JP2002037760A - 光学活性アルコールの製造方法 - Google Patents
光学活性アルコールの製造方法Info
- Publication number
- JP2002037760A JP2002037760A JP2000223521A JP2000223521A JP2002037760A JP 2002037760 A JP2002037760 A JP 2002037760A JP 2000223521 A JP2000223521 A JP 2000223521A JP 2000223521 A JP2000223521 A JP 2000223521A JP 2002037760 A JP2002037760 A JP 2002037760A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- optically active
- methyl
- segphos
- substituent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/39—Preparation of carboxylic acid esters by oxidation of groups which are precursors for the acid moiety of the ester
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/30—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group
- C07C67/31—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by introduction of functional groups containing oxygen only in singly bound form
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07B—GENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
- C07B2200/00—Indexing scheme relating to specific properties of organic compounds
- C07B2200/07—Optical isomers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
置の光学活性アルコール類を高い光学純度で得る方法の
提供。 【解決手段】式I [式中、R1は置換可能C1〜C15のアルキル基(置換基
は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、等であ
る)、アリール基、R2はC1〜C8の低級アルキル基又は置
換可能ベンジル基]で表わされるβ−ケトエステル類、
式II [式中、R3、R4は各々独立に、シクロアルキル基、置換
可能フェニル基、または五員複素芳香環残基]で表され
る光学活性三級ジホスフィン化合物を配位子とするルテ
ニウム錯体の存在下不斉水素化し、式III [式中、R1、R2は上記と同じものである]で表わされる
光学活性アルコールを得る。
Description
ールを製造するための新規な製造方法に関する。より詳
細には医薬品の合成中間体や機能性材料等に有用な光学
活性β−ヒドロキシ酸類を実用的に製造できる新規な製
造方法に関するものである。
する方法としては、1)パン酵母などの酵素を用いる方
法や、2)金属錯体を用いてカルボニル化合物を不斉水
素化する方法などが知られている。特に、後者の不斉水
素化方法については以下のように多くの方法が提案され
ている。例えば、(1)光学活性ルテニウム錯体触媒の
存在下での官能基を有するカルボニル化合物の不斉水素
化方法(Asymmetric Catalysis In Organic Synthesis,
56−82頁(1994)Ed. R. Noyori)、(2)
1,3ジカルボニル化合物のルテニウムビアリールホス
フィン錯体を用いた不斉水素化方法(Tetrahedron Asym
metry, Vol.8, 3327−3355頁(199
7))、(3)ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を
用いた不斉水素化方法(特公平6−99367号公
報)、(4)ルテニウム、ロジウム、イリジウムの不斉
錯体触媒の存在下にカルボニル化合物の水素移動型還元
反応を利用する方法(Chem. Rev., Vol. 92,1051
−1069頁)、(5)酒石酸で修飾したニッケル錯体
を用いてカルボニル化合物を不斉水素化する方法(油化
学,828−831頁(1980)及びAdvances in Cat
alysis, Vol.32, 215頁(1983)Ed. Y. Izum
i)、(6)カルボニル化合物の不斉ヒドロシリル化反
応を利用する方法(Asymmetric Synthesis, Vol. 5, C
hap.4(1985)Ed. J. D.Morrisonおよび J. Orga
nomet. Chem., Vol.346, 413−424頁(198
8))、(7)不斉配位子の存在下にカルボニル化合物
をボラン還元する方法(J. Chem. Soc., Perkin Trans.
I, 2039−2044頁(1985)及びJ. Am. Che
m. Soc., Vol. 109,5551−5553頁(198
7))、(8)水酸化カリウム、光学活性ジアミン、ル
テニウムの不斉錯体触媒の存在下にアセトフェノン類を
不斉水素化する方法(J. Am. Chem. Soc., Vol. 11
7,2675−2676頁(1995))などが知られ
ている。
合成方法のうち、酵素を用いる合成方法は操作が煩雑
で、反応基質に制約があり、しかも、得られるアルコー
ル類の絶対配置も特定のものに限られる。また、遷移金
属の不斉水素化触媒を用いる合成方法の場合には、カル
ボニル化合物の不斉水素化に対して様々な遷移金属錯体
触媒が報告されているにもかかわらず、反応速度の点で
難点があったり、β−ケトエステル類の不斉水素化によ
って得られる光学活性アルコール類の光学純度が不充分
である、といった問題点があった。特に、医薬品や機能
性材料の分野においては、特定の絶対配置のものを光学
純度良く得ることが重要であり、上記方法による問題点
を解決する必要があった。
は、β−ケトエステル類を不斉水素化し、所望する絶対
配置の光学活性アルコール類を高い光学純度で得ること
のできる新規な製造方法を提供することにある。
て、本発明者らは鋭意研究を行った結果、本発明者らが
既に開発した光学活性[4,4'−ビス−1,3−ベンゾジ
オキソール]−5,5'−ジイルビス(ジフェニルホスフィ
ン)(以下、SEGPHOSと略すことがある)類を配位子とす
るルテニウム金属錯体を用いてβ−ケトエステル類を不
斉水素化すると、対応する光学活性アルコールが高い光
学純度で得られることを見い出し、さらに研究を重ね、
ついに本発明を完成した。
ル基(置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、
アミノ基、C1〜C4の低級アルキル置換アミノ基、鉱酸ま
たは有機酸で保護されたアミノ基、ベンジルオキシ基、
C1〜C4の低級アルコキシ基、C1〜C4の低級アルコキシカ
ルボニル基またはアリール基である)、アリール基を示
し、R2はC1〜C8の低級アルキル基または置換基を有して
いてもよいベンジル基を示す]で表わされるβ−ケトエ
ステル類を、一般式 (II)
換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基
を示す]で表される光学活性三級ジホスフィン化合物を
配位子とするルテニウム錯体の存在下不斉水素化するこ
とを特徴とする、次の一般式 ( III )
学活性アルコールの製造方法を提供するものである。
ウム錯体の存在下で行う上記光学活性アルコールの製造
方法を提供するものである。
存在下で行う上記光学活性アルコールの製造方法を提供
するものである。
光学活性アルコールを製造するための原料であるβ−ケ
トエステル類 (I) におけるR1としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、オクチル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル
基、トリデシル基などのC1〜C15のアルキル基、置換基
を有するC1〜C15のアルキル基(置換基としては、ハロ
ゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基、保護基(保護基と
してはアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、t−
ブトキシカルボニル基など)で保護されたアミノ基、鉱
酸または有機酸で保護されたアミノ基(鉱酸としては塩
酸、硫酸、臭素酸、リン酸、ヨウ化水素酸など、有機酸
としてはp−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、
酢酸など)、C1〜C4の低級アルキル基置換アミノ基、ベ
ンジルオキシ基、メトキシ基、エトキシ基、t−ブトキ
シ基などのC1〜C4の低級アルコキシ基、メトキシカルボ
ニル基、エトキシカルボニル基などのC1〜C4の低級アル
コキシカルボニル基またはフェニル基、p−メトキシフ
ェニル基、p−トリル基、2−ナフチル基などのアリー
ル基など)、フェニル基、p−メトキシフェニル基、p
−トリル基、2−ナフチル基などのアリール基などが好
ましい。
しては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、
ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基などのアルキル
基、置換基を有していてもよいベンジル基であり、置換
基としてはメチル基、エチル基、メトキシなどが好まし
い。
ては、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢
酸n−プロピル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸n
−ブチル、アセト酢酸t−ブチル、アセト酢酸n−ペンチ
ル、アセト酢酸n−ヘキシル、アセト酢酸n−オクチル、
アセト酢酸ベンジル、4−クロルアセト酢酸メチル、4
−クロルアセト酢酸エチル、3−オキソペンタン酸メチ
ル、3−オキソヘキサン酸メチル、3−オキソヘプタン
酸メチル、6−メチル−3−オキソヘプタン酸メチル、
3−オキソオクタン酸メチル、3−オキソノナン酸メチ
ル、3−オキソデカン酸メチル、3−オキソウンデカン
酸メチル、3−オキソドデカン酸メチル、3−オキソト
リデカン酸メチル、3−オキソテトラデカン酸メチル、
3−オキソペンタデカン酸メチル、3−オキソヘキサデ
カン酸メチル、3−オキソヘプタデカン酸メチル、3−
オキソオクタデカン酸メチル、3−オキソペンタン酸エ
チル、3−オキソヘキサン酸エチル、3−オキソヘプタ
ン酸エチル、3−オキソオクタン酸エチル、3−オキソ
ノナン酸エチル、3−オキソデカン酸エチル、3−オキ
ソウンデカン酸エチル、3−オキソドデカン酸エチル、
3−オキソトリデカン酸エチル、3−オキソテトラデカ
ン酸エチル、3−オキソペンタデカン酸エチル、3−オ
キソヘキサデカン酸エチル、3−オキソヘプタデカン酸
エチル、3−オキソオクタデカン酸エチル、ベンゾイル
酢酸メチル、ベンゾイル酢酸エチル、4−フェニル−3
−オキソブタン酸メチル、4−ベンジルオキシアセト酢
酸メチル、4−メトキシアセト酢酸メチル、3−オキソ
オクタンジオン酸ジメチル、3−オキソオクタンジオン
酸ジエチル、4−ジメチルアミノ−3−オキソブタン酸
メチル、4−ジメチルアミノ−3−オキソブタン酸エチ
ル、4−アミノ−3−オキソブタン酸メチルエステル塩
酸塩、4−アミノ−3−オキソブタン酸メチルエステル
p−トルエンスルホン酸塩、4−アミノ−3−オキソブ
タン酸メチルエステルメタンスルホン酸塩、塩化3−
(エトキシカルボニル)2−オキソプロピルトリメチル
アンモニウム、塩化3−(メトキシカルボニル)2−オ
キソプロピルトリメチルアンモニウム4−ベンジルオキ
シカルボニルアミノ−3−オキソブタン酸メチル等が挙
げられる。
ィン化合物は次の一般式 ( II )
換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基
を示す]で表わされる。上記R3、R4のシクロアルキル基
はシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチ
ル基が好ましく、R3、R4の五員複素芳香環は2−フリル
基、3−フリル基、2−ベンゾフリル基、3−ベンゾフ
リル基が好ましく、置換フェニルの置換基としてはC1〜
C5の低級アルキル基、C1〜C5の低級アルコキシ基、ジ
(低級アルキル)アミノ基、ハロゲン原子である。ここ
でいう低級アルキルとは炭素数が1ないし5のアルキル
基である。
は、式 ( X )
キル基、C1〜C4のアルコキシ基、を示し、R7は、水素原
子、C1〜C4のアルキル基、C1〜C4のアルコキシ基、ジ
(C1〜C4のアルキル基)置換アミノ基を示す]である。
n−ブチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、エチル
基、メチル基を示し、R10は水素原子、t−ブトキシ基、
イソプロポキシ基、エトキシ基、メトキシ基を示す]で
ある。
に知られているものであり、例えば特開2000−16
997号公報または特開平10−182678号公報に
示された方法により合成することができる。
学活性三級ジホスフィン化合物を配位子とする錯体であ
り、本出願前公知のものである。好ましい錯体は次の一
般式 (IV )ないし( IX )で表される錯体である。
フィン配位子を示し、Aは3級アミンを示す]で表される
ルテニウム光学活性三級ホスフィン錯体、
有していてもよいベンゼン環であり、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クメン、p−シメン、エチル
ベンゼンまたはアニソールなどが好ましい]で表される
ルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体、
たはアセトキシ基を示す]で表されるルテニウム−光学
活性三級ジホスフィン錯体、
またはBPh4(Phはフェニル基を示す)を示す]で表され
るルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体、
ル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル
基、イソブチル基、t-ブチル基、シクロヘキシル基な
どの炭素数が1ないし6の低級アルキル基、置換基を有
していてもよいフェニル基、置換基を有していてもよい
ベンジル基を示す]で表されるルテニウム−光学活性三
級ジホスフィン錯体、(上記フェニル基の置換基として
はメチル基、エチル基、メトキシ基、エトキシ基などが
好ましく、上記置換基を有していてもよいベンジル基と
して、例えば1−フェネチル基などが挙げられる)
を示し、DMFはN,N−ジメチルホルムアミドを示す]で表
わされるルテニウム光学活性三級ジホスフィン錯体が挙
げられる。
られる。 [Ru2Cl4 (SEGPHOS)2](NEt3) [SEGPHOSは[4,4'−ビス−1,3−ベンゾジオキソー
ル]−5,5’−ジイルビス(ジフェニルホスフィン)を
いう] [Ru2Cl4 (p−Tol−SEGPHOS)2](NEt3) [p−Tol−SEGPHOSは[4,4'−ビス−1,3−ベンゾジ
オキソール]−5,5’−ジイルビス[ジ−p−トリル
ホスフィン]をいう] [Ru2Cl4 (DM−SEGPHOS)2](NEt3) [DM−SEGPHOSは[4,4'−ビス−1,3−ベンゾジオキ
ソール]−5,5’−ジイルビス[ジ−3,5−ジメチル
フェニルホスフィン]をいう]
Me2] [ {RuCl ( SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Et2] [ {RuCl ( p−Tol−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Me2] [ {RuCl ( p−Tol−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Et2] [ {RuCl ( DM−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Me2] [ {RuCl ( DM−SEGPHOS )}2 (μ−Cl)3 ] [NH2Et2] [Me はメチル基を、Etはエチル基を表わす] RuCl2 ( SEGPHOS ) (DMF)n RuCl2 ( p−Tol−SEGPHOS ) (DMF)n RuCl2 ( DM−SEGPHOS ) (DMF)n [DMFはN,N−ジメチルホルムアミドを表わす] 上記錯体は、例えば特開平10−182678号公報ま
たは特開平11−269185号公報に示された方法に
より調製することができる。
法を説明する。出発物質である上記β−ケトエステル類
(I)を溶媒中ルテニウム錯体存在下不斉水素化するこ
とにより光学活性アルコールを調製することができる。
溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール等のプロティック溶媒が好適である。または
これら溶媒とテトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼ
ン、酢酸メチル、酢酸エチル、塩化メチレン等との混合
溶媒も好ましい。β−ケトエステル類(I)を上記溶媒
中に溶解させたうえで不斉水素化反応させることがより
好適である。
β−ケトエステル類に対して1/100〜1/1000
00倍モル、さらに好ましくは1/1000〜5000
0倍モルとなるように添加すると不斉水素化反応が好ま
しく進行する。この際、水素圧0.1〜10MPa、さらに
好ましくは1〜5Mpaとし、不斉水素化反応温度は0〜
150℃、好ましくは20〜100℃に設定し、1〜4
8時間撹拌して不斉水素化反応させる。
行うことにより、出発物質であるβ-ケトエステル類の
選択性および反応転化率を改善することができる。好ま
しい酸としては、硫酸などの鉱酸、またはメタンスルホ
ン酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等
の有機酸を例示することができる。この場合、酸をルテ
ニウム錯体に対して0.5〜10モル当量、好ましくは
0.7〜8モル当量、さらに好ましくは0.9〜5モル当
量添加することが好ましい。
法により精製処理操作してもよい。即ち溶媒を留去した
後残留物を減圧下で蒸留する方法、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィーで精製する方法、再結晶法により精製
する方法などを採用することができる。
( III ) について説明する。光学活性アルコール ( III
)は出発物質であるβ−ケトエステル類に対応するもの
である。即ちβ−ケトエステル類のケト基が水酸基に還
元され、光学活性なアルコール ( III )となる。さらに
上記ルテニウム錯体を選択することにより(R)−体な
アルコールと(S)−体なアルコールとを得ることがで
きる。より詳しく説明すると、使用されるルテニウム錯
体の違いにより、下式1の
することにより希望する絶対配置を有する光学活性なア
ルコールを自由に調製することが可能となった。
光学活性な3−ヒドロキシブタン酸メチル、3−ヒドロ
キシブタン酸エチル、3−ヒドロキシブタン酸オクチ
ル、3−ヒドロキシブタン酸ベンジル、4−クロロ−3
−ヒドロキシブタン酸エチル、6−メチル−3−ヒドロ
キシヘプタン酸エチル、3−ヒドロキシテトラデカン酸
メチル、4−フェニル−3−ヒドロキシブタン酸エチ
ル、3−フェニル−3−ヒドロキシプロピオン酸エチ
ル、4−N−ベンジルオキシカルボニルアミノ−3−ヒ
ドロキシブタン酸エチル等を挙げることができる。
実用的に製造できることが可能となった。つまり、光学
純度が高く特定の絶対配置を有する光学活性なアルコー
ルを効率的にしかも簡便な操作で製造することを可能に
した。そのため医薬品の合成中間体や機能性材料等に有
用な光学活性アルコールを容易に製造することができ
た。 さらに、反応系に特定の酸を存在させることによ
り、光学純度をほぼ維持でき、しかも、選択性を大幅に
向上させることができるようになった。
明するが、本発明はこれらによって何ら限定されるもの
ではない。本発明に用いた光学活性三級ジホスフィン化
合物は特開2000−16997号公報または特開平1
0−182678号公報に示された方法により合成し、
またルテニウム−光学活性三級ジホスフィン錯体は特開
平10−182678号公報に示された方法により調製
した。本発明に用いたβ−ケトエステル類で4−ベンジ
ルオキシアセト酢酸エチルは特開平6−6522号公報
に記載の方法、ベンゾイル酢酸メチル、3−オキソオク
タンジオン酸ジメチル、3−オキソオクタデカン酸メチ
ル、3−オキソテトラデカン酸メチル、6−メチル−3
−オキソヘプタン酸メチル、4−フェニル−3−オキソ
ブタン酸メチルはYuji Oikawaら;J. Org. Chem., 43
巻, pp.2087−2088 (1978)および Heinz T
homaら;Liebigs Ann. Chem., pp.1237−1248
に記載の方法、4−アミノ−3−オキソブタン酸メチル
エステル塩酸塩は特開平11−286479号公報記載
の方法により合成した。
採用した。 不斉収率の測定 高速液体クロマトグラフィHPLC: Waters2690(Waters社製) 検出器 Waters996(Waters社製) ガスクロマトグラフィ: HP5890series(Hewlett Packard社製) 選択性の測定 ガスクロマトグラフィ: HP5890series(Hewlett Packard社製)
l)を入れ、[{RuCl ((R)SEGPHOS)}2(μ−Cl)3] [Me2N
H2] (82mg:0.1ミリモル)、ベンゾイル酢酸メチ
ル(178g:1.0モル)を添加した。水素 (4.0 MP
a) を圧入した後、80℃に加熱して5.5時間撹拌し、
不斉水素化反応を行った。冷却後、反応液からメタノー
ルを除去後、減圧蒸留(94〜99℃/133Pa)し、
170.6g(収率95.3%)の(S)−3−ヒドロキシ
−3−フェニルプロピオン酸メチルを得た。HPLC(CHI
RALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm;ヘキサン/イソプロピ
ルアルコール=95/5;流速 1.0ml/分;検出波長
UV−254nm)を用いて不斉収率を測定したところ9
7.2%であった。
チル(2.0g:6.4ミリモル)、メタノール(6m
l)、塩化メチレン(3ml)、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2
(μ−Cl)3] [Et2NH2] (5.2mg:0.0064ミリモル
)を入れ、水素 (3.0 MPa) を圧入して50℃に加熱し
て15時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、(R)−3
−ヒドロキシオクタデカン酸メチルを得た。反応液を室
温まで冷却した後、HPLC(CHIRALCEL OD−H 4.6 mm x
250 mm;ヘキサン/イソプロピルアルコール=98/
2;流速 1.0ml/分;検出波長 UV−210nm)を用
いて不斉収率を測定したところ99.5%であった。
チル(2.0g:7.8ミリモル)、メタノール(6ml)、
[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2(μ−Cl)3] [Et2NH2](6.6m
g:0.0078ミリモル )を入れ、水素 (3.0 MPa) を
圧入して50℃に加熱して15時間撹拌し、不斉水素化
反応を行い、(R)−3−ヒドロキシテトラデカン酸メ
チルを得た。反応液を室温まで冷却した後、HPLC(CHI
RALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm;ヘキサン/イソプロピ
ルアルコール=98/2;流速 1.0ml/分;検出波長
UV−210nm)を用いて不斉収率を測定したところ9
7.0%であった。
タン酸メチル(2.0g:11.6ミリモル)、メタノー
ル(2ml)、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl) 3] [Me
2NH2] (9.5mg:0.0116ミリモル )を入れ、水素
(5.0 MPa) を圧入して50℃に加熱して15時間撹拌
し、不斉水素化反応を行い、(R)−6−メチル−3−
ヒドロキシヘプタン酸メチルを得た。反応液を室温まで
冷却した後、HPLC(CHIRALCEL OB 4.6 mm x 250 mm;
ヘキサン/イソプロピルアルコール=1999/1;流
速 0.7ml/分;検出波長UV−210nm)を用いて不斉
収率を測定したところ98.5%であった。
タン酸メチル(2.0g:10.4ミリモル)、メタノール
(2ml)、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3][Me2NH
2] (8.5mg:0.0104ミリモル )を入れ、水素
(5.0 MPa) を圧入して50℃に加熱して15時間撹拌
し、不斉水素化反応を行い、(S)−4−フェニル−3
−ヒドロキシブタン酸メチルを得た。反応液を室温まで
冷却した後、HPLC(CHIRALCEL OB 4.6 mm x 250 mm;
ヘキサン/イソプロピルアルコール=1999/1;流
速 0.7ml/分;検出波長UV−210nm)を用いて不斉
収率を測定したところ97.9%であった。
(μ−Cl)3] [Me2NH2] (122mg:0.149ミリモ
ル)を入れ、窒素置換した後、蒸留したエタノール18
3ml、4−クロルアセト酢酸エチル(60.9g:0.3
7モル)を加える。オートクレーブを内温が90℃にな
るまで加熱し、水素(3.0MPa)を圧入し2時間反応させ
た。反応中の水素圧は3.0Mpaを保った。反応終了後、溶
媒を除去し、減圧蒸留を行って(S)−4−クロル−3
−ヒドロキシブタン酸エチル(54.6g:収率88.5
%)を得た。 ガスクロマトグラフィー(Chiraldex G−TA 0.25 mmI.
D. x 30 m x 0.125μm;Initial Temp.:80℃、Final
Temp.:110℃、Rate: 1.0℃/min、InjectionTemp.:2
00℃、Detector Temp.:200℃)にて不斉収率を測
定したところ98.5%であった。
酸エチル(3.0g:12.7ミリモル)、エタノール
(3ml)、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2 (μ−Cl)3] [Me 2N
H2] (1.5mg:0.0018ミリモル )、水(0.03m
l)を入れ、95℃に加熱した後、水素 (3MPa) を圧入
して1時間撹拌し、不斉水素化反応を行い、(S)−4−
ベンジルオキシ−3−ヒドロキシブタン酸メチルを得
た。反応液を室温まで冷却した後、HPLC(Chiralpak AD
−RH 4.6 mm x 250 mm;アセトニトリル/水=35/6
5;流速 0.5ml/分;検出波長 UV−220nm)を用
いて不斉収率を測定したところ99.4%であった。
不斉水素化 100mlオートクレーブに4−アミノ−3−オキソブタン
酸メチルエステル塩酸塩(1.7g:11ミリモル)、メ
タノール(5.1ml)、[{RuCl ((R)−SEGPHOS)}2(μ−C
l)3] [Me2NH2] (9.1mg:0.011ミリモル )を入
れ、水素 (3MPa)を圧入して50℃に加熱して17時間
撹拌し、不斉水素化反応を行い、(S)−4−アミノ−3
−ヒドロキシオクタデカン酸メチル塩酸塩を得た。不斉
水素化物の不斉収率を知るため以下の操作を行った。反
応液を室温まで冷却した後、メタノール(3.5ml)と
28%ナトリウムメチラートメタノール溶液(1.8g)
を加え、反応温度40℃で5時間反応させて4−ヒドロ
キシ2−ピロリドンとし、反応液をHPLC(Chiralpak AD
4.6 mm x 250 mm;ヘキサン/エタノール/メタノール
=95/5/3;流速 0.8ml/分;検出波長 UV−2
15nm)を用いて不斉収率を測定したところ91.8%
であった。
ジメチル(2.2g:10.2ミリモル)、メタノール
(6.6ml)、[Ru2Cl4((R)−SEGPHOS)2 ] (NEt3) (3.
7mg:0.003ミリモル )を入れ、水素 (3.0 MPa)
を圧入して70℃に加熱して7時間撹拌し、不斉水素化
反応を行い、(R)−3−ヒドロキシオクタンジオン酸
ジメチルを得た。反応液を室温まで冷却した後、HPLC
(CHIRALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm;ヘキサン/イソ
プロピルアルコール=90/10;流速 0.5ml/分;
検出波長UV−220nm)を用いて不斉収率を測定したと
ころ98.5%であった。また、ガスクロマトグラフィ
(Neutrabond−1 0.25 mmI.D. x 30 m x 0.125 μm;
Initial Temp. 100 ℃、 Final Temp. 250 ℃、 Rate
5.0 ℃/min.、Injection Temp. 220 ℃、Detector Tem
p. 250 ℃)を用いて選択性を測定したところ68%で
あった。
ジメチル(2.2g:10.2ミリモル)、メタノール
(6.6ml)、[Ru2Cl4((R)−SEGPHOS)2 ] (NEt3) (3.
4mg:0.002ミリモル )、p−トルエンスルホン酸1
水和物(3.8mg:0.02ミリモル)を入れ、水素
(3.0 MPa) を圧入して80℃に加熱して6時間撹拌
し、不斉水素化反応を行い、(R)−3−ヒドロキシオ
クタンジオン酸ジメチルを得た。反応液を室温まで冷却
した後、HPLC(CHIRALCEL OD−H 4.6 mm x 250 mm;ヘ
キサン/イソプロピルアルコール=90/10;流速
0.5ml/分;検出波長UV−220nm)を用いて不斉収
率を測定したところ99.2%であった。また、ガスク
ロマトグラフィ(Neutrabond−1 0.25 mmI.D. x 30 m
x 0.125 μm; Initial Temp. 100 ℃、 Final Temp. 2
50 ℃、 Rate 5.0 ℃/min.、Injection Temp. 220 ℃、
Detector Temp. 250 ℃)を用いて選択性を測定したと
ころ99%であった。
Claims (3)
- 【請求項1】下記一般式 ( I ) 【化1】 [ 式中、R1は置換基を有していてもよいC1〜C15のアル
キル基(置換基としては、ハロゲン原子、ヒドロキシ
基、アミノ基、保護基で保護されたアミノ基、鉱酸また
は有機酸で保護されたアミノ基、C1〜C4の低級アルキル
置換アミノ基、ベンジルオキシ基、C1〜C4の低級アルコ
キシ基、C1〜C4の低級アルコキシカルボニル基またはア
リール基である)、アリール基を示し、R2はC1〜C8の低
級アルキル基または置換基を有していてもよいベンジル
基を示す]で表わされるβ−ケトエステル類を、下記一
般式 (II) 【化2】 [式中、R3、R4は各々独立に、シクロアルキル基、非置
換もしくは置換フェニル基、または五員複素芳香環残基
を示す]で表される光学活性三級ジホスフィン化合物を
配位子とするルテニウム錯体の存在下不斉水素化するこ
とを特徴とする、下記一般式 ( III ) 【化3】 [式中、R1、R2は上記と同じものである]で表わされる光
学活性アルコールの製造方法。 - 【請求項2】光学活性三級ジホスフィン化合物を配位子
とするルテニウム錯体が下記一般式 ( IV )ないし( IX
)から選ばれた少なくとも一種の錯体である特許請求の
範囲第1項記載の光学活性アルコールの製造方法。 [ Ru2X4 (L)2 ] (A) ( IV ) [式中、Xはハロゲン原子を示し、Lは光学活性三級ホス
フィン配位子を示し、Aは3級アミンを示す]で表される
ルテニウム錯体、 [ RuX (ARENE) (L) ] X ( V ) [式中、X、Lは上記と同じものであり、ARENEは置換基を
有していてもよいベンゼン環を示す]で表されるルテニ
ウム錯体、 [ Ru ( G )2 ( L ) ] ( VI ) [式中、 Lは上記と同じものであり、Gはハロゲン原子ま
たはアセトキシ基を示す]で表されるルテニウム錯体、 [ Ru ( L ) ]( J )2 ( VII ) [式中、Lは上記と同じものであり、JはBF4、ClO4、PF6
またはBPh4(Phはフェニル基を示す)を示す]で表され
るルテニウム錯体、または [ {RuX ( L )}2 (μ−X)3 ] [NH2Q2] ( VIII ) [式中、L、Xは上記と同じものであり、Qは水素、低級
アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基、置
換基を有していてもよいベンジル基を示す]で表される
ルテニウム錯体、または RuX2 ( L ) (DMF)n ( IX ) [式中、X、Lは上記と同じものであり、nは1〜3の整数
を示し、DMFはN,N−ジメチルホルムアミドを示す]で表
わされるルテニウム錯体。 - 【請求項3】不斉水素化反応をさらに酸の共存下で行
う、特許請求の範囲第1項記載の光学活性アルコールの
製造方法。
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000223521A JP4601779B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 光学活性アルコールの製造方法 |
ES01401953T ES2243420T3 (es) | 2000-07-25 | 2001-07-20 | Procedimiento de preparacion de un alcohol opticamente activo. |
EP01401953A EP1176135B1 (en) | 2000-07-25 | 2001-07-20 | Process for producing optically active alcohol |
AT01401953T ATE297886T1 (de) | 2000-07-25 | 2001-07-20 | Verfahren zur herstellung eines optisch aktiven alkohols |
DE60111461T DE60111461T2 (de) | 2000-07-25 | 2001-07-20 | Verfahren zur Herstellung eines optisch aktiven Alkohols |
CA002353375A CA2353375C (en) | 2000-07-25 | 2001-07-23 | Process for producing optically active alcohol |
US09/909,803 US6492545B2 (en) | 2000-07-25 | 2001-07-23 | Process for producing optically active alcohol |
KR1020010044475A KR100588800B1 (ko) | 2000-07-25 | 2001-07-24 | 광학 활성 알코올의 제조방법 |
TW090118022A TW526192B (en) | 2000-07-25 | 2001-07-24 | Process for producing optically active alcohol |
NO20013643A NO327147B1 (no) | 2000-07-25 | 2001-07-24 | Fremgangsmate for fremstilling av optisk aktiv alkohol |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000223521A JP4601779B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 光学活性アルコールの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002037760A true JP2002037760A (ja) | 2002-02-06 |
JP4601779B2 JP4601779B2 (ja) | 2010-12-22 |
Family
ID=18717600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000223521A Expired - Lifetime JP4601779B2 (ja) | 2000-07-25 | 2000-07-25 | 光学活性アルコールの製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6492545B2 (ja) |
EP (1) | EP1176135B1 (ja) |
JP (1) | JP4601779B2 (ja) |
KR (1) | KR100588800B1 (ja) |
AT (1) | ATE297886T1 (ja) |
CA (1) | CA2353375C (ja) |
DE (1) | DE60111461T2 (ja) |
ES (1) | ES2243420T3 (ja) |
NO (1) | NO327147B1 (ja) |
TW (1) | TW526192B (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003034687A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Takasago Internatl Corp | 光学活性γ−ブチロラクトンの製造方法 |
JP2009029744A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Chiba Univ | 光学活性β−ヒドロキシカルボン酸誘導体の製造方法 |
JP2010189320A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Chiba Univ | 光学活性なアミノオキシ化合物の製造方法 |
WO2010123111A1 (ja) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | (3R)-3-ヒドロキシブタン酸-l-メンチル、その製造方法およびこれを含有する感覚刺激組成物 |
WO2010123110A1 (ja) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | (3S)-3-ヒドロキシブタン酸-l-メンチルの製造方法および感覚刺激組成物 |
JP2013526493A (ja) * | 2010-05-11 | 2013-06-24 | ロンザ リミテッド | ケトエステル類の水素化のためのプロセス |
JP2013144685A (ja) * | 2003-10-31 | 2013-07-25 | Lonza Ag | (s)−または(r)−4−ハロ−3−ジヒドロキシ酪酸エステルの調製方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102004022397A1 (de) * | 2004-05-06 | 2005-12-01 | Consortium für elektrochemische Industrie GmbH | Chirale C2-symmetrische Biphenyle, deren Herstellung sowie Metallkomplexe enthaltend diese Liganden und deren Verwendung als Katalysatoren in chirogenen Synthesen |
CN103145557B (zh) * | 2013-03-27 | 2015-06-03 | 石家庄手性化学有限公司 | 一种光学纯度的s-4-氯-3-羟基丁酸乙酯的制备方法 |
US9388114B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-07-12 | Eastman Chemical Company | Compositions including an alkyl 3-hydroxybutyrate |
US9255059B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-02-09 | Eastman Chemical Company | Method for producing an alkyl 3-hydroxybutyrate |
US9249378B2 (en) | 2013-08-02 | 2016-02-02 | Eastman Chemical Company | Aqueous cleaning compositions having enhanced properties |
US9163202B2 (en) | 2013-08-02 | 2015-10-20 | Eastman Chemical Company | Aqueous cleaning compositions including an alkyl 3-hydroxybutyrate |
CN107119081B (zh) | 2017-05-26 | 2021-01-26 | 复旦大学 | 一种制备(r)-3-羟基-5-己烯酸酯的方法 |
CN112375801A (zh) | 2020-10-22 | 2021-02-19 | 复旦大学 | 一种微反应系统及使用其连续制备(r)-3-羟基-5-己烯酸酯的方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63310847A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Takasago Corp | 光学活性アルコ−ルの製法 |
JPH09508101A (ja) * | 1994-01-05 | 1997-08-19 | メルク エンド カンパニー インコーポレーテッド | β−又はγ−ケトエステル及びβ−又はγ−ケトアミドの不斉水素化 |
JPH10182678A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Takasago Internatl Corp | 新規なキラルジホスフィン化合物、その製造中間体、該ジホス フィン化合物を配位子とする遷移金属錯体並びに該錯体を含む 不斉水素化触媒 |
JPH11269185A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-05 | Takasago Internatl Corp | ルテニウム−ホスフィン錯体及びその製造方法 |
JPH11302226A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-11-02 | Takasago Internatl Corp | 光学活性アルコ−ルの製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0955303B1 (en) * | 1998-05-08 | 2006-11-08 | Takasago International Corporation | Ruthenium-iodo-optically active phosphine complex |
-
2000
- 2000-07-25 JP JP2000223521A patent/JP4601779B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-07-20 AT AT01401953T patent/ATE297886T1/de not_active IP Right Cessation
- 2001-07-20 DE DE60111461T patent/DE60111461T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-20 EP EP01401953A patent/EP1176135B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-20 ES ES01401953T patent/ES2243420T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 US US09/909,803 patent/US6492545B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 CA CA002353375A patent/CA2353375C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-24 KR KR1020010044475A patent/KR100588800B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-07-24 TW TW090118022A patent/TW526192B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-07-24 NO NO20013643A patent/NO327147B1/no not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63310847A (ja) * | 1987-06-11 | 1988-12-19 | Takasago Corp | 光学活性アルコ−ルの製法 |
JPH09508101A (ja) * | 1994-01-05 | 1997-08-19 | メルク エンド カンパニー インコーポレーテッド | β−又はγ−ケトエステル及びβ−又はγ−ケトアミドの不斉水素化 |
JPH10182678A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-07 | Takasago Internatl Corp | 新規なキラルジホスフィン化合物、その製造中間体、該ジホス フィン化合物を配位子とする遷移金属錯体並びに該錯体を含む 不斉水素化触媒 |
JPH11269185A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-05 | Takasago Internatl Corp | ルテニウム−ホスフィン錯体及びその製造方法 |
JPH11302226A (ja) * | 1998-04-15 | 1999-11-02 | Takasago Internatl Corp | 光学活性アルコ−ルの製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003034687A (ja) * | 2001-07-19 | 2003-02-07 | Takasago Internatl Corp | 光学活性γ−ブチロラクトンの製造方法 |
JP2013144685A (ja) * | 2003-10-31 | 2013-07-25 | Lonza Ag | (s)−または(r)−4−ハロ−3−ジヒドロキシ酪酸エステルの調製方法 |
JP2009029744A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Chiba Univ | 光学活性β−ヒドロキシカルボン酸誘導体の製造方法 |
JP2010189320A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Chiba Univ | 光学活性なアミノオキシ化合物の製造方法 |
JP2010254621A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Takasago Internatl Corp | (3S)−3−ヒドロキシブタン酸−l−メンチルの製造方法および冷感剤組成物 |
JP2010254622A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Takasago Internatl Corp | (3R)−3−ヒドロキシブタン酸−l−メンチル、その製造方法およびこれを含有する冷感剤組成物 |
WO2010123110A1 (ja) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | (3S)-3-ヒドロキシブタン酸-l-メンチルの製造方法および感覚刺激組成物 |
US8309062B2 (en) | 2009-04-24 | 2012-11-13 | Takasago International Corporation | Process for producing (3S)-I-menthyl 3-hydroxybutyrate and sensate composition |
US8476472B2 (en) | 2009-04-24 | 2013-07-02 | Takasago International Corporation | (3R)-L-menthyl 3-hydroxybutyrate, process for producing the same, and sensate composition comprising the same |
WO2010123111A1 (ja) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | (3R)-3-ヒドロキシブタン酸-l-メンチル、その製造方法およびこれを含有する感覚刺激組成物 |
US8586009B2 (en) | 2009-04-24 | 2013-11-19 | Takasago International Corporation | Process for producing (3S)-I-menthyl 3-hydroxybutyrate and sensate composition |
US8986660B2 (en) | 2009-04-24 | 2015-03-24 | Takasago International Corporation | Process for producing (3S)-1-menthyl 3-hydroxybutyrate and sensate composition |
JP2013526493A (ja) * | 2010-05-11 | 2013-06-24 | ロンザ リミテッド | ケトエステル類の水素化のためのプロセス |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1176135A1 (en) | 2002-01-30 |
JP4601779B2 (ja) | 2010-12-22 |
ES2243420T3 (es) | 2005-12-01 |
NO20013643D0 (no) | 2001-07-24 |
DE60111461T2 (de) | 2006-05-11 |
US6492545B2 (en) | 2002-12-10 |
NO20013643L (no) | 2002-01-28 |
DE60111461D1 (de) | 2005-07-21 |
ATE297886T1 (de) | 2005-07-15 |
KR20020009485A (ko) | 2002-02-01 |
TW526192B (en) | 2003-04-01 |
CA2353375A1 (en) | 2002-01-25 |
US20020035283A1 (en) | 2002-03-21 |
CA2353375C (en) | 2007-10-02 |
NO327147B1 (no) | 2009-05-04 |
KR100588800B1 (ko) | 2006-06-13 |
EP1176135B1 (en) | 2005-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Peach et al. | Asymmetric transfer hydrogenation of α, β-unsaturated, α-tosyloxy and α-substituted ketones | |
Ohta et al. | Asymmetric hydrogenation of unsaturated carboxylic acids catalyzed by BINAP-ruthenium (II) complexes | |
JP2002037760A (ja) | 光学活性アルコールの製造方法 | |
Shintani et al. | Rhodium/diene-catalyzed asymmetric 1, 4-addition of arylboronic acids to α, β-unsaturated Weinreb amides | |
CN105330557A (zh) | 一种手性α-氨基酸的制备方法 | |
JP4015450B2 (ja) | 光学活性アルコールの製造方法 | |
US6583312B2 (en) | Process for preparing optically active trimethyllactic acid and its esters | |
JP3720235B2 (ja) | 光学活性ルテニウムホスフィン錯体の製造方法及び該錯体を用いた光学活性アルコールの製造方法 | |
JP3771615B2 (ja) | 光学活性ベンズヒドロール化合物の製造方法 | |
CN113121350B (zh) | 动态动力学拆分α-芳基-α-烷基羧酸酯的方法及应用 | |
EP0592881B1 (en) | Process for producing optically active gamma-hydroxyketones | |
JP3184758B2 (ja) | 光学活性4−ヒドロキシ−2−ピロリドンの製造方法 | |
JP4674393B2 (ja) | 光学活性な含フッ素β−ヒドロキシエステルの製造方法 | |
TW200920745A (en) | Process for preparing 5-(4-fluorophenyl)-1-[2-((2R,4R)-4-hydroxy-6-oxo-tetrahydro-pyran-2-yl)ethyl]-2-isopropyl-4-phenyl-1H-pyrrole-3-carboxylic acid phenylamide | |
JP2002508345A (ja) | 不斉水素化 | |
JP5329462B2 (ja) | 光学活性ジカルボン酸誘導体 | |
JP2003128629A (ja) | 光学活性6−ハロゲノ−3,5−ジヒドロキシヘキサン酸誘導体の製造法 | |
US6998495B2 (en) | Method for producing optically active 3,5-dihydroxycarboxylic acid derivative | |
JP5392217B2 (ja) | 光学活性な含フッ素アルコール類の製造方法及び光学活性な含フッ素2−ヒドロキシアルカンアミド又は/及び光学活性な含フッ素アルコールの製造方法、並びに光学活性な含フッ素乳酸又はその誘導体の製造方法 | |
MX2007007820A (es) | Procedimiento para la hidrogenacion asimetrica catalizada por metales de transicion de derivados de acido acrilico, y un sistema de catalizador novedoso para la catalisis asimetrica de metales de transicion. | |
JP3450386B2 (ja) | 光学活性γ−ヒドロキシケトン類の製造法 | |
JP3494549B2 (ja) | アミノ酸を配位子とする新規ルテニウム錯体およびそれを用いた不斉水素化方法 | |
US20040063999A1 (en) | Process for the production of optically active amino alcohols | |
JP2001247514A (ja) | α,α−ジフルオロ−β−ケトエステルの製造方法、及びジフルオロケテンシリルアセタールの製造方法、並びに光学活性なα,α−ジフルオロ−β−ヒドロキシエステルの製造方法 | |
JP2001097923A (ja) | 光学活性1−(パーフルオロアルキル)アルコールのカルボン酸エステルの製造方法、並びに光学活性1−(パーフルオロアルキル)アルコール及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070412 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100430 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100831 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100929 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4601779 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |