JP2010512364A - イソシアネートの製造法 - Google Patents
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Abstract
Description
気相ホスゲン化法のために、相応するイソシアネートへの反応に使用することができるアミン、その相応する中間生成物及び相応するイソシアネートは、選択された反応条件で気体状で存在する。反応の持続の間、反応条件下で、最高で2モル%、特に好ましくは最高で1モル%、及び非常に好ましくは最高で0.5モル%が分解されるアミンが好ましい。ここで特に適切なアミンは、2〜18個の炭素原子を有する脂肪族又は脂環式炭化水素に基づくアミン、特にジアミンである。この例は、1,5−ジアミノペンタン、1,6−ジアミノヘキサン、1−アミノ−3,3,5−トリメチル−5−アミノメチルシクロヘキサン(IPDA)及び4,4’−ジアミノジシクロヘキシルメタンである。好ましくは、1,6−ジアミノヘキサン(HDA)が用いられる。
本発明による方法によれば、ホスゲンとアミンとの反応は気相中で行われる。気相中での反応とは、出発物質流及び中間生成物の、生成物への変換が、気体状の状態で相互に反応し、かつ反応の過程で反応空間を通過する間に、少なくとも95%まで、有利には少なくとも98%まで、特に有利には少なくとも99%まで、とりわけ有利には少なくとも99.5%まで、殊には少なくとも99.8%まで、及び特に少なくとも99.9%まで気相中に残留することであると理解すべきである。
これとは対照的に、液相ホスゲン化におけるアミンとホスゲンとの反応は、一般に20℃〜250℃、有利に40℃〜230℃で行われる。圧力は通常1.0バール〜80バール絶対である。
出発物質流の混合(その際、アミンは塩酸塩として使用することもできる)を、しばしば、僅かな混合時間を特徴とする好適な特定の混合装置中で行う。
反応のために、気相ホスゲン化の場合、出発物質並びに場合により不活性物は、通常少なくとも1の混合装置を介して相互に混合される。
1.4462(X 2 CrNiMoN 22 5 3):UNS:S 31803、SS:2377、AFNOR:Z 5 CNDU 21.08、JIS:SUS 329 J3L
1.4539 (X 1 NiCrMoCuN 25 20 5):UNS:N 08904、SS:2562、AFNOR:Z 1 NCDU 25.20 1.4541(X 6 CrNiTi 18 10):AISI:321、UNS:S 32100、SS:2337、AFNOR:Z 6 CNT 18.10、BS:321 S 31、JIS: SUS 321
1.4571 (X 6 CrNiMoTi 17 12 2):AISI:316 Ti、UNS:S 31635、SS:2350、AFNOR:Z 6 CNDT 17.12、BS:320 S 31、JIS:SUS 316 Ti
前記原料のうち、高められたクロム−、銅−、モリブデン−及び/又はニッケル含分を有する原料が有利である。
液相中でのトルイレンジアミンの異性体混合物(2,4−対2,6−異性体の比80:20)からトルイレンジイソシアネートへのホスゲン化のための比較装置において、トルイレンジアミンとモノクロロベンゼンとからなる混合物を0.6mmの中心毛管に導通させる。この毛管の周囲の環状間隙中に、ホスゲンをアミンに対してモル過剰で導入する。毛管は反応釜中に開口しており、この開口は液相の反応混合物中に浸漬されている。
実施例1からの毛管を平均粗さRa約0.54μmを有するガラス被覆で被覆した後、閉塞なしに4週間安定な運転を達成することができた。
Claims (9)
- 相応するアミンとホスゲンとを場合により不活性物の存在下に反応させることによりジイソシアネートを製造する方法において、前記反応を少なくとも部分的に、流体接触表面が10μm以下のDIN EN ISO 4287(1998年10月版)による平均粗さ深さRzを有する装置中で行うことを特徴とする方法。
- イソシアネートが、1,5−ペンタメチレンジイソシアネート、1,6−ジイソシアナトヘキサン、1−イソシアナト−3,3,5−トリメチル−5−(イソシアナトメチル)シクロヘキサン、4,4’−ジ(イソシアナトシクロヘキシル)メタン及びトルイレンジイソシアナト−異性体混合物からなる群から選択されている、請求項1記載の方法。
- 反応の際に出発材料流及び中間生成物が気体状で一緒に反応して生成物へと変換され、かつ反応の過程で反応空間を通過する間に少なくとも95%が気相中に残存する、請求項1又は2記載の方法。
- アミンとホスゲンとの反応を20〜250℃でかつ1.0バール〜80バールの絶対圧力で行う、請求項1又は2記載の方法。
- DIN EN ISO 4287(1998年10月版)による平均粗さ深さRzが4μm以下である、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- DIN EN ISO 4287(1998年10月版)による算術平均粗さRaが1.5μm以下である、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 表面が、鋼、合金鋼、タンタル、ニッケル、ニッケル合金、銀、銅、ガラス、セラミック、ほうろう及びこれらからの均質又は不均質な混合物及び成分からなる群から選択された原料からなる、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 少なくとも反応器が、わずかに粗い表面を有する装置である、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 液相ホスゲン化又は気相ホスゲン化における、10μm以下のDIN EN ISO 4287(1998年10月版)による平均粗さ深さRzを有する流体接触表面を有する混合装置、反応器及び/又はクエンチ装置の使用。
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