JP2002008499A - 真空遮断器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 再点弧特性を安定化させ電流遮断特性の優れ
た真空遮断器を提供する。 【解決手段】 真空遮断器の接点を、Ｃｒ粒子と、これ
を取り囲むＣｕ相とで構成した焼結後または溶浸後のＣ
ｕＣｒ合金で構成し、このＣｕＣｒ合金に対して、７５
０〜９５０℃の温度の熱処理を与えた後、室温にまで冷
却した時の、ＣｕＣｒ合金中のＣｕマトリックス相のマ
イクロビッカース硬さ値Ｈｖを６０以上とし、かつ、Ｃ
ｕＣｒ合金中のＣｒ粒子のうちの、２０μｍより大きい
粒子直径を持つＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値Ｈ
ｖを２４０以下とする。これにより、機械的開閉時や被
アーク時の接点表面の損傷を軽減することができ、再点
弧特性を安定化させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、優れた遮断特性
と再点弧抑制特性とを備えた真空遮断器に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空中でのアーク拡散性を利用して、高
真空中で電流遮断を行わせる真空バルブの接点は対向す
る固定、可動の２つの接点から構成されている。

【０００３】真空遮断器には、大電流断性能、耐電圧性
能、耐溶着性能の基本的３要件の他に再点弧現象の発生
の抑制が重要な要件となっている。

【０００４】しかしながら、これらの要件の中には相反
するものがある関係上、単一の金属種によって総ての要
件を満足させる事は不可能である。この為実用されてい
る多くの接点材料に於いては、不足する性能を相互に補
うような２種以上の金属、金属と化合物を組合せる事に
よって、例えば大電流用、高耐圧用などのように特定の
用途に合った接点材料の選択採用が行われ、それなりに
優れた特性を持つ真空バルブが開発されているが、さら
に強まる要求を充分満足する真空バルブは未だ得られて
いないのが実情である。

【０００５】例えば、大電流遮断性を目的とした接点と
して、Ｃｒを５０重量％程度含有させたＣｕ−Ｃｒ合金
（特公昭４５−３５１０１号）が知られている。この合
金は、Ｃｒ自体がＣｕと略同等の蒸気圧特性を保持しか
つ強力なガスのゲッタ作用を示す等の効果で高電圧大電
流断性を実現し、高耐圧特性と大容量遮断性とを両立さ
せ得る接点として多用されている。

【０００６】この合金は、活性度の高いＣｒを使用して
いる事から、原料粉の選択、不純物の混入、雰囲気の管
理などに十分に配慮しながら接点素材を製造（焼結工程
など）したり、接点素材から接点片への加工に配慮しな
がら接点製品としている。

【０００７】しかし、この様な配慮を加えながら製造し
た接点であっても再点弧の発生が見られ、これが引金と
なって遮断性能を低下させる場合が見られ、その改善が
望まれている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ＣｕＣｒ接点は、両者
の高温度での蒸気圧特性が近似していることの寄与とし
て、遮断した後でも接点表面は比較的平滑な損傷特性を
示し、安定した電気特性を発揮している。しかし近年で
は一層の大電流遮断やより高電圧が印加される可能性の
ある回路への適応が日常的に行われる結果、接点として
加工した新品時の表面状態、電流遮断後の接点表面の損
傷状態などによっては、再点弧の誘発が見られる様にな
ってきた。すなわち加工時の表面状態や、電流遮断によ
って異常的に損傷・消耗した接点表面では、次の定常電
流の開閉時の接触抵抗の異常上昇や温度の異常上昇を引
起す原因となったり、耐電圧不良を示し再点弧発生の一
因となっている。

【０００９】研究によれば、ＣｕＣｒ合金の再点弧特性
と遮断特性は、合金中のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度
分布、Ｃｒ粒子の偏析の程度、合金中に存在する空孔の
程度などに依存することが判明した。しかしその最適化
を進めているにも拘らず、上述した近年の適応状況の過
酷化で、まだばらつきが見られ、両特性を兼備した真空
バルブが必要となって来た。

【００１０】この発明の目的は、再点弧特性を安定化さ
せ電流遮断特性の優れた真空遮断器を提供することにあ
る。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記発明の目的を達成す
る為に、請求項１に記載の本発明に係る真空遮断器は、
Ｃｒ粒子と、これを取り囲むＣｕ相とで構成した焼結
後または溶浸後のＣｕＣｒ合金からなり、ＣｕＣｒ合金
に対して、７５０〜９５０℃の温度の熱処理を与えた
後、室温にまで冷却した時の、ＣｕＣｒ合金中のＣｕマ
トリックス相のマイクロビッカース硬さ値Ｈｖが６０以
上であって、かつ、ＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒子のうち
の、２０μｍより大きい粒子直径（粒子形状が多角形、
楕円、不定形粒子の場合には、その面積を円の面積に換
算した時の円の直径）を持つＣｒ粒子のマイクロビッカ
ース硬さ値Ｈｖが２４０以下である接点を備えたことを
特徴とする。

【００１２】まず、７５０〜９５０℃での熱処理の後、
室温にまで冷却した後のＣｕの硬さ値Ｈｖは、一般には
Ｈｖ＝６０未満である。これでは、硬さ値が十分高くな
い為、機械的開閉時や被アーク時の接点表面は損傷を受
け易い。その結果再点弧特性の安定化に対しては十分で
ない事が判った。

【００１３】これに対して、７５０〜９５０℃の温度の
熱処理を与え、室温にまで冷却した時のＣｕマトリック
ス相の硬さ値Ｈｖを、Ｈｖ＝６０以上とする事によっ
て、機械的開閉時や被アーク時の接点表面の損傷は軽減
される。硬さ値Ｈｖを、Ｈｖ＝６０以上とする手段は、
例えば、Ｃｕ相中に分散するＣｒ粒子自体の粒度分布の
調整、Ｃｒ粒子中に存在する微量成分の種類や量の調
整、Ｃｕ相中へのＣｒの析出状態の調整、Ｃｒ粒子内に
残存する歪みの調整など冶金的手段を適宜選択する事に
よって可能である。

【００１４】一方、７５０〜９５０℃の温度の熱処理を
与え、室温にまで冷却した時のＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒
子の硬さ値Ｈｖを、Ｈｖ＝２４０以下とする事によっ
て、機械的開閉時や被アーク時の接点表面の損傷は軽減
される。硬さ値をＨｖ＝２４０以下とするために、一般
に数μｍから数１００μｍの粒子直径を持つ通常のＣｒ
粒子を製造するには、塊状のＣｒを粉砕法によって粉末
化する。粉末化する工程でＣｒ塊に対して与える機械的
な強加工によって、粉砕後のＣｒ粉内部に残留する歪み
の大きさを加工度や熱処理温度を調整するなど機械的、
熱的手段を適宜選択する事によって可能である。

【００１５】粉砕後のＣｒは、通常Ｈｖ＝２４０超（２
４０を超えた値）〜３００の硬さを有している。この様
にＨｖ値がＨｖ＝２４０超（２４０を超えた値）である
Ｃｒ粒子では、開閉、遮断時の機械的、熱的衝撃によっ
て亀裂が発生したり、破断または分裂しその一部がＣｕ
マトリックス相から脱落するのが見られる。粉末化工程
での加工度調整や歪み取り処理、或いは合金化後の否み
取り処理によって得たＨｖ＝２４０以下にあるＣｒ粒子
では、この様な状態は観察されない。

【００１６】すなわちＣｒ粒子の硬さ値Ｈｖを、Ｈｖ＝
２４０以下とする事と前記したＣｕマトリックス相の硬
さ値Ｈｖを、Ｈｖ＝６０以上とする事との組み合わせに
よる相乗的効果によって、特に再点弧発生頻度を低減す
ると共に再点弧発生のバラツキ幅も低減する。

【００１７】なお、Ｃｒ粒子のうちの２０μｍより大き
い粒子直径を持つＣｒ粒子の硬さ値を注目し対象として
いるのは、２０μｍより小さいＣｒ粒子では、測定技術
上Ｃｕ相の影響を受ける為、測定する硬さ値の精度が十
分でない理由による。以下の記載に於いても、同様であ
る。

【００１８】請求項２に記載の本発明に係る真空遮断器
は、Ｃｒ粒子のうち６０〜３００μｍの範囲の粒子直径
を持つ第１のＣｒ粒子を５０重量％以上としたＣｒ粒子
と、これを取り囲むＣｕ相とで構成した焼結後または溶
浸後のＣｕＣｒ合金からなり、ＣｕＣｒ合金に対して、
７５０〜９５０℃の温度の熱処理を与えた後、室温にま
で冷却した時の、ＣｕＣｒ合金中のＣｕマトリックス相
のマイクロビッカース硬さ値Ｈｖが６０以上であって、
かつ、ＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒子のうちの、２０μｍよ
り大きい粒子直径を持つＣｒ粒子のマイクロビッカース
硬さ値Ｈｖが２４０以下である接点を備えたことを特徴
とする。

【００１９】ここで、請求項２に記載の本発明では全Ｃ
ｒ粒子のうちの少なくとも５０重量％が、６０〜３００
μｍの範囲の粒子直径を持つ第１のＣｒ粒子としたＣｒ
粒子と、残部がＣｕ相とで構成したＣｕＣｒ合金に対し
て、所定の熱処理を経た後のＣｕマトリックス相の硬さ
値Ｈｖを、Ｈｖ＝６０以上、全Ｃｒ粒子のうちの２０μ
ｍより大きい粒子直径を持つＣｒ粒子の硬さ値Ｈｖを、
Ｈｖ＝２４０以下とする要件を付与する事によって、接
点の耐アーク消耗性を向上し、その結果、再点弧特性の
安定化に貢献する。しかし全Ｃｒ粒子のうちの第１のＣ
ｒ粒子の量が５０重量％未満では、材料のアーク消耗が
大となり、接点表面の荒れを大とし、その結果、再点弧
の発生頻度のバラツキ幅を増大させる。

【００２０】請求項３に記載の本発明に係る真空遮断器
は、Ｃｒ粒子のうち６０〜３００μｍの範囲の粒子直径
を持つ第１のＣｒ粒子を５０重量％以上とし、４４μｍ
以下の粒子直径を持つ第２のＣｒ粒子を５０重量％以下
としたＣｒ粒子と、これを取り囲むＣｕ相とで構成した
焼結後または溶浸後のＣｕＣｒ合金からなり、ＣｕＣｒ
合金に対して、７５０〜９５０℃の温度の熱処理を与え
た後、室温にまで冷却した時の、ＣｕＣｒ合金中のＣｕ
マトリックス相のマイクロビッカース硬さ値Ｈｖが６０
以上であって、かつ、２０μｍより大きい粒子直径を持
つＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値Ｈｖが２４０以
下である接点を備えたことを特徴とする。

【００２１】すなわち、全Ｃｒ粒子のうちで６０〜３０
０μｍの範囲の粒子直径を持つ第１のＣｒ粒子を５０重
量％以上、４４μｍ以下の範囲の持つ第２のＣｒ粒子を
５０重量％以下としたＣｒと、残部がＣｕ相とで構成し
たＣｕＣｒ合金に対して、所定の熱処理を経た後のＣｕ
マトリックス相の硬さ値ＨｖをＨｖ＝６０以上、全Ｃｒ
粒子のうちの２０μｍより大きい粒子直径を持つＣｒ粒
子の硬さ値ＨｖをＨｖ＝２４０以下とする要件を付与す
る事によって、アークの集中を更に低減化しその結果、
再点弧特性を安定化させると共に遮断特性の向上を両立
させる。

【００２２】請求項４に記載の本発明に係る真空遮断器
は、６０〜３００μｍの範囲の粒子直径を持つ第１のＣ
ｒ粒子を５０重量％以上、４４μｍ以下の粒子直径を持
つ第２のＣｒ粒子を５０重量％以下、第１のＣｒ粒子と
第２のＣｒ粒子との間の粒子直径を持つ第３のＣｒ粒子
を１０重量％以下としたＣｒ粒子群と、これらを取り囲
むＣｕ相とで構成した焼結または溶浸後のＣｕＣｒ合金
からなり、ＣｕＣｒ合金に対して、７５０〜９５０℃の
温度の熱処理を与えた後、室温にまで冷却した時の、Ｃ
ｕＣｒ合金中のＣｕマトリックス相の硬さ値Ｈｖが６０
以上であって、かつ、２０μｍより大きい粒子直径を持
つＣｒ粒子の硬さ値Ｈｖが２４０以下である接点を備え
たことを特徴とする。

【００２３】すなわち、全Ｃｒ粒子のうちで、６０〜３
００μｍの範囲の持つ第１のＣｒ粒子を５０重量％以
上、４４μｍ以下の範囲の持つ第２のＣｒ粒子を５０重
量％以下、第１のＣｒ粒子と第２のＣｒ粒子との間の粒
子直径を持つ第３のＣｒ粒子を１０重量％以下としたＣ
ｒ粒子と、残部がＣｕ相とで構成したＣｕＣｒ合金に対
して、所定の熱処理を経た後のＣｕマトリックス相の硬
さ値ＨｖをＨｖ＝６０以上、全Ｃｒ粒子のうちの２０μ
ｍより大きい粒子直径を持つＣｒ粒子の硬さ値ＨｖをＨ
ｖ＝２４０以下とする要件を付与する事によって、アー
クの集中を一層低減化し、その結果、再点弧特性を安定
化させると共に遮断特性の向上を両立させる。更に第１
のＣｒ粒子、第２のＣｒ粒子、及び第３のＣｒ粒子の量
をこのような比率に制御する事によって、遮断特性のバ
ラツキ幅も縮小させる。

【００２４】請求項５に記載の本発明は、請求項１乃至
請求項４のいずれかに記載の真空遮断器において、Ｃｒ
粒子の合計が５〜６０重量％であり、残部がＣｕである
ことを特徴とする。

【００２５】ここで、所定の熱処理を経た後のＣｕマト
リックス相の硬さ値ＨｖをＨｖ＝６０以上、全Ｃｒ粒子
のうちの２０μｍより大きい粒子直径を持つＣｒ粒子の
硬さ値ＨｖをＨｖ＝２４０以下とする要件を付与したＣ
ｕＣｒ合金のＣｒ量の合計が、５重量％未満では所定の
要件を付与しても、耐アーク消耗性の低下および導電性
の低下とによって再点弧特性、遮断特性が共に不安定と
なる。

【００２６】一方、ＣｕＣｒ合金のＣｒ量の合計が８０
重量％以上では、温度上昇特性と接触抵抗特性が不安定
となり、やはり再点弧特性、遮断特性が共に不安定とな
る。

【００２７】なお、請求項１乃至請求項５のいずれかに
記載の真空遮断器において、ＣｕＣｒ合金におけるＣｒ
粒子の合計を５〜６０重量％とし、補助成分としてＢ
ｉ、Ｐｂ、Ｓｂの１つを１重量％以下、若しくはＴｅ、
Ｓｅの１つを５重量％以下加え、残部をＣｕとすること
もできる。

【００２８】ここで、Ｃｕ相中での所定量のＢｉの存在
は、１重量％以下なら電流遮断後の接点表面荒れを少な
く安定化させ再点弧発生レベルを一層低くする。１重量
％以上のＢｉでは再点弧発生の頻度を増加させて好まし
く無い。同様にＣｕ相中での所定量のＴｅ、Ｓｅ、Ｐ
ｂ、Ｓｂの存在も、電流遮断後の接点表面荒れを安定化
させ再点弧発生レベルを低くする。

【００２９】更に、補助成分としてＡｌまたはＳｉを１
重量％以下加えても良い。

【００３０】ここで、所定量のＡｌの存在は、再点弧発
生レベルを低くすると共に、更に電流遮断特性も安定化
させる。また、Ａｌの量が１重量％を超えると遮断時の
大きなエネルギ処理の為の接点片表面の荒れを招き、耐
消耗特性と耐溶着特性の低下と再点弧特性の不安定化を
招く。また所定量のＳｉの存在も、再点弧発生レベルを
低くすると共に、更に電流遮断特性も安定化させる。ま
た、Ｓｉの量が１重量％を超えると遮断時の大きなエネ
ルギ処理の為の接点片表面の荒れを招き、耐消耗特性と
耐溶着特性の低下と再点弧特性の不安定化を招く。

【００３１】請求項６に記載の本発明は、請求項１乃至
請求項５のいずれかに記載の真空遮断器において、Ｃｒ
粒子の一部を、５０重量％未満のＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｍｏより選ばれた１つによって置換したことを
特徴とする。

【００３２】ここで、Ｃｒの一部をＣｒ量に対して５０
重量％未満のＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏの１つに
よって置換する事によって、Ｃｕ−Ｃｒ接点素材全体の
機械的強度を大とし、Ｃｒ粒子の脱落が引き金となって
引起される再点弧発生を軽減化する。Ｃｒに対するＴ
ｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏの量が５０重量％を超え
るとこれらの元素が主因となる熱電子放出が盛んとな
り、遮断特性を低下させる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
詳細に説明する。

【００３４】Ｃｕ−Ｃｒ接点の材料状態と再点弧発生に
ついて発明者らの観察では遮断前後の材料特性と再点弧
のバラツキ発生との間の関連性について以下の様な知見
を得た。

【００３５】Ｃｕ−Ｃｒ接点は、研磨、研削や切削手段
によって仕上げ加工するのが一般である。しかし、Ｃｕ
−Ｃｒの諸内容（製造条件や加工条件など）を一定とし
ても、なお再点弧の発生や遮断特性にバラツキが見られ
ていた。発明者らの観察の結果、接点表面にはＣｒ粒子
の脱落、剥離、Ｃｒ粒子端部の欠け、引っかき状の傷、
Ｃｕ相部分の流れ（ＣｕがＣｒ粒子上にまでかぶさる）
など種々存在していた。その一因として接点面上でのミ
クロ領域での加工性の差異、すなわち再点弧発生のバラ
ツキとミクロ領域での硬度の均一度の違いとの間に相関
性を認めた。この傾向は、接点素材の製造ロット間で、
および１枚の接点のミクロ領域中でも観察された。

【００３６】一般に、７５０〜９５０℃の温度の熱処理
を与えた時の室温でのＣｕ（純銅）の硬さ値Ｈｖは、Ｈ
ｖ＝６０未満である。Ｃｒ粒子の粒度分布などを適宜選
択する事によって、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｕ相の硬さ値
ＨｖをＨｖ＝６０以上とすると、機械的開閉や被アーク
後の接点表面の損傷を軽減し、その結果再点弧発生頻度
を低減すると共に再点弧発生のバラツキ幅も低減する。

【００３７】数μｍから数１０μｍの粒子直径を持つ通
常のＣｒ粒子を製造するには、塊状Ｃｒを粉砕して粉末
化する。この際Ｃｒ塊には機械的な強加工が加わるの
で、Ｃｒ内には歪みの残留や微量不純物が残存する。そ
の影響でＣｒは、Ｈｖ＝２４０超（２４０を超えた値）
〜３００の硬さを持つ。硬さ値ＨｖがＨｖ＝２４０超
（２４０を超えた値）であるＣｒ粒子では開閉遮断時の
機械的、熱的衝撃によって亀裂発生、破断、分裂や、そ
の一部がＣｕ相から脱落する等の現象が見られる。これ
に対してＣｒ粒子の粒度分布の調整、粉末化工程での加
工度調整や歪み取り処理、或いは合金化後の歪み取り処
理等によって得たＨｖ＝２４０以下にあるＣｒ粒子で
は、この様な状態は観察されない。

【００３８】すなわち、Ｃｕ−Ｃｒ中のＣｒ粒子の硬さ
ＨｖをＨｖ＝２４０以下とし、Ｃｕ相の硬さＨｖをＨｖ
＝６０以上とする事によって、Ｃｕ−Ｃｒ合金中のＣｒ
粒子とＣｕ相との硬度の差が小となり、接点の機械的仕
上げ加工の際に好ましい加工表面状態が得られ、目標と
する低再点弧化に対して好ましい状態となる。

【００３９】これに対して、Ｈｖ＝２４０超（２４０を
超えた値）であるＣｒ粒子でＨｖ＝６０未満のＣｕ相を
持つ接点を選択すると、Ｃｒ粒子とＣｕ相との硬度の差
が大となり、接点の機械的仕上げ加工に際し、好ましい
加工表面状態が得られず、アークの停滞、集中を招く結
果、接点面の局部的異常蒸発現象の発生や表面荒れの生
成などによって、低再点弧化と共に遮断特性の向上に対
して不利益となっている。

【００４０】このような接点に外部磁界（例えば縦磁
界）を与え一定値以上の電流値を遮断すると、アークは
接点画の予測出来ない一点もしくは複数点の場所で停滞
する傾向を示し、最終的には接点の一部分を異常融解さ
せ遮断限界に至る。また異常融解によって瞬時的な爆発
的蒸発によって発生した金属蒸気は、開極過程にあった
真空遮断器の絶縁回復性を著しく阻害し、遮断限界の一
層の劣化を招く。さらに異常融解は、巨大な融滴を作り
接点面の荒れを招き、その結果、材料の異常な消耗、耐
電圧特性の低下、再点弧発生率の増加をも招く。これら
の現象の一因となるアークが、接点面上のどこで停滞す
るかは全く予測出来ない以上、発生したアークが停滞さ
せることなく移動拡散できるような表面条件と移動拡散
を促進させる手段とを接点に与えることが望ましい。本
実施形態は、その望ましい一条件を提供するものであ
る。

【００４１】ＣｕＣｒ合金の特性の安定化には、合金中
のＣｒ量の変動、Ｃｒ粒子の粒度、粒度分布、Ｃｒの偏
析の程度、合金中に存在する空孔の程度などに依存す
る。特に再点弧特性のより一層の安定化には、上記に加
えてＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒子とＣｕマトリックスとの
相互の関係によって形成される表面形態が、極めて重要
である事が分かった。すなわち真空バルブの再点弧の発
生頻度は、合金中のＣｒとＣｕとの硬度関係について、
注目する必要がある事が判明した。

【００４２】ここで、以下の実施例、比較例の特性評価
の条件、方法について説明する。 （１）遮断特性：直径７０ｍｍの接点を装着した遮断テ
スト用実験バルブを開閉装置に取り付けると共に、ベー
キング、電圧エージング等を与えた後、２４ｋＶ、５０
Ｈｚの回路に接続し、電流をほぼ１ｋＡずつ増加しなが
ら遮断限界を真空バルブ３本につき比較評価した。 （２）再点弧特性：直径３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状
接点片を、ディマウンタブル型真空バルブに装着し、２
４ｋＶ×５００Ａの回路を２０００回遮断した時の再点
弧発生頻度を表示した。

【００４３】尚、結果は発生頻度が、実施例１の発生数
を１．０とした時の倍率で、０．１未満の場合を
（Ａ）、０．１〜１．０を（Ｂ）、１．０〜１．５を
（Ｃ）、１．５〜３．０を（Ｄ）、３．０〜１０を
（Ｘ）、１０〜３０を（Ｙ）、３０以上を（Ｚ）として
表示した。 （３）供試Ｃｒ粉の内容：粒子直径が、６０〜３００μ
ｍの範囲にあるＣｒ粉を［Ｃｒ粒子１］、４４μｍ以下
の範囲にあるＣｒ粉を［Ｃｒ粒子２］、〔Ｃｒ粒子１〕
と［Ｃｒ粒子２］との間の範囲にあるＣｒ粉を［Ｃｒ粒
子３］とし、各々を準備した。

【００４４】以下、図１〜図６を参照して、実施例及び
比較例について説明する。

【００４５】（実施例１〜２、比較例１）まず、遮断テ
スト用実験バルブの組立ての概要を示す。端面の平均表
面粗さを約１．５μｍに研磨したセラミックス製絶縁容
器（主成分：ＡＬ₂Ｏ₃）を用意し、このセラミックス製
絶縁容器については、組立て前に１６００℃の前加熱処
理を施した。封着金具として、板厚さ２ｍｍの４２％Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金を用意した。ロウ材として、厚さ０．１ｍ
ｍの７２％Ａｇ−Ｃｕ合金板を用意した。上記用意した
各部材を被接合物間（セラミックス製絶縁容器の端面と
封着金具）に気密封着接合が可能のように配置して、５
×１０^-4Ｐａの真空雰囲気で封着金具とセラミックス製
絶縁容器との気密封着工程に供した。

【００４６】次いで、供試接点材料の内容、製造条件に
ついて示す。

【００４７】まず、粒子直径が６０〜３００μｍの範囲
にあるＣｒ粉を［Ｃｒ粒子１］、４４μｍ以下の範囲に
あるＣｒ粉を［Ｃｒ粒子２］とし、各々を準備した。

【００４８】実施例１として、［Ｃｒ粒子１］から選ば
れたＣｒと、別途用意したＣｕ粉をＣｕ−２５重量％Ｃ
ｒとなる様に混合した。

【００４９】実施例２として、［Ｃｒ粒子１］と［Ｃｒ
粒子２］との比率が、［Ｃｒ粒子１］５０〜７５重量
％、［Ｃｒ粒子２］２５〜５０重量％の如くに混合した
Ｃｒと、別途用意したＣｕ粉をＣｕ−２５重量％Ｃｒと
なる様に混合した。

【００５０】比較例１として、［Ｃｒ粒子１］と［Ｃｒ
粒子２］との比率が、［Ｃｒ粒子１］１０〜２５重量
％、［Ｃｒ粒子２］７５〜９５重量％の如くに混合した
Ｃｒと、別途用意したＣｕ粉をＣｕ−２５％Ｃｒとなる
様に混合した。

【００５１】各々の混合粉を４トン／ｍｍ²で成型、焼
結してＣｕ−２５％Ｃｒ合金を得た。

【００５２】評価は、Ｃｕ粉、Ｃｒ粉の成型体に対し
て、１０６０℃の加熱処理を与えてＣｕ−２５％Ｃｒ合
金とした。各特性評価は、実施例１の特性を標準としそ
の相対値とした（硬度の調整の為には適宜温度を選
択）。

【００５３】本発明の趣旨は、所定の粒子直径を持つＣ
ｒ粉を所定の比率混合、焼結して得たＣｕ−Ｃｒ合金に
対して、７５０〜９５０℃の温度の再加熱処理を与え室
温にまで冷却した後の、該合金中のＣｕ相の硬度Ｈｖ及
びＣｒ粒子の硬度Ｈｖに注目している。

【００５４】そこでこの実施例、比較例では、該合金中
のＣｕ相に於いてはＨｖ＝６０〜７０、Ｃｒ粒子に於い
てはＨｖ＝１８０〜２４０の範囲にある素材を選出し試
験に供した。この際の硬度の調整は、ＣｕＣｒ成型体を
得る時の成型圧力、成型手段、７５０〜９５０℃の温度
での保持時間、再加熱後の冷却速度や使用するＣｒ粒子
中の他の成分の種類や含有成分量などを調整する事によ
って、制御は容易に可能である。

【００５５】これらの接点合金について前記条件による
再点弧特性、遮断特性を評価したところ、［Ｃｒ粒子
１］を１００重量％とした実施例１（標準サンプル）、
［Ｃｒ粒子１］を５０〜７５重量％とし残部を［Ｃｒ粒
子２］とした実施例２では、再点弧性は、（Ｂ）〜
（Ｄ）の範囲を示し安定した範囲を示した（実施例１〜
２）。

【００５６】標準としている実施例１の遮断特性が２０
ｋＡであるのに対して実施例２では、遮断特性も２０〜
２４ｋＡの範囲を示し更に安定した遮断特性示した。

【００５７】これに対して、前記Ｃｒの粒子直径の値を
６０〜３００μｍとした［Ｃｒ粒子１］を１０〜２５重
量％とし、残部を[Ｃｒ粒子２］とした時の再点弧特性
は、（Ｄ）〜（Ｘ）を示し著しい低下を示すと共に、遮
断特性も８〜２０ｋＡを示し著しい低下を示した（比較
例１）。

【００５８】再点弧特性、遮断特性を評価した後の接点
表面の顕微鏡観察によると、実施例１〜２の接点面の損
傷は、Ｃｒ粒子の脱落などは見られず、平坦な損傷であ
った。

【００５９】比較例１では、実施例１〜２と比較して、
接点はアーク消耗が大で、その表面荒れも大きく激しい
凹凸が発生している。特に実施例２は、実施例１と比較
してアークの集中が低減化され消耗が小でその表面荒れ
も少ない傾向を示した。所定比率内の［Ｃｒ粒子１］と
［Ｃｒ粒子２］とを存在させたＣｒの方が、被アーク後
も安定した表面状態を示している（実施例１〜２）。

【００６０】しかし［Ｃｒ粒子１］と［Ｃｒ粒子２］と
の比率が適切な範囲外の時には、その効果は発揮されて
いない（比較例１）。

【００６１】（実施例３〜４、比較例２〜３）前記実施
例１〜２では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中を７５０〜９５０℃に
再加熱し室温にまで冷却した時の、該合金中のＣｕ相の
硬さＨｖをＨｖ＝６０〜７０、Ｃｒ粒子の硬さＨｖをＨ
ｖ＝１８０〜２４０の範囲で一定とした上での、Ｃｒ粒
子中に占める［Ｃｒ粒子１］、［Ｃｒ粒子２］の比率を
変化させた時の再点弧特性、遮断特性に与える効果を示
した。

【００６２】しかし、本発明の技術はこれに限る事なく
［Ｃｒ粒子１］と［Ｃｒ粒子３］の比率を変えても、再
点弧特性、遮断特性に対して良い効果を発揮する。すな
わち、該合金中のＣｒ粒子中に占める［Ｃｒ粒子１］の
比率が９０〜９５重量％で残部［Ｃｒ粒子３］が５〜１
０重量％の時（実施例３）、[Ｃｒ粒子１]の比率が５０
〜７５重量％、［Ｃｒ粒子２］の比率が２０〜４５重量
％で残部［Ｃｒ粒子３］が５〜１０重量％の時（実施例
４）には、実施例１（標準）の特性と比較した再点弧特
性は実施例３では（Ｂ）〜（Ｃ）、実施例４では（Ａ）
〜（Ｂ）の範囲で安定した再点弧特性を示した。遮断特
性も、実施例３では２０〜２４ｋＡ、実施例４では２４
ｋＡの安定した高い遮断特性を発揮した（実施例３〜
４）。

【００６３】これに対して、前記Ｃｒの粒子直径の値を
６０〜３００μｍとした［Ｃｒ粒子１］を７０〜８５重
量％とし残部［Ｃｒ粒子３］を１５〜３０重量％とした
時の再点弧特性は（Ｄ）〜（Ｘ）を示し著しい低下を示
すと共に、遮断特性も８〜１６ｋＡを示し著しい低下を
示した（比較例２）。

【００６４】更に［Ｃｒ粒子１］の比率が７０〜８５重
量％、［Ｃｒ粒子２］の比率が２０〜４５重量％で残部
［Ｃｒ粒子３］を１５〜３０重量％とした時の再点弧特
性は（Ｄ）〜（Ｘ）を示し著しい低下を示すと共に、遮
断特性も８〜１６ｋＡを示し著しい低下を示した（比較
例３）。

【００６５】再点弧特性、遮断特性を評価した後の接点
表面の顕微鏡観察によると、実施例３〜４の接点面の損
傷は、Ｃｒ粒子の脱落などは見られず、平坦な損傷であ
った。比較例２〜３では、実施例３〜４と比較して、接
点はアーク消耗が大で、その表面荒れも大きく凹凸が発
生している。また比較例２では接点素材中のガス量の増
加で再点弧特性の低下、更に比較例３でもガス量の増加
で再点弧特性、遮断特性の大幅な低下が見られている。

【００６６】（比較例４〜５）前記実施例１〜４、比較
例１〜３では、Ｃｕ−Ｃｒ合金中を７５０〜９５０℃に
再加熱し室温にまで冷却した時の、該合金中のＣｕ相の
硬さとＣｒ粒子の硬さの両者が所定範囲（Ｃｕ相の硬さ
ＨｖはＨｖ＝６０〜７０、Ｃｒ粒子の硬さＨｖはＨｖ＝
１８０〜２４０の範囲）にある場合について、再点弧特
性、遮断特性に対して好ましい効果を発揮することを示
した。しかし、Ｃｕ相の硬さはＨｖ＝６０〜７０の好ま
しい範囲にあっても、Ｃｒ粒子の硬さがＨｖ＝２４０超
（２４０を超えた値）〜２７５の好ましくない範囲にあ
る時には、遮断特性が２０〜２４ｋＡの好ましい特性を
示しているにも係わらず、再点弧特性が（Ｄ）〜（Ｙ）
を示し著しい低下を示した（比較例４）。

【００６７】逆に、Ｃｒ粒子の硬さＨｖがＨｖ＝１８０
〜２１０の好ましい範囲にあっても、Ｃｕ相の硬さＨｖ
がＨｖ＝４０〜５０の好ましくない範囲にある時にも、
遮断特性が２０〜２４ｋＡの好ましい特性を示している
にも係わらず、再点弧特性が（Ｄ）〜（Ｘ）を示し著し
い低下を示した（比較例５）。

【００６８】再点弧特性、遮断特性を評価した後の接点
表面の顕微鏡観察によると、比較例４では、Ｃｒ粒子に
亀裂や割れの発生が観察され、再点弧特性に不安定性が
見られる。また比較例５では、Ｃｕ相には開閉または遮
断による表面傷が認められた。

【００６９】（実施例５〜７、比較例６〜７）前記実施
例１〜４、比較例１〜５では、ＣｕＣｒ合金中のＣｒ量
を２５重量％で一定とした上で、Ｃｕ−Ｃｒ合金を７５
０〜９５０℃に再加熱し室温にまで冷却した時の、該合
金中のＣｕ相の硬さＨｖをＨｖ＝６０〜７０、Ｃｒ粒子
の硬さＨｖをＨｖ＝１８０〜２４０の範囲に調整し、Ｃ
ｒ粒子中に占める［Ｃｒ粒子１］、［Ｃｒ粒子２］、
［Ｃｒ粒子３］の比率を変化させた時の再点弧特性、遮
断特性に与える効果を示した。

【００７０】しかし本発明の技術は、ＣｕＣｒ合金中の
Ｃｒ量が２５重量％に限る事なく、再点弧特性、遮断特
性に対して良い効果を発揮する。すなわち該合金中のＣ
ｒ量が５重量％の実施例５では（Ｃ）〜（Ｄ）、Ｃｒ量
が４０重量％の実施例６では（Ｂ）〜（Ｃ）、Ｃｒ量が
６０重量％の実施例７でも（Ｂ）〜（Ｃ）の範囲で安定
した再点弧特性を示した。更に遮断特性も、実施例５で
は２０〜２４ｋＡ、実施例６では１６〜２０ｋＡ、実施
例７では１６〜２０ｋＡの安定した高い遮断特性を発揮
した（実施例５〜７）。

【００７１】これに対して、該合金中のＣｒ量を２．５
重量％とした時の遮断特性は、１６〜２０ｋＡを示し合
格の範囲であるものの、耐アーク消耗と導電性の低下
で、再点弧特性は（Ｄ）〜（Ｘ）を示し著しい低下を示
した（比較例６）。更に該合金中のＣｒ量を８０重量％
とした時の再点弧特性は（Ｃ）〜（Ｄ）を示し合格の範
囲であるものの、逆に遮断特性は温度上昇特性、接触抵
抗特性の不安定化で、不安定な遮断特性を示し５〜１２
ｋＡと著しい低下を示した。(比較例７)。

【００７２】再点弧特性、遮断特性を評価した後の接点
表面の顕微鏡観察によると、実施例５〜７の接点面の損
傷は、Ｃｒ粒子の脱落などは見られず、平坦な損傷であ
り再点弧特性、遮断時性に対して好ましい表面状態を維
持している。比較例６〜７では、実施例５〜７と比較し
て、接点はアーク消耗が大で、その表面荒れも大きく凹
凸が発生している。

【００７３】（実施例８〜１４、比較例８〜９）前記実
施例１〜７、比較例１〜７では、特にＣｕＣｒ合金につ
いて、Ｃｕ−２５Ｃｒ合金を７５０〜９５０℃に再加熱
し室温にまで冷却した時の、該合金中のＣｕ相の硬さＨ
ｖをＨｖ＝６０〜７０、Ｃｒ粒子の硬さＨｖをＨｖ＝１
８０〜２４０の範囲に調整し、Ｃｒ粒子中に占める［Ｃ
ｒ粒子１］、[Ｃｒ粒子２］、［Ｃｒ粒子３］の比率を
所定範囲とした時の再点弧特性、遮断特性に与える効果
を示した。

【００７４】しかし本発明の技術は、ＣｕＣｒ合金に限
る事なく、遮断時の耐アーク性の機能を発揮するＣｒの
一部を、所定量の第１の補助成分Ｘ１（Ｘ１＝Ｔｉ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏの少なくとも１つ）で置換し
ＣｒＸ１としても、再点弧特性、遮断特性に対して良い
効果を発揮する。

【００７５】＜実施例８〜９、比較例８〜９＞すなわち
該合金中の１２．５％ＣｒにＸ１として７．５重量％の
Ｔｉを選択しＣｒ＋Ｔｉ＝２０重量％とした場合には、
（Ｂ）〜（Ｃ）の好ましい範囲の安定した再点弧特性を
示した（実施例８）。Ｃｒ＋Ｔｉ＝１２．５＋１２．５
＝２５重量％とした場合にも（Ｂ）〜（Ｃ）の好ましい
範囲の安定した再点弧特性を示した（実施例９）。更に
遮断特性も、実施例８では２４ｋＡ、実施例９でも２０
ｋＡの安定した高い遮断特性を発揮した（実施例８〜
９）。実施例８〜９では、接点の機械的強度を向上させ
た事が再点弧特性の安定化に寄与している。

【００７６】これに対して、該合金中の１２．５％Ｃｒ
にＸ１として３０重量％のＴｉを選択した場合（Ｃｒ＋
Ｔｉ＝４２．５重量％。Ｃｒ＜Ｘ１）には、１６〜２０
ｋＡの安定した遮断特性を発揮したものの、（Ｄ）〜
（Ｙ）の好ましくない不安定な再点弧特性を示した。Ｃ
ｒ量よりもＸ１量が多い為、遮断後の接点表面を平滑化
する作用を有するＣｒの効果が十分には発揮されていな
い（比較例８）。また該合金中の３０％ＣｒにＸ１とし
て３０重量％のＴｉを選択した場合（Ｃｒ＋Ｔｉ＝６０
重量％）には、５〜１２ｋＡの不安定な遮断特性を発揮
した上に、（Ｃ）〜（Ｘ）の好ましくない不安定な再点
弧特性を示した。Ｘ１量が多い為、遮断後の接点表面を
平滑化する作用を有するＣｒの効果が十分には発揮され
ない事による（比較例９）。観察によれば遮断後の比較
例８では、接点表面の荒れが増大している。また比較例
９では、遮断時の接点温度上昇が大で、遮断特性の低下
を示した。

【００７７】＜実施例１０〜１４＞上記実施例８〜９、
比較例８〜９では、Ｃｒに対する補助成分としてＴｉを
選択した場合の影響、Ｃｒ量に対するＸ１量（Ｔｉ量）
の限度について示したが、本発明に於けるＸ１は、Ｔｉ
に限る事なくＣｒの一部を所定量のＶ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｗ、Ｍｏ（実施例１０〜１４）で置換したＣｒＸ１とし
ても、（Ａ〜Ｂ）の範囲の再点弧特性、１６〜２０ｋＡ
の遮断特性を示し、同様の効果を発揮した。

【００７８】（実施例１５〜１６、比較例１０）前記実
施例８〜１４、比較例８〜９では、ＣｕＣｒ合金につい
て、遮断時に耐アーク性の機能を発揮するＣｒの一部を
第１の補助成分Ｘ１で置換した場合の再点弧特性、遮断
特性に対しする影響についてその効果を確認した。

【００７９】しかし本発明の技術は、耐アーク性の機能
を発揮するＣｒの一部を、所定量の第２の補助成分Ｘ２
としてＡｌ（アルミニウム）を含有したＣｒＸ２として
も、再点弧特性、遮断特性に対して良い効果を発揮する
（実施例１５〜１６）。

【００８０】補助成分Ｘ２としてのＡｌ量の所定量が、
０．０５重量％の時には（Ａ）〜（Ｂ）の好ましい範囲
の安定した再点弧特性と、２４ｋＡの安定した高い遮断
特性を発揮した（実施例１５）。更にＡｌ量の所定量が
０．１〜１．０重量％の時にも（Ｃ）〜（Ｄ）の好まし
い範囲の安定した再点弧特性と、２０ｋＡの安定した高
い遮断特性を発揮した（実施例１６）。しかしＡｌ量が
３．５重量％の場合には（Ｙ）〜（Ｚ）の好ましくない
不安定な再点弧特性と、遮断特性の低下（８〜１２ｋ
Ａ）を示した（比較例１０）。比較例１０では耐消耗
性、耐溶着性低下で再点弧特性の不安定化と遮断特性に
著しい低下が見られた。

【００８１】（実施例１７〜２６、比較例１１〜１５） ＜実施例１７〜１８、比較例１１＞遮断時に耐溶着性の
機能を発揮する１重量％以下の第３の補助成分Ｘ３（Ｘ
３＝Ｂｉ）を含有しても、（Ｃ）〜（Ｄ）の再点弧特
性、２０〜２４ｋＡ、１６〜２０ｋＡの遮断特性を示し
良好な特性を発揮する（実施例１７〜１８）。これに対
して５重量％の第３の補助成分Ｘ３（Ｘ３＝Ｂｉ）を含
有する時には、耐消耗性、耐溶溶着性の低下によって、
（Ｙ）〜（Ｚ）の再点弧特性を示し著しい不安定性を示
すと共に、遮断特性は５ｋＡ以下を示し大幅な低下とな
る（比較例１１）。

【００８２】＜実施例１９〜２０、比較例１２＞遮断時
に耐溶着性の機能を発揮する１重量％以下の第３の補助
成分Ｘ３（Ｘ３＝Ｐｂ）を含有しても、（Ｃ）〜（Ｄ）
の再点弧特性、２０〜２４ｋＡ、１６〜２０ｋＡの遮断
特性を示して良好な特性を発揮する（実施例１９〜２
０）。これに対して５重量％の第３の補助成分Ｘ３（Ｘ
３＝Ｐｂ）を含有する時には、耐消耗性、耐溶溶着性の
低下によって、（Ｚ）の再点弧特性を示し著しい不安定
性を示すと共に、遮断特性は５ｋＡ以下を示し大幅な低
下となる（比較例１２）。

【００８３】＜実施例２１〜２２、比較例１３＞遮断時
に耐溶着性の機能を発揮する１重量％以下の第３の補助
成分Ｘ３（Ｘ３＝Ｓｂ）を含有しても、（Ｃ）〜（Ｄ）
の再点弧特性、２０〜２４ｋＡ、１６〜２０ｋＡの遮断
特性を示し良好な特性を発揮する（実施例２１〜２
２）。これに対して５重量％の第３の補助成分Ｘ３（Ｘ
３＝Ｓｂ）を含有する時には、耐消耗性、耐溶着性の低
下によって、（Ｚ）の再点弧特性を示し著しい不安定性
を示すと共に、遮断特性は５ｋＡ以下を示し大幅な低下
となる（比較例１３）。

【００８４】＜実施例２３〜２４、比較例１４＞遮断時
に耐溶着性の機能を発揮する５重量％以下の第４の補助
成分Ｘ４（Ｘ４＝Ｔｅ）を含有しても、（Ｃ）〜（Ｄ）
の再点弧特性、２０〜２４ｋＡ，１６〜２０ｋＡの遮断
特性を示し良好な特性を発揮する（実施例２３〜２
４）。これに対して８重量％の第４の補助成分Ｘ４（Ｘ
４＝Ｔｅ）を含有する時には、耐消託性、耐溶着性の低
下によって、（Ｚ）の再点弧特性を示し著しい不安定性
を示すと共に遮断特性は５ｋＡ以下を示し大幅な低下と
なる（比較例１４）。

【００８５】＜実施例２５〜２６、比較例１５＞遮断時
に耐溶着性の機能を発揮する５重量％以下の第４の補助
成分Ｘ４（Ｘ４＝Ｓｅ）を含有しても、（Ｃ）〜（Ｄ）
の再点弧特性、２０〜２４ｋＡ，１６〜２０ｋＡの遮断
特性を示し良好な特性を発揮する（実施例２５〜２
６）。これに対して８重量％の第４の補助成分Ｘ４（Ｘ
４＝Ｓｅ）を含有する時には、耐消託性、耐溶着性の低
下によって、（Ｚ）の再点弧特性を示し著しい不安定性
を示すと共に、遮断特性は５ｋＡ以下を示し大幅な低下
となる（比較例１５）。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
再点弧特性を安定化させ電流遮断特性の優れた真空遮断
器を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施例１〜７、及び比較例１〜７の
評価条件を示す表図。

【図２】 本発明の実施例８〜１６、及び比較例８〜１
０の評価条件を示す表図。

【図３】 本発明の実施例１７〜２６、及び比較例１１
〜１５の評価条件を示す表図。

【図４】 本発明の実施例１〜７、及び比較例１〜７の
評価結果を示す表図。

【図５】 本発明の実施例８〜１６、及び比較例８〜１
０の評価結果を示す表図。

【図６】 本発明の実施例１７〜２６、及び比較例１１
〜１５の評価結果を示す表図。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｈ 11/04 Ｈ０１Ｈ 11/04 Ｄ // Ｃ２２Ｃ 1/04 Ｃ２２Ｃ 1/04 Ｐ (72)発明者 草野 貴史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中事業所内 (72)発明者 山本 敦史 東京都府中市東芝町１番地 株式会社東芝 府中事業所内 (72)発明者 南 淑子 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝横浜事業所内 Ｆターム(参考） 4K018 AA04 AA40 BA02 BA20 BB04 DA19 FA09 FA36 KA34 5G023 AA05 BA11 CA21 CA33 5G026 BA01 BA07 BB02 BB11 BB12 BB14 BB15 BB16 BB17 BB18 BC04 BC08 BC09 5G050 AA12 AA13 AA25 AA27 AA46 AA48 AA50 AA51 BA01 CA01 DA03 EA02 EA06

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Ｃｒ粒子と、これを取り囲むＣｕ相とで構
   成した焼結後または溶浸後のＣｕＣｒ合金からなり、前
   記ＣｕＣｒ合金に対して、７５０〜９５０℃の温度の熱
   処理を与えた後、室温にまで冷却した時の、前記ＣｕＣ
   ｒ合金中のＣｕマトリックス相のマイクロビッカース硬
   さ値Ｈｖが６０以上であって、かつ、前記ＣｕＣｒ合金
   中のＣｒ粒子のうちの、２０μｍより大きい粒子直径を
   持つＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ値Ｈｖが２４０
   以下である接点を備えたことを特徴とする真空遮断器。
2. 【請求項２】Ｃｒ粒子のうち６０〜３００μｍの範囲の
   粒子直径を持つ第１のＣｒ粒子を５０重量％以上とした
   Ｃｒ粒子と、これを取り囲むＣｕ相とで構成した焼結後
   または溶浸後のＣｕＣｒ合金からなり、前記ＣｕＣｒ合
   金に対して、７５０〜９５０℃の温度の熱処理を与えた
   後、室温にまで冷却した時の、前記ＣｕＣｒ合金中のＣ
   ｕマトリックス相のマイクロビッカース硬さ値Ｈｖが６
   ０以上であって、かつ、前記ＣｕＣｒ合金中のＣｒ粒子
   のうちの、２０μｍより大きい粒子直径を持つＣｒ粒子
   のマイクロビッカース硬さ値Ｈｖが２４０以下である接
   点を備えたことを特徴とする真空遮断器。
3. 【請求項３】Ｃｒ粒子のうち６０〜３００μｍの範囲の
   粒子直径を持つ第１のＣｒ粒子を５０重量％以上とし、
   ４４μｍ以下の粒子直径を持つ第２のＣｒ粒子を５０重
   量％以下としたＣｒ粒子と、これを取り囲むＣｕ相とで
   構成した焼結後または溶浸後のＣｕＣｒ合金からなり、
   前記ＣｕＣｒ合金に対して、７５０〜９５０℃の温度の
   熱処理を与えた後、室温にまで冷却した時の、前記Ｃｕ
   Ｃｒ合金中のＣｕマトリックス相のマイクロビッカース
   硬さ値Ｈｖが６０以上であって、かつ、２０μｍより大
   きい粒子直径を持つＣｒ粒子のマイクロビッカース硬さ
   値Ｈｖが２４０以下である接点を備えたことを特徴とす
   る真空遮断器。
4. 【請求項４】６０〜３００μｍの範囲の粒子直径を持つ
   第１のＣｒ粒子を５０重量％以上、４４μｍ以下の粒子
   直径を持つ第２のＣｒ粒子を５０重量％以下、前記第１
   のＣｒ粒子と第２のＣｒ粒子との間の粒子直径を持つ第
   ３のＣｒ粒子を１０重量％以下としたＣｒ粒子群と、こ
   れらを取り囲むＣｕ相とで構成した焼結または溶浸後の
   ＣｕＣｒ合金からなり、前記ＣｕＣｒ合金に対して、７
   ５０〜９５０℃の温度の熱処理を与えた後、室温にまで
   冷却した時の、前記ＣｕＣｒ合金中のＣｕマトリックス
   相の硬さ値Ｈｖが６０以上であって、かつ、２０μｍよ
   り大きい粒子直径を持つＣｒ粒子の硬さ値Ｈｖが２４０
   以下である接点を備えたことを特徴とする真空遮断器。
5. 【請求項５】前記Ｃｒ粒子の合計が５〜６０重量％であ
   り、残部がＣｕであることを特徴とする請求項１乃至請
   求項４のいずれかに記載の真空遮断器。
6. 【請求項６】前記Ｃｒ粒子の一部を、５０重量％未満の
   Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏより選ばれた１つによ
   って置換したことを特徴とする請求項１乃至請求項５の
   いずれかに記載の真空遮断器。