JP2001525490A - すべり軸受に真空薄膜成形を行うための装置 - Google Patents

すべり軸受に真空薄膜成形を行うための装置

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フェデラル―モーグル・ウイースバーデン・ゲゼルシヤフト・ミト・ベシュレンクテル・ハフツング・ウント・コンパニー・コマンデイトゲゼルシヤフト
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Abstract

(57)【要約】 真空室の列から成り、これらの真空室が互いに並列して設けられていて、真空弁或いは加圧段により分離されており、その際少なくとも一つの真空室が、未だ薄膜成形処理されていないすべり軸受および／または既に真空薄膜成形処理されたすべり軸受を真空室内に搬入し或いはこの真空室から搬出するスルース室としての働きを行う、少なくとも一つの他の真空室が未だ薄膜成形処理されていないすべり軸受をプラズマ処理することにより前処理を行うのに使用され、少なくともそれぞれ一つの真空室が中間薄膜とすべり薄膜を成形る働きを行い、更にこの装置が真空室と結合されている真空ポンプ、薄膜成形プロセスを行うための電流供給装置および制御装置並びに多数のすべり軸受を装置を経て来る移送ベルト上で移送するための手段を備えている様式の、少なくとも一つの中間薄膜と少なくとも一つのすべり薄膜とを備えているすべり軸受を真空薄膜成形するための装置において、すべり軸受（３）が担持体（２）内に固持されている；担持体（２）が調温可能である；すべり軸受（３）が担持体内で調節可能な力によりプレス可能である；搬送方向で順次少なくともスルースチャンバ（５）、前処理室（７）、第一の薄膜成形室（９）、第二の薄膜成形室（１１）およびスルースチャンバ（１９）が設けられている；制御装置が、担持体（２）を各々の真空室内で行われる部分プロセスに適合可能な搬送速度で運動可能であるように形成されている；−前処理室（７）内において、すべり軸受（３）の磁場保護された静電気的なプラズマ腐食を行うための腐食装置が設けられている；第一の薄膜成形室（９）内に、少なくとも一つのターゲットを微粒子化させるマグネトロン−微粒子化源（１０）がすべり軸受（３）の下方でこのすべり軸受（３）の幾何学的な形状に適合した間隔で設けられている；第二の薄膜成形室（１１）内に、蒸発物るつぼ（１６）を備えている電子ビーム蒸発器がすべり軸受（３）の幾何学的な形状に適合した間隔で設けられている；すべり軸受（３）が電子ビーム蒸発により薄膜成形される領域の前方および後方に緩衝領域（１２；１８）設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、すべり軸受に真空薄膜成形するための装置に関する。すべり軸受−
軸受メタルとも称される−は凹状の湾曲した表面を有しており、この場合軸に面
していている内方の面は薄膜システムを有している。薄膜成形は真空薄膜成形装
置によって行われる。このようなすべり軸受は主として高い荷重を受ける機械構
造体および車両構造体に使用される。
【０００２】 基板を真空薄膜成形するための連続設備は久しい以前から知られている。これ
らの基板は異なった寸法、材料部分および幾何学的形状を有しており、例えば帯
状物、構造体部分或いはガラス基板である。これらの基板上に連続的に一つ或い
は多数の薄膜が成形される。この目的のため、基板はスルースを経てその都度の
連続設備内に導入される。成形される薄膜システムに依存して一般に、引続き一
つ或いは多数の薄膜成形室内で適当な薄膜システムが成形される以前に、前処理
が適当な真空室内で行われる。薄膜成形が行われた後、これらの基板はスルース
を経て連続設備を去る。このような空気対空気連続設備内で全薄膜システムが成
形される。これらの基板はあたかも一体であるかのようにこの設備内を移動する
。
【０００３】 このような連続設備内において平坦な基板、例えば帯状物或いは互いに並列し
ているガラス板に薄膜成形される場合、材料或いは厚みに関して、異なった真空
薄膜成形方法により、異なった薄膜が成形される。即ち、帯状物上に、通過の間
、二つの薄膜が微粒子化により形成され、その後一つの薄膜が蒸着される（“Ｓ
ｕｆａｃｅ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”９３，（１９９
７），Ｐ．５１−５７参照）。
【０００４】 この連続設備は帯状の材料に適しており、この材料は異なった薄膜成形プロセ
スにもかかわらず同じ速度で設備内を案内される。しかし、欠点なのは、この設
備とこの設備で行われる方法が、その幾何学的な形状と薄膜パラメー並びに薄膜
材料が異なった移送速度と異なった移送レジメを必要とする基板に薄膜成形を施
すのには適していないことである。
【０００５】 さらにタービン羽根に薄膜を成形するための連続設備が知られている（ドイツ
連邦共和国特許第１９５ ３７ ０９２号参照）。この連続設備にあっては、タ
ービン羽根上に耐高熱性の薄膜が成形される。これらの薄膜のこの成形は、高温
で電子ビーム蒸着により行われ、その際タービン羽根は薄膜成形以前に約１００
℃の温度に加熱されなければならない。この温度での薄膜成形は装置上の大きな
出費を強い、この出費はタービン羽根へのこのような特別な適用、即ちタービン
羽根への成膜にとってのみ適正である。この薄膜成形はただ一つの方法でのみ行
われるに過ぎない。
【０００６】 更に、すべり軸受に成膜を行うための方法および装置が知られている。これら
の方法および装置は、パッチ式設備として大抵真空室から成る。この真空室内に
おいて、前処理を行った後、すでに薄膜成形されているすべり軸受上に微粒子化
により最終すべり薄膜が形成される。このすべり薄膜は本質的にすべり軸受の特
性を決定する。すべり軸受が課せられた要件を充足するかどうかは成膜されたす
べり薄膜の品質に依存している（ドイツ連邦共和国特許第３６ ０６ ５２９号
およびオーストラリア特許３９２ ２９１号参照）。
【０００７】 微粒子化(Zerstaeuben) によってすべり薄膜を成膜する際、方法に制約されて
すべり軸受内に高いエネルギー注入が行われることは不利である。すべり薄膜−
一般に亜鉛を含有している材料−は、亜鉛が低融点であるので、任意の高い温度
での成膜は不可能である。この理由から、品質上価値の高いすべり薄膜に成膜を
行うのに、方法によって条件付けられるエネルギーを冷却、例えば油冷却により
許容し得る程度に低減する必要がある。この目的のため、その中にすべり軸受が
薄膜の微粒子化処理の間保持されている担持体の各々に、冷却液が供給されかつ
そこから導出される。装填装置にあっては、この様式の冷却は問題なく可能であ
る。これに対して、連続設備として形成されていてかつ真空適用シーケンスによ
り多数の薄膜の成形が行われる、薄膜成形装置内でのすべり軸受の薄膜成形は、
真空室がスルースによって分割れているので、液体による通常の冷却が可能であ
るが極めて経費を要する。
【０００８】 バッチ式設備の他の欠点は、この設備が−マガジン作業によって条件付けられ
るが−連続的な或いは準連続的な作業による連続設備におけるよりも生産性が僅
かであることである。このバッチ式設備の僅かな生産性は非連続的な設備および
しばしば設備の大部分の排気設備および通気設備に帰される。
【０００９】 すべり薄膜を電子ビーム蒸着により薄膜成形が行われる、すべり軸受を造るた
めの方法が考え出された。この方法により、すべり軸受のすべり薄膜を、微粒子
化処理に比して高い率で成形すること、および同時にすべり軸受内へのエネルギ
ー注入を低減することが可能となる（ドイツ連邦共和国特許公開第１９５ １４
８３６号参照）。
【００１０】 しかし、この方法は工業的に適用できず、現今ではこの方法を工業的な条件下
で実施することのできる、すべり軸受のための方法を実施するための設備は存在
していない。
【００１１】 本発明の根底をなす課題は、異なった材料から成る多数の薄膜を、異なった
厚みで高生産性で薄膜成形することが可能な、すべり軸受を真空薄膜成形するた
めの装置を提供することである。この装置は僅かな費用で高い生産率を可能にす
る。この装置は、方法にとって重要なパラメータを狭い許容限界内に維持するこ
とを保証する。薄膜成形されるべきすべり軸受の温度は、プロセスの間狭い限界
内に一定に維持される。この設備は全プロセスに必要な多数の真空方法を行うの
に適している。
【００１２】 上記の課題は本発明により、特許請求の範囲の請求項１に記載の構成によって
解決される。
【００１３】 他の有利な発明の実施態様は請求項２から１７に記載した。
【００１４】 連続設備として形成された装置は、多数の真空室が互いに並列して設けられて
おり、その際各々の真空室内にその中で行われるプロセス段に必要な手段が設け
られているように構成されている。更に、この装置は担持体を走入および走出さ
せるための、真空室の前および後ろに接続されているそれぞれ一つのスルース室
(Schleusenkammer) を備えている。調温可能に形成された担持体はすべり軸受を
収容し、移送路上で全装置を経て移動可能である。
【００１５】 それらの手段がプロセスによって左右される真空室は、少なくとも一つの腐食
装置を備えた真空処理室、少なくとも一つの微粒子化源を備えている第一の薄膜
成形室および少なくとも一つの電子ビーム蒸発器を備えている第二の薄膜成形室
を備えている。その際、電子ビーム蒸発器を備えている真空室は、薄膜成形室内
の蒸着領域の両側において、それぞれ一つの緩衝領域が存在するように形成され
ている。
【００１６】 担持体の調温可能な構成およびすべり軸受の調温可能性は本発明にとって重要
なことである。
【００１７】 このことに加えて担持体は、すべり軸受が収容を行う担持体の部分内で確実に
収容され、調節可能な力で保持されるように形成されている。確実なかつ一体的
な収容によりすべり軸受から担持体への良好な熱推移が達せられる。これにより
、すべり軸受内にプロセスに従ってもたらされる熱は担持体内に導出され、すべ
り軸受の過度の加熱が低減される。
【００１８】 担持体の調温を行う部分の寸法と構成は主として、もたらされる熱を貯蔵する
ことにのみ寄与するばかりでなく、すべり軸受の温度が一定の範囲内で調節可能
であるように寄与する。こうして、担持体のこの構成により、すべり軸受の温度
が薄膜成形行程−微粒子化或いは蒸発−の間一定の値に調節され、かつ一定の値
にとどまることが保証される。即ち、大きさ、形および材料は計算および試験を
基礎として調温するのに役立つ。特に、低融点の金属を含有している薄膜を成形
する際に、品質上価値の高い薄膜を形成するには、必然的に許容範囲の狭いの温
度領域が必要である。即ち、例えば電子ビーム蒸発によりＡｌＳｎ−すべり薄膜
を成形する際には温度は１４０℃〜１６０℃である。
【００１９】 担持体のこの調温可能な構成は、異なる薄膜成形方法を組合わせるのに著しく
寄与する。通常冷却要素は、熱を導出する働きを行なう一方、調温可能な担持体
を一方においては第一の室内で腐食処理および薄膜成形処理する際に熱の吸収を
可能にし、他方では第二の薄膜成形室内において熱緩衝体としても働き、熱をす
べり軸受に放出する。これらの担持体はこれにより、第二の薄膜成形室内におい
てすべり軸受の温度が所定の狭い許容温度領域に保持されることを保証する。こ
のことは特に、低融点の金属で薄膜を形成する際薄膜品質に、即ち全すべり軸受
の品質に決定的役割を果たす。更に、担持体内の異なる温度を調節することによ
り、異なる材料から成る薄膜をその都度十分な品質で成形することが可能となる
。
【００２０】 本発明の他の本質的な特徴は、緩衝領域の配設である。各々の薄膜成形方法は
、その独自の時間的な、他の薄膜成形方法には転用できない時間的な経過を有し
ている。即ち、各々の薄膜成形方法はすべり軸受に薄膜成形源を経る他の運動を
行われせる必要がある。腐食処理および微粒子化処理の際静力学的におよび非連
続的に腐食および薄膜成形が行われ、従って担持体の歩進的な運動が要求される
が、他方電子ビーム蒸発は連続的な作業態様と、これに伴いこの部分プロセスに
適合した他の運動を必要とする。この運動もまた、等しい形で或いは不等な形で
行われてもよい。更に、個々の薄膜成形室内での滞留時間は異なっている。緩衝
領域を設けることにより制御プログラムとの関連において、二つの異なる薄膜成
形方法−非連続的な微粒子化処理と連続的な蒸着−を一つの装置内において連続
して互いに組合せることが可能となる。従って、緩衝領域或いは緩衝室の配設は
、これら二つの方法の異なる運動経過と全く異なる作業圧力領域間の均衡を行う
のに、即ちすべり部材の大気から大気への連続的な流通を可能にする重要な結合
部材である。
【００２１】 こうして、本発明による装置により、すべり軸受に、異なったプロセスによる
真空処理シーケンスにより、中間時点において大気中にさらけ出すことなく連続
して、多数の薄膜成形を高生産性で施すことが可能となる。
【００２２】 装置の有利な構成は、担持体の構成以外に、担持体の調温可能な部分が銅から
成ることにある。しかし、熱伝導性の良好なかつ高い比熱容量を有するすべての
他の材料を使用することが可能である。担持体内でのすべり軸受の配設は、搬送
装置内で互いに並列してかつ一列或いは多数列で或いはこの装置に対して直角に
行われる。
【００２３】 前処理室にはガス流入システムが設けられているのが有利であり、従ってプラ
ズマ保護の下でのプロセスおよび反応性の前処理を行うことが可能である。腐食
装置は磁場を備えているか、或いは別個のプラズマ源、例えば中空陰極が設けら
れていてもよい。
【００２４】 第一の薄膜成形室の微粒子化源としては、磁場を備えている或いは備えていな
いすべての微粒子化が使用可能である。
【００２５】 電子ビーム蒸発器としては、同様にすべての公知の電子ビーム源、特にアキシ
アル電子銃を使用することが可能である。蒸発物るつぼは単るつぼ蒸発器或いは
多るつぼ蒸発器として形成されている。この場合この蒸発物るつぼは、均質な薄
膜成形を達するために、薄膜成形されるべきすべり要素の幾何学的形状に適合さ
れる。蒸発物質は、線材、ばら物質の形で或いは連続体として蒸発物るつぼ底面
を経て供給される。
【００２６】 調温のための装置は、入側のスルース室の前方に設けられているのが有利であ
る。しかし、この装置は設備の任意のどんな位置にも、或いは設備の外部に設け
ることが可能である。同様に、各々の真空室内において調温を行うことが可能で
ある。すべり軸受がすべり薄膜が薄膜成形される時点において所定の温度範囲の
温度を有していることが、保証されるのでなければならない。調温は特に大気圧
の下で液状或いは気体状の媒体で行われる。この媒体の供給と導出は公知の方法
で行われる。同様に、適当な調温要素を真空部のプロセス場所に設け、調温をこ
の調温要素を圧接するか当接することによって達せられる。
【００２７】 以下に実施形により装置を詳細に説明する。
【００２８】 調温室１内には、内部に薄膜成形されるべきすべり軸受３が確実に固定されて
いる担持体２を調温するための装置が設けられている。調温要素は担持体２に圧
接されている。その際、この担持体２は９０℃に調温される。この調温室１には
、真空弁４を介してスルース室５が接続している。すべての真空室は同様に真空
弁４により互いに分離されている。スルース室５は担持体２を大気から真空へと
入れる働きを行う。担持体２は装置を通過するために搬送路６に載って移動可能
である。駆動機構は各々の担持体２内にまとめられている。スルース室５には、
前処理室７が連なっている。この前処理室７内で、担持体２内に設けられている
すべり軸受３を、激しいプラズマで前処理するための磁場で保護されている腐食
器８が設けられている。このプラズマは特別に形成された磁場を経て案内され、
この磁場はマグネトロン原理で働く。この腐食装置８は、担持体２がすべり軸受
３と搬送路６と共に地電位上に存在するように構成されている。引続き、調温可
能な担持体２は更に移動して第一の薄膜成形室９内に入る。この第一の薄膜成形
室には、すべり軸受３の幾何学的形状に適応した間隔で、ＮｉＣｒから成る微粒
子化作用を行うターゲットを備えているマグネトロン１０が設けられている。
【００２９】 すべり軸受３上には、この第一の薄膜成形室９内でＮｉＣｒ薄膜が微粒子化さ
れる。この第一の薄膜成形室９を経て行われる担持体２の移動は非連続的に行わ
れる。
【００３０】 担持体２はその後第二の薄膜成形室１１内に達し、その際この担持体は第一の
緩衝領域１２内にとどまる。この緩衝室１２は第一の薄膜成形室の異なる搬送レ
ジメを第二の薄膜成形室１１の薄膜成形室の異なる搬送レジメに互いに合致させ
、かつ異なる作業圧を互いに合致させる働きを行う。担持体２がマグネトロン１
０を経て非連続的に移動するが、他方この担持体２の第二の薄膜成形室１１の薄
膜成形領域１３を経る移動は連続的に行われる。緩衝領域１２内には多数の担持
体２が存在している。搬送制御プログラムは、非連続的な列の担持体２が隙間の
ない担持体２列に変換されること、および蒸着の作業が連続的に行われることを
保証する。即ち、この領域により、担持体２の多数の列が互いに並列した状態で
蒸着装置を経て移動する。引続き、緩衝領域１８を経て、隙間のない担持体２列
が再び非連続的に搬送されかつせき止め可能な列の担持体２に変換される。薄膜
成形領域１３内には、電子ビーム蒸発装置が設けられている。この電子ビーム蒸
発装置はアキシアル電子銃から成り、このアキシアル電子銃の電子ビーム１５は
公知の方法で磁場を経て蒸発物るつぼ１６内に存在している蒸発物質１７に到達
する。蒸発物質としてはＡｌＳｎ合金が使用される。このＡｌＳｎ合金は、連続
体材料として、蒸発物るつぼ１６の底部を経てマガジン１７から導出可能である
。すべり軸受３が電子ビーム蒸着装置を経て移動される間、すべり軸受３には第
二薄膜−すべり薄膜が−成形される。担持体２は上記の緩衝領域１８と他のスル
ース室１９とを経て装置を去る。仕上げられたすべり軸受３は排出領域２０内で
担持体２から取出される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 すべり部材を薄膜成形するための装置の断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１２年８月１０日（２０００．８．１０）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 すべり軸受に真空薄膜成形を行うための装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、すべり軸受に真空薄膜成形するための装置に関する。すべり軸受−
軸受メタルとも称される−は凹状の湾曲した表面を有しており、この場合軸に面
していている内方の面は薄膜システムを有している。薄膜成形は真空薄膜成形装
置によって行われる。このようなすべり軸受は主として高い荷重を受ける機械構
造体および車両構造体に使用される。
【０００２】 基板を真空薄膜成形するための連続設備は久しい以前から知られている。これ
らの基板は異なった寸法、材料部分および幾何学的形状を有しており、例えば帯
状物、構造体部分或いはガラス基板である。これらの基板上に連続的に一つ或い
は多数の薄膜が成形される。この目的のため、基板はスルースを経てその都度の
連続設備内に導入される。成形される薄膜システムに依存して一般に、引続き一
つ或いは多数の薄膜成形室内で適当な薄膜システムが成形される以前に、前処理
が適当な真空室内で行われる。薄膜成形が行われた後、これらの基板はスルース
を経て連続設備を去る。このような空気対空気連続設備内で全薄膜システムが成
形される。これらの基板はあたかも一体であるかのようにこの設備内を移動する
。
【０００３】 このような連続設備内において平坦な基板、例えば帯状物或いは互いに並列し
ているガラス板に薄膜成形される場合、材料或いは厚みに関して、異なった真空
薄膜成形方法により、異なった薄膜が成形される。即ち、帯状物上に、通過の間
、二つの薄膜が微粒子化により形成され、その後一つの薄膜が蒸着される（“Ｓ
ｕｆａｃｅ ａｎｄ Ｃｏａｔｉｇｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”９３，（１９９
７），Ｐ．５１−５７参照）。
【０００４】 この連続設備は帯状の材料に適しており、この材料は異なった薄膜成形プロセ
スにもかかわらず同じ速度で設備内を案内される。しかし、欠点なのは、この設
備とこの設備で行われる方法が、その幾何学的な形状と薄膜パラメー並びに薄膜
材料が異なった移送速度と異なった移送レジメを必要とする基板に薄膜成形を施
すのには適していないことである。
【０００５】 さらにタービン羽根に薄膜を成形するための連続設備が知られている（ドイツ
連邦共和国特許第１９５ ３７ ０９２号参照）。この連続設備にあっては、タ
ービン羽根上に耐高熱性の薄膜が成形される。これらの薄膜のこの成形は、高温
で電子ビーム蒸着により行われ、その際タービン羽根は薄膜成形以前に約１００
℃の温度に加熱されなければならない。この温度での薄膜成形は装置上の大きな
出費を強い、この出費はタービン羽根へのこのような特別な適用、即ちタービン
羽根への成膜にとってのみ適正である。この薄膜成形はただ一つの方法でのみ行
われるに過ぎない。
【０００６】 更に、すべり軸受に成膜を行うための方法および装置が知られている。これら
の方法および装置は、パッチ式設備として大抵真空室から成る。この真空室内に
おいて、前処理を行った後、すでに薄膜成形されているすべり軸受上に微粒子化
により最終すべり薄膜が形成される。このすべり薄膜は本質的にすべり軸受の特
性を決定する。すべり軸受が課せられた要件を充足するかどうかは成膜されたす
べり薄膜の品質に依存している（ドイツ連邦共和国特許第３６ ０６ ５２９号
およびオーストラリア特許３９２ ２９１号参照）。
【０００７】 微粒子化(Zerstaeuben) によってすべり薄膜を成膜する際、方法に制約されて
すべり軸受内に高いエネルギー注入が行われることは不利である。すべり薄膜−
一般に亜鉛を含有している材料−は、亜鉛が低融点であるので、任意の高い温度
での成膜は不可能である。この理由から、品質上価値の高いすべり薄膜に成膜を
行うのに、方法によって条件付けられるエネルギーを冷却、例えば油冷却により
許容し得る程度に低減する必要がある。この目的のため、その中にすべり軸受が
薄膜の微粒子化処理の間保持されている担持体の各々に、冷却液が供給されかつ
そこから導出される。装填装置にあっては、この様式の冷却は問題なく可能であ
る。これに対して、連続設備として形成されていてかつ真空適用シーケンスによ
り多数の薄膜の成形が行われる、薄膜成形装置内でのすべり軸受の薄膜成形は、
真空室がスルースによって分割れているので、液体による通常の冷却が可能であ
るが極めて経費を要する。
【０００８】 バッチ式設備の他の欠点は、この設備が−マガジン作業によって条件付けられ
るが−連続的な或いは準連続的な作業による連続設備におけるよりも生産性が僅
かであることである。このバッチ式設備の僅かな生産性は非連続的な設備および
しばしば設備の大部分の排気設備および通気設備に帰される。
【０００９】 すべり薄膜を電子ビーム蒸着により薄膜成形が行われる、すべり軸受を造るた
めの方法が考え出された。この方法により、すべり軸受のすべり薄膜を、微粒子
化処理に比して高い率で成形すること、および同時にすべり軸受内へのエネルギ
ー注入を低減することが可能となる（ドイツ連邦共和国特許公開第１９５ １４
８３６号参照）。
【００１０】 しかし、この方法は工業的に適用できず、現今ではこの方法を工業的な条件下
で実施することのできる、すべり軸受のための方法を実施するための設備は存在
していない。
【００１１】 本発明の根底をなす課題は、異なった材料から成る多数の薄膜を、異なった
厚みで高生産性で薄膜成形することが可能な、すべり軸受を真空薄膜成形するた
めの装置を提供することである。この装置は僅かな費用で高い生産率を可能にす
る。この装置は、方法にとって重要なパラメータを狭い許容限界内に維持するこ
とを保証する。薄膜成形されるべきすべり軸受の温度は、プロセスの間狭い限界
内に一定に維持される。この設備は全プロセスに必要な多数の真空方法を行うの
に適している。
【００１２】 上記の課題は本発明により、特許請求の範囲の請求項１に記載の構成によって
解決される。
【００１３】 他の有利な発明の実施態様は請求項２から１７に記載した。
【００１４】 連続設備として形成された装置は、多数の真空室が互いに並列して設けられて
おり、その際各々の真空室内にその中で行われるプロセス段に必要な手段が設け
られているように構成されている。更に、この装置は担持体を走入および走出さ
せるための、真空室の前および後ろに接続されているそれぞれ一つのスルース室
(Schleusenkammer) を備えている。調温可能に形成された担持体はすべり軸受を
収容し、移送路上で全装置を経て移動可能である。
【００１５】 それらの手段がプロセスによって左右される真空室は、少なくとも一つの腐食
装置を備えた真空処理室、少なくとも一つの微粒子化源を備えている第一の薄膜
成形室および少なくとも一つの電子ビーム蒸発器を備えている第二の薄膜成形室
を備えている。その際、電子ビーム蒸発器を備えている真空室は、薄膜成形室内
の蒸着領域の両側において、それぞれ一つの緩衝領域が存在するように形成され
ている。
【００１６】 担持体の調温可能な構成およびすべり軸受の調温可能性は本発明にとって重要
なことである。
【００１７】 このことに加えて担持体は、すべり軸受が収容を行う担持体の部分内で確実に
収容され、調節可能な力で保持されるように形成されている。確実なかつ一体的
な収容によりすべり軸受から担持体への良好な熱推移が達せられる。これにより
、すべり軸受内にプロセスに従ってもたらされる熱は担持体内に導出され、すべ
り軸受の過度の加熱が低減される。
【００１８】 担持体の調温を行う部分の寸法と構成は主として、もたらされる熱を貯蔵する
ことにのみ寄与するばかりでなく、すべり軸受の温度が一定の範囲内で調節可能
であるように寄与する。こうして、担持体のこの構成により、すべり軸受の温度
が薄膜成形行程−微粒子化或いは蒸発−の間一定の値に調節され、かつ一定の値
にとどまることが保証される。即ち、大きさ、形および材料は計算および試験を
基礎として調温するのに役立つ。特に、低融点の金属を含有している薄膜を成形
する際に、品質上価値の高い薄膜を形成するには、必然的に許容範囲の狭いの温
度領域が必要である。即ち、例えば電子ビーム蒸発によりＡｌＳｎ−すべり薄膜
を成形する際には温度は１４０℃〜１６０℃である。
【００１９】 担持体のこの調温可能な構成は、異なる薄膜成形方法を組合わせるのに著しく
寄与する。通常冷却要素は、熱を導出する働きを行なう一方、調温可能な担持体
を一方においては第一の室内で腐食処理および薄膜成形処理する際に熱の吸収を
可能にし、他方では第二の薄膜成形室内において熱緩衝体としても働き、熱をす
べり軸受に放出する。これらの担持体はこれにより、第二の薄膜成形室内におい
てすべり軸受の温度が所定の狭い許容温度領域に保持されることを保証する。こ
のことは特に、低融点の金属で薄膜を形成する際薄膜品質に、即ち全すべり軸受
の品質に決定的役割を果たす。更に、担持体内の異なる温度を調節することによ
り、異なる材料から成る薄膜をその都度十分な品質で成形することが可能となる
。
【００２０】 本発明の他の本質的な特徴は、緩衝領域の配設である。各々の薄膜成形方法は
、その独自の時間的な、他の薄膜成形方法には転用できない時間的な経過を有し
ている。即ち、各々の薄膜成形方法はすべり軸受に薄膜成形源を経る他の運動を
行われせる必要がある。腐食処理および微粒子化処理の際静力学的におよび非連
続的に腐食および薄膜成形が行われ、従って担持体の歩進的な運動が要求される
が、他方電子ビーム蒸発は連続的な作業態様と、これに伴いこの部分プロセスに
適合した他の運動を必要とする。この運動もまた、等しい形で或いは不等な形で
行われてもよい。更に、個々の薄膜成形室内での滞留時間は異なっている。緩衝
領域を設けることにより制御プログラムとの関連において、二つの異なる薄膜成
形方法−非連続的な微粒子化処理と連続的な蒸着−を一つの装置内において連続
して互いに組合せることが可能となる。従って、緩衝領域或いは緩衝室の配設は
、これら二つの方法の異なる運動経過と全く異なる作業圧力領域間の均衡を行う
のに、即ちすべり部材の大気から大気への連続的な流通を可能にする重要な結合
部材である。
【００２１】 こうして、本発明による装置により、すべり軸受に、異なったプロセスによる
真空処理シーケンスにより、中間時点において大気中にさらけ出すことなく連続
して、多数の薄膜成形を高生産性で施すことが可能となる。
【００２２】 装置の有利な構成は、担持体の構成以外に、担持体の調温可能な部分が銅から
成ることにある。しかし、熱伝導性の良好なかつ高い比熱容量を有するすべての
他の材料を使用することが可能である。担持体内でのすべり軸受の配設は、搬送
装置内で互いに並列してかつ一列或いは多数列で或いはこの装置に対して直角に
行われる。
【００２３】 前処理室にはガス流入システムが設けられているのが有利であり、従ってプラ
ズマ保護の下でのプロセスおよび反応性の前処理を行うことが可能である。腐食
装置は磁場を備えているか、或いは別個のプラズマ源、例えば中空陰極が設けら
れていてもよい。
【００２４】 第一の薄膜成形室の微粒子化源としては、磁場を備えている或いは備えていな
いすべての微粒子化が使用可能である。
【００２５】 電子ビーム蒸発器としては、同様にすべての公知の電子ビーム源、特にアキシ
アル電子銃を使用することが可能である。蒸発物るつぼは単るつぼ蒸発器或いは
多るつぼ蒸発器として形成されている。この場合この蒸発物るつぼは、均質な薄
膜成形を達するために、薄膜成形されるべきすべり要素の幾何学的形状に適合さ
れる。蒸発物質は、線材、ばら物質の形で或いは連続体として蒸発物るつぼ底面
を経て供給される。
【００２６】 調温のための装置は、入側のスルース室の前方に設けられているのが有利であ
る。しかし、この装置は設備の任意のどんな位置にも、或いは設備の外部に設け
ることが可能である。同様に、各々の真空室内において調温を行うことが可能で
ある。すべり軸受がすべり薄膜が薄膜成形される時点において所定の温度範囲の
温度を有していることが、保証されるのでなければならない。調温は特に大気圧
の下で液状或いは気体状の媒体で行われる。この媒体の供給と導出は公知の方法
で行われる。同様に、適当な調温要素を真空部のプロセス場所に設け、調温をこ
の調温要素を圧接するか当接することによって達せられる。付加的な調温装置を
、担持体を冷却するためのターミナルステーションの後方に設けるのが特に有利
である。 すべての真空室を真空ポンプにより排気することも可能である。制御システム
および調節システムはその都度、行われる積層に依存したプロセス順序を保証す
る。
【００２７】 以下に実施形により装置を詳細に説明する。
【００２８】 調温室１内には、内部に薄膜成形されるべきすべり軸受３が確実に固定されて
いる担持体２を調温するための装置が設けられている。調温要素は担持体２に圧
接されている。その際、この担持体２は９０℃に調温される。この調温室１には
、真空弁４を介してスルース室５が接続している。すべての真空室は同様に真空
弁４により互いに分離されている。スルース室５は担持体２を大気から真空へと
入れる働きを行う。担持体２は装置を通過するために搬送路６に載って移動可能
である。駆動機構は各々の担持体２内にまとめられている。スルース室５には、
前処理室７が連なっている。この前処理室７内で、担持体２内に設けられている
すべり軸受３を、激しいプラズマで前処理するための磁場で保護されている腐食
器８が設けられている。このプラズマは特別に形成された磁場を経て案内され、
この磁場はマグネトロン原理で働く。この腐食装置８は、担持体２がすべり軸受
３と搬送路６と共に地電位上に存在するように構成されている。引続き、調温可
能な担持体２は更に移動して第一の薄膜成形室９内に入る。この第一の薄膜成形
室には、すべり軸受３の幾何学的形状に適応した間隔で、ＮｉＣｒから成る微粒
子化作用を行うターゲットを備えているマグネトロン１０が設けられている。
【００２９】 すべり軸受３上には、この第一の薄膜成形室９内でＮｉＣｒ薄膜が微粒子化さ
れる。この第一の薄膜成形室９を経て行われる担持体２の移動は非連続的に行わ
れる。
【００３０】 担持体２はその後第二の薄膜成形室１１内に達し、その際この担持体は第一の
緩衝領域１２内にとどまる。この緩衝領域１２は第一の薄膜成形室の異なる搬送
レジメを第二の薄膜成形室１１の異なる搬送レジメに互いに合致させ、かつ異な
る作業圧を互いに合致させる働きを行う。担持体２がマグネトロン１０を経て非
連続的に移動するが、他方この担持体２の第二の薄膜成形室１１の薄膜成形領域
１３を経る移動は連続的に行われる。緩衝領域１２内には多数の担持体２が存在
している。搬送制御プログラムは、非連続的な列の担持体２が隙間のない担持体
２列に変換されること、および蒸着の作業が連続的に行われることを保証する。
即ち、この領域により、担持体２の多数の列が互いに並列した状態で蒸着装置を
経て移動する。引続き、緩衝領域１８を経て、隙間のない担持体２列が再び非連
続的に搬送されかつせき止め可能な列の担持体２に変換される。薄膜成形領域１
３内には、電子ビーム蒸発装置が設けられている。この電子ビーム蒸発装置はア
キシアル電子銃１４から成り、このアキシアル電子銃の電子ビーム１５は公知の
方法で磁場を経て蒸発物るつぼ１６内に存在している蒸発物質１７に到達する。
蒸発物質としてはＡｌＳｎ合金が使用される。このＡｌＳｎ合金は、連続体材料
として、蒸発物るつぼ１６の底部を経てマガジン１７から導出可能である。すべ
り軸受３が電子ビーム蒸着装置を経て移動される間、すべり軸受３には第二薄膜
−すべり薄膜が−成形される。担持体２は上記の緩衝領域１８と他のスルース室
１９とを経て装置を去る。仕上げられたすべり軸受３は排出領域２０内で担持体
２から取出される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 すべり部材を薄膜成形するための装置の断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヴィックスヴァート−エルンスト・ヴォル フガング ドイツ連邦共和国、Ｄ−65197 ヴィース バーデン、カルル−フォン−オスィエツキ ー−ストラーセ、34 (72)発明者 メッツナー・クリストフ ドイツ連邦共和国、Ｄ−01474 パップリ ッツ、ビルケンストラーセ、９ (72)発明者 ハインス・イェンス−ペーター ドイツ連邦共和国、Ｄ−01157 ドレース デン、ゾンネンレーネ、21 (72)発明者 ゲーディッケ・クラウス ドイツ連邦共和国、Ｄ−01307 ドレース デン、プファイファーハンスストラーセ、 18 (72)発明者 シラー・ズィークフリート ドイツ連邦共和国、Ｄ−01324 ドレース デン、プラットライテ、17 【要約の続き】 送方向で順次少なくともスルースチャンバ（５）、前処 理室（７）、第一の薄膜成形室（９）、第二の薄膜成形 室（１１）およびスルースチャンバ（１９）が設けられ ている；制御装置が、担持体（２）を各々の真空室内で 行われる部分プロセスに適合可能な搬送速度で運動可能 であるように形成されている；−前処理室（７）内にお いて、すべり軸受（３）の磁場保護された静電気的なプ ラズマ腐食を行うための腐食装置が設けられている；第 一の薄膜成形室（９）内に、少なくとも一つのターゲッ トを微粒子化させるマグネトロン−微粒子化源（１０） がすべり軸受（３）の下方でこのすべり軸受（３）の幾 何学的な形状に適合した間隔で設けられている；第二の 薄膜成形室（１１）内に、蒸発物るつぼ（１６）を備え ている電子ビーム蒸発器がすべり軸受（３）の幾何学的 な形状に適合した間隔で設けられている；すべり軸受 （３）が電子ビーム蒸発により薄膜成形される領域の前 方および後方に緩衝領域（１２；１８）設けられてい る。

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項０１】 真空室の列から成り、これらの真空室が互いに並列して設
    けられていて、真空弁或いは加圧段により分離されており、その際少なくとも一
    つの真空室が、未だ薄膜成形処理されていないすべり軸受および／または既に真
    空薄膜成形処理されたすべり軸受を真空室内に搬入し或いはこの真空室から搬出
    するスルース室としての働きを行う、少なくとも一つの他の真空室が未だ薄膜成
    形処理されていないすべり軸受をプラズマ処理することにより前処理を行うのに
    使用され、少なくともそれぞれ一つの真空室が中間薄膜とすべり薄膜を成形る働
    きを行い、更にこの装置が真空室と結合されている真空ポンプ、薄膜成形プロセ
    スを行うための電流供給装置および制御装置並びに多数のすべり軸受を装置を経
    て来る移送ベルト上で移送するための手段を備えている様式の、少なくとも一つ
    の中間薄膜と少なくとも一つのすべり薄膜とを備えているすべり軸受を真空薄膜
    成形するための装置において、 −すべり軸受（３）が担持体（２）内に固持されている； −担持体（２）が調温可能である； −すべり軸受（３）が担持体内で調節可能な力によりプレス可能である； −搬送方向で順次少なくともスルースチャンバ（５）、前処理室（７）、第一の 薄膜成形室（９）、第二の薄膜成形室（１１）およびスルースチャンバ（１９ ）が設けられている； −制御装置が、担持体（２）を各々の真空室内で行われる部分プロセスに適合可 能な搬送速度で運動可能であるように形成されている； −前処理室（７）内において、すべり軸受（３）の磁場保護された静電気的なプ ラズマ腐食を行うための腐食装置が設けられている； −第一の薄膜成形室（９）内に、少なくとも一つのターゲットを微粒子化させる マグネトロン−微粒子化源（１０）がすべり軸受（３）の下方でこのすべり軸 受（３）の幾何学的な形状に適合した間隔で設けられている； −第二の薄膜成形室（１１）内に、蒸発物るつぼ（１６）を備えている電子ビー ム蒸発器がすべり軸受（３）の幾何学的な形状に適合した間隔で設けられてい る； −すべり軸受（３）が電子ビーム蒸発により薄膜成形される領域の前方および後 方に緩衝領域（１２；１８）設けられている； ことを特徴とする装置。
  2. 【請求項０２】 担持体（２）内に多数のすべり軸受（３）が少なくとも一
    列で隙間なく互いに並列して、頂部が線形をなすように設けられていることを特
    徴とする請求項１に記載の装置。
  3. 【請求項０３】 すべり軸受（３）の列が担持体（２）内に移送方向に沿っ
    て或いは移送方向に対して横方向で設けられていることを特徴とする請求項１或
    いは２に記載の装置。
  4. 【請求項０４】 担持体（２）が二つの部分から成り、この担持体（２）の
    一方の部分が駆動のためにかつ移送路（６）との結合のために形成されており、
    担持体（２）の他方の部分がすべり軸受（３）を収容しかつ調温のために形成さ
    れていることを特徴とする請求項１から３までのいずれか一つに記載の装置。
  5. 【請求項０５】 担持体（２）の一方の部分が調温のため、駆動のためにか
    つ移送路（６）との結合のために形成されており、担持体（２）の他方の部分が
    すべり軸受（３）を収容するために形成されていることを特徴とする請求項１か
    ら３までのいずれか一つに記載の装置。
  6. 【請求項０６】 すべり軸受（３）を収容するための担持体（２）の部分が
    交換可能に担持体（２）と結合されていることを特徴とする請求項５に記載の装
    置。
  7. 【請求項０７】 担持体（２）の調温のための部分が高い比熱容量を有する
    熱伝導性の良好な材料、特に銅から成ることを特徴とする請求項１から６までの
    いずれか一つに記載の装置。
  8. 【請求項０８】 電子ビーム蒸発器が蒸発物るつぼ（１６）とその側方に設
    けられているアキシアル電子銃（１４）とから成ることを特徴とする請求項１に
    記載の装置。
  9. 【請求項０９】 蒸発物るつぼ（１６）が底部内に蒸発物質（１７）を補充
    するための開口を備えていることを特徴とする請求項８に記載の装置。
  10. 【請求項１０】 第二の薄膜成形室（１１）の内部に緩衝領域（１２；１８
    ）が設けられていることを特徴とする請求項１から９までのいずれか一つに記載
    の装置。
  11. 【請求項１１】 各々の緩衝領域（１２；１８）が別個の真空室内に設けら
    れていることを特徴とする請求項１から９までのいずれか一つに記載の装置。
  12. 【請求項１２】 担持体（２）の調温を行うために、スルースチャンバ（５
    ）の手前に調温室（１）或いは調温ステーションが設けられていることを特徴と
    する請求項１から１１までのいずれか一つに記載の装置。
  13. 【請求項１３】 担持体（２）を出側のスルースチャンバ（１９）から入側
    のスルースチャンバ（５）に戻すための装置が設けられていることを特徴とする
    請求項１から１２までのいずれか一つに記載の装置。
  14. 【請求項１４】 真空室が線状に互いに並列して設けられており、担持体（
    ２）が入側からのスルースチャンバ（５）から出側のスルースチャンバ（１９）
    まで線状に移送されるように構成されていることを特徴とする請求項１から１３
    までのいずれか一つに記載の装置。
  15. 【請求項１５】 真空室が互いに接して環状に設けられており、、担持体（
    ２）の入側でのせき止めと出側でのせき止めを行うためにただ一つの真空室が設
    けられていることを特徴とする請求項１から１３までのいずれか一つに記載の装
    置。
  16. 【請求項１６】 担持体（２）がすべり軸受（３）と地電位上に存在してお
    り、磁場がマグネトロンの様式のトンネルとして形成されていることを特徴とす
    る請求項１に記載の装置。
  17. 【請求項１７】 腐食装置（８）が固定されている、アーク状の、電気的に
    地電位上に存在している部分を有しており、これらの部分が運動可能な担持体（
    ２）内に存在しているすべり軸受（３）と共に一つの環状の閉じられている領域
    を形成しており、この領域がプラズマ放電を制限し、かつ水により冷却され、正
    の電位でアースに対して存在していてかつマグネトロンの様式の背後に設けられ
    ていて、磁場を形成する装置を備えている対抗電極を備えていることを特徴とす
    る請求項１から１６までのいずれか一つに記載の装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10065709B4 (de) * 2000-12-29 2005-10-27 Sturm Jun., Wilhelm Beschichtungsanlage
DE10205168A1 (de) * 2002-02-07 2003-08-21 Ardenne Anlagentech Gmbh Verfahren zur Zwischenbehandlung von Substraten in einer In-Line-Vakuumbeschichtungsanlage
DE10324570A1 (de) * 2003-05-30 2004-12-23 Daimlerchrysler Ag Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung einer metallischen Laufbahn einer Maschine mittels Plasmatechnologie
CN1304628C (zh) * 2004-08-31 2007-03-14 成建波 真空线源蒸发镀膜方法及其装置
RU2401881C2 (ru) * 2005-03-18 2010-10-20 Улвак, Инк. Способ и устройство нанесения покрытия, постоянный магнит и способ его изготовления
AT501722B1 (de) 2005-07-12 2006-11-15 Miba Gleitlager Gmbh Beschichtungsverfahren
CN100595320C (zh) * 2005-11-16 2010-03-24 比亚迪股份有限公司 一种真空镀膜方法和系统
CN1970828B (zh) * 2005-11-26 2010-05-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 在模具上形成多层镀膜的方法
CN101144149B (zh) * 2006-09-11 2010-12-22 柏腾科技股份有限公司 无时间延迟的连续式真空制程设备及真空加工方法
DE102007049669A1 (de) * 2007-10-17 2009-04-23 Sms Demag Ag Schleusenvorrichtung und Verfahren zum Öffnen der Schleusenvorrichtung
CN101608301B (zh) * 2009-06-24 2011-12-07 江苏常松机械集团有限公司 连续真空等离子蒸发金属复合材料生产线
JP5244723B2 (ja) * 2009-07-10 2013-07-24 株式会社日立ハイテクノロジーズ 成膜装置
CN102703867A (zh) * 2012-01-13 2012-10-03 东莞宏威数码机械有限公司 电子轰击镀膜机
CN103866255B (zh) * 2014-03-10 2016-04-27 江西沃格光电股份有限公司 磁控溅射镀膜系统
US10371244B2 (en) 2015-04-09 2019-08-06 United Technologies Corporation Additive manufactured gear for a geared architecture gas turbine engine
TWM557347U (zh) * 2017-07-21 2018-03-21 Guay Guay Trading Co Ltd 彈匣氣體加熱結構

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4072985A (en) * 1977-05-04 1978-02-07 Rca Corporation Video disc with a dielectric layer formed from styrene and nitrogen
JPH06105742B2 (ja) * 1983-11-28 1994-12-21 株式会社日立製作所 真空処理方法及び装置
JPS60141869A (ja) * 1983-12-29 1985-07-26 Nissin Electric Co Ltd 膜形成方法および膜形成装置
JPS61105853A (ja) * 1984-10-30 1986-05-23 Anelva Corp オ−トロ−ダ−
JPS61106768A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 Anelva Corp 基体処理装置
DE3606529A1 (de) 1986-02-28 1987-09-03 Glyco Metall Werke Verfahren zur herstellung von schichtwerkstoff oder schichtwerkstuecken durch aufdampfen mindestens eines metallischen werkstoffes auf ein metallisches substrat
DE3717712A1 (de) * 1987-05-26 1988-12-15 Leybold Ag Vorrichtung zur halterung von werkstuecken
US4904362A (en) 1987-07-24 1990-02-27 Miba Gleitlager Aktiengesellschaft Bar-shaped magnetron or sputter cathode arrangement
AT392291B (de) * 1987-09-01 1991-02-25 Miba Gleitlager Ag Stabfoermige sowie magnetron- bzw. sputterkathodenanordnung, sputterverfahren, und vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
US4911810A (en) * 1988-06-21 1990-03-27 Brown University Modular sputtering apparatus
JPH07110991B2 (ja) * 1989-10-02 1995-11-29 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
SU1751506A1 (ru) * 1990-04-04 1992-07-30 Харьковский авиационный институт им.Н.Е.Жуковского Узел трени скольжени
US5236509A (en) * 1992-02-06 1993-08-17 Spire Corporation Modular ibad apparatus for continuous coating
TW276353B (ja) * 1993-07-15 1996-05-21 Hitachi Seisakusyo Kk
US5377816A (en) * 1993-07-15 1995-01-03 Materials Research Corp. Spiral magnetic linear translating mechanism
JP3732250B2 (ja) * 1995-03-30 2006-01-05 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式成膜装置
DE19514836C2 (de) * 1995-04-21 2000-06-08 Fraunhofer Ges Forschung Lagerschale
US5958134A (en) * 1995-06-07 1999-09-28 Tokyo Electron Limited Process equipment with simultaneous or sequential deposition and etching capabilities
DE19537092C1 (de) * 1995-10-05 1996-07-11 Ardenne Anlagentech Gmbh Elektronenstrahl-Bedampfungsanlage im Durchlaufbetrieb für thermisch hoch belastete Substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009001614A1 (ja) * 2007-06-25 2008-12-31 Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho 成膜装置

Also Published As

Publication number Publication date
CZ293929B6 (cs) 2004-08-18
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KR100532031B1 (ko) 2005-11-29
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CZ20001932A3 (cs) 2000-09-13
CN1177950C (zh) 2004-12-01
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EP1036212B1 (de) 2001-06-13
BR9814771A (pt) 2000-10-03

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