AT501722B1

AT501722B1 - Beschichtungsverfahren

Info

Publication number: AT501722B1
Application number: AT0116805A
Authority: AT
Original assignee: Miba Gleitlager Gmbh
Priority date: 2005-07-12
Filing date: 2005-07-12
Publication date: 2006-11-15
Also published as: CN1990901B; AT501722A4; CN1990901A; DE102006031783B4; US20070178233A1; DE102006031783A1; US7781015B2

Description

2 AT 501 722 B1

Die Erfindung betrifft ein Beschichtungsverfahren zur Herstellung eines Vorproduktes für ein Lagerelement, bei dem auf einem metallischem Substrat, das von einem Substrathalter gehaltert ist, aus der Gasphase eine metallische Schicht aus Partikel unter vermindertem Druck niedergeschlagen wird, wobei die Partikel mit zumindest einer Energiequelle aus zumindest 5 einem, eine Verdampfungsquelle bildenden Behälter verdampft werden sowie ein nach dem Verfahren hergestelltes streifenförmiges Vorprodukt zur Herstellung eines Lagerelementes mit einem metallischem Substrat, auf dem zumindest eine metallische Schicht angeordnet ist.

Verfahren zur Abscheidung metallischer Schichten auf einem metallischen Substrat im Vakuum io sind schon seit längerem bekannt. So ist z.B. aus der DE 195 14 835 C1 bekannt, auf konkav gekrümmten Gleitelementen eine Schicht durch Vakuumaufdampfen aufzubringen. Dazu wird zwischen dem Substrat und der Verdampferbadoberfläche ein bestimmter Abstand eingestellt. Das aufzudampfende Material ist in Verdampfertiegeln angeordnet und wird durch Elektronenbestrahlung verdampft. Während des Aufdampfens der Schicht werden der Verdampfer und der 15 Trägerkörper relativ zueinander mit ungleichförmiger Geschwindigkeit bewegt. Die Geschwindigkeit der Linearbewegung erreicht ihre Maximalkomponente sowohl beim Ein- als auch beim Austritt durch diese Dampfkeule. Um darüber hinaus zu erreichen, dass die Abweichung der Schichtdicke der aufgedampften Schicht von der Maximalschichtdicke weniger als 15 % beträgt, werden Teile des Dampfstroms mit Hilfe von Blenden ausgeblendet. 20

Nachteilig an dieser Art der Bedampfung ist, dass die Schichtdicke durch mehrere aufeinander abzustimmende Parameter festgelegt wird, sowie dass ein relativ komplexer Bewegungsablauf vorgegeben und überwacht bzw. geregelt werden muss. Zusätzlich sind noch konstruktive Maßnahmen zu setzen, um das gewünschte Schichtdickenverhältnis zu erreichen. Weiters 25 muss, für den Fall, dass als Beschichtung eine Legierung erzeugt werden soll, diese bereits in der Verdampferquelle vorliegen. Nachteilig ist auch, dass es u.U. zu einer Anhäufung von Material an bestimmten Stellen kommen kann.

Aus der DE 197 53 656 A ist eine Einrichtung zur Vakuumbeschichtung von Gleitlagern mit 30 mindestens einer Zwischenschicht und mindestens einer Gleitschicht bekannt, bestehend aus einer Reihe von Vakuumkammern, welche aneinander gereiht und durch Vakuumventile oder Druckstufen getrennt sind, wobei mindestens eine Vakuumkammer als Schleusenkammer zum Einbringen der unbeschichteten und/oder Ausbringen der beschichteten Gleitlager in das bzw. aus dem Vakuum dienen, wobei mindestens eine weitere Vakuumkammer zum Vorbehandeln 35 der unbeschichteten Gleitlager durch einen Plasmaprozess dient und mindestens jeweils eine Vakuumkammer zum Aufbringen der Zwischenschicht und der Gleitschicht dienen, Vakuumpumpen, die mit Vakuumkammern verbunden sind, Stromversorgungs- und Steuereinrichtungen zur Durchführung der Beschichtungsprozesse sowie Mittel zum Transport mehrerer Gleitlager auf einer durch die Einrichtung verlaufenden Transportbahn, wobei die Gleitlager im Trä-40 gerkörper formschlüssig gehalten sind, diese Trägerkörper temperierbar sind, die Gleitlager mit einer einstellbaren Kraft in die Trägerkörper pressbar sind, in Transportrichtung nacheinander mindestens die Schleusenkammer, eine Vorbehandlungskammer, eine erste Beschichtungskammer, eine zweite Beschichtungskammer und eine Schleusenkammer angeordnet sind, die Steuereinrichtung derart ausgebildet ist, dass die Trägerkörper mit einer an in jeder Vakuum-45 kammer ablaufenden Teilprozess anpassbaren Transportgeschwindigkeit bewegbar sind, in der Vorbehandlungskammer eine Ätzvorrichtung zum stationären magnetfeldunterstützten Plasmaätzen der Gleitlager angeordnet ist, in der ersten Beschichtungskammer eine Magnetron-Zerstäubungsquelle, in der mindestes ein Target zerstäubt wird, unter den Gleitlagern mit einem an die Geometrie der Gleitlager angepassten Abstand angeordnet ist, in der zweiten Beschich-50 tungskammer ein Elektronenstrahlverdampfer mit einem Verdampfertiegel mit einem an die Geometrie der Gleitlager angepassten Abstand angeordnet ist, vor und hinter dem Bereich, in dem die Gleitlager der Elektronenstrahlbedampfung ausgesetzt werden, Pufferbereiche angeordnet sind. 55 Nachteilig an dieser Einrichtung ist insbesondere der komplexe Aufbau sowie die Notwendigkeit 3 AT 501 722 B1 speziell geformte Trägerkörper für die Gleitlagerhalbschalen auszubilden, wobei diese Träger für jeden Gleitlagerdurchmesser speziell zu Verfügung gestellt werden müssen, um den entsprechenden Anpressdruck zu gewährleisten. 5 Die US 4,437,961 A beschreibt ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-Bauelementen, nach dem auf einem Wafer durch RF-Sputtern und DC-Magnetron-Sputtem sequentiell mehrere Schritte ausgeführt werden. Diese Schritte umfassen das Aufbringen einer Fotolackschicht und deren teilweise Härtung durch RF-Sputtern, die Entfernung der verbleibenden Fotolackschicht durch RF-Sputtern, das Reinigen des Wafers und Entfernen von Oxiden auf der Oberfläche des io Wafers durch RF-Sputtern sowie das Abscheiden von Leiterbahnen auf dem Wafer durch Mag netron-Sputtern.

Die US 6,051,113 A beschreibt eine Vorrichtung sowie ein Verfahren zur PVD-Abscheidung von Mehrfachschichten auf einem Substrat, wobei diese Mehrfachschichten aus zumindest zwei 15 unterschiedlichen Einzelschichten bestehen. Dazu werden in der Vorrichtung zwei Targets positioniert und das Substrat auf einen Substrathalter angeordnet. Zur Abscheidung der beiden unterschiedlichen Schichten werden die Targets entsprechend bewegt. Es kann damit eine Sequenz von Schichten innerhalb der Beschichtungsstruktur in einer einzigen Vakuumkammer aufgebaut werden. In einer Ausführungsvariante hierzu ist vorgesehen, dass mehrere Substrate 20 simultan beschichtet werden. Es werden wiederum Wafer bearbeitet, um damit Halbleiter-Bauelemente, insbesondere integrierte Schaltkreise sowie Speichermedien herzustellen.

Die DE 198 30 223 C1 beschreibt eine Vorrichtung und ein Verfahren zum mehrlagigen PVD-Beschichten von Substraten, vorzugsweise mit einer Magnetron-Sputter-Anlage. Die Vorrich-25 tung enthält als erfindungsgemäße Komponente ein oder mehrere, vorzugsweise gekühlte Zerstäubungstargetssysteme. Ein Zerstäubungstargetsystem besteht aus mehreren Einzeltargets, die aus unterschiedlichen Targetmaterialien hergestellt und in Form eines im Querschnitt gleichseitigen Hohlvielecks angeordnet sind. Die Anordnung ist um die Hohlvieleckssymmetrieachse drehbar gelagert. Im Inneren des Hohlvielecks sind vorzugsweise Magnetrons vorhan-30 den. Durch eine Abschirmung ist immer nur ein Einzeltarget des Zerstäubungstargetsystems dem lonenbeschuss ausgesetzt. Die Mehrlagenbeschichtung wird entsprechend einer Beschichtungsstrategie durch planmäßig gesteuertes, stufenweises Verdrehen des Zerstäubungstargetsystems in Winkelschritten, die dem Symmetriegrad des 35 Hohlvielecks entsprechen, vorgenommen. Durch Anlegen einer negativen elektrischen Spannung (BIAS) an die Substrate bzw. bei elektrisch nicht leitenden Substraten, an eine BIAS-Kathode in der Nähe der Substrate, kann die Schichtmorphologie zusätzlich gezielt beeinflusst werden. Es wird damit eine Dünnschicht mit einer Dicke im Bereich von 0,1 bis 5 pm hergestellt. 40 Beispielhaft ist eine Zweilagenschicht, bestehend aus einer 0,3 pm dicken Chrom-Unterschicht mit einer 1,5 pm dicken Zirkonnitrid-Deckschicht genannt.

Aus der DE 197 52 322 A1 ist ein Verfahren zur Ablagerung einer komplexen optischen Mehrfachbeschichtung auf einem Substrat bekannt. Die Beschichtung besteht aus mehreren Schich-45 ten zumindest zweier Materialtypen. Die Schichten werden sequentiell abgelagert in einer Ablagerungskammer durch reaktive Ablagerung, vorzugsweise durch Bedampfen und die Dicke in der abgelagerten Schicht wird ein- oder mehrmals während der Schichtablagerung bestimmt durch optische Messung der abgelagerten Schicht und durch Anpassung der von einem Modell der abgelagerten Schicht errechneten theoretischen Werte an die aktuell von der Messung so erhaltenen Werte. Eine Prozessvariable wird kontinuierlich gesteuert, um die Homogenität der abgelagerten Schichten sicher zu stellen, sodass eine gültige Dickenbestimmung durch das theoretische Modell durchgeführt werden kann.

Diese DE-A1 betrifft insbesondere Bereiche, wie z.B. Telekommunikation, wissenschaftliche 55 Instrumentierung, Optik, etc., bei denen Bedarf für komplexere optische Dünnfilmbeschichtun- 4 AT 501 722 B1 gen besteht. Typische Beschichtungsmaterialien sind Nb205 und Si02.

Die DE 198 24 310 C1 betrifft ein Gleitlager und ein Verfahren zu seiner Herstellung. Die Gleitschicht des Gleitlagers wird bezüglich der Verschleißständigkeit gegenüber galvanisch aufge-s brachten Schichten bzw. nach herkömmlichen Elektronenstrahlbedampfungsverfahren aufgebrachten Gleitschichten verbessert. Die Oberfläche der Gleitschicht weist runde Erhebungen und Senken auf, wobei die Erhebungen bezogen auf eine horizontale Schnittebene einen Flächenanteil von 30% bis 50%, bezogen auf die Gesamtfläche des Gleitlagers, einnehmen, wobei die Schnittebene in der Höhe liegt, bei der die Summe der im Vertikalschnitt erhaltenen Flä-io chenanteile der Erhebungen gleich der Summe der entsprechenden Flächenanteile der Senken ist. Die runden Erhebungen weisen in Draufsicht einen Durchmesser D von 3-8 pm auf, wobei sich dieser Wert bei in Draufsicht nicht kreisrunden Erhebungen und Senken auf den maximalen Durchmesser bezieht. Die Oberfläche weist eine Rauheit von Rz=3-7 pm auf. Das Verfahren zur Herstellung solcher Gleitlager beruht auf der Elektronenstrahl-Bedampfung, wobei ein Trä-15 gerkörper mit einer Rauheit von Rz<= 2 pm verwendet wird und die Bedampfung der Gleitschicht bei einem Druck von <0,1 Pa durchgeführt wird.

Die DE 101 07 288 A1 betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Gleitelementes, mit dem auf zumindest einer Oberfläche des Gleitelementes zumindest eine Schicht im Vakuum derart 20 aufgebracht wird, dass das Gleitelement durch eine die Schicht zumindest teilweise bildenden Partikelstrom in Form einer Drehbewegung um eine senkrecht auf die Partikelstrom-Längsmittelachse stehende bzw. zu einer Länge einer den aufzudampfenden Werkstoff aufnehmenden Einrichtung parallelen Achse geführt wird. 25 Die DE 198 24 308 C1 betrifft eine Gleitlagerschale mit einem Trägerkörper und mit mindestens einer metallischen Gleitschicht, die mittels Elektronenstrahlbedampfung aufgebracht ist und die in einem Matrixmaterial mindestens eine fein dispergierte Komponente aufweist, deren Atomgewicht größer ist als das des Matrixmaterials, wobei die Konzentration der fein dispergierten Komponente vom Scheitelbereich der Gleitlagerschale zum Teilflächenbereich hin kontinuierlich 30 abnimmt. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass während des Beschichtungsvorgangs im Scheitelbereich der Lagerschale ein Edelgasdruck von 0,1 bis 5 Pa eingestellt wird.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die Herstellung eines Gleitlagers mittels eines PVD-Verfahrens zu vereinfachen und damit bei gleichbleibender Qualität des Gleitlagers 35 eine entsprechende Kostenersparnis zu realisieren.

Diese Aufgabe der Erfindung wird jeweils eigenständig dadurch gelöst, dass nach dem Beschichtungsverfahren die metallische Schicht aus mehreren Einzelschichten sequenziell aufgebaut wird und das Substrat eben ist, durch ein nach dem Verfahren hergestelltes Vorprodukt, 40 bei dem die metallische Schicht aus mehreren Einzelschichten aufgebaut ist und das Substrat eben ist.

Die der Erfindung zugrunde liegende prinzipielle Idee ist darin zu sehen, dass anstelle der bisher üblichen Beschichtung bereits fertig ausgeformter Lagerelemente nunmehr ein ebenes, 45 streifenförmiges Vorprodukt beschichtet wird, das erst anschließend der Formgebung unterworfen wird. Mit bisher bekannten Beschichtungsverfahren sind ohne zusätzliche Maßnahmen, wie z.B. die Aktivierung der zu beschichtenden Oberfläche mittels Plasma oder aber auch durch Maßnahmen in der Nachbearbeitung, wie z.B. eine Nachionisierung, keine duktilen, gleichmäßigen, dichten Schichten erzielbar. Dieses Problem ist umso gravierender, wenn dicke Schich-50 ten im 100 pm Bereich abgeschieden werden sollen, wie dies nach der Erfindung möglich ist.

Diese Probleme wurden durch das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren gelöst, wobei damit Produkte hergestellt werden können, die eine duktile, feinstrukturierte, gleichmäßige und dichte Beschichtung mit höheren Schichtdicken der abgeschiedenen Schicht erfordern. Mit 55 diesem Vorteil und dem weiters bereits angesprochenen Vorteil, dass nämlich die Beschichtung 5 AT 501 722 B1 direkt auf dem Substrat erfolgen kann, ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren weiters von Vorteil, nachdem nur Vorprodukte hergestellt werden, dass eine Maßbeschichtung nicht erforderlich ist, d.h. dass die Toleranzgröße in Abweichungen der Schichtdicke aufgrund der nachfolgenden Formgebung, insbesondere Verpressung, bzw. durch das nachfolgende Aufwalzen 5 von gegebenenfalls weiteren Schichten, größer sein kann, sodass das Verfahren insgesamt bzw. die Beschichtungsanlage hierzu entsprechend vereinfacht werden kann. Es können aus diesen Vorprodukten in der Folge Lagerelemente hergestellt werden, die -qualitativ betrachtet -bis in die Bereiche der mechanischen Eigenschaften von qualitativ hochwertigen Sputter-Lagerelementen reichen, dabei jedoch zu Kosten von sogenannten Bimetalilagern, welche auf io herkömmliche, dem Stand der Technik entsprechende Art und Weise hergestellt werden. Des weiteren ist bei den Vorrichtungen hiefür von Vorteil, dass diese relativ einfach ausgeführt sind, d.h. keine mehrfachen Schleusenanlagen erfordern, um zwischen den einzelnen Bearbeitungsstationen den entsprechenden Transport zu diesen zu ermöglichen, in dem die Vorprodukte, d.h. die Substrate, während der Beschichtung auf trommelförmigen Substrathaltern angeordnet 15 werden, wie dies z.B. bereits aus der von der Anmelderin stammenden DE 101 07 288 A1 für Lagerhalbschalen bekannt ist, deren Offenbarungsinhalt Teil dieser Beschreibung der Erfindung ist. Durch das Heiz- und/oder Kühlsystem, welches mit diesem Substrathalter wirkungsverbunden ist, können die Substrate auf einem Temperaturniveau vom Beginn der Behandlung an bis zum Ende der Beschichtung gehalten werden, welches die Direktbeschichtung von Substraten 20 ermöglicht. Es ist dabei weiters von Vorteil, dass gegebenenfalls nach dem Aufdampfen der metallischen Schicht und unter Umständen durch eine gegebenenfalls erfolgende Temperaturerhöhung eine Diffusion zumindest einzelner Komponenten innerhalb der metallischen Schicht bzw. zwischen den Einzelschichten ermöglicht wird, wodurch eine weitere Vergleichmäßigung der Schichtzusammensetzung und damit eine Verbesserung der Eigenschaften des Vorproduk-25 tes erzielt werden kann. Des weiteren ist bei einer verwendeten Vorrichtung von Vorteil,, dass eine gewisse Nachverdichtung bzw. ein gezielter Beschuss zumindest einzelner der niedergeschlagenen, metallischen Einzelschichten mit Ionen, aus den diese Schichten gebildet werden, in ein und derselben Beschichtungskammer möglich ist, wobei durch Variation der Energie bzw. der Spannung im elektrischen Feld die Eigenschaften der metallischen Schicht, entsprechend 30 dem jeweiligen Verwendungszweck des Vorproduktes angepasst, verändert werden können.

Weitere Ausführungsvarianten des Beschichtungsverfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 33 angegeben. 35 So ist es z.B. möglich, die Einzelschicht mit einer definierten Dicke ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 10 nm und einer oberen Grenze von 10 pm auf dem Substrat niederzuschlagen, um dadurch die Duktilität sowie die Gleichmäßigkeit der Schichten weiter zu erhöhen. 40 Es ist weiters von Vorteil, eine metallische Schicht mit einer Schichtdicke von größer 100 pm, insbesondere größer 150 pm, bevorzugt größer 200 pm, beispielsweise 400 pm zu erzeugen, wenn das damit hergestellte Produkt für Lagerelemente verwendet wird, da damit eine ausreichende Schichtdicke für die formgebende Nachbearbeitung mit einhergehender Schichtdickenverringerung, d.h. die Maßfertigung mit engen Toleranzen, zur Verfügung steht. Darüber hinaus 45 ist es durch diese dicken Schichten möglich, ein Lagerelement mit einem entsprechenden Sicherheitsreservoir herzustellen, bevor dieses verschleißbedingt ausfällt.

Die Anzahl der Einzelschichten kann ausgewählt werden aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 50, insbesondere 100, vorzugsweise 250, und einer oberen Grenze von 5000, so insbesondere 4000, vorzugsweise 2500, da dadurch die Homogenität der metallischen Schicht aufgrund verminderter lokaler Konzentrationsgradienten einzelner Schichtbestandteile gesteigert werden kann. Andererseits ist damit der Vorteil zu erreichen, den Schichtaufbau bewusst mit Konzentrationsgradienten zu steuern bzw. ist es sogar möglich, zumindest Einzelschichten einer gänzlich anderen Zusammensetzung abzuscheiden, wobei gegebenenfalls in einem nach-55 folgenden Schritt durch Nachdiffusion wiederum eine entsprechende Homogenisierung über 6 AT 501 722 B1 den Querschnitt der metallischen Schicht möglich ist.

Dadurch, dass die Einzelschichten mit einer Oberflächenrauhigkeit erzeugt werden, die kleiner ist als die Oberflächenrauhigkeit des Substrates, wird die Ausbildung einer rauen, spröden 5 Oberfläche durch lokales Kristallitwachstum vermieden und es damit wiederum eine weitere Steigerung der Homogenität der Schicht sowie eine Verbesserung der Feinstrukturierung erreichbar. Des Weiteren kann damit auch die Haftung der Schicht am metallischen Substrat verbessert werden. io Das Substrat kann eine Abweichung von einer mittleren Substratdicke aufweisen, die nicht größer ist als 200 pm, insbesondere nicht größer als 150 pm, vorzugsweise nicht größer als 100 pm, ist.

Durch die zyklische, insbesondere rotierende oder lineare, Bewegung des Substrates über der, 15 insbesondere selben, Verdampferquelle können neben der eigentlichen Beschichtungsphase auch ausreichende Ruhephasen außerhalb der Verdampferquelle, d.h. der von dieser erzeugten Dampfkeule aus den Dampfpartikeln, zur Verfügung gestellt werden, in eine Diffusion von Einzelkomponenten der Schichten stattfinden kann, sodass daraus wiederum eine entsprechende Homogenisierung der Schichten resultiert. 20

Es ist dabei möglich, der rotierenden Bewegung die lineare zu überlagern, wodurch eine Beschichtung des Substrates mit einer schraubenlinienartigen Bewegung desselben erfolgen kann und damit auch größere Substrate beschichtet werden können. 25 Wie bereits erwähnt, kann außerhalb der zumindest einen Verdampfungsquelle eine Homogenisierung in der metallischen Schicht bzw. zwischen den Einzelschichten durch Diffusion zumindest einzelner Bestandteile der Schicht(en) durchgeführt werden, wobei diese gezielt, z.B. durch Veränderung der Geschwindigkeit, mit der das Substrat über der Verdampferquelle bewegt wird bzw. gegebenenfalls durch einen vollständigen Stillstand des Substrates außerhalb 30 der Verdampferquelle beeinflusst werden kann.

Gegebenfalls kann dabei in diesen Zeiten außerhalb der Verdampferquelle die Temperatur erhöht und/oder erniedrigt werden, wobei es von Vorteil ist, wenn den einzelnen Substraten gegebenenfalls eine lokale Temperiereinrichtung im bzw. am Substrathalter zugeordnet ist, wie 35 z.B. ein Peltierelement, sodass einzelne Substrate unabhängig von einer Grundtemperatur in der Beschichtungskammer temperiert werden können.

Das Substrat kann als Stahlstreifen ausgebildet sein, wodurch das durch das Beschichtungsverfahren hergestellte Vorprodukt eine ausreichende Dimensionsstabilität aufweist. 40

Von Vorteil ist weiters, wenn mehrere Verdampfungsquellen verwendet werden, in denen jeweils ein chemisches Reinelement als Target für den Aufbau der Beschichtung enthalten ist, da damit die Beschichtungszusammensetzung ausschließlich über die Menge an verdampften Partikeln aus diesen Verdampfungsquellen, d.h. den Verdampfertiegeln, bestimmt werden kann 45 und zum Anderen auf unter Umständen teure bzw. aufwendige Vorlegierungen - eine Legeie-rungsbildung findet gegebenenfalls in der Gasphase bzw. während des Niederschiagens der Partikel statt - verzichtet werden kann. Für die Verwendung des mit dem Beschichtungsverfahren hergestellten Vorproduktes als La-50 gerelement ist es von Vorteil, wenn als metallische Schicht ein Zwei- oder Mehrkomponentensystem aufgebaut wird, bestehend aus einem Basiselement, ausgewählt aus einer ersten Gruppe umfassend Aluminium, Zinn, Kupfer, Blei, und dieses während der Beschichtung mit zumindest einem weiteren Element, ausgewählt aus einer Gruppe umfassend Blei, Zinn, Wismut, Zink, Silizium, Magnesium, Mangan, Eisen, Scandium, Zirkonium, Chrom, Kupfer, Aluminium, 55 Beryllium, mit der Maßgabe, dass das Legeierungselement ungleich dem Basiselement ist, 7 AT 501 722 B1 legiert wird.

Wie bereits erwähnt, können aus diesen Komponenten Legierungen gebildet werden, wobei diese Legierungsbildung in der Gasphase bzw. während des Niederschiagens der einzelnen 5 Komponenten auf dem metallischen Substrat stattfindet bzw. gegebenenfalls durch eine Nachreaktion bzw. Diffusion außerhalb der Verdampferquelle, sodass die Legierungszusammensetzung gezielt über die einzubringende Energie während des Beschichtungsverfahrens gesteuert werden kann. io Es ist andererseits aber auch möglich, dass die Komponenten einzeln hintereinander in Einzelschichten niedergeschlagen werden, um damit einerseits z.B. eine Art Sandwich-Aufbau zu ermöglichen, der gegebenenfalls mikroskopisch zwar aus unterschiedlichen Einzelschichten besteht, makroskopisch aber homogene Eigenschaften aufweisen kann, bzw. kann aus diesen Einzelschichten durch Nachbearbeitung, wie z.B. Nachdiffusion etc., auch eine metallische 15 Schicht aufgebaut werden, welche mikroskopisch zumindest annähernd aus identen Einzelschichten besteht.

Bei der Verwendung des damit hergestellten Vorproduktes als Lagerelement kann auf der nicht beschichteten Oberfläche des Substrats eine zusätzliche Schicht aufgebracht werden, um 20 diesem Lagerelement in der Verwendung eine ausreichende Dauerhaftigkeit gegen Reibkorrosion zu geben.

Bei Bedarf ist es möglich, zwischen der metallischen Schicht und dem Substrat eine Haftvermittlerschicht aufzubringen, um damit die Haftfestigkeit der metallischen Schicht auf dem Sub-25 strat noch zu steigern.

Es ist mit dem Beschichtungsverfahren auch möglich, gezielt zumindest eine äußerste Schicht der Einzelschichten mit einer definierten Porosität herzustellen, wobei gemäß einer Ausführungsvariante hierzu Poren erzeugt werden können, mit einem mittleren Porendurchmesser, 30 ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,1 pm und einer oberen Grenze von 10 pm, insbesondere einer unteren Grenze von 0,5 pm und einer oberen Grenze von 5 pm, wodurch es z.B. möglich wird, in diesen Poren ein Schmiermittel anzuordnen, um dadurch bei der Verwendung des Vorproduktes zur Herstellung eines Lagerelementes den Reibwiderstand zu verringern, der sich zwischen dem Lagerelement und einer gelagerten Welle ausbildet. 35

Das Beschichtungsverfahren kann dazu verwendet werden, die aufgebrachte metallische Schicht als Laufschicht für ein Lagerelement, insbesondere ein Gleitlager, auszubilden.

Als Energiequelle zur Erzeugung des Partikelstromes, d.h. der Dampfkeule über der Verdamp-40 ferquelle, wird vorteilhafter Weise eine Elektronenstrahlquelle verwendet, da diese eine gezielte Positionierung des Energiestrahls durch magnetische Ablenkung der geladenen Teilchen, d.h. Elektronen, auf die Verdampferoberfläche ermöglicht.

Zumindest nach dem Aufträgen der ersten Einzelschichten kann eine Strukturverbesserung 45 dieser Einzelschichten durch Beschuss mit energiereichen Teilchen, die z.B. aus Gasteilchen und/oder Beschichtungsteilchen bestehen und Schwingungen in der Gitterstruktur dieser Ein-zelschicht(en) induzieren, erzielt werden, um damit die Duktilität der Schicht und deren dichte Struktur weiter zu verbessern. so Alternativ oder zusätzlich dazu ist es möglich, dass für den selben Zweck ein Anteil der verdampften Partikel ionisiert wird und diese während des Abscheidens der Einzelschichten in einem zwischen dem Substrat und zumindest einer Elektrode aufgebauten elektrischen Feld in Richtung auf die Oberfläche des Substrates bzw. der bereits abgeschiedenen Einzelschichten und/oder in einem zwischen den Elektroden, zum Aufbau eines zumindest annähernd senkrecht 55 zu dem Partikelstrom zwischen dem Substrathalter und der zumindest einen Verdampferquelle 8 AT 501 722 B1 verlaufenden elektrischen Feld zu beschleunigen, wobei es von Vorteil ist, wenn eine Spannung zum Aufbau des elektrischen Feldes ausgewählt wird aus einem Bereich, mit einer unteren Grenze von 10 V und einer oberen Grenze von 800 V, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 50 V und einer oberen Grenze von 600 V, insbesondere mit einer unteren Grenze von 5 100 V und einer oberen Grenze von 400 V, wodurch diese ionisierten Partikel eine entspre chend hohe kinetische Energie erfahren.

Zur Verbesserung der Homogenität der metallischen Schicht ist es von Vorteil, wenn das metallische Substrat auf eine Temperatur temperiert wird, die mindestens 10 °C unterhalb des io Schmelzpunktes jenes zu verdampfenden Elementes mit dem niedrigsten Schmelzpunkt liegt, um damit eine hohe Diffusionsgeschwindigkeit innerhalb der metallischen Schicht bzw. zwischen Einzelschichten zu erreichen, sodass die Prozessdauer insgesamt verkürzt werden kann.

Es ist weiters von Vorteil, wenn das Beschichtungsverfahren mit einem Druck durchgeführt wird, 15 der ausgewählt ist aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 1.10'7 mbar und einer oberen Grenze von 2.10"2 mbar, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 1.1 θ'6 mbar und einer oberen Grenze von 2.10'3 mbar, insbesondere mit einer unteren Grenze von 1.10*5 mbar und einer oberen Grenze von 2.1 θ'4, und/oder das Beschichtungsverfahren mit einer Abscheiderate durchgeführt wird, ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,01 pm/sec 20 und einer oberen Grenze von 0,1 pm/sec, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 0,03 pm/sec und einer oberen Grenze von 0,07 pm/sec, insbesondere mit einer unteren Grenze von 0,05 pm/sec und einer oberen Grenze von 0,06 pm/sec, da damit der Schichtaufbau weitestgehend ungestört von äußeren Einflüssen erfolgen kann. 25 Der Substrathalter kann mit einer Geschwindigkeit betrieben werden, die ausgewählt ist aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,01 m/sec und einer oberen Grenze von 10 m/sec, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 1 m/sec und einer oberen Grenze von 7 m/sec, insbesondere mit einer unteren Grenze von 3 m/sec und einer oberen Grenze von 6 m/sec, da damit den verdampften Partikeln eine ausreichende Zeit gegeben wird, um sich 30 homogen zur Ausbildung der Einzelschichten auf dem Substrat bzw. den bereits abgeschiedenen Einzelschichten niederzuschlagen.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, insbesondere aufgrund der Tatsache, dass keine Vorlegierungen eingesetzt werden, sondern die Legierungsbildung über Reinele-35 mente in der Gasphase bzw. den niedergeschlagenen Einzelschichten erfolgt, metastabile Phasen zumindest in einer äußersten Schicht der Einzelschichten abzuscheiden, die in der Folge während des Betriebes des fertigen Lagerelementes unterhalb einer sogenannten Notfalltemperatur, d.h. wenn aufgrund der gegebenenfalls auftretenden Reibung bzw. durch zu hohe Öltemperaturen die Gefahr einer Fressbelastung auftritt, diese metastabilen Phasen eine Pha-40 senumwandlung zu stabilen Phasen erfahren, um damit beispielsweise Notlaufeigenschaften des Lagerelementes auszubilden bzw. zu verbessern.

Dazu können diese Komponenten zur Ausbildung der metastabilen Phasen ausgewählt werden aus Verbindungen die aus Elementen gebildet werden aus einer Gruppe umfassend Zinn, 45 Silber, Kupfer, Aluminium, Mangan, Magnesium, Blei, Beryllium sowie Mischungen daraus.

Es ist weiters möglich, zumindest eine an der Substratoberfläche anliegende Einzelschicht zur Erhöhung der Festigkeit des Vorproduktes bzw. um einen „Härtegradienten“ in Richtung von Substrat auf die metallische Schicht zu erhalten und damit sprunghafte Härteübergänge zu so vermeiden, zu härten.

Es ist mit dem Beschichtungsverfahren auch möglich, aufgrund des Niederschiagens von mehreren Einzelschichten, ausgehend von einer innersten Einzelschicht an der Substratoberfläche in Richtung auf die äußerste Einzelschicht für zumindest eine Komponente einen Konzentrati-55 onsgradienten auszubilden, sodass also damit kein sprunghafter Übergang von mechanischen 9 AT 501 722 B1

Eigenschaften innerhalb dieser Schicht bzw. vom Substrat auf die Schicht vorhanden ist und damit die Eigenschaften des Vorproduktes, insbesondere bei dessen Verwendung als Lagerelement, verbessert sind. 5 Schließlich ist es mit dem Beschichtungsverfahren auch möglich Verfahren eine aufgedampfte Schicht oder zumindest eine Einzelschicht herzustellen, die im Vergleich zu Sputterschichten der gleichen Zusammensetzung eine um 30 %, insbesondere 35 %, vorzugsweise 40 %, geringere Härte nach Vickers aufweist, wodurch die Bruchdehnung verbessert werden kann. io Ausführungsvarianten des erfindungsgemäßen Vorproduktes sind in den Ansprüchen 34 bis 53 gekennzeichnet und können die jeweils damit erzielten Effekte teilweise aus obiger Darstellung auf diese Ausführungsvarianten entsprechend übertragen werden.

Wie bereits erwähnt, kann dabei zwischen dem Basiselement und dem zumindest einem weite-15 ren Element, welches auf dem metallischen Substrat zur Ausbildung einer metallischen Schicht niedergeschlagen werden, eine Legierung gebildet werden, wobei diese Legierung ausgewählt ist aus einer Gruppe umfassen AISnxCu, AlSnxSi, AIPbx, CuSnx, CuBix, CuSnBix, SnAlx, SnSbx„ AISnx, AlSi wobei x ein Wert sein kann, ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 6 und einer oberen Grenze von 30, je nachdem ob eine Hartphase oder eine Weichphase 20 gebildet werden soll, sodass also das Vorprodukt je nach dem gewünschte Verwendungsfall, wie z.B. Großlager oder Kleinlager, entsprechend angepasst hergestellt werden kann.

Zum besseren Verständnis wird die Erfindung anhand nachfolgenden Fig. näher erläutert. 25 Es zeigen jeweils in schematisch vereinfachter Darstellung:

Fig. 1 Ausführungsvarianten einer erfindungsgemäßen Beschichtungsvorrichtung;

Fig. 2 einen Ausschnitt aus einem erfindungsgemäßen Vorprodukt; 30

Fig. 3 ein aus dem Vorprodukt hergestelltes Lagerelement in Form einer Gleitlagerhalbschale; Fig. 4 ein Rauheitsprofil einer Oberfläche eines Vorproduktes;

Fig. 5 einen Querschliff eines Vorproduktes;

Fig. 6 eine Rasterelektronenmikroskopaufnahme der Oberfläche in 500-facher Vergrößerung.

Einführend sei festgehalten, dass in den unterschiedlich beschriebenen Ausführungsformen 35 gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bzw. gleichen Bauteilbezeichnungen versehen werden, wobei die in der gesamten Beschreibung enthaltenen Offenbarungen sinngemäß auf gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen bzw. gleichen Bauteilbezeichnungen übertragen werden können. Auch sind die in der Beschreibung gewählten Lageangaben, wie z.B. oben, unten, seitlich, usw. auf die unmittelbar beschriebene sowie dargestellte Figur bezogen und sind bei 40 einer Lageänderung sinngemäß auf die neue Lage zu übertragen. Weiters können auch Einzelmerkmale oder Merkmalskombinationen aus den gezeigten und beschriebenen unterschiedlichen Ausführungsbeispielen für sich eigenständige, erfinderische oder erfmdungsgemäße Lösungen darstellen. 45 Sämtliche Angaben zu Wertebereichen in gegenständlicher Beschreibung sind so zu verstehen, dass diese beliebige sowie alle Teilbereiche daraus mit umfassen. Z.B. ist die Angabe „1 bis 10“ so zu verstehen, dass sämtliche Teilbereiche, ausgehend von der unteren Grenze 1 und der oberen Grenze 10 mit umfasst sind, d.h. sämtliche Teilbereiche beginnen mit einer unteren Grenze von 1 oder größer und enden bei einer oberen Grenze von 10 oder weniger, z.B. 1 bis so 1,7, oder 3,2 bis 8,1 oder 5,5 bis 10.

In Fig. 1 sind verschiedene Ausführungsvarianten einer Beschichtungsvorrichtung 1 in Form einer Vakuumverdampfungsanlage gezeigt. Dieses umfasst ein evakuierbares Gehäuse 2, an bzw. in dem zumindest eine Schleuse 3 zum Ein- und/oder Ausschleusen von zu beschichten-55 den Gegenständen in einen Innenraum 4 der Beschichtungsvorrichtung 1 angeordnet ist, sowie 10 AT 501 722 B1 zumindest eine Vakuumpumpe.

Im Innenraum 4 des Gehäuses 2 sind bei dieser Ausführungsvariante zwei Energiequellen 5 in Form von Elektronenstahlverdampfern angeordnet. Selbstverständlich ist es möglich, auch nur 5 eine dieser Energiequellen 5 bzw. mehr als zwei hiervon vorzusehen, insbesondere deswegen, da es bei der Ausbildung der Energiequelle 5 als Elektronenstrahlverdampfer möglich ist, mit Hilfe von elektromagnetischen Feldern einen von der Energiequelle 5 ausgehenden Energiestrahl 6 abzulenken, sodass bei geeigneter Steuerung es möglich ist, mit nur einer Energiequelle 5 den Energiestrahl 6 in Art eines Sprungstrahlverfahrens auf mehrere Verdampfungsquellen io 7, d.h. auf eine Oberfläche 8 eines in diesen angeordneten, zu verdampfenden Metalls 9, zu lenken. Andererseits ist es möglich, jeder einzelnen Verdampfungsquelle 7, d.h. einem entsprechenden Tiegel, eine eigene Energiequelle 5 zuzuordnen bzw. ist auch eine Bündelung der Energiestrahlen, beispielsweise zur Erhöhung der Energieleistung, für nur eine Verdampfungsquelle 7 mit mehreren Energiequellen 5 möglich. 15

Zur Steuerung kann der Beschichtungsvorrichtung 1 eine Steuer- und/oder Regeleinrichtung (nicht gezeigt) zugeordnet sein, wobei bereits jetzt darauf hingewiesen wird, dass mit dieser selbstverständlich auch weitere Komponenten der Beschichtungsvorrichtung 1 wirkungsverbunden sein können. 20

Als Energiequelle(n) 5 können prinzipiell alle bekannten Elektronenstrahlquellen, vorzugsweise Axialelektronenkanonen, eingesetzt werden. Diese können eine Leistung von einigen 100 kW, z.B. 600 kW aufweisen. 25 Bevorzugt sind die Energiequelie(n) 5 in einem seitlichen Bereich des Innenraums 4 des Gehäuses 2 angeordnet, jedoch können diese selbstverständlich auch an jeder anderen, beliebigen Stelle des Gehäuses 2 angeordnet sein, gegebenenfalls in eigens hierfür am Gehäuse 2 vorgesehenen Aufnahmen 10 (in Fig. 1 strichliert dargestellt), um damit z.B. für Wartungsarbeiten eine bessere Zugänglichkeit zu diesen Energiequellen 5 zu erreichen, da lediglich gewähr-30 leistet sein muss, dass die Energiestrahlen 6 die Oberfläche 8 des im Tiegel, d.h. der Verdampfungsquelle 7, enthaltenen Targets, d.h. Metalls 9, erreichen.

Die Verdampfungsquellen 7 mit dem darin enthaltenen Metall 9 sind unterhalb eines Substrathalters 11 angeordnet. Bei der gegenständlichen Ausführungsvariante sind drei Verdampfungs-35 quellen 7 gezeigt, wobei die Erfindung selbstverständlich nicht auf diese Anzahl beschränkt ist, sondern sich diese vielmehr danach richten kann, aus wie vielen Einzelmaterialien, d.h. einzelnen Komponenten, eine metallische Schicht 12 (siehe Fig. 2) während der Beschichtung aufgebaut wird. Gegebenenfalls ist es weiters möglich, dass mehrere Verdampfungsquellen 7 das gleiche Metall 9, d.h. das gleiche Beschichtungsmaterial, zur Ausbildung der metallischen 40 Schicht 12 enthalten, um dabei während einer Umdrehung des Substrathalters 11 gleichzeitig mehrere Vorprodukte 13 zu beschichten, da ein Partikelstrom 14, der aufgrund des Energieeintrages mit der Energiequelle 5 in das Be-schichtungsmaterial, also das Metall 9 der gegenständlichen Ausführungsvariante, in Form einer Dampfkeule 15 entsteht, eine endliche Ausdehnung aufweist, sodass es unter Umständen von Vorteil ist, mehrere Verdampfungsquellen 7 45 nebeneinander mit dem gleichen Metall 9 anzuordnen, um dabei mehrere nebeneinander ausgebildete Dampfkeulen 15 zu erzeugen.

Die Verdampfungsquellen 7 können beheizbar, z.B. elektrisch, und/oder kühlbar, z.B. mit einem Fluid, wie z.B. Wasser, Luft, etc., sein. Des Weiteren ist es möglich, neben der diskontinuierli-50 chen Vorlage des Metalls 9, z.B. als Schüttgut, dieses kontinuierlich als Strang oder Draht z.B. über den Boden des Tiegels zuzuführen.

Der oberhalb der Verdampfungsquellen 7 angeordnete Substrathalter 11 ist bei gegenständlicher Ausführungsvariante trommelförmig ausgebildet und mit einem nicht dargestellten Antrieb 55 verbunden bzw. versehen, der eine Drehbewegung entsprechend Pfeil 16 ermöglicht. Auf die- 1 1 AT 501 722 B1 sem sind bevorzugt mehrere Vorprodukte 13, über den Umfang des Substrathalter 11 verteilt, gehaltert, wobei gegebenenfalls zwischen dem Substrathalter 11 und den Vorprodukten 13, beispielsweise zum Ausgleich der Oberflächenkrümmung des Substrathalters 11, entsprechende Adapter vorgesehen sein können, da erfindungsgemäß ebene Vorprodukte 13, wie dies in 5 Fig. 2 dargestellt ist, mit dem Verfahren bzw. der Beschichtungsvorrichtung 1 erzeugt werden.

Zur ortsfesten Halterung der Vorprodukte 13 an der Oberfläche des Substrathalters 11 können Halteeinrichtungen 17, wie z.B. Federn, Haltewinkel, etc., am Substrathalter 11 angeordnet sein, bzw. kann unter Umständen zumindest die Oberfläche des Substrathalters 11 magnetisch io ausgeführt sein - sofern dadurch der Energiestrahl 6 nicht negativ beeinflusst wird -, um die metallischen zu beschichtenden Gegenstände auf diesem zu halten. Diese Anordnung kann dabei in fixen Abständen zueinander vorgesehen sein bzw. gemäß einer bevorzugten Ausfüh-rungsvariante ist es möglich, diese Halteeinrichtungen 17 verstellbar über den Umfang am Substrathalter 11 anzuordnen, beispielsweise um damit unterschiedlich große Vorprodukte 13 15 erzeugen bzw. haltern zu können. Dazu ist es z.B. möglich, dass in der Oberfläche des Substrathalters 11 entsprechende Ausnehmungen vorgesehen sind, in denen diese Halteeinrichtungen 17 z.B. verschiebbar gehaltert sind, bzw. können mehrere Bohrungen, z.B. in Art eines Lochbandes, über die Oberfläche des Substrathalters 11 verteilt angeordnet sein, wobei diese bevorzugt verschließbar sind, um, wenn in diesen keine Halteeinrichtungen 17 angeordnet 20 werden, eine Beschichtung bzw. ein Aufdampfen von metallischem Material in diesen Bohrungen bzw. Öffnungen oder Durchbrüche zu vermeiden.

Zwischen der bzw. den Energiequelle(n) 5 und den Verdampfungsquellen 7 können Blenden 18, sog. Aperturblenden, angeordnet sein, wobei bevorzugt jeder Energiequelle 5 eine eigene 25 Blende 18 zugeordnet ist. Damit kann der Energiestrahl 6 zur Gänze bzw. teilweise ausgeblendet werden, um beispielsweise einen bestimmten Beschichtungsverlauf zu ermöglichen, um, wenn z.B. in den Verdampfungsquellen 7, d.h. den Tiegeln, unterschiedliche Metalle 9 vorgelegt sind, zumindest einzelne dieser Metalle 9 während der Bedampfung auszublenden und damit eine bestimmte Legierungszusammensetzung bzw. Beschichtungszusammensetzung zu er-30 möglichen bzw. auf diese Art und Weise unterschiedliche Schichten aufzubauen. Die Blenden 18 sind bevorzugt wassergekühlt, um die Energie, welche über die Energiestrahlen 6 in die Blenden 18 eingebracht wird, abführen zu können. Jegliche andere Art der Kühlung, die hierfür geeignet ist, ist selbstverständlich möglich. Weiters können die Blenden 18 jede beliebige Ausgestaltung aufweisen, z.B. flächig und linear verschiebbar, zweigeteilt und verschwenkbar, etc.. 35

Es ist nunmehr bei dieser Ausführungsvariante der Beschichtungsvorrichtung 1 vorgesehen, dass zwischen den Verdampfungsquellen 7 und dem Substrathalter 11 zumindest eine lonisie-rungsquelle 19 angeordnet ist, wobei mit zwischen auch ein seitlicher Bereich, wie dies in Fig. 1 für die beiden jeweils äußersten lonisierungsquellen 19 der Fall ist, mitumfasst ist. 40

Die lonisierungsquelle 19 ist in diesem Ausführungsbeispiel in Form von Elektroden 20 ausgebildet. Diese sind, wie bereits erwähnt, zwischen den Verdampfungsquellen 7 und den Substrathalter 11 sowie seitlich von dem ausgebildeten Partikelstrom 14 in Form der Dampfkeule 15 und zwischen den Verdampfungsquellen 7 und dem Substrathalter 11 und/oder innerhalb die-45 ser Dampfkeule(n) 15 angeordnet, wie dies aus Fig. 1 ersichtlich ist.

Mit Hilfe dieser lonisierungsquellen 19 ist es möglich, zumindest einen Teil des Partikelstromes 14, d.h. der dann enthaltenen Partikel zu ionisieren, sodass durch die gegebenenfalls daraus resultierende Beschleunigung der Partikel in Richtung auf die Substratoberfläche bzw. die so Oberfläche bereits vorhandener Einzelschichten 21 (siehe Fig. 2) eine sehr dichte Struktur der Schicht 12 auf einem Substrat 22 (siehe Fig. 2) erzeugt wird, wobei gleichzeitig eine hohe Abscheidegeschwindigkeit durch höhere Energieeinbringung in die Partikel über die Energiequellen 5 in das bzw. die Metalle 9 ermöglicht werden kann. 55 Es ist also auf diese Weise möglich, in relativ kurzen Zeiträumen eine entsprechende Beschich- 12 AT 501 722 B1 tung mit homogener Verteilung des Beschichtungsmaterials auf dem Substrat 22 zu erzeugen.

Anstelle der Elektroden 20 kann die lonisierungsquelle 19 aber z.B. auch durch einen Laser gebildet sein bzw. sind andere aus dem Stand der Technik bekannte lonisierungsquellen eben-5 so verwendbar, wobei gegebenenfalls auch Kombinationen mehrerer unterschiedlicher lonisierungsquellen 19, also z.B. die Elektroden 20 mit einem Laser, einsetzbar sind.

Mit Hilfe der lonisierungsquellen 19 ist es möglich, zwischen z.B. den Elektroden 20 eine Verwirbelung des verdampften Materials bzw. Metalls 9, d.h. der Partikel in dem Partikelstrom 14, io zumindest teilweise zu erreichen, sodass die Homogenität des abgeschiedenen Materials dadurch weiter verbessert werden kann.

Es ist weiters zusätzlich oder alternativ dazu möglich, an den Substrathalter 11 eine sog. Bias-Spannung anzulegen, sodass zwischen diesem und den Verdampfungsquellen 7 ein elektri-15 sches und/oder elektromagnetisches Feld zur Beschleunigung der Partikel, d.h. der Teilchen des Dampfstromes, aufgebaut wird, wobei die Spannung hinsichtlich des Spannungsverlaufes über die Dauer des Beschichtungsverfahrens mit der Steuer- und/oder Regeleinrichtung Steuer-und/oder regelbar sein kann. 20 Die Homogenität der Schicht 12 bzw. Einzelschichten 21 kann weiters durch eine geeignete Temperatursteuerung, abhängig vom Beschichtungsmaterial, sowie der Beschichtungsgeschwindigkeit gesteigert werden, wobei hier wiederum die Verwendung von Elektronenstrahlverdampfern als Energiequelle 5 von Vorteil ist, da damit die spezifische lokale Temperatur und damit auch die spezifische lokale Verdampfungsgeschwindigkeit des bzw. der Metalle 9 gege-25 benenfalls durch die Teilabschattung des Energiestrahles 6 mit Hilfe der Blenden 18 besser kontrolliert werden kann.

Zur weiteren Steigerung der Qualität der Schicht 12 bzw. der Einzelschichten 21 bzw. um damit die Adhäsion zu verbessern, ist es nach einer Weiterbildung möglich, in Umdrehungsrichtung 30 des Substrathalters 11, gemäß Pfeil 16, den Verdampfungsquellen 7 nachgeordnet einen Magnetron 23, insbesondere einen Kathodenzerstäubungsmagnetron, bzw. allgemein eine lonenquelle, anzuordnen, wie dies strichliert im linken oberen Quadranten des Gehäuses 2 in Fig. 1 dargestellt ist. Es kann damit ein Beschuss der Schicht 12 bzw. Einzelschichten 21 mit energiereichen Teilchen erfolgen. Dieser Magnetron 23 bzw. diese lonenquelle kann neben der 35 Erzeugung von Ionen für den Beschuss auch zur Herstellung einer Zwischenschicht, beispielsweise einer Diffusionssperrschicht oder einer Haftvermittlerschicht, dienen, die zwischen dem Substrat 22 und der Schicht 12 oder Einzelschichten 21 angeordnet werden kann. Möglich ist damit auch der Einbau von Metallen in sehr geringer Konzentration in die Schicht 12 bzw. Einzelschichten 21. Beispielsweise können durch diese Art einer Sputterquelle Spurenelement, wie 40 z.B. Zr, Sc, etc., in der Schicht 12 eingebaut werden, welche schmelzmetallurgisch in diesen geringen Konzentrationen nur schwer einbringbar sind.

Andererseits ist damit auch eine weitere Verdichtung der Schichtstruktur der Einzelschichten 21 bzw. Schicht 12 möglich. .45

Ein derartiger Magnetron 23 kann aber auch für die lonisierungsquellen 19 verwendet werden.

Es sind damit unter anderem auch höhere Härtewerte der Einzelschichten 21 bzw. der Schicht 12 erreichbar. 50

Im Rahmen der Erfindung besteht die Möglichkeit die Oberfläche des Substrates 22 vorzubehandeln, wie dies strichpunktiert im rechten oberen Quadranten des Gehäuses 2 der Beschichtungsvorrichtung 1 nach Fig. 1 in Form einer Vorbehandlungseinrichtung 24 dargestellt ist. Diese Vorbehandlungseinrichtung 24 kann z.B. als Ätzvorrichtung ausgebildet sein, wie dies 55 aus dem Stand der Technik bekannt ist, beispielsweise mit Glühkathoden, durch Sputterätzen, 1 3 AT 501 722 B1

Diodensputtern, durch Plasamaktivierung, Koronaentladungsaktivierung. Gegebenfalls kann vor dieser Oberflächenbehandlung bzw. Aktivierung der Oberfläche des Substrates 22 eine weitere Vorbehandlung z.B. in Form einer Entfettung bzw. generell Reinigung des Substrates 22 durchgeführt werden. 5

Nach einer weiteren Ausführungsvariante der Beschichtungsvorrichtung 1 ist der Substrathalter 11 temperierbar ausgebildet. Dazu kann z.B. im Inneren des trommelförmigen Substrathalters 11 ein Heiz- und/oder Kühlsystem 25 ausgebildet sein, um die Oberfläche des Substrathalters 11 und in weiterer Folge die Substrate 22 auf einem bestimmten Temperatumiveau zu halten io bzw. mit einem definierten Temperaturverlaufzu beschichten. Dieses Heiz- und/oder Kühlsystem 25, wie dies strichdoppelpunktiert dargestellt ist, kann z.B. als Heiz- und/oder Kühlmantel ausgebildet sein und entsprechende Anschlüsse für einen Zulauf 26 und einen Ablauf 27 aufweisen, die mit einem entsprechenden Versorgungssystem (in Fig. 1 nicht dargestellt) strömungsverbunden sind. Zur Kühlung kann beispielsweise Öl, Wasser, Luft, etc. verwendet wer-15 den, wobei gegebenenfalls zur Abfuhr von überschüssiger Wärme diesem Heizung- und/oder Kühlsystem 25 zur Energierückgewinnung ein Wärmetauscher zugeordnet sein kann.

Es wird damit möglich, das Beschichtungsverfahren mit einer exakten Temperatursteuerung durchzuführen, sodass aufgrund dieser Beschichtungstemperatur bzw. des Beschichtungstem-20 peraturverlaufes ebenfalls eine homogene dichte Struktur der Schicht 12 bzw. Einzelschichten 21 ausgebildet werden kann und somit gegebenenfalls auf die lonisierungsquellen 19, die nach der ersten Ausführungsvariante der Beschichtungsvorrichtung 1 beschrieben worden sind, verzichtet werden kann. 25 Alternativ oder zusätzlich zu diesen fluiddurchströmten Heiz- und/oder Kühlsystem 25 ist es ebenfalls möglich, im Inneren des Substrathalters 11 z.B. eine Widerstandsheizung in Form eines Heizdrahtes anzuordnen.

In Fig. 2 ist ein mit der Beschichtungsvorrichtung 1 nach Fig. 1 hergestelltes Vorprodukt 13 30 ausschnittsweise dargestellt. Dieses wird aus dem Substrat 22 sowie der darauf aufgedampften Schicht gebildet. Die Schicht 12 besteht aus Einzelschichten 21, wobei in Fig. 2 dies nur andeutungsweise dargestellt sind. Erfindungsgemäß können nach einer Ausführungsvariante zwischen 50 und 5000, insbesondere 100 und 4000, vorzugsweise 250 und 2500, Einzelschichten 21 auf das metallische Substrat 22 aufgebracht sein. 35

Obwohl in Fig. 2 die Einzelschichten 21 diskret dargestellt sind, ist es möglich, dass je nach Verfahrensführung diese Einzelschichten 21 zumindest makroskopisch nicht mehr unterscheidbar sind, beispielsweise wenn in einer Ruhephase des Beschichtungsverfahrens, also wenn das Substrat 22 aus dem Partikelstrom 14 bzw. der oder den Dampfkeule(n) durch die Umdre-40 hung des Substrathalters 11 herausbefördert wird, eine Diffusion zumindest einzelner Bestandteile der Einzelschichten 21 stattfindet und damit eine Art „Vermischungseffekt“ entsteht.

Erfindungsgemäß können mit dem Hochrate-Bedampfungsverfahren dicke Beschichtungen erzeugt werden, wobei die Schicht 12 eine Schichtdicke von >100 pm, insbesondere >150 pm, 45 bevorzugt > 200 pm, aufweist. Die Einzelschichten 21 können dabei eine Dicke aufweisen, ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 10 nm und einer oberen Grenze von 10 pm. Diese Schichtdicke der Einzelschichten 21 kann sich nach der Abscheidegeschwindigkeit richten bzw. der Höhe der eingebrachten Energie in die Verdampfungsquellen 7 bzw. nach der Höhe der auf die Partikel übertragenen, kinetischen Energie, mit der diese gegen die so Oberfläche des Substrates 22 gegebenenfalls beschleunigt werden. Daneben kann sich diese Schichtdicke nach der jeweiligen Temperaturführung ausrichten.

Als Substrat wird vorzugsweise ein Stahlstreifen verwendet, wie dieser üblicherweise zur Herstellung von Lagerelementen, wie z.B. Gleitlagern, insbesondere Gleitlagerhalbschalen, Ver-55 Wendung findet, nachdem das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren zur Herstellung von 14 AT 501 722 B1

Vorprodukten für die Fertigung von Lagerprodukten bevorzugt Verwendung findet.

Es ist aber auch möglich anstelle des Stahlstreifens Substrate 22 einzusetzen, die z.B. aus einem Verbundwerkstoff, wie z.B. einem Cu-Pb-Sn-Verbundwerkstoff, Stahl/Aluminium- oder 5 Stahl/Weißmetall-Verbundwerkstoff, ausgebildet sind.

Dabei kann auf dem metallischen Substrat 22, z.B. nach einem Sputterverfahren, einem PVD-oder nach einem galvanischen Verfahren auch eine Haftvermittler- bzw. Adhäsionsschicht -obwohl dies nach der Erfindung nicht erforderlich ist -, wie z.B. AICulO, bzw. eine andersartige io Funktionsschicht, welche im Bereich der Lagerelemente Verwendung findet, ausgebildet werden.

Derartige Funktionsschichten können beispielsweise als Diffusionssperrschichten ausgebildet sein, um eine möglicherweise staffindende Diffusion von Bestandteilen zwischen der Schicht 12 15 und dem Substrat 22 bzw. einer unter der Diffusionsschicht angeordneten weiteren Funktionsschicht zu vermeiden. Daneben ist es selbstverständliche möglich, derartige Schichten vorab, z.B. durch Plattier- bzw. Walzverfahren, welche aus dem Stand der Technik bekannt sind, aufzubringen. Als Werkstoffe für derartige Zwischenschichten können z.B. Nickel-, Nickel-Chrom-, Nickel-Kupferlegierungen verwendet werden, beispielsweise CuSn, CuBe, AlZn, AISn, 20 AlSi, CuAI, CuAIFe, CuSnZn, CuZn.

Generell ist anzuführen, dass das Vorprodukt 13 - abgesehen von der Schicht 12 bzw. den Einzelschichten 21 - zwei- oder mehrschichtig ausgebildet sein kann, dass also zwischen dem Substrat 22 und der Schicht 12 zumindest einen weitere Schicht angeordnet ist. 25

Die Schicht 12 bzw. Einzelschichten 21 können Legierungen z.B. folgenden Typs bilden: AISnxCu, AlSnxSi, AIPbx, CuSnx, CuBix, SnAlx, SnSbx, AISn, AICu, AlSi. Obwohl dies nicht beschränkend für die Erfindung ist, kann x eine Zahl sein, ausgewählt aus einem Bereich von 1 bis 30, insbesondere 3 bis 25, vorzugsweise 6 bis 20. Beispielsweise können im AlSnCu-30 Bereich AISn6, AISn50Cu1, SnAI6, AlSnSi-System, AISn6Si2, AISn25Si8, SnAn20Si2, im CuSn-System CuSn12, SnCu6, im CuPb-System CuPb5, CuPb50, PbCu6, sowie im CuPbSn-System CuPb10Sn2, CuPb30Sn6, PbCu6Sn2 Legierungen bzw. Einzelschichten 21 für die Schicht 12 gebildet werden, wobei jede Zwischenstufe zwischen den einzelnen Legierungen ebenfalls möglich ist. Dazu können in den Verdampferquellen 7 entsprechende Metalle 9, die 35 zum einen ein Basiselement, ausgewählt aus einer Gruppe umfassend Aluminium, Zink, Kupfer Blei, sowie ein weiteres Element, ausgewählt aus einer Gruppe umfassend Blei, Zinn, Wismut, Zink, Silizium, Magnesium, Mangan, Eisen, Scandium, Zirkonium, Beryllium, Chrom, Kupfer, Aluminium mit der Maßgabe, dass das Legierungselement ungleich dem Basiselement ist, vorgelegt werden. 40

Bevorzugt werden nach dem erfindungsgemäßen Beschichtungsverfahren chemische Reinelement, d.h. reine Metalle 9, mit einem entsprechenden Reinheitsgrad verwendet, sodass eine Legierungsbildung erst im Partikelstrom 14 bzw. durch das Abscheiden der einzelnen Partikel aus der bzw. den Dampfkeule(n) auf der Oberfläche des Substrates 22 bzw. der Einzel schich-45 ten 21 und einer nachfolgenden Diffusion erfolgt. Einsetzbar sind auch sog. Sekundärmetalle aus Recyclingverfahren.

Zur Verbesserung der Eigenschaften der Einzelschichten 21 bzw. der Schicht 12 ist es von Vorteil, wenn diese mit einer Oberflächenrauhigkeit erzeugt werden, die kleiner ist als eine so Oberflächenrauhigkeit des Substrats 22, wobei erzeugt im Sinne der Erfindung nicht unbedingt meint, dass diese Oberflächenrauhigkeit während der Beschichtung selbst, d.h. im Partikelstrom 14 durch das Abscheiden der Partikel auf die Substratoberfläche hergestellt wird, sondern durch die gegebenenfalls vorhandene nachfolgende Ruhephase es zu einer Oberflächenvergleichmäßigung im Hinblick auf die Rauhigkeit kommt, z.B. durch bereits erwähnten lonenbe-55 schuss der Oberfläche. Eine mechanische Bearbeitung erfolgt hierzu jedoch nicht. 15 AT 501 722 B1

Es ist dabei möglich, dass ein Substrat 22 verwendet wird mit einer Abweichung von einer mittleren Substratdicke, die nicht größer ist als 200 Mm, insbesondere nicht größer als 150 μιτι, vorzugsweise nicht größer als 100 Mm, ist. 5 Wie bereits erwähnt, kann die Beschichtung, d.h. die Schicht 12, homogen hergestellt werden, wobei dies einerseits bereits im Partikelstrom 14 erfolgen kann, oder aber infolge nachfolgender Diffusionsvorgänge außerhalb des Partikelstromes 14. Daneben ist es erfindungsgemäß auch möglich, eine ausgeprägte Multilayerstruktur, wie dies z.B. in Fig. 2 andeutungsweise dargestellt ist, zu erzeugen, wobei makroskopisch gesehen wiederum Homogenität bestehen kann, io also die Zusammensetzung der Einzelschichten 21 zwischen einzelnen Schichten variieren kann, um damit ein entsprechendes Verhalten bzw. entsprechende Eigenschaften des Vorproduktes 13 zu erhalten. Diese Multilayerstruktur kann z.B. durch einen entsprechenden Temperaturverlauf mit der Beschichtungsvorrichtung 1, insbesondere des Heiz- und/oder Kühlsystems 25, erzeugt werden und ist dieser abhängig von den jeweils verwendeten Metallen 9 für die 15 auszubildende Beschichtung. Daneben kann über das Temperaturverhalten bzw. den Temperaturverlauf, der mit diesem Heiz- und/oder Kühlsystem 25 eingestellt wird, auch das Diffusionsverhalten beeinflusst werden und somit durch entsprechende Steuerung die Ausbildung dieser Multilayerstruktur unterstützt werden. 20 Obwohl es Hauptzweck der Erfindung ist, homogene, dichte Schichten 12 bzw. dichte Schichten 12 mit Mulitlayerstruktur zu erzeugen, kann es von Vorteil sein, zumindest einzelne der Einzelschichten 21, insbesondere in oberflächennahen Bereichen, d.h. in jenen Bereichen, welche im späteren Verwendungsfall des Vorproduktes 13 als Lagerelement mit einem zu lagernden Teil, insbesondere einer Welle, in Kontakt stehen, mit einer gewissen Restporosität 25 auszurüsten, beispielsweise um darin Schmiermittel, wie z.B. ein Schmieröl, aufnehmen zu lassen. Es können beispielsweise Poren erzeugt werden mit einem mittleren Porendurchmesser, ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,1 pm und einer oberen Grenze von 10 pm. Diese Restporosität kann zum einen dadurch erreicht werden, dass in einem abschließendenden Verfahrensverlauf die restlichen noch aufzubringenden Einzelschich-30 ten 21 mit höherer Umdrehungsgeschwindigkeit des Substrathalters 11 abgeschieden werden, sodass sich keine „durchgehende" Einzelschicht 21 ausbildet. Zusätzlich oder alternativ dazu ist es auch möglich, mit der Beschichtungsvorrichtung 1 einen entsprechenden Temperaturverlauf vorzugeben, um beispielsweise bei verminderter Temperatur und der aufgrund der geringeren Energieeinbringung in die Teilchen relativ geringeren Beweglichkeit derselben eine Diffusion 35 bzw. einen Ausgleich bzw. eine Homogenisierung der Einzelschichten 21 zu verzögern bzw. in geringerem Ausmaß durchzuführen.

Mit dem erfindungsgemäßen Beschichtungsverfahren ist es weiters möglich, Elemente bzw. Metalle 9 in äußerst geringen Mengen, d.h. Konzentrationen, wie z.B. Zirkonium, Scandium, 40 Yttrium, etc., in die bzw. zumindest eine der Einzelschichten 21 einzulagem, beispielsweise mit einer Konzentration von 0,01 bis 0,1 %. Diese Metalle 9 können dabei bereits in den Verdampfungsquellen 7 vorgelegt sein bzw. in einem nachfolgenden Schritt aus einer zusätzlichen Quelle, z.B. einer entsprechende Kathode, in die Schicht 12 eingebracht werden. Es ist damit also möglich, Spurenelement, welche schmelzmetallurgisch in diesen geringen Konzentrationen 45 nicht sinnvoll in Legierungen eingebaut werden, herzustellen.

Des weiteren kann durch zusätzliche Quellen in der sogenannten Nichtbedampfungsphase auch eine chemische Reaktion stattfinden, um besondere Schichten auszubilden, wie z.B. Härteschichten, wie z.B. Nitrid-, Borid- oder Oxidschichten, etc. 50

Es ist auf diese Weise also möglich, zumindest eine an der Substratoberfläche anliegende Einzelschicht 21 zu härten, um beispielsweise einen Härtegradienten in der Schicht 12 zu erzeugen. 55 Des weiteren kann durch geeignete Steuerung des Verfahrens, d.h. entsprechende Energieein- 16 AT 501 722 Bi bringung in die Verdampfungsquellen 7 bzw. Abschattung einzelner Verdampfungsquellen 7 bzw. wenn zur Umlenkung des Energiestahls 6 Magnete verwendet werden, durch entsprechende Steuerung dieser Magnete, ein Konzentrationsgradient für zumindest einzelne Metalle 9 innerhalb der Schicht 12 bzw. der Einzelschichten 21 erzeugt werden. 5

Es ist weiters möglich, das Beschichtungsverfahren derart zu steuern, dass in der Schicht 12 bzw. in zumindest einer äußeren Einzelschicht 21 der Schicht 12 Komponenten abgeschieden werden, die im späteren Betrieb des aus dem Vorprodukt 13 gefertigten Lagerelementes eine Phasenumwandlung erfahren, sodass also beispielsweise bei Ausbildung „Lagerelement“ ein io Notlaufverhalten bei Eintreten einer Notfalltemperatur im Lager, als bei einer erhöhten Temperatur, ermöglicht wird.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann derart betrieben werden, dass eine Spannung zum Aufbau des elektrischen Feldes zwischen dem Substrathalter 11 und den Verdampfungsquellen 15 7 ausgewählt ist aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 10 V und einer oberen Gren ze von 800 V, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 50 V und einer oberen Grenze von 600 V, insbesondere mit einer unteren Grenze von 100 V und einer oberen Grenze von 400 V.

Des weiteren kann das metallische Substrat 22 auf eine Temperatur temperiert werden, die 20 mindestens 10 °C unterhalb des Schmelzpunktes des zu verdampfenden Elementes mit dem niedrigsten Schmelzpunkt liegt, wobei diese Temperierung vorteilhafter Weise bereits vor Beginn der Beschichtung durchgeführt wird.

Dabei können durch entsprechende Temperaturführung auch die Eigenschaften der Schicht 12 25 beeinflusst werden. Beispielsweise werden durch niedrigere Temperaturen amorphe Schichten ausgebildet und kann durch erhöhte Temperatur eine „strukturierte“ Schicht 12 ausgebildet werden. Selbstverständlich ist es im Rahmen der Erfindung möglich, einen entsprechenden Temperaturverlauf während des Beschichtungsverfahrens durchzuführen, sodass also sowohl amorphe als auch nicht amorphe Einzelschichten 21 sowie sämtliche Übergänge hierzu gebil-30 det werden.

Die Eigenschaften der Schicht 12 können weiters durch die Abscheiderate der Partikel aus dem Partikelstrom 14 beeinflusst werden, wobei diese Abscheiderate ausgewählt sein kann aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,01 pm/sec und einer oberen Grenze von 35 0,1 pm/sec, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 0,03 pm/sec und einer oberen Grenze von 0,07 pm/sec, insbesondere mit einer unteren Grenze von 0,05 pm/sec und einer oberen Grenze von 0,06 pm/sec.

Dabei kann der Substrathalter 11 mit einer Geschwindigkeit betrieben werden, die ausgewählt 40 ist aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,01 m/sec und einer oberen Grenze von 10 m/sec, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 1 m/sec und einer oberen Grenze von 7 m/sec, insbesondere mit einer unteren Grenze von 3 m/sec und einer oberen Grenze von 6 m/sec. Des weiteren ist es möglich, das Verfahren bei einem Druck durchzuführen, ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 1.10"7 mbar und einer oberen Grenze 45 von 2.10'2 mbar, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 1.10-6 mbar und einer oberen Grenze von 2.10-3 mbar, insbesondere mit einer unteren Grenze von 1.10'5 mbar und einer oberen Grenze von 2.10"4.

Selbstverständlich ist es möglich, die einzelnen Parameter aufeinander abzustimmen bzw. so Parameter während des Beschichtungsverfahrens zu verändern.

Die die Phasenumwandlung ausbildenden Komponenten bzw. Komponente können ausgewählt sein aus einer Gruppe von Verbindungen die aus Elementen gebildet werden aus einer Gruppe umfassend Zinn, Silber, Kupfer, Aluminium, Mangan, Magnesium, Blei, Beryllium sowie Miss schungen daraus. 17 AT 501 722 B1

Weiters können die Eigenschaften durch einen Abstand zwischen dem Substrathalter 11 und den Verdampfungsquellen 7 beeinflusst werden, indem eine Variation der Abscheidemenge aufgrund eines mehr oder weniger tiefen Eintauchens der Substrate 22 in die Dampfkeule 15 erreicht werden kann. 5

Darüber hinaus ist es möglich, über den Abstand der Verdampfungsquellen 7 zueinander einen mehr oder weniger großen Überschneidungsbereich einzelner Dampfkeulen 15 zu erhalten, sodass über diesen Abstand ebenfalls eine entsprechende Durchmischung der einzelnen Partikel aus den verschiedenen Verdampfungsquellen 7 in mehr oder weniger großem Ausmaß io erreicht wird. Gegebenenfalls ist es dabei möglich, dass dieser Abstand sowie der Abstand der Verdampfungsquellen 7 zum Substrat 22 während des Beschichtungsverfahrens verändert wird, beispielsweise indem die Verdampfungsquellen 7 höhen- und/oder seitenverstellbar ausgebildet sind, wobei diese mit einem Motor, z.B. einem Schrittmotor, wirkungsverbunden sein können. 15

Durch entsprechende Wahl dieser Parameter bzw. generell durch das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren ist es möglich, aufgrund der Abscheidung von Einzelschichten 22 sehr feinkörnige Vorprodukte 13 mit extrem hoher Belastbarkeit herzustellen, wobei, wie erwähnt, die Vorbehandlung, wie sich anhand von Versuchen gezeigt hat, keine bzw. vernachlässigbare 20 Nebeneffekt erzeugen, sodass diese Vorbehandlung sehr einfach gestaltet werden kann, beispielsweise in einer einfachen Reinigung, womit wiederum das Verfahren selbst kostengünstiger ausgeführt werden kann.

Das Substrat 22 kann anfangs beheizt werden und in späteren Stadien des Beschichtungsver-25 fahrens gekühlt werden, um es auf einem bestimmten Temperaturniveau zu halten.

Dabei kann ein entsprechendes thermisches Gleichgewicht und somit eine entsprechende Struktur(veränderung) erreicht werden. 30 Ein thermisches Gleichgewicht kann auch durch die Rotationsgeschwindigkeit des Substrathalters 11 eingestellt werden, indem die Kondensationswärme auf den Wärmeverlust durch Strahlung abgeglichen wird. Über Sputterkathoden kann beispielsweise eine Haftschicht, sollte dies gewünscht sein, aufge-35 bracht werden.

Da die Verdampfungsquellen 7 eine endliche Größe aufweisen, ist erfindungsgemäß vorgesehen, für größere Substrate 22 den Substrathalter 11 linear verschiebbar auszubilden, also beispielsweise in Richtung einer Drehachse 28 des Substrathalters 11. Dadurch wird eine spi-40 ralförmige Beschichtung größerer Oberflächen ermöglicht.

Von Vorteil ist dabei, um einheitliche d.h. homogenere Schichten 12 zu erzeugen, wenn die Bewegung durch Rotation und die linearer Bewegung derart aufeinander abgestimmt werden, dass sich die aufgebrachten Beschichtungsteilstücke in Randbereichen zumindest teilweise 45 überlappen.

In Fig. 2 ist strichliert weiters dargestellt, dass auf einer unbehandelten Oberfläche 29 des Substrates 22, d.h. der Oberfläche, welche am Substrat 22 der Schicht 12 gegenüberliegend ist, zumindest eine weitere Funktionsschicht, wie z.B. eine Korrosionsschutzschicht, insbeson-50 dere eine Schicht gegen reibenden Verschleiß, wie z.B. eine Schicht aus CuSn6 oder CuSn, etc., angeordnet werden kann. Zudem kann aber die erfindungsgemäße Beschichtung auch zweiseitig erfolgen, also beispielsweise auf dieser zweiten Oberfläche ebenfalls eine Laufschicht für ein Lagerelement ausgebildet werden. 55 Fig. 3 zeigt schließlich den bevorzugten Anwendungsfall des Vorproduktes 13 nach Fig. 2 in 18 AT 501 722 B1

Form eines Lagerelementes, insbesondere einer Gleitlagerhalbschale 30. Diese entsteht durch entsprechende nachfolgende Verformung bzw. Umformung aus dem Vorprodukt 13 und weist das Substrat 22 sowie zumindest die Schicht 12 auf. 5 Es sei aber darauf hingewiesen, dass das erfindungsgemäße Verfahren nicht nur auf derartige Vorprodukte 13 anwendbar ist, sondern beispielsweise auch Verschleißschichten, Korrosionsschutzschichten generell auf metallischen Substraten 22 erzeugt werden können.

Das erfindungsgemäße Lagerelement kann aber auch in Form eines Volllagers, einer Lager-io buchse etc. ausgebildet sein.

Die Schicht 12 weist in derartigen Lagerelementen eine geringere Dicke auf, wobei unter Umständen bis zu 60 % der ursprünglichen Schichtdicke aufgrund der Stoßverdichtung bzw. generell durch die Umformung verloren gehen. Es ist aus diesem Grund nicht zwingend erforderlich, 15 auf eine regelmäßige Schichtdicke bei den Einzelschichten 21 zu achten.

Die Fig. 4 bis 6 zeigen schließlich zum einen ein Rauheitsprofil und zum anderen eine lichtmikroskopische Aufnahme eines Querschiffes sowie eine Rasterelektronenmikroskopaufnahme einer Oberfläche der Schicht 12 eines erfindungsgemäß hergestellten Vorproduktes 13 nach 20 Fig. 2. Dieses besteht aus einem Substrat 22 aus einem Stahlstreifen sowie aus einer AISn20Cu-Legierung, welche die Schicht 12 bildet. Der Stahlstreifen hat dabei eine Dimension von 3000 x 260 x 3 mm und wurde dieser auf dem Substrathalter 11 nach Fig. 1 mit einem Durchmesser von 1000 mm angeordnet. Es wurden dabei 100 Einzelschichten 21 erzeugt, mit einer Dicke von jeweils 1 pm bei einer Temperatur von 150 °C. 25

Wie nun insbesondere Fig. 4 zeigt, konnte eine sehr ebenmäßige Oberfläche der Schicht 12 erzeugt werden, wobei ein arithmetischer Mittenrauwert Ra nach DIN EN ISO 4287 0,951 pm und eine maximale Rauheitsprofilhöhe Rz nach DIN EN ISO 4287 6,287 pm bzw. R3z 4,843 pm beträgt. 30

Aus Fig. 5 ist dazu ersichtlich, dass die Schicht 12 homogen aufgebaut ist und lichtmikroskopisch keinerlei Einzelschichten zu unterscheiden sind. Des weiteren ist aus dieser Figur ersichtlich, dass obwohl keine Haftvermittlungsschicht aufgebracht wird, keine Haftungsfehler zwischen dem Substrat 22 und der Schicht 12 vorhanden sind. 35

Sowohl Fig. 5 als auch Fig. 6 belegen die Feinkörnigkeit der Oberfläche der Schicht 12, wobei der Querschliff nach Fig. 5 ungeätzt ist und die Rasterelektronenmikroskop der Oberfläche eine 500-fache Vergrößerung derselben zeigt. 40 Die Gesamtschichtdicke, welche aus Fig. 12 ersichtlich ist, beträgt zwischen 90 und 91 pm.

Die AISn20Cu-Schicht wies dabei folgende Werte für die Mikrohärte auf: 39,1/38,8/39,2/38,7/38,8 UMHV5p 45 37,4/38,3/38,5/36,5/37,9 UMHVIOp

Die Härteangaben beziehen sich auf eine Vickers-Mikrohärtemessung mit 0,0005 bzw. 0,001 Kilopond Prüfkraft It. der Norm DIN EN ISO 6507-1. so Die Härte nach Vickers wurde mit HV>50 gemessen.

Es wurden allerdings auch Schichten 12 in weiteren Versuchen erzeugt mit HV>60.

Die Zusammensetzung der Schicht 12 wurde an 10 Zonen vermessen und ergab folgendes 55 Ergebnis: 19 AT 501 722 B1 AI Gew.-% Sn Gew.-% Cu Gew.-% Zone 1 83,17 15,52 1,31 Zone 2 83,47 14,30 2,22 Zone 3 84,06 14,93 1,10 Zone 4 80,58 18,12 1,30 Zone 5 84,71 14,32 0,97 Zone 6 76,88 21,88 1,25 Zone 7 81,61 16,57 1,76 Zone 8 82,24 17,37 0,39 Zone 9 78,97 19,62 1,41 Zone 10 78,76 17,92 0,85

Wie die einzelnen Messwerte darstellen, konnte also mit dem erfindungsgemäßen Beschichtungsverfahren bereits in noch nicht optimierten Vorversuchen eine sehr homogene, einheitliche .20 Schicht 12 erzeugt werden.

Generell ist festzuhalten, dass mit dem erfindungsgemäßen Verfahren aus der Gasphase aufgedampfte Schichten 12 herstellbar sind, die im Vergleich zu Sputterschichten der gleichen Zusammensetzung eine um 30 %, insbesondere 35 %, vorzugsweise 40 %, geringere Härte 25 nach Vickers aufweisen. Die erfindungsgemäße Schicht 12 weist eine höhere Bruchdehnung aufgrund höherer Zähigkeit im Vergleich zu Sputterschichten auf.

Darüber hinaus können Schichten 12 hergestellt werden, die - im Vergleich zu Sputterschichten - keine Spurenelemente aus der Verdampfungsquelle 7 aufweisen. 30

Zudem sind bleifreie Schichten kostengünstig herstellbar.

Die Ausführungsbeispiele zeigen mögliche Ausführungsvarianten des Vorproduktes 13, wobei an dieser Stelle bemerkt sei, dass die Erfindung nicht auf die speziell dargestellten Ausfüh-35 rungsvarianten desselben eingeschränkt ist, sondern vielmehr auch diverse Kombinationen der einzelnen Ausführungsvarianten untereinander möglich sind und diese Variationsmöglichkeit aufgrund der Lehre zum technischen Handeln durch gegenständliche Erfindung im Können des auf diesem technischen Gebiet tätigen Fachmannes liegt. Es sind also auch sämtliche denkbaren Ausführungsvarianten, die durch Kombinationen einzelner Details der dargestellten und 40 beschriebenen Ausführungsvariante möglich sind, vom Schutzumfang mitumfasst.

Der Ordnung halber sei abschließend darauf hingewiesen, dass zum besseren Verständnis des Aufbaus der Beschichtungsvorrichtung 1 und des Vorproduktes 13 sowie des Lagerelementes diese bzw. deren Bestandteile teilweise unmaßstäblich und/oder vergrößert und/oder verkleinert 45 dargestellt wurden.

Die den eigenständigen erfinderischen Lösungen zugrundeliegende Aufgabe kann der Beschreibung entnommen werden. so Vor allem können die einzelnen in den Fig. 1; 2; 3; 4, 5,6 gezeigten Ausführungen den Gegenstand von eigenständigen, erfindungsgemäßen Lösungen bilden. Die diesbezüglichen, erfindungsgemäßen Aufgaben und Lösungen sind den Detailbeschreibungen dieser Figuren zu entnehmen. 55

Claims

20 AT 501 722 B1 Bezugszeichenaufstellung 1 Besch ichtu ngsvorrichtu ng 2 Gehäuse 5 3 Schleuse 4 Innenraum 5 Energiequelle 6 Energiestrahl 10 7 Verdampfungsquelle 8 Oberfläche 9 Metall 10 Aufnahme 15 11 Substrathalter 12 Schicht 13 Vorprodukt 14 Partikelstrom 20 15 Dampfkeule 16 Pfeil 17 Halteeinrichtung 18 Blende 19 lonisierungsquelle 25 20 Elektrode 21 Einzelschicht 22 Substrat 23 Magnetron 30 24 Vorbehandlungseinrichtung 25 Kühlsystem 26 Zulauf 27 Ablauf 35 28 Drehlachse 29 Oberfläche 30 Gleitlagerhalbschale 40 Patentansprüche: 1. Beschichtungsverfahren zur Herstellung eines Vorproduktes (13) für ein Lagerelement, bei dem auf einem metallischen Substrat (22), das von einem Substrathalter (11) gehaltert ist, aus der Gasphase eine metallische Schicht (12) aus Partikel unter vermindertem Druck 45 niedergeschlagen wird, wobei die Partikel mit zumindest einer Energiequelle (5) aus zu mindest einem, eine Verdampfungsquelle (7) bildenden Behälter verdampft werden, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (12) aus mehreren Einzelschichten (21) sequenziell aufgebaut wird und das Substrat (22) eben ist. so 2. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelschichten (21) mit einer definierten Schichtdicke ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 10 nm und einer oberen Grenze von 10 pm auf dem Substrat (22) niedergeschlagen werden. 55 3. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die metal- 21 AT 501 722 B1 lische Schicht (12) mit einer Schichtdicke von größer 100 pm, insbesondere größer 150 pm, bevorzugt größer 200 pm, z.B. 300 pm - 400 pm, erzeugt wird.
4. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn-5 zeichnet, dass die Anzahl der Einzelschichten (21) ausgewählt wird aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 50, insbesondere 100, vorzugsweise 250, und einer oberen Grenze von 5000, insbesondere 4000, vorzugsweise 2500.
5. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 10 zeichnet, dass die Einzelschichten (21) mit einer Oberflächenrauhigkeit erzeugt werden, die kleiner ist als eine Oberflächenrauhigkeit des Substrats (22).
6. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Substrat (22) verwendet wird, mit einer Abweichung von einer mittleren 15 Substratdicke die nicht größer ist als 200 pm, insbesondere nicht größer als 150 pm, vor zugsweise nicht größer als 100 pm.
7. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (22) mehrmals mit einer zyklischen, insbesondere rotierenden 20 oder linearen, Bewegung über die, insbesondere selbe(n), Verdampfungsquelle(n) (7) be wegt wird.
8. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die rotierende Bewegung mit der linearen Bewegung des Substrates (22) kombiniert wird. 25
9. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass außerhalb der zumindest einen Verdampfungsquelle (7) eine Homogenisierung in der metallischen Schicht (12) bzw. zwischen den Einzelschichten (21) durch Diffusion zumindest einzelner Bestandteile der Schichten) (12, 21) durchgeführt wird. 30
10. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat (22) ein Stahlstreifen verwendet wird.
11. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 35 zeichnet, dass mehrere Verdampfungsquellen (7) verwendet werden, in denen jeweils ein chemisches Reinelement für den Aufbau der Beschichtung enthalten ist.
12. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als metallische Schicht (12) ein Zwei- oder Mehrkomponentensystem auf- 40 gebaut wird, bestehend aus einem Basiselement ausgewählt aus einer ersten Gruppe umfassend Aluminium, Zinn, Kupfer, Blei, legiert mit zumindest einem weiteren Element ausgewählt aus einer Gruppe umfassend Blei, Zinn, Wismut, Zink, Silizium, Magnesium, Man-gan, Eisen, Scandium, Zirkonium, Chrom, Kupfer, Aluminium, Beryllium mit der Maßgabe, dass das weitere Element ungleich dem Basiselement ist. 45
13. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass aus den Komponenten eine Legierung gebildet wird.
14. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, dass die so Komponenten einzeln hintereinander in Einzelschichten (21) niedergeschlagen werden.
15. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer nicht beschichteten Oberfläche (29) des Substrats (22) eine Schicht gegen Reibkorrosion aufgebracht wird. 55 22 AT 501 722 B1
16. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der metallischen Schicht (12) und dem Substrat (22) eine Haftvermittlerschicht aufgebracht wird.
17. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass zumindest eine äußerste Schicht der Einzelschichten (21) mit einer definierten Porosität hergestellt wird.
18. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass Poren erzeugt io werden mit einem mittleren Porendurchmesser ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,1 pm und einer oberen Grenze von 10 pm, insbesondere einer unteren Grenze von 0,5 pm und einer oberen Grenze von 5 pm.
19. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 15 zeichnet, dass die metallische Schicht (12) als Laufschicht des Lagerelementes ausgebil det wird.
20. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Vorprodukt (13) für ein Gleitlager hergestellt wird. 20
21. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass als Energiequelle (5) zumindest eine Elektronenstrahlquelle verwendet wird.
22. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 25 zeichnet, dass nach dem Aufträgen zumindest der ersten Einzelschichten (21) eine Struk turverbesserung dieser Einzelschichten (21) durch Beschuss mit energiereichen Teilchen durchgeführt wird.
23. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 30 zeichnet, dass ein Anteil der verdampften Partikel ionisiert wird und diese während des Ab scheidens der Einzelschichten (21) in einem zwischen dem Substrat (22) und zumindest einer Elektrode (20) aufgebauten elektrischen Feld in Richtung auf die Oberfläche des Substrates bzw. der bereits abgeschiedenen Einzelschichten und/oder in einem zwischen den Elektroden, zum Aufbau eines zumindest annähernd senkrecht zu dem Partikelstrom 35 zwischen dem Substrathalter und der zumindest einen Verdampferquelle verlaufenden elektrischen Feld zu beschleunigen.
24. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass eine Spannung zum Aufbau des elektrischen Feldes ausgewählt wird aus einem Bereich mit einer unteren 40 Grenze von 10 V und einer oberen Grenze von 800 V, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 50 V und einer oberen Grenze von 600 V, insbesondere mit einer unteren Grenze von 100 V und einer oberen Grenze von 400 V.
25. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 45 zeichnet, dass das metallische Substrat (22) auf eine Temperatur temperiert wird, die min destens 10 °C unterhalb des Schmelzpunktes jenes zu verdampfenden Elementes mit dem niedrigsten Schmelzpunkt liegt.
26. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 50 zeichnet, dass dieses unter einem Druck durchgeführt wird, der ausgewählt ist aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 1.10'7 mbar und einer oberen Grenze von 2.10'2 mbar, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 1.10-6 mbar und einer oberen Grenze von 2.10-3 mbar, insbesondere mit einer unteren Grenze von 1.10*5 mbar und einer oberen Grenze von 2.10-4. 55 23 AT 501 722 B1
27. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses mit einer Abscheiderate durchgeführt wird ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,01 pm/sec und einer oberen Grenze von 0,1 pm/sec, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 0,03 pm/sec und einer oberen Grenze von 5 0,07 pm/sec, insbesondere mit einer unteren Grenze von 0,05 pm/sec und einer oberen Grenze von 0,06 pm/sec.
28. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Substrathalter (11) mit einer Geschwindigkeit betrieben wird, die aus- io gewählt ist aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,01 m/sec und einer oberen Grenze von 10 m/sec, vorzugsweise mit einer unteren Grenze von 1 m/sec und einer oberen Grenze von 7 m/sec, insbesondere mit einer unteren Grenze von 3 m/sec und einer oberen Grenze von 6 m/sec.
29. Beschichtungsverfahren nach einem der Ansprüche 19 bis 28, dadurch gekennzeichnet, dass zum Aufbau zumindest einer äußersten Schicht der Einzelschichten (21) Komponenten abgeschieden werden, die eine Phasenumwandlung während des Betriebes des fertigen Lagerelementes unterhalb einer Notfalltemperatur erfahren.
30. Beschichtungsverfahren nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponen ten zur Ausbildung der metastabilen Phasen ausgewählt werden aus Verbindungen die aus Elementen gebildet werden aus einer Gruppe umfassend Zinn, Silber, Kupfer, Aluminium, Mangan, Magnesium, Blei, Beryllium sowie Mischungen daraus.
31. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn zeichnet, dass zumindest eine an der Substratoberfläche anliegende Einzelschicht (21) gehärtet wird.
32. Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn- 30 zeichnet, dass ausgehend von einer innersten Einzelschicht (21) an der Substratoberfläche in Richtung auf die äußerste Einzelschicht (21) für zumindest eine Komponente ein Konzentrationsgradient gebildet wird.
33. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass 35 eine aufgedampfte Schicht (12) oder zumindest eine Einzelschicht (21) hergestellt wird, die im Vergleich zu Sputterschichten der gleichen Zusammensetzung eine um 30 %, insbesondere 35 %, vorzugsweise 40 %, geringere Härte nach Vickers aufweist.
34. Streifenförmiges Vorprodukt (13) zur Herstellung eines Lagerelementes mit einem metalli- 40 sehen Substrat (22) auf dem zumindest eine metallische Schicht (12) angeordnet ist, hergestellt nach dem Beschichtungsverfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (12) aus mehreren Einzelschichten (21) aufgebaut ist und das Substrat (22) eben ist.
35. Vorprodukt (13) nach Anspruch 34, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelschichten (12) eine definierte Dicke ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 10 nm und einer oberen Grenze von 10 pm aufweisen.
36. Vorprodukt (13) nach Anspruch 34 oder 35, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische so Schicht (12) eine Schichtdicke von größer 100 pm, insbesondere größer 150 pm, bevorzugt größer 200 pm, z.B. 300 pm - 400 pm, aufweist.
37. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 36, dadurch gekennzeichnet, dass die Anzahl der Einzelschichten (21) ausgewählt ist aus einem Bereich mit einer unteren Gren- 55 ze von 50, insbesondere 100, vorzugsweise 250, und einer oberen Grenze von 5000, 24 AT 501 722 B1 insbesondere 4000, vorzugsweise 2500.
38. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 37, dadurch gekennzeichnet, dass die Einzelschichten (21) eine Oberflächenrauhigkeit aufweisen, die kleiner ist als eine Oberflä- s chenrauhigkeit des Substrats (22).
39. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 38, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (22) eine Abweichung von einer mittleren Substratdicke aufweist, die nicht größer ist als 200 pm, insbesondere nicht größer als 150 pm, vorzugsweise nicht größer als io 100 pm.
40. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 39, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (22) ein Stahlstreifen ist.
41. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 40, dadurch gekennzeichnet, dass die metallische Schicht (12) ein Zwei- oder Mehrkomponentensystem ist, bestehend aus einem Basiselement ausgewählt aus einer ersten Gruppe umfassend Aluminium, Zinn, Kupfer, Blei, legiert mit zumindest einem weiteren Element ausgewählt aus einer Gruppe umfassend Blei, Zinn, Wismut, Zink, Silizium, Magnesium, Mangan, Eisen, Scandium, Zirkonium, 20 Chrom, Kupfer, Aluminium, Beryllium mit der Maßgabe, dass das weitere Element ungleich dem Basiselement ist.
42. Vorprodukt (13) nach Anspruch 41, dadurch gekennzeichnet, dass das Basiselement mit dem zumindest einen weiteren Element eine Legierung bildet. 25
43. Vorprodukt (13) nach Anspruch 42, dadurch gekennzeichnet, dass die Legierung ausgewählt ist aus einer Gruppe umfassend AlSnxCu, AlSnxSi, AIPbx, CuSnx, CuBix, CuSnBix, SnAIx, SnSbx, wobei x insbesondere ein Wert ist ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 6 und einer oberen Grenze von 30. 30
44. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 41 bis 43, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten getrennt als Einzelschichten (21) niedergeschlagen sind.
45. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34bis 44, dadurch gekennzeichnet, dass auf 35 einer nicht beschichteten Oberfläche des Substrats (22) eine Schicht gegen Reibkorrosion aufgebracht ist.
46. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 45, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der metallischen Schicht (12) und dem Substrat (22) eine Haftvermittlerschicht 40 aufgebracht ist.
47. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 46, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine äußerste Schicht der Einzelschichten (21) eine definierte Porosität aufweist. 45
48. Vorprodukt (13) nach Anspruch 47, dadurch gekennzeichnet, dass Poren einen mittleren Porendurchmesser aufweisen ausgewählt aus einem Bereich mit einer unteren Grenze von 0,1 pm und einer oberen Grenze von 10 pm. so 49. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 48, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest eine äußerste Schicht der Einzelschichten (21) Komponenten umfasst, die eine Phasenumwandlung während des Betriebes des fertigen Lagerelementes erfahren.
50. Vorprodukt (13) nach Anspruch 49, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponenten 55 ausgewählt sind aus Verbindungen die aus Elementen gebildet werden aus einer Gruppe 25 AT 501 722 B1 umfassend Zinn, Silber, Kupfer, Aluminium, Mangan, Magnesium, Blei, Beryllium sowie Mischungen daraus.
51. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 50, dadurch gekennzeichnet, dass 5 zumindest eine an der Substratoberfläche anliegende Einzelschicht (21) gehärtet ist.
52. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 51, dadurch gekennzeichnet, dass ausgehend von einer innersten Einzelschicht (21) an der Substratoberfläche in Richtung auf die äußerste Einzelschicht (21) zumindest eine Komponente einen Konzentrationsgra- io dienten aufweist.
53. Vorprodukt (13) nach einem der Ansprüche 34 bis 52, dadurch gekennzeichnet, dass die aufgedampfte Schicht (12) oder zumindest eine Einzelschicht (21) eine im Vergleich zu Sputterschichten der gleichen Zusammensetzung um 30 %, insbesondere 35 %, vorzugs- 15 weise 40 %, geringere Härte nach Vickers aufweist. Hiezu 6 Blatt Zeichnungen 20 25 30 35 40 45 50 55