JPH11302226A - 光学活性アルコ−ルの製造方法 - Google Patents
光学活性アルコ−ルの製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 β−ケト酸誘導体の不斉水素化による高光学
純度のアルコールを得る安価な方法を提供する 【解決手段】 下記式(3) Ru−I2 −(R8 −BINAP)・・・(3) 〔式中R8 は炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基
等の置換基を有してもよいアリール基又は炭素数3〜8
のシクロアルキル基を、BINAPは 2,2′−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)-1,1′- ビナフチルなどの光学活
性ホスフィンを示す〕で表されるルテニウム−ヨード−
光学活性ホスフィン錯体を触媒として、3−オキソブタ
ン酸メチルのようなβ−ケト酸誘導体を不斉水素化して
光学活性アルコール(例(S)−3−ヒドロキシブタン
酸メチル)を得る。
純度のアルコールを得る安価な方法を提供する 【解決手段】 下記式(3) Ru−I2 −(R8 −BINAP)・・・(3) 〔式中R8 は炭素数1〜4のアルキル基、アルコキシ基
等の置換基を有してもよいアリール基又は炭素数3〜8
のシクロアルキル基を、BINAPは 2,2′−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)-1,1′- ビナフチルなどの光学活
性ホスフィンを示す〕で表されるルテニウム−ヨード−
光学活性ホスフィン錯体を触媒として、3−オキソブタ
ン酸メチルのようなβ−ケト酸誘導体を不斉水素化して
光学活性アルコール(例(S)−3−ヒドロキシブタン
酸メチル)を得る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はβ−ケト酸誘導体
を、新規ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触媒と
して用いて、不斉水素化することにより、医薬品を合成
するための中間体、生分解性高分子用モノマ−を合成す
るための中間体、あるいは液晶材料その他各種用途に有
用な化合物である光学活性アルコ−ルを製造する方法に
関する。
を、新規ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を触媒と
して用いて、不斉水素化することにより、医薬品を合成
するための中間体、生分解性高分子用モノマ−を合成す
るための中間体、あるいは液晶材料その他各種用途に有
用な化合物である光学活性アルコ−ルを製造する方法に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光学活性アルコ−ルを不斉合成す
る方法として、 パン酵母を使用する不斉水素化反応を利用する方法、 特定の触媒を用いて不斉水素化をする方法が知られて
いる。特に、β−ケト酸誘導体から不斉合成によって光
学活性アルコ−ルを得る方法としては、ロジウム−光学
活性ホスフィン錯体を触媒として用いて不斉水素化する
方法が報告されている。すなわち、J. Solodar, Chemte
ch, 1975, p 421-423 では、不斉収率71%ee で、3 −ヒ
ドロキシ酪酸メチルを得ている。また、酒石酸を修飾し
たニッケル触媒を用いて不斉水素化する方法が報告され
ている。すなわち、田井、油化学、1980、pp. 822-831
ではアセト酢酸メチルの不斉水素化においては、不斉収
率85%ee で、3 −ヒドロキシ酪酸メチルを得ている。
る方法として、 パン酵母を使用する不斉水素化反応を利用する方法、 特定の触媒を用いて不斉水素化をする方法が知られて
いる。特に、β−ケト酸誘導体から不斉合成によって光
学活性アルコ−ルを得る方法としては、ロジウム−光学
活性ホスフィン錯体を触媒として用いて不斉水素化する
方法が報告されている。すなわち、J. Solodar, Chemte
ch, 1975, p 421-423 では、不斉収率71%ee で、3 −ヒ
ドロキシ酪酸メチルを得ている。また、酒石酸を修飾し
たニッケル触媒を用いて不斉水素化する方法が報告され
ている。すなわち、田井、油化学、1980、pp. 822-831
ではアセト酢酸メチルの不斉水素化においては、不斉収
率85%ee で、3 −ヒドロキシ酪酸メチルを得ている。
【0003】近年、ルテニウム金属と光学活性な第三級
ホスフィンによる金属錯体は、不斉水素化反応の触媒と
して良く知られており、例えば、2,2′−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)−1,1′−ビナフチルのような光
学活性な第三級ホスフィンを配位子としたルテニウム−
光学活性ホスフィン錯体として、次のようなものが知ら
れている。
ホスフィンによる金属錯体は、不斉水素化反応の触媒と
して良く知られており、例えば、2,2′−ビス(ジフ
ェニルホスフィノ)−1,1′−ビナフチルのような光
学活性な第三級ホスフィンを配位子としたルテニウム−
光学活性ホスフィン錯体として、次のようなものが知ら
れている。
【0004】Rux Hy ClZ (第三級ホスフィン)
2 (A)p [式中、Aは第三級アミンを示し、yが0のとき、xは
2、zは4、pは1を示し、yが1のとき、xは1、z
は1、pは0を示す](特公平4−81596号公報、
特公平5−12354号公報)
2 (A)p [式中、Aは第三級アミンを示し、yが0のとき、xは
2、zは4、pは1を示し、yが1のとき、xは1、z
は1、pは0を示す](特公平4−81596号公報、
特公平5−12354号公報)
【0005】「RuHr (第三級ホスフィン)m ]T
n [式中、TはClO4 、BF4 、PF6 を示し、rが0
のとき、mは1、nは2を示し、rが1のとき、mは
2、nは1を示す](特公平5−12353号公報、特
公平5−12355号公報)
n [式中、TはClO4 、BF4 、PF6 を示し、rが0
のとき、mは1、nは2を示し、rが1のとき、mは
2、nは1を示す](特公平5−12353号公報、特
公平5−12355号公報)
【0006】[RuXa (Q)b (第三級ホスフィ
ン)]Yc {式中、Xはハロゲン原子を示し、Qは置換基を有して
いてもよいベンゼンまたはアセトニトリルを示し、Yは
ハロゲン原子、ClO4 、PF6 、BPh4 (ここでP
hはフェニル基を示す。以下同様)またはBF4 を示
し、Qが置換基を有していてもよいベンゼンの場合、
a、b及びcはいずれも1を示し、Qがアセトニトリル
の場合、aが0のとき、bは4、cは2を示し、aが1
のとき、bは2、cは1を示す。尚、Qが置換基を有す
るベンゼンのうちp−シメンであり、X及びYがヨウ素
原子である場合は、a、b及びcがいずれも1であるほ
か、aが1、bが1、cが3であってもよい}(特公平
7−57758号公報、特開平5−111639号公
報)
ン)]Yc {式中、Xはハロゲン原子を示し、Qは置換基を有して
いてもよいベンゼンまたはアセトニトリルを示し、Yは
ハロゲン原子、ClO4 、PF6 、BPh4 (ここでP
hはフェニル基を示す。以下同様)またはBF4 を示
し、Qが置換基を有していてもよいベンゼンの場合、
a、b及びcはいずれも1を示し、Qがアセトニトリル
の場合、aが0のとき、bは4、cは2を示し、aが1
のとき、bは2、cは1を示す。尚、Qが置換基を有す
るベンゼンのうちp−シメンであり、X及びYがヨウ素
原子である場合は、a、b及びcがいずれも1であるほ
か、aが1、bが1、cが3であってもよい}(特公平
7−57758号公報、特開平5−111639号公
報)
【0007】Ru(第三級ホスフィン)w (OCO
R′)(OCOR″) {式中、R′およびR″は低級アルキル基、ハロゲン化
低級アルキル基、低級アルキル置換基を有してもよいフ
ェニル基、α−アミノアルキル基またはα−アミノフェ
ニルアルキル基を示すか、あるいはR′とR″が一緒に
なってアルキレン基を形成し、wは1または2を示す}
(特公平5−11119号公報、特公平5−12355
号公報)
R′)(OCOR″) {式中、R′およびR″は低級アルキル基、ハロゲン化
低級アルキル基、低級アルキル置換基を有してもよいフ
ェニル基、α−アミノアルキル基またはα−アミノフェ
ニルアルキル基を示すか、あるいはR′とR″が一緒に
なってアルキレン基を形成し、wは1または2を示す}
(特公平5−11119号公報、特公平5−12355
号公報)
【0008】RuJ2 (第三級ホスフィン) [式中、Jは塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示
す(R. Noyori et al.,J. Am. Chem. Soc., Vol. 109,
No. 19, pp. 5856-5859 (1987) )又はアリル基または
メタリル基を示す(J. P. Genet et al., Tetrahedron:
Asymmetry, Vol.2, No. 7, pp. 555-567(1991))]。
す(R. Noyori et al.,J. Am. Chem. Soc., Vol. 109,
No. 19, pp. 5856-5859 (1987) )又はアリル基または
メタリル基を示す(J. P. Genet et al., Tetrahedron:
Asymmetry, Vol.2, No. 7, pp. 555-567(1991))]。
【0009】これらのルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体を用いたβ−ケト酸誘導体の不斉水素化による光学
活性アルコ−ルの製法は例えば、特公平6−23150
号公報、特公平6−99367号公報、特公平7−57
758号公報、特公平7−68260号公報、特開平5
−111639号公報等に開示されている。
錯体を用いたβ−ケト酸誘導体の不斉水素化による光学
活性アルコ−ルの製法は例えば、特公平6−23150
号公報、特公平6−99367号公報、特公平7−57
758号公報、特公平7−68260号公報、特開平5
−111639号公報等に開示されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パン酵
母による方法は、比較的高い光学純度のアルコ−ルを得
ることができるが、得られる光学活性アルコ−ルの絶対
配置は特定のものに限られ、鏡像体の合成は困難であ
る。またロジウム−光学活性ホスフィン触媒によるβ−
ケト酸誘導体の不斉水素化による方法は得られるアルコ
−ルの光学純度も未だ充分ではないとともに、使用する
ロジウム金属は生産地及び生産量が限られており、その
価格も高価なものであるため、これを触媒として用いる
場合にはその製品価格中に占めるロジウムの価格の割合
が大きくなり、商品の製造原価に影響を与えるという欠
点があった。また酒石酸を修飾したニッケル触媒を用い
る方法は、触媒の調製が難しく、不斉収率も充分でない
という欠点があった。
母による方法は、比較的高い光学純度のアルコ−ルを得
ることができるが、得られる光学活性アルコ−ルの絶対
配置は特定のものに限られ、鏡像体の合成は困難であ
る。またロジウム−光学活性ホスフィン触媒によるβ−
ケト酸誘導体の不斉水素化による方法は得られるアルコ
−ルの光学純度も未だ充分ではないとともに、使用する
ロジウム金属は生産地及び生産量が限られており、その
価格も高価なものであるため、これを触媒として用いる
場合にはその製品価格中に占めるロジウムの価格の割合
が大きくなり、商品の製造原価に影響を与えるという欠
点があった。また酒石酸を修飾したニッケル触媒を用い
る方法は、触媒の調製が難しく、不斉収率も充分でない
という欠点があった。
【0011】ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を用
いればこれらの問題点の多くが解決するが、β−ケト酸
誘導体の基質によっては今までの触媒では充分な光学純
度あるいは触媒活性が得られない等問題がある場合があ
り、β−ケト酸誘導体の不斉水素化に活性の有る新規ル
テニウム−光学活性ホスフィンの開発が望まれていた。
いればこれらの問題点の多くが解決するが、β−ケト酸
誘導体の基質によっては今までの触媒では充分な光学純
度あるいは触媒活性が得られない等問題がある場合があ
り、β−ケト酸誘導体の不斉水素化に活性の有る新規ル
テニウム−光学活性ホスフィンの開発が望まれていた。
【0012】
【課題を解決するための手段】斯かる実状において、本
発明者らは上記問題点を解決するため鋭意研究を行った
結果、触媒として比較的安価な新規ルテニウム−光学活
性錯体を使用してβ−ケト酸誘導体の不斉水素化を行え
ば、高い光学純度のアルコ−ルが得られることを見いだ
し本発明を完成した。
発明者らは上記問題点を解決するため鋭意研究を行った
結果、触媒として比較的安価な新規ルテニウム−光学活
性錯体を使用してβ−ケト酸誘導体の不斉水素化を行え
ば、高い光学純度のアルコ−ルが得られることを見いだ
し本発明を完成した。
【0013】すなわち、本発明は、 1)次の一般式(1)
【化8】 {式中、R1 はハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ
基、低級アルキル置換アミノ基、ベンジルオキシ基また
はアリ−ル基からなる群から選ばれる置換基を有しても
良い炭素数1乃至8のアルキル基、トリフロロメチル基
またはアリ−ル基を示し、R2 は基OR4 (ここでR4
は炭素数1乃至8のアルキル基である)、基SR5 (こ
こでR5 は低級アルキル基またはフェニル基である)又
は基NR6 R7 (ここでR6 、R7 は水素原子、低級ア
ルキル基またはベンジル基で、R6 とR7 は同じでも異
なっていてもよい)、R3 は水素原子、ハロゲン原子、
低級アルキル基、エステル結合を持つアルキレン基、ア
ミド結合を持つアルキレン基を示し、R1 とR3 で環を
形成しても良い}で表されるβ−ケト酸誘導体を、一般
式(3)
基、低級アルキル置換アミノ基、ベンジルオキシ基また
はアリ−ル基からなる群から選ばれる置換基を有しても
良い炭素数1乃至8のアルキル基、トリフロロメチル基
またはアリ−ル基を示し、R2 は基OR4 (ここでR4
は炭素数1乃至8のアルキル基である)、基SR5 (こ
こでR5 は低級アルキル基またはフェニル基である)又
は基NR6 R7 (ここでR6 、R7 は水素原子、低級ア
ルキル基またはベンジル基で、R6 とR7 は同じでも異
なっていてもよい)、R3 は水素原子、ハロゲン原子、
低級アルキル基、エステル結合を持つアルキレン基、ア
ミド結合を持つアルキレン基を示し、R1 とR3 で環を
形成しても良い}で表されるβ−ケト酸誘導体を、一般
式(3)
【化9】 Ru−I2 −(R8 −BINAP)・・・(3) {式中、R8 −BINAPは式(4)
【化10】 (R8 は炭素数乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃至
4の低級アルコキシ基、炭素数1乃至4の低級アルキル
アミノ基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置換
基を有してもよいアリ−ル基または炭素数3乃至8のシ
クロアルキル基を示す)で示される光学活性な第三級ホ
スフィンを示す}で表される新規なルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化を行うことを
特徴とする次の一般式(2)
4の低級アルコキシ基、炭素数1乃至4の低級アルキル
アミノ基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置換
基を有してもよいアリ−ル基または炭素数3乃至8のシ
クロアルキル基を示す)で示される光学活性な第三級ホ
スフィンを示す}で表される新規なルテニウム−光学活
性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化を行うことを
特徴とする次の一般式(2)
【化11】 (R1 、R2 及びR3 は上記と同じ意味を有する)で表
される光学活性アルコ−ルの製造方法、
される光学活性アルコ−ルの製造方法、
【0014】2)新規なルテニウム−光学活性ホスフィ
ン錯体が31P−NMRでδ値が−1乃至12 ppmの範囲
に1本あるいは2本の二重線を持ち、δ値が66乃至8
1 ppmであるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン
錯体である項1記載の光学活性アルコ−ルの製造方法、
ン錯体が31P−NMRでδ値が−1乃至12 ppmの範囲
に1本あるいは2本の二重線を持ち、δ値が66乃至8
1 ppmであるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン
錯体である項1記載の光学活性アルコ−ルの製造方法、
【0015】3)新規なルテニウム−光学活性ホスフィ
ン錯体が一般式(5)
ン錯体が一般式(5)
【化12】 [RuI(arene)(R8 −BINAP)]I ・・・(5) {式中、areneはベンゼン環を有する炭化水素、R
8 −BINAPは上記式(4)(R8 は上記と同じ意味
を有する)で示される光学活性な第三級ホスフィンを示
す}で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を
極性溶媒中で反応させることによって製造されるルテニ
ウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体である項1記載
の光学活性アルコ−ルの製造方法、
8 −BINAPは上記式(4)(R8 は上記と同じ意味
を有する)で示される光学活性な第三級ホスフィンを示
す}で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を
極性溶媒中で反応させることによって製造されるルテニ
ウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体である項1記載
の光学活性アルコ−ルの製造方法、
【0016】4)新規なルテニウム−光学活性ホスフィ
ン錯体が一般式(6)
ン錯体が一般式(6)
【化13】 [RuI2 (arene)]2 ・・・(6) (式中、areneはベンゼン環を有する炭化水素を表
す)と上記式(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)
で示される光学活性な第三級ホスフィンとを極性溶媒中
で反応させることによって製造される新規なルテニウム
−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体である項1記載の光
学活性アルコ−ルの製造方法、
す)と上記式(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)
で示される光学活性な第三級ホスフィンとを極性溶媒中
で反応させることによって製造される新規なルテニウム
−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体である項1記載の光
学活性アルコ−ルの製造方法、
【0017】5)新規なルテニウム−光学活性ホスフィ
ン錯体が一般式(7)
ン錯体が一般式(7)
【化14】 Ru(R9 COO)2 (R8 −BINAP)・・・(7) {式中、R9 は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン化
低級アルキル基あるいは低級アルキル置換基を有してい
てもよいアリ−ル基を表し、R8 −BINAPは式
(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)で示される光
学活性な第三級ホスフィンを示す}で表されるルテニウ
ム−光学活性ホスフィン錯体とホウフッ化水素酸および
無機ヨウ化物とを反応させることによって製造される新
規なルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体であ
る光学活性アルコ−ルの製造方法、である。
低級アルキル基あるいは低級アルキル置換基を有してい
てもよいアリ−ル基を表し、R8 −BINAPは式
(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)で示される光
学活性な第三級ホスフィンを示す}で表されるルテニウ
ム−光学活性ホスフィン錯体とホウフッ化水素酸および
無機ヨウ化物とを反応させることによって製造される新
規なルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体であ
る光学活性アルコ−ルの製造方法、である。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明に使用される触媒である一
般式(3)で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体は、上記項3)〜5)に示した三種類の方法、すな
わち、
般式(3)で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体は、上記項3)〜5)に示した三種類の方法、すな
わち、
【化15】 [RuI(arene)(R8 −BINAP)]I ・・・(5) {式中、areneはベンゼン環を有する炭化水素、R
8 −BINAPは上記式(4)(R8 は炭素数1乃至4
の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ
基、炭素数1乃至4の低級アルキルアミノ基及びハロゲ
ン原子からなる群から選ばれる置換基を有してもよいア
リ−ル基または炭素数3乃至8のシクロアルキル基を示
す)で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す}で
表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を極性溶
媒中で反応させること、
8 −BINAPは上記式(4)(R8 は炭素数1乃至4
の低級アルキル基、炭素数1乃至4の低級アルコキシ
基、炭素数1乃至4の低級アルキルアミノ基及びハロゲ
ン原子からなる群から選ばれる置換基を有してもよいア
リ−ル基または炭素数3乃至8のシクロアルキル基を示
す)で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す}で
表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を極性溶
媒中で反応させること、
【0019】式(6)
【化16】 [RuI2 (arene)]2 ・・・(6) (式中、areneはベンゼン環を有する炭化水素を表
す)と上記式(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)
で示される光学活性な第三級ホスフィンを極性溶媒中で
反応させること、及び、
す)と上記式(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)
で示される光学活性な第三級ホスフィンを極性溶媒中で
反応させること、及び、
【0020】式(7)
【化17】 Ru(R9 COO)2 (R8 −BINAP)・・・(7) {式中、R9 は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン化
低級アルキル基あるいは低級アルキル置換基を有してい
てもよいアリ−ル基を表し、R8 −BINAPは上記式
(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)で示される光
学活性な第三級ホスフィンを示す}で表されるルテニウ
ム−光学活性ホスフィン錯体をホウフッ化水素酸および
無機ヨウ化物と反応させることにより容易に合成でき
る。
低級アルキル基あるいは低級アルキル置換基を有してい
てもよいアリ−ル基を表し、R8 −BINAPは上記式
(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)で示される光
学活性な第三級ホスフィンを示す}で表されるルテニウ
ム−光学活性ホスフィン錯体をホウフッ化水素酸および
無機ヨウ化物と反応させることにより容易に合成でき
る。
【0021】Ru−I2 −(R8 −BINAP)を製造
するための原料である、ルテニウム−光学活性ホスフィ
ン錯体(5)および(7)において式(4)で表される
R8−BINAPのR8 で表されるアリ−ル基とは、フ
ェニル基、2−ナフチル基ならびにp−置換フェニル
基、m−置換フェニル基、m−ジ置換フェニル基のよう
な置換基を有するフェニル基、6−置換−2−ナフチル
基のような置換基を有する2−ナフチル基を意味し、フ
ェニル基及びナフチル基に置換してもよい置換基として
は、メチル基、tert−ブチル基のような低級アルキ
ル基(「低級」とは炭素数1乃至4の直鎖または分岐鎖
を意味する)、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基およ
び塩素原子を挙げることができる。また、R8 で表され
る炭素数3乃至8のシクロアルキル基としては、特にシ
クロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましい。
するための原料である、ルテニウム−光学活性ホスフィ
ン錯体(5)および(7)において式(4)で表される
R8−BINAPのR8 で表されるアリ−ル基とは、フ
ェニル基、2−ナフチル基ならびにp−置換フェニル
基、m−置換フェニル基、m−ジ置換フェニル基のよう
な置換基を有するフェニル基、6−置換−2−ナフチル
基のような置換基を有する2−ナフチル基を意味し、フ
ェニル基及びナフチル基に置換してもよい置換基として
は、メチル基、tert−ブチル基のような低級アルキ
ル基(「低級」とは炭素数1乃至4の直鎖または分岐鎖
を意味する)、アルコキシ基、ジアルキルアミノ基およ
び塩素原子を挙げることができる。また、R8 で表され
る炭素数3乃至8のシクロアルキル基としては、特にシ
クロペンチル基及びシクロヘキシル基が好ましい。
【0022】これらルテニウム−光学活性ホスフィン錯
体(5)および(7)において、R8 −BINAPで表
される第三級ホスフィンの具体例としては、次のものを
挙げることができる。尚、いずれの第三級ホスフィンも
(R)体及び(S)体が存在する。
体(5)および(7)において、R8 −BINAPで表
される第三級ホスフィンの具体例としては、次のものを
挙げることができる。尚、いずれの第三級ホスフィンも
(R)体及び(S)体が存在する。
【0023】(a)2,2′−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)−1,1′−ビナフチル(以下、単に「BINA
P」と略記する) (b)2,2′−ビス(ジ−p−トリルホスフィノ)−
1,1′−ビナフチル(以下、「T−BINAP」と略
記する) (c)2,2′−ビス[ジ−(p−tert−ブチルフ
ェニル)ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、
「tBu−BINAP」と略記する) (d)2,2′−ビス(ジ−m−トリルホスフィノ)−
1,1′−ビナフチル(以下、「m−T−BINAP」
と略記する) (e)2,2′−ビス[ジ−(3,5−ジメチルフェニ
ル)ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、「D
M−BINAP」と略記する) (f)2,2′−ビス[ジ−(3,5−ジ−tert−
ブチルフェニル)ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル
(以下、「DtBu−BINAP」と略記する) (g)2,2′−ビス[ジ−(p−メトキシフェニル)
ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、「MeO
−BINAP」と略記する) (h)2,2′−ビス[ジ−(p−クロロフェニル)ホ
スフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、「p−Cl
−BINAP」と略記する) (i)2,2′−ビス(ジ−2−ナフチルホスフィノ)
−1,1′−ビナフチル(以下、「Naph−BINA
P」と略記する) (j)2,2′−ビス(ジシクロペンチルホスフィノ)
−1,1′−ビナフチル(以下、「cpBINAP」と
略記する) (k)2,2′−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)
−1,1′−ビナフチル(以下、「CyBINAP」と
略記する)
ィノ)−1,1′−ビナフチル(以下、単に「BINA
P」と略記する) (b)2,2′−ビス(ジ−p−トリルホスフィノ)−
1,1′−ビナフチル(以下、「T−BINAP」と略
記する) (c)2,2′−ビス[ジ−(p−tert−ブチルフ
ェニル)ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、
「tBu−BINAP」と略記する) (d)2,2′−ビス(ジ−m−トリルホスフィノ)−
1,1′−ビナフチル(以下、「m−T−BINAP」
と略記する) (e)2,2′−ビス[ジ−(3,5−ジメチルフェニ
ル)ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、「D
M−BINAP」と略記する) (f)2,2′−ビス[ジ−(3,5−ジ−tert−
ブチルフェニル)ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル
(以下、「DtBu−BINAP」と略記する) (g)2,2′−ビス[ジ−(p−メトキシフェニル)
ホスフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、「MeO
−BINAP」と略記する) (h)2,2′−ビス[ジ−(p−クロロフェニル)ホ
スフィノ]−1,1′−ビナフチル(以下、「p−Cl
−BINAP」と略記する) (i)2,2′−ビス(ジ−2−ナフチルホスフィノ)
−1,1′−ビナフチル(以下、「Naph−BINA
P」と略記する) (j)2,2′−ビス(ジシクロペンチルホスフィノ)
−1,1′−ビナフチル(以下、「cpBINAP」と
略記する) (k)2,2′−ビス(ジシクロヘキシルホスフィノ)
−1,1′−ビナフチル(以下、「CyBINAP」と
略記する)
【0024】これらの第三級ホスフィンは、特公平4−
81596号公報、特公平7−33392号公報、特公
平7−68260号公報、特開平1−68386号公報
または特開平4−74192号公報、特開平9−124
669号公報に記載されている方法によって調製するこ
とができる。
81596号公報、特公平7−33392号公報、特公
平7−68260号公報、特開平1−68386号公報
または特開平4−74192号公報、特開平9−124
669号公報に記載されている方法によって調製するこ
とができる。
【0025】ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体
(5)で表される化合物は、特公平7−57758号公
報および特開平5−111639号公報記載の方法によ
って得ることができる。
(5)で表される化合物は、特公平7−57758号公
報および特開平5−111639号公報記載の方法によ
って得ることができる。
【0026】このようにして得られるルテニウム−光学
活性ホスフィン錯体(5)の具体例としては次のものを
あげることができる。
活性ホスフィン錯体(5)の具体例としては次のものを
あげることができる。
【化18】 [RuI(benzene)(BINAP)]I [RuI(benzene)(T−BINAP)]I [RuI(benzene)(tBu−BINAP)]
I [RuI(benzene)(m−T−BINAP)]
I [RuI(benzene)(DM−BINAP)]I
I [RuI(benzene)(m−T−BINAP)]
I [RuI(benzene)(DM−BINAP)]I
【化19】[RuI(benzene)(DtBu−B
INAP)]I [RuI(benzene)(MeO−BINAP)]
I [RuI(benzene)(p−Cl−BINA
P)]I [RuI(benzene)(Naph−BINA
P)]I [RuI(benzene)(cpBINAP)]I [RuI(benzene)(CyBINAP)]I [RuI(p−cymene)(BINAP)]I [RuI(p−cymene)(T−BINAP)]I [RuI(p−cymene)(tBu−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(m−T−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(DM−BINAP)]
I [RuI(p−cymene)(DtBu−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(MeO−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(p−Cl−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(Naph−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(cpBINAP)]I [RuI(p−cymene)(CyBINAP)]I
INAP)]I [RuI(benzene)(MeO−BINAP)]
I [RuI(benzene)(p−Cl−BINA
P)]I [RuI(benzene)(Naph−BINA
P)]I [RuI(benzene)(cpBINAP)]I [RuI(benzene)(CyBINAP)]I [RuI(p−cymene)(BINAP)]I [RuI(p−cymene)(T−BINAP)]I [RuI(p−cymene)(tBu−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(m−T−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(DM−BINAP)]
I [RuI(p−cymene)(DtBu−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(MeO−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(p−Cl−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(Naph−BINA
P)]I [RuI(p−cymene)(cpBINAP)]I [RuI(p−cymene)(CyBINAP)]I
【0027】ルテニウム−ヨ−ド錯体(6)で表される
化合物は、例えばZelonka(R.A. Zelonka et a
l.; Can. J. Chem., Vol 50, 3063 (1972)) の方法によ
り得ることができる。このようにして得られるルテニウ
ム−光学活性ホスフィン錯体(6)の具体例としては次
のものをあげることができる。
化合物は、例えばZelonka(R.A. Zelonka et a
l.; Can. J. Chem., Vol 50, 3063 (1972)) の方法によ
り得ることができる。このようにして得られるルテニウ
ム−光学活性ホスフィン錯体(6)の具体例としては次
のものをあげることができる。
【化20】[RuI2 (benzene)]2 [RuI2 (p−cymene)]2
【0028】ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体
(7)で表される化合物は、特公平5−11119号公
報及び特公平5−1235号公報記載の方法によって得
ることができる。このようにして得られるルテニウム−
光学活性ホスフィン錯体(7)の具体例としては次のも
のをあげることができる。
(7)で表される化合物は、特公平5−11119号公
報及び特公平5−1235号公報記載の方法によって得
ることができる。このようにして得られるルテニウム−
光学活性ホスフィン錯体(7)の具体例としては次のも
のをあげることができる。
【化21】Ru(CH3 COO)2 (BINAP) Ru(CF3 COO)2 (BINAP) Ru(CH3 COO)2 (T−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (tBu−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (m−T−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (DM−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (DtBu−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (MeO−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (p−Cl−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (Naph−BINAP) Ru(CH3 COO)2 (cpBINAP) Ru(CH3 COO)2 (CyBINAP)
【0029】一方、ルテニウム−光学活性ホスフィン錯
体(7)からRu−I2 −(R8 −BINAP)を製造
するための原料である、ホウフッ化水素酸の使用量は、
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体(7)1モルに対
し約2乃至10モルの範囲とするのがよく、特に好まし
くは約4乃至8モルの範囲とするとよい。
体(7)からRu−I2 −(R8 −BINAP)を製造
するための原料である、ホウフッ化水素酸の使用量は、
ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体(7)1モルに対
し約2乃至10モルの範囲とするのがよく、特に好まし
くは約4乃至8モルの範囲とするとよい。
【0030】ルテニウム−光学活性ホスフィン錯体
(7)からRu−I2 −(R8 −BINAP)を製造す
るための原料である、無機ヨウ化物としては、例えば、
ヨウ化ナトリウム(以下、「NaI」と記載する)やヨ
ウ化カリウム(以下、「KI」と記載する)のようなア
ルカリ金属のヨウ化物、ヨウ化カルシウムのようなアル
カリ土類金属のヨウ化物、ヨウ化銀のようなその他の金
属のヨウ化物等が挙げられるが、特にNaIおよびKI
が好ましい。この無機ヨウ化物の使用量は、ルテニウム
−光学活性ホスフィン錯体(7)1モルに対し約4乃至
20モルの範囲とするのがよく、特に好ましくは約6乃
至12モルの範囲とするとよい。
(7)からRu−I2 −(R8 −BINAP)を製造す
るための原料である、無機ヨウ化物としては、例えば、
ヨウ化ナトリウム(以下、「NaI」と記載する)やヨ
ウ化カリウム(以下、「KI」と記載する)のようなア
ルカリ金属のヨウ化物、ヨウ化カルシウムのようなアル
カリ土類金属のヨウ化物、ヨウ化銀のようなその他の金
属のヨウ化物等が挙げられるが、特にNaIおよびKI
が好ましい。この無機ヨウ化物の使用量は、ルテニウム
−光学活性ホスフィン錯体(7)1モルに対し約4乃至
20モルの範囲とするのがよく、特に好ましくは約6乃
至12モルの範囲とするとよい。
【0031】本発明において式(5)または式(6)で
表される化合物から式(3)のルテニウム錯体を得る方
法において用いられる極性溶媒としては、メタノ−ル、
エタノ−ルのような低級アルコ−ル類、ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、メタノ−ル−塩化メチレン混合溶媒等が挙
げられる。
表される化合物から式(3)のルテニウム錯体を得る方
法において用いられる極性溶媒としては、メタノ−ル、
エタノ−ルのような低級アルコ−ル類、ジメチルホルム
アミド、ジメチルスルホキシド、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、メタノ−ル−塩化メチレン混合溶媒等が挙
げられる。
【0032】またこの方法において一般式(3)で示さ
れるRu−I2 −(R8 −BINAP)を製造するため
の温度は、約40〜60℃、特に好ましくは50〜55
℃であり、また、反応時間は約10〜40時間、特に好
ましくは約15〜20時間とするとよい。
れるRu−I2 −(R8 −BINAP)を製造するため
の温度は、約40〜60℃、特に好ましくは50〜55
℃であり、また、反応時間は約10〜40時間、特に好
ましくは約15〜20時間とするとよい。
【0033】また、式(7)で表される化合物から一般
式(3)で示されるRu−I2 −(R8 −BINAP)
を製造する際に用いられる溶媒としては、メタノ−ル、
エタノ−ルのような低級アルコ−ル類と塩化メチレン、
臭化メチレン、クロロホルム、塩化エチレンのような有
機ハロゲン化物の混合溶媒またはメタノ−ル、エタノ−
ルのような低級アルコ−ル類とエチルエ−テル、ジイソ
プロピルエ−テル、ジオキサン、テトラヒドロフランの
ようなエ−テル類の混合溶媒が挙げられる。
式(3)で示されるRu−I2 −(R8 −BINAP)
を製造する際に用いられる溶媒としては、メタノ−ル、
エタノ−ルのような低級アルコ−ル類と塩化メチレン、
臭化メチレン、クロロホルム、塩化エチレンのような有
機ハロゲン化物の混合溶媒またはメタノ−ル、エタノ−
ルのような低級アルコ−ル類とエチルエ−テル、ジイソ
プロピルエ−テル、ジオキサン、テトラヒドロフランの
ようなエ−テル類の混合溶媒が挙げられる。
【0034】この方法により一般式(3)で示されるR
u−I2 −(R8 −BINAP)を製造するための温度
は、約0〜60℃、特に好ましくは室温であり、また、
反応時間は約10〜40時間、特に好ましくは約15〜
20時間とするとよい。反応終了後、疎水性有機溶媒層
を取出し、溶媒を留去、乾燥等の方法により精製すれ
ば、目的とするRu−I2 −(R8 −BINAP)を得
ることができる。
u−I2 −(R8 −BINAP)を製造するための温度
は、約0〜60℃、特に好ましくは室温であり、また、
反応時間は約10〜40時間、特に好ましくは約15〜
20時間とするとよい。反応終了後、疎水性有機溶媒層
を取出し、溶媒を留去、乾燥等の方法により精製すれ
ば、目的とするRu−I2 −(R8 −BINAP)を得
ることができる。
【0035】このようにして得られるRu−I2 −(R
8 −BINAP))は、式(5)のarene分子が脱
離した構造を有する錯体であり、また、化合物(7)の
カルボキシル基がヨウ素原子に置き換わった構造を有す
る錯体であると推定される。すなわち、本発明の錯体の
最低限の構成要素であるルテニウム、ヨウ素および光学
活性第三級ホスフィンから成る式で示せば、次のものを
具体例として挙げることができる。尚、上記Ru−I2
−(R8 −BINAP)は用いるR8 −BINAP
(4)の絶対配置により、(R)体または(S)体のい
ずれかとして得られる。
8 −BINAP))は、式(5)のarene分子が脱
離した構造を有する錯体であり、また、化合物(7)の
カルボキシル基がヨウ素原子に置き換わった構造を有す
る錯体であると推定される。すなわち、本発明の錯体の
最低限の構成要素であるルテニウム、ヨウ素および光学
活性第三級ホスフィンから成る式で示せば、次のものを
具体例として挙げることができる。尚、上記Ru−I2
−(R8 −BINAP)は用いるR8 −BINAP
(4)の絶対配置により、(R)体または(S)体のい
ずれかとして得られる。
【0036】
【化22】Ru−I2 −(BINAP) Ru−I2 −(T−BINAP) Ru−I2 −(tBu−BINAP) Ru−I2 −(m−T−BINAP) Ru−I2 −(DM−BINAP) Ru−I2 −(DtBu−BINAP) Ru−I2 −(MeO−BINAP) Ru−I2 −(p−Clー BINAP) Ru−I2 −(Naph−BINAP) Ru−I2 −(cpBINAP) Ru−I2 −(CyBINAP)
【0037】斯くして得られる本発明のRu−I2 −
(R8 −BINAP)は、極めて高い触媒活性を有し、
不斉合成用触媒として広く用いることができる化合物で
ある。特にこの化合物をβ−ケト酸誘導体の不斉水素化
反応の触媒に用いれば、短時間で効率良く、高い光学純
度の光学活性アルコ−ル類を製造できる。
(R8 −BINAP)は、極めて高い触媒活性を有し、
不斉合成用触媒として広く用いることができる化合物で
ある。特にこの化合物をβ−ケト酸誘導体の不斉水素化
反応の触媒に用いれば、短時間で効率良く、高い光学純
度の光学活性アルコ−ル類を製造できる。
【0038】本発明のRu−I2 −(R8 −BINA
P)を用いて光学活性アルコ−ル類を製造するには、例
えば、耐圧容器に、窒素雰囲気下、上記したRu−I2
−(R8 −BINAP)、原料化合物であるβ−ケト酸
誘導体および溶媒を加えて、水素圧5〜150kg/cm2,
室温〜100℃で不斉水素化を行なえばよい。
P)を用いて光学活性アルコ−ル類を製造するには、例
えば、耐圧容器に、窒素雰囲気下、上記したRu−I2
−(R8 −BINAP)、原料化合物であるβ−ケト酸
誘導体および溶媒を加えて、水素圧5〜150kg/cm2,
室温〜100℃で不斉水素化を行なえばよい。
【0039】本発明の原料であるβ−ケト酸誘導体
(1)としては、例えばアセト酢酸メチル、アセト酢酸
エチル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸n-ブチ
ル、アセト酢酸t-ブチル、アセト酢酸n-ペンチル、アセ
ト酢酸n-ヘキシル、アセト酢酸n-ヘプチル、アセト酢酸
n-オクチル、4-クロロアセト酢酸メチル、4-クロロアセ
ト酢酸エチル、4-フロロアセト酢酸エチル、3-オキソペ
ンタン酸メチル、3-オキソヘキサン酸メチル、3-オキソ
ヘプタン酸メチル、3-オキソオクタン酸メチル、3-オキ
ソオクタン酸エチル、3-オキソオクタン酸イソプロピ
ル、3-オキソオクタン酸n-ブチル、3-オキソオクタン酸
t-ブチル、3-オキソノナン酸メチル、3-オキソデカン酸
メチル、3-オキソウンデカン酸メチル、3-オキソ-3- フ
ェニルプロパン酸エチル、3-オキソ-3-p- メトキシフェ
ニルプロパン酸エチル、3-オキソ-4- フェニルブタン酸
エチル、3-オキソ-5- フェニルペンタン酸メチル、3-ト
リフロロメチル-3- オキソプロパン酸エチル、4-ヒドロ
キシ-3- オキソブタン酸エチル、4-ベンジルオキシ-3-
オキソブタン酸メチル、4-ベンジルオキシ-3- オキソブ
タン酸エチル、4-アミノ-3- オキソブタン酸メチル、4-
メチルアミノ-3- オキソブタン酸エチル、4-ジメチルア
ミノ-3- オキソブタン酸エチル、2-メチルアセト酢酸エ
チル、2-クロロアセト酢酸エチル、2-アセチルコハク酸
ジエチル、2-アセチルグルタル酸ジエチル、2-カルボエ
トキシシクロヘキサノン、アセチルマロン酸ジメチル、
3-オキソブタン酸アミド、3-オキソブタン酸ジメチルア
ミド、3-オキソブタン酸ベンジルアミド、アセト酢酸チ
オエステル、アセト酢酸チオフェニルエステル等が挙げ
られる。
(1)としては、例えばアセト酢酸メチル、アセト酢酸
エチル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸n-ブチ
ル、アセト酢酸t-ブチル、アセト酢酸n-ペンチル、アセ
ト酢酸n-ヘキシル、アセト酢酸n-ヘプチル、アセト酢酸
n-オクチル、4-クロロアセト酢酸メチル、4-クロロアセ
ト酢酸エチル、4-フロロアセト酢酸エチル、3-オキソペ
ンタン酸メチル、3-オキソヘキサン酸メチル、3-オキソ
ヘプタン酸メチル、3-オキソオクタン酸メチル、3-オキ
ソオクタン酸エチル、3-オキソオクタン酸イソプロピ
ル、3-オキソオクタン酸n-ブチル、3-オキソオクタン酸
t-ブチル、3-オキソノナン酸メチル、3-オキソデカン酸
メチル、3-オキソウンデカン酸メチル、3-オキソ-3- フ
ェニルプロパン酸エチル、3-オキソ-3-p- メトキシフェ
ニルプロパン酸エチル、3-オキソ-4- フェニルブタン酸
エチル、3-オキソ-5- フェニルペンタン酸メチル、3-ト
リフロロメチル-3- オキソプロパン酸エチル、4-ヒドロ
キシ-3- オキソブタン酸エチル、4-ベンジルオキシ-3-
オキソブタン酸メチル、4-ベンジルオキシ-3- オキソブ
タン酸エチル、4-アミノ-3- オキソブタン酸メチル、4-
メチルアミノ-3- オキソブタン酸エチル、4-ジメチルア
ミノ-3- オキソブタン酸エチル、2-メチルアセト酢酸エ
チル、2-クロロアセト酢酸エチル、2-アセチルコハク酸
ジエチル、2-アセチルグルタル酸ジエチル、2-カルボエ
トキシシクロヘキサノン、アセチルマロン酸ジメチル、
3-オキソブタン酸アミド、3-オキソブタン酸ジメチルア
ミド、3-オキソブタン酸ベンジルアミド、アセト酢酸チ
オエステル、アセト酢酸チオフェニルエステル等が挙げ
られる。
【0040】触媒であるRu−I2 −(R8 −BINA
P)の使用量は、原料化合物であるβ−ケト酸誘導体1
モルに対して通常約0. 0001〜0. 01モルの範
囲、特に好ましくは、約0. 0002〜0. 0005モ
ルの範囲とするとよい。触媒が0. 0001モルより少
ない量では触媒としての効果を充分奏さず、また、0.
01モルより多い量では触媒としては充分機能するもの
の不経済となる。
P)の使用量は、原料化合物であるβ−ケト酸誘導体1
モルに対して通常約0. 0001〜0. 01モルの範
囲、特に好ましくは、約0. 0002〜0. 0005モ
ルの範囲とするとよい。触媒が0. 0001モルより少
ない量では触媒としての効果を充分奏さず、また、0.
01モルより多い量では触媒としては充分機能するもの
の不経済となる。
【0041】溶媒としては、通常の不斉水素化に使用さ
れる溶媒であれば特に限定されないが、具体的には、ジ
エチルエ−テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
直鎖状または環状エ−テル類、塩化メチレン、臭化メチ
レン、ジクロロエタン等の有機ハロゲン化物、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン等のケト
ン類、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、3−ヒドロキシ酪酸メチル等のエステ
ル類、トルエン、ベンゼン等の芳香族化合物、メタノ−
ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、tert−ブチル
アルコ−ル、1,3−ブタンジオ−ル等のアルコ−ル類
及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。さらに、
不斉水素化反応の速度を上げるために上記溶媒に1%程
度の水を添加してもよい。
れる溶媒であれば特に限定されないが、具体的には、ジ
エチルエ−テル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等の
直鎖状または環状エ−テル類、塩化メチレン、臭化メチ
レン、ジクロロエタン等の有機ハロゲン化物、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルブチルケトン等のケト
ン類、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、酢酸エチ
ル、酢酸ブチル、3−ヒドロキシ酪酸メチル等のエステ
ル類、トルエン、ベンゼン等の芳香族化合物、メタノ−
ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ル、tert−ブチル
アルコ−ル、1,3−ブタンジオ−ル等のアルコ−ル類
及びこれらの混合溶媒を挙げることができる。さらに、
不斉水素化反応の速度を上げるために上記溶媒に1%程
度の水を添加してもよい。
【0042】不斉水素化の反応温度、反応時間は触媒の
種類やその他の反応条件により異なるが、通常、室温乃
至100℃、好ましくは約30乃至60℃の温度で、約
0.5乃至40時間反応させると良い。また、水素圧
は、約5乃至150kg/cm2、好ましくは約20乃至10
0 kg/cm2 とすると良い。反応終了後、溶媒留去、蒸留
等の方法により反応生成物を精製することにより目的と
する光学活性アルコ−ル類を得ることができる。
種類やその他の反応条件により異なるが、通常、室温乃
至100℃、好ましくは約30乃至60℃の温度で、約
0.5乃至40時間反応させると良い。また、水素圧
は、約5乃至150kg/cm2、好ましくは約20乃至10
0 kg/cm2 とすると良い。反応終了後、溶媒留去、蒸留
等の方法により反応生成物を精製することにより目的と
する光学活性アルコ−ル類を得ることができる。
【0043】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げて本発明を具
体的に説明するが、本発明はこれらになんら制約される
ものではない。尚、以下の実施例において、得られた化
合物の物性の測定には、次の機器を用いた。31 P−NMRスペクトル:AM−400型装置(ブルカ
−社製) 外部標準物質;85%リン酸 溶媒;クロロホルムd
体的に説明するが、本発明はこれらになんら制約される
ものではない。尚、以下の実施例において、得られた化
合物の物性の測定には、次の機器を用いた。31 P−NMRスペクトル:AM−400型装置(ブルカ
−社製) 外部標準物質;85%リン酸 溶媒;クロロホルムd
【0044】〔実施例1〕 Ru−I2 −[(S)−BINAP]の製造:80mlの
シュレンク管を窒素置換した後、[RuI2 (p−cy
mene)]2 を1. 0g( 1. 02mmol) と(S)−
BINAPの1. 29g(2. 07mmol) をメタノール
40mlに入れ、55℃で17 時間攪拌した。溶媒を留去
して標題の化合物を2. 20g(収率96%)得た。31
P−NMR:δ 4.0 (d, J=39 Hz), 7.3 (d,J=35 H
z), 75.8(d,J=35Hz),77.2(d, J=39 Hz)
シュレンク管を窒素置換した後、[RuI2 (p−cy
mene)]2 を1. 0g( 1. 02mmol) と(S)−
BINAPの1. 29g(2. 07mmol) をメタノール
40mlに入れ、55℃で17 時間攪拌した。溶媒を留去
して標題の化合物を2. 20g(収率96%)得た。31
P−NMR:δ 4.0 (d, J=39 Hz), 7.3 (d,J=35 H
z), 75.8(d,J=35Hz),77.2(d, J=39 Hz)
【0045】〔実施例2〕 Ru−I2 −[(S)−T−BINAP]の製造:30
0mlの反応容器を窒素置換した後、Ru(CH3 CO
O)2 [(S)−T−BINAP]を1. 80g( 1.
989mmol) と塩化メチレン30ml、メタノール2.5ml
の混合液に溶かし、42%ホウフッ化水素酸水溶液2.
49g(11. 91mmol)を入れ、室温で3時間攪拌し
た。その後、ヨウ化ナトリウム2. 37g(15. 81
mmol)と脱気水17mlを窒素下で溶解し加え、室温で1
5時間撹拌した。塩化メチレン層を注射器で取り、脱気
水20mlで洗浄し塩化メチレンを減圧留去した後、得ら
れた錯体を40℃で4時間減圧乾燥して標題の化合物R
u−I2 −[(S)−T−BINAP]を2. 07g
(収率100. 7%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8 (d, J=32 Hz), 4.6 (d,J=35 H
z), 75.0(d,J=35Hz),76.4(d, J=32 Hz)
0mlの反応容器を窒素置換した後、Ru(CH3 CO
O)2 [(S)−T−BINAP]を1. 80g( 1.
989mmol) と塩化メチレン30ml、メタノール2.5ml
の混合液に溶かし、42%ホウフッ化水素酸水溶液2.
49g(11. 91mmol)を入れ、室温で3時間攪拌し
た。その後、ヨウ化ナトリウム2. 37g(15. 81
mmol)と脱気水17mlを窒素下で溶解し加え、室温で1
5時間撹拌した。塩化メチレン層を注射器で取り、脱気
水20mlで洗浄し塩化メチレンを減圧留去した後、得ら
れた錯体を40℃で4時間減圧乾燥して標題の化合物R
u−I2 −[(S)−T−BINAP]を2. 07g
(収率100. 7%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8 (d, J=32 Hz), 4.6 (d,J=35 H
z), 75.0(d,J=35Hz),76.4(d, J=32 Hz)
【0046】〔実施例3〕 Ru−I2 −[(S)−T−BINAP]の製造:1 0
0mlの反応容器を窒素置換した後、[RuI(p−cy
mene)((S)−T−BINAP)]Iの1. 64
g( 1. 404mmol) をメタノール90mlに入れ、55
℃で15時間攪拌して標題の化合物の1. 52g(収率
93%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8 (d, J=32 Hz), 4.6 (d,J=35 H
z), 75.0(d,J=35Hz),76.5(d, J=32 Hz)
0mlの反応容器を窒素置換した後、[RuI(p−cy
mene)((S)−T−BINAP)]Iの1. 64
g( 1. 404mmol) をメタノール90mlに入れ、55
℃で15時間攪拌して標題の化合物の1. 52g(収率
93%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8 (d, J=32 Hz), 4.6 (d,J=35 H
z), 75.0(d,J=35Hz),76.5(d, J=32 Hz)
【0047】〔実施例4〕 Ru−I2 −[(S)−T−BINAP]の製造:80
mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI2 (p−
cymene)]2 の1. 0g( 1. 02mmol) と
(S)−T−BINAPの1. 41g(2. 07mmol)
をメタノール40mlを入れ、55℃で16時間攪拌して
標題の化合物の2.35g(収率98%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8 (d, J=32 Hz), 4.6 (d,J=35 H
z), 75.0(d,J=35Hz),76.4(d, J=32 Hz)
mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI2 (p−
cymene)]2 の1. 0g( 1. 02mmol) と
(S)−T−BINAPの1. 41g(2. 07mmol)
をメタノール40mlを入れ、55℃で16時間攪拌して
標題の化合物の2.35g(収率98%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8 (d, J=32 Hz), 4.6 (d,J=35 H
z), 75.0(d,J=35Hz),76.4(d, J=32 Hz)
【0048】〔実施例5〕 Ru−I2 −[(S)−tBu−BINAP]の製造:
80mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI
2 (p−cymene)]2 の0. 34g(0. 034
8mmol) と(S)−tBu−BINAPの0. 59g
(0. 696mmol) をメタノール15mlに入れ、55℃
で16時間攪拌して標題の化合物の0. 90g(収率9
7 %)を得た。31 P−NMR:δ 0.4(d, J =32 Hz), 11.9(d,J=37 H
z), 67.0(d,J=37Hz),74.0(d, J=32 Hz)
80mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI
2 (p−cymene)]2 の0. 34g(0. 034
8mmol) と(S)−tBu−BINAPの0. 59g
(0. 696mmol) をメタノール15mlに入れ、55℃
で16時間攪拌して標題の化合物の0. 90g(収率9
7 %)を得た。31 P−NMR:δ 0.4(d, J =32 Hz), 11.9(d,J=37 H
z), 67.0(d,J=37Hz),74.0(d, J=32 Hz)
【0049】〔実施例6〕 Ru−I2 −[(S)−DM−BINAP]の製造:8
0mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI2 (p
−cymene)]2 の0. 50g(0. 511mmol),
と(S)−DM−BINAPの0. 76g(1. 03mm
ol) をメタノール20mlに入れ、55℃で20時間攪拌
して標題の化合物の1. 20g(収率96%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8(d, J =41 Hz), 78.0(d,J=41 H
z)
0mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI2 (p
−cymene)]2 の0. 50g(0. 511mmol),
と(S)−DM−BINAPの0. 76g(1. 03mm
ol) をメタノール20mlに入れ、55℃で20時間攪拌
して標題の化合物の1. 20g(収率96%)を得た。31 P−NMR:δ 1.8(d, J =41 Hz), 78.0(d,J=41 H
z)
【0050】〔実施例7〕 Ru−I2 −[(S)−MeO−BINAP]の製造:
8 0mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI
2 (p−cymene)]2 の0. 40g(0. 409
mmol)と(S)−MeO−BINAPの0. 614g
(0. 827mmol) をメタノール20mlに入れ、55℃
で18時間攪拌して標題の化合物の1. 00g(収率9
9%)を得た。31 P−NMR:δ -0.1(d, J=33 Hz), 3.0(d, J=36H
z),73.0(d, J =36Hz),74.9(d,J =33 Hz)
8 0mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI
2 (p−cymene)]2 の0. 40g(0. 409
mmol)と(S)−MeO−BINAPの0. 614g
(0. 827mmol) をメタノール20mlに入れ、55℃
で18時間攪拌して標題の化合物の1. 00g(収率9
9%)を得た。31 P−NMR:δ -0.1(d, J=33 Hz), 3.0(d, J=36H
z),73.0(d, J =36Hz),74.9(d,J =33 Hz)
【0051】〔実施例8〕 Ru−I2 −[(S)−Naph−BINAP]の製
造:8 0mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI
2 (p−cymene)]2 の0. 3g(0. 307mm
ol) と(S)−Naph−BINAPの0. 51g
(0. 620mmol)をジメチルホルムアミド20mlに入
れ、55℃で16時間攪拌して標題の化合物の0. 80
g(収率99%)を得た。31 P−NMR:δ 9.9(br), 80.8(br)
造:8 0mlのシュレンク管を窒素置換した後、[RuI
2 (p−cymene)]2 の0. 3g(0. 307mm
ol) と(S)−Naph−BINAPの0. 51g
(0. 620mmol)をジメチルホルムアミド20mlに入
れ、55℃で16時間攪拌して標題の化合物の0. 80
g(収率99%)を得た。31 P−NMR:δ 9.9(br), 80.8(br)
【0052】〔実施例9〕 (S)−3−ヒドロキシブタン酸メチルの製造:100
ml容量のステンレス製オ−トクレ−ブにRu−I2 −
[(S)−T−BI NAP]の18. 7mg(0. 018
1mmol)と3−オキソブタン酸メチルの10. 52g
(90. 69mmol)をメタノ−ル10mlを仕込み、水素
圧70kg/cm2、反応温度50℃で20時間攪拌した。得
られた反応液をガスクロマトグラフィーで分析した結
果、転化率100%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ−
数で5000であった(GL Sciences 社製カラム TC-WA
X 、30m 、0. 25mm、100℃、10℃昇温/
分)。得られたエステルをガスクロマトフィーで分析し
た結果、光学純度は99. 46%eeであり、絶対配置
は標品との比較より(S)体であることが確認された
(ASTEC 社製カラムChiraldex G-TA、30m 、0.25
mm、70℃、1℃昇温/分))。
ml容量のステンレス製オ−トクレ−ブにRu−I2 −
[(S)−T−BI NAP]の18. 7mg(0. 018
1mmol)と3−オキソブタン酸メチルの10. 52g
(90. 69mmol)をメタノ−ル10mlを仕込み、水素
圧70kg/cm2、反応温度50℃で20時間攪拌した。得
られた反応液をガスクロマトグラフィーで分析した結
果、転化率100%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ−
数で5000であった(GL Sciences 社製カラム TC-WA
X 、30m 、0. 25mm、100℃、10℃昇温/
分)。得られたエステルをガスクロマトフィーで分析し
た結果、光学純度は99. 46%eeであり、絶対配置
は標品との比較より(S)体であることが確認された
(ASTEC 社製カラムChiraldex G-TA、30m 、0.25
mm、70℃、1℃昇温/分))。
【0053】〔実施例10〕 (S)−3−ヒドロキシブタン酸メチルの製造:100
ml容量のステンレス製オ−トクレ−ブにRu−I2 −
[(S)−T−BI NAP]の178. 2mg(0. 17
24mmol)と3−オキソブタン酸メチルの40. 0g
(344. 83mmol)をメタノ−ル40mlを仕込み、水
素圧10kg/cm2、反応温度50℃で17時間攪拌した。
得られた反応液をガスクロマトグラフィーで分析した結
果、転化率98. 9%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ
−数で1980であった(GL Sciences 社製カラム TC-
WAX 、30m 、0. 25mm、100℃、10℃昇温/
分)。得られたエステルをガスクロマトフィーで分析し
た結果、光学純度は99. 12%eeであり、絶対配置
は標品との比較より(S)体であることが確認された
(ASTEC 社製カラムChiraldex G-TA 、30m 、0.2
5mm、70℃、1℃昇温/分))。
ml容量のステンレス製オ−トクレ−ブにRu−I2 −
[(S)−T−BI NAP]の178. 2mg(0. 17
24mmol)と3−オキソブタン酸メチルの40. 0g
(344. 83mmol)をメタノ−ル40mlを仕込み、水
素圧10kg/cm2、反応温度50℃で17時間攪拌した。
得られた反応液をガスクロマトグラフィーで分析した結
果、転化率98. 9%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ
−数で1980であった(GL Sciences 社製カラム TC-
WAX 、30m 、0. 25mm、100℃、10℃昇温/
分)。得られたエステルをガスクロマトフィーで分析し
た結果、光学純度は99. 12%eeであり、絶対配置
は標品との比較より(S)体であることが確認された
(ASTEC 社製カラムChiraldex G-TA 、30m 、0.2
5mm、70℃、1℃昇温/分))。
【0054】〔実施例11〕 (S)−3−ヒドロキシヘキサン酸メチルの製造:10
0ml容量のステンレス製オ−トクレ−ブに、窒素雰囲気
下、Ru−I2 −[(S)−T−BINAP]35. 8
mg(0. 0173mmol)、3−オキソヘキサン酸メチル
5. 03g(34. 9mmol)、メタノ−ル20ml、水
0. 1mlを仕込み、水素圧50kg/cm2、反応温度50℃
で16時間攪拌した。得られた反応液をガスクロマトフ
ィーで分析した結果、転化率100%であり、触媒活性
はタ−ンオ−バ−数で2000であった(GL Sciences
社製カラム TC-WAX 、30m 、0. 25mm、100℃、
10℃昇温/分)。得られたエステルをガスクロマトフ
ィーで分析した結果、光学純度は99.78%eeであ
り、絶対配置は標品との比較より(S)体であることが
確認された(SUPELCO社製カラム(betaDex225、
30m 、0. 25mm、70℃、1℃昇温/分))。
0ml容量のステンレス製オ−トクレ−ブに、窒素雰囲気
下、Ru−I2 −[(S)−T−BINAP]35. 8
mg(0. 0173mmol)、3−オキソヘキサン酸メチル
5. 03g(34. 9mmol)、メタノ−ル20ml、水
0. 1mlを仕込み、水素圧50kg/cm2、反応温度50℃
で16時間攪拌した。得られた反応液をガスクロマトフ
ィーで分析した結果、転化率100%であり、触媒活性
はタ−ンオ−バ−数で2000であった(GL Sciences
社製カラム TC-WAX 、30m 、0. 25mm、100℃、
10℃昇温/分)。得られたエステルをガスクロマトフ
ィーで分析した結果、光学純度は99.78%eeであ
り、絶対配置は標品との比較より(S)体であることが
確認された(SUPELCO社製カラム(betaDex225、
30m 、0. 25mm、70℃、1℃昇温/分))。
【0055】〔実施例12〕 (R)−3−ヒドロキシヘキサン酸メチルの製造:Ru
−I2 −[(R)−T−BI NAP]の35. 8mg
(0. 0173mmol)を用いたほかは実施例11と同様
に反応、分析を行い、標題の化合物を得た。ガスクロ収
率100%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で20
00であった。絶対配置は(R)体で光学純度は99.
52%eeであった。
−I2 −[(R)−T−BI NAP]の35. 8mg
(0. 0173mmol)を用いたほかは実施例11と同様
に反応、分析を行い、標題の化合物を得た。ガスクロ収
率100%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で20
00であった。絶対配置は(R)体で光学純度は99.
52%eeであった。
【0056】〔実施例13〕 (S)−3−ヒドロキシオクタン酸tertブチルの製
造:Ru−I2 −[(S)−T−BI NAP]の61.
0mg(0.0297mmol)と3−オキソオクタン酸te
rtブチルの1. 27g(5. 93mmol)をtert−
ブタノ−ルの5. 1mlと水0. 03mlを仕込み、実施例
11と同様に反応を行い、標題の化合物を得た。ガスク
ロ収率100%であり(GL Sciences 社製カラム NB-1
、30m 、0. 25mm、100℃、10℃昇温/
分)、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で200であった。
光学純度の測定は、トリフルオロ酢酸を用いて塩化メチ
レン中でカルボン酸とし、(R)−1−(1−ナフチ
ル)エチルアミンとアミドを合成し、高速液体クロマト
グラフィー分析を行った結果(ダイセル化学製Chiralce
l OD-H、25cm、0. 46cm、ヘキサン:イソプロピル
アルコール=95:5、1. 0ml/分、254nm)、絶
対配置は標品との比較より(S)体で光学純度は94.
27%eeであることが確認された。
造:Ru−I2 −[(S)−T−BI NAP]の61.
0mg(0.0297mmol)と3−オキソオクタン酸te
rtブチルの1. 27g(5. 93mmol)をtert−
ブタノ−ルの5. 1mlと水0. 03mlを仕込み、実施例
11と同様に反応を行い、標題の化合物を得た。ガスク
ロ収率100%であり(GL Sciences 社製カラム NB-1
、30m 、0. 25mm、100℃、10℃昇温/
分)、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で200であった。
光学純度の測定は、トリフルオロ酢酸を用いて塩化メチ
レン中でカルボン酸とし、(R)−1−(1−ナフチ
ル)エチルアミンとアミドを合成し、高速液体クロマト
グラフィー分析を行った結果(ダイセル化学製Chiralce
l OD-H、25cm、0. 46cm、ヘキサン:イソプロピル
アルコール=95:5、1. 0ml/分、254nm)、絶
対配置は標品との比較より(S)体で光学純度は94.
27%eeであることが確認された。
【0057】〔実施例14〕 (S)−3−ヒドロキシオクタン酸メチルの製造:Ru
−I2 −[(S)−T−BI NAP]の32. 2mg
(0. 0156mmol)と3−オキソオクタン酸メチルの
5. 36g(31. 1mmol)をメタノ−ル21. 44ml
と水0. 1mlに仕込み、実施例9と同様に反応を行い、
標題の化合物を得た。収率については実施例11と同様
に行った。ガスクロ収率は100%であり、触媒活性は
タ−ンオ−バ−数で2000であった。光学純度の測定
は、水酸化ナトリウムを用いて水、メタノール中でカル
ボン酸とし、(R)−1−(1−ナフチル)エチルアミ
ンとアミドを合成し、高速液体クロマトグラフィー分析
を行った結果(ダイセル化学製Chiralcel OD-H、25c
m、0. 46cm、ヘキサン:イソプロピルアルコール=
95:5、1. 0ml/分、254nm)、絶対配置は標品
との比較より(S)体で光学純度は99. 03%eeで
あることが確認された。
−I2 −[(S)−T−BI NAP]の32. 2mg
(0. 0156mmol)と3−オキソオクタン酸メチルの
5. 36g(31. 1mmol)をメタノ−ル21. 44ml
と水0. 1mlに仕込み、実施例9と同様に反応を行い、
標題の化合物を得た。収率については実施例11と同様
に行った。ガスクロ収率は100%であり、触媒活性は
タ−ンオ−バ−数で2000であった。光学純度の測定
は、水酸化ナトリウムを用いて水、メタノール中でカル
ボン酸とし、(R)−1−(1−ナフチル)エチルアミ
ンとアミドを合成し、高速液体クロマトグラフィー分析
を行った結果(ダイセル化学製Chiralcel OD-H、25c
m、0. 46cm、ヘキサン:イソプロピルアルコール=
95:5、1. 0ml/分、254nm)、絶対配置は標品
との比較より(S)体で光学純度は99. 03%eeで
あることが確認された。
【0058】〔実施例15〕 (R)−3−ヒドロキシオクタン酸メチルの製造:Ru
−I2 −[(R)−T−BI NAP]の8. 5mg(0.
00413mmol)と3−オキソオクタン酸メチルの1.
42g(31. 1mmol)をメタノ−ル6.0mlと水0.
03mlに仕込み、実施例12と同様に反応、分析を行
い、標題の化合物を得た。ガスクロ収率100%であ
り、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で2000であった。
絶対配置は(R)体で光学純度は98. 52%eeであ
った。
−I2 −[(R)−T−BI NAP]の8. 5mg(0.
00413mmol)と3−オキソオクタン酸メチルの1.
42g(31. 1mmol)をメタノ−ル6.0mlと水0.
03mlに仕込み、実施例12と同様に反応、分析を行
い、標題の化合物を得た。ガスクロ収率100%であ
り、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で2000であった。
絶対配置は(R)体で光学純度は98. 52%eeであ
った。
【0059】〔実施例16〕 (2R,3S)−2−(ベンズアミドメチル)−3−ヒ
ドロキシブタン酸メチルの製造:Ru−I2 −[(S)
−T−BI NAP]の10. 4mg(0. 01mmol)と2
−(ベンズアミドメチル)−3−オキソブタン酸メチル
の5. 0g(20. 06mmol)をアセトン20 mlと脱気
水0. 32mlとトリブロムエチレン5. 1mgに仕込み、
水素圧50kg/cm2、反応温度70℃で15時間攪拌し
た。得られた反応液を高速液体クロマトグラフィー分析
を行った結果、転化率95. 07%、ジアステレオマ−
比82. 7%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で1
900であった。(Nacalai tesque製カラム COSMOSIL
5SL 、25cm、0. 46cm、ヘキサン:クロロホルム:
メタノ−ル=85:12:3、1. 0ml/分、254n
m)。光学純度の測定は、(R)−(+)−α−メトキ
シ−α−トリフルオロメチルフェニル酢酸とでエステル
を合成し、高速液体クロマトグラフィ−で分析を行った
結果、光学純度は97. 9%eeであり、絶対配置は標
品との比較より(S)体であることが確認された(GL S
ciences 製カラムInertsil、25cm、0. 46cm、ヘキ
サン:THF =85:1 5、1. 0ml/分、254nm)。
これらの実施例9乃至16の生成物の構造式、絶対配
置、光学純度は表1にまとめた。
ドロキシブタン酸メチルの製造:Ru−I2 −[(S)
−T−BI NAP]の10. 4mg(0. 01mmol)と2
−(ベンズアミドメチル)−3−オキソブタン酸メチル
の5. 0g(20. 06mmol)をアセトン20 mlと脱気
水0. 32mlとトリブロムエチレン5. 1mgに仕込み、
水素圧50kg/cm2、反応温度70℃で15時間攪拌し
た。得られた反応液を高速液体クロマトグラフィー分析
を行った結果、転化率95. 07%、ジアステレオマ−
比82. 7%であり、触媒活性はタ−ンオ−バ−数で1
900であった。(Nacalai tesque製カラム COSMOSIL
5SL 、25cm、0. 46cm、ヘキサン:クロロホルム:
メタノ−ル=85:12:3、1. 0ml/分、254n
m)。光学純度の測定は、(R)−(+)−α−メトキ
シ−α−トリフルオロメチルフェニル酢酸とでエステル
を合成し、高速液体クロマトグラフィ−で分析を行った
結果、光学純度は97. 9%eeであり、絶対配置は標
品との比較より(S)体であることが確認された(GL S
ciences 製カラムInertsil、25cm、0. 46cm、ヘキ
サン:THF =85:1 5、1. 0ml/分、254nm)。
これらの実施例9乃至16の生成物の構造式、絶対配
置、光学純度は表1にまとめた。
【0060】
【表1】
【0061】
【発明の効果】本発明は、安価なルテニウム−ヨ−ド−
光学活性ホスフィン錯体を用いてβ−ケト酸類を不斉水
素化することにより、医薬品を合成するための中間体、
生分解性高分子用モノマ−を合成するための中間体、あ
るいは液晶材料その他各種用途のための有用な化合物で
ある光学活性アルコ−ルを、効率良く製造することので
きる工業的に優れた方法である。
光学活性ホスフィン錯体を用いてβ−ケト酸類を不斉水
素化することにより、医薬品を合成するための中間体、
生分解性高分子用モノマ−を合成するための中間体、あ
るいは液晶材料その他各種用途のための有用な化合物で
ある光学活性アルコ−ルを、効率良く製造することので
きる工業的に優れた方法である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07C 233/83 C07C 233/83 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 C07M 7:00 (72)発明者 萩 原 利 光 神奈川県平塚市西八幡1丁目4番11号 高 砂香料工業株式会社総合研究所内
Claims (5)
- 【請求項1】 次の一般式(1) 【化1】 {式中、R1 はハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ
基、低級アルキル置換アミノ基、ベンジルオキシ基また
はアリ−ル基からなる群から選ばれる置換基を有しても
良い炭素数1乃至8のアルキル基、トリフロロメチル基
またはアリ−ル基を示し、R2 は基OR4 (ここでR4
は炭素数1乃至8のアルキル基である)、基SR5 (こ
こでR5 は低級アルキル基またはフェニル基である)又
は基NR6 R7 (ここでR6 、R7 は水素原子、低級ア
ルキル基またはベンジル基で、R6 とR7 は同じでも異
なっていてもよい)、R3 は水素原子、ハロゲン原子、
低級アルキル基、エステル結合を持つアルキレン基、ア
ミド結合を持つアルキレン基を示し、R1 とR3 で環を
形成しても良い}で表されるβ−ケト酸誘導体を、一般
式(3) 【化2】 Ru−I2 −(R8 −BINAP)・・・(3) {式中、R8 −BINAPは式(4) 【化3】 (R8 は炭素数1乃至4の低級アルキル基、炭素数1乃
至4の低級アルコキシ基、炭素数1乃至4の低級アルキ
ルアミノ基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置
換基を有してもよいアリ−ル基または炭素数3乃至8の
シクロアルキル基を示す)で示される光学活性な第三級
ホスフィンを示す}で表される新規なルテニウム−光学
活性ホスフィン錯体を触媒として不斉水素化を行うこと
を特徴とする次の一般式(2) 【化4】 (R1 、R2 及びR3 は上記と同じ意味を有する)で表
される光学活性アルコ−ルの製造方法。 - 【請求項2】 新規なルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体が31P−NMRでδ値が−1乃至12 ppmの範囲に
1本あるいは2本の二重線を持ち、δ値が66乃至81
ppmであるルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯
体である請求項1記載の光学活性アルコ−ルの製造方
法。 - 【請求項3】 新規なルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体が一般式(5) 【化5】 [RuI(arene)(R8 −BINAP)]I ・・・(5) {式中、areneはベンゼン環を有する炭化水素、R
8 −BINAPは式(4)(R8 は上記と同じ意味を有
する)で示される光学活性な第三級ホスフィンを示す}
で表されるルテニウム−光学活性ホスフィン錯体を極性
溶媒中で反応させることによって製造されるルテニウム
−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体である請求項1記載
の光学活性アルコ−ルの製造方法。 - 【請求項4】 新規なルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体が一般式(6) 【化6】[RuI2 (arene)]2 ・・・(6) (式中、areneはベンゼン環を有する炭化水素を表
す)と上記式(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)
で示される光学活性な第三級ホスフィンとを極性溶媒中
で反応させることによって製造される新規なルテニウム
−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体である請求項1記載
の光学活性アルコ−ルの製造方法。 - 【請求項5】 新規なルテニウム−光学活性ホスフィン
錯体が一般式(7) 【化7】 Ru(R9 COO)2 (R8 −BINAP)・・・(7) {式中、R9 は水素原子、低級アルキル基、ハロゲン化
低級アルキル基あるいは低級アルキル置換基を有してい
てもよいアリ−ル基を表し、R8 −BINAPは式
(4)(R8 は上記と同じ意味を有する)で示される光
学活性な第三級ホスフィンを示す}で表されるルテニウ
ム−光学活性ホスフィン錯体とホウフッ化水素酸および
無機ヨウ化物とを反応させることによって製造される新
規なルテニウム−ヨ−ド−光学活性ホスフィン錯体であ
る光学活性アルコ−ルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10119911A JPH11302226A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 光学活性アルコ−ルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10119911A JPH11302226A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 光学活性アルコ−ルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11302226A true JPH11302226A (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=14773256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10119911A Pending JPH11302226A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 光学活性アルコ−ルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11302226A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001066509A1 (en) * | 2000-03-07 | 2001-09-13 | Daikin Industries Ltd. | PROCESS FOR PRODUCING α,α-DIFLUORO- β -KETOESTER |
JP2002037760A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-06 | Takasago Internatl Corp | 光学活性アルコールの製造方法 |
WO2010123111A1 (ja) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | (3R)-3-ヒドロキシブタン酸-l-メンチル、その製造方法およびこれを含有する感覚刺激組成物 |
WO2010123110A1 (ja) | 2009-04-24 | 2010-10-28 | 高砂香料工業株式会社 | (3S)-3-ヒドロキシブタン酸-l-メンチルの製造方法および感覚刺激組成物 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10119911A patent/JPH11302226A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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