JPS6157393B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6157393B2 JPS6157393B2 JP23688683A JP23688683A JPS6157393B2 JP S6157393 B2 JPS6157393 B2 JP S6157393B2 JP 23688683 A JP23688683 A JP 23688683A JP 23688683 A JP23688683 A JP 23688683A JP S6157393 B2 JPS6157393 B2 JP S6157393B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- processed
- metal
- evaporation source
- ionization electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 11
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 8
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 5
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 TiN and TiC Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオンプレーテイング方法によつて
被処理物上に被膜を形成させる装置に係り、特に
合成樹脂に代表される耐熱性の低い被処理物に、
熱変形を生じさせることなく被膜を形成し得るイ
オンプレーテイング装置に関する。
被処理物上に被膜を形成させる装置に係り、特に
合成樹脂に代表される耐熱性の低い被処理物に、
熱変形を生じさせることなく被膜を形成し得るイ
オンプレーテイング装置に関する。
一般に合成樹脂は、ガラン繊維入りの特殊なも
のを除き変形が生じる温度が100℃前後である。
またイオンプレーテイングにおいて、被処理物に
持込まれるエネルギは、蒸発源からの輻射熱とイ
オンの持つ運動エネルギであるが、この輻射熱を
さえぎることにより被処理物の温度上昇をおさえ
ることができる。ところが、TiN、TiCなどの化
合物を形成するためには、被処理物が約200℃以
上ないと十分反応しない。この理由は、蒸発金属
の全部がイオンにならず、中性金属粒子が発生し
ており、この反応性の悪い中性金属粒子の被処理
物への付着を満足なものにするために、イオン反
応で不十分なエネルギを熱で補つているからであ
る。従つて、合成樹脂にはイオンプレーテイング
にて十分な金属被膜を変形を伴なわずに形成する
ことが困難であつた。
のを除き変形が生じる温度が100℃前後である。
またイオンプレーテイングにおいて、被処理物に
持込まれるエネルギは、蒸発源からの輻射熱とイ
オンの持つ運動エネルギであるが、この輻射熱を
さえぎることにより被処理物の温度上昇をおさえ
ることができる。ところが、TiN、TiCなどの化
合物を形成するためには、被処理物が約200℃以
上ないと十分反応しない。この理由は、蒸発金属
の全部がイオンにならず、中性金属粒子が発生し
ており、この反応性の悪い中性金属粒子の被処理
物への付着を満足なものにするために、イオン反
応で不十分なエネルギを熱で補つているからであ
る。従つて、合成樹脂にはイオンプレーテイング
にて十分な金属被膜を変形を伴なわずに形成する
ことが困難であつた。
本発明の目的は、上述の点に鑑みて、一般的な
合成樹脂などの比較的低温で変形する被処理物に
対しても、十分な金属被膜が形成し得るイオンプ
レーテイングを施せるイオンプレーテイング装置
を提供するにある。
合成樹脂などの比較的低温で変形する被処理物に
対しても、十分な金属被膜が形成し得るイオンプ
レーテイングを施せるイオンプレーテイング装置
を提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、減圧さ
れた真空処理室内に配す蒸着金属の蒸発源及び被
処理物と、前記蒸発源近傍に配置されて正電位が
印加されることにより蒸発金属をイオン化するイ
オン化電極と、前記被処理物と蒸発源との間に配
置されるシヤツタと、このシヤツタと前記イオン
化電極との間に、金属イオンを偏向させ前記シヤ
ツタの裏に回り込ませる偏向装置とからなり、シ
ヤツタにより輻射熱と中性金属粒子との被処理物
への到達を遮り、偏向装置にて金属イオンのみを
取出し、効率良く被処理物上に金属被膜を形成さ
せることを特徴とするものである。
れた真空処理室内に配す蒸着金属の蒸発源及び被
処理物と、前記蒸発源近傍に配置されて正電位が
印加されることにより蒸発金属をイオン化するイ
オン化電極と、前記被処理物と蒸発源との間に配
置されるシヤツタと、このシヤツタと前記イオン
化電極との間に、金属イオンを偏向させ前記シヤ
ツタの裏に回り込ませる偏向装置とからなり、シ
ヤツタにより輻射熱と中性金属粒子との被処理物
への到達を遮り、偏向装置にて金属イオンのみを
取出し、効率良く被処理物上に金属被膜を形成さ
せることを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を図面に従い説明す
る。真空処理室1は排気用配管2を介して真空ポ
ンプ3に連結している。そして真空処理室1内部
の下方に電子銃部4を設け、この電子銃部4上方
には蒸着金属が蒸発するるつぼ5を配し、このる
つぼ5は、真空処理室1内部の上方に配した被処
理物6に蒸着させるべき蒸発金属7を収納し、ア
ース電位に保つている。また、るつぼ5の上方に
はイオン化電極8を設置してあり、このイオン化
電極8に正の電圧を印加し、前記蒸発金属7とイ
オン化電極8との間でアーク放電を起こさせ、蒸
発金属7のイオン化を計る。
る。真空処理室1は排気用配管2を介して真空ポ
ンプ3に連結している。そして真空処理室1内部
の下方に電子銃部4を設け、この電子銃部4上方
には蒸着金属が蒸発するるつぼ5を配し、このる
つぼ5は、真空処理室1内部の上方に配した被処
理物6に蒸着させるべき蒸発金属7を収納し、ア
ース電位に保つている。また、るつぼ5の上方に
はイオン化電極8を設置してあり、このイオン化
電極8に正の電圧を印加し、前記蒸発金属7とイ
オン化電極8との間でアーク放電を起こさせ、蒸
発金属7のイオン化を計る。
また、るつぼ5と被処理物6との間には、回転
式で開き角度を自由に調節(図面中A方向の回動
方向)できるようにしたシヤツタ9を配してお
り、さらにこのシヤツタ9と前記イオン化電極8
との間には、前述のようにして発生した金属イオ
ンを偏向(図面中矢印Bにて示した方向)させて
前記シヤツタ9の裏に回り込ませるように磁気作
用を施す偏向装置たる電磁装置10を配してあ
る。
式で開き角度を自由に調節(図面中A方向の回動
方向)できるようにしたシヤツタ9を配してお
り、さらにこのシヤツタ9と前記イオン化電極8
との間には、前述のようにして発生した金属イオ
ンを偏向(図面中矢印Bにて示した方向)させて
前記シヤツタ9の裏に回り込ませるように磁気作
用を施す偏向装置たる電磁装置10を配してあ
る。
前記被処理物6の下近傍には、負の電圧を印加
した金網11を配設し、前記金属イオンが金網1
1によつて加速されて被処理物6に当接するため
密着性を良くしている。
した金網11を配設し、前記金属イオンが金網1
1によつて加速されて被処理物6に当接するため
密着性を良くしている。
12は前記真空処理室内に反応ガスを送り込む
ためのパイプであつて、このパイプ12はコント
ロール弁13を介してガス源14に結合してい
る。
ためのパイプであつて、このパイプ12はコント
ロール弁13を介してガス源14に結合してい
る。
従つて、前記被処理物6が熱変形し易く、100
℃以下の加熱しかできないものであつても、以下
に説明するようにして、十分な金属被膜を形成で
きる。
℃以下の加熱しかできないものであつても、以下
に説明するようにして、十分な金属被膜を形成で
きる。
すなわち、具体的に、蒸発金属7を例えばチタ
ニウムとし、被処理物6をABS樹脂としても、
このABS樹脂面にTiNの被膜を変形を生じさせる
ことなく行えるのである。以下、この例によつて
上記実施例の作用を説明する。
ニウムとし、被処理物6をABS樹脂としても、
このABS樹脂面にTiNの被膜を変形を生じさせる
ことなく行えるのである。以下、この例によつて
上記実施例の作用を説明する。
まず真空ポンプ3を作動して真空処理室1内を
排気減圧し、この状態で電子銃部4によつてるつ
ぼ5からチタニウムを蒸発させると共にイオン化
電極8に約+50Vの電圧を印加し、蒸発したチタ
ニウムの正イオン化を計る。ここでシヤツタ9の
存在によつて、るつぼ5からの輻射熱は被処理物
6に到達せず遮断され、またイオン化されない中
性チタン粒子とイオン化チタン粒子も同様にシヤ
ツタ9にて進行を遮断される。そこで電磁装置1
0によつて前記イオン化チタン粒子のみをシヤツ
タ9の裏面に回り込ませるように偏向させる。そ
してコントロール弁13を開き窒素ガスを約5×
10-4トール導入し、金網11に約−50Vの電圧を
印加する。
排気減圧し、この状態で電子銃部4によつてるつ
ぼ5からチタニウムを蒸発させると共にイオン化
電極8に約+50Vの電圧を印加し、蒸発したチタ
ニウムの正イオン化を計る。ここでシヤツタ9の
存在によつて、るつぼ5からの輻射熱は被処理物
6に到達せず遮断され、またイオン化されない中
性チタン粒子とイオン化チタン粒子も同様にシヤ
ツタ9にて進行を遮断される。そこで電磁装置1
0によつて前記イオン化チタン粒子のみをシヤツ
タ9の裏面に回り込ませるように偏向させる。そ
してコントロール弁13を開き窒素ガスを約5×
10-4トール導入し、金網11に約−50Vの電圧を
印加する。
すると、前記シヤツタ9により輻射熱と中性チ
タン粒子を遮り、イオン化チタン粒子のみ取り出
して効率良く被処理物6上に推積でき、TiN被膜
を形成できるのである。このため被処理物6には
輻射熱による加熱がなく、また反応性の悪い中性
チタン粒子を反応させるために加熱しておく必要
もなく、100℃以下の加熱で十分なTiN被膜が形
成され、ABS樹脂に限らず、比較的低温で変形
し易い合成樹脂への金属被膜の形成が確実かつ容
易に行える。特に前記金網11に印加した負電荷
にてイオン化チタン粒子は加速されるため、被処
理物6の密着性はさらに向上する。
タン粒子を遮り、イオン化チタン粒子のみ取り出
して効率良く被処理物6上に推積でき、TiN被膜
を形成できるのである。このため被処理物6には
輻射熱による加熱がなく、また反応性の悪い中性
チタン粒子を反応させるために加熱しておく必要
もなく、100℃以下の加熱で十分なTiN被膜が形
成され、ABS樹脂に限らず、比較的低温で変形
し易い合成樹脂への金属被膜の形成が確実かつ容
易に行える。特に前記金網11に印加した負電荷
にてイオン化チタン粒子は加速されるため、被処
理物6の密着性はさらに向上する。
また前記イオン化チタン粒子は一価のものだけ
でなく、多価イオンも含まれているため電磁装置
10により一定の磁界を形成すれば、シヤツタ9
の開き角により被処理物6に達するイオンをコン
トロールできる。依つて、一価イオンあるいは多
価イオンの被処理物6への入射量をコントロール
することにより、被処理物6上の被膜の膜質を調
節することが可能となる。尚、シヤツタ9は上記
実施例において回転移動可能のように説明した
が、回動可能にした理由はスペース的な問題であ
つて、真空処理室1に空間的余裕があれば水平移
動可能にしても良く、移動方向を特に限定するも
のでない。
でなく、多価イオンも含まれているため電磁装置
10により一定の磁界を形成すれば、シヤツタ9
の開き角により被処理物6に達するイオンをコン
トロールできる。依つて、一価イオンあるいは多
価イオンの被処理物6への入射量をコントロール
することにより、被処理物6上の被膜の膜質を調
節することが可能となる。尚、シヤツタ9は上記
実施例において回転移動可能のように説明した
が、回動可能にした理由はスペース的な問題であ
つて、真空処理室1に空間的余裕があれば水平移
動可能にしても良く、移動方向を特に限定するも
のでない。
本発明は、上述したような構成にしたため、被
処理物への加熱を必要とせず、また蒸発源からの
輻射熱が被処理物へ到達しないようにして、被処
理物の変形を防止し、かつ十分な金属被膜を被処
理物に形成できるようにしたので、比較的低温で
変形してしまう被処理物へのイオンプレーテイン
グを可能にし得ると云う効果を奏するものであ
る。
処理物への加熱を必要とせず、また蒸発源からの
輻射熱が被処理物へ到達しないようにして、被処
理物の変形を防止し、かつ十分な金属被膜を被処
理物に形成できるようにしたので、比較的低温で
変形してしまう被処理物へのイオンプレーテイン
グを可能にし得ると云う効果を奏するものであ
る。
図面は本発明の一実施例を示す概略説明図であ
る。 1……真空処理室、5……蒸発源、6……被処
理物、7……蒸発金属、8……イオン化電極、9
……シヤツタ、10……偏向装置。
る。 1……真空処理室、5……蒸発源、6……被処
理物、7……蒸発金属、8……イオン化電極、9
……シヤツタ、10……偏向装置。
Claims (1)
- 1 減圧された真空処理室内に配す蒸着金属の蒸
発源及び被処理物と、前記蒸発源近傍に配置され
て正電位が印加されることにより蒸発金属をイオ
ン化するイオン化電極と、前記被処理物と蒸発源
との間に配置されるシヤツタと、このシヤツタと
前記イオン化電極との間に、金属イオンを偏向さ
せ前記シヤツタの裏に回り込ませる偏向装置とか
らなり、前記金属イオンと、真空処理室内に導入
された反応ガスとを反応させて前記被処理物に被
膜を形成させるイオンプレーテイング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23688683A JPS60128261A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23688683A JPS60128261A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60128261A JPS60128261A (ja) | 1985-07-09 |
JPS6157393B2 true JPS6157393B2 (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=17007232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23688683A Granted JPS60128261A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60128261A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106319455A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 镀膜系统 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4336680C2 (de) * | 1993-10-27 | 1998-05-14 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Elektronenstrahlverdampfen |
JP2008223105A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Toyohashi Univ Of Technology | 直進プラズマによる処理装置、処理方法及び処理物 |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23688683A patent/JPS60128261A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106319455A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 镀膜系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS60128261A (ja) | 1985-07-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6103320A (en) | Method for forming a thin film of a metal compound by vacuum deposition | |
JPS608303B2 (ja) | 基板のイオンによる清浄化および被覆の方法および装置 | |
EP0041850B1 (en) | A method of vacuum depositing a layer on a plastics film substrate | |
JP2833230B2 (ja) | 蒸着装置 | |
GB1425095A (en) | Process for feeding an evaporation bath | |
JP2001190948A (ja) | 表面をプラズマ処理する方法及び装置 | |
JPS6157393B2 (ja) | ||
EP0047456B1 (en) | Ion plating without the introduction of gas | |
JPS63472A (ja) | 真空成膜装置 | |
JPS5842771A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
JP2010185124A (ja) | 蒸着方法及び蒸着装置 | |
JPS5941509B2 (ja) | 強付着性の特に硬質炭素層を大きな面積に蒸着するための装置 | |
JPH04228566A (ja) | スパッターイオンめっきによる導電性繊維被覆方法および装置 | |
JPS6320465A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPS6320447A (ja) | 金属帯を連続的にセラミツクでコ−テイングする方法と装置 | |
JPS6320464A (ja) | 真空蒸着装置 | |
JPH0214426B2 (ja) | ||
JP3335375B2 (ja) | 電子ビーム加熱式蒸着装置および蒸着方法 | |
RU2066703C1 (ru) | Устройство для нанесения покрытий в разряде на диэлектрики | |
RU2095465C1 (ru) | Устройство для нанесения покрытий на диэлектрики в разряде | |
JPH04365854A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
JPH01255663A (ja) | 真空蒸着方法及び真空蒸着装置 | |
JPH04263066A (ja) | スパッタデポジション装置 | |
JPS59226176A (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
JPS5873765A (ja) | 金属アモルフアス薄膜の形成方法 |