2 5 0 °C下進行低溫壓接處理,以 形成在金屬基板上依次層合之第1絕緣層、電極層及第:2 絕緣層之層合構造。 7 _ —種靜電夾頭之製造方法,其特徵爲: 依次重疊第1絕緣層之聚醯亞胺薄膜,膜厚5至5 0 · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜,做爲電極層之金屬箔 ,膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜及第2 絕緣之聚醯亞胺薄膜,並在加壓下及加熱溫度1 0 0至 2 5 0 °C下進行低溫壓接處理以形成層合第1絕緣層、電 極層及第2絕緣層之靜電夾頭片,然後隔著膜厚5至5 0 # m之熱可塑性聚醯亞胺系粘合薄膜在金屬基板上重疊上 述靜電夾頭片,並在加壓下及加熱溫度10 0至2 5 Ot 下進行低溫壓接處理以形成在金屬基板上依次層合第1絕 緣層、電極層及第2絕緣層之層合構造。 8 ·如申請專利範圍第7項之靜電夾頭之製造方法, 本纳「張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 517326 A8 B8 C8 _D8 六、申請專利範圍 S Φ IP電夾頭片係事先將構成第1絕緣層之聚醯亞胺薄膜 與膜厚5至5 0 /z m之熱塑性聚醯亞胺粘合薄膜層合爲一 體以形成第1層合片,並且事先將構成第2絕緣層之聚醯 亞胺與膜厚5至5 0 // m之熱塑性聚醯亞胺系粘合薄膜層 合胃一體以形成第2層合片,再於該等第1層合片及第2 ® t #之各粘合薄膜間夾入金屬箔,並在加壓下及加熱溫 度1 〇 〇至2 5 0 °C下進行低溫壓接處理而形成。 9 ·如申請專利範圍第5至8項之任一項之靜電夾頭 之製造方法,其中金屬基板爲鋁合金製成之金屬基板。· 1 0 ·如申請專利範圍第5至8項之任一項之靜電夾 頭之製造方法,其中構成第1絕緣層及第2絕緣層之聚醯 亞胺之膜厚爲2 0至5 0 /zm。 1 1 ·如申請專利範圍第5至8項之任一項之靜電夾 頭之製造方法,其中低溫壓接處理係在大氣中而厚度方向· 壓力2至5MP a之加壓條件下進行。 1 2 ·如申請專利範圍第5至8項之任一項之靜電夾 頭之製造方法,其中低溫壓接處理係在小於1 3 3 P a之 減壓氣氛中與厚度方向壓力〇.1至5MPa之加壓條件 下進行。 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) -3 - ------IT------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000246740A JP4753460B2 (ja) | 2000-08-16 | 2000-08-16 | 静電チャック及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW517326B true TW517326B (en) | 2003-01-11 |
Family
ID=18736992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW90119917A TW517326B (en) | 2000-08-16 | 2001-08-14 | Electrostatic chucking device and manufacturing method thereof |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6813134B2 (zh) |
EP (1) | EP1180793A3 (zh) |
JP (1) | JP4753460B2 (zh) |
KR (1) | KR100691098B1 (zh) |
TW (1) | TW517326B (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102543813A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-04 | 应用材料公司 | 用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件 |
TWI401768B (zh) * | 2008-09-09 | 2013-07-11 | Komico Ltd | 包含用以降低熱應力之緩衝層之靜電夾頭 |
TWI453857B (zh) * | 2007-08-02 | 2014-09-21 | Ulvac Inc | Manufacturing method of electrostatic chuck mechanism |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100912003B1 (ko) * | 2003-01-06 | 2009-08-14 | 주식회사 코미코 | 웨이퍼 주변을 보호하는 반도체 장비용 정전척 |
KR100899292B1 (ko) * | 2003-01-06 | 2009-05-26 | 주식회사 코미코 | 수명을 연장시키는 절연막을 갖는 반도체 장비용 정전척 |
JP2004235563A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置用電極シート及びこれを用いた静電チャック装置 |
US7084492B2 (en) * | 2003-06-30 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Underfill and mold compounds including siloxane-based aromatic diamines |
US6944028B1 (en) * | 2004-06-19 | 2005-09-13 | C-One Technology Corporation | Storage memory device |
JP2006049357A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-16 | Toto Ltd | 静電チャックおよび静電チャックを搭載した装置 |
US7436645B2 (en) | 2004-10-07 | 2008-10-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
US7544251B2 (en) | 2004-10-07 | 2009-06-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for controlling temperature of a substrate |
US7648914B2 (en) * | 2004-10-07 | 2010-01-19 | Applied Materials, Inc. | Method for etching having a controlled distribution of process results |
US8226769B2 (en) * | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
US8123902B2 (en) * | 2007-03-21 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Gas flow diffuser |
JP4976915B2 (ja) | 2007-05-08 | 2012-07-18 | 新光電気工業株式会社 | 静電チャックおよび静電チャックの製造方法 |
JP5265700B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2013-08-14 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理装置用の複合シャワーヘッド電極組立体 |
JP5567494B2 (ja) | 2007-12-19 | 2014-08-06 | ラム リサーチ コーポレーション | 半導体真空処理装置用のコンポーネント・アセンブリ、アセンブリを結合する方法、及び、半導体基板を処理する方法 |
US8876024B2 (en) | 2008-01-10 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heated showerhead assembly |
US8043433B2 (en) * | 2008-02-11 | 2011-10-25 | Applied Materials, Inc. | High efficiency electro-static chucks for semiconductor wafer processing |
TWI475594B (zh) | 2008-05-19 | 2015-03-01 | Entegris Inc | 靜電夾頭 |
EP2302705B1 (en) | 2008-06-02 | 2018-03-14 | LG Innotek Co., Ltd. | Supporting substrate for fabrication of semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device using the same |
US9520314B2 (en) * | 2008-12-19 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature electrostatic chuck bonding adhesive |
JP5193886B2 (ja) * | 2009-01-14 | 2013-05-08 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置の補修方法および補修装置、ならびに静電チャック装置 |
US8861170B2 (en) | 2009-05-15 | 2014-10-14 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface |
SG10201402319QA (en) | 2009-05-15 | 2014-07-30 | Entegris Inc | Electrostatic chuck with polymer protrusions |
CN102986017B (zh) | 2010-05-28 | 2015-09-16 | 恩特格林斯公司 | 高表面电阻率静电吸盘 |
JP5885404B2 (ja) * | 2010-08-04 | 2016-03-15 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
EP2490073B1 (en) * | 2011-02-18 | 2015-09-23 | ASML Netherlands BV | Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder |
KR20130025025A (ko) * | 2011-09-01 | 2013-03-11 | 주식회사 코미코 | 정전척 |
KR101652782B1 (ko) | 2012-02-03 | 2016-08-31 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 기판 홀더 및 리소그래피 장치 |
KR101970301B1 (ko) | 2012-07-11 | 2019-04-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 테스트 장치 |
JP5981358B2 (ja) | 2013-01-23 | 2016-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 伝熱シート貼付方法 |
KR102046534B1 (ko) * | 2013-01-25 | 2019-11-19 | 삼성전자주식회사 | 기판 가공 방법 |
CN104752301B (zh) * | 2013-12-31 | 2018-05-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种静电卡盘以及腔室 |
KR102373326B1 (ko) | 2014-12-26 | 2022-03-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법 |
KR102311586B1 (ko) | 2014-12-26 | 2021-10-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 및 증착 장치 내 기판 정렬 방법 |
US10256131B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-04-09 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
US10570257B2 (en) | 2015-11-16 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Copolymerized high temperature bonding component |
JP6616363B2 (ja) * | 2017-09-05 | 2019-12-04 | 日本特殊陶業株式会社 | 保持装置 |
CN110473824A (zh) * | 2019-09-05 | 2019-11-19 | 苏州芯慧联半导体科技有限公司 | 一种半导体用可再生静电卡盘及其制造方法 |
CN113613411B (zh) * | 2021-09-23 | 2023-04-07 | 浙江清华柔性电子技术研究院 | 柔性电路基板及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6131636U (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | 株式会社 徳田製作所 | 静電チヤツク |
JPS63168072A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-12 | 住友ベークライト株式会社 | 金属ベ−ス印刷回路用基板 |
JPH01240243A (ja) * | 1988-03-18 | 1989-09-25 | Tokuda Seisakusho Ltd | 電極およびその製造方法 |
JPH0227748A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-30 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置及びその作成方法 |
JPH05152742A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-06-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 金属はく張りセラミツク基板 |
JP3221756B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2001-10-22 | 新日鐵化学株式会社 | プリント基板用耐熱性接着剤フィルム及びその使用方法並びにこれを用いたプリント基板の製造方法 |
US5494522A (en) | 1993-03-17 | 1996-02-27 | Tokyo Electron Limited | Plasma process system and method |
JPH07249586A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-09-26 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法 |
EP0692156A1 (en) | 1994-01-31 | 1996-01-17 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with conformal insulator film |
JP3447122B2 (ja) * | 1994-11-04 | 2003-09-16 | 三井化学株式会社 | 金属酸化物層を有するフレキシブル回路基板 |
KR100473691B1 (ko) * | 1994-11-16 | 2005-04-14 | 가부시키가이샤 고베 세이코쇼 | Al또는Al합금제진공챔버부재 |
JP3208029B2 (ja) * | 1994-11-22 | 2001-09-10 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置およびその作製方法 |
US5691876A (en) | 1995-01-31 | 1997-11-25 | Applied Materials, Inc. | High temperature polyimide electrostatic chuck |
US6099678A (en) * | 1995-12-26 | 2000-08-08 | Hitachi Chemical Company Ltd. | Laminating method of film-shaped organic die-bonding material, die-bonding method, laminating machine and die-bonding apparatus, semiconductor device, and fabrication process of semiconductor device |
US6071630A (en) * | 1996-03-04 | 2000-06-06 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
JP4004086B2 (ja) * | 1996-07-22 | 2007-11-07 | 日本発条株式会社 | 静電チャック装置 |
KR100290264B1 (ko) * | 1997-01-22 | 2001-09-22 | 호소이 쇼지로 | 정전처크장치 및 그 제조방법 |
JPH10209256A (ja) | 1997-01-22 | 1998-08-07 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置およびその製造方法 |
JP3923120B2 (ja) | 1997-01-30 | 2007-05-30 | 新日鐵化学株式会社 | プリント基板用接着剤樹脂組成物 |
JP4156699B2 (ja) * | 1998-02-16 | 2008-09-24 | 株式会社巴川製紙所 | 静電チャック装置用シートおよび静電チャック装置 |
EP0948042A1 (de) | 1998-03-06 | 1999-10-06 | VenTec Gesellschaft für Venturekapital und Unternehmensberatung | Elektrostatische Vorrichtung zum Halten von Wafern und anderen Bauteilen |
JPH11297805A (ja) | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Tomoegawa Paper Co Ltd | 静電チャック装置、静電チャック用積層シート、および静電チャック用接着剤 |
JPH11310769A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 耐熱性ボンディングシート用接着剤、耐熱性ボンディングシート、およびそれらを用いた耐熱性フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
US6256187B1 (en) * | 1998-08-03 | 2001-07-03 | Tomoegawa Paper Co., Ltd. | Electrostatic chuck device |
JP2000243823A (ja) | 1999-02-19 | 2000-09-08 | Sozo Kagaku:Kk | 静電チャック |
TW492135B (en) * | 2000-05-25 | 2002-06-21 | Tomoegawa Paper Co Ltd | Adhesive sheets for static electricity chuck device, and static electricity chuck device |
-
2000
- 2000-08-16 JP JP2000246740A patent/JP4753460B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-10 US US09/925,739 patent/US6813134B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-14 KR KR1020010048966A patent/KR100691098B1/ko active IP Right Grant
- 2001-08-14 TW TW90119917A patent/TW517326B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-08-16 EP EP20010306975 patent/EP1180793A3/en not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-02-10 US US10/774,472 patent/US7411773B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI453857B (zh) * | 2007-08-02 | 2014-09-21 | Ulvac Inc | Manufacturing method of electrostatic chuck mechanism |
TWI401768B (zh) * | 2008-09-09 | 2013-07-11 | Komico Ltd | 包含用以降低熱應力之緩衝層之靜電夾頭 |
CN102543813A (zh) * | 2010-12-16 | 2012-07-04 | 应用材料公司 | 用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件 |
CN105914175A (zh) * | 2010-12-16 | 2016-08-31 | 应用材料公司 | 用于半导体晶圆处理的高效率静电夹盘组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20020014722A (ko) | 2002-02-25 |
JP2002064134A (ja) | 2002-02-28 |
US20040160021A1 (en) | 2004-08-19 |
EP1180793A3 (en) | 2004-06-16 |
KR100691098B1 (ko) | 2007-03-09 |
JP4753460B2 (ja) | 2011-08-24 |
US7411773B2 (en) | 2008-08-12 |
US20020021545A1 (en) | 2002-02-21 |
US6813134B2 (en) | 2004-11-02 |
EP1180793A2 (en) | 2002-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW517326B (en) | Electrostatic chucking device and manufacturing method thereof | |
TWI717542B (zh) | 基板保持裝置 | |
KR100572975B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
US7352555B2 (en) | Electrostatic chuck | |
JP3208029B2 (ja) | 静電チャック装置およびその作製方法 | |
TW201101413A (en) | Wafer conveying tray and method of securing wafer on tray | |
KR102450072B1 (ko) | 기판 고정 장치 | |
US20160036355A1 (en) | Electrostatic chuck device | |
JPH07335731A (ja) | 吸着装置およびその製造方法 | |
JPWO2009017088A1 (ja) | 静電チャック機構の製造方法 | |
JP2005235672A (ja) | ヒータユニット及びそれを搭載した装置 | |
US20190035668A1 (en) | Electrostatic chuck device | |
JP3484107B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
CN111684579B (zh) | 晶片保持台 | |
JP3172671B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2003142567A (ja) | ウエハ載置ステージ | |
JP2011077303A (ja) | 静電チャック装置 | |
JP4308564B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理用トレー | |
JP2010277809A (ja) | 加熱ヒータおよびそれを備えた装置 | |
KR100920132B1 (ko) | 분리 가능한 링을 갖는 정전척 및 그 제조 방법 | |
JPH10335439A (ja) | 静電チャック | |
US20230420231A1 (en) | Substrate fixing device | |
KR20220092383A (ko) | 정전 척, 그 제조 방법, 및 기판 고정 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |