JPS60128261A - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
イオンプレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPS60128261A JPS60128261A JP23688683A JP23688683A JPS60128261A JP S60128261 A JPS60128261 A JP S60128261A JP 23688683 A JP23688683 A JP 23688683A JP 23688683 A JP23688683 A JP 23688683A JP S60128261 A JPS60128261 A JP S60128261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- ion
- treated
- ion plating
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、イオンブレーティング方法によって被処理物
上に被膜を形成させる装置に係シ、特に合成樹脂に代表
される耐熱性の低い被処理物に、熱変形を生じさせるこ
となく被膜を形成し得るイオンブレーティング装置に関
する。
上に被膜を形成させる装置に係シ、特に合成樹脂に代表
される耐熱性の低い被処理物に、熱変形を生じさせるこ
となく被膜を形成し得るイオンブレーティング装置に関
する。
一般に合成樹脂は、ガラン繊維入シの特殊なものを除き
変形が生じる温度が１（１（１００前後である。またイ
オンブレーティングにおいて、被処理物に持込まれるエ
ネルギは、蒸発源からの輻射熱とイオンの持つ運動エネ
ルギであるが、この輻射熱をさえぎることにより被処理
物の温度上昇をおさえることができる。ところが、Ｔｉ
１Ｊ、 Ｔｉｅなどの化合物を形成するためには、被処
理物が約２０ｏ’ａ以上ないと十分反応しない。この理
由は、蒸発金属の全部がイオンにならず、中性金属粒子
が発生しており、この反応性の悪い中性金属粒子の被処
理物への付着を満足なものにするために、イオン反応で
不十分なエネルギを熱で補っているからである。従って
、合成樹脂にはイオンブレーティングにて十分な金属被
膜を変形を伴なわずに形成することが困難であった。
変形が生じる温度が１（１（１００前後である。またイ
オンブレーティングにおいて、被処理物に持込まれるエ
ネルギは、蒸発源からの輻射熱とイオンの持つ運動エネ
ルギであるが、この輻射熱をさえぎることにより被処理
物の温度上昇をおさえることができる。ところが、Ｔｉ
１Ｊ、 Ｔｉｅなどの化合物を形成するためには、被処
理物が約２０ｏ’ａ以上ないと十分反応しない。この理
由は、蒸発金属の全部がイオンにならず、中性金属粒子
が発生しており、この反応性の悪い中性金属粒子の被処
理物への付着を満足なものにするために、イオン反応で
不十分なエネルギを熱で補っているからである。従って
、合成樹脂にはイオンブレーティングにて十分な金属被
膜を変形を伴なわずに形成することが困難であった。
本発明の目的は、上述の点に鑑みて、一般的な合成樹脂
などの比較的低温で変形する被処理物に対しても、十分
な金属被膜が形成し得るイオンブレーティングを施せる
イオンブレーティングｉｔを提供するにある。
などの比較的低温で変形する被処理物に対しても、十分
な金属被膜が形成し得るイオンブレーティングを施せる
イオンブレーティングｉｔを提供するにある。
この目的を達成するために、本発明は、減圧された真空
処理室内に配す蒸着金属の蒸発源及び被処理物と、前記
蒸発源近傍に配置されて正電位が印加されることにより
蒸発金属をイオン化するイオン化電極と、前記被処理物
と蒸発源との間に配置されるシャッタと、このシャッタ
と前記イオン化電極との間に、−金属イオンを偏向させ
前記シャッタの裏に回や込ませる偏向装置とからなシ、
シャッタによシ輻射熱と中性金属粒子との被処理物への
到達を遮シ、偏向装置にて金属イオンのみを取出し、効
率良く被処理物上に金属被膜を形成させることを特徴と
するものである。
処理室内に配す蒸着金属の蒸発源及び被処理物と、前記
蒸発源近傍に配置されて正電位が印加されることにより
蒸発金属をイオン化するイオン化電極と、前記被処理物
と蒸発源との間に配置されるシャッタと、このシャッタ
と前記イオン化電極との間に、−金属イオンを偏向させ
前記シャッタの裏に回や込ませる偏向装置とからなシ、
シャッタによシ輻射熱と中性金属粒子との被処理物への
到達を遮シ、偏向装置にて金属イオンのみを取出し、効
率良く被処理物上に金属被膜を形成させることを特徴と
するものである。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図面に従い説明する。
真空処理室１は排気用配管２を介して真空ポンプ８に連
結している。そして真空処理室ｌ内部の下方に電子銃部
４を設け、この電子銃部４上方には蒸着金属が蒸発する
るつぼ５を配し、このるつぼ５は、真空処理室ｌ内部の
上方に配した被処理物６に蒸着さぜるべき蒸発金属７を
収納し、アース電位に保っている。また、るつぼ５の上
方にｄイオン化電極８を設置してあり、このイオン化電
極８に正の電圧を印加し、前記蒸発金属７とイオン化電
極８との間でアーク放電を起こさせ、蒸発金属７のイオ
ン化を計る。
結している。そして真空処理室ｌ内部の下方に電子銃部
４を設け、この電子銃部４上方には蒸着金属が蒸発する
るつぼ５を配し、このるつぼ５は、真空処理室ｌ内部の
上方に配した被処理物６に蒸着さぜるべき蒸発金属７を
収納し、アース電位に保っている。また、るつぼ５の上
方にｄイオン化電極８を設置してあり、このイオン化電
極８に正の電圧を印加し、前記蒸発金属７とイオン化電
極８との間でアーク放電を起こさせ、蒸発金属７のイオ
ン化を計る。
また、るつぼ５と被処理物６との間には、回転式で開き
角度を自由に調節（図面中Ａ方向の回動方向）できるよ
うにしたシャッタ９を配しており、さらにこのシャッタ
９と前記イオン化′鑞極８との間には、前述のようにし
て発生１７た金属イオンを偏向（図面中矢印Ｂにて示し
た方向）させて前記シャッタ９の裏に回り込まぜるよう
に磁気作用を施す偏向装置たる電磁装置１０を配しであ
る。
角度を自由に調節（図面中Ａ方向の回動方向）できるよ
うにしたシャッタ９を配しており、さらにこのシャッタ
９と前記イオン化′鑞極８との間には、前述のようにし
て発生１７た金属イオンを偏向（図面中矢印Ｂにて示し
た方向）させて前記シャッタ９の裏に回り込まぜるよう
に磁気作用を施す偏向装置たる電磁装置１０を配しであ
る。
前記被処理物６の下近傍には、負の電圧を印加した金網
１１を配設し、前記金属イオンが金網１１によって加速
されて被処理物６に当接するため密着性を良くしている
。
１１を配設し、前記金属イオンが金網１１によって加速
されて被処理物６に当接するため密着性を良くしている
。
１２は前記真空処理室内に反応ガスを送シ込むためのパ
イプであって、このバイブ１２はコントロール弁１８を
介してガス源１４に結合している。
イプであって、このバイブ１２はコントロール弁１８を
介してガス源１４に結合している。
従って、前記被処理物６が熱変形し易く、１００°Ｃ以
下の加熱ｌ−かできがいものであっても、以下に説明す
るようにして、十分な金属被膜を形成できる。
下の加熱ｌ−かできがいものであっても、以下に説明す
るようにして、十分な金属被膜を形成できる。
すなわち、具体的に、蒸発金属７を例えばチタニウムと
し、被処理物６をＡＢＳ樹脂としても、このＡＢＳ樹脂
面にＴｉＮの被膜を変形を生じさせることなく行えるの
である。以下、この例によって上記実施例の作用を説明
する。
し、被処理物６をＡＢＳ樹脂としても、このＡＢＳ樹脂
面にＴｉＮの被膜を変形を生じさせることなく行えるの
である。以下、この例によって上記実施例の作用を説明
する。
まず真空ポンプ８を作動して真空処理室１内を排気減圧
し、この状態で電子銃部４によってるつぼ５からチタニ
ウムを蒸発させると共にイオン化電極８に約＋５（ＩＶ
の電圧を印加し、蒸発したチタニウムの正イオン化を計
る。ここでシャッタ９の存在によって、るつぼ５からの
輻射熱は被処理物６に到達せず遮断され、またイオン化
されない中性チタン粒子とイオン化チタン粒子も同様に
シャッタ９にて進行を遮断される。そこで電磁装置１０
によって前記イオン化チタン粒子のみをシャッタ９の裏
面に回シ込ませるように偏向させる。
し、この状態で電子銃部４によってるつぼ５からチタニ
ウムを蒸発させると共にイオン化電極８に約＋５（ＩＶ
の電圧を印加し、蒸発したチタニウムの正イオン化を計
る。ここでシャッタ９の存在によって、るつぼ５からの
輻射熱は被処理物６に到達せず遮断され、またイオン化
されない中性チタン粒子とイオン化チタン粒子も同様に
シャッタ９にて進行を遮断される。そこで電磁装置１０
によって前記イオン化チタン粒子のみをシャッタ９の裏
面に回シ込ませるように偏向させる。
そしてコントロール弁１８を開き窒素ガスを約５×１０
トール導入し、金網１１に約−５０Ｖの電圧を印加す
る。
トール導入し、金網１１に約−５０Ｖの電圧を印加す
る。
すると、前記シャッタ９によシ幅射熱と中性チタン粒子
を遮夛、イオン化チタン粒子のみ取り出して効率良く被
処理物６上に堆積でき、ＴｉＮ被膜を形成できるのであ
る。このため被処理物６には輻射熱による加熱がなく、
１だ反応性の悪い中性チタン粒子を反応させるために加
熱しておく必要もなく、１（）０°Ｃ以下の加熱で十分
なＴｉＮ被膜が形成され、ＡＢＳ樹脂に限らず、比較的
低温で変形し易い合成樹脂への金属被膜の形成が確実か
つ容易に行える。特に前記金網１１に印加した負電荷に
てイオン化チタン粒子は加速されるため、被処理物６の
密着性はさらに向上する。
を遮夛、イオン化チタン粒子のみ取り出して効率良く被
処理物６上に堆積でき、ＴｉＮ被膜を形成できるのであ
る。このため被処理物６には輻射熱による加熱がなく、
１だ反応性の悪い中性チタン粒子を反応させるために加
熱しておく必要もなく、１（）０°Ｃ以下の加熱で十分
なＴｉＮ被膜が形成され、ＡＢＳ樹脂に限らず、比較的
低温で変形し易い合成樹脂への金属被膜の形成が確実か
つ容易に行える。特に前記金網１１に印加した負電荷に
てイオン化チタン粒子は加速されるため、被処理物６の
密着性はさらに向上する。
また前記イオン化チタン粒子は一価の・ものだけでなく
、多価イオンも含まれているため電磁装置１０により一
定の磁界を形成すれば、シャッタ９の開き角により被処
理物６に達するイオンをコントロールできる。依って、
−価イオンあるいは多価イオンの被処理物６への入射量
をコントロールすることにより、被処理物６上の被膜の
膜質を調節することが可能となる。同、シャッタ９は上
記実施例において回転移動可能のように説明したが、回
動可能にした理由はスペース的な問題であって、真空処
理室１に空間的余裕があれば水平移動可能にしても良く
、移動方向を特に限定するものでない。
、多価イオンも含まれているため電磁装置１０により一
定の磁界を形成すれば、シャッタ９の開き角により被処
理物６に達するイオンをコントロールできる。依って、
−価イオンあるいは多価イオンの被処理物６への入射量
をコントロールすることにより、被処理物６上の被膜の
膜質を調節することが可能となる。同、シャッタ９は上
記実施例において回転移動可能のように説明したが、回
動可能にした理由はスペース的な問題であって、真空処
理室１に空間的余裕があれば水平移動可能にしても良く
、移動方向を特に限定するものでない。
本発明は、上述したような構成にしたため、被処理物へ
の加熱を必要とせず、また蒸発源からの輻射熱が被処理
物へ到達しないようにして、被処理物の変形を防止し、
かつ十分な金属被膜を被処理物に形成できるようにした
ので、比較的低温で変形してしまう被処理物へのイオン
ブレーティングを可能にし得ると云う効果を奏するもの
である。
の加熱を必要とせず、また蒸発源からの輻射熱が被処理
物へ到達しないようにして、被処理物の変形を防止し、
かつ十分な金属被膜を被処理物に形成できるようにした
ので、比較的低温で変形してしまう被処理物へのイオン
ブレーティングを可能にし得ると云う効果を奏するもの
である。
図面は本発明の一実施例を示す概略説明図である。
１・・真空処理室、５・・蒸発源、６・・被処理物、７
・・蒸発金属、８・・イオン化電極、９・・シャッタ、
１０・・偏向装置。 特許出願人 宏和エンジニアリング株式会社
・・蒸発金属、８・・イオン化電極、９・・シャッタ、
１０・・偏向装置。 特許出願人 宏和エンジニアリング株式会社
Claims (1)
- 減圧された真空処理室内に配す蒸着金属の蒸発源及び被
処理物と、前記蒸発源近傍に配置されて正電位が印加さ
れることにより蒸発金属をイオン化するイオン化電極と
、前記被処理物と蒸発源との間に配置されるシャッタと
、このシャッタと前記イオン化電極との間に、金属イオ
ンを偏向させ前記シャッタの裏に回シ込ませる偏向装置
とからなシ、前記金属イオンと、真空処理室内に導入さ
れた反応ガスとを反応させて前記被処理物に被膜を形成
させるイオンブレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23688683A JPS60128261A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23688683A JPS60128261A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60128261A true JPS60128261A (ja) | 1985-07-09 |
| JPS6157393B2 JPS6157393B2 (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=17007232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23688683A Granted JPS60128261A (ja) | 1983-12-15 | 1983-12-15 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60128261A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995012006A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und einrichtung zum elektronenstrahlverdampfen |
| JP2008223105A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Toyohashi Univ Of Technology | 直進プラズマによる処理装置、処理方法及び処理物 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106319455A (zh) * | 2015-06-24 | 2017-01-11 | 英属开曼群岛商精曜有限公司 | 镀膜系统 |
-
1983
- 1983-12-15 JP JP23688683A patent/JPS60128261A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995012006A1 (de) * | 1993-10-27 | 1995-05-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und einrichtung zum elektronenstrahlverdampfen |
| JP2008223105A (ja) * | 2007-03-14 | 2008-09-25 | Toyohashi Univ Of Technology | 直進プラズマによる処理装置、処理方法及び処理物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6157393B2 (ja) | 1986-12-06 |
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