KR102450072B1 - 기판 고정 장치 - Google Patents

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가즈히로 후지타
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신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 접착층의 크랙, 계면 박리 등이 발생하는 것을 억제하면서 Z방향의 열 응답성을 향상시킨 기판 고정 장치를 제공한다.
본 발명의 기판 고정 장치는, 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과, 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서, 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상에 구비된 접착층과, 상기 접착층 상에 구비된 정전 척을 포함하고, 상기 접착층은, 상기 베이스 플레이트 쪽에 구비된 제1층과, 상기 정전 척 쪽에 구비된 제2층을 포함하며, 상기 제1층은, 상기 베이스 플레이트, 상기 접착층 및 상기 정전 척이 적층되는 적층 방향의 열전도율이 상기 적층 방향에 수직인 평면 방향의 열전도율보다 높고, 상기 제2층은, 상기 평면 방향의 열전도율이 상기 적층 방향의 열전도율보다 높다.

Description

기판 고정 장치{SUBSTRATE FIXING DEVICE}
본 발명은 기판 고정 장치에 관한 것이다.
종래에, 베이스 플레이트 상에 접착층을 사이에 두고 정전 척이 탑재되며 흡착 대상물인 웨이퍼를 정전 척 표면에 흡착 유지하는 기판 고정 장치가 알려져 있다. 여기에서 베이스 플레이트, 접착층, 정전 척의 적층 방향을 Z방향이라고 하고, 정전 척의 표면을 Z방향에 수직인 XY 평면이라고 한다.
이와 같은 기판 고정 장치에서는, 예를 들어, 정전 척은 정전 전극, 발열체 등을 내장하여 있으며, 베이스 플레이트는 냉각 기구를 구비하고 있다. 그리고, 정전 척에 내장된 발열체와 베이스 플레이트의 냉각 기구를 이용하여, 웨이퍼를 흡착 유지하는 정전 척의 표면 온도의 면내 분포를 제어하고 있다. 정전 척의 표면 온도의 불균일을 완화(XY 방향의 균열성을 향상)하기 위해, 접착층은 금속 입자, 세라믹 입자 등의 필러를 함유하고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
일본국 공개특허공보 특개2012-129539호
그런데, 상기 기판 고정 장치에서 접착층의 두께를 얇게 한 경우, Z방향의 열 저항이 작아져서 Z방향의 열 응답성이 좋아진다. 그러나, 정전 척(예를 들어, 세라믹제)과 베이스 플레이트(예를 들어, 금속제)의 열팽창율 차에 따른 열응력 차에 의해, 접착층에 크랙이 발생하는 문제, 정전 척과 접착층 간 계면이나 접착층과 베이스 플레이트 간 계면에 박리가 발생하는 문제 등이 생긴다.
한편, 접착층의 두께를 두껍게 함으로써, 정전 척과 베이스 플레이트의 열팽창율 차에 따른 열응력 차를 완화하여 크랙이나 박리를 억제하는 것이 가능하나, Z방향의 열응답성이 나빠지는 문제가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 고려하여 이루어진 것으로서, 접착층의 크랙, 계면 박리 등이 발생하는 것을 억제하면서 Z방향의 열 응답성을 향상시킨 기판 고정 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명의 기판 고정 장치는, 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과, 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서, 베이스 플레이트와, 상기 베이스 플레이트 상에 구비된 접착층과, 상기 접착층 상에 구비된 정전 척을 포함하고, 상기 접착층은, 상기 베이스 플레이트 쪽에 구비된 제1층과, 상기 정전 척 쪽에 구비된 제2층을 포함하며, 상기 제1층은, 상기 베이스 플레이트, 상기 접착층 및 상기 정전 척이 적층되는 적층 방향의 열전도율이 상기 적층 방향에 수직인 평면 방향의 열전도율보다 높고, 상기 제2층은, 상기 평면 방향의 열전도율이 상기 적층 방향의 열전도율보다 높은 것을 요건으로 한다.
개시된 기술에 의하면, 접착층의 크랙, 계면 박리 등이 발생하는 것을 억제하면서 Z방향의 열 응답성을 향상시킨 기판 고정 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
도 2a와 도 2b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면(1)이다.
도 3a와 도 3b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면(2)이다.
도 4는 제1 실시형태의 변형예에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
이하에서, 도면을 참조하여 발명을 실시하기 위한 형태에 대해 설명한다. 한편, 각 도면에 있어서 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 중복되는 설명을 생략하는 경우가 있다.
<제1 실시형태>
[기판 고정 장치의 구조]
도 1은 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치를 간략화하여 예시하는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 고정 장치(1)는 주요한 구성 요소로서, 베이스 플레이트(10)와, 베이스 플레이트(10) 상에 구비된 접착층(20)과, 접착층(20) 상에 구비된 정전 척(40)을 가진다.
한편, 도 1에서는, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에 평행한 평면에 포함되며 서로 직교하는 방향을 X방향 및 Y방향, X방향 및 Y방향에 수직인 방향(기판 고정 장치(1)의 두께 방향)을 Z방향이라고 한다. 또한, 베이스 플레이트(10), 접착층(20) 및 정전 척(40)이 적층되는 방향(Z방향)을 적층 방향, 적층 방향(Z방향)에 수직인 방향을 평면 방향(XY방향)이라고 하는 경우가 있다.
베이스 플레이트(10)는 정전 척(40)을 탑재하기 위한 부재이다. 베이스 플레이트(10)의 두께는, 예를 들어, 20~50㎜ 정도로 할 수 있다. 베이스 플레이트(10)는, 예를 들어 알루미늄으로 형성되며, 플라즈마를 제어하기 위한 전극 등으로서 이용할 수도 있다. 베이스 플레이트(10)에 소정의 고주파 전력을 공급함으로써 발생된 플라즈마 상태에 있는 이온 등을 정전 척(40) 상에 흡착된 웨이퍼에 충돌시키기 위한 에너지를 제어하여 에칭 처리를 효과적으로 실시할 수 있다.
베이스 플레이트(10)의 내부에는 수로(15)가 설치되어 있다. 수로(15)는, 일단에 냉각수 도입부(15a)를 구비하고, 타단에 냉각수 배출부(15b)를 구비하고 있다. 수로(15)는 기판 고정 장치(1)의 외부에 설치된 냉각수 제어 장치(미도시)에 접속될 수 있다. 냉각수 제어 장치(미도시)는 냉각수를 냉각수 도입부(15a)로부터 수로(15)로 도입하고, 냉각수 배출부(15b)로부터 냉각수를 배출한다. 냉각수를 수로(15)로 순환시켜 베이스 플레이트(10)를 냉각시킴으로써, 정전 척(40) 상에 흡착된 웨이퍼를 냉각시킬 수 있다. 베이스 플레이트(10)에는, 수로(15) 외에도, 정전 척(40) 상에 흡착된 웨이퍼를 냉각시키는 불활성 가스를 도입하는 가스로 등을 설치할 수도 있다.
접착층(20)은 베이스 플레이트(10) 쪽에 구비된 제1층(21)과 정전 척(40) 쪽에 구비된 제2층(22)이라는 적어도 2개의 층을 포함하는 구성으로 되어 있다.
제1층(21)은 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에 적층되어 있다. 제1층(21)의 두께는, 예를 들어, 0.5㎜~1.5㎜ 정도로 할 수 있다. 제1층(21)은, 적층 방향(Z)의 열전도율이 평면 방향(XY)의 열전도율보다 높도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 제1층(21)은, 예를 들어, 수지(211)에 Z방향 열전도율이 XY방향 열전도율보다 높은 이방성 전열 재료(212)가 다수 함유된 구조로 할 수 있다. 수지(211)로는, 예를 들어, 고열전도율 및 고내열성을 갖는 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 실리콘계 수지, 페놀계 수지 등을 사용할 수 있다.
전열 재료(212)로는, 예를 들어, 길이 방향이 적층 방향(Z방향)을 향하도록 수지(211) 중에 배치된 카본 나노 튜브를 사용할 수 있다. 카본 나노 튜브는 직경이 0.7~70㎚ 정도인 대략 원통 형상(선 모양)을 한 탄소 결정이며, 길이 방향의 열전도율을, 예를 들어, 3000W/mK 정도로 할 수 있다.
다만, 여기에서 "길이 방향이 적층 방향(Z방향)을 향함"이란, 제1층(21)의 적층 방향(Z방향) 열전도율이 평면 방향(XY방향) 열전도율보다 높게 되도록 각각의 전열 재료(212)의 길이 방향이 대략적으로 적층 방향(Z방향)을 향함을 의미한다. 즉, 각각의 전열 재료(212)의 길이 방향이 엄밀하게 적층 방향(Z방향)을 향함을 의미하는 것은 아니다.
제2층(22)은 제1층(21)의 상면에 적층되어 있다. 제2층(22)은 제1층(21)보다 얇게 형성되어 있으며 예를 들어 0.1㎜~0.3㎜ 정도의 두께로 할 수 있다. 제2층(22)은 평면 방향(XY방향)의 열전도율이 적층 방향(Z방향) 열전도율보다 높도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 제2층(22)은, 예를 들어, 수지(221)에 XY 방향 열전도율이 Z방향 열전도율보다 높은 이방성 전열 재료(222)가 다수 함유된 구조로 할 수 있다. 수지(221)로는, 예를 들어, 고열전도율 및 고내열성을 갖는 에폭시 수지, 비스말레이미드트리아진 수지, 실리콘계 수지, 페놀계 수지 등을 사용할 수 있다.
전열 재료(222)로는, 예를 들어 탄소 시트를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들어, 전열 재료(222)로서 단층의 그래파이트 시트, 그래파이트 시트 적층체 등을 사용하며, 주면(主面)이 평면 방향(XY방향)에 평행하도록 수지(221) 중에 평면 방향(XY방향)으로 소정 간격을 두어 배치할 수 있다. 그래파이트 시트는, 예를 들어, XY방향 열전도율을 300W/mK이상, Z방향 열전도율을 3W/mK정도로 할 수 있다. 또한, 그래파이트 시트 적층체는, 예를 들어, XY방향 열전도율을 1500W/mK이상, Z방향 열전도율을 8W/mK정도로 할 수 있다.
다만, 여기에서 "주면이 평면 방향(XY방향)에 평행"이란, 제2층(22)의 평면 방향(XY방향) 열전도율이 적층 방향(Z방향) 열전도율보다 높게 되도록 각각의 전열 재료(222)의 주면이 평면 방향(XY 방향)에 대략적으로 평행함을 의미한다. 즉, 각각의 전열 재료(222)의 주면이 평면 방향(XY 방향)에 엄밀하게 평행함을 의미하는 것은 아니다.
전열 재료(222)로서 단층 또는 적층체의 그래파이트 시트 대신에, 단층 또는 적층체의 그래핀 시트 등 다른 탄소 시트를 사용할 수도 있다.
정전 척(40)은 접착층(20) 상에 설치되어 있다. 정전 척(40)은 기체(基體,41)와 정전 전극(42)과 발열체(43)를 가지고 있다. 정전 척(40)은, 예를 들어, 존슨-라벡형 정전 척이다. 다만, 정전 척(40)은 쿨롱힘형 정전 척일 수도 있다.
기체(41)는 유전체이며, 기체(41)로는 예를 들어, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN) 등의 세라믹을 사용할 수 있다. 기체(41)의 두께는, 예를 들어 1~10㎜ 정도, 기체(41)의 비유전율(1kHz)은, 예를 들어 9~10 정도로 할 수 있다.
정전 전극(42)은 박막 전극이며 기체(41)에 내장되어 있다. 정전 전극(42)은 기판 고정 장치(1)의 외부에 설치된 전원에 접속되며, 소정의 전압이 인가되면 웨이퍼와의 사이에 정전기에 의한 흡착력이 발생하여, 정전 척(40) 상에 웨이퍼를 흡착 유지할 수 있다. 흡착 유지력은 정전 전극(42)에 인가되는 전압이 높을수록 강해진다. 정전 전극(42)은 단극 형상일 수도 있고 쌍극 형상일 수도 있다. 정전 전극(42)의 재료로는, 예를 들어, 텅스텐, 몰리브덴 등을 사용할 수 있다.
발열체(43)는 기체(41)에 내장되어 있다. 발열체(43)는 기판 고정 장치(1)의 외부로부터 전압을 인가받음으로써 발열되며, 기체(41)의 적재면이 소정 온도로 되도록 가열한다. 발열체(43)는, 예를 들어, 기체(41)의 적재면의 온도를 250℃~300℃ 정도까지 가열할 수 있다. 발열체(43)의 재료로는, 예를 들어, 구리(Cu), 텅스텐(W), 니켈(Ni) 등을 사용할 수 있다.
[기판 고정 장치의 제조방법]
도 2a 내지 도 3b는 제1 실시형태에 따른 기판 고정 장치의 제조 공정을 예시하는 도면이다.
우선, 도 2a 및 도 2b에 나타내는 공정에서는, 미리 수로(15) 등이 형성된 베이스 플레이트(10)를 준비하고, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에, 수지(211)에 전열 재료(212)가 함유된 제1층(21)을 형성한다.
예를 들어, 전열 재료(212)가 카본 나노 튜브인 경우에는, 도 2a에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에 카본 나노 튜브를 세운다. 구체적으로는, 예를 들어, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에 스퍼터링법 등에 의해 금속 촉매층(미도시)을 형성한다. 금속 촉매층의 재료로는, 예를 들어, Fe, Co, Ni 등을 사용할 수 있다. 금속 촉매층의 두께는, 예를 들어 수 ㎚정도로 할 수 있다.
이어서, 금속 촉매층이 형성된 베이스 플레이트(10)를 소정의 압력 및 온도로 조정된 가열로에 넣고, CVD법(화학적 기상 성장법)에 의해 금속 촉매층 상에 카본 나노 튜브를 형성한다. 가열로의 압력 및 온도는, 예를 들어 100pa과 600℃로 할 수 있다. 또한, 프로세스 가스로는, 예를 들어 아세틸렌 가스 등을 사용할 수 있으며, 캐리어 가스로는, 예를 들어 아르곤 가스, 수소 가스 등을 사용할 수 있다. 카본 나노 튜브는 금속 촉매층 상에 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에 직각인 방향으로 형성되는데, 상면(10a)에서부터 카본 나노 튜브 선단부까지의 높이는 카본 나노 튜브의 성장 시간에 의해 제어할 수 있다.
이어서, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에, 카본 나노 튜브를 피복하도록 액상 또는 페이스트상의 수지(211)를 디스펜서 등에 의해 도포하고, 소정 온도로 가열하여 경화시킨다. 이로써, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에, 수지(211)에 전열 재료(212)가 함유된 제1층(21)이 형성된다. 한편, 수지(211)의 재료에 대해서는 전술한 바와 같다.
다만, 도 2a에 나타내는 바와 같이 전열 재료(212)를 베이스 플레이트(10)의 상면(10a) 상에 형성하는 것이 필수적인 것은 아니다. 예를 들어, 베이스 플레이트(10)와는 별도로, 수지(211)에 전열 재료(212)가 함유된 제1층(21)을 미리 제작하여 둔다. 그리고, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에, 다른 접착층을 사이에 두고서, 수지(211)에 전열 재료(212)가 함유된 제1층(21)을 접착할 수도 있다. 또는, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에, 수지(211)에 전열 재료(212)가 함유된 제1층(21)을 직접 열압착할 수도 있다.
이어서, 도 3a에 나타내는 공정에서는, 제1층(21) 상에, 제2층(22)의 수지(221)의 일부로 되는 절연 수지 필름(221a)을 적층한다. 절연 수지 필름(221a)은 진공 안에서 적층하면 보이드(void)에 말려 들어가는 것을 억제할 수 있다는 점에서 바람직하다. 절연 수지 필름(221a)은 경화시키지 않고 반 경화 상태(B-스테이지)로 하여 둔다. 반 경화 상태인 절연 수지 필름(221a)의 점착력에 의해, 절연 수지 필름(221a)은 제1층(21) 상에 가고정된다.
이어서, 절연 수지 필름(221a) 상에 전열 재료(222)를 배치한다. 전열 재료(222)로는, 예를 들어, 단층 또는 적층체의 그래파이트 시트, 단층 또는 적층체의 그래핀 시트 등 탄소 시트를 사용할 수 있다. 전열 재료(222)는 반 경화 상태인 절연 수지 필름(221a)의 점착력에 의해 절연 수지 필름(221a) 상에 가고정된다.
이어서, 도 3b에 나타내는 공정에서는, 절연 수지 필름(221a) 상에 전열 재료(222)를 피복하는 절연 수지 필름(221b)을 적층한다. 절연 수지 필름(221b)은 진공 안에서 적층하면 보이드에 말려 들어가는 것을 억제할 수 있다는 점에서 바람직하다. 절연 수지 필름(221b)은 경화시키지 않고 반 경화 상태로 하여 둔다.
이어서, 그린 시트에 비어 가공하는 공정, 비어에 도전 페이스트를 충전하는 공정, 정전 전극을 형성하는 공정, 발열체를 형성하는 공정, 다른 그린 시트를 적층하여 소성하는 공정 등을 포함하는 주지의 제조 방법에 의해, 기체(41)에 정전 전극(42) 및 발열체(43)를 내장시킨 정전 전극(40)을 제작한다. 그리고, 정전 전극(40)을 반 경화 상태의 절연 수지 필름(221b) 상에 배치한다.
이어서, 정전 척(40)을 베이스 플레이트(10) 쪽으로 가압하면서 절연 수지 필름(221a,221b)을 경화 온도 이상으로 가열하여 경화시킨다. 이로써, 절연 수지 필름(221a,221b)이 일체화되어서 수지(221)로 되어, 수지(221)에 전열 재료(222)가 함유된 제2층(22)이 제1층(21) 상에 형성된다. 이로써, 베이스 플레이트(10)의 상면(10a)에 접착층(20, 제1층(21)과 제2층(22))을 사이에 두고 정전 척(40)이 적층된 기판 고정 장치(1)가 완성된다.
이와 같이, 기판 고정 장치(1)에서는, 베이스 플레이트(10)와 정전 척(40)을 접착하는 접착층(20)은, 적어도 제1층(21)과 제2층(22)이라는 2개의 층을 포함하는 구성으로 되어 있다. 그리고, 베이스 플레이트(10) 쪽의 제1층(21)은 적층 방향(Z방향) 열전도율이 평면 방향(XY방향) 열전도율보다 높게 되도록 형성되어 있으며, 정전 척(40) 쪽의 제2층(22)은 XY방향 열전도율이 Z방향 열전도율보다 높게 되도록 형성되어 있다. 또한, 제1층(21)은 제2층(22)보다 두껍게 형성되어 있다.
접착층(20)에 대해 적어도 제1층(21)과 제2층(22)이라는 2개의 층을 포함하는 구성으로 함으로써, 제1층(21)과 제2층(22)의 두께의 설계 자유도를 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 제1층(21)을 제2층(22)보다 두껍게 형성함으로써, 베이스 플레이트(10)와 정전 척(40)의 열팽창율 차에 의한 열응력을 완화하여, 제1층(21)을 구성하는 수지(211) 및 제2층(22)을 구성하는 수지(221)에 있어 크랙 발생을 억제할 수 있다. 또한, 베이스 플레이트(10)와 수지(211)의 계면, 수지(221)와 정전 척(40)의 계면 등에서의 박리 발생을 억제할 수 있다.
또한, 베이스 플레이트(10) 쪽의 제1층(21)에서는, Z방향 열전도율이 XY방향 열전도율보다 높으므로, 접착층(20)의 크랙, 계면 박리 등이 발생하는 것을 억제하기 위해 제1층(21)을 두껍게 형성한 경우에도, 접착층(20)의 Z방향 열 응답성을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, XY 방향 열전도율이 Z방향 열전도율보다 높은 접착층, 대략 구(球) 형상의 필러를 함유하는 접착층(방향에 따른 열전도율 차가 없는 접착층)등이 제1층(21)과 동일한 두께로 형성된 경우보다 접착층(20)의 Z방향 열응답성을 향상시킬 수 있다.
또한, 정전 척(40) 쪽의 제2층(22)에서는, XY방향 열전도율이 Z방향 열전도율보다 높으므로, 예를 들어 접착층이 대략 구 형상인 필러를 함유하는 경우에 비해, 제2층(22)의 XY방향 균열성을 향상시킬 수 있다. 그 결과, 정전 척(40) 표면의 온도 제어성을 향상시킬 수 있다.
또한, 접착층(20)에 있어 크랙, 계면 박리 등이 발생하는 것은, 제1층(21)을 두껍게 형성함으로써 최대한 억제되고 있으므로, 제2층(22)을 얇게 형성할 수 있다. 그 결과, 제2층(22)이 Z방향 열응답성을 저해하는 일이 없으므로, 접착층(20) 전체로서 Z방향 열응답성을 확보하기 쉬워진다.
[변형예]
한편, 접착층(20)은 제1층(21)과 제2층(22)에 더해 다른 층을 더 구비할 수도 있다. 예를 들어, 도 4에 나타내는 바와 같이, 제1층(21)과 베이스 플레이트(10) 상면(10a)의 사이에, XY 방향 열전도율이 Z방향 열전도율보다 높은 제3층(23)을 제2층(22)과 같은 정도의 두께로 설치할 수도 있다. 제3층(23)은 제2층(22)과 마찬가지의 구성을 가질 수 있어서, 수지(231)에 XY 방향 열전도율이 Z방향 열전도율보다 높은 이방성 전열 재료(232)가 다수 함유된 구조로 할 수 있다. 제3층(23)을 설치함으로써, 베이스 플레이트(10) 쪽에서의 균열성(均熱性)이 향상되므로, 제3층(23)을 통해 제1층(21)과 베이스 플레이트(10)의 사이에서 열이 신속하게 이동할 수 있게 된다.
이상에서 바람직한 실시형태 등에 대해 상세히 설명하였으나, 전술한 실시형태 등에 한정되지는 않으며, 청구범위에 기재된 범위를 일탈하지 않으면서 전술한 실시형태 등에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.
예를 들어, 본 발명에 따른 기판 고정 장치의 흡착 대상물로는, 반도체 웨이퍼(실리콘 웨이퍼 등) 이외에, 액정 패널 등의 제조 공정에서 사용되는 유리 기판 등을 예시할 수 있다.
한편, 본원은 일본 특허청에 2017년 6월 23일에 출원된 기초 출원 2017-123360호의 우선권을 주장하는 것이며, 그 전체 내용을 참조로써 여기에 원용한다.
1 기판 고정 장치
10 베이스 플레이트
10a 베이스 플레이트의 상면
15 수로
15a 냉각수 도입부
15b 냉각수 배출부
20 접착층
21 제1층
22 제2층
40 정전 척
41 기체
42 정전 전극
43 발열체
211,221 수지
212,222 전열 재료
221a,221b 절연 수지 필름

Claims (9)

  1. 흡착 대상물을 흡착 유지하는 정전 척과, 상기 정전 척을 탑재하는 베이스 플레이트를 구비한 기판 고정 장치로서,
    베이스 플레이트와,
    상기 베이스 플레이트 상에 구비된 접착층과,
    상기 접착층 상에 구비된 정전 척을 포함하고,
    상기 접착층은,
    상기 베이스 플레이트 쪽에 구비된 제1층과,
    상기 정전 척 쪽에 구비된 제2층을 포함하며,
    상기 제1층은, 상기 베이스 플레이트, 상기 접착층 및 상기 정전 척이 적층되는 적층 방향의 열전도율이 상기 적층 방향에 수직인 평면 방향의 열전도율보다 높고,
    상기 제2층은, 상기 평면 방향의 열전도율이 상기 적층 방향의 열전도율보다 높으며,
    상기 제2층은, 제2 수지와, 주면이 상기 평면 방향에 평행하도록 상기 제2 수지 안에 배치된 탄소 시트를 포함하고,
    상기 제2 수지는 상기 탄소 시트의 상면 및 하면을 직접 피복하는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2층이 상기 제1층보다 얇은 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1층이, 제1 수지와, 길이 방향이 상기 적층 방향을 향하도록 상기 제1 수지 안에 배치된 카본 나노 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄소 시트가 그래파이트 시트 또는 그래핀 시트인 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 탄소 시트가 그래파이트 시트 또는 그래핀 시트인 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 접착층은 상기 제1층보다 베이스 플레이트 쪽에 구비된 제3층을 더 포함하고,
    상기 제3층은 상기 평면 방향의 열전도율이 상기 적층 방향의 열전도율보다 높은 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3층은 상기 제1층보다 얇은 것을 특징으로 하는 기판 고정 장치.
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