JP2001509841A - ダイヤモンド状カーボン及びダイヤモンド状ナノコンポジット組成物の層を有するコーティング物 - Google Patents

ダイヤモンド状カーボン及びダイヤモンド状ナノコンポジット組成物の層を有するコーティング物

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、少なくとも一部が複数の積層構造物(2)を有するコーティング(6)で被覆された基板(1)に関するものであって、該構造物はそれぞれa−C:Hとa−Si:Oの相互侵入網目構造を有し、基板に最も接近している第1ダイヤモンド状ナノコンポジット組成物層(3)と、該第1層の上部にある第2ダイヤモンド状カーボン組成物層(4)と、該第1層と第2層との間にる上記ダイヤモンド状ナノコンポジット及びダイヤモンド状カーボン組成物の混合物を含有する遷移層(5)とを含んでおり、積層構造物(2)の数が1層以上である場合、上記コーティング(6)は、連続的な積層構造物(2)の各ペアの間に挟まれて上記ダイヤモンド状カーボン及びダイヤモンド状ナノコンポジット組成物の混合物を含有する中間層(7)を有する。また、本発明は、上記被覆基板の製作方法に関するものである。

Description

【発明の詳細な説明】 ダイヤモンド状カーボン及びダイヤモンド状ナノコンポジット組成物の 層を有するコーティング物発明の分野及び背景 本発明は、基板表面に超硬度、耐食性、耐摩耗性及び自己潤滑性を同時に付与 するダイヤモンド状物質の薄いコーティングで被覆された硬質又は軟質基板に関 する。また、本発明は、その基板をコーティングするための特定の真空方法に関 する。 一般的に、ダイヤモンド状カーボンのフィルムで基板をコーティングすること が知られている。ダイヤモンド状カーボン(DLC)フィルムは、良好な腐食防 止、化学的不活性化及び平滑面を備え、高硬度及び高弾性を発揮する無定形水素 化炭素フィルム(a−C:H)である。これらの性質により、前記フィルムは、 硬質、耐摩耗性、自己潤滑性及び耐食性コーティングのような産業上の用途に適 する。 しかし、DLCフィルムはいくつかの欠点があって、これらの欠点によりDL Cフィルムをうまく商業化する試みが妨げられている。最も重要な実用上の問題 点は、幾つかの基板、とりわけ鋼基板に対する付着が難しいことである。この難 しさの原因は、前記材料に存在する、数GPaまでの高圧縮残留応力にある。他 の不利な点は、熱安定性が低いこと、作業温度が約300℃に制限されること、 可視光線の透過率が低いこと、空気湿度が増加するによって摩擦係数が増大する ことなどである。 DLCを金属元素(Ti、Zr、W、Nb、Ta)と非金属元素(Si、F、 O、B、N)の両方でドーピングすると、一般的に硬度が減少すること以外には 、 種々の性質に有利な影響が与えられる。同様に、基板とDLC層との間にSi、 SiC又は金属(Al、Ti)を介在することにより、基板に対する付着は向上 するが、ただ軟質の界面が得られるだけである。 また、米国特許第5,352,493号には、基板を特定のダイヤモンド状ナ ノコンポジット組成物(DLN)でコーティングすることが記載されている。ダ イヤモンド状ナノコンポジットコーティング物は、一般的に二つの相互侵入網目 構造(interpenetrating networks)a−C:Hとa−Si:Oを有する無定形 構造、すなわちDLNまたはDylynTMからなっている。DLNは、ダイヤモ ンド状ガーボン(a−C:H、DLC)と併用すると数多くの興味をそそる性質 を示す。多くの産業上トリボロジー用途のためには、より高い温度に対する安定 性、金属ドーピングの際の機械的性質の維持及び付着を容易にする低内部応力の 他に、しばしば湿り空気中で、また水分の下でさえ最も低い摩擦係数(<0.1 )が最も重大な要因である。 しかし、液状ポリフェニルメチルシロキサン前駆物質を用いたDLNの最新の 付着技術によれば、深さ感知押し込み法により測定したように、DLNコーティ ング物の硬さは、一般的に12GPa〜17GPaの範囲で変わる。この硬度値 は、摩耗性用途、衝撃エロージョンの状況または厳格なトライボロジー用途のよ うな種々の用途には不十分であるだろう。これらの場合には、20〜25GPa の硬度が望ましい。発明の目的及び要約 現在、当該分野の市場では、コーティング全厚さにわたってDLC層の有利な 固有性質を大いに維持することによって、コーティングの欠点、特に基板に対す る不良な付着力及び圧縮応力に対する感応性を回避することができる基板コーテ ィング物の要求が高まっている。そのような改善されたコーティング物を提供す るのが、本発明の第一の目的である。 本発明の第2の目的は、相当に厚肉のコーティング物についても、全厚さにわ って応力が低いコーティング物を提供することである。本発明の第3の目的は、 とりわけ湿り条件の下で改善されたトライボロジー性質を有する上記のコーティ ング物を提供することである。また、本発明のさらに別の目的は、調節された湿 潤性または非粘着性(低表面エネルギー)を有する上記のコーティング物を製造 することである。このようにして、上記コーティング物は、超軟質のテフロンを 代替することができ、あるいは硬質のコーティング離型剤として用いることがで きる。本発明の他の目的は、調節された透明性及び/または熱あるいは電気伝導 性を有する上記のコーティング物を提供することである。 また、本発明の目的は、DLCについての従来の真空蒸着法または変形のDL Cコーティングに比べて柔軟な方式で上記のコーティング、特に比較的厚肉のコ ーティングを設計及び製造することである。 本発明によれば、上記基板を少なくとも一部を、複数の積層構造物を有する多 層コーティングで被覆し、該構造物はそれぞれ、a−C:Hとa−Si:Oの相 互侵入網目構造を有し、上記基板に最も接近している第1のダイヤモンド状ナノ コンポジット組成物層と、該第1層の上部にある第2のダイヤモンド状カーボン 組成物層と、該第1層と第2層との間にある上記ダイヤモンド状ナノコンポジッ トとダイヤモンド状カーボン組成物との混合物を含有する遷移層とを含んでなる 。該積層構造物の数が1層以上である場合、上記コーティングは、連続的な積層 構造物の各ペアの間に挟まれた、上記ダイヤモンド状カーボン及びダイヤモンド 状ナノコンポジット組成物の混合物を含有する中間層を含む。 DLCとDLNを交互に積層した超薄いスライスの堆積物を上記方式で組み立 てることにより、低応力を示し、よりすぐれた耐摩耗力を発揮するより厚いコー ティングの付着が可能となる。 本発明によれば、上記第1層の厚さが0.10以上3μm以下である。上記第 2層は、第1層より薄く、厚さが0.1〜2μmであるのが好ましい。一方、前 記遷移層の厚さは、好ましくは0.1〜1μmである。 さらに、上記コーティングの上部表面の湿潤性または非粘着性をさらに調節す るためにその外面に特定のダイヤモンド状ナノコンポジット組成物を含む別の上 部層を加えることができる。 コーティングのトライボロジー性質をさらに改善するために、前記ナノコンポ ジット組成物は、C、Si及びOの総量に比例してCを40〜90%、Siを5 〜40%及びOを5〜25%含むのが好ましい。コーティングの伝導性に影響を 与えるために、コーティングを前記第1層、第2層、遷移層及び中間層のうち少 なくとも1層に(IV族〜VII族の)遷移金属でさらにドーピングすることができ る。特にW、Zr及びTiがよく適する。上記層のいずれもN、ArまたはKr のような不活性ガス0.5〜5%をさらに含むことができる。 本発明による被覆基板の柔軟な製造方法は、 a)真空室で前記第1層を付着するステップであって、まず付着すべき元素C 、H、Si及びOを適正比率に含む流体有機前駆物質を連続的に導入し、該前駆 物質からプラズマを連続的に形成させ、該プラズマからの組成物を負のバイアス 電圧が加えられる基板上に付着するステップと、 b)前記前駆物質を炭化水素により漸進的に交換し、前駆物質と炭化水素との 混合物からプラズマを連続的に形成させ、プラズマ形態の前記混合物より遷移層 をダイヤモンド状ナノコンポジット組成物で被覆された負荷電基板上に付着し、 それによって、前記混合組成物をダイヤモンド状ナノコンポジット組成物からダ イヤモンド状カーボンに漸進的に変えていくステップと、 c)前記炭化水素からダイヤモンド状カーボン組成物層のプラズマ付看を連続 して行い、1層以上の積層構造物を付着すべき場合に、別個のそのような積層構 造物の付着を行うステップと、 d)まず、前記ステップc)から炭化水素を適切な有機前駆物質により漸進的 に交換し、炭化水素と前記前駆物質との混合物からプラズマを連続的に形成させ 、プラズマ形態の前記混合物から中間層を前記構造物で被覆された負荷電基板上 に付着することにより、前記混合組成物をダイヤモンド状カーボン組成物からダ イヤモンド状ナノコンポジット組成物に漸進的に変えていくステップと、 e)前記ステップa)〜c)を繰り返すステップと を含んでなる。 この方法は、二つの物質流動(前駆物質と炭化水素)のみの変化がコントロー ルされているので、監視し易い。結局、(現行技術に従って)DLCと基板との 間にSiまたは金属ブリッジ層を使用する代わり、堆積物にDLC層と交互にD LN層を積層することにより、付着力がよく、適度な強度の耐摩耗性コーティン グが提供される。従って、上記ブリッジ層の上に厚いDLC層を付着する必要が なくなる。 液状有機前駆物質は、好ましくはシロキサン、例えばヘキサメチルジシロキサ ン(比較的に高含量のSi及びOを含有)またはポリフェニルメチルシロキサン (低含量のSi及びO含有)である。炭化水素は、好ましくは、C1〜C5系の 脂肪族飽和または不飽和炭化水素ガス、例えばエチレン、アセチレン、プロパン 、ブタン、シクロペンタンである。この炭化水素は、ベンゼンまたは置換ベンゼ ンのような芳香族炭化水素液体でもよい。炭化水素の分子量が高ければ高いほど 、付着率もより高くなる。 付着率の増加のために、上記ステップa)〜e)において高温フィラメントか らの電子放出を用いる誘導プラズマ法を適用することができる。この誘導プラズ マ法は、例えば、本出願人の係属中の欧州特許出願第96201070.8号に 記載されているように、フィラメント電流50〜150A、負フィラメントDC バイアス電圧50〜300V及びプラズマ電流0.1〜20Aのフィラメントを 用いる電子アシストDC放電を含む。この高温フィラメントからの熱電子放出を 用いてプラズマを低圧で維持するか、またはプラズマ密度を増加させる。 ステップa)で0.4<C/C+Si+O<0.9と0.05<Si/C+S i+O<0.4と0.05<O/C+Si+O<0.25を含む組成物を用いて DLN層を生成する際、プラズマで発生したイオンを引きつけるために前記基板 上に負DCバイアス又は負RF自体バイアス電圧200〜1200Vを加えるの が好ましい。これによって、前記RF電圧の周波数は、本出願人の係属中の欧州 特許出願第6201070.8に記載されているように、30〜1000kHz としてかなり低い。ダイヤモンド状カーボン組成物層を付着する場合は、プラズ マで発生されるイオンを引きつけるために、負バイアス電圧150〜180Vを 基板に加える。前駆物質としてヘキサメチルシロキサンを用いるとき、DLN中 のSi及びOの比率をもっと高くすることができる。これによって、特にその上 部面にDLN層を有するコーティングの非湿潤または非粘着作用が有利となる。 上記ステツプa)〜e)のいずれかステップの間、真空室に不活性ガスを導入 し、成長層のイオン衝撃によりイオン化して混入させる。その結果、付着フィル ムのナノ硬度(nanohardness)が増加されることができる。 液状シロキサン前駆物質に上記ガスを別個に導入するか、あるいはキャリヤガス として導入することができる。 キャリヤガスを導入する場合、後述のように、前駆物質の蒸発が容易になる。 これにより、付着工程の安定性及び再現性が有利になる。上記ガスの導入により 、作業圧力が10-3〜10-2mbarに上がる。これにより、例えば複合形態の 基板についても均一の付着が可能のなる。 炭化水素ガスを不活性キャリヤガスとして使用するか、または不活性キャリヤ ガスに加えるとき、付着層のC含量に同様に影響を与える。必要に応じて、上記 ステップa)〜e)のいずれかのステップの間に、スパッタリング又は加熱蒸発 により少なくとも一つの遷移金属を助付着してコーティングの伝導性をさらに調 整することができる。図面の簡単な説明 図1は、基板上にコーティングを付着する異層の可能な堆積配列の分解組立図 である。詳細な説明 図1に示すように、基板1上の異なる層の配列は以下のようである。コーティ ング6は二つの積層構造物2を含んでおり、これらの構造物は、それそれa−C :Hとa−Si:Oの相互侵入網目構造を有し、上記基板に最も接近している第 1のダイヤモンド状ナノコンポジット組成物層3と、該第1層の上部にある第2 のダイヤモンド状カーボン組成物層4と、該第1層と第2層との間にある上記ダ イヤモンド状ナノコンポジットとダイヤモンド状カーボン組成物との混合物を含 有する遷移層5とを含んでなる。 上記二つの積層構造物2の間に挟まれて、コーティング6は、上記ダイヤモン ド状カーボン及びダイヤモンド状ナノコンポジット組成物の混合物を含有する中 間結合層7を含む。 最外部の積層構造物2の上部に、その外面にダイヤモンド状ナノコンポジット 組成物を含む上部層(8)を形成するすることができ、またこれに接触して積層 構造物2に良好な結合を与えるためにDLC及びDLNの混合物をさらに含有す るサブ層9を形成することもできる。 以下、本発明の実施態様として2層堆積物の付着について説明する。2層堆積 物というのは、一つの積層構造物2が上述のように、第1層3、第2層4及び中 間層5を含むことを言う。上記の係属中の出願明細書に記載されているような真 空反応器で、キャリヤガスとしてのArとともにヘキサメチルジシロキサンを導 入する。実際に、この混合ガス/前駆物質を調節された蒸発混合系を通じて制御 可能な方式で上記真空室へ送出する。液状シロキサンを液状質量流量制御装置を 通って混合バルブへ移送する。この混合バルブで液状シロキサンがキャリヤガス 流と混合される。次に、この混合バルブから約80℃〜200℃に加熱された混 合室へ移送する。この混合物のうちシロキサンが蒸発し、高温混合物が上記真空 室へ移入され、該真空室の圧力が10-3〜10-2mbarに上がる。付着速度は 約2μm/時間である。これは、キャリヤガスを使用せず多孔質体を通してポリ フェニルメチルシロキサンを導入する場合の数値よりもっと高い。 高含量のSi及びOを有する前駆物質、例えばテトラエチルオルト珪酸または ヘキサメチルジシロキサンにより、約36%以下のSi/C+O+Siと約17 %以下のO/C+O+Siを有するDLN層を生成することができる。厚さが、 例えば1μmに達した後、シロキサンの流動が徐々にゼロ値に減少する。これと 同時に、メタンを導入し、厚さ0.1〜0.5μmの遷移層5を形成する。これ によって、上記室内の圧力が約5.10-3mbarまで上がる。 DLNの付着の間、上記室内にガスを同時導入する場合、付着層の組成の変更 が容易となる利点がある。DLN層中のSiまたは0の含量は、特定のC含有ガ ス流を加えることにより低下することができ、従って、例えば遷移層5でCの含 量が相対的に増加する。付着の間に液状前駆物質の組成を変更することによりD LN層の組成を変更することはより困難で、確かにそれほど瞬間的なことではな い。原則として、真空室へ移入するガス流動組成を容易に変更及び適用する可能 性により、上記工程は、非常に変更自在になり、コーティングの全厚さにわたっ て組成の勾配が好ましい生産が可能となる。 続いて、DLCの組立の際、厚さが典型的に0.5〜1μmまたは2μm以下 である上部層4を形成してメタン前駆物質からDLCをさらに付着することがで きる。この層は、上記コーティングに所定の強度、改善された摩耗及び引っかき 抵抗性を与える。上部DLC層は、また、付着物の表面生体適合性を確保する (また、いくつかの用途では、DLN組成物の生体適合性に関する研究が延長さ れることを排除する)。 なお、上記ステップa)でDLN層の付着前に上記基板に反応性イオンエッチ ング(RIE)ステップを適用することも好ましい。このステップは、Arのよ うな不活性ガスのイオンによる基板の衝撃により行われる。これによって、表面 の活性化が行い、該表面から残留の酸素が除去される。 上部層としてDLCを適用する場合、ガス流動の停止により付着作業を即時に 中止可能であるという利点があり、これに反して、(例えば、多孔質体を通して ポリフェニルメチルシロキサン前駆物質を導入することにより)キャリヤガスを 使用せず純粋なDLN付着を終了するためには、残余の液状前駆物質の蒸発が継 続して行っているため、低い付着速度で10〜15分が必要となる。 しかし、2層構造の提供により、上記基板に良好な付着力が与えられ、これは 付着性評価のための引っかき試験により得られた有利な結果により証明される。 この試験において、先端半径200μmのロックウェル圧子を使用して上記基板 に荷重を加える。上記先端を被覆表面の上で側方向に移動しながら、荷重を徐々 に増加させる。亀裂または層剥離が起こるところを、コーティングの剥離が生じ る正規荷重として表示する。次の試験では、コーティングの層剥離がはじめて生 じるとき臨界荷重(Nで)に至ることをのみ検討する。臨界荷重が基板の硬度に よって変わるので、上記引っかき試験は全て10〜12GPaの硬度を有する高 速M2鋼を対象にして行う。 様々な刊行物に報告された硬質のDLCフィルムの付着についての困難さは、 本発明の方法においてメタンガス前駆物質を用いて鋼基板上にDLCを直接付着 することにより明らかになった。ステンレス鋼304及びM2鋼基板上に付着し た上記コーティングは、これらのコーティングを付着室から取り出したら自発的 に層剥離を起こさせた。これとは反対に、上記引用した係属中の特許公報に記載 されている方法により付着したDLNフィルムは、引っかき試験で25〜40N の臨界荷重により表れる優秀な付着力を発揮する。 上部DLC層の付着の際、基板に150〜800VのDC自体バイアスを加え ると、DLN/DLC2層は、17〜20GPaのナノ硬度を有する。これらの ナノ硬度値は、耐摩耗性測定のためのナノ押し込み試験を通じて得られる。この 引っかき試験では、DLN/DLC2層が純粋なDLNフィルムと似ている25 〜35Nの臨界荷重を示す。 このようにDLN/DLC2層は、成功的に純粋なDLNフィルムの良好な付 着力と純粋なDLNフィルムのより高い硬度値とを組み合わせた。産業上興味の ある性質の唯一の上記組み合わせにより、上記コーティング構造物の多様なトラ イボロジー用途の見込みがよくなる。 上記DLN/DLC2層を対象にして、約50%RHの空気中、0.17m/ sの線速度で、10N正規荷重のカウンタボディとして100Cr6鋼1/4” 軸受玉を用いて標準ディスク上玉(ball−on−disk)実験を行う。こ の実験を100000サイクル遂行した後、摩耗トラックのプロフィロメトッリ ク(profilometric)測定により摩耗因子を決定した。純粋なDL Nフィルムの場合は、2x10-7mm3/Nmの摩耗因子が得られるが、DLN /DLC2層の場合、DLN/DLC2層の摩擦係数(約0.1)が純粋なDL Nフィルムの摩擦係数(約0.06)よりわずかに高いということにも拘らず、 摩耗因子は0.5x10-7mm3/Nmに至った。したがって、DLN/DLC 2層は、低摩耗滑り用途に優れた対象になる。 結論的に、DLN層は、30N以上の臨界荷重に対する付着を増加させるため 、DLCフィルムの最終の付着促進下部層として考慮され得る。DLCフィルム にSi、SiCまたは金属層のような他の付着促進下部層がしばしば使用されて いたが、上記の高い臨界荷重に至ることは稀である。DLN下部層は、上記DL N 層自体が既にSiまたは金属層より高い12〜15GPaの硬度により適度に良 好な耐摩耗性を提供するという利点をさらに有する。 高硬度と低摩擦(<0.1)との両方とも必要とする用途には、DLNとDL Cとの別の構造組み合わせ法が提案され得る。正常空気や湿潤空気中、水分の下 でDLNコーティングの低摩擦性は、たぶんディスク上玉実験において鋼カウン タボディ上に付着された遷移層の特異性により生じる。この遷移層の詳しい構造 に関する研究がまだ進行しているが、DLNコーティングを用いて数回の実験を 行った後の鋼玉について上記遷移層を観察した。DLCまたはドーピングしたD LCコーティングを用いたディスク上玉実験におけるカウンタボディについて遷 移層をしばしば観察した。トライボロジー用途において低摩擦を得るために、滑 りパートナの表面上に遷移層を組み立てることができなければならない。従って 、上部DLN層を形成しなければならない。 硬度と低摩擦とを合わせた理想的な構造は、中間層7を有し、最終的にDLN 外面と結合サブ層9を有する上部層8を被覆した一組の積層構造物2を組み立て た堆積物6を含むDLN/DLC多層で有り得る。一方では、DLN層3とDL C層4を交互に積層することにより、厚肉の積層堆積物における内部応力及び付 着問題が解決される。他方では、上部表面(層8)にDLNを提供することによ り、低摩擦係数及び低表面エネルギー(低接触角)が得られる。このような表面 エネルギーを適切に調節するために、その外面のSi及びO含量を調節すること ができる。 Si及びOが増量されと、接触角が大きくなり、これによって、一般的にコーテ ィングの離型あるいは非粘着層として、または湿気の遮断層としての適性も向上 される。また、堆積物中のSi及びOの含量の平均増加により、その全光透過性 を向上することもできる。多層の堆積物において、層3(4各々)の総数は3〜 25個、好ましくは5〜10個の範囲内で有り得る。 本発明による2層または多層堆積物は、様々な用途に使用することができる。 これらの組成は、低摩擦、高硬度、耐摩耗性、耐食性及び非粘着性(特定の液体 、気体に対して、または固体にさえ対しても高い接触角)の表面を有する製品に ついて予め調節された要求値を満たすように具体的に調整することができる。従 って、この堆積コーティングは、例えば紙や織物の特定の裁断用具において、ま たは例えばアルミニウム加工物の形削りのための金属作業工具において表面層と して使用することができる。このコーティングは、例えば股及び膝継ぎ手代替の ための生体医療用補填材料の摩擦減少剤として働くことができる。深絞りダイ用 プラスチック成形(加圧成形、射出成形)及び製薬、食品及びその他の化学産業 用の錠剤やカプセル剤の押し打ち金型とシーリング要素(例えば、プラスチック シーリングバー)の離型コーティングとして使用することができる。 本発明による低摩耗及び低摩擦コーティングは、アルミナ水栓バルブに、織機 における多くの種類の滑り要素及び摩擦部品について、また自動車、食品及び製 薬産業において潤滑剤を代替するため(例えば、軸受、ピストン及びギヤ)適用 することができる。 上記DLN/DLCコーティング堆積物は、ステアリン酸マグネシウムまたは 亜鉛、ベンゾ酸ナトリウム、ほう酸、ロイシンなどのような親油性または親水性 潤滑剤を除去することができるので、錠剤やカプセル剤の高精密押し打ちまたは 成形装置における離型コーティングとして特に有用である。また、DLN/DL C離型コーティングは、医薬用錠剤の他にも、チヨコレット、甘いものの金型に おける錠剤の製造に、洗剤粉末の製造に、発泡錠剤の製造に、また金属粉末を含 有する錠剤にも適用することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 少なくとも一部が複数の積層構造物(2)を有するコーティング(6) で被覆された基板(1)であって、該構造物はそれぞれ、 a−C:Hとa−Si:Oの相互侵入網目構造を有し、上記基板に最も接近し ている第1のダイヤモンド状ナノコンポジット組成物層(3)と、 該第1層の上部にある第2のダイヤモンド状カーボン組成物層(4)と、 該第1層と第2層との間にある上記ダイヤモンド状ナノコンポジットとダイヤ モンド状カーボン組成物との混合物を含有する遷移層(5)と を含んでおり、積層構造物(2)の数が1層以上である場合、上記コーティング (6)は、連続的な積層構造物(2)の各ペアの間に挟まれた、上記ダイヤモン ド状カーボン及びダイヤモンド状ナノコンポジット組成物の混合物を含有する中 間層(7)を含む基板。 2. 前記第1層(3)の厚さが、0.1以上3μm以下である請求項1記載 の基板。 3. 前記第2層(4)は、前記第1層より薄く、厚さが0.1〜2μmであ る請求項2記載の基板。 4. 前記遷移層(5)の厚さが、0.1〜1μmである請求項1記載の基板 。 5. その外面にダイヤモンド状ナノコンポジット組成物を含む上部層(8) を前記コーティング(6)の上に有する請求項1記載の基板。 6. 前記ナノコンポジット組成物は、C、Si及びOの総量に比例してC4 0〜90%、Si5〜40%及びO5〜25%を含む請求項1記載の基板。 7. 前記第1層、第2層、遷移層及び中間層のうち少なくとも1層が遷移金 属でさらにドーピングされる請求項1記載の基板。 8. 前記第1層、第2層、遷移層及び中間層のうち少なくとも1層が不活性 ガス0.5〜5%を含む請求項1記載の基板。 9. a)真空室で前記第1層(3)を付着するステップであって、まず付着 すべき元素C、H、Si及びOを適正比率に含む流体有機前駆物質を連続的に導 入し、該前駆物質からプラズマを連続的に形成させ、該プラズマからの組成物を 負のバイアス電圧が加えられる基板上に付着するステップと、 b)前記前駆物質を炭化水素により漸進的に交換し、前駆物質と炭化水 素との混合物からプラズマを連続的に形成させ、プラズマ形態の前記混合物より 遷移層(5)をダイヤモンド状ナノコンポジット組成物(3)で被覆された負荷 電基板上に付着し、これによって前記混合組成物をダイヤモンド状ナノコンポジ ット組成物からダイヤモンド状カーボンに漸進的に変えていくステップと、 c)前記炭化水素からダイヤモンド状カーボン組成物層(4)のプラズ マ付着を連続して、1層以上の積層構造物(2)を付着すべき場合に、別個のそ のような積層構造物の付着を行うステップと、 d)まず、前記ステップc)から炭化水素を適切な有機前駆物質により 漸進的に交換し、炭化水素と前記前駆物質との混合物からプラズマを連続的に形 成させ、プラズマ形態の前記混合物から中間層(7)を前記構造物(2)で被覆 された負荷電基板上に付着することにより、前記混合組成物をダイヤモンド状カ ーボン組成物からダイヤモンド状ナノコンポジット組成物に漸進的に変えていく ステップと、 e)前記ステップa)〜c)を繰り返すステップと を含んでなる請求項1記載の被覆基板(1)を製作する方法。 10. 前記液状有機前駆物質がシロキサン、とりわけヘキサメチルジシロキサ ンである請求項9記載の方法。 11. 前記炭化水素がC1〜C5系の脂肪族炭化水素ガスである請求項9記載 の方法。 12. 前記炭化水素が芳香族炭化水素液体である請求項9記載の方法。 13. 前記液体がベンゼンまたは置換ベンゼンである請求項12記載の方法。 14. 前記プラズマが、高温フィラメントからの電子放出を用いる誘導プラズ マである請求項9記載の方法。 15. 前記誘導プラズマ付着は、フィラメント電流50〜150A、負フィラ メントDCバイアス電圧50〜300V及びプラズマ電流0.1〜20Aのフィ ラメントを用いる電子アシストDC放電を含む請求項14記載の方法。 16. 前記基板上にナノコンポジット組成物層を付着する場合、負DCバイア ス又は負RF自体バイアス電圧200〜1200Vを加え、またダイヤモンド状 カーボン組成物層を付着する場合は、負自体バイアス電圧150〜180Vを基 板に加えてプラズマからイオンを発生させる請求項9〜14のいずれか1項に記 載の方法。 17. 前記RF電圧の周波数が30〜1000kHzである請求項16記載の 方法。 18. 前記ステップa)〜e)のいずれかの間、真空室に不活性ガスを導入し 、成長層のイオン衝撃によりイオン化して混入させる請求項9記載の方法。 19. ダイヤモンド状ナノコンポジット組成物を付着する場合、シロキサン前 駆物質を真空室に導入するためのキャリアガスと混合し、該混合物を加熱して前 駆物質を蒸発させる請求項9記載の方法。 20. 前記キャリアガスが不活性ガス及び/又は炭化水素ガスを含む請求項1 9記載の方法。 21. 前記ステップa)〜e)のいずれかの間、スパッタリング又は加熱蒸発 により少なくとも一つの遷移金属を助付着する請求項9記載の方法。 22. 前記ステップa)を行う前に、基板を不活性ガスのイオン衝撃によりプ ラズマエッチングする請求項9記載の方法。
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